CN116134567A - 电解电容器用电极箔和电解电容器 - Google Patents

电解电容器用电极箔和电解电容器 Download PDF

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Abstract

具备包含阀作用金属的基材和覆盖基材的表面的异种金属复合层。异种金属复合层包含第1金属和与第1金属不同的第2金属混存的混存区域。混存区域构成异种金属复合层的厚度方向的至少50％。通过使用混存区域的第1金属相对于全部金属的含有率M1和第2金属相对于全部金属的含有率M2分别为1原子％以上的电解电容器用电极箔，从而提供高性能和高可靠性的电解电容器。

Description

电解电容器用电极箔和电解电容器
技术领域
本发明涉及电解电容器用电极箔和电解电容器。
背景技术
电解电容器的阳极箔例如可使用包含阀作用金属的箔状或板状的基材。为了增加电解电容器的容量，通常基材的表面具有多孔质部。多孔质部通过对基材进行蚀刻处理而形成。通过对基材进行化学转化处理，从而基材(多孔质部)的表面被金属氧化物(电介质)层覆盖。
然而，随着搭载电解电容器的电子设备的性能提高，要求电解电容器的高性能化。例如，要求电介质层的相对介电常数和耐电压性的提高。但是，难以通过1个电介质层(金属氧化物层)同时提高相对介电常数和耐电压性。作为同时提高相对介电常数和耐电压性的方法，可举出例如由有利于提高相对介电常数的第1金属的氧化物层和与第1金属不同的有利于提高耐电压性的第2金属的氧化物层这2层构成电介质层的方法。
在专利文献1中，提出了通过原子层沉积(ALD)法，使用第1前体形成第1金属氧化物层，使用第2前体形成第2金属氧化物层。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：美国专利申请公开第2017/0103883号说明书
发明内容
本发明的一个方面的电解电容器用电极箔具备包含阀作用金属的基材和覆盖上述基材的表面的异种金属复合层，上述异种金属复合层包含第1金属和与上述第1金属不同的第2金属混存的混存区域，上述混存区域构成上述异种金属复合层的厚度方向的至少50％，上述混存区域的上述第1金属相对于全部金属的含有率M1和上述第2金属相对于全部金属的含有率M2分别为1原子％以上。
本发明的另一方面的电解电容器具备上述电解电容器用电极箔。
根据本发明，能够得到高性能和高可靠性的电解电容器。
附图说明
图1是本发明的一个实施方式的电极箔所具备的基材的截面示意图。
图2是将本发明的一个实施方式的电极箔中的表面被异种金属复合层覆盖的多孔质部的一部分放大表示的截面示意图。
图3是将图2的X部分放大表示的截面示意图。
图4是将本发明的另一实施方式的电极箔中的表面被异种金属复合层覆盖的多孔质部的一部分放大表示的截面示意图。
图5是电解电容器的截面示意图。
图6是示意地表示电解电容器所具备的卷绕体的构成的立体图。
具体实施方式
在实施方式的说明之前，以下简单地表示现有技术中的课题。
在通过ALD法使用多个前体形成多个金属氧化物层来得到电介质层的情况下，供给到反应室的前体的数量和向反应室供给前体的次数(循环数)增大，由此电介质层中所含的来自前体的杂质量增大。由此，有时漏电流增大。
在双层结构的电介质层的情况下，在电介质层的厚度方向上2种金属的分布不均，有时无法稳定地得到由2种金属带来的电极箔的性能。例如，有时绝缘性差的金属氧化物的存在比率大于目标值的部分局部存在，绝缘性降低，漏电流增大。
可举出对第1金属氧化物层和第2金属氧化物层的层叠体实施热处理，形成第1金属氧化物与第2金属氧化物混存的复合层的方法。但是，热处理时需要将层叠体在450℃以上的高温下加热，有时基材因热而劣化或变形。也难以均匀地加热层叠体，在多孔质部的厚度方向上加热程度的偏差较大。因此，难以调整第1金属和第2金属的比率和分布程度，无法稳定地得到电极箔的性能。
可举出在基材的表面形成与基材中所含的第1金属不同的第2金属的氧化物层，对基材实施化学转化处理，并在基材与第2金属氧化物层之间形成第1金属氧化物层的方法。在该方法中，可以在第1金属氧化物层与第2金属氧化物层的边界形成第1金属氧化物和第2金属氧化物混存的区域。但是，在利用这样的化学转化处理的方法中，上述区域仅以与第1金属氧化物层、第2金属氧化物层相比极薄的厚度形成。另外，也难以调整第1金属和第2金属的比率以及分布程度。因此，无法稳定地得到电极箔的性能。
对在表面形成有第1金属氧化物层和第2金属氧化物层这2层的基材进行化学转化处理，修复2层的缺陷的情况下，2层中分别含有的金属导致2层的修复程度产生偏差，有时无法稳定地得到电极箔的性能。
鉴于上述课题，本发明提供一种电解电容器用电极箔，其用于提供高性能和高可靠性的电解电容器。
本实施方式的电解电容器用电极箔具备包含阀作用金属的基材和覆盖基材的表面的异种金属复合层。异种金属复合层包含第1金属和与第1金属不同的第2金属混存的混存区域，混存区域构成异种金属复合层的厚度方向的至少50％。混存区域的第1金属相对于全部金属的含有率M1和第2金属相对于全部金属的含有率M2分别为1原子％以上。
上述异种金属复合层可以使用包含第1金属的前体和包含第2金属的前体、或者包含第1金属和第2金属的1个前体，通过原子层沉积(ALD)法使第1金属和第2金属以原子层单位沉积而形成。因此，容易以适度的厚度形成第1金属和第2金属混存的区域，容易调整第1金属和第2金属的比率和分布程度。在混存区域中，在异种金属复合层的厚度方向上，能够使第1金属和第2金属分别均匀地分布。在ALD法的情况下，由基材的热带来的影响也得以减轻。在对在表面具有异种金属复合层的基材进行化学转化处理来修复异种金属复合层的缺陷的情况下，由于第1金属和第2金属混存，所以修复程度的偏差受到抑制。另外，在使用包含第1金属和第2金属的1个前体的情况下，能够减少供给到反应室的前体的数量和向反应室供给前体的次数(循环数)，能够降低来自前体的杂质量。因此，由来自前体的杂质量的增大引起的漏电流的增大受到抑制。根据以上内容，能够稳定地得到由第1金属和第2金属带来的电极箔的性能，能够得到高性能和高可靠性的电解电容器。
异种金属复合层至少包含上述混存区域，也可以包含混存区域以外的区域。混存区域以外的区域包括：包含第1金属且不含第2金属的区域、包含第2金属且不含第1金属的区域。第1金属和/或第2金属可以与基材中所含的阀作用金属相同，也可以不同。异种金属复合层可以进一步包含第1金属和第2金属以外的第3金属。第3金属可以包含于混存区域，也可以包含于混存区域以外的区域。
混存区域的厚度相对于异种金属复合层的厚度的比率为50％以上，可以为70％以上，也可以为90％以上。另外，混存区域的厚度相对于异种金属复合层的厚度的比率可以为100％。即，异种金属复合层的整体可以由混存区域构成。需要说明的是，混存区域的厚度为混存区域中的异种金属复合层的厚度方向的厚度。
在混存区域的第1金属相对于全部金属的含有率M1和第2金属相对于全部金属的含有率M2分别为1原子％以上的情况下，由第1金属和第2金属带来的电极箔的性能得以充分发挥。混存区域的第1金属相对于全部金属的含有率M1和第2金属相对于全部金属的含有率M2分别可以为1原子％以上且99原子％以下，也可以为1原子％以上且70原子％以下。
可以将混存区域在异种金属复合层的厚度方向上从该异种金属复合层的表面侧起依次3等分为A1区域、A2区域和A3区域。在A1～A3区域中，优选第1金属和第2金属均匀地分布。在该情况下，容易稳定地得到由各金属带来的电极箔的性能，容易得到高性能和高可靠性的电解电容器。
在A1～A3区域间，优选第1金属相对于第2金属的原子比的偏差小。具体而言，A1区域的第1金属相对于第2金属的原子比RA1、A2区域的第1金属相对于第2金属的原子比RA2、以及A3区域的第1金属相对于第2金属的原子比RA3优选满足0.8≤RA2/RA1≤1.2且0.8≤RA3/RA2≤1.2的关系。更优选RA2/RA1和RA3/RA2分别为0.9以上且1.1以下。
在A1～A3区域间，优选第1金属相对于全部金属的含有率的偏差小。具体而言，A1区域的第1金属相对于全部金属的含有率M1A1(原子％)、A2区域的第1金属相对于全部金属的含有率M1A2(原子％)、以及A3区域的第1金属相对于全部金属的含有率M1A3(原子％)优选满足0.9≤M1A2/M1A1≤1.1且0.9≤M1A3/M1A2≤1.1的关系。此外，M1A1、M1A2和M1A3分别优选为1原子％以上。
在A1～A3区域间，优选第2金属相对于全部金属的含有率的偏差小。具体而言，A1区域的第2金属相对于全部金属的含有率M2A1(原子％)、A2区域的第2金属相对于全部金属的含有率M2A2(原子％)和A3区域的第2金属相对于全部金属的含有率M2A3(原子％)优选满足0.9≤M2A2/M2A1≤1.1且0.9≤M2A3/M2A2≤1.1的关系。此外，M2A1、M2A2和M2A3分别优选为1原子％以上。
基材可以具有多孔质部和与多孔质部连续的芯部，异种金属复合层可以覆盖多孔质部的表面。基材是芯部与多孔质部的一体化物。基材可使用包含阀作用金属的金属箔。基材例如通过对金属箔实施蚀刻等而得到。多孔质部是通过蚀刻而多孔质化的金属箔的表面侧(外侧)部分，作为金属箔的内侧部分的剩余部分为芯部。多孔质部具有由包含阀作用金属的金属骨架包围的凹坑或细孔。异种金属复合层以覆盖构成多孔质部的金属骨架(包围凹坑或细孔的金属骨架)的表面的至少一部分的方式设置。
(第1金属～第3金属)
从有利于提高电介质层的相对介电常数的观点出发，第1金属优选包含选自钛(Ti)、钽(Ta)、铪(Hf)、锆(Zr)和锌(Zn)中的至少1种。
其中，第1金属更优选包含选自钛和钽中的至少1种(以下，称为钛等。)。钛等有利于提高耐腐蚀性和绝缘性，能够实现电解电容器的高性能化和长寿命化。电解电容器的劣化、短路等不良情况容易在多孔质部的表面侧发生，因此也可以在多孔质部的表面侧较多地包含钛等。在钛的情况下，特别是对于额定电压低的电解电容器，容易得到绝缘性的提高等效果。
第2金属优选包含选自硅(Si)和铝(Al)中的至少1种(以下，称为硅等。)。硅等有利于提高电介质层的耐电压性。另外，硅等也有利于提高绝缘性。硅等可以较多地包含在电介质层的容易产生缺陷的多孔质部的芯部侧。
在多孔质部的厚度方向上使异种金属复合层中的第1金属和第2金属的含有率分别变化。根据电解电容器的用途、电解电容器所要求的性能(耐电压、容量等)、分别选择为第1金属和第2金属的金属特性等，可以在多孔质部的表面侧增多第1金属，也可以在多孔质部的芯部侧增多第2金属。另外，可以在多孔质部的表面侧增多第2金属，也可以在多孔质部的芯部侧增多第1金属。
优选第1金属为钛，第2金属为硅，且混存区域的硅相对于全部金属的含有率为1原子％以上且70原子％以下。在该情况下，容易同时得到电介质层的相对介电常数和耐电压性的提高效果。可以使用ALD法，在容易产生电介质层的缺陷的多孔质部的芯部侧增大有利于提高耐电压性的硅的含有率。在基材容易发生腐蚀的多孔质部的表面侧，可以增大有利于提高耐腐蚀性的钛的含有率。由此，能够更有效地提高电极箔的性能。
优选第1金属为钛，第2金属为铝，且混存区域的铝相对于全部金属的含有率为1原子％以上且55原子％以下。在该情况下，容易同时得到电介质层的相对介电常数和耐电压性的提高效果。可以使用ALD法，在容易产生电介质层的缺陷的多孔质部的芯部侧增大有利于提高耐电压性的铝的含有率。在基材容易发生腐蚀的多孔质部的表面侧，可以增大有利于提高耐腐蚀性的钛的含有率。由此，能够更有效地提高电极箔的性能。
从介电常数的进一步提高的观点出发，也可以将Zr与Ti一起用于第1金属。从耐电压性的进一步提高的观点出发，也可以将Al与Si一起用于第2金属。
作为第3金属，可举出例如铌(Nb)等。Nb有利于提高电介质层的相对介电常数。
(阳极箔)
异种金属复合层可以为氧化物层。在该情况下，氧化物层作为电介质层发挥功能，可以将电极箔用作阳极箔。通过将有利于提高电介质层的相对介电常数的金属用于第1金属，将有利于提高电介质层的耐电压性的金属用于第2金属，能够同时提高电介质层的相对介电常数和耐电压性。在阳极箔的情况下，混存区域可以以第1金属氧化物和第2金属氧化物、或者第1金属与第2金属的复合氧化物的形式包含第1金属和第2金属。
混存区域可以包含杂质。杂质为选自氢、碳和氮中的至少1种。ALD法中使用的前体可以包含上述杂质。相对于混存区域中的全部金属和杂质的合计，混存区域中的杂质的含有率Mi优选为25原子％以下，更优选为15原子％以下。异种金属复合层为氧化物层(电介质层)，将电极箔用作阳极箔的情况下，如果杂质的含有率大，则有时漏电流增大。在使用包含第1金属和第2金属的1个前体的情况下，杂质的含有率容易降低至上述范围内，容易抑制由杂质引起的漏电流的增大。特别是，相对于混存区域中的全部金属和杂质的合计，混存区域中的氢的含有率被抑制为10原子％以下。
(阴极箔)
异种金属复合层可以为导电层。在该情况下，可以将电极箔用作阴极箔。在第1金属和第2金属中，可以组合使用有利于提高耐腐蚀性和提高导电性的金属。例如，可以组合使用钛和钽。在该情况下，在生产率的提高和制造成本的降低的方面是有利的。
从提高导电层的导电性的观点出发，异种金属复合层(导电层)可以进一步包含导电性碳。异种金属复合层可以包含第1金属、第2金属和导电性碳混存的区域。混存区域中的导电性碳相对于全部金属和导电性碳的合计的含有率例如可以为10原子％以上且95原子％以下。另外，异种金属复合层可以由第1金属和第2金属混存的区域(混存层)和导电性碳层构成。
在此，图1是示意地表示本发明的一个实施方式的电极箔所具备的基材的截面图。图2是将本发明的一个实施方式的电极箔中的具有异种金属复合层的多孔质部的一部分放大表示的截面示意图。图3是将图2的X部分放大表示的截面示意图。
电极箔10具备包含阀作用金属的基材110和覆盖基材110的表面的异种金属复合层120(第1层121)。基材110具有多孔质部112和与多孔质部112连续的芯部111。基材110为芯部111与多孔质部112的一体化物。如图2所示，异种金属复合层120覆盖多孔质部112的表面。多孔质部112具有由包含阀作用金属的金属骨架包围的多个凹坑(细孔)P。异种金属复合层120覆盖多孔质部112的金属骨架的表面。即，异种金属复合层120覆盖多孔质部112的外表面和凹坑(细孔)P的内壁面。
异种金属复合层120的整体由第1金属和与第1金属不同的第2金属混存的混存区域构成。异种金属复合层(混存区域)120具有厚度T1。在本实施方式中，异种金属复合层的整体由混存区域构成，但混存区域只要构成异种金属复合层的厚度的50％以上即可。
如图1所示，能够将多孔质部112在该多孔质部112的厚度方向上从与芯部111相反侧起依次三等分为B1区域、B2区域和B3区域。即，在将多孔质部112的厚度设为T时，B 1～B3的区域分别具有1/3T的厚度。需要说明的是，多孔质部112的厚度T通过如下方式得到：切断电极箔10以得到芯部111和多孔质部112的厚度方向的截面，得到基于扫描电子显微镜(SEM)的截面的图像，求出多孔质部的任意10点的厚度的平均值。
B 1区域的第1金属相对于全部金属的含有率M1B1(原子％)、B2区域的第1金属相对于全部金属的含有率M1B2(原子％)和B3区域的第1金属相对于全部金属的含有率M1B3(原子％)满足1≤(M1B1+M1B2+M1B3)/3的关系。需要说明的是，B 1区域的第1金属相对于全部金属的含有率是指B1区域中的第1金属相对于覆盖多孔质部的表面的混存区域中的全部金属的含有率。B2区域的第1金属相对于全部金属的含有率和B3区域的第1金属相对于全部金属的含有率也是同样的。
B 1区域的第2金属相对于全部金属的含有率M2B1(原子％)、B2区域的第2金属相对于全部金属的含有率M2B2(原子％)和B3区域的第2金属相对于全部金属的含有率M2B3(原子％)满足1≤(M2B1+M2B2+M2B3)/3的关系。需要说明的是，B 1区域的第2金属相对于全部金属的含有率是指B1区域中的第2金属相对于覆盖多孔质部的表面的混存区域中的全部金属的含有率。B2区域的第2金属相对于全部金属的含有率和B3区域的第2金属相对于全部金属的含有率也是同样的。
在多孔质部112的厚度方向(B 1～B3区域)上，可以使覆盖多孔质部的表面的混存区域中的第1金属和第2金属的含有率分别变化。例如，可以是与多孔质部的芯部侧(B3区域)相比，在表面侧(B 1区域)增大作为第1金属的有利于提高耐腐蚀性的金属的含有率。也可以是与多孔质部的表面侧(B 1区域)相比，在芯部侧(B3区域)增大作为第2金属的有利于提高耐电压性的金属的含有率。
B 1区域的第1金属相对于第2金属的原子比RB1、B2区域的第1金属相对于第2金属的原子比RB2和B3区域的第1金属相对于第2金属的原子比RB3可以满足RB3＜RB2＜RB1的关系。需要说明的是，B 1区域的第1金属相对于第2金属的原子比是指在B1区域中的第1金属相对于覆盖多孔质部的表面的混存区域中的第2金属的原子比。B2区域的第1金属相对于第2金属的原子比和B3区域的第1金属相对于第2金属的原子比也是同样的。RB2/RB1和RB3/RB2分别可以为0.05以上且0.95以下，可以为0.1以上且0.75以下，还可以为0.15以上且0.65以下。
可以是M1B3＜M1B2＜M1B1。M1B2/M1B1和M1B3/M1B2分别可以为0.05以上且0.95以下，也可以为0.1以上且0.75以下，还可以为0.15以上且0.65以下。
可以是M2B1＜M2B2＜M2B3。M2B2/M2B3和M2B1/M2B2分别可以为0.05以上且0.95以下，也可以为0.1以上且0.75以下，还可以为0.15以上且0.65以下。
如图3所示，能够将混存区域(异种金属复合层120)在异种金属复合层120的厚度T1的方向上从异种金属复合层120的表面侧起依次三等分为A1区域、A2区域和A3区域。优选在B1～B3区域的任一区域中，A1～A3区域间的第1金属和第2金属的分布的偏差小。在该情况下，容易稳定地得到由各金属带来的电极箔的性能，容易得到高性能和高可靠性的电解电容器。
在B1～B3区域的任一区域中，优选A1～A3区域间的第1金属相对于第2金属的原子比的偏差均小，RA2/RA1和RA3/RA2分别优选为0.8以上且1.2以下，更优选为0.9以上且1.1以下。
在B1～B3区域的任一区域中，优选A1～A3区域间的第1金属相对于全部金属的含有率的偏差均小，M1A2/M1A1和M1A3/M1A2分别优选为0.9以上且1.1以下。优选至少在B1区域中，M1A1、M1A2和M1A3分别为1原子％以上。
在B1～B3区域的任一区域中，在A1～A3区域间，优选第2金属相对于全部金属的含有率的偏差均小，M2A2/M2A1和M2A3/M2A2分别优选为0.9以上且1.1以下。优选至少在B3区域中，M2A1、M2A2和M2A3分别为1原子％以上。
有关混存区域中的各元素的分布和浓度的分析可以通过基于能量色散型X射线光谱法(EDX)的元素映射来进行。
混存区域中的第1金属和第2金属的含有率可以通过以下的方法求出。
切断电极箔以得到多孔质部的厚度方向的截面，得到试样截面。使用扫描电子显微镜(SEM)观察试样截面，确认覆盖多孔质部的表面的异种金属复合层。对异种金属复合层进行基于EDX的元素映射，确认第1金属和第2金属的混存区域。分别求出混存区域中的第1金属的含有率M1和第2金属的含有率M2。
具体而言，使用试样截面的SEM图像，将多孔质部分割为区域B1～B3。分别求出覆盖B1区域的表面的混存区域的任意10处的第1金属的含有率，求出它们的平均值作为B1区域中的混存区域中的第1金属的含有率M1B1。B2区域中的混存区域中的第1金属的含有率M1B2和B3区域中的混存区域中的第1金属的含有率M1B3也同样地求出。求出M1B1～M1B3的平均值作为混存区域中的第1金属的含有率M1。
另外，分别求出覆盖B1区域的表面的混存区域的任意10处的第2金属的含有率，求出它们的平均值作为B1区域中的混存区域中的第2金属的含有率M2B1。B2区域中的混存区域中的第2金属的含有率M2B2和B3区域中的混存区域中的第2金属的含有率M2B3也同样地求出。求出M2B1～M2B3的平均值作为混存区域中的第2金属的含有率M2。
RB1、RB2和RB3通过分别计算M1B1/M2B1、M1B2/M2B2和M1B3/M2B3而求出即可。
混存区域中的杂质(H、C、N)的含有率可以通过以下的方法求出。
求出覆盖B1区域的表面的混存区域的任意10处的杂质的含有率，求出它们的平均值作为B1区域中的混存区域中的杂质的含有率MiB1。B2区域中的混存区域中的杂质的含有率MiB2和B3区域中的混存区域中的杂质的含有率MiB3也同样地求出。求出MiB1～MiB3的平均值作为混存区域中的杂质的含有率Mi。
A1～A3区域中的第1金属和第2金属的含有率可以通过以下的方法求出。
使用试样截面的SEM图像，选择区域B1～B3中的任一区域，将覆盖所选择的区域的表面的混存区域进一步分割为区域A1～A3。进行基于EDX分析的元素映射，求出区域A1～A3区域中的第1金属和第2金属的含有率。具体而言，分别求出A1区域中的任意10处的第1金属的含有率，求出它们的平均值作为A1区域中的第1金属的含有率M1A1。A2区域中的第1金属的含有率M1A2和A3区域中的第1金属的含有率M1A3也同样地求出。分别求出A1区域中的任意10处的第2金属的含有率，求出它们的平均值作为A1区域中的第2金属的含有率M2A1。A2区域中的第2金属的含有率M2A2和A3区域中的第2金属的含有率M2A3也同样地求出。
RA1、RA2和RA3通过分别计算M1A1/M2A1、M1A2/M2A2和M1A3/M2A3而求出即可。
(第2层)
从进一步提高电极箔的性能的观点出发，电极箔可以在基材与异种金属复合层(第1层)之间具备包含阀作用金属的氧化物的层(第2层)。第2层可以通过对在表面具有第1层的电极箔实施化学转化处理而形成。第2层的厚度可以通过施加于电极箔的电压来控制。
在第1层为氧化物层的阳极箔的情况下，通过化学转化处理(第2层的形成)，第1层的缺陷被修复，耐电压性等阳极箔的性能进一步提高。通过第1金属与第2金属混存，从而修复程度的偏差得以抑制。第1层的缺陷例如在金属箔的切断工序、卷绕体的形成工序等电解电容器的制造过程中产生。基材优选包含适于化学转化的阀作用金属(例如Al)。
在第1层为导电层的阴极箔的情况下，通过第2层的形成，基材与电解质的反应受到抑制，阴极箔的劣化受到抑制。另外，在形成化学转化被膜(第2层)的情况下，在阴极侧也可能产生容量。如果除了阳极以外在阴极侧也产生容量，则作为电解电容器整体的容量(合成容量)减少。然而，通过在经粗面化的阴极箔形成适度厚度的氧化被膜(第2层)，特意提高阴极侧的容量，能够抑制作为电解电容器整体的容量的减少。在使用电极箔作为阴极箔的情况下，优选更薄的化学转化被膜。
在此，图4是将本发明的另一实施方式的电极箔中的表面被异种金属复合层覆盖的多孔质部的一部分放大表示的截面示意图。
如图4所示，在电极箔10中，可以在构成多孔质部112的金属骨架与厚度T1的第1层121之间形成厚度T2的第2层122。第2层是来自基材110的阀作用金属的氧化物层。
第1层的厚度T1可以大于第2层的厚度T2。在通过ALD法形成第1层的情况下，在凹坑深部的B3区域中也容易调整为T2＜T1。在阳极箔的情况下，容易得到同时提高由第1层带来的电介质层的相对介电常数和耐电压性的效果。在阴极箔的情况下，能够降低由第2层带来的阴极侧容量对电解电容器整体的容量造成的影响。T1/T2可以为2以上，也可以为3以上。
在阳极箔的情况下，异种金属复合层(第1层)的厚度T1可以为100nm以上且50000nm以下，也可以为500nm以上且30000nm以下。第2层的厚度T2可以为500nm以上且30000nm以下，也可以为1000nm以上且35000nm以下。
在阴极箔的情况下，异种金属复合层(第1层)的厚度T1可以为20nm以上且20000nm以下，也可以为50nm以上且10000nm以下。第2层的厚度T2可以为25nm以上且25000nm以下，也可以为50nm以上且20000nm以下。
需要说明的是，第1层的厚度T1如下求出：切断电极箔以得到多孔质部的厚度方向的截面，得到截面的SEM图像，分别测定任意选定的10点的厚度，将这些测定值平均化而求出。第2层的厚度T2也通过与第1层相同的步骤求出。
多孔质部的厚度没有特别限定，根据电解电容器的用途、所要求的耐电压等适当选择即可。多孔质部的厚度例如从10μm以上且160μm以下的范围选择即可。另外，多孔质部的厚度例如可以设为基材的厚度的1/10以上且5/10以下。
多孔质部所具有的凹坑或细孔的细孔径峰值没有特别限定，从增大表面积并且将异种金属复合层形成至多孔质部的深部的观点出发，例如设为50nm以上且2000nm以下即可，也可以设为100nm以上且300nm以下。细孔径峰值例如为利用水银测孔仪测定的体积基准的细孔径分布的最高频率孔径。
电解电容器的耐电压没有特别限定，例如可以具有1V以上且小于4V的比较小的耐电压，也可以具有4V以上、15V以上或100V以上的比较大的耐电压。在得到具有4V以上的耐电压的电解电容器的情况下，优选将作为电介质层发挥功能的异种金属复合层的厚度设为4nm以上。另外，在得到具有15V以上的耐电压的电解电容器的情况下，优选将作为电介质层发挥功能异种金属复合层的厚度设为21nm以上。
更具体而言，例如在得到具有60V以上的大的耐电压的电解电容器的情况下，多孔质部的细孔径峰值例如为50nm以上且300nm以下即可，多孔质部的厚度例如为30μm以上且160μm以下即可，作为电介质层发挥功能的异种金属复合层的厚度例如为30nm以上且100nm以下即可。
在电极箔的耐电压例如为100V以上的电解电容器的情况下，蚀刻凹坑的形状可以是基材的表面侧的坑径大、芯部侧的坑径小、从基材的表面侧朝向芯部侧呈隧道状延伸的大致柱状、圆锥状或圆台状的形状。柱状的凹坑的一部分可以贯通基材。
在得到耐电压比较低、例如具有10V以下的耐电压的电解电容器的情况下，多孔质部的细孔径峰值例如为20nm以上且200nm以下即可，多孔质部的厚度例如为30μm以上且160μm以下即可，作为电介质层发挥功能的异种金属复合层的厚度例如为4nm以上且30nm以下即可。
(电极箔的制造方法)
电极箔的制造方法例如包括：准备具有多孔质部和与多孔质部连续的芯部的基材的第1工序；以及形成覆盖构成多孔质部的金属骨架的表面的异种金属复合层的第2工序。
(第1工序)
在准备基材的第1工序中，例如对包含阀作用金属的金属箔实施蚀刻而将金属箔粗面化。通过粗面化，在金属箔的表面侧形成具有多个凹坑或细孔的多孔质部。同时，在金属箔的内侧部分形成与多孔质部一体的芯部。蚀刻例如可以通过利用直流电流的直流蚀刻或利用交流电流的交流蚀刻来进行。
阀作用金属没有特别限定，从容易通过化学转化处理形成第2层的方面出发，可举出铝(Al)、钽(Ta)、铌(Nb)等。金属箔的厚度没有特别限定，例如为15μm以上且300μm以下。阀作用金属可以以包含阀作用金属的合金或化合物的形式被包含在基材中。
(第2工序)
异种金属复合层的形成例如可使用气相法。作为气相法，例如可以选择真空蒸镀法、化学蒸镀法、雾蒸镀法、溅射法、脉冲激光沉积法、原子层沉积法(Atomic LayerDeposition：ALD法)等。其中，ALD法在能够将致密的异种金属复合层形成至多孔质部的深部的方面是优异的。
在ALD法中，向配置有对象物的反应室供给原料气体，能够在对象物的表面形成异种元素复合层。原料气体可以使用包含第1金属和第2金属的前体的气体，也可以使用包含第1金属的前体的气体和包含第2金属的前体的气体。在ALD法中，自停止(Self-limiting)作用发挥功能，因此第1金属和第2金属以原子层单位沉积于对象物的表面。因此，ALD法能够容易地控制所形成的异种元素复合层的厚度。通过向反应室供给原料气体的次数(循环数)来控制异种金属复合层的厚度。
在ALD法中，通过使第1金属和第2金属以原子层单位沉积于对象物的表面，从而容易形成第1金属和第2金属混存的层，容易调节第1金属和第2金属的含有率。在ALD法中，能够在异种金属复合层的厚度方向(A1～A3区域)上使第1金属和第2金属均匀地分布。
在以氧化物层的形式形成异种金属复合层的情况下，可以将以下的工序(i)作为1个循环而反复进行。
工序(i)：包含第1金属和第2金属的前体的气体的供给→包含第1金属和第2金属的前体的气体的排气(吹扫)→氧化剂的供给→氧化剂的排气(吹扫)
反复进行工序(i)，使第1金属和第2金属以原子层单位沉积，由此形成第1金属和第2金属混存的异种金属复合层(氧化物层)。
另外，在以氧化物层的形式形成异种金属复合层的情况下，可以将以下的工序(ii)作为1个循环而反复进行。
工序(ii)：包含第1金属的前体的气体的供给→包含第1金属的前体的气体的排气(吹扫)→氧化剂的供给→氧化剂的排气(吹扫)→包含第2金属的前体的气体的供给→包含第2金属的前体的气体的排气(吹扫)→氧化剂的供给→氧化剂的排气(吹扫)
反复进行工序(ii)，使第1金属和第2金属以原子层单位交替沉积，由此形成第1金属和第2金属混存的异种金属复合层(氧化物层)。
另外，在以氧化物层的形式形成异种金属复合层的情况下，可以将以下的工序(iii)作为1个循环而反复进行。
工序(iii)：包含第1金属的前体的气体的供给→包含第1金属的前体的气体的排气(吹扫)→包含第2金属的前体的气体的供给→包含第2金属的前体的气体的排气(吹扫)→氧化剂的供给→氧化剂的排气(吹扫)
反复进行工序(iii)，使第1金属和第2金属以原子层单位交替沉积，由此形成第1金属和第2金属混存的异种金属复合层(氧化物层)。
在形成异种金属复合层作为导电层的情况下，可以将以下的工序(iv)作为1个循环而反复进行。
工序(iv)：包含第1金属和第2金属的前体的气体的供给→包含第1金属和第2金属的前体的气体的排气(吹扫)
反复进行工序(iv)，使第1金属和第2金属以原子层单位沉积，由此形成第1金属和第2金属混存的异种金属复合层(导电层)。
另外，在形成异种金属复合层作为导电层的情况下，可以将以下的工序(v)作为1个循环而反复进行。
工序(v)：包含第1金属的前体的气体的供给→包含第1金属的前体的气体的排气(吹扫)→包含第2金属的前体的气体的供给→包含第2金属的前体的气体的排气(吹扫)
反复进行工序(v)，使第1金属和第2金属以原子层单位交替沉积，由此形成第1金属和第2金属混存的异种金属复合层(导电层)。
在工序(i)和工序(iv)的情况下，可以使用1种前体，以少的循环数有效地形成目标异种金属复合层。因此，能够降低异种金属复合层中的来自前体的杂质的含有率。
另外，在工序(i)和工序(vi)的情况下，可以利用前体中所含的金属向凹坑内的侵入速度之差，在多孔质部的厚度方向(B 1～B3区域)上使第1金属和第2金属的含有率发生变化。第1金属和第2金属中的一者可以选择向凹坑内的侵入速度慢的金属(例如，Ti、Ta)，第1金属和第2金属中的另一者可以选择向凹坑内的侵入速度快的金属(例如，Si)。在该情况下，能够在多孔质部的表面侧(B 1区域)增大第1金属和第2金属中的一者的含有率，在多孔质部的芯部侧(B3区域)增大第1金属和第2金属中的另一者的含有率。
在工序(ii)、工序(iii)和工序(v)的情况下，可以利用通过ALD法以原子层单位交替形成的2个膜的成膜速度(包含第1金属的前体和包含第2金属的前体向凹坑内的侵入速度)之差，在多孔质部的厚度方向(B 1～B3区域)上使第1金属和第2金属的含有率发生变化。在成膜速度快的情况下，膜容易形成至凹坑深部，在成膜速度慢的情况下，在凹坑深部难以形成膜。例如，第1金属和第2金属中的一者可以选择成膜速度慢的金属(例如，Ti、Ta)，第1金属和第2金属中的另一者可以选择成膜速度快的金属(例如，Si)。在该情况下，能够在多孔质部的表面侧(B 1区域)增大第1金属和第2金属中的一者的含有率，在多孔质部的芯部侧(B3区域)增大第1金属和第2金属中的另一者的含有率。
另外，在工序(ii)、工序(iii)和工序(v)的情况下，可以调整第1金属的吸附时间(包含第1金属的前体的气体的供给时间)，在多孔质部的厚度方向(B1～B3区域)上使第1金属和第2金属的含有率发生变化。例如，可以缩短第1金属的吸附时间(包含第1金属的前体的气体的供给时间)，使第1金属吸附于多孔质部的表面侧，在多孔质部的芯部侧形成第1金属的未吸附部分，使第2金属在其该吸附部分成膜。在该情况下，能够在多孔质部的表面侧增大第1金属的含有率，在多孔质部的芯部侧增大第2金属的含有率。
需要说明的是，相对于通常在400～900℃的温度条件下进行的CVD，ALD法可以在100～400℃的温度条件下进行。即，ALD法在能够抑制对金属箔的热损伤的方面是优异的。
作为在ALD法中使用的氧化剂，可举出例如水、氧、臭氧等。氧化剂可以以将氧化剂作为原料的等离子体的形式供给至反应室。
包含第1金属和第2金属的前体例如可使用包含第1金属和第2金属的有机金属化合物。包含第1金属的前体例如可使用包含第1金属的有机金属化合物。包含第2金属的前体例如可使用包含第2金属的有机金属化合物。由此，第1金属和第2金属容易化学吸附于对象物。作为前体，可以使用以往在ALD法中使用的各种有机金属化合物。
作为包含Al的前体，可举出例如三甲基铝((CH3)3Al)等。
作为包含Si的前体，可举出例如N-仲丁基(三甲基甲硅烷基)胺(C7H19NSi)、1,3-二乙基-1,1,3,3-四甲基二硅氮烷(C8H23NSi2)、四甲基硅烷(Si(CH3)4)、四乙氧基硅烷(Si(OC2H5)4)、四氯化硅(SiCl4)等。
作为包含Ti的前体，可举出例如双(叔丁基环戊二烯基)二氯化钛(IV)(C18H26C12Ti)、四(二甲基氨基)钛(IV)([(CH3)2N]4Ti)、四氯化钛(TiCl4)、乙醇钛(IV)(Ti[O(C2H5)]4)等。
作为包含Ta的前体，可举出例如(叔丁基酰亚胺)三(甲基乙基氨基)钽(V)(C13H33N4Ta)、五乙醇钽(V)(Ta(OC2H5)5)等。
作为包含Zr的前体，可举出例如双(甲基-η5环戊二烯基)甲基甲氧基锆(Zr(CH3C5H4)2CH3OCH3)、四(二甲基酰胺基)锆(IV)([(CH3)2N]4Zr)、叔丁醇锆(IV)(Zr[OC(CH3)3]4)等。
作为包含Hf的前体，可举出例如四氯化铪(HfCl4)、四(二甲基氨基)铪(Hf[N(CH3)2]4)、叔丁醇铪(Hf[OC(CH3)3]4)等。
作为包含Zn的前体，可举出例如氯化锌、二甲基锌、二乙基锌等。
作为包含Nb的前体，可举出例如乙醇铌(V)(Nb(OCH2CH3)5、三(二乙基酰胺基)(叔丁基酰亚胺基)铌(V)(C16H39N4Nb)等。
在形成异种金属复合层作为导电层的情况下，可以与包含第1金属和第2金属的前体一起使用包含C(碳)的前体。作为包含C的前体，可举出例如己烷等碳原子数5～11的烷烃等。
可以将包含第1金属和第2金属的原料气体与包含C的原料气体交替地供给至反应室，形成第1金属、第2金属和C混存的导电层。
另外，可以将包含第1金属和第2金属的原料气体供给至反应室，形成第1金属和第2金属混存的第1导电层，接下来，将包含C的原料气体供给至反应室，形成包含C的第2导电层。
(第3工序)
电极箔的制造方法还包括对基材的表面被异种金属复合层(第1层)覆盖的电极箔进行化学转化(阳极氧化)的第3工序。由此，能够在基材与第1层之间形成包含来自基材的阀作用金属的氧化物的第2层。第2层的厚度T2可以通过化学转化的时施加于电极箔的电压来控制。
在ALD法中，原料气体容易到达蚀刻凹坑的最深部，能够在多孔质部的B1～B3区域稳定地形成第1层。因此，在形成第2层的情况下，也能够在B1～B3区域形成比第2层大的第1层。
[电解电容器]
本实施方式的电解电容器具备上述的电解电容器用电极箔。电解电容器例如具备在表面具有电介质层的阳极箔和覆盖电介质层的至少一部分的阴极部。阴极部例如包含阴极箔和电解质。阳极箔和阴极箔中的至少一者的基材的表面被异种金属复合层覆盖。在阳极箔的情况下，异种金属复合层被设置为氧化物层(电介质层)。在阴极箔的情况下，异种金属复合层被设置为导电层。
以下，对电解电容器的电极箔以外的构成要素进行详细说明。
(电解质)
电解质可以包含液态成分和/或固体电解质。在电解质不含固体电解质的情况下，液态成分为电解液(液体电解质)。在电解质包含固体电解质的情况下，液态成分可以是电解液，也可以不是电解液。液态成分在电解电容器的阳极侧可以具有提高电介质层的修复性的作用。作为固体电解质，可以使用导电性高分子。
(导电性高分子)
作为导电性高分子，可举出聚吡咯、聚噻吩、聚苯胺等。导电性高分子可以单独使用1种，也可以组合使用2种以上。导电性高分子的重均分子量例如为1000～100000。
需要说明的是，在本说明书中，聚吡咯、聚噻吩、聚苯胺等分别是指以聚吡咯、聚噻吩、聚苯胺等为基本骨架的高分子。因此，聚吡咯、聚噻吩、聚苯胺等中也可包括各自的衍生物。例如，聚噻吩包括聚(3,4-亚乙基二氧噻吩)(PEDOT)等。
导电性高分子可以掺杂有掺杂剂。掺杂剂可以单独使用1种，也可以组合使用2种以上。从抑制自导电性高分子的脱掺杂的观点出发，优选使用高分子掺杂剂。作为高分子掺杂剂，可举出聚乙烯基磺酸、聚苯乙烯磺酸、聚烯丙基磺酸、聚丙烯磺酸、聚甲基丙烯磺酸等的阴离子。其中，优选聚苯乙烯磺酸(PSS)。高分子掺杂剂的重均分子量例如为1000～100000。
(液态成分)
作为液态成分，可以是非水溶剂，也可以是非水溶剂与溶解于其中的离子性物质(溶质，例如有机盐)的混合物(即，电解液)。非水溶剂可以是有机溶剂，也可以是离子性液体。作为非水溶剂，优选高沸点溶剂。非水溶剂可举出例如乙二醇等多元醇化合物、环丁砜等环状砜化合物、γ-丁内酯等内酯化合物、N-甲基乙酰胺等酰胺化合物、乙酸甲酯等酯化合物、碳酸亚丙酯等碳酸酯化合物、1,4-二噁烷等醚化合物、甲乙酮等酮化合物。另外，作为高沸点溶剂，可以使用高分子溶剂。作为高分子溶剂，可举出例如聚乙二醇等聚亚烷基二醇。
液态成分可以含有酸成分和碱成分。作为酸成分，可以使用有机羧酸。有机羧酸可以是脂肪族羧酸，也可以是芳香族羧酸。作为有机羧酸，可举出例如马来酸、邻苯二甲酸、苯甲酸、均苯四酸、间苯二酚酸等。
酸成分可以包含无机酸。作为无机酸，可举出磷酸、亚磷酸、次磷酸、烷基磷酸酯、硼酸、氟硼酸、四氟硼酸、六氟磷酸、苯磺酸、萘磺酸等。
作为碱成分，可举出单烷基胺等伯胺、二烷基胺等仲胺、三烷基胺等叔胺等。另外，作为碱成分，可以使用具有烷基取代脒基的化合物(咪唑化合物、苯并咪唑化合物、脂环式脒化合物等)。具有烷基取代脒基的化合物可以为季化物。
液态成分可以含有酸成分与碱成分的盐。作为盐，可以为无机盐和有机盐。作为有机盐，可举出例如马来酸三甲胺、硼二水杨酸三乙胺(日文：ボロジサリチル酸トリエチルアミン)、邻苯二甲酸乙基二甲胺、邻苯二甲酸单1,2,3,4-四甲基咪唑啉鎓、邻苯二甲酸单1,3-二甲基-2-乙基咪唑啉鎓等。
液态成分的pH可以小于7，也可以为5以下。通过使液态成分的pH为上述范围，能够抑制导电性高分子的掺杂剂的脱掺杂。
(间隔件)
在使用电解液作为电解质的电解电容器中，为了将阳极箔与阴极箔隔开，可以使用间隔件。间隔件的材料可以使用例如以纤维素、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚苯硫醚、维尼纶、尼龙、芳香族聚酰胺、聚酰亚胺、聚酰胺酰亚胺、聚醚酰亚胺、人造丝、玻璃质等为主成分的无纺布或膜。
在此，图5是本实施方式的电解电容器的截面示意图，图6是将该电解电容器中所含的卷绕体的一部分展开的示意图。但是，以下的实施方式并不限定本发明。
如图5所示，电解电容器200具备电容器元件和容纳电容器元件的有底壳体211。电容器元件具备卷绕体100和附着于卷绕体100的导电性高分子(未图示)。另外，电解电容器200具备封闭有底壳体211的开口的密封构件212、覆盖密封构件212的座板213、以及从密封构件212导出并贯通座板213的引线60A、60B。电容器元件与液态成分(未图示)一起容纳于有底壳体211。有底壳体211的开口端附近向内侧进行拉深加工，开口端以铆接于密封构件212的方式进行卷曲加工。
卷绕体100具备阳极箔10、阴极箔20和介于它们之间的间隔件30。导电性高分子以覆盖阳极箔10的电介质层的表面的至少一部分的方式附着。卷绕体100还具备与阳极箔10连接的引线接头50A和与阴极箔20连接的引线接头50B。引线接头50A、50B分别与引线60A、60B连接。
阳极箔10和阴极箔20隔着间隔件30进行卷绕。卷绕体的最外周由止卷带40进行固定。需要说明的是，图6表示将卷绕体的最外周固定之前的一部分展开的状态。
在上述实施方式中，对卷绕型的电解电容器进行了说明，但本发明的应用范围不限定于上述内容，也可以应用于其他电解电容器、例如层叠型的电解电容器。
产业上的可利用性
本发明的电解电容器用电极箔可适合用于要求高性能和高可靠性的电解电容器。
附图标记说明
10：阳极箔，20：阴极箔，30：间隔件，40：止卷带，50A、50B：引线接头，60A、60B：引线，100：卷绕体，110：基材，111：芯部，112：多孔质部，120：异种金属复合层，121：第1层，122：第2层，200：电解电容器，211：有底壳体，212：密封构件，213：座板。

Claims (17)

1.一种电解电容器用电极箔，其具备：
基材，其包含阀作用金属；以及
异种金属复合层，其覆盖所述基材的表面，
所述异种金属复合层包含第1金属和与所述第1金属不同的第2金属混存的混存区域，
所述混存区域构成所述异种金属复合层的厚度方向的至少50％，
所述混存区域的所述第1金属相对于全部金属的含有率M1和所述第2金属相对于全部金属的含有率M2分别为1原子％以上。
2.根据权利要求1所述的电解电容器用电极箔，其中，所述混存区域的所述第1金属相对于全部金属的含有率M1和所述第2金属相对于全部金属的含有率M2分别为1原子％以上且99原子％以下。
3.根据权利要求1或2所述的电解电容器用电极箔，其中，在将所述混存区域在所述异种金属复合层的厚度方向上从该异种金属复合层的表面侧起依次三等分为A1区域、A2区域和A3区域时，
所述A1区域的所述第1金属相对于所述第2金属的原子比RA1、所述A2区域的所述第1金属相对于所述第2金属的原子比RA2和所述A3区域的所述第1金属相对于所述第2金属的原子比RA3满足0.8≤RA2/RA1≤1.2且0.8≤RA3/RA2≤1.2的关系。
4.根据权利要求3所述的电解电容器用电极箔，其中，所述A1区域的所述第1金属相对于全部金属的含有率M1A1原子％、所述A2区域的所述第1金属相对于全部金属的含有率M1A2原子％和所述A3区域的所述第1金属相对于全部金属的含有率M1A3原子％满足0.9≤M1A2/M1A1≤1.1、0.9≤M1A3/M1A2≤1.1、1≤M1A1、1≤M1A2且1≤M1A3的关系。
5.根据权利要求3或4所述的电解电容器用电极箔，其中，所述A1区域的所述第2金属相对于全部金属的含有率M2A1原子％、所述A2区域的所述第2金属相对于全部金属的含有率M2A2原子％和所述A3区域的所述第2金属相对于全部金属的含有率M2A3原子％满足0.9≤M2A2/M2A1≤1.1且0.9≤M2A3/M2A2≤1.1、1≤M2A1、1≤M2A2且1≤M2A3的关系。
6.根据权利要求1～3中任一项所述的电解电容器用电极箔，其中，所述基材具有多孔质部和与所述多孔质部连续的芯部，
所述异种金属复合层覆盖所述多孔质部的表面，
所述多孔质部在所述多孔质部的厚度方向上从与所述芯部相反侧起依次三等分为B1区域、B2区域和B3区域时，
所述B1区域的所述第1金属相对于所述第2金属的原子比RB1、所述B2区域的所述第1金属相对于所述第2金属的原子比RB2和所述B3区域的所述第1金属相对于所述第2金属的原子比RB3满足RB3＜RB2＜RB1的关系。
7.根据权利要求6所述的电解电容器用电极箔，其中，所述B1区域的所述第1金属相对于全部金属的含有率M1B1原子％、所述B2区域的所述第1金属相对于全部金属的含有率M1B2原子％和所述B3区域的所述第1金属相对于全部金属的含有率M1B3原子％满足M1B3＜M1B2＜M1B1的关系。
8.根据权利要求6或7所述的电解电容器用电极箔，其中，所述B1区域的所述第2金属相对于全部金属的含有率M2B1原子％、所述B2区域的所述第2金属相对于全部金属的含有率M2B2原子％和所述B3区域的所述第2金属相对于全部金属的含有率M2B3原子％满足M2B1＜M2B2＜M2B3的关系。
9.根据权利要求1～8中任一项所述的电解电容器用电极箔，其中，所述第1金属包含选自钛、钽、铪、锆和锌中的至少1种，
所述第2金属包含选自硅和铝中的至少1种。
10.根据权利要求1～8中任一项所述的电解电容器用电极箔，其中，所述第1金属为钛，所述第2金属为硅，
所述混存区域的所述硅相对于全部金属的含有率为1原子％以上且70原子％以下。
11.根据权利要求1～8中任一项所述的电解电容器用电极箔，其中，所述第1金属为钛，所述第2金属为铝，
所述混存区域的所述铝相对于全部金属的含有率为1原子％以上且55原子％以下。
12.根据权利要求1～11中任一项所述的电解电容器用电极箔，其中，所述异种金属复合层为氧化物层。
13.根据权利要求12所述的电解电容器用电极箔，其中，所述混存区域包含杂质，
所述杂质为选自氢、碳和氮中的至少1种，
相对于所述混存区域中的全部金属和所述杂质的合计，所述混存区域中的所述杂质的含有率为25原子％以下。
14.根据权利要求13所述的电解电容器用电极箔，其中，相对于所述混存区域中的全部金属和所述杂质的合计，所述混存区域中的所述氢的含有率为10原子％以下。
15.根据权利要求1～11中任一项所述的电解电容器用电极箔，其中，所述异种金属复合层包含导电性碳。
16.根据权利要求1～15中任一项所述的电解电容器用电极箔，其中，在所述基材与所述异种金属复合层之间具备包含所述阀作用金属的氧化物的层。
17.一种电解电容器，其具备权利要求1～16中任一项所述的电解电容器用电极箔。
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