CN116120853B - 一种半导体uv切割膜及其加工工艺 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种半导体UV切割膜及其加工工艺，包括膜组件，膜组件包括卷筒与卷带，卷带缠绕在卷筒侧面外壁上，卷带包括基层一，基层一顶部外壁上粘接有基层二，且基层二顶部外壁上粘接有胶粘层，胶粘层顶部外壁上粘接有离型膜，且离型膜顶部外壁上粘接有防护膜，基层一底部外壁上放置有保护膜。本发明所设计的卷筒，在使用该卷筒收卷卷带时，卷筒两端的端盖可以盖住收卷好的卷带两端，避免灰尘落在卷带两端影响卷带两端处的粘性，而且卷筒可以调节，可以对不同宽度的卷带进行收卷处理，且保护膜由防紫外线材料制成，且防护膜由防静电材料制成，使得在存储收卷好的卷带时，保护膜、防护膜可以提高卷带的存储时间。
Description
技术领域
本发明涉及半导体UV切割膜技术领域，具体涉及一种半导体UV切割膜及其加工工艺。
背景技术
半导体UV切割膜，主要用于晶圆、半导体等切割用途上，将晶圆块切成晶圆粒的托底保护，防止晶圆粒在制程作业过程飞溅。
如授权公告号为CN207097798U，授权公告日为20180313的一种半导体UV切割膜。所述UV切割膜自下而上依次包括：PET膜层，非UV解黏胶层，PO膜层，UV解黏胶层，离型膜。本实用新型是一种对切割机具有良好的吸附性，对被切割半导体晶圆及其封装模块具有良好的服帖性，同时可以提高切割良率的低成本UV切割膜。
上述以及在现有技术中的半导体UV切割膜一般收卷在滚筒上，但滚筒两端缺少防护结构，导致收卷后的UV切割膜两端易落灰，影响切割膜的粘性，同时半导体UV切割膜不具有较好的防护能力，影响半导体UV切割膜的存储，因此，亟需设计一种半导体UV切割膜及其加工工艺。
发明内容
本发明的目的是提供一种半导体UV切割膜及其加工工艺，以解决现有技术中的上述不足之处。
为了实现上述目的，本发明提供如下技术方案：
一种半导体UV切割膜，包括膜组件，所述膜组件包括卷筒与卷带，所述卷带缠绕在卷筒侧面外壁上，所述卷带包括基层一，所述基层一顶部外壁上粘接有基层二，且基层二顶部外壁上粘接有胶粘层，所述胶粘层顶部外壁上粘接有离型膜，且离型膜顶部外壁上粘接有防护膜，所述基层一底部外壁上放置有保护膜。
进一步地，所述卷筒包括连接筒与两个端盖，两个所述端盖分别套结在连接筒两端。
进一步地，所述端盖一侧外壁上开设有滑槽，且滑槽内部通过螺栓安装有等距离呈环形结构分布的弹簧，所述端盖侧面外壁靠近一端处一体成型有挡板。
进一步地，所述连接筒两端均一体成型有插接在滑槽内部的插板，且插板通过螺栓与弹簧呈固定连接。
一种半导体UV切割膜加工工艺，包括以下步骤：
S1.材料处理：
S1.1.基材处理：首先，选取合适的基材材料，而后再通过切割设备对基材进行切割，从而得到合适基层一、基层二，之后再通过粘合剂将基层一与基层二粘合在一起，从而得到合适的基材；
S1.2.粘料制备：根据产品需求，选择合适的原料，而后再将一部分原料倒入研磨机中进行研磨处理，之后再将研磨好的原料及其余原料倒入搅拌设备中进行搅拌混合处理，同时在加热，从而得到粘料组合物；
S2.涂布烘干：将上述制备的粘料组合物倒入喷雾设备中，而后将S1.1中得到的基材缠绕在收卷设备中，并使得基材穿过喷雾设备与烘干箱，之后启动收卷设备，使得收卷设备开始收卷基材，同时喷雾设备会将S1.2得到的粘料组合物以喷雾的形式喷在基材上，之后随着收卷设备的收卷，喷有粘料组合物的基材会进入烘干箱中，而后烘干箱会对基材进行烘干处理，从而得到合适的基材；
S3.切除边角：在上述基材被收卷设备收卷时，收卷设备可以对基材的边缘进行裁切处理，得到边缘规则、无粘度的基材；
S4.粘合薄膜：同时在S2中收卷设备收卷时，收卷设备会将离型膜、防护膜依次粘接在基材上方，同时收卷设备会将保护膜粘接在基材底部，从而得到收卷好的卷带；
S5.检测入库：在收卷设备收卷时，收卷设备可以对收卷的卷带进行检测，判断基材表面是否有缺陷产生，而后检测结束后，将收卷好卷带送入仓库进行存储。
进一步地，所述S1.1中基材材料为PVC材质、PO膜、PET膜及QFN膜中的一种或者多种。
进一步地，所述S1.2中原料为100-120份丙烯酸压敏胶、0.05-0.1份引发剂、30-50份多异氰酸酯、80-120份溶剂、20-40份uv树脂固化剂、8-12份抗菌剂及20-30份纳米级石墨颗粒。
进一步地，所述S2中收卷设备包括收卷结构、分切结构、粘合机结构及视觉检测结构。
进一步地，所述S2中喷雾设备通过超声喷雾的方式将粘料组合物喷涂在基层一10、基层二11构成的基材一面。
进一步地，所述S2中烘干箱烘干时温度为80-120℃，烘干5-10min。
在上述技术方案中，本发明提供的一种半导体UV切割膜及其加工工艺，（1）本发明所设计的卷筒，在使用该卷筒收卷卷带时，卷筒两端的端盖可以盖住收卷好的卷带两端，避免灰尘落在卷带两端影响卷带两端处的粘性，而且卷筒可以调节，可以对不同宽度的卷带进行收卷处理；（2）本发明所设计的保护膜、防护膜，保护膜由防紫外线材料制成，且防护膜由防静电材料制成，使得在存储收卷好的卷带时，保护膜、防护膜可以提高卷带的存储时间；（3）本发明所设计的加工工艺工艺简单，生产步骤少，可以提高卷带生产的效率，同时以喷雾的方式将粘料喷涂在基材上可以实现粘料组合物的分布均匀的效果，提高该半导体UV切割膜的质量。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明一种半导体UV切割膜及其加工工艺实施例提供的主视结构示意图。
图2为本发明一种半导体UV切割膜及其加工工艺实施例提供的主视结构剖视图。
图3为本发明一种半导体UV切割膜及其加工工艺实施例提供的卷筒结构示意图。
图4为本发明一种半导体UV切割膜及其加工工艺实施例提供的卷带结构示意图。
图5为本发明一种半导体UV切割膜及其加工工艺实施例提供的加工工艺流程图。
附图标记说明：
1、膜组件；2、卷筒；3、卷带；4、端盖；5、连接筒；6、滑槽；7、弹簧；8、插板；9、挡板；10、基层一；11、基层二；12、保护膜；13、胶粘层；14、离型膜；15、防护膜。
实施方式
为了使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面将结合附图对本发明作进一步地详细介绍。
如图1-4所示，本发明实施例提供的一种半导体UV切割膜，包括膜组件1，膜组件1包括卷筒2与卷带3，卷带3缠绕在卷筒2侧面外壁上，卷带3包括基层一10，基层一10顶部外壁上粘接有基层二11，且基层二11顶部外壁上粘接有胶粘层13，胶粘层13顶部外壁上粘接有离型膜14，且离型膜14顶部外壁上粘接有防护膜15，基层一10底部外壁上放置有保护膜12。
具体的，本实施例中，包括膜组件1，膜组件1包括卷筒2与卷带3，卷带3缠绕在卷筒2侧面外壁上，卷带3包括基层一10，基层一10由PO膜构成，基层一10顶部外壁上粘接有基层二11，基层二11由PET膜构成，且基层二11顶部外壁上粘接有胶粘层13，胶粘层13顶部外壁上粘接有离型膜14，离型膜14避免收卷时，胶粘层13直接粘在基层一10上，且离型膜14顶部外壁上粘接有防护膜15，防护膜15由防静电材料制成，可以提高卷带3的抗静电能力，基层一10底部外壁上放置有保护膜12，保护膜由防紫外线材料制成，可以提高卷带3存储时的抗紫外线能力。
本发明提供的一种半导体UV切割膜，在使用该卷筒2收卷卷带3时，卷筒2两端的端盖4可以盖住收卷好的卷带3两端，避免灰尘落在卷带3两端影响卷带3两端处的粘性，而且卷筒2可以调节，可以对不同宽度的卷带3进行收卷处理。
本发明提供的另一个实施例中，如图3所示的，卷筒2包括连接筒5与两个端盖4，连接筒5与两个端盖4构成的卷筒2结构可调，可以收卷不同宽度的卷带3，两个端盖4分别套结在连接筒5两端。
本发明提供的另一个实施例中，如图3所示的，端盖4一侧外壁上开设有滑槽6，滑槽6便于使得连接筒5安装在端盖4上，且滑槽6内部通过螺栓安装有等距离呈环形结构分布的弹簧7，弹簧7便于使得两个端盖4与连接筒5连接在一起，端盖4侧面外壁靠近一端处一体成型有挡板9，挡板9避免灰尘落在卷带3两端影响卷带3两端处的粘性。
本发明提供的另一个实施例中，如图3所示的，连接筒5两端均一体成型有插接在滑槽6内部的插板8，插板8便于连接筒5插接在端盖4上且插板8通过螺栓与弹簧7呈固定连接。
如图5所示，本发明实施例提供的一种半导体UV切割膜加工工艺，包括以下步骤：
S1.材料处理：
S1.1.基材处理：首先，选取合适的基材材料，而后再通过切割设备对基材进行切割，从而得到合适基层一10、基层二11，之后再通过粘合剂将基层一10与基层二11粘合在一起，从而得到合适的基材；
S1.2.粘料制备：根据产品需求，选择合适的原料，而后再将纳米级石墨颗粒、多异氰酸酯倒入研磨机中进行研磨处理，之后再将研磨好的原料及其余原料倒入搅拌设备中进行搅拌混合处理，同时在加热，从而得到粘料组合物；
S2.涂布烘干：将上述制备的粘料组合物倒入喷雾设备中，而后将S1.1中得到的基材缠绕在收卷设备中，并使得基材穿过喷雾设备与烘干箱，之后启动收卷设备，使得收卷设备开始收卷基材，同时喷雾设备会将S1.2得到的粘料组合物以喷雾的形式喷在基材上，之后随着收卷设备的收卷，喷有粘料组合物的基材会进入烘干箱中，而后烘干箱会对基材进行烘干处理，从而得到合适的基材；
S3.切除边角：在上述基材被收卷设备收卷时，收卷设备可以对基材的边缘进行裁切处理，得到边缘规则、无粘度的基材；
S4.粘合薄膜：同时在S2中收卷设备收卷时，收卷设备会将离型膜14、防护膜15依次粘接在基材上方，同时收卷设备会将保护膜12粘接在基材底部，从而得到收卷好的卷带3；
S5.检测入库：在收卷设备收卷时，收卷设备可以对收卷的卷带进行检测，判断基材表面是否有缺陷产生，而后检测结束后，将收卷好卷带送入仓库进行存储。
本发明提供的另一个实施例中，S1.1中基材材料为PO膜、PET膜。
本发明提供的另一个实施例中，S1.2中原料为100份丙烯酸压敏胶、5份交联剂（过氧化二异丙苯）、0.1份引发剂（过氧化二烷类有过氧化二异丙苯和过氧化二叔丁基）、40份多异氰酸酯（MDI）、80份溶剂（纯水）、30份uv树脂固化剂（二乙氨基丙胺）、10份抗菌剂（抗菌剂iHeir-ECO）及30份纳米级石墨颗粒。
本发明提供的另一个实施例中，S2中收卷设备包括收卷结构、分切结构、粘合机结构及视觉检测结构。
本发明提供的另一个实施例中，S2中喷雾设备通过超声喷雾的方式将粘料组合物喷涂在基层一10、基层二11构成的基材一面。
本发明提供的另一个实施例中，S2中烘干箱烘干时温度为100℃，烘干10min。
经实验对比可知，该发明生产的半导体UV切割膜较现有技术中的半导体UV切割膜更为优秀。
工作原理：首先，选取合适的基材材料，而后再通过切割设备对基材进行切割，从而得到合适基层一10、基层二11，之后再通过粘合剂将基层一10与基层二11粘合在一起，从而得到合适的基材，根据产品需求，选择合适的原料，而后再将一部分原料倒入研磨机中进行研磨处理，之后再将研磨好的原料及其余原料倒入搅拌设备中进行搅拌混合处理，同时在加热，从而得到粘料组合物，将上述制备的粘料组合物倒入喷雾设备中，而后将上述得到的基材缠绕在收卷设备中的收卷结构上，并使得基材穿过喷雾设备与烘干箱，之后启动收卷结构，使得收卷结构开始收卷基材，同时喷雾设备会将上述得到的粘料组合物以喷雾的形式喷在基材上，之后随着收卷设备的收卷，喷有粘料组合物的基材会进入烘干箱中，而后烘干箱会对基材进行烘干处理，从而得到合适的基材，在上述基材被收卷设备收卷时，收卷设备中的分切结构可以对基材的边缘进行裁切处理，得到边缘规则、无粘度的基材，同时在上述中收卷设备收卷时，收卷设备上的粘合机结构会将离型膜14、防护膜15依次粘接在基材上方，同时收卷设备上的粘合机结构会将保护膜12粘接在基材底部，从而得到收卷好的卷带3，在收卷设备收卷时，收卷设备中的视觉检测结构可以对收卷的卷带进行检测，判断基材表面是否有缺陷产生，而后检测结束后，将收卷好卷带送入仓库进行存储。
以上只通过说明的方式描述了本发明的某些示范性实施例，毋庸置疑，对于本领域的普通技术人员，在不偏离本发明的精神和范围的情况下，可以用各种不同的方式对所描述的实施例进行修正。因此，上述附图和描述在本质上是说明性的，不应理解为对本发明权利要求保护范围的限制。
Claims (7)
1.一种半导体UV切割膜组件（1），其特征在于：所述膜组件（1）包括卷筒（2）与卷带（3），所述卷带（3）缠绕在卷筒（2）侧面外壁上，所述卷带（3）包括基层一（10），所述基层一（10）顶部外壁上粘接有基层二（11），且基层二（11）顶部外壁上粘接有胶粘层（13），所述胶粘层（13）顶部外壁上粘接有离型膜（14），且离型膜（14）顶部外壁上粘接有防护膜（15），所述基层一（10）底部外壁上放置有保护膜（12），所述卷筒（2）包括连接筒（5）与两个端盖（4），两个所述端盖（4）分别套结在连接筒（5）两端，所述端盖（4）一侧外壁上开设有滑槽（6），且滑槽（6）内部通过螺栓安装有等距离呈环形结构分布的弹簧（7），所述端盖（4）侧面外壁靠近一端处一体成型有挡板（9），所述连接筒（5）两端均一体成型有插接在滑槽（6）内部的插板（8），且插板（8）通过螺栓与弹簧（7）呈固定连接。
2.一种根据权利要求1所述的半导体UV切割膜组件的加工工艺，其特征在于：包括以下步骤：
S1.材料处理：
S1.1.基材处理：首先，选取合适的基材材料，而后再通过切割设备对基材进行切割，从而得到合适基层一（10）、基层二（11），之后再通过粘合剂将基层一（10）与基层二（11）粘合在一起，从而得到合适的基材；
S1.2.粘料制备：根据产品需求，选择合适的原料，而后再将一部分原料倒入研磨机中进行研磨处理，之后再将研磨好的原料及其余原料倒入搅拌设备中进行搅拌混合处理，同时在加热，从而得到粘料组合物；
S2.涂布烘干：将上述制备的粘料组合物倒入喷雾设备中，而后将S1.1中得到的基材缠绕在收卷设备中，并使得基材穿过喷雾设备与烘干箱，之后启动收卷设备，使得收卷设备开始收卷基材，同时喷雾设备会将S1.2得到的粘料组合物以喷雾的形式喷在基材上，之后随着收卷设备的收卷，喷有粘料组合物的基材会进入烘干箱中，而后烘干箱会对基材进行烘干处理，从而得到合适的基材；
S3.切除边角：在上述基材被收卷设备收卷时，收卷设备可以对基材的边缘进行裁切处理，得到边缘规则、无粘度的基材；
S4.粘合薄膜：同时在S2中收卷设备收卷时，收卷设备会将离型膜（14）、防护膜（15）依次粘接在基材上方，同时收卷设备会将保护膜（12）粘接在基材底部，从而得到收卷好的卷带（3）；
S5.检测入库：在收卷设备收卷时，收卷设备可以对收卷的卷带进行检测，判断基材表面是否有缺陷产生，而后检测结束后，将收卷好卷带送入仓库进行存储。
3.根据权利要求2所述的一种半导体UV切割膜组件的加工工艺，其特征在于，所述S1.1中基材材料为PVC材质、PO膜、PET膜及QFN膜中的一种或者多种。
4.根据权利要求2所述的一种半导体UV切割膜组件的加工工艺，其特征在于，所述S1.2中原料为100-120份丙烯酸压敏胶、0.05-0.1份引发剂、30-50份多异氰酸酯、80-120份溶剂、20-40份uv树脂固化剂、8-12份抗菌剂及20-30份纳米级石墨颗粒。
5.根据权利要求2所述的一种半导体UV切割膜组件的加工工艺，其特征在于，所述S2中收卷设备包括收卷结构、分切结构、粘合机结构及视觉检测结构。
6.根据权利要求2所述的一种半导体UV切割膜组件的加工工艺，其特征在于，所述S2中喷雾设备通过超声喷雾的方式将粘料组合物喷涂在基层一（10）、基层二（11）构成的基材一面。
7.根据权利要求2所述的一种半导体UV切割膜组件的加工工艺，其特征在于，所述S2中烘干箱烘干时温度为80-120℃，烘干5-10min。
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