CN116110835A - 一种硅片载片框及硅片镀膜系统 - Google Patents

一种硅片载片框及硅片镀膜系统 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种硅片载片框及硅片镀膜系统，属于硅片镀膜领域。一种硅片载片框，包括石墨舟和支撑板，还包括：第一支撑杆和第二支撑杆，用于设置在炉体中；第一滑套和第二滑套，分别滑动连接在所述的第一支撑杆和第二支撑杆上，其中所述第一滑套和第二滑套固定连接在所述的支撑板底侧，所述第一滑套和第二滑套上分别固定连接有第一滑块和第二滑块；本发明支撑板能够滑动，可以将支撑板滑动到炉体的开口处，然后将石墨舟放在支撑板上，已实现便于放置石墨舟，支撑板和石墨舟能够往复的运动，实现汽相与硅片更有效地接触，进一步提高沉积镀膜效果。

Description

一种硅片载片框及硅片镀膜系统
技术领域
本发明涉及硅片镀膜技术领域，尤其涉及一种硅片载片框及硅片镀膜系统。
背景技术
太阳电池是利用光生伏特效应，把光能直接转换成电能的一种器件，硅太阳能电池实际生产中均采用P型硅片，因此需要形成N型层才能得到PN结，这通常是通过在高温条件下利用磷源扩散来实现的。这种扩散工艺包括两个过程：首先是硅片表面含磷薄膜层的沉积，然后是在含磷薄膜中的磷在高温条件下往P型硅里的扩散。
在高温条件下进行扩散的时，常用的是真空高温扩散炉，在真空高温扩散炉里，在对炉体进行持续抽真空，保持一定的真空度条件下，向炉体内充入汽相的POCL3或PBr3首先在表面形成P2O5；然后，其中的磷在高温作用下往硅片里扩散沉积镀膜。
现有的硅片进行沉积镀膜时，多是采用石墨舟放置硅片，然后直接放入炉体中，一方面，炉体具有较高的温度，当需要将石墨舟放入炉体深处时，不便于取出，另外一方面，现有的石墨舟直接放入炉体中位置始终保持不动的，充入汽相的POCL3与石墨舟中的硅片接触均匀性有待进一步提升，沉积效率有待进一步提升。
发明内容
本发明的目的是为了解决现有技术中不便于取放石墨舟和石墨舟位置不变，可能会存在硅片不同部位汽相的POCL3的量多或少，可能存在分布不均匀的情况，POCL3与石墨舟中的硅片接触的均匀性不佳的问题，而提出的一种硅片载片框及硅片镀膜系统。
为了实现上述目的，本发明采用了如下技术方案：
一种硅片载片框，包括石墨舟和支撑板，还包括：
第一支撑杆和第二支撑杆，用于设置在炉体中；
第一滑套和第二滑套，分别滑动连接在所述的第一支撑杆和第二支撑杆上，
其中
所述第一滑套和第二滑套固定连接在所述的支撑板底侧，所述第一滑套和第二滑套上分别固定连接有第一滑块和第二滑块；
所述第一支撑杆中开设有第一中空腔，所述第一中空腔中滑动连接有带有第一密封板的第一推动杆，所述第一推动杆与所述的第一滑块固定相连，所述第一密封板、第一推动杆和第一滑块上开设有连通的第一通气孔；
所述第二支撑杆中开设有第二中空腔，所述第二中空腔中滑动连接有带有第二密封板的第二推动杆，所述第二推动杆与所述的第二滑块固定相连，所述第二密封板、第二推动杆和第二滑块上开设有相互连通的第二通气孔；
U型中空卡杆，固定连接在支撑板上，所述石墨舟卡在所述的U型中空卡杆上，
其中
所述第一通气孔两端分别与第一中空腔和U型中空卡杆连通，所述第二通气孔两端分别与第二中空腔和U型中空卡杆连通；
进气管，固定连接在所述的第一支撑杆上，且进气管与所述的第一中空腔连通；
排气管，固定连接在所述的第二支撑杆上，且排气管与所述的第二中空腔连通。
为了控制进气管向第一中空腔供气，优选地，所述进气管上连接有控制阀。
为了实现第一通气孔到达预设的压力后开启，更进一步地，所述第一通气孔上设有压力阀。
为了实现第一推动杆的复位，优选地，所述第一推动杆上套有弹簧，所述弹簧两端分别与第一密封板和第一中空腔的内壁相连。
为了便于第一滑块和第二滑块稳定的在第一支撑杆和第二支撑杆上滑动，优选地，所述第一支撑杆和第二支撑杆上均开设有与第一滑块和第二滑块对应的滑槽。
为了实现向进气管供气，优选地，还包括气体发生套，用于套在所述炉体的端头，所述气体发生套用于盛放蒸发液体，所述气体发生套排气端与所述的进气管相连，所述气体发生套的回流端与所述的排气管相连。
为了实现气体回流，进一步地，所述进气管上固定套接有加热器，所述排气管上固定套接有冷凝器，所述进气管和排气管上均连接有单向阀。
为了便于夹紧石墨舟，优选地，所述U型中空卡杆两端侧壁通过夹紧弹簧连接有夹紧片，所述夹紧片用于夹紧所述的石墨舟。
硅片镀膜系统，包括支架，所述支架中固定连接有炉体，所述炉体一端固定连接有汽相管，所述炉体另一端盖有盖门，还包括所述的硅片载片框，所述第一支撑杆和第二支撑杆固定连接在支架上，且所述的第一支撑杆和第二支撑杆插于所述的炉体中。
优选地，所述气体发生套固定套接在炉体的汽相管的一端，所述加热器和冷凝器分别位于支架的两侧。
与现有技术相比，本发明提供了一种硅片载片框及硅片镀膜系统，具备以下有益效果：
1、该硅片载片框及硅片镀膜系统，通过支撑板能够滑动，可以将支撑板滑动到炉体的开口处，然后将石墨舟放在支撑板上，已实现便于放置石墨舟。
2、该硅片载片框及硅片镀膜系统，通过推动带有第一密封板的第一推动杆进行移动，从而第一推动杆通过第一滑块带动支撑板及石墨舟进行移动，在放置石墨舟的时候，可以推动支撑板位于炉体的开口处，当压力达到一定的时候，气体进入到第一通气孔、U型中空卡杆和第二通气孔并回流，此时在弹簧的作用下，推动第一推动杆归位，从而实现带动支撑板和石墨舟进行往复的运动，实现汽相与硅片更有效地接触，进一步提高沉积镀膜效果。
附图说明
图1为本发明的硅片载片框的结构示意图；
图2为本发明的硅片载片框的第一支撑杆的剖面结构示意图；
图3为本发明的硅片载片框的第二支撑杆的剖面结构示意图；
图4为本发明的硅片载片框的图1中A处的结构示意图；
图5为本发明的硅片载片框的U型中空卡杆的局部剖面结构示意图；
图6为本发明的硅片载片框的U型中空卡杆的俯视结构示意图；
图7为本发明的硅片载片框的图6中B处的结构示意图；
图8为本发明的硅片载片框的图7中C处的结构示意图；
图9为本发明的硅片镀膜系统的炉体进气侧结构示意图；
图10为本发明的硅片镀膜系统的炉体内部结构示意图；
图11为本发明的硅片镀膜系统的炉体的盖门侧结构示意图。
图中：1、支撑板；2、石墨舟；3、第一支撑杆；301、第一中空腔；302、第一密封板；303、第一推动杆；304、第一通气孔；305、进气管；306、加热器；4、第二支撑杆；401、第二密封板；402、第二中空腔；403、第二推动杆；404、第二通气孔；405、排气管；406、冷凝器；5、滑槽；6、第二滑套；7、U型中空卡杆；701、中空孔；702、夹紧片；703、夹紧弹簧；704、夹紧槽；705、抵紧杆；8、扇叶；9、转轴；10、叶片；11、第一滑套；12、第一滑块；13、第二滑块；14、气体发生套；15、炉体；17、支架；18、汽相管；19、盖门；20、连接杆；21、驱动电机；22、电动伸缩杆。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。
实施例一：参照图1-图4，一种硅片载片框，包括石墨舟2和支撑板1，还包括：
第一支撑杆3和第二支撑杆4，用于设置在炉体15中，第一支撑杆3和第二支撑杆4可插于炉体15中，在进行使用的时候，将第一支撑杆3和第二支撑杆4的两端通过固定件固定在相应的支架17上；
第一滑套11和第二滑套6，分别滑动连接在第一支撑杆3和第二支撑杆4上，
其中
第一滑套11和第二滑套6固定连接在支撑板1底侧，第一滑套11和第二滑套6上分别固定连接有第一滑块12和第二滑块13，第一支撑杆3和第二支撑杆4上均开设有与第一滑块12和第二滑块13对应的滑槽5；
第一滑套11和第二滑套6滑动在第一支撑杆3和第二支撑杆4上，第一滑套11和第二滑套6固定连接在支撑板1底侧，能够实现带动支撑板1进行滑动，第一滑块12和第二滑块13以及滑槽5的设置能确保滑动的稳定性；
在进行放置石墨舟2的时候，可以将石墨舟2通过机械手夹持放置在支撑板1上，而支撑板1能够实现滑动，可以将支撑板1滑动到炉体15的开口处，然后将石墨舟2放在支撑板1上，已实现便于放置石墨舟2。
第一支撑杆3中开设有第一中空腔301，第一中空腔301中滑动连接有带有第一密封板302的第一推动杆303，第一推动杆303与第一滑块12固定相连，第一密封板302、第一推动杆303和第一滑块12上开设有连通的第一通气孔304，第一推动杆303上套有弹簧，弹簧两端分别与第一密封板302和第一中空腔301的内壁相连；
第二支撑杆4中开设有第二中空腔402，第二中空腔402中滑动连接有带有第二密封板401的第二推动杆403，第二推动杆403与第二滑块13固定相连，第二密封板401、第二推动杆403和第二滑块13上开设有相互连通的第二通气孔404；
U型中空卡杆7，固定连接在支撑板1上，石墨舟2卡在U型中空卡杆7上，
其中
第一通气孔304两端分别与第一中空腔301和U型中空卡杆7连通，第二通气孔404两端分别与第二中空腔402和U型中空卡杆7连通；
参照图4和图6，U型中空卡杆7呈U型设置在支撑板1的靠近内部的一侧，机械手可以将石墨舟2夹取放置在支撑板1上，并位于U型中空卡杆7的处，可以进行初步的夹紧，起到一定的稳固作用；
同时还需要说明的是，U型中空卡杆7呈中空设置，已实现气流的导通循环，依次实现支撑板1和石墨舟2的往复移动。
进气管305，固定连接在第一支撑杆3上，且进气管305与第一中空腔301连通，进气管305上连接有控制阀；
排气管405，固定连接在第二支撑杆4上，且排气管405与第二中空腔402连通，第一通气孔304上设有压力阀。
参照图2-图4，具体的在本实施方式中，打开控制阀，可以通过进气管305向第一支撑杆3的第一中空腔301中充入气体，随着第一中空腔301内部的压力增高，可以实现推动带有第一密封板302的第一推动杆303进行移动，从而第一推动杆303通过第一滑块12带动支撑板1及石墨舟2进行移动，在放置石墨舟2的时候，可以推动支撑板1位于炉体15的开口处，放置石墨舟2的时候关闭控制阀；
参照图2和图3，第一支撑杆3和第二支撑杆4均为长杆，图2和图3长的支撑杆采用断面线表示，本实施方式采用供气用以驱动，在进行抽真空并充入汽相时，仅需开启控制阀，随着第一中空腔301的压力持续增高，压力阀开启，压力阀采用泄压阀，当压力达到一定的时候，才会开启，气体进入到第一通气孔304、U型中空卡杆7和第二通气孔404并回流，此时在弹簧的作用下，推动第一推动杆303归位，从而实现带动支撑板1和石墨舟2归位，归位后压力阀再次关闭，然后进气管305继续充气，以此循环，从而实现带动支撑板1和石墨舟2进行往复的运动，实现汽相与硅片更有效地接触，进一步提高沉积镀膜效果。
在此需要说明的是，具体实施的时候，本实施方式中所采用的阀门为耐高温阀门，其他零部件均采用耐高温的材料制作，如密封板与空腔之间的密封圈采用氟胶密封圈。
实施例二：参照图9，一种硅片载片框，与实施例1基本相同，在此实施方式中，具体的进气管305的气体来源如下：还包括气体发生套14，用于套在炉体15的端头，气体发生套14用于盛放蒸发液体，气体发生套14排气端与进气管305相连，气体发生套14的回流端与排气管405相连。
进气管305上固定套接有加热器306，排气管405上固定套接有冷凝器406，进气管305和排气管405上均连接有单向阀；
具体本实施方式中蒸发液体可以采用蒸馏水，带有蒸馏水的气体发生套14套在炉体15的端头，一方面可以对位于炉体15端头一侧用于连接汽相管18进行降温，另外一方面，可以实现蒸馏水加热变成水蒸气，然后输送到加热器306，加热器306可以对水蒸气进行再次加热，因为炉体15的温度一般设置在300-350度以实现高温扩散，需将水蒸气加热到一定的温度，从而实现供气，另外采用加热器可以调整进气的温度，而蒸气在炉体15内走一个循环，可以控制调节加热器的加热温度，来调整炉体的温度。
实施例三：参照图5-图8，一种硅片载片框，U型中空卡杆7两端侧壁通过夹紧弹簧703连接有夹紧片702，夹紧片702用于夹紧石墨舟2，利用带有夹紧弹簧703的夹紧片702可以初步夹紧石墨舟2。
U型中空卡杆7设有中空孔701，U型中空卡杆7上转动连接有转轴9，转轴9位于U型中空卡杆7的中空孔701内的一端固定连接有叶片10，转轴9上端固定连接有扇叶8；
在实现供气循环的时候，气流流过U型中空卡杆7的时候，会通过吹动叶片10带动转轴9和扇叶8进行转动，从而实现对炉体15中的汽相进行扇动，提高汽相分布在炉体15中的均匀性。
U型中空卡杆7两端内侧壁开设有夹紧槽704，夹紧槽704上滑动连接有带有推动塞的抵紧杆705，抵紧杆705位于夹紧片702的内侧，当蒸气通过中空孔701后，会推动带有推动塞的抵紧杆705进行移动，以此再次夹紧石墨舟2，以提高稳定性。
实施例四：参照图9-11，硅片镀膜系统，包括支架17，支架17中固定连接有炉体15，炉体15一端固定连接有汽相管18，炉体15另一端盖有盖门19，盖门19上固定连接有连接杆20，支架17上固定连接有驱动电机21，驱动电机21驱动端固定连接有电动伸缩杆22，电动伸缩杆22驱动端与连接杆20固定相连，通过电动伸缩杆22推动盖门19脱离炉体15，然后启动驱动电机21带动盖门19旋转，以此便于石墨舟2放入炉体15中，驱动电机21为自带减速器的的减速电机，还包括硅片载片框，第一支撑杆3和第二支撑杆4固定连接在支架17上，且第一支撑杆3和第二支撑杆4插于炉体15中。
气体发生套14固定套接在炉体15的汽相管18的一端，加热器306和冷凝器406分别位于支架17的两侧；
在进行沉积镀膜时，通过炉体15端头的汽相管18输送POCL3进入到炉体15中，气体发生套14中冷凝后的液体能够对端头进行降温，避免外部汽相管18连接处的温度过高，且此部位位于支架17的外侧，很多时候是裸露的，降温也能确保安全性，对炉体15进行持续抽真空，保持一定的真空度和高温的条件下，磷在高温作用下往硅片里扩散沉积镀膜。
以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种硅片载片框，包括石墨舟（2）和支撑板（1），其特征在于，还包括：
第一支撑杆（3）和第二支撑杆（4），用于设置在炉体（15）中；
第一滑套（11）和第二滑套（6），分别滑动连接在所述的第一支撑杆（3）和第二支撑杆（4）上，
其中
所述第一滑套（11）和第二滑套（6）固定连接在所述的支撑板（1）底侧，所述第一滑套（11）和第二滑套（6）上分别固定连接有第一滑块（12）和第二滑块（13）；
所述第一支撑杆（3）中开设有第一中空腔（301），所述第一中空腔（301）中滑动连接有带有第一密封板（302）的第一推动杆（303），所述第一推动杆（303）与所述的第一滑块（12）固定相连，所述第一密封板（302）、第一推动杆（303）和第一滑块（12）上开设有连通的第一通气孔（304）；
所述第二支撑杆（4）中开设有第二中空腔（402），所述第二中空腔（402）中滑动连接有带有第二密封板（401）的第二推动杆（403），所述第二推动杆（403）与所述的第二滑块（13）固定相连，所述第二密封板（401）、第二推动杆（403）和第二滑块（13）上开设有相互连通的第二通气孔（404）；
U型中空卡杆（7），固定连接在支撑板（1）上，所述石墨舟（2）卡在所述的U型中空卡杆（7）上，
其中
所述第一通气孔（304）两端分别与第一中空腔（301）和U型中空卡杆（7）连通，所述第二通气孔（404）两端分别与第二中空腔（402）和U型中空卡杆（7）连通；
进气管（305），固定连接在所述的第一支撑杆（3）上，且进气管（305）与所述的第一中空腔（301）连通；
排气管（405），固定连接在所述的第二支撑杆（4）上，且排气管（405）与所述的第二中空腔（402）连通。
2.根据权利要求1所述的一种硅片载片框，其特征在于，所述进气管（305）上连接有控制阀。
3.根据权利要求2所述的一种硅片载片框，其特征在于，所述第一通气孔（304）上设有压力阀。
4.根据权利要求1所述的一种硅片载片框，其特征在于，所述第一推动杆（303）上套有弹簧，所述弹簧两端分别与第一密封板（302）和第一中空腔（301）的内壁相连。
5.根据权利要求1所述的一种硅片载片框，其特征在于，所述第一支撑杆（3）和第二支撑杆（4）上均开设有与第一滑块（12）和第二滑块（13）对应的滑槽（5）。
6.根据权利要求1所述的一种硅片载片框，其特征在于，还包括气体发生套（14），用于套在所述炉体（15）的端头，所述气体发生套（14）用于盛放蒸发液体，所述气体发生套（14）排气端与所述的进气管（305）相连，所述气体发生套（14）的回流端与所述的排气管（405）相连。
7.根据权利要求6所述的一种硅片载片框，其特征在于，所述进气管（305）上固定套接有加热器（306），所述排气管（405）上固定套接有冷凝器（406），所述进气管（305）和排气管（405）上均连接有单向阀。
8.根据权利要求1所述的一种硅片载片框，其特征在于，所述U型中空卡杆（7）两端侧壁通过夹紧弹簧（703）连接有夹紧片（702），所述夹紧片（702）用于夹紧所述的石墨舟（2）。
9.硅片镀膜系统，包括支架（17），所述支架（17）中固定连接有炉体（15），所述炉体（15）一端固定连接有汽相管（18），所述炉体（15）另一端盖有盖门（19），还包括权利要求7所述的硅片载片框，其特征在于，所述第一支撑杆（3）和第二支撑杆（4）固定连接在支架（17）上，且所述的第一支撑杆（3）和第二支撑杆（4）插于所述的炉体（15）中。
10.根据权利要求9所述的硅片镀膜系统，其特征在于，所述气体发生套（14）固定套接在炉体（15）的汽相管（18）的一端，所述加热器（306）和冷凝器（406）分别位于支架（17）的两侧。
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106435521A (zh) * 2016-12-15 2017-02-22 乐山新天源太阳能科技有限公司 用于石墨舟设备的硅片取放装置
CN109082649A (zh) * 2018-09-06 2018-12-25 深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司 一种稳定镀膜的载片装置
CN115595669A (zh) * 2022-10-08 2023-01-13 浙江浩锐石英科技有限公司（Cn） 一种太阳能电池硅片扩散炉
CN115642122A (zh) * 2022-10-18 2023-01-24 董泽 一种用于承载硅片的石墨舟及其使用方法
CN115831838A (zh) * 2023-02-21 2023-03-21 无锡江松科技股份有限公司 一种硅片搬运设备和方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106435521A (zh) * 2016-12-15 2017-02-22 乐山新天源太阳能科技有限公司 用于石墨舟设备的硅片取放装置
CN109082649A (zh) * 2018-09-06 2018-12-25 深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司 一种稳定镀膜的载片装置
CN115595669A (zh) * 2022-10-08 2023-01-13 浙江浩锐石英科技有限公司（Cn） 一种太阳能电池硅片扩散炉
CN115642122A (zh) * 2022-10-18 2023-01-24 董泽 一种用于承载硅片的石墨舟及其使用方法
CN115831838A (zh) * 2023-02-21 2023-03-21 无锡江松科技股份有限公司 一种硅片搬运设备和方法

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