CN116061086A - 基板抛光装置、抛光头以及基板定位保护组件 - Google Patents

Abstract

本公开涉及一种基板抛光装置、抛光头以及基板定位保护组件，基板定位保护组件包括定位挡圈以及清洁件。清洁件与定位挡圈相连，并绕定位挡圈的周向设置，清洁件设有用于与研磨垫抵触配合的清洁部，清洁部设有至少一个金刚石。一方面，在对基板抛光作业过程中，基板位于定位孔中，这样定位挡圈对基板起到容纳保护和定位作用，使得基板不会出现滑片；另一方面，清洁部上的金刚石会同步接触研磨垫的表面，金刚石的硬度较硬，从而能实现将研磨垫上的残留物较好地去除与活化处理，能取代相关技术中的固体元件，使得尽可能地减小耐磨垫上的残留物对基板造成的损伤，同时耐磨性更好，使用寿命较长，不容易损坏，从而能减小物料成本。

Description

基板抛光装置、抛光头以及基板定位保护组件

技术领域

本公开涉及半导体设备技术领域，特别是涉及一种基板抛光装置、抛光头以及基板定位保护组件。

背景技术

基板(例如晶圆)制造中，随着制程技术的升级、导线与栅极尺寸的缩小，光刻(Lithography)技术对基板表面的平坦程度(Non-uniformity)的要求越来越高。化学机械研磨(CMP，Chemical Mechanical Polishing)亦称为化学机械抛光，其原理是化学腐蚀作用和机械去除作用相结合的加工技术，是目前机械加工中唯一可以实现表面全局平坦化的技术。

随着基板的最小特征尺寸的减小，聚焦的深度也急剧减少。微小的表面形貌或台阶高度都可能导致产量损失，所以需要CMP工艺以应对半导体工业所面临的挑战。在对基板进行抛光的过程中，基板放置在研磨垫上，由抛光头的定位保护组件(Retainer Ring)对基板进行限位，防止基板出现滑片，并对基板施加一定压力，以及使得基板与研磨垫两者相互转动，同步将浆料(slurry)添加到研磨垫上，使研磨垫进入到基板的底面，从而实现对基板的底面的抛光。浆料接触基板的表面过程中与基板的表面发生化学反应，会产生副产物。当副产物与浆料等由于没有及时排出并残留于研磨垫的表面上以及定位保护组件的沟槽中时，将影响到基板的抛光质量，严重时会损伤基板。

传统技术中，通常会在定位保护组件的底面上，也即与研磨垫相对的侧面上，设置有固体元件(Disk),通过固体元件与研磨垫相互接触，使得将研磨垫上的残留物去除，起到活化与清洁作用。然而，要么基板的抛光质量无法得到改善，要么在使用一段时间后，基板的抛光质量变差。

发明内容

基于此，有必要克服现有技术的缺陷，提供一种基板抛光装置、抛光头以及基板定位保护组件，它能够提高对研磨垫的清洁能力，以及能延长使用寿命，并能降低成本。

其技术方案如下：一种基板定位保护组件，所述基板定位保护组件包括：

定位挡圈，所述定位挡圈设有用于与基板的形状相适应的定位孔；以及

清洁件，所述清洁件与所述定位挡圈相连，并绕所述定位挡圈的周向设置，所述清洁件设有用于与研磨垫抵触配合的清洁部，所述清洁部设有至少一个金刚石。

在其中一个实施例中，所述金刚石嵌入固定于所述清洁部；和/或，所述清洁部采用化学气相沉积的方式与所述金刚石相互结合在一起。

在其中一个实施例中，所述金刚石为多个，多个所述金刚石沿所述清洁件的周向方向间隔地布置于所述清洁部上。

在其中一个实施例中，所述定位挡圈设有用于与所述研磨垫相互接触的抵接部，所述抵接部上设有至少一个沟槽，所述沟槽由所述抵接部的内缘延伸至所述抵接部的外缘。

在其中一个实施例中，所述金刚石与其相邻的所述沟槽错开布置。

在其中一个实施例中，所述清洁件为环形板，所述金刚石的数量为多个且分成多个小组，多个所述小组沿所述清洁件的周向方向间隔地布置于所述清洁部上，每个所述小组与其相邻的所述沟槽错开布置，每个小组的所述金刚石由所述清洁件的内缘至所述清洁件的外缘依次布置，且每个小组的所述金刚石的排布方向与所述清洁件的径向方向一致或呈夹角设置。

在其中一个实施例中，所述沟槽为多个，多个所述沟槽依次间隔地布置于所述抵接部上；每个所述金刚石或每个小组与相邻两个所述沟槽的中间位置相对应设置。

在其中一个实施例中，所述沟槽为多个，多个所述沟槽依次等间隔地布置于所述抵接部上。

在其中一个实施例中，所述沟槽的数量为8个至16个。

在其中一个实施例中，所述抵接部上用于与所述研磨垫相接触的表面和所述金刚石上用于与所述研磨垫相接触的位置处于同一平面上。

在其中一个实施例中，所述抵接部上设有打磨元件，所述打磨元件用于与所述研磨垫抵接。

一种抛光头，所述抛光头包括所述的基板定位保护组件。

在其中一个实施例中，所述抛光头还包括：

主体；

推压组件，所述推压组价设于所述主体上，所述推压组件与所述基板定位保护组件和/或待进行抛光处理的所述基板相连，用于给所述基板定位保护组件和/或所述基板施加压力；

吸附组件，所述吸附组件设于所述主体上，所述吸附组件用于吸附固定所述基板。

在其中一个实施例中，所述推压组件包括第一推压机构和/或第二推压机构；所述第一推压机构与所述基板定位保护组件相连，所述第二推压机构与所述基板相连。

在其中一个实施例中，所述第一推压机构包括第一可充气气囊、与所述第一可充气气囊相连通的第一充气管，所述第一充气管用于与气源相连，所述第一充气管上设有第一开关控制阀，所述第一可充气气囊与所述基板定位保护组件相连，背离于所述基板定位保护组件的所述第一可充气气囊的一侧与所述主体相连；

所述第二推压机构包括第二可充气气囊、与所述第二可充气气囊相连通的第二充气管，所述第二充气管用于与气源相连，所述第二充气管上设有第二开关控制阀，所述第二可充气气囊与所述基板相连，背离于所述基板的所述第二可充气气囊的一侧与所述主体相连。

一种基板抛光装置，所述基板抛光装置包括所述的抛光头，还包括研磨垫与旋转机构，所述研磨垫用于支撑待进行抛光处理的基板，所述旋转机构与所述抛光头或所述研磨垫相连，用于驱动所述抛光头或所述研磨垫转动。

上述的基板抛光装置、抛光头以及基板定位保护组件，一方面，在对基板抛光作业过程中，基板位于定位孔中，这样定位挡圈对基板起到容纳保护和定位作用，使得基板不会出现滑片；另一方面，清洁部上的金刚石会同步接触研磨垫的表面，金刚石的硬度较硬，从而能实现将研磨垫上的残留物较好地去除与活化处理，能取代相关技术中的固体元件(Disk)，使得尽可能地减小耐磨垫上的残留物对基板造成的损伤，同时耐磨性更好，使用寿命较长，不容易损坏，从而能减小物料成本。此外，定位挡圈与清洁件相连，可以采用同一种耗材一体制作，使得能减小物料的损耗。

附图说明

构成本申请的一部分的附图用来提供对本公开的进一步理解，本公开的示意性实施例及其说明用于解释本公开，并不构成对本公开的不当限定。

为了更清楚地说明本公开实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本公开一实施例的基板定位保护组件的结构示意图；

图2为本公开一实施例的基板抛光装置的结构示意图。

10、基板定位保护组件；11、定位挡圈；111、定位孔；112、沟槽；12、清洁件；121、小组；1211、金刚石；20、基板；30、研磨垫；40、主体；51、第一推压机构；511、第一可充气气囊；512、第一充气管；513、第一开关控制阀；52、第二推压机构；521、第二可充气气囊；522、第二充气管；523、第二开关控制阀。

具体实施方式

为使本公开的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本公开的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本公开。但是本公开能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本公开内涵的情况下做类似改进，因此本公开不受下面公开的具体实施例的限制。

需要说明的是，本实施例中的基板可以是在基材上形成半导体元件，例如集成电路或离散元件(discrete devices)的制程中任何阶段中的半导体晶圆。在一实施例中，基板包含极低介电常数介电层以及在半导体基材上的金属层。基板可为光罩、半导体晶圆、或电子元件制造领域的普通技术人员已知的其他工件。在至少一些实施例中，基板包含用于制造任何集成电路、被动式(例如，电容器、电感器)以及主动式(例如，晶体管、光侦测测器、激光器、二极管)微电子元件的任何材料。基板可以包含将这种主动式和被动式微电子元件与形成在它们顶部的一个或多个导电层分开的绝缘材料(例如，介电材料)。在一实施例中，基板为包含一层或多层介电层的半导体基材，例如硅、氮化镓、砷化镓、二氧化硅、氮化硅、蓝宝石、及其他介电材料。在一实施例中，基板是包括一层或多层的晶圆堆叠。一层或多层的晶圆可包含导电层、半导体层、绝缘层或前述的任意层组合。

正如背景技术所述，现有技术中的抛光头对基板抛光后，基板的抛光质量要么无法得到较好地改善，要么在使用一段时间后基板的抛光质量出现变差的问题，经研究发现，出现这种问题的原因在于，固体元件(Disk)需要由锐利的棱角，以及需要使固体元件以预设压力压紧于研磨垫上，才能使得固体元件对研磨垫的清洁与活化作用得到保障，而使用一段时间后，固体元件的棱角出现磨损现象，导致无法发挥出对基板表面的清洁能力，使用寿命短，需要进行频繁更换，导致成本较高。

基于以上原因，本发明提供了一种基板抛光装置、抛光头以及基板定位保护组件方案，它能够提高对研磨垫的清洁能力，以及能延长使用寿命，并能降低成本。

参阅图1，图1示出了本公开一实施例的基板定位保护组件10的结构示意图，图2示出了本公开一实施例的基板抛光装置的结构示意图。本公开一实施例提供的一种基板定位保护组件10，基板定位保护组件10包括：定位挡圈11以及清洁件12。定位挡圈11设有用于与基板20的形状相适应的定位孔111。清洁件12与定位挡圈11相连，并绕定位挡圈11的周向设置，清洁件12设有用于与研磨垫30抵触配合的清洁部，清洁部设有至少一个金刚石1211。

上述的基板定位保护组件10，一方面，在对基板抛光作业过程中，基板20位于定位孔111中，这样定位挡圈11对基板20起到容纳保护和定位作用，使得基板20不会出现滑片；另一方面，清洁部上的金刚石1211会同步接触研磨垫30的表面，金刚石1211的硬度较硬，从而能实现将研磨垫30上的残留物较好地去除与活化处理，能取代相关技术中的固体元件(Disk)，使得尽可能地减小耐磨垫上的残留物对基板20造成的损伤，同时耐磨性更好，使用寿命较长，不容易损坏，从而能减小物料成本。此外，定位挡圈11与清洁件12相连，可以采用同一种耗材一体制作，使得能减小物料的损耗。

请参阅图1与图2，在一个实施例中，金刚石1211嵌入固定于清洁部，也即金刚石1211的部分结构外露，从而能与研磨垫30表面接触，起到去除研磨垫30表面上的残留物的作用。

需要说明的是，金刚石1211在清洁件12的装设方式较多，包括但不限于CVD(chemical vaporde position化学气相沉积)工艺、粘接固定、卡接固定、注塑成型、熔融金属浇注或喷涂(spray)等等各种方式与清洁部相互牢固结合，具体如何装设可以根据实际需求灵活调整与设置。其中，经研究发现，金刚石1211在清洁件12的清洁部上的装设方式将会影响到金刚石1211在清洁部上的牢固程度，进而影响到对基板20的抛光质量与使用寿命。

请参阅图1与图2，在一个实施例中，金刚石1211嵌入固定于清洁部，清洁部采用化学气相沉积的方式与金刚石1211相互结合在一起。如此，清洁件12在生产加工过程中，主要是通过化学气相沉积的方式加工得到，能使得金刚石1211牢固地连接于清洁件12的清洁部。

可选地，清洁件12包括但不限于选取聚碳酸酯，材料成本低，以及采用化学气相沉积的方式直接让金刚石1211长在聚碳酸酯材质的清洁件12上，使得金刚石1211牢固地连接于清洁件12的清洁部。

经研究发现，采用基板定位保护组件10清洁研磨垫30的过程中，当对研磨垫30的清洁能力增强时，能减小残留物滞留于研磨垫30表面上的可能性，从而能减小研磨垫30上的残留物接触到基板20的概率，从而能使得基板20的抛光效果增强。

请参阅图1与图2，在一个实施例中，金刚石1211为多个，多个金刚石1211沿清洁件12的周向方向间隔地布置于清洁部上。如此，金刚石1211的数量越多，对研磨垫30的清洁能力将越强。

请参阅图1与图2，在一个实施例中，定位挡圈11设有用于与研磨垫30相互接触的抵接部。抵接部上设有至少一个沟槽112，沟槽112由抵接部的内缘延伸至抵接部的外缘。如此，在对基板20进行抛光过程中，在研磨垫30上加的浆料将会经过清洁件12与研磨垫30的间隙与沟槽112顺利地进入到基板20与研磨垫30之间的区域，此外，浆料与基板20发生化学反应产生的副产物以及浆料也会在离心力的作用下通过沟槽112、清洁件12与研磨垫30的间隙向外流出。

请参阅图1与图2，在一个实施例中，金刚石1211与其相邻的沟槽112错开布置。如此，使得金刚石1211不会对流入到沟槽112中的浆料，以及从沟槽112中向外流出的副产物与浆料造成阻碍。

请参阅图1与图2，在一个实施例中，清洁件12为环形板，金刚石1211的数量为多个且分成多个小组121，多个小组121沿清洁件12的周向方向间隔地布置于清洁部上，每个小组121与其相邻的沟槽112错开布置，每个小组121的金刚石1211由清洁件12的内缘至清洁件12的外缘依次布置，且每个小组121的金刚石1211的排布方向与清洁件12的径向方向一致或呈夹角设置。如此，一方面，使得在清洁部上布置数量更多的金刚石1211，从而对研磨垫30的清洁能力增强；另一方面，每个小组121的各个金刚石1211在清洁部上的排布方向由于与清洁件12的径向方向一致或呈夹角设置，从而在工作过程中，尽可能地避开浆料与副产物。

作为一个示例，每个小组121的金刚石1211的数量包括但不限于为2个、3个、4个、5个或以上数量。

当然，作为一个可选的方案，每个小组121的金刚石1211的数量也可以是1个。

请参阅图1与图2，在一个实施例中，沟槽112为多个，多个沟槽112依次间隔地布置于抵接部上。每个金刚石1211或每个小组121与相邻两个沟槽112的中间位置相对应设置。

请参阅图1与图2，在一个实施例中，沟槽112为多个，多个沟槽112依次等间隔地布置于抵接部上。

请参阅图1与图2，在一个实施例中，沟槽112的数量为8个至16个。如此，经研究发现，将沟槽112的数量设置在该范围时，能使得浆料有效地供应到基板20的底面上,以最小化浆料的量。

在一些实施例中，沟槽112的数量包括但不限于为8个、10个、11个、12个、14个、16个。具体而言，当沟槽112的数量设置为10个至12个时，并使沟槽112等间隔地布置于抵接部上，能使得浆料有效地供应到基板20的底面上,以最小化浆料的量。

当然，作为一些可选的方案，沟槽112的数量还可以是设置为小于8个以及大于16个。

在一些实施例中，基板20的形状例如为圆形或其它形状，定位孔111的形状相应为圆形或其它形状，具体可以根据实际需求灵活调整与设置。

请参阅图1与图2，在一些实施例中，定位挡圈11的外缘例如为圆形、椭圆形、多边形等等规则形状或其它各种不规则形状。清洁件12的内缘构成的形状与定位挡圈11的外缘相适应。此外，清洁件12的外缘构成的形状包括但不限于为圆形、椭圆形、多边形等等规则形状或其它各种不规则形状。

请参阅图2，在一个实施例中，抵接部上用于与研磨垫30相接触的表面和金刚石1211上用于与研磨垫30相接触的位置处于同一平面上。如此，在对基板抛光作业过程中，抵接部用于与研磨垫30相接触的表面与研磨垫30相互抵接时，金刚石1211同步接触研磨垫30，对研磨垫30上的残留物进行清洁与活化处理，能使得对残留物有较好的处理效果，同时能减小对研磨垫30的损伤。

当然，需要说明的是，抵接部用于与研磨垫30相接触的表面和金刚石1211上用于与研磨垫30相接触的位置允许生产工艺的误差存在使得两者位置相互偏离，所允许的偏离幅度包括但不限于为1mm-3mm。

在一个实施例中，抵接部上设有打磨元件，打磨元件用于与研磨垫30抵接。如此，不仅金刚石1211对研磨垫30起到清洁活化作用，打磨元件在抵接研磨垫30的过程中也能对相应的部位起到清洁与活化作用。

具体而言，打磨元件不限于为一个，例如设为多个。

可选地，打磨元件布置在相邻两个沟槽112之间。

可选地，打磨元件包括但不限于为连接于抵接部上的打磨层或研磨颗粒，其材质例如选择硬度较硬，不易于磨损的金刚石1211材料。

可选地，定位挡圈11的材料例如采用增强的聚合物复合材料,超硬合金基材料或陶瓷材料中的任何一种形成。

请参阅图1与图2，在一个实施例中，一种抛光头，抛光头包括上述任一实施例的基板定位保护组件10。

上述的抛光头，一方面，在对基板抛光作业过程中，基板20位于定位孔111中，这样定位挡圈11对基板20起到容纳保护和定位作用，使得基板20不会出现滑片；另一方面，清洁部上的金刚石1211会同步接触研磨垫30的表面，金刚石1211的硬度较硬，从而能实现将研磨垫30上的残留物较好地去除与活化处理，能取代相关技术中的固体元件(Disk)，使得尽可能地减小耐磨垫上的残留物对基板20造成的损伤，同时耐磨性更好，使用寿命较长，不容易损坏，从而能减小物料成本。此外，定位挡圈11与清洁件12相连，可以采用同一种耗材一体制作，使得能减小物料的损耗。

请参阅图1与图2，在一个实施例中，抛光头还包括：主体40、推压组件、以及吸附组件(图中未示出)。推压组价设于主体40上，推压组件与基板定位保护组件10和/或待进行抛光处理的基板20相连，用于给基板定位保护组件10和/或基板20施加压力。可选地，推压组件包括但不限于采用气压驱动的方式、机械升降的方式、液压驱动的方式等等给基板定位保护组件10和/或基板20施加合适大小的压力，以使得清洁件12能发挥出对研磨垫30的清洁效果，以及使得研磨垫30以一定压力抵接基板20底面，从而较为有效地对基板20底面进行研磨。

此外，吸附组件设于主体40上，吸附组件用于吸附固定基板20。其中，吸附组件包括但不限于为负压吸附装置或其它吸附机构，通过负压吸附的方式实现固定基板20，从而能使得基板20与研磨垫30两者相互转动，完成对基板20的底面的研磨作业。可选地，吸附组件例如对基板20的一个或多个不同部位相互连接。

可选地，主体40包括但不限于外壳或支架等等安装结构。本实施例中，以主体40为外壳为例，外壳的底面设有开口，基板定位保护组件10穿设于开口中，推压组件位于外壳的内部。此外，吸附组件可以根据实际需求灵活地任意布置，只要能实现对基板20进行吸附固定，使得基板20相对于主体40固定，这样当主体40或研磨垫30转动时，能实现基板20相对于研磨垫30转动。

请参阅图1与图2，在一个实施例中，推压组件包括第一推压机构51和/或第二推压机构52。第一推压机构51与基板定位保护组件10相连，第二推压机构52与基板20相连。

请参阅图1与图2，在一个实施例中，第一推压机构51包括第一可充气气囊511、与第一可充气气囊511相连通的第一充气管512。第一充气管512用于与气源相连，第一充气管512上设有第一开关控制阀513。第一可充气气囊511与基板定位保护组件10相连，背离于基板定位保护组件10的第一可充气气囊511的一侧与主体40相连。如此，当需要对研磨垫30进行清洁与活化操作时，增大第一可充气气囊511对基板定位保护组件10的压力，给第一可充气气囊511充入气体增大第一可充气气囊511的压力，第一可充气气囊511推动基板定位保护组件10向下移动，基板定位保护组件10向下移动时将会压紧研磨垫30，从而能通过定位孔111对基板20进行定位，且清洁件12的金刚石1211接触研磨垫30，使得能对研磨垫30上的残留物进行去除，通过调节第一可充气气囊511对基板定位保护组件10的压力，相应能调整金刚石1211对研磨垫30的压力，以改善对研磨垫30上的残留物的去除效果；反之，当需要对与基板定位保护组件10的研磨垫30相对的部位进行清洗处理时，和/或，基板20装入及取出过程中，使第一可充气气囊511的气体向外排出，这样基板定位保护组件10向上移动使得基板定位保护组件10与研磨垫30形成有间隔，以便于对与基板定位保护组件10的研磨垫30相对的部位进行清洗处理，以及能便于基板20装入及取出操作。

请参阅图1与图2，在一个实施例中，第二推压机构52包括第二可充气气囊521、与第二可充气气囊521相连通的第二充气管522。第二充气管522用于与气源相连，第二充气管522上设有第二开关控制阀523。第二可充气气囊521与基板20相互抵接，背离于基板20的第二可充气气囊521的一侧与主体40相连。如此，当需要对基板20的底面进行研磨工作时，增大第二可充气气囊521对基板定位保护组件10的压力，具体而言，给第二可充气气囊521充入气体增大第二可充气气囊521的压力，第二可充气气囊521推动基板20向下移动，基板20向下移动时将会压紧研磨垫30，以及能调整对研磨垫30的压力大小，在研磨垫30与基板20相对转动时，使得能对基板20进行抛光处理，通过调节第二可充气气囊521对基板20的压力，相应能调整第二可充气气囊521对研磨垫30的压力，以改善对研磨垫30的抛光处理质量；反之，当基板20装入及取出过程中，使第二可充气气囊521的气体向外排出，这样第二可充气气囊521的底面对基板20的压力减小，以及能便于基板20装入及取出操作。

在一个实施例中，第二推压机构52包括但不限于为一个、两个、三个、四个或其它数量。当第二推压机构52设置为多个时，多个第二推压机构52的第二可充气气囊521分别与基板20的多个不同部位相互抵接，这样可以根据实际需求灵活地调整与设置各个第二推压机构52对基板20的压力，使得能对基板20的抛光质量进行改善。具体而言，当基板20的外缘需要打磨量较大时，通过增大与基板20的外缘相对应的第二推压机构52的压力，使得基板20的外缘对研磨垫30的压力增大，从而增大对基板20的外缘的打磨量；当基板20的中部部位需要打磨量较大时，通过增大与基板20的中部部位相对应的第二推压机构52的压力，使得基板20的中部部位对研磨垫30的压力增大，从而增大对基板20的中部部位的打磨量。

可选地，多个第二可充气气囊521沿基板20的中心至基板20的外缘依次嵌套布置。具体而言，位于中心部位的第二可充气气囊521例如为圆形，其它第二可充气气囊521呈环状，具体圆环状，并依次套设设置。

请参阅图1与图2，在一个实施例中，一种基板抛光装置，基板抛光装置包括上述任一实施例的抛光头，还包括研磨垫30与旋转机构，研磨垫30用于支撑待进行抛光处理的基板20，旋转机构与抛光头或研磨垫30相连，用于驱动抛光头或研磨垫30转动。

上述的基板抛光装置，一方面，在对基板抛光作业过程中，基板20位于定位孔111中，这样定位挡圈11对基板20起到容纳保护和定位作用，使得基板20不会出现滑片；另一方面，清洁部上的金刚石1211会同步接触研磨垫30的表面，金刚石1211的硬度较硬，从而能实现将研磨垫30上的残留物较好地去除与活化处理，能取代相关技术中的固体元件(Disk)，使得尽可能地减小耐磨垫上的残留物对基板20造成的损伤，同时耐磨性更好，使用寿命较长，不容易损坏，从而能减小物料成本。此外，定位挡圈11与清洁件12相连，可以采用同一种耗材一体制作，使得能减小物料的损耗。

在一个实施例中，基板抛光装置还包括清洗机构(图中未示出)。清洗机构用于将清洗液喷射到研磨垫30上，对研磨垫30进行清洗处理。具体而言，清洗机构包括第一清洗机构，第一清洗机构用于在研磨垫30对基板20底面进行打磨作业过程中，同步对与基板定位保护组件10位置相对的研磨垫30的部位进行清洗处理，能将副产物及时地从研磨垫30上清洗去除，使得有利于提高基板20的抛光质量。此外，清洗机构还包括第二清洗机构，第二清洗机构用于研磨垫30对基板20底面打磨动作停止后，或者在将基板20装入到基板20底面与研磨垫30之间的步骤之前，将清洗液喷射到与基板20底面相对的研磨垫30的部位，从而对与基板20底面相对的研磨垫30的部位进行清洗处理。

以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本公开的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对公开专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本公开构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本公开的保护范围。因此，本公开专利的保护范围应以所附权利要求为准。

在本公开的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本公开和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本公开的限制。

此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本公开的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。

在本公开中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本公开中的具体含义。

在本公开中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

需要说明的是，当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“上”、“下”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。

Claims (16)

1.一种基板定位保护组件，其特征在于，所述基板定位保护组件包括：

定位挡圈，所述定位挡圈设有用于与基板的形状相适应的定位孔；以及

清洁件，所述清洁件与所述定位挡圈相连，并绕所述定位挡圈的周向设置，所述清洁件设有用于与研磨垫抵触配合的清洁部，所述清洁部设有至少一个金刚石。

2.根据权利要求1所述的基板定位保护组件，其特征在于，所述金刚石嵌入固定于所述清洁部；和/或，所述清洁部采用化学气相沉积的方式与所述金刚石相互结合在一起。

3.根据权利要求1所述的基板定位保护组件，其特征在于，所述金刚石为多个，多个所述金刚石沿所述清洁件的周向方向间隔地布置于所述清洁部上。

4.根据权利要求1所述的基板定位保护组件，其特征在于，所述定位挡圈设有用于与所述研磨垫相互接触的抵接部，所述抵接部上设有至少一个沟槽，所述沟槽由所述抵接部的内缘延伸至所述抵接部的外缘。

5.根据权利要求4所述的基板定位保护组件，其特征在于，所述金刚石与其相邻的所述沟槽错开布置。

6.根据权利要求5所述的基板定位保护组件，其特征在于，所述清洁件为环形板，所述金刚石的数量为多个且分成多个小组，多个所述小组沿所述清洁件的周向方向间隔地布置于所述清洁部上，每个所述小组与其相邻的所述沟槽错开布置，每个小组的所述金刚石由所述清洁件的内缘至所述清洁件的外缘依次布置，且每个小组的所述金刚石的排布方向与所述清洁件的径向方向一致或呈夹角设置。

7.根据权利要求5或6所述的基板定位保护组件，其特征在于，所述沟槽为多个，多个所述沟槽依次间隔地布置于所述抵接部上；每个所述金刚石或每个小组与相邻两个所述沟槽的中间位置相对应设置。

8.根据权利要求4所述的基板定位保护组件，其特征在于，所述沟槽为多个，多个所述沟槽依次等间隔地布置于所述抵接部上。

9.根据权利要求4所述的基板定位保护组件，其特征在于，所述沟槽的数量为8个至16个。

10.根据权利要求8或9所述的基板定位保护组件，其特征在于，所述抵接部上用于与所述研磨垫相接触的表面和所述金刚石上用于与所述研磨垫相接触的位置处于同一平面上。

11.根据权利要求4所述的基板定位保护组件，其特征在于，所述抵接部上设有打磨元件，所述打磨元件用于与所述研磨垫抵接。

12.一种抛光头，其特征在于，所述抛光头包括如权利要求1至11任一项所述的基板定位保护组件。

13.根据权利要求12所述的抛光头，其特征在于，所述抛光头还包括：

主体；

推压组件，所述推压组价设于所述主体上，所述推压组件与所述基板定位保护组件和/或待进行抛光处理的所述基板相连，用于给所述基板定位保护组件和/或所述基板施加压力；

吸附组件，所述吸附组件设于所述主体上，所述吸附组件用于吸附固定所述基板。

14.根据权利要求13所述的抛光头，其特征在于，所述推压组件包括第一推压机构和/或第二推压机构；所述第一推压机构与所述基板定位保护组件相连，所述第二推压机构与所述基板相连。

15.根据权利要求14所述的抛光头，其特征在于，所述第一推压机构包括第一可充气气囊、与所述第一可充气气囊相连通的第一充气管，所述第一充气管用于与气源相连，所述第一充气管上设有第一开关控制阀，所述第一可充气气囊与所述基板定位保护组件相连，背离于所述基板定位保护组件的所述第一可充气气囊的一侧与所述主体相连；

所述第二推压机构包括第二可充气气囊、与所述第二可充气气囊相连通的第二充气管，所述第二充气管用于与气源相连，所述第二充气管上设有第二开关控制阀，所述第二可充气气囊与所述基板相连，背离于所述基板的所述第二可充气气囊的一侧与所述主体相连。

16.一种基板抛光装置，其特征在于，所述基板抛光装置包括如权利要求12至15任一项所述的抛光头，还包括研磨垫与旋转机构，所述研磨垫用于支撑待进行抛光处理的基板，所述旋转机构与所述抛光头或所述研磨垫相连，用于驱动所述抛光头或所述研磨垫转动。

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