CN116053180A - 基板测试装置及利用其的脱附力测量方法 - Google Patents
基板测试装置及利用其的脱附力测量方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN116053180A CN116053180A CN202210984798.2A CN202210984798A CN116053180A CN 116053180 A CN116053180 A CN 116053180A CN 202210984798 A CN202210984798 A CN 202210984798A CN 116053180 A CN116053180 A CN 116053180A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- substrate
- electrostatic chuck
- ground voltage
- applying
- desorption
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32917—Plasma diagnostics
- H01J37/32935—Monitoring and controlling tubes by information coming from the object and/or discharge
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23Q—DETAILS, COMPONENTS, OR ACCESSORIES FOR MACHINE TOOLS, e.g. ARRANGEMENTS FOR COPYING OR CONTROLLING; MACHINE TOOLS IN GENERAL CHARACTERISED BY THE CONSTRUCTION OF PARTICULAR DETAILS OR COMPONENTS; COMBINATIONS OR ASSOCIATIONS OF METAL-WORKING MACHINES, NOT DIRECTED TO A PARTICULAR RESULT
- B23Q3/00—Devices holding, supporting, or positioning work or tools, of a kind normally removable from the machine
- B23Q3/15—Devices for holding work using magnetic or electric force acting directly on the work
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32715—Workpiece holder
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
- H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68721—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge clamping, e.g. clamping ring
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02N—ELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H02N13/00—Clutches or holding devices using electrostatic attraction, e.g. using Johnson-Rahbek effect
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/004—Charge control of objects or beams
- H01J2237/0048—Charging arrangements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
本申请提供一种基板测试装置,该基板测试装置通过添加能够沿垂直方向推动或拉动基板的垂直力测量部,能够测量可靠性高的脱附力。该装置包括:静电卡盘,其支承基板;垂直力测量部,布置在静电卡盘上,并沿垂直方向推动或拉动基板;静电卡盘电力施加部,向静电卡盘施加驱动电压和第一接地电压;以及基板电力施加部,向基板施加第二接地电压,其中,通过向静电卡盘施加驱动电压以及向基板施加第二接地电压,基板被充电(charging);然后,通过向静电卡盘施加第一接地电压以及向基板施加第二接地电压,基板被放电(discharging);之后,通过垂直力测量部在垂直方向上拉动基板来测量基板的脱附力(dechucking force)。
Description
技术领域
本发明涉及一种基板测试装置和使用该基板测试装置的脱附力测量方法。更具体地,本发明涉及用于评估静电卡盘的脱附力(dechucking force)的基板测试装置及利用该基板测试装置的脱附力测量方法。
背景技术
通常,处理半导体晶片、平板显示器基板等表面的等离子体处理方式大致分为电容耦合型等离子体(CCP:Capacitively Coupled Plasma)处理方式和电感耦合型等离子体(ICP:Inductively Coupled Plasma)处理方式。
如上所述,利用等离子体的基板处理工艺是指:向真空腔室内施加高频电力,使供应到腔室内的气体以等离子体状态流动,并通过此时形成的高能电子或自由基来对薄膜进行蚀刻和去除的工艺。为了成功地执行利用等离子体的基板处理工艺,在腔室内部对半导体基板进行夹持(吸附)和解夹持(脱附)的过程作为其中重要的工艺必不可少。
通常,用于制造半导体器件的工艺腔室中的基板保持方法包括机械夹持件(mechanical clamp)方法、使用真空吸盘的方法等。然而,近年来,具有优良的颗粒和工艺均匀性的静电卡盘(ESC)的使用急剧增加。然而,在使用这种静电卡盘的情况下,在进行等离子体处理后从静电卡盘分离基板的过程中,即,在脱附(dechucking)过程中,由于残留在基板表面上的电荷而产生的静电没有完全被去除,因此发生粘附(sticking)等问题,从而使得基板在反应腔室内破损,或者在从腔室卸载基板时,基板可能错误地布置在基板保持机器人的桨叶上。
因此,近来,已经研究了一种在脱附时去除残留在基板上的表面电荷的方法,例如,向脱附电压施加部施加0V电压达预定时间或者将其接地等方法。
但是,这种现有的方法存在如下问题,即,随着静电卡盘的使用量增加,静电卡盘的静电容量增加,因此,当基板的表面电荷量增加时,需要花费相当多的时间,且不能完全去除表面电荷。
发明内容
解决的技术问题
需要一种方法来评估从静电卡盘分离基板的过程——即脱附过程是否顺利执行。为此,在现有技术中,使用水平滑动方法来确认在脱附过程中确认残留在基板上的表面电荷是否被充分去除。然而,在该方法中,由于使用在水平方向上推动基板的力来测量在垂直方向上作用于基板的脱附力(dechucking force),因此脱附力评估方法的可靠性低。
另外,在现有技术中,由人直接手动评估脱附力,因此存在离散度大、评估效率低的问题。
本发明要解决的技术问题在于,提供一种基板测试装置,该基板测试装置通过增加能够沿垂直方向推动或拉动基板的垂直力测量部,能够测量可靠性高的脱附力。
本发明的技术课题不限于上述技术课题,本领域的技术人员可以通过以下记载明确地理解未提及的其他技术课题。
解决方法
为解决上述技术问题,根据本发明一方面的基板测试装置可以包括:静电卡盘,用于支承基板;垂直力测量部,布置在静电卡盘上,并且能够沿垂直方向推动或拉动基板;静电卡盘电力施加部,用于向静电卡盘施加驱动电压和第一接地电压;以及基板电力施加部,用于向基板施加第二接地电压,其中,通过静电卡盘电力施加部向静电卡盘施加驱动电压以及基板电力施加部向基板施加第二接地电压,基板被充电,通过静电卡盘电力施加部向静电卡盘施加第一接地电压以及基板电力施加部向基板施加第二接地电压,基板被放电;以及由垂直力测量部测量基板的脱附力。
在基板被充电之前,还可以包括:通过向基板施加第二接地电压来设置基板的初始电荷。
在设置基板的初始电荷时,静电卡盘电力施加部可以不向静电卡盘施加驱动电压和第一接地电压。
基板可以被充电达第一操作时间,以及基板可以被放电达与第一操作时间不同的第二操作时间。
在基板被充电之后,且在基板被放电之前,可以不向静电卡盘施加驱动电压且不向基板施加第二接地电压,以使基板保持带电状态。
基板可以被充电达第一操作时间,基板可以被放电达比第一操作时间短的第二操作时间,以及基板可以保持带电状态达比第二操作时间短的第三操作时间。
静电卡盘还可以包括夹持件,该夹持件布置在静电卡盘的下方并固定静电卡盘。
由垂直力测量部通过在垂直方向上拉动基板来测量基板的脱附力可以在基板不被施加第二接地电压且静电卡盘不被施加驱动电压和第一接地电压的状态下执行。
在基板被放电之后,在基板内部可以残留有残留电荷,通过残留电荷,在基板与静电卡盘之间可以产生静电吸引,并且脱附力可以根据静电引力来确定。
基板测试装置还可以包括:测试室,包括用于对基板进行处理的内部空间;传送部,布置在测试室的下方,并用于传送测试室。
基板测试装置还可以包括:电机,在测试室的上表面上,并且向垂直力测量部提供推动或拉动基板的动力,其中,电机可以通过滚珠丝杠方法在垂直于基板的方向上向垂直力测量部提供动力。
电机可以通过向垂直力测量部提供动力,使得垂直力测量部能够以第一速度或第二速度匀速地拉动基板,以及第一速度可以不同于第二速度。
基板测试装置还可以包括:阻尼器,布置在电机和垂直力测量部之间,并用于减少随着电机向垂直力测量部提供动力而产生的振动。
为解决上述技术问题,根据本发明另一方面的脱附力测量方法可以包括以下步骤:将基板置于静电卡盘上;通过向静电卡盘施加驱动电压以及向基板施加第二接地电压来对基板进行充电;然后,通过向静电卡盘施加第一接地电压以及向基板施加第二接地电压来对基板进行放电,以及之后,通过由布置在基板上的垂直力测量部在垂直方向上拉动基板来测量基板的脱附力。
在对基板进行充电之前,方法还包括:通过向基板施加第二接地电压来设置基板的初始电荷。
在设置基板的初始电荷时,可以不向静电卡盘施加驱动电压和第一接地电压。
在对基板进行充电之后,且在对基板进行放电之前,还可以包括:通过不向静电卡盘施加驱动电压以及不向基板施加第二接地电压而使基板保持带电状态。
通过由垂直力测量部在垂直方向上拉动基板来测量基板的脱附力的步骤可以在不向静电卡盘施加驱动电压和第一接地电压的情况下执行。
在对基板进行放电之后,在基板的内部可以残留有残留电荷,通过残留电荷,在基板和静电卡盘之间可以产生静电引力,以及脱附力可以根据静电引力来确定。
其他实施例的具体事项包含在详细的说明及附图中。
附图说明
图1是用于说明根据本发明一实施例的基板测试装置的剖视图。
图2和图3是用于说明根据本发明一实施例的脱附力评估方法的流程图。
图4至图7是用于说明根据本发明一实施例的脱附力评估方法的中间步骤图。
图8是用于说明在图3的脱附力评估方法的中间步骤中的施加电压的状态和晶片的提起状态的图表。
图9是用于说明在图3的脱附力评估方法的中间步骤中垂直力测量部拉动基板的速度的图表。
图10是用于说明根据本发明一实施例的脱附力评估方法的流程图。
图11是用于说明根据本发明一实施例的脱附力评估方法的中间步骤图。
图12是用于说明在图10的脱附力评估方法的中间步骤中的施加电压的状态和晶片的提起状态的图表。
附图标记的说明
100:基板 220:静电卡盘
230:静电卡盘电极 300:静电卡盘电力施加部
400:基板电力施加部 500:夹持件
610:垂直力测量部 HV:驱动电压
GND1:第一接地电压 GND2:第二接地电压
具体实施方式
在下文中,将参考附图详细描述本发明的优选实施例。参考结合附图在下文详细叙述的实施例,本发明的优点和特征以及实现优点和特征的方法将变得明确。然而,本发明并不受限于在下文中公布的实施例,而是可以以各种不同的形式实现,并且本实施例仅是为了使本发明的公开内容完整并向本发明所属技术领域的普通技术人员完整告知发明的范围而提供的,并且本发明仅由权利要求的范围限定。在整个说明书中,相同的参考标号指代相同的构成要素。
元件或层被称为在另一元件或层的“上方”或“上”时,其不仅包括在另一元件或另一层的直接上方,还包括中间介入有另一层或另一元件的情况。相反,元件被称为“直接在上方”或“在正上方”时,其表示中间不存在介入的另一元件或层。
虽然使用了第一、第二等来叙述各种元件、构成要素和/或部分,但显然这些元件、构成要素和/或部分不受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件、构成要素或部分与其他元件、构成要素或部分区分开。因此,在本发明的技术思想内,下文中提到的第一元件、第一构成要素或第一部分显然也可以是第二元件、第二构成要素或第二部分。
本说明书中使用的术语是用于描述实施例的,而不是旨在限制本发明。在本说明书中,除非句子中特别说明,否则单数形式还包括复数形式。说明书中使用的“包括(comprises)”和/或“包括(comprising)”表示包括所提到的构成要素、步骤、操作和/或元件,而不排除一个以上的其他构成要素、步骤、操作和/或元件的存在或添加。
本发明涉及一种通过能够沿垂直方向推动或拉动基板的垂直力测量部来测量基板的脱附力(dechucking force)的基板测试装置及脱附力评估方法。以下,将参照附图详细描述本发明的示例性实施例。
图1是用于说明根据本发明一实施例的基板测试装置的剖视图。
参照图1,根据一些实施例的基板测试装置可以包括测试室10、基板100、基板支承部200、静电卡盘电力施加部300、基板电力施加部400、夹持件500和驱动部600。基板测试装置可以是用于评估基板100的脱附力的测试用装置。
测试室10可以包括用于处理基板100的内部空间13。测试室10还可包括主体部11和框架部12。
主体部11可以支承基板测试装置的结构。即,主体部11可以支承基板100、基板支承部200和夹持件500。主体部11可布置在基板100、基板支承部200和夹持件500下方。
框架部12可以从主体部11的上表面边缘形成。框架部12可布置在主体部11上。框架部12可围绕主体部11的内部空间。通过框架部12,可以确保测试室10的内部空间13。
基板100、基板支承部200、静电卡盘电力施加部300、基板电力施加部400、夹持件500和驱动部600可以布置在测试室10的内部空间13中。然而,这仅仅是示例,本发明的技术精神不限于此。
根据一些实施例的基板测试装置还可以包括传送部700。传送部700可以布置在测试室10的下方。传送部700可以传送测试室10。
虽然传送部700被示出为轮子形状,但是本发明的技术精神不限于此。
基板支承部200可以包括基座210、静电卡盘220和静电卡盘电极230。静电卡盘220可以布置在基座210上。
静电卡盘220利用静电力来支承置于静电卡盘220上的基板100。静电卡盘220可以由陶瓷材料制成。静电卡盘220可以与基座210结合,以被固定在基座210上。
基座210可以布置在静电卡盘220下方。
基座210的下部可以具有在水平方向上较宽的形状。基座210的下部可以具有较大的直径。如图所示,基座210的下部比上部宽,因此,夹持件500可以提供用于固定基座210的把手。因此,基座210可由夹持件500固定。
静电卡盘电极230可以设置在静电卡盘220中。静电卡盘电极230接收用于夹持基板100的DC电压,并通过静电力吸附基板100。然后,执行从静电卡盘220分离基板100的脱附工艺。
静电卡盘电力施加部300可以向静电卡盘220施加驱动电压HV和第一接地电压GND1。静电卡盘电力施加部300可以直接向静电卡盘220施加电压。然而,这仅仅是示例,本发明的技术精神不限于此。
静电卡盘电力施加部300可以包括驱动电压施加部310、第一接地电压施加部320、控制部330和开关340。
驱动电压施加部310可以向静电卡盘220施加驱动电压HV。驱动电压施加部310可以使用直流电源。然而,这仅仅是示例,本发明的技术精神不限于此。
第一接地电压施加部320可以向静电卡盘220施加第一接地电压GND1。
控制部330可以布置在驱动电压施加部310和第一接地电压施加部320之间。控制部330可以确定向静电卡盘220施加驱动电压HV和第一接地电压GND1中的哪一个。
此外,静电卡盘电力施加部300可通过开关340来停止施加电压。例如,可以通过断开设置在用于施加电压的电力线上的开关340来停止施加电压。
基板电力施加部400可以向基板100施加第二接地电压GND2。基板电力施加部400可以直接向基板100施加电压。然而,这仅仅是示例,本发明的技术精神不限于此。
在附图中,基板电力施加部400和静电卡盘电力施加部300被示出为使用不同的接地电压源,但这仅仅是示例,本发明的技术思想并不限于此。例如,由基板电力施加部400施加的第二接地电压GND2可以使用与由静电卡盘电力施加部300施加的第一接地电压GND1相同的电源。
夹持件500可布置在主体部11的上表面上。夹持件500可布置在主体部11的上表面的边缘处。夹持件500可以在主体部11上形成为一对。然而,这仅仅是示例,本发明的技术精神不限于此。
夹持件500可以布置在静电卡盘220下方。夹持件500可以布置在基板支承部200的侧面。夹持件500可以固定基板支承部200。具体地,夹持件500可以固定静电卡盘220。
例如,夹持件500可以围绕基座210与其形成为一体。
夹持件500可具有钩状。因此,夹持件500可以固定布置在夹持件500上的基板支承部200的基座210。
夹持件500的形状仅仅是示例,本发明的技术精神不限于此。夹持件500的形状可以是适于固定布置在夹持件500上的静电卡盘220的形状。
根据一些实施例的基板测试装置可以通过由夹持件500解除静电卡盘220的固定来更换静电卡盘220。
如图所示,夹持件500和主体部11之间可以形成有板。这仅仅是出于基板测试装置的稳定性考虑的示例,本发明的技术思想不限于此。
例如,夹持件500可以形成在主体部11上。夹持件500可以与主体部11接触。
驱动部600可以布置在静电卡盘220上方。具体地,驱动部600可以布置在基板100上方。驱动部600可以包括垂直力测量部610、电机620和阻尼器630。
垂直力测量部610可以布置在静电卡盘220上方。具体地,垂直力测量部610可以布置在基板100上方。垂直力测量部610可以与基板100接触。
可以将诸如推拉量表(pushpull gauge)、称重传感器(load cell)等各种装置应用于垂直力测量部610。然而,这仅仅是示例,本发明的技术精神不限于此。垂直力测量部610可以是在通过拉拽基板100而测量静电引力的情况下测量基板100的垂直方向上的力的结构。
然而,垂直力测量部610测量基板100的垂直方向上的力的方法不限制本发明的技术思想。例如,在将称重传感器用作垂直力测量部610时,可以通过称重传感器负重而变形的量来测量垂直力。在这种情况下,垂直力测量部610可以不包括用于提供动力的电机620。在本发明中,为了便于说明,以推拉量表为例进行说明。
垂直力测量部610可以沿垂直方向推动或拉动基板100。
垂直力测量部610可用于在与基板100粘附之后通过沿垂直方向拉动基板100来测量脱附力。下面将详细描述测量脱附力的方法。
电机620可以布置在垂直力测量部610上。电机620可以布置在测试室10的外壁上。电机620可布置在测试室10的上表面上。然而,这仅仅是图示的示例,本发明的技术精神不限于此。
例如,电机620可以布置在测试室10的内部空间13内。
电机620可以向垂直力测量部610提供推动或拉动基板100的动力。电机620可向垂直力测量部610提供沿垂直于基板100的方向的动力。例如,电机620可以通过滚珠丝杆(Ball Screw)方法向垂直力测量部610提供动力。然而,电机620的动力传递方式仅是示例,本发明的技术思想不限于此。
阻尼器630可以布置在垂直力测量部610和电机620之间。阻尼器630可以减小在电机620向垂直力测量部610提供动力期间产生的振动。
图2和图3是用于说明根据本发明一实施例的脱附力评估方法的流程图。图4至图7是用于说明根据本发明一实施例的脱附力评估方法的中间步骤图。图8是用于说明在图3的脱附力评估方法的中间步骤中的施加电压的状态和晶片的提起状态的图表。图9是用于说明在图3的脱附力评估方法的中间步骤中垂直力测量部拉动基板的速度的图表。
作为参考,图2和图3示出利用根据一些实施例的基板测试装置的脱附力评估方法的流程。
参照图2,可以接通基板测试装置的电源(S100)。由于基板测试装置是通过提供电压和驱动力来评估脱附力的电子装置,因此可能需要电源。
然后,可以对基板100进行初始设置(S200)。初始设置是指为了评估基板100的脱附力而评估初始位置、初始电压等。
例如,可以将基板100置于静电卡盘220上。基板100可以布置在静电卡盘220和垂直力测量部610之间。
作为另一示例,参照图2和图4,可以向基板100施加第二接地电压GND2。可以向基板100施加第二接地电压GND2以去除残留在基板100上的残留电荷。由此,在对基板100进行充电之前,可以设置基板100的初始电荷。
在设置基板100的初始电荷时,静电卡盘电力施加部300可以不向静电卡盘220施加驱动电压HV和第一接地电压GND1。
参照图2、图3、图5至图7,在对基板100进行初始设置之后,可以执行静电卡盘220的脱附力评估(S300)。
第一步,可以对基板100进行充电(S310)。为了对基板100进行充电,可以向静电卡盘220施加驱动电压HV。可以向基板100施加第二接地电压GND2。
施加到静电卡盘220的驱动电压HV可以是约2.73kV。随着驱动电压HV被施加到静电卡盘220,基板100可以带电。在基板100的与静电卡盘220邻近的下表面上可以聚集第一残留电荷C10。
对基板100进行充电的步骤S310可以是对于半导体处理工艺中的将基板100吸附(chucking)到静电卡盘220的过程的模拟。
第二步,可以对基板100进行放电(S320)。为了对基板100进行放电,可以向静电卡盘220施加第一接地电压GND1。可以向基板100施加第二接地电压GND2。
随着第一接地电压GND1被施加到静电卡盘220,基板100可以被放电。具体地,聚集在基板100的与静电卡盘220邻近的下表面上的第一残留电荷C10可以被分散。因此,在基板100的下表面上,可以聚集比在基板100被充电的状态下的第一残留电荷C10少的第二残留电荷C20。
对基板100进行放电的步骤S320可以是对于半导体处理工艺中的对基板100进行放电以使基板100从静电卡盘220脱附(dechucking)的过程的模拟。
第三步,可以使基板100脱附(S330)。为了使基板100脱附,可以不向静电卡盘220施加驱动电压HV和第一接地电压GND1。可以不向基板100施加第二接地电压GND2。
然后,垂直力测量部610可以沿垂直方向拉动基板100。因此,基板100可以与静电卡盘220隔开从而实现脱附。
在将基板100放电之后,在基板100的内部可以残留有第二残留电荷C20。由于第二残留电荷C20,在基板100和静电卡盘220之间可以产生静电引力。由于静电卡盘220和基板100未被施加任何电压,因此由残留在基板100上的第二残留电荷C20引起的基板100与静电卡盘220的静电引力可以被保持。
此时,通过垂直力测量部610拉动基板100,可以测量静电引力。静电引力可以对应于脱附力F。即,脱附力F可以通过静电引力来确定。
参照图3和图8,对基板100进行充电的步骤S310可以执行到第一时间t1为止。
作为参考,图8中的水平轴是表示时间的轴。竖直轴表示静电卡盘220是否被施加驱动电压HV和第一接地电压GND1、基板100是否被施加第二接地电压GND2、以及垂直力测量部610是否提起基板100(LIFT UP)。
在第一时间t1之前,静电卡盘220被施加驱动电压HV。静电卡盘220未被施加第一接地电压。基板100被施加第二接地电压GND2。
对基板100进行放电的步骤S320可以从第一时间t1执行到第二时间t2。
从第一时间t1到第二时间t2,静电卡盘220未被施加驱动电压HV。静电卡盘220被施加第一接地电压GND1。基板100被施加第二接地电压GND2。
基板100被充电的第一时间t1为止所需的时间可以是第一操作时间(0至t1)。基板100被放电的第一时间t1到第二时间t2所需的时间可以是第二操作时间(t1至t2)。第一操作时间(0至t1)可以不同于第二操作时间(t1至t2)。具体地,第一操作时间(0至t1)可以比第二操作时间(t1至t2)长。
在对基板100进行放电之后,从第二时间t2起,基板100可以被垂直力测量部610提起(LIFT UP)。在这种情况下,不向静电卡盘220施加驱动电压HV。不向静电卡盘220施加第一接地电压GND1。不向基板100施加第二接地电压GND2。
参照图3和图9,可以在第二时间t2之后执行对基板100进行脱附的操作S330。
作为参考,在图9中,水平轴是表示时间的轴,垂直轴是表示速度的轴。另外,该图是用于说明由垂直力测量部610提拉基板100的(LIFT UP)各种速度的图表。
通过由电机620向垂直力测量部610提供动力,垂直力测量部610可以以第一速度v1或第二速度v2匀速地拉动基板100。第一速度v1和第二速度v2可以不同。
例如,第一速度v1可以比第二速度v2慢。
垂直力测量部610被记载为可以以两种速度匀速地拉动基板100,但这只是示例,本发明的技术思想并不限于此。例如,垂直力测量部610可以以两种以上的速度匀速地拉动基板100。
在执行静电卡盘220的脱附评估(S300)之后,确认所测量的脱附力F(S400)。
所测量出的脱附力F越大,则意味着基板100和静电卡盘220之间剩余的静电引力越大。即,其可以意味着由于基板100上残留的电荷量大而导致未彻底执行基板100的脱附。
之后,完成脱附力的评估(S500)。
图10是用于说明根据本发明一实施例的脱附力评估方法的流程图。图11是用于说明根据本发明一实施例的脱附力评估方法的中间步骤图。图12是用于说明在图10的脱附力评估方法的中间步骤中的施加电压的状态和晶片的提起状态的图表。为了便于描述,将简要说明或省略与参照图2至图8描述的内容重复的内容。
作为参考,图10示出了使用根据一些实施例的基板测试装置来评估脱附力的方法的流程。
参照图10和图11,在对基板100进行充电(S310)之后,以及在对基板100进行放电(S320)之前,还可以包括使基板100处于等待状态的步骤S315。
在使基板100处于等待状态的步骤S315中,可以不向静电卡盘220施加驱动电压HV和第一接地电压GND1。可以不向基板100施加第二接地电压GND2。
随着静电卡盘220和基板100未被施加任何电压,基板100可以保持为带电状态。即,聚集在基板100的与静电卡盘220邻近的下表面上的第一残留电荷C10可以被保持。
使基板100处于等待状态的步骤S315可以具有如下意义,即,明确地区分对基板100进行充电的步骤S310和对基板100进行放电的步骤S320,以确认对基板100进行充电的步骤S310和对基板100进行放电的步骤S320的执行。
参照图12,使基板100处于等待状态的步骤可以包括在对基板100进行充电的步骤与对基板100进行放电的步骤之间。
使基板100处于等待状态的步骤可以在基板100被充电之后从第一时间t1进行到第三时间t3。
从第一时间t1到第三时间t3,不向静电卡盘220施加驱动电压HV和第一接地电压GND1。不向基板100施加第二接地电压GND2。
对基板100进行放电的步骤S320可以从第三时间t3进行到第二时间t2。
从第三时间t3到第二时间t2,不向静电卡盘220施加驱动电压HV。静电卡盘220被施加第一接地电压GND1。基板100被施加第二接地电压GND2。
基板100被充电的第一时间t1为止所需的时间可以是第一操作时间(0至t1)。基板100被放电的第三时间t3到第二时间t2所需的时间可以是第二操作时间(t3至t2)。第一操作时间(0至t1)可以不同于第二操作时间(t3至t2)。具体地,第一操作时间(0至t1)可以比第二操作时间(t3至t2)长。
基板100被保持带电状态的第一时间t1到第三时间t3所需的时间可以是第三操作时间(t1至t3)。第三操作时间(t1至t3)可以短于第一操作时间(0至t1)和第二操作时间(t3至t2)。
以上参照附图对本发明的实施例进行了说明,但本发明所属技术领域的普通技术人员应当理解,本发明在不变更其技术思想或必要特征的情况下,能够以其他具体形态实施。因此,应理解为上述实施例在所有方面都是示例性的,而不是限制性的。
Claims (20)
1.一种基板测试装置,包括:
静电卡盘,其支承基板;
垂直力测量部,布置在所述静电卡盘上;
静电卡盘电力施加部,向所述静电卡盘施加驱动电压和第一接地电压;以及
基板电力施加部,向所述基板施加第二接地电压;
其中,通过所述静电卡盘电力施加部向所述静电卡盘施加所述驱动电压以及所述基板电力施加部向所述基板施加所述第二接地电压,所述基板被充电,
通过所述静电卡盘电力施加部向所述静电卡盘施加所述第一接地电压以及所述基板电力施加部向所述基板施加所述第二接地电压,所述基板被放电,以及
由所述垂直力测量部测量所述基板的脱附力。
2.根据权利要求1所述的基板测试装置,其中,在所述基板被充电之前,通过向所述基板施加所述第二接地电压来设置所述基板的初始电荷。
3.根据权利要求2所述的基板测试装置,其中,
在设置所述基板的初始电荷时,所述静电卡盘电力施加部不向所述静电卡盘施加所述驱动电压和所述第一接地电压。
4.根据权利要求1所述的基板测试装置,其中,
所述基板被充电达第一操作时间,以及
所述基板被放电达与所述第一操作时间不同的第二操作时间。
5.根据权利要求1所述的基板测试装置,其中,
在所述基板被充电之后,且在所述基板被放电之前,不向所述静电卡盘施加所述驱动电压且不向所述基板施加所述第二接地电压,以使所述基板保持带电状态。
6.根据权利要求5所述的基板测试装置,其中,
所述基板被充电达第一操作时间,
所述基板被放电达比所述第一操作时间短的第二操作时间,以及
所述基板保持带电状态达比所述第二操作时间短的第三操作时间。
7.根据权利要求1所述的基板测试装置,还包括:
夹持件,布置在所述静电卡盘的下方,并用于固定所述静电卡盘。
8.根据权利要求1所述的基板测试装置,其中,
由所述垂直力测量部测量所述基板的脱附力是在所述基板不被施加所述第二接地电压且所述静电卡盘不被施加所述驱动电压和所述第一接地电压的状态下执行的。
9.根据权利要求1所述的基板测试装置,其中,
在所述基板被放电之后,在所述基板的内部残留有残留电荷,
通过所述残留电荷,在所述基板和所述静电卡盘之间产生静电引力,以及
所述脱附力是根据所述静电引力来确定的。
10.根据权利要求1所述的基板测试装置,还包括:
测试室,包括用于对所述基板进行处理的内部空间;以及
传送部,布置在所述测试室的下方,并用于传送所述测试室。
11.根据权利要求10所述的基板测试装置,还包括:
电机,在所述测试室的上表面上,并且向所述垂直力测量部提供推动或拉动所述基板的动力,
其中,所述电机通过滚珠丝杠方法在垂直于所述基板的方向上向所述垂直力测量部提供所述动力。
12.根据权利要求11所述的基板测试装置,其中,
所述电机通过向所述垂直力测量部提供所述动力,使所述垂直力测量部能够以第一速度或第二速度匀速地拉动所述基板,以及
所述第一速度不同于所述第二速度。
13.根据权利要求11所述的基板测试装置,还包括:
阻尼器,布置在所述电机和所述垂直力测量部之间,并用于减少随着所述电机向所述垂直力测量部提供所述动力而产生的振动。
14.一种脱附力测量方法,包括以下步骤:
将基板置于静电卡盘上;
通过向所述静电卡盘施加驱动电压以及向所述基板施加第二接地电压来对所述基板进行充电;
然后,通过向所述静电卡盘施加第一接地电压以及向所述基板施加所述第二接地电压来对所述基板进行放电;以及
之后,通过由布置在所述基板上的垂直力测量部在垂直方向上拉动所述基板来测量所述基板的脱附力。
15.根据权利要求14所述的脱附力测量方法,在对所述基板进行充电之前,还包括以下步骤:
通过向所述基板施加所述第二接地电压来设置所述基板的初始电荷。
16.根据权利要求15所述的脱附力测量方法,其中,
在设置所述基板的初始电荷时,不向所述静电卡盘施加所述驱动电压和所述第一接地电压。
17.根据权利要求14所述的脱附力测量方法,在对所述基板进行充电之后,且在对所述基板进行放电之前,还包括以下步骤:
通过不向所述静电卡盘施加所述驱动电压以及不向所述基板施加所述第二接地电压而使所述基板保持带电状态。
18.根据权利要求14所述的脱附力测量方法,其中,
通过由所述垂直力测量部在垂直方向上拉动所述基板来测量所述基板的脱附力的步骤是在不向所述静电卡盘施加所述驱动电压和所述第一接地电压的情况下执行的。
19.根据权利要求14所述的脱附力测量方法,其中,
在对所述基板进行放电之后,在所述基板的内部残留有残留电荷,
通过所述残留电荷,在所述基板和所述静电卡盘之间产生静电引力,以及
所述脱附力是根据所述静电引力来确定的。
20.一种基板测试装置,包括:
静电卡盘,其支承基板;
垂直力测量部,布置在所述静电卡盘上;
静电卡盘电力施加部,向所述静电卡盘施加驱动电压和第一接地电压;以及
基板电力施加部,向所述基板施加第二接地电压;
其中,通过所述静电卡盘电力施加部向所述静电卡盘施加所述驱动电压以及所述基板电力施加部向所述基板施加所述第二接地电压,所述基板被充电;
通过所述静电卡盘电力施加部向所述静电卡盘施加所述第一接地电压以及所述基板电力施加部向所述基板施加所述第二接地电压,所述基板被放电,
由所述垂直力测量部测量所述基板的脱附力,
所述基板被充电达第一操作时间,
所述基板被放电达与所述第一操作时间不同的第二操作时间,以及
由所述垂直力测量部测量所述基板的脱附力是在所述基板不被施加所述第二接地电压且所述静电卡盘不被施加所述驱动电压和所述第一接地电压的状态下执行的。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020210145982A KR20230061091A (ko) | 2021-10-28 | 2021-10-28 | 기판 테스트 장치 및 이를 이용하는 디척킹 포스 측정 방법 |
KR10-2021-0145982 | 2021-10-28 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN116053180A true CN116053180A (zh) | 2023-05-02 |
Family
ID=86112004
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202210984798.2A Pending CN116053180A (zh) | 2021-10-28 | 2022-08-17 | 基板测试装置及利用其的脱附力测量方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20230140544A1 (zh) |
JP (1) | JP7457765B2 (zh) |
KR (1) | KR20230061091A (zh) |
CN (1) | CN116053180A (zh) |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000234973A (ja) | 1999-02-16 | 2000-08-29 | Ngk Insulators Ltd | 双極型静電チャックの表面特性測定方法及び測定装置 |
JP2005012144A (ja) | 2003-06-23 | 2005-01-13 | Kyocera Corp | 静電チャック |
US7821767B2 (en) | 2004-11-04 | 2010-10-26 | Ulvac, Inc. | Electrostatic chuck device |
CN101872733B (zh) | 2009-04-24 | 2012-06-27 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 感测和移除被加工半导体工艺件的残余电荷的系统和方法 |
JP2010272709A (ja) | 2009-05-22 | 2010-12-02 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置,基板脱離方法,プログラム |
JP6681522B1 (ja) | 2018-09-13 | 2020-04-15 | 日本碍子株式会社 | ウエハ載置装置 |
-
2021
- 2021-10-28 KR KR1020210145982A patent/KR20230061091A/ko active IP Right Grant
-
2022
- 2022-08-17 CN CN202210984798.2A patent/CN116053180A/zh active Pending
- 2022-08-18 US US17/890,987 patent/US20230140544A1/en active Pending
- 2022-09-15 JP JP2022146787A patent/JP7457765B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2023066372A (ja) | 2023-05-15 |
US20230140544A1 (en) | 2023-05-04 |
JP7457765B2 (ja) | 2024-03-28 |
KR20230061091A (ko) | 2023-05-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4786693B2 (ja) | ウェハ接合装置およびウェハ接合方法 | |
KR100378187B1 (ko) | 정전척을 구비한 웨이퍼 지지대 및 이를 이용한 웨이퍼 디척킹 방법 | |
JP4547182B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP3911787B2 (ja) | 試料処理装置及び試料処理方法 | |
JP5492578B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP5646449B2 (ja) | 静電容量感知機能を有する静電チャック組立体及びその動作方法 | |
TWI479595B (zh) | 從靜電夾盤解箝制晶圓 | |
KR102332028B1 (ko) | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 | |
TWI829915B (zh) | 除電方法、基板處理方法及基板處理裝置 | |
JP2017123354A (ja) | 試料の離脱方法およびプラズマ処理装置 | |
US8416555B2 (en) | System for securely dechucking wafers | |
JPH1169855A (ja) | 静電チャックにおける被吸着物の離脱方法及び静電チャック | |
CN106816402B (zh) | 消除静电荷的方法及基片卸载方法 | |
US7995323B2 (en) | Method and apparatus for securely dechucking wafers | |
CN116053180A (zh) | 基板测试装置及利用其的脱附力测量方法 | |
JP2002313902A (ja) | 静電チャック、該静電チャックから基板を離脱する方法 | |
US8000081B2 (en) | Method and apparatus for safely dechucking wafers | |
JP2000200825A (ja) | 真空処理装置の基板取り外し制御方法および真空処理装置 | |
KR100319468B1 (ko) | 플라즈마 처리 방법 | |
JP2001257252A (ja) | 真空処理装置の基板取り外し制御方法及び真空処理装置 | |
KR100500471B1 (ko) | 반도체 설비용 정전 척의 디척킹 장치 | |
US20220102120A1 (en) | Operating method of etching device | |
KR20050121334A (ko) | 정전척을 구비한 웨이퍼 지지대와 정전척에서 웨이퍼를디척킹하는 방법 | |
JP5596082B2 (ja) | 基板吸着離脱方法及び基板処理方法 | |
KR20050106188A (ko) | 웨이퍼 척킹 및 디척킹 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination |