CN116031644A - 射频传输器及天线 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种射频传输器，属于射频技术领域。本公开实施例提供的射频传输器包括：介质基板，设置在介质基板的至少一侧的第一传输结构和第二传输结构；第一传输结构包括同层设置的第一传输电极和第一参考电极；第二传输结构包括同层设置的第二传输电极和第二参考电极；其中，第一传输电极和第二传输电极被配置为二者中的一者将所加载的射频信号传输给另一者。该射频传输器能够在实现隔直效果的同时具有较小的尺寸，从而不影响天线的尺寸。

Description

射频传输器及天线

技术领域

本发明属于射频技术领域，具体涉及一种射频传输器及天线。

背景技术

在天线的射频传输部分，由于用于射频传输的传输结构会被加载直流信号和射频信号，因此需要对传输结构进行隔离直流信号的处理。目前，通常采用将一个电容量较大的电容串接在传输结构上的方式，利用电容能够隔离直流信号且导通射频信号的特性，实现隔离直流信号的目的。但单独设置电容，电容所占空间较大，因此会增大天线的尺寸，且会增加天线的工艺复杂度。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种射频传输器，其能够在实现隔直效果的同时具有较小的尺寸，从而不影响天线的尺寸。

本公开实施例提供一种射频传输器，其中，其包括：介质基板，设置在所述介质基板的至少一侧的第一传输结构和第二传输结构；

所述第一传输结构包括同层设置的第一传输电极和第一参考电极；

所述第二传输结构包括同层设置的第二传输电极和第二参考电极；

其中，所述第一传输电极和所述第二传输电极被配置为二者中的一者将所加载的射频信号传输给另一者。

本公开实施例提供的射频传输器，由于第一传输电极和第二传输电极之间具有耦合效应，因此能够产生耦合电容，一方面射频信号能够通过耦合电容传输，另一方面耦合电容能够隔离直流信号，因此在无需单独设置隔直结构的基础下，能够实现射频信号的传输，从而若射频传输器应用到天线中，所占用的空间较小，进而避免增大天线的尺寸，并且能够简化制作工艺。

在一些示例中，其中，所述第一传输结构和所述第二传输结构同层设置；

所述第一传输电极在所述介质基板上的正投影，与所述第二传输电极在所述介质基板上的正投影无重叠；

所述第一传输电极在垂直于所述介质基板的平面上的正投影，与所述第二传输电极在垂直于所述介质基板的平面上的正投影至少部分重叠。

在一些示例中，其中，所述第一传输电极和所述第二传输电极相邻设置，所述第一参考电极设置在所述第一传输电极背离所述第二传输电极一侧，所述第二参考电极设置在所述第二传输电极背离所述第一传输电极一侧。

在一些示例中，其中，所述第一传输电极包括第一主体部、与所述第一主体部相连且向靠近所述第二传输电极的方向延伸的第一耦合部；所述第二传输电极包括第二主体部、与所述第二主体部相连且向靠近所述第一传输电极的方向延伸的的第二耦合部；

其中，所述第一耦合部和所述第二耦合部被配置为二者中的一者将所加载的射频信号传输给另一者。

在一些示例中，其中，所述第一耦合部和所述第二耦合部均采用叉指电极，且所述第一耦合部的多个叉指和所述第二耦合部的多个叉指交替且间隔设置。

在一些示例中，其中，还包括：第三参考电极，设置在所述介质基板背离所述第一传输结构和所述第二传输结构的一侧；

所述第一参考电极和所述第二参考电极在所述介质基板上的正投影，位于所述第三参考电极在所述介质基板上的正投影内。

在一些示例中，其中，所述第一传输结构和所述第二传输结构设置在所述介质基板的两相对侧；其中，所述第一传输电极和所述第二传输电极被配置为通过介质基板将二者中的一者所加载的射频信号传输给另一者。

在一些示例中，其中，所述第一传输电极在所述介质基板上的正投影，与所述第二传输电极在所述介质基板上的正投影至少部分重叠。

在一些示例中，其中，所述射频传输器包括耦合区域，所述耦合区域为所述第一传输电极和所述第二传输电极产生耦合效应的区域；

所述射频传输器还包括：直流泄放结构，所述直流泄放结构包括断开的第一子结构和第二子结构，所述第一子结构与所述第一参考电极连接，所述第二子结构与所述第二参考电极连接；

其中，所述第一子结构和所述第二子结构的至少部分设置在所述耦合区域。

在一些示例中，其中，所述第一传输结构和所述第二传输结构、所述直流泄放结构同层设置；

所述第一传输电极和所述第二传输电极相邻设置，所述第一参考电极设置在所述第一传输电极背离所述第二传输电极一侧，所述第二参考电极设置在所述第二传输电极背离所述第一传输电极一侧；

所述第一子结构和所述第二子结构设置在所述第一传输电极和所述第二传输电极之间，且所述第一子结构和所述第二子结构在所述介质基板上的正投影，与所述第一传输电极和所述第二传输电极在所述介质基板上的正投影无重叠。

在一些示例中，其中，所述第一参考电极为缺陷地结构，和/或，所述第二参考电极为缺陷地结构。

在一些示例中，其中，所述第一传输结构和所述第二传输结构的形状相同，且二者沿所述介质基板的长度方向对称设置。

第二方面，本公开实施例提供一种天线，其中，包括上述射频传输器。

附图说明

图1为本公开提供的射频传输器的一种示例性的结构示意图。

图2为沿图1的D-E方向剖切的剖面图之一。

图3为本公开提供的射频传输器的另一种示例性的结构示意图。

图4为本公开提供的射频传输器的第一传输电极和第二传输电极的一种示例性的结构示意图。

图5为沿图1的D-E方向剖切的剖面图之二。

图6为本公开提供的射频传输器的另一种示例性的结构示意图。

图7为沿图6的B-C方向剖切的剖面图之一。

图8为本公开提供的射频传输器的另一种示例性的结构示意图。

图9为本公开提供的射频传输器的另一种示例性的结构示意图。

图10为本公开提供的射频传输器的另一种示例性的结构示意图。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明作进一步地详细描述，显然，所描述的实施例仅是本发明的部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。

附图中各部件的形状和大小不反映真实比例，目的只是为了便于对本发明实施例的内容的理解。

除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”、“一”或者“该”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。

本公开实施例不限于附图中所示的实施例，而是包括基于制造工艺而形成的配置的修改。因此，附图中例示的区具有示意性属性，并且图中所示区的形状例示了元件的区的具体形状，但并不是旨在限制性的。

在天线的射频传输部分，由于射频传输的传输结构(例如第一传输结构和第二传输结构)会被加载直流信号和射频信号，因此需要对传输结构进行隔离直流信号的处理，以保证射频信号不被干扰。在相关技术中，通常采用将一个电容量较大的电容串接在传输结构上的方式，利用电容能够隔离直流信号且导通射频信号的特性实现隔离直流信号的目的。但单独设置电容，电容所占的空间较大，会增大天线的尺寸，且会增加天线的工艺复杂度。

为了解决上述问题，本公开实施例提供一种射频传输器，其能够在实现隔直效果的同时具有较小的尺寸，从而不影响天线的尺寸，且能够简化天线的制作工艺。

第一方面，参见图1，本公开实施例提供一种射频传输器，该射频传输器包括：介质基板3、第一传输结构1和第二传输结构2。

具体地，第一传输结构1和第二传输结构2设置在介质基板3的至少一侧，换言之，第一传输结构1和第二传输结构2可以设置在介质基板3的两相对侧，也可以设置在介质基板3的同一侧。其中，第一传输结构1包括同层设置的第一传输电极11和第一参考电极12，第二传输结构2包括同层设置的第二传输电极21和第二参考电极22。

进一步地，以第一传输结构1和第二传输结构2采用共面波导结构(CoplanarWaveguide，CPW)为例，第一传输电极11和第一参考电极12上分别被加载直流偏置信号，使得第一传输电极11和第一参考电极12形成第一个CPW结构，第二传输电极21和第二参考电极22上也分别被加载直流偏置信号，使得第二传输电极21和第二参考电极22形成第二个CPW结构。并且，第一传输电极11和第二传输电极21中一者作为接收端接收外部输入的射频信号，并将接收到的射频信号传输给另一者，另一者作为输出端向外部输出射频信号，其中，第一传输电极11和第二传输电极21被配置为通过耦合效应将作为接收端的一者所加载的射频信号(即外部输入的射频信号)传输给作为输出端的另一者。由于第一传输电极11和第二传输电极21之间具有耦合效应，因此第一传输电极11和第二传输电极21之间能够产生耦合电容，一方面射频信号能够通过耦合电容由第一传输电极11和第二传输电极21中的一者传输给另一者，另一方面耦合电容能够隔离直流信号(例如上述直流偏置信号)，因此在无需单独设置隔直结构(例如大容量电容)的基础下，本实施例提供的射频传输器能够实现射频信号的传输，从而若本实施例提供的射频传输器应用到天线中，所占用的空间较小，进而避免增大天线的尺寸，并且由于无需单独设置隔直结构，因此能够简化天线的制作工艺。

进一步地，第一传输电极11、第二传输电极21、第一参考电极12、第二参考电极22均可以沿第一方向X延伸。第一传输电极11的两端分别为第一传输端P1和第二传输端P2，第二传输电极21的两端分别为第三传输端P3和第四传输端P4，其中，第一传输端P1和第三传输端P3向介质基板3的边缘延伸，第一传输端P1和第三传输端P3中的一者接收外部输入的射频信号，另一者输出射频信号；第一传输电极11的第二传输端P2向靠近第二传输电极21的第四传输端P4的方向延伸，第二传输端P2和第四传输端P4紧邻设置，第二传输端P2和第四传输端P4之间的间距可以按照二者能够产生耦合效应的范围来设置，从而第一传输电极11和第二传输电极21上的射频信号能够通过第二传输端P2和第四传输端P4之间的耦合效应进行耦合传输，且由于第二传输端P2和第四传输端P4之间通过耦合效应能够形成耦合电容，因此能够直接使用该耦合电容的隔直通交特性实现射频传输器的隔直处理，而无需额外设置电容。

需要说明的是，第一方向X为介质基板3的长度方向，第二方向Y与第一方向X相交，在一些示例中，第二方向Y可以垂直于第一方向X。

需要说明的是，第一传输电极11的第二传输端P2和第二传输电极21的第四传输端P4的间距，可以定义为在第二方向Y上，第二传输端P2和第四传输端P4之间的距离。

在一些示例中，参见图1和图2，第一传输结构1和第二传输结构2同层设置，也就是说，第一传输电极11、第二传输电极21、第一参考电极12和第二参考电极22同层设置。第一传输电极11和第二传输电极21间隔设置，换言之，第一传输电极11在介质基板3上的正投影，与第二传输电极21在介质基板3上的正投影无重叠。第一传输电极11在垂直于介质基板3的平面上的正投影，与第二传输电极21在垂直于介质基板3的平面上的正投影至少部分重叠，从而二者可以通过在垂直于介质基板3的平面上相重叠的部分产生耦合效应。

在一些示例中，第一传输电极11、第二传输电极21、第一参考电极12和第二参考电极22可以采用多种方式排布在介质基板3上，例如，继续参见图1，第一传输电极11和第二传输电极21相邻且间隔设置，第一参考电极12设置在第一传输电极11背离第二传输电极21一侧，第二参考电极22设置在第二传输电极21背离第一传输电极11一侧。进一步地，第一传输电极11、第二传输电极21、第一参考电极12和第二参考电极22在介质基板3上的正投影互不重叠。

在一些示例中，第一传输电极11、第二传输电极21、第一参考电极12和第二参考电极22的形状也可以为多种形状，例如，第一传输结构1可以为一个矩形电极，矩形电极上具有一缺口部，以将第一传输结构1断开为第一传输电极11和第一参考电极12；同理，第二传输结构2可以为一个矩形电极，矩形电极上具有一缺口部，以将第二传输结构2断开为第二传输电极21和第二参考电极22。

在一些示例中，参见图3，第一传输电极11包括第一主体部11a、与第一主体部11a相连且向靠近第二传输电极21的方向延伸的第一耦合部11b，具体地，第一耦合部11b可以为设置在第一传输电极11的第二传输端P2处且向靠近第二传输电极21的方向延伸的突出部。相应地，第二传输电极21包括第二主体部21a、与第二主体部21a相连且向靠近第一传输电极11的方向延伸的的第二耦合部21b，具体地，第二耦合部21b可以为设置在第二传输电极21的第四传输端P4处且向靠近第一传输电极11的方向延伸的突出部。第一耦合部11b和第二耦合部21b紧邻设置，第一耦合部11b和第二耦合部21b之间的间距可以按照二者能够产生耦合效应的范围来设置，从而第一传输电极11和第二传输电极21上的射频信号能够通过第一耦合部11b和第二耦合部21b之间的耦合效应进行耦合传输，且由于第一耦合部11b和第二耦合部21b之间通过耦合效应能够形成耦合电容，因此能够直接使用该耦合电容的隔直通交特性实现射频传输器的隔直处理，而无需额外设置电容。通过在第一主体部11a上设置第一耦合部11b，在第二主体部21a上设置第二耦合部21b的方式，能够更加精准地控制第一传输电极11和第二传输电极21上产生耦合效应的耦合区域A1，而无需将第一传输电极11的整体和第二传输电极21的整体紧邻设置。

在一些示例中，第一传输电极11包括第一主体部11a、与第一主体部11a相连且向靠近第二传输电极21的方向延伸的第一耦合部11b，第二传输电极21包括第二主体部21a、与第二主体部21a相连且向靠近第一传输电极11的方向延伸的的第二耦合部21b，其中，第一耦合部11b和第二耦合部21b均可以采用多种形状的电极，例如矩形电极、叉指电极、三角形电极等，参见图4，为了便于说明，图4中仅示出第一传输电极1111和第二传输电极2121，以第一耦合部11b和第二耦合部21b均采用叉指电极为例，第一耦合部11b具有多个叉指(例如图中11b1所表示的叉指)，第二耦合部21b具有多个叉指(例如图中21b1所表示的叉指)，第一耦合部11b的多个叉指沿第一方向X间隔设置在第一传输电极11上，第二耦合部21b的多个叉指沿第一方向X间隔设置在第二传输电极21上，并且，第一耦合部11b的多个叉指和第二耦合部21b的多个叉指交替且间隔设置，并且，从而第一耦合部11b的多个叉指和第二耦合部21b的多个叉指之间能够产生较强的耦合效应，并形成多个串联的耦合电容。第一耦合部11b的多个叉指和第二耦合部21b的多个叉指所分布的区域限定出耦合区域A1。

在一些示例中，本实施例的第一传输结构1和第二传输结构2还可以采用接地共面波导结构(GCPW)，具体地，参见图5，图5示出在设置第三参考电极4的实施例中，沿图1的D-E方向剖切的射频传输器的剖面图，射频传输器还可以包括第三参考电极4，第三参考电极4设置在介质基板3背离第一传输结构1和第二传输结构2的一侧，第一参考电极12和第二参考电极22在介质基板3上的正投影，位于第三参考电极4在介质基板3上的正投影内。第三参考电极4可以与第一参考电极12、第二参考电极22电连接，从而可以作为参考电极的延伸面，将参考电极延伸至介质基板3的背侧，一方面能够增大射频传输器整体的结构强度，另一方面能够具有更好的散热性。

在一些示例中，第三参考电极4可以采用多种方式与第一参考电极12、第二参考电极22电连接，例如，第一参考电极12延伸至介质基板3的边缘的部分，与第三参考电极4延伸至介质基板3的边缘的部分直接通过介质基板3在厚度方向上的侧面电连接，同理，第二参考电极22延伸至介质基板3的边缘的部分，与第三参考电极4延伸至介质基板3的边缘的部分直接通过介质基板3在厚度方向上的侧面电连接。又例如，可以在介质基板3上打孔，孔内设置导电连接部，导电连接部的一端连接第一参考电极12和/或第二参考电极22，另一端连接第三参考电极4。

在一些示例中，参见图6-图8，第一传输结构1和第二传输结构2还可以设置在介质基板3的两相对侧，换言之，第一传输电极11和第一参考电极12同层设置且设置在介质基板3的一侧，第二传输电极21和第二参考电极22同层设置且设置在介质基板3背离第一传输电极11和第一参考电极12的一侧，在这种情况下，第一传输电极11和第二传输电极21被配置为通过介质基板3所产生的耦合效应将二者中的一者所加载的射频信号传输给另一者，换言之，第一传输电极11和第二传输电极21通过介质基板3的耦合作用，将一者接收端射频信号传输给另一者，并且，由于在介质基板3的一侧只需排布第一传输结构1和第二传输结构2中的一者，所以能够减少平面方向上的尺寸。

在一些示例中，继续参见图6，图6中虚线框A2示出设置在介质基板3背离第一传输电极11的一侧的第二传输电极21的第二参考电极22在介质基板3上的正投影的位置区域，虚线框A3示出第二传输电极21在介质基板3上的正投影的位置区域。第一传输电极11在介质基板3上的正投影，与第二传输电极21在介质基板3上的正投影至少部分重叠，从而第一传输电极11和第二传输电极21在垂直于介质基板3的方向上的正投影相重叠的部分会形成耦合电容，从而通过该耦合电容达到隔直通交的效果。

在一些示例中，,第一传输电极11、第二传输电极21、第一参考电极12和第二参考电极22的形状和排布方式可以具有多种方式，例如，参见图6，第一传输结构1可以为一个矩形电极，矩形电极上具有一缺口部，以将第一传输结构1断开为第一传输电极11和第一参考电极12；同理，第二传输结构2可以为一个矩形电极，矩形电极上具有一缺口部，以将第二传输结构2断开为第二传输电极21和第二参考电极22，第一传输电极11和第二传输电极21在介质基板3上的正投影，位于第一参考电极12和第二参考电极22的同侧。又例如，参见图8，第一传输电极11和第一参考电极12均为沿第一方向X延伸的线状电极，第二传输电极21和第二参考电极22均为沿第一方向X延伸的线状电极，其中，第一参考电极12和第一传输电极11间隔且相邻设置，第二传输电极21和第二参考电极22间隔且相邻设置，第一传输电极11和第二传输电极21在介质基板3上的正投影相重叠，第一参考电极12和第二参考电极22在介质基板3上的正投影相重叠。

在一些示例中，参见图9，射频传输器包括耦合区域A1，耦合区域A1可以定义为第一传输电极11和第二传输电极21产生耦合效应的区域，例如，可以为上述第一耦合部11b和第二耦合部21b分布的区域。在耦合区域A1中，第一传输电极11和第二传输电极21之间通过耦合效应形成耦合电容，但耦合电容存在一定耐受限度，在射频传输器的工作过程中，可能由于加载至第一传输电极11或第二传输电极21上的突变电压等问题导致耦合电容被击穿，从而耦合区域中的介质(例如空气介质)变为导体，使第一传输电极11和第二传输电极21短接，将突变电压外泄至射频传输器外部的其他电路，导致其他电路被损坏。为了解决上述问题，本实施例提供的射频传输器还可以包括直流泄放结构5，直流泄放结构5包括断开的第一子结构51和第二子结构52，第一子结构51与第一参考电极12连接，第二子结构52与第二参考电极22连接。其中，第一子结构51和第二子结构52的至少部分设置在耦合区域，第一子结构51和第二子结构52被配置为在耦合区域A1的介质变为导体时电连接，也就是说，在耦合电容被击穿时，瞬时电流会将耦合区域A1的介质变为导体，导体能够使第一子结构51和第二子结构52电连接，从而瞬时电流能够通过第一子结构51和第二子结构52流向第一参考电极12和第二参考电极22，通过参考端泄放出去，进而能够避免瞬时电流外泄到射频传输器外的其他电路，导致其他电路被损坏。

在一些示例中，其中，第一传输结构1和第二传输结构2、直流泄放结构5同层设置，换言之，直流泄放结构5的第一子结构51和第二子结构52，与第一参考电极12和第二参考电极22同层设置。第一子结构51能够通过焊接等方式与第一参考电极12连接，也可以与第一参考电极12一体成型，同理，第二子结构52能够通过焊接等方式与第二参考电极22连接，也可以与第二参考电极22一体成型，在此不做限制。

在一些示例中，第一子结构51和第二子结构52的形状可以采用多种现状，例如可以为线状电极，第一子结构51的一端连接在第一参考电极12上，另一端延伸进入耦合区域，第二子结构52的一端连接在第二参考电极22上，另一端延伸进入耦合区域。

在一些示例中，第一传输电极11、第二传输电极21、第一参考电极12、第二参考电极22、第一子结构51和第二子结构52可以采用多种方式排布，例如，参见图9，第一传输电极11和第二传输电极21相邻且间隔设置，第一参考电极12设置在第一传输电极11背离第二传输电极21一侧，第二参考电极22设置在第二传输电极21背离第一传输电极11一侧，第一子结构51和第二子结构52设置在第一传输电极11和第二传输电极21之间，且设置在耦合区域A1，第一子结构51和第二子结构52在介质基板3上的正投影，与第一传输电极11和第二传输电极21在介质基板3上的正投影无重叠。

在一些示例中，参见图10，第一参考电极12为缺陷地结构(defected groundstructure,DGS)，第二参考电极22也可以为DGS结构，通过采用DGS结构作为第一参考电极12和/或第二参考电极22，能够改变CPW结构的分布电感和分布电容，获得带阻特性和慢波特性，从而能够扩展能够传输的射频信号的带宽。具体地，可以在片状的第一参考电极12(或第二参考电极22)上设置周期性或非周期性的缺口部或镂空图案，使第一参考电极12(或第二参考电极22)形成DGS结构，具体地，缺口部或镂空图案的形状和排布方式可以具有多种形式，在此不做限定。参见图10，第一参考电极12靠近第一传输电极11的第二传输端P2的位置设置有第一缺口部S1，第一缺口部S1可以为矩形；相应地，第二参考电极22靠近第二传输电极21的第四传输端P4的位置设置有第二缺口部S2，第二缺口部S2可以为矩形。

在一些示例中，第一传输结构1和第二传输结构2的形状相同，换言之，第一传输电极11与第二传输电极21的形状相同，第一参考电极12和第二参考电极22的形状相同，且第一传输结构1和第二传输结构2沿介质基板3的长度方向(即第一方向X)对称设置，从而能够简化制作第一传输结构1和第二传输结构2的复杂度。

在一些示例中，介质基板3的材料可以包括玻璃、聚对苯二甲酸乙二醇酯(polyethylene glycol terephthalate，PET)和聚酰亚胺(Polyimide，PI)中的至少一种，在此不做限定。

在一些示例中，第一传输结构1、第二传输结构2、第三参考电极4、直流泄放结构5的任一者的材料可以包括铜、铝、金、银中的至少一种，在此不做限定。

第二方面，本公开实施例提供一种天线，其中，包括上述射频传输器。

在一些示例中，天线还可以包括前置馈电结构、移相器、辐射结构等，前置馈电电路向移相器馈入射频信号，射频信号经过移相器的移相后，通过第一传输电极11和第二传输电极21中的一者馈入射频传输器，第一传输电极11和第二传输电极21中的另一者将射频信号馈向辐射单元，辐射单元将射频信号辐射出去。

可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (13)

1.一种射频传输器，包括：介质基板，设置在所述介质基板的至少一侧的第一传输结构和第二传输结构；

所述第一传输结构包括同层设置的第一传输电极和第一参考电极；

所述第二传输结构包括同层设置的第二传输电极和第二参考电极；

其中，所述第一传输电极和所述第二传输电极被配置为二者中的一者将所加载的射频信号传输给另一者。

2.根据权利要求1所述的射频传输器，其中，所述第一传输结构和所述第二传输结构同层设置；

所述第一传输电极在所述介质基板上的正投影，与所述第二传输电极在所述介质基板上的正投影无重叠；

所述第一传输电极在垂直于所述介质基板的平面上的正投影，与所述第二传输电极在垂直于所述介质基板的平面上的正投影至少部分重叠。

3.根据权利要求2所述的射频传输器，其中，所述第一传输电极和所述第二传输电极相邻设置，所述第一参考电极设置在所述第一传输电极背离所述第二传输电极一侧，所述第二参考电极设置在所述第二传输电极背离所述第一传输电极一侧。

4.根据权利要求3所述的射频传输器，其中，所述第一传输电极包括第一主体部、与所述第一主体部相连且向靠近所述第二传输电极的方向延伸的第一耦合部；所述第二传输电极包括第二主体部、与所述第二主体部相连且向靠近所述第一传输电极的方向延伸的的第二耦合部；

其中，所述第一耦合部和所述第二耦合部被配置为二者中的一者将所加载的射频信号传输给另一者。

5.根据权利要求4所述的射频传输器，其中，所述第一耦合部和所述第二耦合部均采用叉指电极，且所述第一耦合部的多个叉指和所述第二耦合部的多个叉指交替且间隔设置。

6.根据权利要求2所述的射频传输器，其中，还包括：第三参考电极，设置在所述介质基板背离所述第一传输结构和所述第二传输结构的一侧；

所述第一参考电极和所述第二参考电极在所述介质基板上的正投影，位于所述第三参考电极在所述介质基板上的正投影内。

7.根据权利要求1所述的射频传输器，其中，所述第一传输结构和所述第二传输结构设置在所述介质基板的两相对侧；其中，所述第一传输电极和所述第二传输电极被配置为通过介质基板将二者中的一者所加载的射频信号传输给另一者。

8.根据权利要求7所述的射频传输器，其中，所述第一传输电极在所述介质基板上的正投影，与所述第二传输电极在所述介质基板上的正投影至少部分重叠。

9.根据权利要求1-8任一所述的射频传输器，其中，所述射频传输器包括耦合区域，所述耦合区域为所述第一传输电极和所述第二传输电极产生耦合效应的区域；

所述射频传输器还包括：直流泄放结构，所述直流泄放结构包括断开的第一子结构和第二子结构，所述第一子结构与所述第一参考电极连接，所述第二子结构与所述第二参考电极连接；

其中，所述第一子结构和所述第二子结构的至少部分设置在所述耦合区域。

10.根据权利要求9所述的射频传输器，其中，所述第一传输结构和所述第二传输结构、所述直流泄放结构同层设置；

所述第一传输电极和所述第二传输电极相邻设置，所述第一参考电极设置在所述第一传输电极背离所述第二传输电极一侧，所述第二参考电极设置在所述第二传输电极背离所述第一传输电极一侧；

所述第一子结构和所述第二子结构设置在所述第一传输电极和所述第二传输电极之间，且所述第一子结构和所述第二子结构在所述介质基板上的正投影，与所述第一传输电极和所述第二传输电极在所述介质基板上的正投影无重叠。

11.根据权利要求1-8任一所述的射频传输器，其中，所述第一参考电极为缺陷地结构，和/或，所述第二参考电极为缺陷地结构。

12.根据权利要求1-8任一所述的射频传输器，其中，所述第一传输结构和所述第二传输结构的形状相同，且二者沿所述介质基板的长度方向对称设置。

13.一种天线，其中，包括权利要求1-12任一所述的射频传输器。

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