CN116009156A - 一种电光调制器、光模块以及光发送设备 - Google Patents

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CN116009156A CN202111229067.9A CN202111229067A CN116009156A CN 116009156 A CN116009156 A CN 116009156A CN 202111229067 A CN202111229067 A CN 202111229067A CN 116009156 A CN116009156 A CN 116009156A
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桂成程
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Abstract

本发明实施例公开了一种电光调制器、光模块以及光发送设备，在保持高调制带宽的同时，能够降低对光信号调制的过程中的光损耗以及提高调制效率。本发明实施例所示的电光调制器包括位于基板表面的第一电极和第二电极，所述电光调制器还包括传输光波导，所述第一电极和所述第二电极之间的电场用于调制所述传输光波导所传输的光信号；所述第一电极包括第一导电层和第二导电层，所述第二导电层位于所述基板和所述第一导电层之间，所述第一导电层的电导率大于所述第二导电层的电导率，所述第一导电层的光吸收系数大于所述第二导电层的光吸收系数。

Description

一种电光调制器、光模块以及光发送设备
技术领域
本申请涉及光通信技术领域，尤其涉及一种电光调制器、光模块以及光发送设备。
背景技术
光通信技术是当前互联网世界的重要承载技术，同时也是信息时代的核心技术之一。在光通信技术中，电光调制器是光互连、光计算和光通信系统的关键器件之一。
现有的电光调制器包括基板，位于基板表面的信号电极和接地电极，以及位于相邻的信号电极和接地电极之间的传输光波导。信号电极所传输的电信号会在信号电极和接地电极之间产生电场。该电场的变化能够调制传输光波导所传输的光信号。
以信号电极为例，信号电极由金属制成，因金属对光信号的吸收作用，信号电极和传输光波导之间的距离越近，会带来越大的光损耗。为降低光损耗，需要提高信号电极和传输光波导之间的距离。但是，信号电极和传输光波导之间距离越大，调制效率越低。
发明内容
本发明实施例提供了一种电光调制器、光模块以及光发送设备，其能够在保持高调制带宽的同时，降低光损耗以及提高调制效率。
本发明实施例第一方面提供了一种电光调制器。所述电光调制器包括位于基板表面的第一电极和第二电极，以及传输光波导。其中，所述第一电极和所述第二电极之间的电场用于调制所述传输光波导所传输的光信号。所述第一电极包括第一导电层和第二导电层，所述第二导电层位于所述基板和所述第一导电层之间。所述第一导电层的电导率大于所述第二导电层的电导率。所述第一导电层的光吸收系数大于所述第二导电层的光吸收系数。其中，第一电极可为信号电极或接地电极。
所述第一导电层的光吸收系数大于所述第二导电层的光吸收系数，因此所述第二导电层会带来较小的光损耗，进而能够拉近第一电极和传输光波导的间距。因第一电极更能够靠近传输光波导，那么电场能够更强烈的作用在传输光波导上，从而有效地提高了调制效率。而且所述第一导电层的电导率大于所述第二导电层的电导率，具有较高电导率的第一导电层的导电性能较高，会降低微波损耗，从而提高调制带宽。可知电导率较高的第一导电层能够补偿电导率较低的第二导电层所损失的微波损耗。因拉近了第一电极和传输光波导的间距，可有效地降低了电光调制器的尺寸，提高了电光调制器的集成度。
基于第一方面，一种可选地实现方式中，所述第二电极包括第三导电层和第四导电层。所述第四导电层位于所述基板和所述第三导电层之间。所述第三导电层的电导率大于所述第四导电层的电导率。所述第三导电层的光吸收系数大于所述第四导电层的光吸收系数。一种情况下，第一电极为信号电极，第二电极为接地电极。另一种情况下，所述第一电极为接地电极，所述第二电极为信号电极。
可见，本方面所示的第一电极和第二电极均能够带来较小的光损耗，更有效地提高调制效率。而且有效地降低了电光调制器的尺寸，提高了电光调制器的集成度。
基于第一方面，一种可选地实现方式中，所述第一导电层面向所述第三导电层的侧面凸设多个第一上层凸部。任意位置相邻的两个所述第一上层凸部之间形成第一上层凹部。所述第三导电层面向所述第一导电层的侧面凸设多个第二上层凸部。任意位置相邻的两个所述第二上层凸部之间形成第二上层凹部。每个所述第一上层凸部与一个所述第二上层凹部位置相对，每个所述第二上层凸部与一个所述第一上层凹部位置相对。
可见，因第一上层凸部和第二上层凸部位置相错，那么能够有效地提高第一导电层和第三导电层之间的间距。有效地降低了第一电极和第二电极之间的寄生电容。
基于第一方面，一种可选地实现方式中，所述第二导电层面向所述第四导电层的侧面凸设多个第一下层凸部。任意位置相邻的两个所述第一下层凸部之间形成第一下层凹部。所述第四导电层面向所述第二导电层的侧面凸设多个第二下层凸部。任意位置相邻的两个所述第二下层凸部之间形成第二下层凹部。每个所述第一下层凸部与一个所述第二下层凹部位置相对，每个所述第二下层凸部与一个所述第一下层凹部位置相对。
可见，因第一下层凸部和第二下层凸部位置相错，那么能够有效地提高第三导电层和第四导电层之间的间距。有效地降低了第一电极和第二电极之间的寄生电容。
基于第一方面，一种可选地实现方式中，所述第一导电层所包括的每个所述第一上层凸部和所述第二导电层所包括的一个所述第一下层凸部，在所述基板上的投影位置重合。
可见，第一上层凸部和第一下层凸部在所述基板上的投影位置重合，那么有效地降低第一电极和第二电极之间的寄生电容，还能够降低制成电光调制器的难度。
基于第一方面，一种可选地实现方式中，所述第三导电层所包括的每个所述第二上层凸部和所述第四导电层所包括的一个所述第二下层凸部，在所述基板上的投影位置重合。
可见，第二上层凸部和第二下层凸部在所述基板上的投影位置重合，那么有效地降低第一电极和第二电极之间的寄生电容，还能够降低制成电光调制器的难度。
基于第一方面，一种可选地实现方式中，所述第一电极包括多个上层结构周期。每个所述上层结构周期包括位置相邻的至少一个所述第一上层凸部以及至少一个所述第一上层凹部。不同的所述上层结构周期的结构相同。沿所述第一电极的延伸方向，一个单位长度内所述第一电极所包括的所述上层结构周期的数量和所述电光调制器的调制带宽呈正相关关系。
可见，同一单位长度内，包括数量越多的上层结构周期，说明该电光调制器的第一电极的结构越连续。该第一电极所带来的微波损耗越低，进而使得该电光调制器的调制带宽越大。同样地，同一单位长度内，包括数量越少的上层结构周期，说明该电光调制器的第一电极的结构越松散。该第一电极所带来的微波损耗越高，进而使得该电光调制器的调制带宽越小。
基于第一方面，一种可选地实现方式中，所述第一电极包括多个下层结构周期。每个所述下层结构周期包括位置相邻的至少一个所述第一下层凸部以及至少一个所述第一下层凹部。不同的所述下层结构周期的结构相同。沿所述第一电极的延伸方向，一个单位长度内所述第一电极所包括的所述下层结构周期的数量和所述电光调制器的调制带宽呈正相关关系。
可见，同一单位长度内，包括数量越多的下层结构周期，说明该电光调制器的第二电极的结构越连续。该第二电极所带来的微波损耗越低，进而使得该电光调制器的调制带宽越大。同样地，同一单位长度内，包括数量越少的下层结构周期，说明该电光调制器的第二电极的结构越松散。该第二电极所带来的微波损耗越高，进而使得该电光调制器的调制带宽越小。
基于第一方面，一种可选地实现方式中，所述电光调制器还包括电场约束层。所述电场约束层位于所述传输光波导和所述第一电极之间。或，所述电场约束层位于所述传输光波导和所述第二电极之间。或，所述电场约束层位于所述传输光波导和所述第一电极之间，且所述电场约束层还位于所述传输光波导和所述第二电极之间。所述电场约束层用于使得所述电场分布在所述传输光波导上。
可见，电场约束层能够使得第一电极和第二电极之间的电场主要分布在所述传输光波导上，从而增强了电场和传输光波导所传输的光信号的光场之间的相互作用，以提高调制效率。而且因电场约束层由绝缘的材料制成，从而使得电场约束层不具有导电性能，不会带来微波损耗。可知，电光调制器包括电场约束层，不会降低调制带宽。
基于第一方面，一种可选地实现方式中，所述传输光波导位于所述基板表面。所述电场约束层具有位置相背的第一侧面和第二侧面。所述第一侧面与所述第一电极位置相邻。或，所述第一侧面与所述第二电极位置相邻。所述第二侧面与所述传输光波导位置相邻。
基于第一方面，一种可选地实现方式中，所述电场约束层延伸到以下所示的至少一个位置处：所述第一电极所包括的第一上层凸部，所述第一电极所包括的第一上层凹部，所述第一电极所包括的第一下层凸部，所述第一电极所包括的第一下层凹部，所述第二电极所包括的第二上层凸部，所述第二电极所包括的第二上层凹部，所述第二电极所包括的第二下层凸部，或所述第二电极所包括的第二下层凹部。
基于第一方面，一种可选地实现方式中，所述传输光波导和所述第一电极位于所述基板的两侧，和/或，所述传输光波导和所述第二电极位于所述基板的两侧。所述基板还包括电场约束层，所述电场约束层位于所述传输光波导和所述第一电极之间，和/或，所述电场约束层位于所述传输光波导和所述第二电极之间。所述电场约束层用于使得所述电场主要分布在所述传输光波导上。
基于第一方面，一种可选地实现方式中，所述电场约束层由高介电常数且绝缘的材料制成。所述电场约束层的材料折射率小于所述传输光波导的材料折射率。
可见，因所述电场约束层的材料折射率小于所述传输光波导的材料折射率，那么，电场约束层能够将电场分布于所述传输光波导上，以提高调制效率。而且因电场约束层由高介电常数且绝缘的材料制成，从而使得电场约束层不会带来微波损耗。
基于第一方面，一种可选地实现方式中，所述第一导电层面向所述基板的侧面包括第一区域和第二区域。所述第一区域与所述第二导电层接触。所述第二区域与所述基板接触。
基于第一方面，一种可选地实现方式中，所述第三导电层面向所述基板的侧面包括第三区域和第四区域。所述第三区域与所述第四导电层接触。所述第四区域与所述基板接触。
本发明实施例第二方面提供了一种光模块。所述光模块包括光源以及上述第一方面任一项所述的电光调制器。所述光源与所述传输光波导连接。所述光源用于向所述传输光波导发送光信号。
本发明实施例第三方面提供了一种光发送设备。所述光发送设备包括处理器以及如上述第二方面所示的光模块。所述处理器与信号电极连接。所述信号电极为所述第一电极或所述第二电极。所述处理器用于向所述信号电极发送电信号。所述电信号用于调制所述传输光波导所传输的光信号。
附图说明
图1为本申请所提供的光通信系统的一种结构示例图；
图2a为本申请实施例所提供的光发送设备的一种结构示例图；
图2b为本申请实施例所提供的电光调制器的第一种剖面结构示例图；
图2c为本申请实施例所提供的电光调制器的第一种俯视结构示例图；
图3a为本申请实施例所提供的电光调制器的第二种剖面结构示例图；
图3b为本申请实施例所提供的电光调制器的第二种俯视结构示例图；
图4a为本申请实施例所提供的电光调制器的一种整体结构示例图；
图4b为本申请实施例所提供的电光调制器的第三种俯视结构示例图；
图5为本申请实施例所提供的电光调制器的第四种俯视结构示例图；
图6a为本申请实施例所提供的电光调制器的第三种剖面结构示例图；
图6b为本申请实施例所提供的电光调制器的第五种俯视结构示例图；
图7a为本申请实施例所提供的电光调制器的第六种俯视结构示例图；
图7b为本申请实施例所提供的电光调制器的第七种俯视结构示例图；
图8为本申请实施例所提供的电光调制器的第四种剖面结构示例图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本申请提供了一种电光调制器，该电光调制器能够降低光损耗的情况下，还能够提高调制效率。为更好地理解，以下结合图1所示对本申请所提供的电光调制器所应用的光通信系统的结构进行说明。
图1为本申请所提供的光通信系统的一种结构示例图。如图1所示，光通信系统100包括光发送设备110以及光接收设备120。本申请对光发送设备110所连接的光接收设备120的具体数量不做限定。本申请所示的光发送设备110也可称之为发送机，发送端或发送端设备等。该光接收设备120也可称之为接收机，接收端或接收端设备等。
本申请以光通信系统100应用至光纤接入网，且具体应用在无源光纤网络(passive optical network，PON)中为例进行说明。可知，在下行业务光信号的传输方向，光发送设备110为光线路终端(optical line terminal，OLT)，而光接收设备120为光网络单元(optical network unit，ONU)。在上行业务光信号的传输方向，光发送设备110为ONU，而光接收设备120为OLT。
本申请对光通信系统所应用的网络具体类型不做限定。例如，在其他示例中，还可应用至数据中心网络，波分复用网络，或光传送网(optical transport network，OTN)等。若应用至OTN，则光发送设备110和光接收设备120可均为OTN设备。
图2a为本申请实施例所提供的光发送设备的一种结构示例图。如图2a所示，该光发送设备110具体包括光模块201以及处理器202。其中，光模块201包括光源203以及电光调制器210。该电光调制器可为马赫-曾德尔干涉仪(mach–zehnder interferometer，MZI)或微环调制器。
图2b为本申请实施例所提供的电光调制器的第一种剖面结构示例图。图2c为本申请实施例所提供的电光调制器的第一种俯视结构示例图。其中，图2b为沿图2c的横截线200剖切开电光调制器所得到的剖面图。
本实施例所示的电光调制器包括基板。该基板可包括两层，最下面的为衬底211以及位于衬底211表面的光波导层212。其中，衬底211可包括硅(silicon，Si)，该衬底211还包括在硅表面沉积的二氧化硅(silicon dioxide，SiO2)。本实施例对衬底211的材质不做限定，只要该衬底211结构稳定且具有较少的光学吸收性能即可。例如，该衬底211还可由硼化锆(zirconiumboride，ZrB2)，砷化镓(gallium arsenide，GaAs)，玻璃，氧化镁等材质制成。该光波导层212能够形成位于信号电极和接地电极之间的传输光波导。本实施例所示的用于形成光波导层212的光电材料可为铌酸锂(lithium niobate，LiNbO3)。
本实施例所示的电光调制器包括位于光波导层212表面的信号电极213，以及位于信号电极213两侧的接地电极214和接地电极215。本实施例对电光调制器210所包括的信号电极以及接地电极的数量的说明为一种可选地示例，不做限定，只要电光调制器210包括至少一个信号电极以及至少一个接地电极即可。
该电光调制器210还包括传输光波导216以及传输光波导217。其中，传输光波导216位于接地电极214和信号电极213之间。传输光波导217位于信号电极213和接地电极215之间。该信号电极213与处理器202连接。接地电极214和接地电极215接地。
以传输光波导216为例，在对电光调制器制成的过程中，可对光波导层212进行刻蚀处理以形成该传输光波导216。其中，在垂直于基板表面的方向，该传输光波导216由光波导层212沿远离该基板表面的方向延伸以形成。可知，该传输光波导216从光波导层212的表面突出以形成。
可选地，在其他示例中，电光调制器所包括的基板可仅包括衬底。在衬底的表面且在信号电极和接地电极之间形成传输光波导。此示例的传输光波导的光电材料可为如下所示的一种或多种：单晶硅(silicon,Si)，无定形硅(amorphous silicon，a-Si)，氮化硅(silicon nitride,SiN)波导，氮化铝(aluminum nitride，AlN)，氧化钛(titanium oxide，TiO2)，或氧化钽(tantalum pentoxide，Ta2O3等。
光源203分别与传输光波导216以及传输光波导217连接。光源203用于分别向传输光波导216以及传输光波导217发送待调制的光信号。本实施例对光源203的具体类型不做限定，例如，该光源203可为激光器，半导体发光二极管(light-emitting diode，LED)，或激光二极管(laser diode，LD)等。处理器202与信号电极213连接，处理器202用于向信号电极213发送电信号。该电信号用于调制传输光波导216以及传输光波导217所传输的光信号。本实施例对处理器202的类型不做限定，例如，本实施例所示的处理器202可为一个或多个芯片，或一个或多个集成电路。例如，处理器202可以是一个或多个现场可编程门阵列(field-programmable gate array，FPGA)，专用集成芯片(application specific integratedcircuit，ASIC)，系统芯片(system on chip，SoC)，中央处理器(central processor unit，CPU)，网络处理器(network processor，NP)，数字信号处理电路(digital signalprocessor，DSP)，微控制器(micro controller unit，MCU)，可编程控制器(programmablelogic device，PLD)或其它集成芯片，或者上述芯片或者处理器的任意组合等。
以下对电光调制器实现对光信号调制的具体过程进行示例性说明。在信号电极213接收到来自处理器202的电信号的情况下，能够在信号电极213和接地电极214之间产生电场。该电场的方向是由信号电极213指向接地电极214，具体可参见图2a所示位于信号电极213和接地电极214之间箭头的指向。同样地，信号电极213和接地电极215之间产生电场。该电场的方向是由信号电极213指向接地电极215，具体可参见图2a所示位于信号电极213和接地电极215之间箭头的指向。
以信号电极213和接地电极214为例，信号电极213和接地电极214之间的电场施加在传输光波导216上，以对传输光波导216内所传输的光信号实现调制的目的。具体地，待调制的光信号沿传输光波导216传输，那么，该光信号的传输方向与信号电极213和接地电极214之间的电场方向垂直。信号电极213和接地电极214之间的电场的变化，会改变传输光波导216的有效折射率。传输光波导216有效折射率的改变，会改变传输光波导216所传输的光信号的相位，以实现对传输光波导216所传输的光信号的调制。对传输光波导217调制过程的说明，请参见传输光波导216所示，具体不做赘述。
信号电极213和接地电极214之间的间距，与对传输光波导216所传输的光信号的调制效率之间，呈负相关关系。可知，信号电极213和接地电极214之间的间距越大，那么对传输光波导216所传输的光信号的调制效率越低。同样地，信号电极213和接地电极214之间的间距越小，那么对传输光波导216所传输的光信号的调制效率越高。对传输光波导307所传输的光信号的调制效率的说明，请参见对传输光波导216所传输的光信号的调制效率的说明，具体不做赘述。
本实施例提供了一种第一电极。该第一电极的结构为堆叠式结构，能够保证在拉近第一电极和传输光波导216之间的间距的情况下，还能够降低光损耗。其中，该第一电极可为信号电极213或接地电极214。可知，在拉近了第一电极和传输光波导216之间的间距的情况下，能够提高调制传输光波导216所传输的光信号的调制效率。
以下对呈堆叠式结构的第一电极的结构进行说明。为更好地理解，以下以第一电极为信号电极213为例进行示例性说明。在其他示例中，该第一电极也可为接地电极214。
本实施例在拉近信号电极213和传输光波导216之间的间距的情况下，还能够有效地降低信号电极213对传输光波导216所传输的光信号的吸收作用，进而降低传输光波导216所传输的光信号的光损耗。为此，参见图2b所示，本实施例所示的信号电极213包括第一导电层231和第二导电层232。该第二导电层232位于基板和该第一导电层231之间。其中，该第二导电层232位于信号电极213靠近传输光波导216的侧面。
该第一导电层231由金属材料制成。例如，该第一导电层231可由如下的至少一种金属材料制成：金(Au)，银(Ag)，钯(Pd)，铑(Rh)，铱(Ir)，锇(Os)或钌(Ru)等。
以下对第二导电层232需要满足的条件进行说明。本实施例所示的该第一导电层231的电导率大于该第二导电层232的电导率，且该第一导电层231的光吸收系数大于该第二导电层232的光吸收系数。满足该条件的第二导电层232可由透明导电氧化物(ransparent conductive oxide，TCO)制成。其中，TCO主要为氧化镉(CdO)，氧化铟(In2O3)，二氧化锡(SnO2)和氧化锌(ZnO)等氧化物及其相应的复合化合物等。
本实施例中，第一导电层231的光吸收系数大于该第二导电层232的光吸收系数，而且第二导电层232相对于第一导电层231更靠近传输光波导216。那么，第二导电层232所产生的光损耗小于单纯由金属材料制成的第一导电层231所产生的光损耗。而且因该第一导电层231的电导率大于该第二导电层232的电导率，降低了电信号在第一导电层231传输过程中的微波损耗，提高了调制带宽。
为更好地理解，对本实施例所示的呈堆叠式结构的信号电极和已有方案所示的仅通过金属材料制成的信号电极进行对比说明。
本实施例所示的信号电极213相对于已有方案所示的信号电极而言，本实施例所示的信号电极213的第二导电层232的光吸收系数小于已有方案所示的信号电极的光吸收系数。那么，在相同的光损耗条件下，如2分贝/厘米(dB/cm)，本实施例所示的第二导电层232可以更靠近传输光波导216。可知，本实施例所示的信号电极213相对于已有方案所示的信号电极，能够更靠近传输光波导。因本实施例的信号电极213更能够靠近传输光波导，那么电场能够更强烈的作用在传输光波导216上，从而有效地提高了调制效率。
本实施例所示的信号电极213包括呈堆叠式结构的第一导电层231和第二导电层232。第二导电层232具有较低的电导率，例如第二导电层232的电导率位于103～105西门子/米(s/m)区间之内。具有较低电导率的第二导电层232会增加电信号传输的微波损耗。但是，信号电极213还包括具有较高电导率的第一导电层231，例如，第一导电层231的电导率等于107s/m。具有较高电导率的第一导电层231的导电性能较高，会降低微波损耗，从而提高调制带宽。可知，本实施例在第二导电层232的上方堆叠了高电导率的第一导电层231，以补偿低电导率的第二导电层232所损失的微波损耗。
为更好地理解信号电极213所包括的第一导电层231和第二导电层232之间的空间位置关系，以下结合图2a，图2b以及图2c所示的具体方向进行说明。本实施例所示的传输光波导216沿Y方向延伸。可知，沿传输光波导216传输的光信号沿Y方向传输。本实施例所示的第一导电层231和第二导电层232沿X方向堆叠，其中，该X方向与Y方向垂直，且该X方向与基板表面垂直。
本实施例对沿Z方向，第一导电层231和第二导电层232之间的长度关系不做限定。其中，Z方向同时与X方向和Y方向垂直。例如，在图2b以及图2c所示的示例中，沿Z方向，该第二导电层232的长度小于第一导电层231的长度，且第二导电层232容纳于第一导电层231内设置。沿X方向，该第一导电层231的侧面与第二导电层232的侧面对齐，进而可知，在图2c所示的俯视图中，第二导电层232完全掩藏在第一导电层231之内。
需明确地是，图2b以及图2c所示的结构为一种示例，不做限定。例如图3a以及图3b所示。其中，图3a为本申请实施例所提供的电光调制器的第二种剖面结构示例图。图3b为本申请实施例所提供的电光调制器的第二种俯视结构示例图。在本示例中，沿Z方向，第二导电层232突出至第一导电层231之外。可知，沿X方向，该第一导电层231的侧面与第二导电层232的侧面不对齐，且第二导电层232的侧面相对于该第一导电层231的侧面，更靠近传输光波导216。
可知，在沿Z方向，该第二导电层232的长度小于第一导电层231的长度的情况下，该第一导电层231面向该基板的侧面的部分区域与该第二导电层232接触。具体地，该第一导电层231面向该基板的侧面具有连接的第一区域和第二区域。该第一区域直接与第二导电层232接触，而第二区域直接与光波导层212接触。
在其他的示例中，沿Z方向，该第二导电层232的长度也可大于或等于第一导电层231的长度。可知，此示例下的该第一导电层231面向该基板的侧面的全部区域仅与该第二导电层232接触。
由上述所示可知，本实施例所示的第一电极(信号电极或接地电极)采用堆叠式结构，由此可拉近第一电极和传输光波导之间的间距。在提高了调制效率的情况下，还能够降低光损耗以及提高调制带宽。而且因本实施例所示的电光调制器所包括的第一电极和传输光波导之间的间距比较小，有效地降低了电光调制器的尺寸，提高了电光调制器的集成度。
上述所示以电光调制器仅第一电极采用堆叠式结构为例，本实施例所示的电光调制器所包括的第二电极也可采用堆叠式结构。例如，若第一电极为信号电极，那么，第二电极为接地电极。又如，若第一电极为接地电极，那么，第二电极为信号电极。可知，本实施例所示的电光调制器所包括的接地电极和信号电极，均采用堆叠式结构。
具体参见图2b所示，以第二电极为接地电极214为例，该接地电极214具体包括第三导电层233和第四导电层234。该第四导电层234位于该基板和该第三导电层233之间。该第三导电层233的电导率大于该第四导电层234的电导率，且该第三导电层233的光吸收系数大于该第四导电层234的光吸收系数。对接地电极214的具体结构的说明，请参见上述对信号电极213结构的说明，具体不做赘述。
本实施例对沿Z方向，第三导电层233和第四导电层234之间的长度关系不做限定。本实施例以第三导电层233的长度大于第四导电层234的长度为例。可知，第三导电层233面向该基板的侧面的部分区域与该第四导电层234接触。具体地，第三导电层233面向该基板的侧面具有连接的第三区域和第四区域。该第三区域直接与第四导电层234接触，而第四区域直接与光波导层212接触。
可知，本示例下，能够同时拉近第一电极和传输光波导之间的间距以及拉近第二电极和传输光波导之间的间距。相对于仅第一电极采用堆叠式结构的示例，本示例更能够提高调制效率以及调制带宽，以及降低光损耗和微波损耗。而且还能够进一步地降低电光调制器的尺寸，提高电光调制器的集成度。
继续如图2b所示，接地电极215也包括第三导电层243和第四导电层244。接地电极215所包括的第三导电层243和第四导电层244的说明，请参见上述所示的接地电极214所包括的第三导电层233和第四导电层234的说明。此示例下，信号电极213朝向接地电极215的侧面包括第一导电层251和第二导电层252。信号电极213所包括的第一导电层251和第二导电层252的说明，请参见上述所示的信号电极213所包括第一导电层231和第二导电层232的说明。可知，本实施例所示的信号电极213，接地电极214以及接地电极215均采用堆叠式结构。
如图4a以及图4b所示说明如何降低信号电极和接地电极之间的寄生电容。其中，图4a为本申请实施例所提供的电光调制器的一种整体结构示例图。图4b为本申请实施例所提供的电光调制器的第三种俯视结构示例图。
本实施例所示的电光调制器包括呈堆叠式结构的信号电极213和接地电极214，对这两者的说明，请参见图2a至图3b所示，具体不做赘述。本实施例所示的第一导电层231和第三导电层233均采用凹凸式结构。具体地，第一导电层231的凹凸式结构是指，第一导电层231面向该第三导电层233的侧面凸设多个第一上层凸部301。任意位置相邻的两个该第一上层凸部301之间形成第一上层凹部303。该第三导电层233的凹凸式结构是指，该第三导电层233面向该第一导电层231的侧面凸设多个第二上层凸部302。任意位置相邻的两个该第二上层凸部302之间形成第二上层凹部304。
为实现降低信号电极213以及接地电极214之间寄生电容的目的，每个该第一上层凸部301与一个该第二上层凹部304位置相对。同样地，每个该第二上层凸部302与一个该第一上层凹部303位置相对。可知，本实施例所示不会出现该第一上层凸部301与该第二上层凸部302位置相对的情况。因每个该第一上层凸部301与一个该第二上层凹部304位置相对，且每个该第二上层凸部302与一个该第一上层凹部303位置相对。那么，沿Z方向，第一上层凸部301和第二上层凸部302之间位置相错，从而尽可能的提高了第一导电层231和第三导电层233之间的间距。进而有效地降低了信号电极213和接地电极214之间的寄生电容。对Z方向的具体说明，请参见上述图2b所示，具体不做赘述。
以第一上层凸部301为例，本实施例对第一上层凸部301的具体形状和大小不做限定，例如，图4a和图4b所示以第一上层凸部301的形状为方形为例，不做限定。在其他示例中，该第一上层凸部301的形状也可呈梯形，弧形，菱形，T形或锥形等形状。对第二上层凸部302的形状的说明，请参见第一上层凸部301形状的说明，具体不做赘述。
继续以第一上层凸部301为例，一个第一上层凸部301与一个第一上层凹部303位置相邻。可知，相邻的第一上层凸部301之间处于非连续的状态，那么，会提高第一导电层231的微波损耗。
以下对本实施例所示的如何降低信号电极213的微波损耗的进行说明。本实施例所示的信号电极213包括多个上层结构周期。其中，每个上层结构周期包括位置相邻的至少一个第一上层凸部301以及至少一个第一上层凹部303。不同的该上层结构周期的结构相同。例如，图4b所示，信号电极213所包括的一个上层结构周期305包括位置相邻的一个第一上层凸部301以及一个第一上层凹部303。本实施例对每个上层结构周期所包括的第一上层凸部301和第一上层凹部303的数量不做限定，只要一个上层结构周期所包括的第一上层凸部301和第一上层凹部303位置连续即可。
本实施例所示的不同上层结构周期的结构相同是指，位于不同结构周期的相同位置处的第一上层凸部301的尺寸相同。其中，位于不同结构周期的相同位置处的第一上层凸部301是指，位于不同结构周期的第一个上层凸部301，依次类推，位于不同结构周期的最后一个上层凸部301。其中，第一上层凸部301的尺寸是指，第一上层凸部301沿Z方向的长度，沿Y方向的长度以及沿X方向的高度。
本实施例所示的不同上层结构周期的结构相同还指，位于不同结构周期的相同位置处的第一上层凹部303的尺寸相同。其中，位于不同结构周期的相同位置处的第一上层凹部303是指，位于不同结构周期的第一个上层凹部303，依次类推，位于不同结构周期的最后一个上层凹部303。其中，第一上层凹部303的尺寸是指，第一上层凹部303沿Z方向的长度以及沿Y方向的长度。
本实施例中，可通过上层结构周期降低第一上层凸部301的微波损耗。具体地，沿该信号电极213的延伸方向(即Y方向)，一个单位长度内该信号电极213所包括的该上层结构周期的数量和该电光调制器的调制带宽呈正相关关系。其中，单位长度仅为一个长度的参考标准，本实施例对单位长度的具体长度不做限定。
对于采用堆叠式结构的信号电极而言，同一单位长度内，包括数量越多的上层结构周期，说明该电光调制器的信号电极的结构越连续。该信号电极所带来的微波损耗越低，进而使得该电光调制器的调制带宽越大。同样地，同一单位长度内，包括数量越少的上层结构周期，说明该电光调制器的信号电极的结构越松散。该信号电极所带来的微波损耗越高，进而使得该电光调制器的调制带宽越小。
可知，本实施例为提高电光调制器的调制带宽，可尽可能的增加一个单位长度内，信号电极213所包括的上层结构周期的数量。
本实施例所示，第一导电层231以上层结构周期为周期，进行周期性排布为例进行示例性说明，不做限定。例如，在其他示例中，第一导电层231所包括的第一上层凸部301的尺寸和第一上层凹部303的尺寸也可通过随机的方式进行排布。本实施例所示的接地电极如何降低微波损耗的请详见信号电极213降低微波损耗的说明，具体不做赘述。
基于图4a以及图4b所示的第一导电层231和第三导电层233的结构，以下对本实施例所示的第二导电层232以及第四导电层234的可选结构进行说明。以下以第二导电层232的结构为例进行示例性说明，第四导电层234的结构的说明可参见下述对第二导电层232的结构的说明，不做赘述。
本实施例所示的第二导电层232可呈结构连续的条形结构。沿Y方向，该第二导电层232由第一导电层231的起始位置延伸至第一导电层231的结束位置。本实施例对第二导电层232的形状的说明为可选地示例，不做限定，只要该第二导电层232呈连续的结构即可。例如，该第二导电层232可呈弧形等。本实施例对沿Y方向，该第一导电层231和该第二导电层232之间的长度关系不做限定，例如，沿Y方向，该第一导电层231的长度和该第二导电层232的长度相等。可知，在图4b所示的俯视图中，第二导电层232背离基板的侧面具有第五区域和第六区域。其中，第五区域与第一上层凸部301直接接触。由如图4b的俯视图所示可知，第六区域321直接从第一上层凹部303中露出。
由上述可知，为降低电光调制器的寄生电容，第一导电层231和第三导电层233可采用周期性的结构。本实施例为进一步地降低电光调制器的寄生电容，第二导电层232和第四导电层234也可采用凹凸式结构。
具体地，第二导电层232的凹凸式结构是指，该第二导电层232面向该第四导电层234的侧面凸设多个第一下层凸部，任意位置相邻的两个该第一下层凸部之间形成第一下层凹部。其中，第一下层凸部和第一下层凹部的结构的说明，可参加上述所示的第一上层凸部301和第一上层凹部303的结构的说明，具体不做赘述。
第四导电层234的凹凸式结构是指，该第四导电层234向该第二导电层232的侧面凸设多个第二下层凸部，任意位置相邻的两个该第二下层凸部之间形成第二下层凹部。其中，第二下层凸部和第二下层凹部的结构的说明，可参加上述所示的第二上层凸部302和第二上层凹部304的结构的说明，具体不做赘述。
为更大程度的降低信号电极213以及接地电极214之间的寄生电容，每个该第一下层凸部与一个该第二下层凹部位置相对。同样地，每个该第二下层凸部与一个该第一下层凹部位置相对。
可知，每个该第一下层凸部与一个该第一下层凹部位置相对，且每个第二下层凸部与一个第二下层凹部位置相对。那么，沿Z方向，第一下层凸部和第二下层凸部之间位置相错，从而尽可能的提高了第二导电层232和第四导电层234之间的间距。进而有效地降低了信号电极213和接地电极214之间的寄生电容。
由此可知，为降低信号电极213以及接地电极214之间的寄生电容，那么第一导电层231和第二导电层232均采用周期性的结构。以下对第一导电层231的凹凸式结构和第二导电层232的凹凸式结构的位置关系进行可选地说明。例如，该第一导电层231的凹凸式结构和第二导电层232的凹凸式结构位置重合。其中，凹凸式结构位置重合是指，在相同的投影线的照射下，第一导电层231所包括的每个该第一上层凸部301和该第二导电层232所包括的一个该第一下层凸部，在该基板上的投影位置重合。且在相同的投影线的照射下，第一导电层231所包括的每个第一上层凹部303和该第二导电层232所包括的一个该第一下层凹部，在该基板上的投影位置重合。本实施例对投影线的具体方向不做限定，例如，该投影线为垂直于基板方向的光线。
可参见图5所示，其中，图5为本申请实施例所提供的电光调制器的第四种俯视结构示例图。在第一导电层231的凹凸式结构和第二导电层232的凹凸式结构的位置重合，且在俯视该电光调制器的视角下，光波导层212依次从第一下层凹部以及该第一上层凹部303露出。本实施例所示的第三导电层233的凹凸式结构和第四导电层234的凹凸式结构位置重合，具体说明请参见第一导电层231的凹凸式结构和第二导电层232的凹凸式结构位置重合的说明，具体不做赘述。
同样地，在相同的投影线的照射下，该第三导电层233所包括的每个该第二上层凸部302和该第四导电层234所包括的一个该第二下层凸部，在该基板上的投影位置重合。且在相同的投影线的照射下，该第三导电层233所包括的每个第二上层凹部和该第四导电层234所包括的一个该第二下层凹部，在该基板上的投影位置重合。具体说明请参见上述所示的对该第一导电层231的凹凸式结构和第二导电层232的说明，具体不做赘述。
可知，在该第一导电层231的凹凸式结构和第二导电层232的凹凸式结构位置重合，且第三导电层233的凹凸式结构和第四导电层234的凹凸式结构位置重合的情况下，能够充分的提高第一上层凸部301和第二上层凸部302之间的间距，以及提高第一上层凸部301和第二下层凸部之间的间距。从而有效地降低信号电极213和接地电极214之间的寄生电容。而且降低了制成信号电极和接地电极的制成难度。
需明确地是，本实施例以该第一导电层231的凹凸式结构和第二导电层232的凹凸式结构位置重合为例进行示例性说明，不做限定。在其他示例中，该第一导电层231的凹凸式结构和第二导电层232的凹凸式结构也可位置相错。例如，在俯视该电光调制器的视角下，该第二导电层232所包括的一个第一下层凸部的至少部分，从该第一导电层231所包括的一个第一上层凹部中露出。
继续以第一下层凸部为例，以下对如何降低信号电极213的微波损耗的进行说明。本实施例所示的信号电极213包括多个下层结构周期。其中，每个下层结构周期包括位置相邻的至少一个第一下层凸部以及至少一个第一下层凹部。不同的该下层结构周期的结构相同。对下层结构周期的结构的说明，请参见上述对上层结构周期的说明，具体不做赘述。
可知，本实施例中，可通过下层结构周期降低第一下层凸部的微波损耗。具体地，沿该信号电极213的延伸方向(即Y方向)，一个单位长度内该信号电极213所包括的该下层结构周期的数量和该电光调制器的调制带宽呈正相关关系。下层结构周期降低第一下层凸部的微波损耗的过程的说明，请参见上述对上层结构周期降低第一上层凸部的微波损耗的说明，具体不做赘述。
以下参见图6a和图6b所示。其中，图6a为本申请实施例所提供的电光调制器的第三种剖面结构示例图。图6b为本申请实施例所提供的电光调制器的第五种俯视结构示例图。
本实施例所示的电光调制器还包括电场约束层。以下对该电场约束层的几种可选地结构进行说明。
可选结构1，针对信号电极213和接地电极214，本实施例所示的电光调制器包括第一电场约束层601和第二电场约束层602。其中，该第一电场约束层601位于传输光波导216和信号电极213之间。该第二电场约束层602位于传输光波导216和接地电极214之间。需明确地是，本实施例对电场约束层的数量的说明为可选地示例，不做限定。例如，电光调制器仅包括位于传输光波导216和信号电极213之间的第一电场约束层601。又如，电光调制器仅包括位于传输光波导216和接地电极214之间的第二电场约束层602。
以下对第一电场约束层601和第二电场约束层602的具体位置进行说明。本实施例所示的第一电场约束层601具有位置相背的第一侧面和第二侧面。其中，位置相背的第一侧面和第二侧面是指第一电场约束层601所具有的，沿方向Z朝向相背的两个侧面。可知，该第一侧面朝向信号电极213，而第二侧面朝向传输光波导216。其中，该第一侧面与该信号电极213位置相邻。本实施例对沿Z方向，第一侧面和信号电极213之间的距离不做限定。例如，图6a和图6b所示，该第一侧面与该信号电极213处于贴合的状态。该第二侧面与传输光波导216位置相邻。本实施例沿Z方向，第二侧面和传输光波导216之间的距离不做限定。同样地，第二电场约束层602也具有位置相背的第一侧面和第二侧面，第二电场约束模块602的第一侧面与接地电极214相邻，第二侧面与传输光波导216相邻。具体说明可参见第一电场约束层601的第一侧面和第二侧面的说明，具体不做赘述。
可知，第一电场约束层601和第二电场约束层602均为连续结构。即沿Y方向，第一电场约束层601由信号电极213的起始位置延伸至信号电极213的结束位置。本实施例对第一电场约束层601的形状的说明为可选地示例，不做限定，只要该第一电场约束层601呈连续的结构即可，例如，该第一电场约束层601可呈长条形或弧形等。本实施例对沿Y方向，该第一电场约束层601和该信号电极213之间的长度关系不做限定。例如，沿Y方向，该第一电场约束层601的长度和该信号电极213的长度相等。对沿Y方向，该第二电场约束层602的结构的说明，可参见第一电场约束层601的说明，具体不做赘述。
可选地，如图6a所示，沿X方向，该第一电场约束层601的高度等于该信号电极213的高度。需明确地是，本实施例对沿X方向，该第一电场约束层601和信号电极213之间的高度关系的说明为可选地示例，不做限定。例如，沿X方向，该第一电场约束层601的高度大于信号电极213的高度。
本实施例所示的该第一电场约束层601和第二电场约束层602满足的条件为，该第一电场约束层601和第二电场约束层602均由高介电常数且绝缘的材料制成。且该第一电场约束层601和第二电场约束层602的材料折射率均小于该传输光波导216的材料折射率。例如，该第一电场约束层601和第二电场约束层602均可由钛酸钡(BaTiO3)材质制成。
满足该条件的第一电场约束层601和第二电场约束层602能够使得信号电极213和接地电极214之间的电场主要分布在该传输光波导216上，从而提高了调制传输光波导216所传输的光信号的调制效率。具体地，第一电场约束层601和第二电场约束层602能够将信号电极213和接地电极214之间的电场，尽可能地集中在第一电场约束层601和第二电场约束层602之间。因传输光波导216位于第一电场约束层601和第二电场约束层602之间，而且相对于信号电极213，传输光波导216更靠近第一电场约束层601。同样地，相对于接地电极214，传输光波导216更靠近第二电场约束层602。那么，集中于第一电场约束层601和第二电场约束层602之间的电场能够主要向传输光波导216上集中。从而增强了电场和传输光波导216所传输的光信号的光场之间的相互作用，进而提高了调制效率。
而且因本实施例所示的第一电场约束层601和第二电场约束层602均由绝缘的材料制成，从而使得第一电场约束层601和第二电场约束层602均不具有导电性能，进而不会带来微波损耗。可知，电光调制器包括电场约束层，不会降低调制带宽。
可选结构2，本示例所示的电光调制器包括多个电场约束层611。该电场约束层611延伸到以下所示的至少一个位置处：信号电极213的第一上层凸部朝向传输光波导216的侧面，信号电极213的第一上层凹部的侧面，信号电极213的第一下层凸部朝向传输光波导216的侧面，信号电极213的第一下层凹部的侧面，该接地电极的第二上层凸部朝向传输光波导216的侧面，该接地电极的第二上层凹部的侧面，该接地电极的第二下层凸部朝向传输光波导216的侧面，或该接地电极的第二下层凹部的侧面。
图7a为本申请实施例所提供的电光调制器的第六种俯视结构示例图。可知，本示例以每个第一上层凹部的侧面均贴合设置电场约束层611，以及每个第二上层凹部的侧面均贴合设置有电场约束层611为例。图7b为本申请实施例所提供的电光调制器的第七种俯视结构示例图。可知，本示例以每个第一上层凹部内部均填充设置电场约束层612，以及每个第二上层凹部内部均填充设置电场约束层612为例。需明确地是，本实施例对电场约束层611的具体数量以及具体位置不做限定。
图8为本申请实施例所提供的电光调制器的第四种剖面结构实施例示例图。如图8所示，电光调制器的基板包括光波导层801，以及位于光波导层801表面的衬底802。该衬底802以及光波导层801的具体材质的说明，可参见图2b所示，具体不做赘述。
该衬底802的表面包括信号电极811和位于信号电极811两侧的接地电极812以及接地电极813。本实施例所示的信号电极811、接地电极812以及接地电极813均采用堆叠式结构，对堆叠式结构的电极结构的说明，请参见图2a至图3b所示，具体不做赘述。
本实施例所示的电光调制器还包括传输光波导。例如，本实施例所示的电光调制器包括由光波导层801所形成的传输光波导803。其中，光波导层801可通过沉积，刻蚀，极化等方式形成传输光波导803。该传输光波导803和信号电极811位于衬底802的两侧，即沿X方向，该传输光波导803和信号电极811位置相对。实施例以沿X方向，与该信号电极811位置相对处设置传输光波导803为例进行示例性说明，不做限定。例如，在其他示例中，沿X方向，与该接地电极812位置相对处也设置传输光波导804。
本实施例所示的电光调制器还包括电场约束层。具体地，若沿X方向，与该信号电极811位置相对处设置传输光波导803，那么衬底802包括第一通槽。该第一通槽位于信号电极811和传输光波导803之间。该第一通槽内设置电场约束层。又如，沿X方向，与该接地电极812位置相对处设置传输光波导804，那么衬底802包括第二通槽，该第二通槽位于接地电极812和传输光波导804之间，该第二通槽内设置电场约束层。本实施例所示的电场约束层的具体材质以及作用的说明，请参见图6a所示，具体不做赘述。
以上所述，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。

Claims (17)

1.一种电光调制器，其特征在于，所述电光调制器包括位于基板表面的第一电极和第二电极，所述电光调制器还包括传输光波导，所述第一电极和所述第二电极之间的电场用于调制所述传输光波导所传输的光信号；
所述第一电极包括第一导电层和第二导电层，所述第二导电层位于所述基板和所述第一导电层之间，所述第一导电层的电导率大于所述第二导电层的电导率，所述第一导电层的光吸收系数大于所述第二导电层的光吸收系数。
2.根据权利要求1所述的电光调制器，其特征在于，所述第二电极包括第三导电层和第四导电层，所述第四导电层位于所述基板和所述第三导电层之间，所述第三导电层的电导率大于所述第四导电层的电导率，所述第三导电层的光吸收系数大于所述第四导电层的光吸收系数。
3.根据权利要求2所述的电光调制器，其特征在于，所述第一导电层面向所述第三导电层的侧面凸设多个第一上层凸部，任意位置相邻的两个所述第一上层凸部之间形成第一上层凹部；
所述第三导电层面向所述第一导电层的侧面凸设多个第二上层凸部，任意位置相邻的两个所述第二上层凸部之间形成第二上层凹部；
每个所述第一上层凸部与一个所述第二上层凹部位置相对，每个所述第二上层凸部与一个所述第一上层凹部位置相对。
4.根据权利要求3所述的电光调制器，其特征在于，所述第二导电层面向所述第四导电层的侧面凸设多个第一下层凸部，任意位置相邻的两个所述第一下层凸部之间形成第一下层凹部；
所述第四导电层面向所述第二导电层的侧面凸设多个第二下层凸部，任意位置相邻的两个所述第二下层凸部之间形成第二下层凹部；
每个所述第一下层凸部与一个所述第二下层凹部位置相对，每个所述第二下层凸部与一个所述第一下层凹部位置相对。
5.根据权利要求4所述的电光调制器，其特征在于，所述第一导电层所包括的每个所述第一上层凸部和所述第二导电层所包括的一个所述第一下层凸部，在所述基板上的投影位置重合。
6.根据权利要求4或5所述的电光调制器，其特征在于，所述第三导电层所包括的每个所述第二上层凸部和所述第四导电层所包括的一个所述第二下层凸部，在所述基板上的投影位置重合。
7.根据权利要求3或5所述的电光调制器，其特征在于，所述第一电极包括多个上层结构周期，每个所述上层结构周期包括位置相邻的至少一个所述第一上层凸部以及至少一个所述第一上层凹部，且不同的所述上层结构周期的结构相同，沿所述第一电极的延伸方向，一个单位长度内所述第一电极所包括的所述上层结构周期的数量和所述电光调制器的调制带宽呈正相关关系。
8.根据权利要求4或5所述的电光调制器，其特征在于，所述第一电极包括多个下层结构周期，每个所述下层结构周期包括位置相邻的至少一个所述第一下层凸部以及至少一个所述第一下层凹部，且不同的所述下层结构周期的结构相同，沿所述第一电极的延伸方向，一个单位长度内所述第一电极所包括的所述下层结构周期的数量和所述电光调制器的调制带宽呈正相关关系。
9.根据权利要求1至8任一项所述的电光调制器，其特征在于，所述电光调制器还包括电场约束层，所述电场约束层位于所述传输光波导和所述第一电极之间，和/或，所述电场约束层位于所述传输光波导和所述第二电极之间，所述电场约束层用于使得所述电场分布在所述传输光波导上。
10.根据权利要求9所述的电光调制器，其特征在于，所述传输光波导位于所述基板表面，且所述电场约束层具有位置相背的第一侧面和第二侧面，所述第一侧面与所述第一电极位置相邻；或，所述第一侧面与所述第二电极位置相邻，所述第二侧面与所述传输光波导位置相邻。
11.根据权利要求9所述的电光调制器，其特征在于，所述电场约束层延伸到以下所示的至少一个位置处：
所述第一电极所包括的第一上层凸部，所述第一电极所包括的第一上层凹部，所述第一电极所包括的第一下层凸部，所述第一电极所包括的第一下层凹部，所述第二电极所包括的第二上层凸部，所述第二电极所包括的第二上层凹部，所述第二电极所包括的第二下层凸部，或所述第二电极所包括的第二下层凹部。
12.根据权利要求1至8任一项所述的电光调制器，其特征在于，所述传输光波导和所述第一电极位于所述基板的两侧，和/或，所述传输光波导和所述第二电极位于所述基板的两侧；
所述基板还包括电场约束层，所述电场约束层位于所述传输光波导和所述第一电极之间，和/或，所述电场约束层位于所述传输光波导和所述第二电极之间，所述电场约束层用于使得所述电场主要分布在所述传输光波导上。
13.根据权利要求9至12任一项所述的电光调制器，其特征在于，所述电场约束层由高介电常数且绝缘的材料制成，且所述电场约束层的材料折射率小于所述传输光波导的材料折射率。
14.根据权利要求1至13任一项所述的电光调制器，其特征在于，所述第一导电层面向所述基板的侧面包括第一区域和第二区域，所述第一区域与所述第二导电层接触，所述第二区域与所述基板接触。
15.根据权利要求2至8任一项所述的电光调制器，其特征在于，所述第三导电层面向所述基板的侧面包括第三区域和第四区域，所述第三区域与所述第四导电层接触，所述第四区域与所述基板接触。
16.一种光模块，其特征在于，所述光模块包括光源以及如权利要求1至15任一项所述的电光调制器，所述光源与所述传输光波导连接，所述光源用于向所述传输光波导发送光信号。
17.一种光发送设备，其特征在于，所述光发送设备包括处理器以及如权利要求16所述的光模块，所述处理器与信号电极连接，所述信号电极为所述第一电极或所述第二电极，所述处理器用于向所述信号电极发送电信号，所述电信号用于调制所述传输光波导所传输的光信号。
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