CN115976467A - 掩模组件 - Google Patents

Abstract

提供了掩模组件。掩模组件包括：第一掩模，具有第一开口；以及至少一个第二掩模，设置在第一掩模上，至少一个第二掩模中的每一个包括具有第二开口的沉积区域、围绕沉积区域的内区域和围绕内区域的具有第三开口的外区域。内表面限定第一开口，当在平面中观看时，限定内表面的外边界的线与内区域重叠。

Description

掩模组件

相关申请的交叉引用

本申请要求于2021年10月15日提交的韩国专利申请第10-2021-0137926号的优先权及其权益，该韩国专利申请出于所有目的通过引用并入本文中，如同在本文中完整阐述一样。

技术领域

本发明的实施例总体上涉及用于制造显示装置的掩模组件，并且更具体地，涉及具有改善的沉积精度的掩模组件和包括该掩模组件的沉积设备。

背景技术

通常，发光显示装置包括像素以及分别设置在像素中的发光元件。每个发光元件包括设置在两个电极之间的发光层。被包括在像素中的发光层被分组为多个组。

掩模组件用于将发光层沉积在将成为发光显示装置的基板的工件上。掩模组件包括框架、开口掩模和以单元为单位提供的掩模。图案化的发光层通过将工件放置在掩模上并将发光材料沉积在工件上来形成。

本背景技术部分中公开的上述信息仅用于理解本发明构思的背景技术，并且因此，它可能包含不构成现有技术的信息。

发明内容

根据本发明的原理和说明性实施例构造的掩模组件以及用于制造显示面板的、包括该掩模组件的沉积设备能够减少显示面板中的沉积缺陷和显示面板的死空间。

例如，这种掩模组件包括：第一掩模，具有第一开口；以及至少一个第二掩模，包括具有第二开口的沉积区域和围绕沉积区域的内区域，当在平面中观看时，内区域与限定第一开口的边界线重叠。因此，改善了沉积精度，并且减少了显示面板的死空间。被包括在掩模组件中的至少一个第二掩模可以进一步包括围绕内区域的具有第三开口的外区域，并且因此，改善了掩模与待沉积的基板之间的附着性。因此，提高了沉积精度，并且改善了显示面板的显示质量。

本发明构思的附加特征将在随后的描述中阐述，并且将部分地根据该描述而显而易见，或者可以通过本发明构思的实践而习得。

根据本发明的方面，掩模组件包括：第一掩模，具有第一开口；以及至少一个第二掩模，设置在第一掩模上，至少一个第二掩模中的每一个包括具有第二开口的沉积区域、围绕沉积区域的内区域和围绕内区域的具有第三开口的外区域。内表面限定第一开口，当在平面中观看时，限定内表面的外边界的线与内区域重叠。

当在平面中观看时，内区域可以具有闭合线形状。

当从第一掩模的后侧观看时，第三开口可以被第一掩模覆盖。

当在平面中观看时，内区域可以具有在大约200微米与大约500微米之间的宽度。

第二开口中的每一个可以具有与第三开口中的每一个的尺寸不同的尺寸。

第二开口当中的彼此邻近的第二开口之间的间距可以不同于第三开口当中的彼此邻近的第三开口之间的间距。

第二开口可以具有与第三开口的形状不同的形状。

每个第二掩模可以进一步包括附接到第一掩模并且围绕外区域的焊接区域。

当在平面中观看时，沉积区域与内区域之间的边界可以被定义为第一边界线，内区域与外区域之间的边界可以被定义为第二边界线，并且第一边界线包括朝向沉积区域突出的部分。

第二边界线可以包括朝向沉积区域突出以与第一边界线的突出的部分相对应的部分。

掩模组件可以进一步包括：模块区域，被沉积区域围绕并且提供有形成在模块区域中的模块开口，并且模块开口具有与第二开口的形状不同的形状。

掩模组件可以进一步包括被沉积区域围绕的非沉积区域。

第二掩模可以在内区域的至少一部分中具有比第二掩模的在沉积区域中的厚度小的厚度。

第二掩模可以包括不锈钢、因瓦合金、镍、钴、镍合金和镍钴合金中的至少一种。

根据本发明的另一方面，沉积设备包括腔室、掩模组件和沉积源，掩模组件支撑基底基板并且包括具有第一开口的第一掩模和设置在第一掩模上的至少一个第二掩模，每个第二掩模包括具有第二开口的沉积区域、围绕沉积区域的内区域和围绕内区域的具有第三开口的外区域，沉积源用于通过第一开口将沉积材料喷射到基底基板。内区域的一部分和沉积区域的全部通过第一开口暴露。

当从第一掩模的后侧观看时，第三开口可以被第一掩模覆盖。

所有第二开口可以与第一开口重叠。

当在平面中观看时，在其中沉积材料沉积在基底基板上的区域与沉积区域大致完全重叠。

内区域具有副开口，副开口围绕第二开口当中的最靠近内区域的最外第二开口。

沉积设备进一步包括固定构件，固定构件设置在基底基板上并且包括磁性材料。

将理解，前面的一般描述和后面的详细描述都是说明性的和解释性的，并且旨在提供对所要求保护的本发明的进一步解释。

附图说明

被包括以提供对本发明的进一步理解并且被并入本说明书中且构成本说明书的一部分的附图图示本发明的说明性实施例，并且与描述一起用于解释本发明构思。

图1是根据本发明的原理构造的沉积设备的实施例的截面图。

图2是根据本发明的原理构造的掩模组件的实施例的分解透视图。

图3是被包括在图2中的掩模组件中的各个掩模的第一实施例的平面图。

图4A是沿着图3的线I-I’截取的实施例的截面图。

图4B是图1的沉积设备的一部分的实施例的截面图。

图5是图1的沉积设备的一部分的另一实施例的截面图。

图6是沿着图3的线I-I’截取的另一实施例的截面图。

图7A是被包括在图2中的掩模组件中的各个掩模的第二实施例的平面图。

图7B是被包括在图2中的掩模组件中的各个掩模的第三实施例的平面图。

图8是被包括在图2中的掩模组件中的各个掩模的第四实施例的平面图。

图9是被包括在图2中的掩模组件中的各个掩模的第五实施例的平面图。

图10A是被包括在图2中的掩模组件中的各个掩模的第六实施例的平面图。

图10B是被包括在图2中的掩模组件中的各个掩模的第七实施例的平面图。

图11是根据本发明的原理构造的显示面板的平面图。

图12是图11的显示面板的截面图。

具体实施方式

在下面的描述中，为了解释的目的，阐述了许多具体细节以便提供对本发明的各种实施例或实施方式的透彻理解。如本文中所使用的，是采用本文中公开的本发明构思中的一个或多个的装置或方法的非限制性示例的“实施例”和“实施方式”是可互换的词语。然而，显而易见，可以在没有这些具体细节的情况下或在具有一个或多个等同布置的情况下对各种实施例加以实践。在其它实例中，以框图形式示出了公知的结构及装置，以免不必要地模糊各种实施例。此外，各种实施例可以不同，但不必是排他性的。例如，实施例的具体形状、配置和特性可以用于另一实施例或在另一实施例中被实现而不脱离本发明构思。

除非另外指明，否则图示的实施例应被理解为提供本发明构思可以在实践中被实现的一些方式的不同细节的说明性特征。因此，除非另外指明，否则各种实施例的特征、部件、模块、层、膜、面板、区和/或方面等(在下文中被单独或统称为“元件”)可以以其它方式组合、分离、互换和/或重新布置而不脱离本发明构思。

附图中交叉影线和/或阴影的使用通常被提供以使邻近的元件之间的边界清晰。因此，除非指明，否则交叉影线或阴影的存在或不存在均不传达或指示针对特定的材料、材料性质、大小、比例、图示的元件之间的共性和/或元件的任何其它特性、属性、性质等的任何偏好或需求。此外，在附图中，为了清楚和/或描述性目的，元件的尺寸和相对尺寸可以被夸大。当实施例可以被不同地实现时，具体的工艺顺序可以与所描述的顺序不同地执行。例如，两个连续描述的工艺可以大致同时执行，或者以与所描述的顺序相反的顺序执行。此外，相同的附图标记表示相同的元件。

当元件或层被称为在另一元件或层“上”、“连接到”或“联接到”另一元件或层时，它可以直接在另一元件或层上、直接连接到或联接到另一元件或层，或者可以存在居间的元件或层。然而，当元件或层被称为“直接”在另一元件或层“上”、“直接连接到”或“直接联接到”另一元件或层时，不存在居间的元件或层。为此，术语“连接”可以指具有或不具有居间元件的物理连接、电气连接和/或流体连接。另外，DR1轴、DR2轴和DR3轴不限于诸如x轴、y轴和z轴的直角坐标系的三个轴，并且可以以更宽泛的意义解释。例如，DR1轴、DR2轴和DR3轴可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同方向。为了本公开的目的，“X、Y和Z中的至少一个”以及“从由X、Y和Z构成的组中选择的至少一个”可以被解释为仅X、仅Y、仅Z或者X、Y和Z中的两个或更多个的任意组合，诸如，例如，XYZ、XYY、YZ和ZZ。如本文中所使用的，术语“和/或”包括相关联的列出项中的一个或多个的任意组合和所有组合。

尽管术语“第一”、“第二”等在本文中可以用于描述各种类型的元件，但是这些元件不应受这些术语限制。这些术语用于将一个元件与另一元件区分开。因此，下面讨论的第一元件可以被称为第二元件而不脱离本公开的教导。

为了描述性目的，在本文中可以使用诸如“下面”、“下方”、“之下”、“下”、“上方”、“上”、“之上”、“更高”和“侧”(例如，如在“侧壁”中)等的空间相对术语，并且由此来描述如附图中所图示的一个元件与另一个(些)元件的关系。空间相对术语旨在涵盖除了附图中描绘的方位之外设备在使用、操作和/或制造时的不同方位。例如，如果附图中的设备被翻转，则被描述为在其它元件或特征“下方”或“下面”的元件将随之被定向为在其它元件或特征“上方”。因此，术语“下方”可以涵盖上方和下方两种方位。此外，设备可以被另外定向(例如，旋转90度或者以其它方位)，并且因此本文中所使用的空间相对描述语可以被相应地解释。

本文中所使用的术语是为了描述特定实施例的目的，而不旨在是限制性的。如本文中所使用的，单数形式“一”和“该”旨在也包括复数形式，除非上下文另外明确地指示。此外，当在本说明书中使用时，术语“包括”和/或“包含”指明所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或它们的组的存在，但不排除一个或多个其它的特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或它们的组的存在或添加。还应注意，如本文中所使用的，术语“大致”、“大约”以及其它类似的术语用作近似的术语而不是程度的术语，并且因此用于解释将由本领域普通技术人员认识到的测量值、计算值和/或提供的值的固有偏差。

在本文中参考是理想化实施例和/或中间结构的示意性图示的截面图示和/或分解图示来描述各种实施例。因此，例如由于制造技术和/或公差而导致的图示形状的变化是可以预期的。因此，本文中所公开的实施例不应一定被解释为限于所图示的区的特定形状，而将包括例如由于制造而导致的形状的偏差。以这种方式，附图中所图示的区本质上可以是示意性的，并且这些区的形状可以不反映装置的区的实际形状，并且因此不一定旨在是限制性的。

除非另外定义，否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开是其一部分的领域中的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。诸如在常用词典中定义的术语的术语应被解释为具有与它们在相关领域的背景中的含义一致的含义，并且不应以理想化的或过于正式的意义来解释，除非本文中明确地如此限定。

图1是根据本发明的原理构造的沉积设备EDA的实施例的截面图。

参考图1，沉积设备EDA可以包括沉积腔室CB、固定构件CM、设置在沉积腔室CB中的沉积源DS以及设置在沉积腔室CB中的掩模组件MSA。沉积设备EDA可以进一步包括用于实现串列式系统(inline system)的附加机械设备。

沉积腔室CB可以将沉积条件设置为真空状态。沉积腔室CB可以包括底表面、顶表面和侧壁。沉积腔室CB的底表面可以与由第一方向DR1和第二方向DR2限定的平面大致平行。第三方向DR3可以指示沉积腔室CB的底表面的法线方向。

固定构件CM可以设置在沉积腔室CB中，可以设置在沉积源DS上，并且可以固定掩模组件MSA。固定构件CM可以安装在沉积腔室CB的顶表面处。固定构件CM可以包括用于保持掩模组件MSA的夹具或机械臂。

固定构件CM可以包括主体部分BD以及联接到主体部分BD的可以是磁性物质MM的形式的磁性材料。主体部分BD可以包括板作为用于固定掩模组件MSA的基础结构，然而，它不应被具体限制。磁性物质MM可以设置在主体部分BD的内部或外部。磁性物质MM可以使用磁力来固定掩模组件MSA，并且因此，基底基板BS可以被紧密地附着于掩模组件MSA。

沉积源DS可以蒸发沉积材料EM(例如，发光材料)，并且可以将所蒸发的沉积材料EM作为蒸汽喷射。所喷射的沉积材料EM可以在穿过掩模组件MSA之后以预定图案沉积在基底基板BS上。基底基板BS可以对应于制造参考图11和图12描述的显示面板DP的中间阶段中的基板。

掩模组件MSA可以设置在沉积腔室CB中，并且可以设置在沉积源DS上。掩模组件MSA可以支撑设置在掩模组件MSA上的基底基板BS。

在图示的实施例中，掩模组件MSA可以包括框架FR、第一掩模和至少一个第二掩模，第一掩模可以是开口掩模OM的形式，至少一个第二掩模可以是至少一个掩模UM的形式。掩模UM中的每一个可以是能够以单元为单位沉积以形成一个显示面板DP的掩模。这将在稍后详细描述。

基底基板BS可以设置在掩模组件MSA与固定构件CM之间。基底基板BS可以包括玻璃基板或塑料基板。基底基板BS可以包括设置在玻璃基板或塑料基板上的聚合物层。基底基板BS可以被提供为通过沉积设备EDA形成的层的基底表面。因此，只要基底基板BS是显示面板DP的部件并且设置在稍后描述的显示面板DP(参考图11)的通过沉积工艺形成的部件之下，基底基板BS就不应被具体限制。此外，在显示面板DP的制造工艺完成之后，可以从显示面板DP去除基底基板BS，然而，它不应被具体限制。

图2是根据本发明的原理构造的掩模组件MSA的实施例的分解透视图。图3是被包括在图2中的掩模组件MSA中的各个掩模UM的第一实施例的平面图。图4A是沿着图3的线I-I’截取的实施例的截面图，并且图4B是图1的沉积设备EDA的(与包括图3的线I-I’的区域相对应的)一部分的实施例的截面图。

参考图2，掩模组件MSA可以包括框架FR、开口掩模OM和掩模UM。

框架FR可以设置在开口掩模OM和掩模UM之下，并且可以支撑开口掩模OM和掩模UM。

框架FR可以具有框架开口OP-F。沉积材料EM(参考图1)可以在穿过框架开口OP-F之后，穿过形成为穿过开口掩模OM和掩模UM的开口。

当在平面中观看时，框架FR的外表面和框架FR的限定框架开口OP-F的内表面可以具有由在第一方向DR1上延伸的长边和在第二方向DR2上延伸的短边限定的大致矩形形状。只要框架FR可以支撑开口掩模OM，框架FR的形状就不应被具体限制。另外，框架FR可以固定到沉积腔室CB(参考图1)的侧壁，并且它不应被具体限制。

在图示的实施例中，一个框架开口OP-F形成为穿过框架FR作为代表性示例，然而，多个框架开口OP-F可以形成为穿过框架FR，并且一个开口掩模OM可以由多个框架FR支撑。

框架FR可以包括金属材料。例如，框架FR可以包括镍(Ni)、镍钴合金或者镍铁合金等。

开口掩模OM可以设置在框架FR上。开口掩模OM可以具有由在第一方向DR1上延伸的长边和在第二方向DR2上延伸的短边限定的大致矩形形状。

开口掩模OM可以具有通过在第三方向DR3上去除开口掩模OM的一部分从而穿过开口掩模OM而形成的第一开口OP-M。

根据实施例，多个第一开口OP-M可以形成为穿过开口掩模OM。第一开口OP-M可以在第一方向DR1和第二方向DR2上布置。图2示出了以五行两列布置的第一开口OP-M作为代表性示例，然而，第一开口OP-M的数量和布置方式不应限于此或受此限制。

第一开口OP-M可以被框架开口OP-F暴露而不被框架FR覆盖。因此，由沉积源DS(参考图1)喷射的沉积材料EM(参考图1)可以被提供到第一开口OP-M，而框架FR不会干扰从沉积源DS喷射的蒸汽。

参考图2，多个内表面IS-M可以被包括在一个开口掩模OM中，以限定第一开口OP-M当中的对应的第一开口OP-M。多个内表面IS-M可以包括在第一方向DR1上延伸的短边表面以及在第二方向DR2上从短边延伸的长边表面。长边与短边相交的拐角可以具有倒圆的形状或具备预定曲率的形状。

开口掩模OM可以包括金属材料。根据实施例，开口掩模OM可以包括不锈钢、因瓦合金、镍、钴、镍合金和镍钴合金中的至少一种。

掩模UM可以设置在开口掩模OM上。根据实施例，掩模UM可以被提供为多个。掩模UM可以设置为与第一开口OP-M相对应。即，掩模UM中的每一个可以设置为与第一开口OP-M当中的对应的第一开口OP-M重叠。

因此，掩模UM可以在第一方向DR1和第二方向DR2上布置。在图2中，掩模UM以五行两列布置，然而，掩模UM的数量和布置方式不应被具体限制。

掩模UM中的每一个可以包括金属材料。根据实施例，掩模UM中的每一个可以包括不锈钢、因瓦合金、镍、钴、镍合金和镍钴合金中的至少一种。

根据图示的实施例，掩模UM中的每一个可以包括沉积区域A1、可以是边缘区域A2的形式的内区域、可以是外围区域A3的形式的外区域以及可以是焊接区域WA的形式的最外区域。

沉积区域A1可以设置在掩模UM的中央处。沉积区域A1可以与第一开口OP-M重叠。在图示的实施例中，沉积区域A1可以是由沉积源DS(参考图1)喷射的蒸汽所通过的区域。因此，沉积区域A1可以与基底基板BS(参考图1)的通过沉积工艺将沉积材料EM(参考图1)沉积到其上的区域相对应。

边缘区域A2可以围绕沉积区域A1。在图示的实施例中，当在平面中观看时，开口掩模OM的限定第一开口OP-M的内表面IS-M可以位于边缘区域A2中。

外围区域A3可以围绕边缘区域A2。

根据实施例，边缘区域A2和外围区域A3可以是沉积材料EM(参考图1)不穿过的区域。稍后将详细描述沉积区域A1、边缘区域A2和外围区域A3。

焊接区域WA可以围绕外围区域A3。焊接区域WA可以设置在掩模UM的最外位置处。焊接区域WA可以是联接到开口掩模OM的部分。

在制造掩模组件MSA的工艺中，掩模UM中的每一个可以在与第一开口OP-M中的对应的第一开口OP-M对准之后在第一方向DR1和第二方向DR2上被拉伸，并且可以被焊接到开口掩模OM。根据实施例，可以通过将激光束照射到掩模UM上来执行焊接工艺。

图3是从掩模UM的前表面观看时掩模UM的平面图。在图3中，限定开口掩模OM的第一开口OP-M(参考图2)的内表面IS-M(参考图2)由限定第一开口OP-M的外边界的双点划线IS-C图示。

参考图3和图4，掩模UM可以包括沉积区域A1、围绕沉积区域A1的边缘区域A2、围绕边缘区域A2的外围区域A3以及围绕外围区域A3的焊接区域WA。

在沉积区域A1中，第二开口(即，沉积开口)OP1可以形成为在第三方向DR3上穿过掩模UM。当在平面中观看时，沉积开口OP1可以在第一方向DR1和第二方向DR2上布置。然而，沉积开口OP1的布置方向不应限于此或受此限制。

当在平面中观看时，沉积开口OP1中的每一个可以具有大致正方形形状，然而，沉积开口OP1的形状不应限于此或受此限制。作为示例，沉积开口OP1中的每一个可以具有菱形形状。沉积开口OP1中的形成在与边缘区域A2邻近的区域中的一些可以与位于沉积区域A1的内部的其它沉积开口OP1具有不同的尺寸和形状。

如图3和图4A中所示，边缘区域A2可以是没有形成在第三方向DR3上穿过其的开口的区域。

根据图示的实施例，参考图3，与开口掩模OM的限定第一开口OP-M的内表面IS-M相对应的边界线IS-C可以与边缘区域A2重叠。即，限定第一开口OP-M的边界线IS-C可以位于边缘区域A2中。因此，边缘区域A2的一部分以及沉积区域A1可以与第一开口OP-M重叠，并且边缘区域A2的其余部分可以被开口掩模OM覆盖。

由于边缘区域A2不具有任何开口，因此当在第三方向DR3上观看掩模UM的前表面时，开口掩模OM的内表面IS-M可以不被边缘区域A2暴露。

在外围区域A3中，第三开口(即，外围开口)OP2可以形成为在第三方向DR3上穿过掩模UM。外围开口OP2可以围绕边缘区域A2。

当在平面中观看时，外围开口OP2可以在第一方向DR1和第二方向DR2上布置，然而，外围开口OP2的布置方向不应限于此或受此限制。

当在平面中观看时，外围开口OP2中的每一个可以具有大致正方形形状，然而，外围开口OP2的形状不应限于此或受此限制。作为示例，外围开口OP2中的形成在与边缘区域A2邻近的区域中的一些可以与设置在外围区域A3的内部的其它外围开口OP2具有不同的尺寸和形状。

根据实施例，当在平面中观看时，外围开口OP2的形状可以与沉积开口OP1的形状大致相同。此外，外围开口OP2中的每一个的尺寸可以与沉积开口OP1中的每一个的尺寸大致相同，然而，它不应限于此或受此限制。根据实施例，外围开口OP2可以具有与沉积开口OP1的形状和尺寸不同的形状和尺寸。这将在稍后详细描述。

如图3和图4A中所示，焊接区域WA可以是没有形成在第三方向DR3上穿过其的开口的区域。

在图示的实施例中，当在平面中观看时，掩模UM的沉积区域A1与边缘区域A2之间的边界表面被称为第一边界线IB，并且边缘区域A2与外围区域A3之间的边界表面被称为第二边界线OB。在图3中，第一边界线IB和第二边界线OB中的每一个由实线图示。

根据实施例，当在平面中观看时，第一边界线IB可以具有由在第二方向DR2上延伸的长边和在第一方向DR1上延伸的短边限定的大致矩形形状。长边与短边相交的拐角可以具有倒圆的形状或具备预定曲率的形状。然而，第一边界线IB的形状不应限于此或受此限制，并且可以根据待沉积的显示面板DP(参考图11)的形状而改变。

根据实施例，当在平面中观看时，第二边界线OB可以具有由在第二方向DR2上延伸的长边和在第一方向DR1上延伸的短边限定的大致矩形形状。长边与短边相交的拐角可以具有倒圆的形状或具备预定曲率的形状。根据实施例，第二边界线OB可以具有在保持预定宽度的同时围绕第一边界线IB的形状。因此，当在平面中观看时，边缘区域A2可以具有围绕沉积区域A1的闭合线形状。然而，第二边界线OB的形状不应限于此或受此限制，并且可以具有与第一边界线IB的形状不同的形状。

根据实施例，边缘区域A2可以具有在大约200微米与大约500微米之间的宽度。在边缘区域A2的宽度小于大约200微米的情况下，掩模UM的边缘区域A2可能不足以与开口掩模OM的内表面IS-M完全重叠，并且稍后描述的沉积图案EP(参考图4B)可能沉积在除了在其上提供发光图案的区域之外的区域上。

在边缘区域A2的宽度大于大约500微米的情况下，没有形成开口的区域可能增加，在边缘区域A2与磁性物质MM(参考图1)之间可能产生排斥力，并且因此，掩模组件MSA与基底基板BS之间的附着力可能减小。稍后将详细描述掩模组件MSA与基底基板BS之间的附着力。

图4B示出了掩模组件MSA以及设置在掩模组件MSA上的基底基板BS的截面。图4B中所示的截面可以与被包括在图2中所示的掩模组件MSA中的掩模UM当中的各个掩模UM中的一个的截面相对应。另外，在图4B中，从沉积源DS(参考图1)喷射的沉积材料EM由箭头图示。

掩模组件MSA可以包括框架FR、设置在框架FR上的开口掩模OM以及设置在开口掩模OM上的掩模UM。图4B中所示的掩模UM可以对应于参考图3和图4A描述的掩模UM。

根据实施例，掩模UM的大致整个沉积区域A1可以与形成为在第三方向DR3上穿过开口掩模OM的第一开口OP-M重叠。即，形成在沉积区域A1中的所有沉积开口OP1可以与第一开口OP-M重叠。整个沉积区域A1可以通过第一开口OP-M暴露而不被开口掩模OM覆盖。

此外，基底基板BS可以通过沉积开口OP1暴露而不被掩模UM覆盖。即，基底基板BS的与沉积开口OP1重叠的区域可以被暴露而不被掩模UM和开口掩模OM覆盖。因此，沉积材料EM可以在穿过掩模组件MSA的第一开口OP-M和沉积开口OP1之后沉积在基底基板BS上。

根据实施例，当在第三方向DR3上观看时，边缘区域A2的一部分可以与第一开口OP-M重叠。因此，边缘区域A2的该部分可以通过形成为穿过开口掩模OM的第一开口OP-M而暴露。

然而，由于在边缘区域A2中没有形成穿过掩模UM的开口，因此当从开口掩模OM的后侧观看时，基底基板BS的与边缘区域A2重叠的区域可以被掩模UM完全覆盖。因此，沉积材料EM可以不穿过掩模UM的边缘区域A2，并且因此，沉积材料EM可以不沉积在基底基板BS的与边缘区域A2重叠的区域上。

根据实施例，当在平面中观看时，基底基板BS的在其上沉积沉积材料EM的区域可以与沉积开口OP1重叠。在图示的实施例中，基底基板BS的在其上沉积沉积材料EM的区域被称为沉积图案EP。

根据图示的实施例，沉积图案EP可以分别与形成在沉积区域A1中的沉积开口OP1相对应。因此，沉积图案EP当中的设置在最外位置处的沉积图案EP可以通过沉积开口OP1当中的设置在与边缘区域A2邻近的最外位置处的开口OP-E(在下文中，被称为最外开口)来形成。

另一方面，在相关领域中，在沉积开口OP1形成在掩模UM的与第一开口OP-M重叠的整个区域中的情况下，由于沉积材料EM可以穿过位于与第一开口OP-M重叠的区中的沉积开口OP1，因此沉积材料EM穿过其的沉积开口OP1可以由第一开口OP-M确定。

由于遍及大的区域执行开口掩模OM的制造工艺，因此由于开口掩模OM的制造公差，可能产生第一开口OP-M的工艺公差。当在第一开口OP-M中产生工艺公差时，形成在基底基板BS上的沉积图案EP可能与预定的沉积图案(在下文中，被称为发光图案)不同。因此，由于第一开口OP-M的工艺公差，沉积图案EP可能形成有相对于发光图案的对准误差。

在这种情况下，显示面板DP(参考图11)的死空间可能具有由沉积图案EP与发光图案之间的误差确定的宽度。因此，在沉积图案EP由第一开口OP-M限定的情况下，沉积图案EP的精度低，因此对减小显示面板DP的死空间的宽度存在限制。

然而，在根据本发明的原理和图示的实施例构造的开口掩模OM中，由于掩模UM以显示面板DP的单元为单位制造，因此掩模UM的制造精度可以高于开口掩模OM的制造精度。详细地，沉积开口OP1的工艺公差可以是第一开口OP-M的工艺公差的大约10％。

具体地，如本文中所描述的，由于掩模UM包括在其中没有形成开口的边缘区域A2并且限定第一开口OP-M的内表面IS-M与边缘区域A2重叠，因此形成沉积图案EP的位置可以由掩模UM的沉积开口OP1确定，并且可以不受第一开口OP-M的工艺公差影响。因此，可以提供提高了沉积图案EP的精度的掩模UM，并且因此，可以减小显示面板DP(参考图11)的死空间的宽度。

根据图示的实施例，在平面中，边缘区域A2的宽度可以被限定为第一边界线IB(参考图3)与第二边界线OB(参考图3)之间的最小距离，并且第一边界线IB的位置和第二边界线OB的位置可以由第一开口OP-M的工艺公差确定。

例如，第一边界线IB可以设置在参考图2描述的形成为穿过一个开口掩模OM的第一开口OP-M当中的具有最小尺寸的第一开口OP-M的内表面IS-M的内部，或者可以设置为与形成为穿过一个开口掩模OM的第一开口OP-M当中的具有最小尺寸的第一开口OP-M的内表面IS-M对准。

此外，第二边界线OB可以设置在参考图2描述的形成为穿过一个开口掩模OM的第一开口OP-M当中的具有最大尺寸的第一开口OP-M的内表面IS-M的外部，或者可以设置为与形成为穿过一个开口掩模OM的第一开口OP-M当中的具有最大尺寸的第一开口OP-M的内表面IS-M对准。

因此，当在平面中观看时，即使由于工艺公差导致具有不同尺寸的第一开口OP-M形成为穿过一个开口掩模OM，限定第一开口OP-M的内表面IS-M也可以与边缘区域A2完全重叠。

因此，可以防止开口掩模OM覆盖沉积区域A1的一部分，并且因此，可以防止在其中未沉积沉积材料EM的部分形成在基底基板BS的与沉积开口OP1重叠的区域中。此外，可以防止外围区域A3的一部分通过第一开口OP-M暴露而不被开口掩模OM覆盖，并且因此，可以减少或防止由沉积在基底基板BS内的除了预设的区之外的区上的沉积材料EM所引起的沉积可靠性的降低。

根据实施例，整个外围区域A3可以在第三方向DR3上不与第一开口OP-M重叠。当从开口掩模OM的后侧观看时，外围区域A3可以被开口掩模OM覆盖。即，形成在外围区域A3中的所有外围开口OP2可以被开口掩模OM覆盖。因此，沉积材料EM可以不穿过掩模UM的外围区域A3，并且因此，沉积材料EM可以不沉积在基底基板BS的与外围区域A3重叠的区域上。

当因为掩模组件MSA与基底基板BS彼此之间没有紧密接触而在它们之间形成空间时，可能在与沉积区域A1的限定沉积开口OP1的内表面邻近的区域中出现在其中沉积材料EM未充分沉积的阴影区域。

外围区域A3可以通过针对掩模UM限定具有特定图案的外围开口OP2来防止在掩模组件MSA与磁性物质MM(参考图1)之间产生排斥力。因此，可以增加基底基板BS与掩模组件MSA之间的耦合力。

根据图示的实施例，可以减小在掩模组件MSA与磁性物质MM之间产生的排斥力，并且可以增加掩模组件MSA与基底基板BS之间的附着力。因此，可以减少阴影区域，可以提高沉积图案EP中的每一个的精度，并且可以改善显示面板DP(参考图11)的显示质量。

图5是图1的沉积设备EDA的一部分的另一实施例的截面图。与图4B的实施例相比，不同之处在于，副开口OP-S形成在边缘区域A2-1中。在图5中，相同的/相似的附图标记指代图1至图4B中的相同的/相似的元件，并且因此，将省略相同的/相似的元件的详细描述以避免重复。

参考图5，掩模组件MSA可以包括框架FR、开口掩模OM和掩模UM-1。掩模UM-1可以包括沉积区域A1、边缘区域A2-1、外围区域A3和焊接区域WA。

根据实施例，在边缘区域A2-1中，副开口OP-S可以形成为沿着第三方向DR3穿过掩模UM-1。副开口OP-S可以围绕沉积开口OP1当中的与边缘区域A2-1邻近的最外开口OP-E。

副开口OP-S中的每一个可以在第一方向DR1上与最外开口OP-E当中的与该副开口OP-S邻近的一个最外开口OP-E间隔开。在这种情况下，最外开口OP-E和与最外开口OP-E邻近的副开口OP-S之间的间距d1可以与沉积开口OP1之间的间距d2大致相同。

然而，图示的实施例不应限于此或受此限制，并且在第一方向DR1上布置的两个副开口OP-S可以在第一方向DR1或者与第一方向DR1相反的方向上与最外开口OP-E间隔开。

副开口OP-S可以具有与形成在沉积区域A1中的沉积开口OP1的形状大致相同的形状。此外，副开口OP-S当中的彼此邻近的副开口OP-S之间的间距可以与沉积开口OP1当中的彼此邻近的沉积开口OP1之间的间距d2大致相同。

当掩模UM被图案化时，被包括在沉积区域A1中的沉积开口OP1当中的最外开口OP-E的蚀刻准确度可能略低于设置在沉积区域A1的内部的沉积开口OP1的蚀刻准确度。

根据图示的实施例，由于副开口OP-S形成为围绕最外开口OP-E，因此最外开口OP-E可以以与位于沉积区域A1的内部的沉积开口OP1基本一致的蚀刻准确度来蚀刻。因此，形成在沉积区域A1中的沉积开口OP1可以在基本一致的条件下被图案化，而与沉积开口OP1的位置无关。因此，可以改善掩模UM-1的可靠性。

在图5中，边缘区域A2-1的副开口OP-S被描述为形成为在第三方向DR3上穿过掩模UM-1，然而，它们不应限于此或受此限制。根据实施例，副开口OP-S中的至少一个可以以通过沿着第三方向DR3去除掩模UM-1的一部分而获得的凹槽的形式提供。

图6是沿着图3的线I-I’截取的另一实施例的截面图。与图4A的实施例相比，不同之处在于，边缘凹槽GR形成在边缘区域A2-2中。在图6中，相同的/相似的附图标记指代图1至图4B中的相同的/相似的元件，并且因此，将省略相同的/相似的元件的详细描述以避免重复。

参考图6，掩模UM-2可以包括沉积区域A1、边缘区域A2-2、外围区域A3和焊接区域WA。

根据实施例，通过沿着第三方向DR3去除掩模UM-2的一部分而形成的边缘凹槽GR可以形成在边缘区域A2-2中。作为示例，边缘凹槽GR可以通过在向上方向上从掩模UM-2的后表面去除掩模UM-2的一部分来形成。

根据实施例，边缘凹槽GR的深度Dp可以遍及边缘区域A2-2的整个区域大致恒定，然而，它不应被具体限制。根据实施例，边缘凹槽GR的深度Dp可以根据边缘区域A2-2中的位置而改变。

根据实施例，边缘凹槽GR可以在掩模UM-2中遍及整个边缘区域A2-2形成，然而，它不应限于此或受此限制。根据实施例，边缘凹槽GR可以在掩模UM-2中形成在边缘区域A2-2的一部分中，或者多个边缘凹槽GR可以在掩模UM-2中形成在边缘区域A2-2中。

根据实施例，掩模UM-2的在边缘区域A2-2中的厚度D1可以小于掩模UM-2的在沉积区域A1中的厚度D2。因此，尽管拉伸力在第一方向DR1和第二方向DR2上施加到掩模UM-2以将掩模UM-2焊接到开口掩模OM(参考图2)，但是可以防止掩模UM-2由于拉伸力而损坏。

图7A是被包括在图2中的掩模组件MSA中的各个掩模UM-3A的第二实施例的平面图。图7B是被包括在图2中的掩模组件MSA中的各个掩模UM-3B的第三实施例的平面图。在图7A和图7B中，相同的/相似的附图标记指代图1至图4B中的相同的/相似的元件，并且因此，将省略相同的/相似的元件的详细描述以避免重复。

参考图7A，掩模UM-3A可以包括沉积区域A1-3A、边缘区域A2-3A、外围区域A3和焊接区域WA。在图示的实施例中，第一边界线IB-A可以是沉积区域A1-3A与边缘区域A2-3A相接触的边界表面。

当在平面中观看时，第一边界线IB-A可以包括朝向沉积区域A1-3A突出的部分P1(在下文中，被称为第一突出部分)。即，当在平面中观看时，边缘区域A2-3A的一部分可以包括突出部分。

因此，沉积材料EM(参考图1)可以不穿过边缘区域A2-3A的突出部分。因此，在使用掩模UM-3A对显示面板DP(参考图11)执行沉积工艺的情况下，当在平面中观看时，显示区域DA(参考图11)可以具有凹进部分。电子模块可以设置在凹进部分中。

根据实施例，当在平面中观看时，第一边界线IB-A的第一突出部分P1可以具有半圆形形状，然而，第一边界线IB-A的形状不应被具体限制。

参考图7B，掩模UM-3B可以包括沉积区域A1-3B、边缘区域A2-3B、外围区域A3-3B和焊接区域WA。在图示的实施例中，第一边界线IB-B可以是沉积区域A1-3B与边缘区域A2-3B相接触的边界表面。第二边界线OB-B可以是边缘区域A2-3B与外围区域A3-3B相接触的边界表面。

当在平面中观看时，第一边界线IB-B可以包括朝向沉积区域A1-3B突出的部分P1(在下文中，被称为第一突出部分)。当在平面中观看时，第二边界线OB-B可以包括朝向沉积区域A1-3B突出的部分P2(在下文中，被称为第二突出部分)。

根据实施例，第二边界线OB-B的第二突出部分P2可以与第一边界线IB-B的第一突出部分P1相对应。作为示例，第二边界线OB-B的第二突出部分P2和第一边界线IB-B的第一突出部分P1可以在大致相同的方向上布置，并且可以具有大致相同的形状。

根据实施例，在第一边界线IB-B包括第一突出部分P1的情况下，第二边界线OB-B可以包括与第一突出部分P1相对应的第二突出部分P2。因此，在掩模UM-3B中，在其中没有形成开口的部分的宽度可以不增加。即，当在平面中观看时，边缘区域A2-3B的一部分可以包括凹进部分，并且外围区域A3-3B的一部分可以包括与边缘区域A2-3B的凹进部分突出得一样多的部分。

因此，可以减小掩模组件MSA(参考图1)与磁性物质MM(参考图1)之间的排斥力，并且可以防止由于掩模组件MSA与基底基板BS(参考图1)之间的分离而导致的沉积精度的劣化。

图8是被包括在图2中的掩模组件MSA中的各个掩模UM-4的第四实施例的平面图。在图8中，相同的/相似的附图标记指代图1至图4B中的相同的/相似的元件，并且因此，将省略相同的/相似的元件的详细描述以避免重复。

参考图8，掩模UM-4可以包括沉积区域A1、边缘区域A2、外围区域A3和焊接区域WA。掩模UM-4可以进一步包括被沉积区域A1围绕的非沉积区域NEA。

非沉积区域NEA可以是没有形成在第三方向DR3上穿过其的开口的区域。因此，沉积材料EM(参考图1)可以不穿过非沉积区域NEA。

当使用掩模UM-4时，可以提供被显示区域DA(参考图11)围绕的非显示区域。电子模块可以设置在该非显示区域中。

根据实施例，当在平面中观看时，非沉积区域NEA可以具有圆形形状，然而，非沉积区域NEA的形状不应被具体限制。作为示例，当在平面中观看时，非沉积区域NEA可以具有多种形状，诸如椭圆形形状、多边形形状等。

图9是被包括在图2中的掩模组件MSA中的各个掩模UM-5的第五实施例的平面图。在图9中，相同的/相似的附图标记指代图1至图4B中的相同的/相似的元件，并且因此，将省略相同的/相似的元件的详细描述以避免重复。

参考图9，掩模UM-5可以包括沉积区域A1、边缘区域A2、外围区域A3和焊接区域WA。掩模UM-5可以进一步包括被沉积区域A1围绕的模块区域MDA。

在模块区域MDA中，模块开口OP-MD可以形成为在第三方向DR3上穿过掩模UM-5。

根据实施例，模块开口OP-MD可以具有与沉积开口OP1的形状不同的形状。如图9中所示，当在平面中观看时，沉积开口OP1中的每一个可以具有大致正方形形状，并且当在平面中观看时，模块开口OP-MD中的每一个可以具有菱形形状，然而，它们不应限于此或受此限制。

根据实施例，模块开口OP-MD当中的彼此邻近的模块开口OP-MD之间的间距可以不同于沉积开口OP1当中的彼此邻近的沉积开口OP1之间的间距。

当使用掩模UM-5时，显示区域DA(参考图11)的由模块区域MDA形成的部分可以具有比显示区域DA的由沉积区域区A1形成的部分的透射率高的透射率。电子模块可以设置为与显示区域DA的由模块区域MDA形成的部分重叠。

图10A是被包括在图2中的掩模组件MSA中的各个掩模UM-6A的第六实施例的平面图。图10B是被包括在图2中的掩模组件MSA中的各个掩模UM-6B的第七实施例的平面图。在图10A和图10B中，相同的/相似的附图标记指代图1至图4B中的相同的/相似的元件，并且因此，将省略相同的/相似的元件的详细描述以避免重复。

参考图10A，掩模UM-6A可以包括沉积区域A1、边缘区域A2、外围区域A3和焊接区域WA。沉积开口OP1-A可以形成在沉积区域A1中，并且外围开口OP2-A可以形成在外围区域A3中。

根据实施例，形成在沉积区域A1中的沉积开口OP1-A中的每一个可以具有与形成在外围区域A3中的外围开口OP2-A中的每一个的尺寸不同的尺寸。

此外，沉积开口OP1-A当中的彼此邻近的沉积开口OP1-A之间的间距可以不同于外围开口OP2-A当中的彼此邻近的外围开口OP2-A之间的间距。

在图10A中，外围开口OP2-A中的每一个的尺寸大于沉积开口OP1-A中的每一个的尺寸，然而，它不应限于此或受此限制。根据实施例，外围开口OP2-A中的每一个的尺寸可以小于沉积开口OP1-A中的每一个的尺寸。

此外，在图10A中，彼此邻近的外围开口OP2-A之间的间距大于彼此邻近的沉积开口OP1-A之间的间距，然而，它不应限于此或受此限制。根据实施例，彼此邻近的外围开口OP2-A之间的间距可以小于彼此邻近的沉积开口OP1-A之间的间距。

此外，根据实施例，沉积开口OP1-A中的每一个的尺寸可以不同于外围开口OP2-A中的每一个的尺寸，并且彼此邻近的沉积开口OP1-A之间的间距可以与彼此邻近的外围开口OP2-A之间的间距大致相同。根据实施例，沉积开口OP1-A中的每一个的尺寸可以与外围开口OP2-A中的每一个的尺寸大致相同，并且彼此邻近的沉积开口OP1-A之间的间距可以不同于彼此邻近的外围开口OP2-A之间的间距。

根据实施例，沉积开口OP1-A中的每一个的尺寸以及彼此邻近的沉积开口OP1-A之间的间距可以根据发光图案中的每一个的预定的尺寸和布置方式来确定。

然而，外围开口OP2-A中的每一个的尺寸以及彼此邻近的外围开口OP2-A之间的间距不会对发光图案的尺寸和布置方式产生影响。

因此，外围开口OP2-A中的每一个的尺寸以及彼此邻近的外围开口OP2-A之间的间距不应被具体限制，只要当掩模UM-6A被焊接到开口掩模OM(参考图2)时可以将施加到掩模UM-6A的拉伸力传递到掩模UM-6A的内侧或者可以减小由拉伸力对掩模UM-6A造成的损坏即可。此外，外围开口OP2-A中的每一个的尺寸以及彼此邻近的外围开口OP2-A之间的间距不应被具体限制，只要可以减小在掩模组件MSA(参考图1)与磁性物质MM(参考图1)之间产生的排斥力即可。

参考图10B，掩模UM-6B可以包括沉积区域A1、边缘区域A2、外围区域A3和焊接区域WA。沉积开口OP1-B可以形成在沉积区域A1中，并且外围开口OP2-B可以形成在外围区域A3中。

根据实施例，形成在沉积区域A1中的沉积开口OP1-B可以具有与形成在外围区域A3中的外围开口OP2-B的形状不同的形状。

在图10B中，当在平面中观看时，沉积开口OP1-B中的每一个可以具有大致正方形形状，并且当在平面中观看时，外围开口OP2-B中的每一个可以具有圆形形状，然而，沉积开口OP1-B的形状和外围开口OP2-B的形状不应被具体限制。

作为示例，沉积开口OP1-B的形状可以根据沉积材料EM(参考图1)沉积于其的显示面板DP(参考图11)的发光图案的形状而改变。外围开口OP2-B的形状不应被具体限制，只要可以将施加到掩模UM-6B的拉伸力传递到掩模UM-6B的内侧、可以减小由拉伸力对掩模UM-6B造成的损坏或者可以减小在掩模组件MSA(参考图1)与磁性物质MM(参考图1)之间产生的排斥力即可。

图11是根据本发明的原理构造的显示面板DP的平面图，并且图12是图11的显示面板DP的截面图。

图11中所示的显示面板DP可以是发光型显示面板。显示面板DP可以是无机发光显示面板和有机发光显示面板中的一种，然而，它不应被具体限制。

显示面板DP可以包括显示区域DA和非显示区域NDA。像素PX可以设置在显示区域DA中，并且可以不设置在非显示区域NDA中。可以沿着显示面板DP的边缘限定非显示区域NDA。非显示区域NDA可以围绕显示区域DA。

根据图示的实施例，非显示区域NDA可以对应于参考图4B描述的死空间。因此，随着沉积精度增加，可以减小非显示区域NDA的宽度。

由于掩模UM(参考图2)的制造精度高并且在其中沉积沉积材料EM(参考图1)的区域由形成为穿过掩模UM的沉积开口OP1(参考图3)确定，因此即使没有减小形成为穿过开口掩模OM(参考图2)的第一开口OP-M(参考图2)的工艺公差，也可以改善沉积精度。因此，可以减小显示面板DP的非显示区域NDA的宽度。

参考图12，显示面板DP可以包括基底层BL、设置在基底层BL上的电路元件层DP-CL、设置在电路元件层DP-CL上的显示元件层DP-OLED以及设置在显示元件层DP-OLED上的封装层TFL。

基底层BL可以是玻璃基板、金属基板或聚合物基板，然而，它不应限于此或受此限制。基底层BL可以包括无机层、有机层或者有机复合材料层/无机复合材料层。

电路元件层DP-CL可以包括电路元件以及至少一个绝缘层。电路元件可以包括信号线以及像素PX(参考图11)的驱动电路。电路元件层DP-CL可以通过使用涂布工艺或沉积工艺形成绝缘层、半导体层和导电层并且使用光刻工艺对绝缘层、半导体层和导电层进行图案化来形成。

显示元件层DP-OLED可以包括像素限定层PDL和发光元件OLED。发光元件OLED可以是有机发光二极管或量子点发光二极管。

第一电极AE可以设置在电路元件层DP-CL上。像素限定层PDL可以具有形成为穿过像素限定层PDL的开口OP，以使第一电极AE的至少一部分暴露。像素限定层PDL的开口OP可以限定发光区域LA。非发光区域NLA可以围绕发光区域LA。

空穴控制层HCL、电子控制层ECL和第二电极CE可以公共地设置在发光区域LA和非发光区域NLA中。空穴控制层HCL和电子控制层ECL可以使用与掩模组件MSA(参考图2)不同的掩模来公共地形成在像素PX(参考图11)中。

发光层EML可以被图案化以与开口OP相对应。具有预定形状的发光层EML可以使用以上描述的掩模组件MSA(参考图2)来形成。

然而，图示的实施例不应限于以上描述的实施例，并且显示面板DP的任何部件都可以使用沉积设备EDA(参考图1)来形成，只要该部件能够通过掩模组件MSA(参考图1)沉积即可。

封装层TFL可以设置在发光元件OLED上。封装层TFL可以包括多个薄层。薄层可以包括无机层和有机层。封装层TFL可以包括用于封装显示元件层DP-OLED的绝缘层以及用于改善发光效率的绝缘层。

尽管本文中已经描述了特定的实施例和实施方式，但是其它实施例和修改将根据本说明书而显而易见。因此，本发明构思不限于此类实施例，而是限于所附权利要求的更宽泛的范围以及对于本领域普通技术人员将是显而易见的各种明显的修改和等同布置。

Claims (10)

1.一种掩模组件，包括：

第一掩模，具有第一开口；以及

至少一个第二掩模，设置在所述第一掩模上，所述至少一个第二掩模中的每一个包括具有第二开口的沉积区域、围绕所述沉积区域的内区域和围绕所述内区域的具有第三开口的外区域，

其中，内表面限定所述第一开口，当在平面中观看时，限定所述内表面的外边界的线与所述内区域重叠。

2.根据权利要求1所述的掩模组件，其中，

当在所述平面中观看时，所述内区域具有闭合线形状。

3.根据权利要求1所述的掩模组件，其中，

当从所述第一掩模的后侧观看时，所述第三开口被所述第一掩模覆盖。

4.根据权利要求1所述的掩模组件，其中，

所述第二开口中的每一个具有与所述第三开口中的每一个的尺寸不同的尺寸。

5.根据权利要求1所述的掩模组件，其中，

所述第二开口当中的彼此邻近的所述第二开口之间的间距不同于所述第三开口当中的彼此邻近的所述第三开口之间的间距。

6.根据权利要求1所述的掩模组件，其中，

当在所述平面中观看时，所述沉积区域与所述内区域之间的边界被定义为第一边界线，所述内区域与所述外区域之间的边界被定义为第二边界线，并且所述第一边界线包括朝向所述沉积区域突出的部分。

7.根据权利要求6所述的掩模组件，其中，

所述第二边界线包括朝向所述沉积区域突出以与所述第一边界线的突出的所述部分相对应的部分。

8.根据权利要求1所述的掩模组件，进一步包括：

非沉积区域，被所述沉积区域围绕。

9.根据权利要求1所述的掩模组件，其中，

所述第二掩模在所述内区域的至少一部分中具有比所述第二掩模的在所述沉积区域中的厚度小的厚度。

10.根据权利要求1至5中的任一项所述的掩模组件，其中，

所述内区域具有副开口，所述副开口围绕所述第二开口当中的最靠近所述内区域的最外第二开口。

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