CN115967271A - 一种可调节电压的电荷泵电路及设备 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种可调节电压的电荷泵电路及设备，电路包括：倍压模块、增压模块和电压输出模块，所述倍压模块、所述增压模块和所述电压输出模块均与所述时钟模块连接，所述倍压模块与所述增压模块连接，所述倍压模块基于所述时钟信号生成倍压信号，并向所述增压模块输出所述倍压信号，所述增压模块根据所述时钟信号和所述倍压信号生成增压信号，并向所述电压输出模块输出所述增压信号，所述电压输出模块根据所述时钟信号和所述增压信号生成输出信号。本申请具有电路输出信号具有更大的电压范围，且电路输出信号的调节范围更具灵活性的效果。
Description
技术领域
本发明属于电荷泵技术领域，具体是涉及到一种可调节电压的电荷泵电路及设备。
背景技术
随着工艺的发展，系统应用逐渐向低电源电压上靠近，且电路和系统设计向深亚微米迁移，通常在这种工艺下电源电压会减少到1.5V或者更少。因为在许多低电源电压和开关电容等系统中需要高压来驱动模拟开关。所以需要电荷泵回路来获得高于电源电压的DC直流电压。
相关技术中，通常采用传统的倍增式电荷泵获得高于电源电压的DC直流电压，传统的倍增式电荷泵中包括产生交替时钟信号的时钟电路、两个用于滤波的电容以及两个NMOS管，由于电荷泵电路的工作原理受到元件的精度限制，因此输出电压范围会基于时钟信号的电压范围受到限制。此外，由于电荷泵电路是一种有源电路，它的输出受到输入端参数(如电容、电阻等)和输入电压的影响。由于这些参数都是固定的，因此电荷泵电路的输出电压调节范围也就受到限制。
发明内容
本发明提供一种可调节电压的电荷泵电路及设备。
第一方面，本发明提供一种可调节电压的电荷泵电路，所述电路包括用于提供时钟信号的时钟模块，所述电路还包括：倍压模块、增压模块和电压输出模块，所述倍压模块、所述增压模块和所述电压输出模块均与所述时钟模块连接，所述倍压模块与所述增压模块连接，所述倍压模块基于所述时钟信号生成倍压信号，并向所述增压模块输出所述倍压信号，所述增压模块根据所述时钟信号和所述倍压信号生成增压信号，并向所述电压输出模块输出所述增压信号，所述电压输出模块根据所述时钟信号和所述增压信号生成输出信号，所述输出信号的电压范围大于所述时钟信号电压范围的两倍。
可选的，所述倍压模块包括第一倍压电荷泵单元和倍压辅助单元，所述第一倍压电荷泵单元与所述倍压辅助单元连接，所述倍压辅助单元与所述增压模块连接，所述第一倍压电荷泵单元和所述倍压辅助单元基于所述时钟信号生成所述倍压信号，所述倍压辅助单元将所述倍压信号输出至所述增压模块。
可选的，所述第一倍压电荷泵单元包括电容器C1、电容器C2、电容器C3、电容器C4、NMOS管M1、NMOS管M2、NMOS管M3和NMOS管M4，所述电容器C1和所述电容器C4的一端均与所述时钟模块的一端连接，所述电容器C2和所述电容器C3的一端均与所述时钟模块的另一端连接，所述电容器C1的另一端与所述NMOS管M1的源极以及所述NMOS管M2的栅极连接，所述电容器C2的另一端与所述NMOS管M1的栅极以及所述NMOS管M2的源极连接，所述电容器C3的另一端与所述NMOS管M3的源极以及所述NMOS管M4的栅极连接，所述电容器C4的另一端与所述NMOS管M3的栅极以及所述NMOS管M4的源极连接，所述NMOS管M1的漏极、所述NMOS管M2的漏极和栅极、所述NMOS管M3的漏极以及所述NMOS管M4的漏极和栅极均与所述倍压辅助单元连接。
可选的，所述倍压辅助单元包括电容器C5、电容器C6、NMOS管M5和NMOS管M6，所述NMOS管M5的栅极与所述NMOS管M4的栅极连接，所述NMOS管M6的栅极与所述NMOS管M2的栅极连接，所述NMOS管M1、所述NMOS管M2、所述NMOS管M3、所述NMOS管M4、所述NMOS管M5和所述NMOS管M6的漏极串联连接，所述NMOS管M5的源极与所述电容器C5的一端以及所述增压模块连接，所述NMOS管M6的源极与所述电容器C6的一端以及所述增压模块连接，所述电容器C5的另一端与所述时钟模块的一端连接，所述电容器C6的另一端与所述时钟模 块的另一端以及所述增压模块连接。
可选的，所述倍压模块包括第二倍压电荷泵单元和反相单元，所述第二倍压电荷泵单元与所述反相单元连接，所述反相单元与所述增压模块连接，所述第二倍压电荷泵单元基于所述时钟信号生成所述倍压信号，所述反相单元对所述倍压信号进行反相处理，并将反相处理后的所述倍压信号输出至所述增压模块。
可选的，所述第二倍压电荷泵单元包括电容器C1、电容器C2、PMOS管M1和PMOS管M2，所述电容器C1与所述时钟模块的一端连接，所述电容器C2与所述时钟模块的另一端连接，所述电容器C1的另一端与所述PMOS管M1的漏极以及所述PMOS管M2的栅极连接，所述电容器C2的另一端与所述PMOS管M1的栅极以及所述PMOS管M2的漏极连接，所述PMOS管M2的漏极和源极，以及所述PMOS管M1的源极均与所述反相单元连接。
可选的，所述反相单元包括PMOS管M3、NMOS管M4、PMOS管M5、NMOS管M6、PMOS管M7和NMOS管M8，所述PMOS管M1、PMOS管M2、PMOS管M3、PMOS管M5和PMOS管M7的源极串联连接，所述PMOS管M2的漏极与所述PMOS管M3以及所述NMOS管M4的栅极连接，所述PMOS管M3和所述NMOS管M4的漏极均连接于所述PMOS管M5和所述NMOS管M6的栅极，所述PMOS管M5和所述NMOS管M6的漏极均连接于所述PMOS管M7和所述NMOS管M8的栅极，所述PMOS管M7和所述NMOS管M8的漏极，以及所述NMOS管M4、NMOS管M6和所述NMOS管M8的源极均与所述增压模块连接。
可选的，所述增压模块包括PMOS管m1和NMOS管m2，所述PMOS管m1的栅极输入有第一基准电压，所述NMOS管m2的栅极输入有第二基准电压，所述PMOS管M7和所述NMOS管M8的漏极均与所述PMOS管m1的源极连接，所述NMOS管M4、NMOS管M6和所述NMOS管M8的源极均与NMOS管m2的源极连接，所述NMOS管m2的源极还与所述时钟模块的一端连接，所述PMOS管m1和所述NMOS管m2的漏极均与所述电压输出模块连接。
可选的，所述电压输出模块包括电容器c1、电容器c2、NMOS管m3和NMOS管m4，所述PMOS管m1和所述NMOS管m2的漏极均与所述电容器c1的一端连接，所述电容器c1的另一端与所述NMOS管m3的源极以及所述NMOS管m4的栅极连接，所述电容器c2的一端与所述时钟模块的一端连接，所述电容器c2的另一端与所述NMOS管m3的栅极以及所述NMOS管m4的源极连接，所述NMOS管m3的漏极与所述NMOS管m4的漏极连接，所述NMOS管m4的栅极用于输出所述输出信号。
第二方面，本发明还提供一种电荷泵设备，所述设备包括第一方面中所述的一种可调节电压的电荷泵电路。
本发明的有益效果是：本发明中的电路包括倍压模块、增压模块和电压输出模块，所述倍压模块、所述增压模块和所述电压输出模块均与所述时钟模块连接，所述倍压模块与所述增压模块连接，所述倍压模块基于所述时钟信号生成倍压信号，并向所述增压模块输出所述倍压信号，所述增压模块根据所述时钟信号和所述倍压信号生成增压信号，并向所述电压输出模块输出所述增压信号，所述电压输出模块根据所述时钟信号和所述增压信号生成输出信号，通过倍压模块对信号的倍压处理以及增压模块对信号的增压处理，所输出的输出信号具有更大的电压范围，且电压范围将会大于所述时钟信号电压范围的两倍。由于电路中模块的增多，可调参数增多，因此电路输出信号的调节范围也更具灵活性。
附图说明
图1为本申请其中一种实施方式中可调节电压的电荷泵电路的电路示意图一。
图2为本申请其中一种实施方式中时钟模块所提供时钟信号的信号时序图。
图3为本申请其中一种实施方式中电容器C5和C6的电压时序图。
图4为本申请其中一种实施方式中可调节电压的电荷泵电路的电路示意图二。
附图标记说明：
1、倍压模块；11、第一倍压电荷泵单元；12、倍压辅助单元；13、第二倍压电荷泵单元；14、反向单元；3、增压模块；4、电压输出模块。
具体实施方式
本发明公开一种可调节电压的电荷泵电路。
在其中一种实施方式中，参照图1，可调节电压的电荷泵电路包括用于提供时钟信号的时钟模块，在本实施方式中，参照图2，时钟模块可以提供两相非交叠时钟信号，即CLKP和CLKN，时钟模块所提供的时钟信号的电压范围为0~AVDD。电路还包括倍压模块1、增压模块3和电压输出模块4，倍压模块1、增压模块3和电压输出模块4均与时钟模块连接，倍压模块1与增压模块3连接，倍压模块1基于时钟信号生成倍压信号，并向增压模块3输出倍压信号，增压模块3根据时钟信号和倍压信号生成增压信号，并向电压输出模块4输出增压信号，电压输出模块4根据时钟信号和增压信号生成输出信号。
在本实施方式中，参照图1，倍压模块1包括第一倍压电荷泵单元11和倍压辅助单元12，其中，第一倍压电荷泵单元11包括两组倍增式电荷泵单元，具体包括电容器C1、电容器C2、电容器C3、电容器C4、NMOS管M1、NMOS管M2、NMOS管M3和NMOS管M4，电容器C1和电容器C4的一端均与时钟模块的CLKP端连接，电容器C2和电容器C3的一端均与时钟模块的CLKN端连接，电容器C1的另一端与NMOS管M1的源极以及NMOS管M2的栅极连接，电容器C2的另一端与NMOS管M1的栅极以及NMOS管M2的源极连接，电容器C3的另一端与NMOS管M3的源极以及NMOS管M4的栅极连接，电容器C4的另一端与NMOS管M3的栅极以及NMOS管M4的源极连接，NMOS管M1的漏极、NMOS管M2的漏极和栅极、NMOS管M3的漏极以及NMOS管M4的漏极和栅极均与倍压辅助单元12连接。
第一倍压电荷泵单元11中，当时钟信号CLKP和CLKN分别穿过电容器C1和C2时，电容器C1会充电，而电容器C2会放电，从而产生一个正压差；当时钟信号CLKP和CLKN分别穿过电容器C3和C4时，电容器C3会充电，而电容器C4会放电，从而产生一个负压差。因此，第一倍压电荷泵单元11可以产生电压为VB1的初始倍压信号，并输出至倍压辅助单元12。
在本实施方式中，参照图1，倍压辅助单元12具体包括电容器C5、电容器C6、NMOS管M5和NMOS管M6，NMOS管M5的栅极与NMOS管M4的栅极连接，NMOS管M6的栅极与NMOS管M2的栅极连接，NMOS管M1、NMOS管M2、NMOS管M3、NMOS管M4、NMOS管M5和NMOS管M6的漏极串联连接，NMOS管M5的源极与电容器C5的一端以及增压模块3连接，NMOS管M6的源极与电容器C6的一端以及增压模块3连接，电容器C5的另一端与时钟模块的CLKP端连接，电容器C6的另一端与时钟模块的CLKN端以及增压模块3连接。参照图3，在倍压辅助单元12中，通过第一倍压电荷泵单元11输出的初始倍压信号以及时钟信号，可以将电容器C5和电容器C6的上极板电压充电到VB1至AVDD+VB1。
在本实施方式中，参照图1，增压模块3包括PMOS管m1和NMOS管m2，PMOS管m1的栅极输入有第一基准电压，第一基准电压在本实施方式中由倍压辅助单元12输出，PMOS管m1的栅极与NMOS管M5的源极连接，PMOS管m1的源极与NMOS管M6的源极连接，电容器C6与时钟模块连接的一端还与NMOS管m2的源极连接，因此本实施方式中第一基准电压的电压范围为VB1至AVDD+VB1。NMOS管m2的栅极输入有第二基准电压，在本实施方式中第二基准电压通过电源输入，输入的电压大小为时钟模块所输出信号的最大电压，PMOS管M7和NMOS管M8的漏极均与PMOS管m1的源极连接，NMOS管M4、NMOS管M6和NMOS管M8的源极均与NMOS管m2的源极连接，NMOS管m2的源极还与时钟模块的一端连接，PMOS管m1和NMOS管m2的漏极均与电压输出模块4连接。
因此，在本实施方式中，当时钟模块中CLKN信号为高电平时，电容器C5的上极板，即PMOS管m1栅极电压为AVDD+VB1，且电容器C6上极板，即PMOS管m1源极电压为VB1，PMOS管m1栅极与源极的电压差为AVDD，大于PMOS管m1的阈值电压，因此PMOS管m1导通，但NMOS管m2栅极与源极之间的电压差小于NMOS管m2的阈值电压，因此NMOS管m2不导通，此时会通过PMOS管m1将电容器C6上极板电压AVDD+VB1作为增压信号输出至电压输出模块4。
同理，当CLKN信号为低电平时，PMOS管m1的阈值电压大于PMOS管m1栅极源极之间的电压差，因此PMOS管m1不导通，但NMOS管m2导通，由于NMOS管m2的阈值电压为0，因此电路中的压差会被抵消，从而将输出至电压输出模块4的增压信号的电压变为0。此外，由于在这种情况下PMOS管m1不导通，也不会对电路中的电压产生影响，因此，此时输出至电压输出模块4的增压信号电压为0，所以在本实施方式中，通过增压模块3所输出的增压信号的电压范围为0至AVDD+VB1。
在本实施方式中，参照图1，电压输出模块4包括电容器c1、电容器c2、NMOS管m3和NMOS管m4，PMOS管m1和NMOS管m2的漏极均与电容器c1的一端连接，电容器c1的另一端与NMOS管m3的源极以及NMOS管m4的栅极连接，电容器c2的一端与时钟模块的CLKP端连接，电容器c2的另一端与NMOS管m3的栅极以及NMOS管m4的源极连接，NMOS管m3的漏极与NMOS管m4的漏极连接，NMOS管m4的栅极用于输出输出信号。
结合上述描述可知，在本实施方式中，电容器c1所接收到的增压信号的时序与时钟信号CLKN的时序相同，因此电容器c1所接收到的增压信号和电容器c2处的CLKP端形成两相非交叠时钟。因此，当增压信号，即电容器c1下极板电压为0时，CLKP信号大小为AVDD，故而导致NMOS管m4不导通，NMOS管m3导通。假设NMOS管m3和NMOS管m4漏极之间的电压为VB，则电容器c1上的电压将会充电至VB，电容器c2上级板的电压将会变为AVDD+VB，此时，NMOS管m4栅极处的输出信号OUT将会保持在VB。
同理，当增压信号，即电容器c1下极板电压为AVDD+VB1时，NMOS管m3不导通，NMOS管m4导通，电容器c1上极板电压为VB+VB1+AVD，电容器c2上级板电压变为VB。此时，NMOS管m4栅极处的输出信号OUT将会保持在VB+VB1+AVD。因此，输出信号OUT的电压范围为VB-VB+VB1+AVDD，电容器c2上极板的电压范围为VB-AVDD+VB。在本实施方式的电路结构中，由于VB和VB1均为可调电压，因此可以使得最终输出电压OUT在0至AVDD的固定范围上改变，所输出的输出信号具有更大的电压范围，且可调参数增多，使得电路输出信号的调节范围也更具灵活性。
在本发明的另一种实施方式中，参照图4，倍压模块1包括第二倍压电荷泵单元13和反相单元，第二倍压电荷泵单元13与反相单元连接，反相单元与增压模块3连接，第二倍压电荷泵单元13基于时钟信号生成倍压信号，反相单元对倍压信号进行反相处理，并将反相处理后的倍压信号输出至增压模块3。
在本实施方式中，参照图4，第二倍压电荷泵单元13主要为倍增式电荷泵单元，具体包括电容器C1、电容器C2、PMOS管M1和PMOS管M2，电容器C1与时钟模块的CLKP端连接，电容器C2与时钟模块的CLKN端连接，电容器C1的另一端与PMOS管M1的漏极以及PMOS管M2的栅极连接，电容器C2的另一端与PMOS管M1的栅极以及PMOS管M2的漏极连接，PMOS管M2的漏极和源极，以及PMOS管M1的源极均与反相单元连接。
参照图4，本实施方式中反相单元具体包括PMOS管M3、NMOS管M4、PMOS管M5、NMOS管M6、PMOS管M7和NMOS管M8，PMOS管M1、PMOS管M2、PMOS管M3、PMOS管M5和PMOS管M7的源极串联连接，PMOS管M2的漏极与PMOS管M3以及NMOS管M4的栅极连接，PMOS管M3和NMOS管M4的漏极均连接于PMOS管M5和NMOS管M6的栅极，PMOS管M5和NMOS管M6的漏极均连接于PMOS管M7和NMOS管M8的栅极，PMOS管M7和NMOS管M8的漏极，以及NMOS管M4、NMOS管M6和NMOS管M8的源极均与增压模块3连接。
在本实施方式中，参照图4，增压模块3包括PMOS管m1和NMOS管m2，PMOS管m1的栅极输入有第一基准电压VB1，PMOS管m1的源极与PMOS管M7以及NMOS管M8的漏极连接，NMOS管M4、NMOS管M6和NMOS管M8的源极均与NMOS管m2的源极连接，且NMOS管m2的源极与时钟模块的CLKP端连接，NMOS管m2的栅极输入有第二基准电压，在本实施方式中第二基准电压通过电源输入，输入的电压大小为时钟模块所输出信号的最大电压，PMOS管m1和NMOS管m2的漏极均与电压输出模块4连接。
在本实施方式中，参照图4，电压输出模块4包括电容器c1、电容器c2、NMOS管m3和NMOS管m4，PMOS管m1和NMOS管m2的漏极均与电容器c1的一端连接，电容器c1的另一端与NMOS管m3的源极以及NMOS管m4的栅极连接，电容器c2的一端与时钟模块的CLKP端连接，电容器c2的另一端与NMOS管m3的栅极以及NMOS管m4的源极连接，NMOS管m3的漏极与NMOS管m4的漏极连接，NMOS管m4的栅极用于输出输出信号。
在本实施方式中，假设PMOS管M1漏极和PMOS管M2漏极之间的电压为VB0，NMOS管m3漏极和NMOS管m4漏极之间的电压为VB2。由于CLKN和CLKP为两相非交叠时钟，可以推导出电容器C2上极板处的电压范围为0至VB0，反相单元中的高低电平分别为VB0和VB1，当PMOS管M3和NMOS管M4的栅极输入为0时，PMOS管M3栅极与源极的电压差为VB0，大于PMOS管M3的阈值电压，因此PMOS管M3导通，而NMOS管M4断开。此时PMOS管M3和NMOS管M4的漏极输出为VB0。
同理，当PMOS管M3和NMOS管M4的栅极输入为VB0时，PMOS管M3断开，NMOS管M4栅极和源极之间的电压差为|VB0-VB1|，大于NMOS管M4的阈值电压，因此NMOS管M4导通，所以PMOS管M3和NMOS管M4的漏极输出为VB1，以此类推，PMOS管m1源极的电压范围为VB1至VB0。进一步推导出，电容器c1下极板的电压范围为0至VB0，最终NMOS管m4栅极所输出的输出电压范围为VB2-VB1+VB0。相较于传统的倍增式电荷泵电路，本实施方式中电路所输出的输出信号具有更大的电压范围，且可调参数增多，使得电路输出信号的调节范围也更具灵活性。本实施方式中的电荷泵电路相较于第一种实施方式中的电荷泵电路，输出电压的调节范围更细，可以将电压设置在1倍AVDD以内细调，但是设置电压时VB0必须大于VB1。
本发明还公开一种电荷泵设备，设备中包括图1或图4中所示的可调节电压的电荷泵电路，电路包括倍压模块1、增压模块3和电压输出模块4，倍压模块1、增压模块3和电压输出模块4均与时钟模块连接，倍压模块1与增压模块3连接，倍压模块1基于时钟信号生成倍压信号，并向增压模块3输出倍压信号，增压模块3根据时钟信号和倍压信号生成增压信号，并向电压输出模块4输出增压信号，电压输出模块4根据时钟信号和增压信号生成输出信号，通过倍压模块1对信号的倍压处理以及增压模块3对信号的增压处理，所输出的输出信号具有更大的电压范围，且电压范围将会大于时钟信号电压范围的两倍。由于电路中模块的增多，可调参数增多，因此电路输出信号的调节范围也更具灵活性。
所属领域的普通技术人员应当理解：以上任何实施例的讨论仅为示例性的，并非旨在暗示本申请的保护范围限于这些例子；在本申请的思路下，以上实施例或者不同实施例中的技术特征之间也可以进行组合，步骤可以以任意顺序实现，并存在如上所述的本申请中一个或多个实施例的不同方面的许多其它变化，为了简明它们没有在细节中提供。
本申请中一个或多个实施例旨在涵盖落入本申请的宽泛范围之内的所有这样的替换、修改和变型。因此，凡在本申请中一个或多个实施例的精神和原则之内，所做的任何省略、修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种可调节电压的电荷泵电路，所述电路包括用于提供时钟信号的时钟模块，其特征在于，所述电路还包括：倍压模块、增压模块和电压输出模块，所述倍压模块、所述增压模块和所述电压输出模块均与所述时钟模块连接，所述倍压模块与所述增压模块连接，所述倍压模块基于所述时钟信号生成倍压信号，并向所述增压模块输出所述倍压信号，所述增压模块根据所述时钟信号和所述倍压信号生成增压信号，并向所述电压输出模块输出所述增压信号，所述电压输出模块根据所述时钟信号和所述增压信号生成输出信号，所述输出信号的电压范围大于所述时钟信号电压范围的两倍。
2.根据权利要求1所述的可调节电压的电荷泵电路，其特征在于，所述倍压模块包括第一倍压电荷泵单元和倍压辅助单元，所述第一倍压电荷泵单元与所述倍压辅助单元连接，所述第一倍压辅助单元与所述增压模块连接，所述第一倍压电荷泵单元和所述倍压辅助单元基于所述时钟信号生成所述倍压信号，所述第一倍压辅助单元将所述倍压信号输出至所述增压模块。
3.根据权利要求2所述的可调节电压的电荷泵电路，其特征在于，所述第一倍压电荷泵单元包括电容器C1、电容器C2、电容器C3、电容器C4、NMOS管M1、NMOS管M2、NMOS管M3和NMOS管M4，所述电容器C1和所述电容器C4的一端均与所述时钟模块的一端连接，所述电容器C2和所述电容器C3的一端均与所述时钟模块的另一端连接，所述电容器C1的另一端与所述NMOS管M1的源极以及所述NMOS管M2的栅极连接，所述电容器C2的另一端与所述NMOS管M1的栅极以及所述NMOS管M2的源极连接，所述电容器C3的另一端与所述NMOS管M3的源极以及所述NMOS管M4的栅极连接，所述电容器C4的另一端与所述NMOS管M3的栅极以及所述NMOS管M4的源极连接，所述NMOS管M1的漏极、所述NMOS管M2的漏极和栅极、所述NMOS管M3的漏极以及所述NMOS管M4的漏极和栅极均与所述倍压辅助单元连接。
4.根据权利要求3所述的可调节电压的电荷泵电路，其特征在于，所述倍压辅助单元包括电容器C5、电容器C6、NMOS管M5和NMOS管M6，所述NMOS管M5的栅极与所述NMOS管M4的栅极连接，所述NMOS管M6的栅极与所述NMOS管M2的栅极连接，所述NMOS管M1、所述NMOS管M2、所述NMOS管M3、所述NMOS管M4、所述NMOS管M5和所述NMOS管M6的漏极串联连接，所述NMOS管M5的源极与所述电容器C5的一端以及所述增压模块连接，所述NMOS管M6的源极与所述电容器C6的一端以及所述增压模块连接，所述电容器C5的另一端与所述时钟模块的一端连接，所述电容器C6的另一端与所述时钟模块的另一端以及所述增压模块连接。
5.根据权利要求1所述的可调节电压的电荷泵电路，其特征在于，所述倍压模块包括第二倍压电荷泵单元和反相单元，所述第二倍压电荷泵单元与所述反相单元连接，所述反相单元与所述增压模块连接，所述第二倍压电荷泵单元基于所述时钟信号生成所述倍压信号，所述反相单元对所述倍压信号进行反相处理，并将反相处理后的所述倍压信号输出至所述增压模块。
6.根据权利要求5所述的可调节电压的电荷泵电路，其特征在于，所述第二倍压电荷泵单元包括电容器C1、电容器C2、PMOS管M1和PMOS管M2，所述电容器C1与所述时钟模块的一端连接，所述电容器C2与所述时钟模块的另一端连接，所述电容器C1的另一端与所述PMOS管M1的漏极以及所述PMOS管M2的栅极连接，所述电容器C2的另一端与所述PMOS管M1的栅极以及所述PMOS管M2的漏极连接，所述PMOS管M2的漏极和源极，以及所述PMOS管M1的源极均与所述反相单元连接。
7.根据权利要求6所述的可调节电压的电荷泵电路，其特征在于，所述反相单元包括PMOS管M3、NMOS管M4、PMOS管M5、NMOS管M6、PMOS管M7和NMOS管M8，所述PMOS管M1、PMOS管M2、PMOS管M3、PMOS管M5和PMOS管M7的源极串联连接，所述PMOS管M2的漏极与所述PMOS管M3以及所述NMOS管M4的栅极连接，所述PMOS管M3和所述NMOS管M4的漏极均连接于所述PMOS管M5和所述NMOS管M6的栅极，所述PMOS管M5和所述NMOS管M6的漏极均连接于所述PMOS管M7和所述NMOS管M8的栅极，所述PMOS管M7和所述NMOS管M8的漏极，以及所述NMOS管M4、NMOS管M6和所述NMOS管M8的源极均与所述增压模块连接。
8.根据权利要求7所述的可调节电压的电荷泵电路，其特征在于，所述增压模块包括PMOS管m1和NMOS管m2，所述PMOS管m1的栅极输入有第一基准电压，所述NMOS管m2的栅极输入有第二基准电压，所述PMOS管M7和所述NMOS管M8的漏极均与所述PMOS管m1的源极连接，所述NMOS管M4、NMOS管M6和所述NMOS管M8的源极均与NMOS管m2的源极连接，所述NMOS管m2的源极还与所述时钟模块的一端连接，所述PMOS管m1和所述NMOS管m2的漏极均与所述电压输出模块连接。
9.根据权利要求8所述的可调节电压的电荷泵电路，其特征在于，所述电压输出模块包括电容器c1、电容器c2、NMOS管m3和NMOS管m4，所述PMOS管m1和所述NMOS管m2的漏极均与所述电容器c1的一端连接，所述电容器c1的另一端与所述NMOS管m3的源极以及所述NMOS管m4的栅极连接，所述电容器c2的一端与所述时钟模块的一端连接，所述电容器c2的另一端与所述NMOS管m3的栅极以及所述NMOS管m4的源极连接，所述NMOS管m3的漏极与所述NMOS管m4的漏极连接，所述NMOS管m4的栅极用于输出所述输出信号。
10.一种电荷泵设备，其特征在于，所述设备包括权利要求1至9中任意一项所述的一种可调节电压的电荷泵电路。
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