CN115939008B - 晶片校正机构及半导体制造设备 - Google Patents

Abstract

本申请的实施例公开了一种晶片校正机构及半导体制造设备，其中晶片校正机构包括：反应腔体；基座，所述基座上可转动的设置有至少一个载盘，所述载盘上开设有容纳槽，所述容纳槽用于容纳晶片；以及校正组件，所述校正组件包括：机械臂单元及校正件，所述校正件与所述机械臂单元传动连接；在机械臂单元的作用下，所述校正件可自远离所述容纳槽的方向朝靠近所述容纳槽的方向做第一运动，所述第一运动的运动路径至少部分位于所述载盘的正上方，所述校正件可与所述载盘的旋转运动配合以对所述晶片相对于所述容纳槽的位置进行调整。根据本申请，其无需设置高精度的传感装置及机械臂装置，设计简单，易于操作，以消弭潜在的风险，有效的降低了成本。

Description

晶片校正机构及半导体制造设备

技术领域

本申请涉及晶片校正技术领域，特别涉及一种晶片校正机构及半导体制造设备。

背景技术

由于半导体行业的飞速发展，导致晶片的需求大量提升。

目前，晶片的半导体制造装置在通过自动化流程放片时，可能会由于意外发生晶片偏移，使得晶片斜置于载盘或者基座槽中，特别是在基座能够转动的系统中，离心力会使得该等偏差变得更大，甚至出现“飞片”的现象，因此有必要加入保障措施，确保晶片在位。

发明内容

本申请的实施例提供一种晶片校正机构及半导体制造设备，以将偏置的晶片校正。

为了解决上述技术问题，本申请的实施例公开了如下技术方案：

一方面，提供了一种晶片校正机构，包括：反应腔体，其内部中空以形成一反应室；

基座，其可转动的布置于反应室内，所述基座上可转动的设置有至少一个载盘，所述载盘上开设有容纳槽，所述容纳槽用于容纳晶片；以及

校正组件，所述校正组件包括：机械臂单元及至少一个校正件，所述校正件与所述机械臂单元传动连接；

其中，在机械臂单元的作用下，所述校正件可自远离所述容纳槽的方向朝靠近所述容纳槽的方向做第一运动，所述第一运动的运动路径至少部分位于所述载盘的正上方，所述校正件可与所述载盘的旋转运动配合以对所述晶片相对于所述容纳槽的位置进行调整。

除了上述公开的一个或多个特征之外，或者作为替代，所述校正件呈片状、销状、指状或者圆弧状中的任意一种，

在机械臂单元的作用下，所述校正件可做所述第一运动并停留在所述容纳槽的周向边缘的正上方；所述载盘可同步带动所述晶片沿一转动方向做至少一圈的旋转运动，所述校正件在容纳槽的周向边缘上形成限位，以使所述校正件对所述晶片相对于所述容纳槽的位置进行调整。

除了上述公开的一个或多个特征之外，或者作为替代，所述校正件的包括与所述容纳槽的轮廓相匹配的弧状拨动部，所述拨动部的弧状开口朝向所述载盘的中心线，

在机械臂单元的作用下，所述校正件可在第一运动和复位之间往复以形成靠近或远离所述容纳槽的抵推运动；在驱动力的作用下，所述载盘可同步带动所述晶片沿一转动方向并做连续性或间歇性的旋转运动，所述校正件的抵推运动和所述载盘的旋转运动配合，以使所述校正件对所述晶片相对于所述容纳槽的位置进行调整。

除了上述公开的一个或多个特征之外，或者作为替代，所述校正组件还包括：开合驱动器，所述开合驱动器与所述机械臂单元的活动部传动连接；

所述校正件设置有至少两个，至少一个所述校正件与所述开合驱动器的动力输出端传动连接；

所述校正件沿与所述载盘的中心共线并大于所述载盘的第一圆周排布，当所述校正件对晶片位置进行校正时，所述校正件位于所述容纳槽上方；

在机械臂单元的作用下，所述开合驱动器可做开合运动，至少一个所述校正件在开合驱动器的驱动下，在所述第一运动和复位之间往复，所述校正件的开合运动和所述载盘的旋转运动配合，以使所述校正件可对所述晶片相对于所述容纳槽的位置进行调整。

除了上述公开的一个或多个特征之外，或者作为替代，所述载盘同步带动所述晶片沿一转动方向做间歇性的旋转运动时，定义所述校正件的弧度值为A，定义所述载盘单次旋转的角度为B，则有A/B=n，其中，n为大于或等于1的整数。

除了上述公开的一个或多个特征之外，或者作为替代，所述校正件具有底部，所述载盘具有顶面，在所述运动路径位于所述载盘的正上方时，所述校正件的底部与所述载盘的顶面之间的高度差小于所述晶片的厚度。

除了上述公开的一个或多个特征之外，或者作为替代，所述校正件倾斜布置，定义所述校正件与竖直方向之间的夹角为α，满足：0<α≤30°。

除了上述公开的一个或多个特征之外，或者作为替代，还包括：偏置传感器及控制器，所述偏置传感器用于感应所述容纳槽的晶片是否偏置，所述偏置传感器布置于所述校正件上，或者，所述偏置传感器布置于所述机械臂单元上，所述偏置传感器为压力传感器或红外探测传感器或视觉传感器；

所述控制器与所述偏置传感器及所述机械臂单元电连接或无线连接。

除了上述公开的一个或多个特征之外，或者作为替代，还包括：示警器，所述示警器与所述控制器电连接；

所述示警器具有一偏置阈值，当所述偏置传感器感应到晶片的偏置次数大于偏置阈值时，所述示警器发出警报。

另一方面，本申请进一步公开了一种半导体制造设备，除了上述公开的一个或多个特征之外，或者作为替代，所述半导体制造设备包括如上述任一项所述的晶片校正机构。

上述技术方案中的一个技术方案具有如下优点或有益效果：本申请中通过机械臂单元控制校正件可自远离容纳槽的方向朝靠近容纳槽的方向做第一运动，同时利用载盘同步带动晶片转动，以使得偏置的晶片与校正件发生干涉以致于晶片滑动至容纳槽内，以对偏置的晶片进行校正，无需设置高精度的传感装置及机械臂装置，设计简单，易于操作，不涉及反应腔体的内部结构改造的，以消弭潜在的风险，有效的降低了成本。

附图说明

下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。

图1是根据本申请具体实施例一提供的晶片校正机构的结构视图；

图2是根据本申请具体实施例一提供的晶片校正机构的俯视图；

图3是根据本申请具体实施例一提供的校正件、载盘及晶片的结构图；

图4是根据本申请具体实施例二提供的校正件与晶片的俯视图；

图5是根据本申请具体实施例三提供的校正件与晶片的俯视图。

具体实施方式

为了使本申请的目的、技术方案和有益效果更加清晰明白，以下结合附图和具体实施方式，对本申请进行进一步详细说明。应当理解的是，本说明书中描述的具体实施方式仅仅是为了解释本申请，并不是为了限定本申请。

在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是指两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。

在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“ 上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“ 之上”、“ 上方”和“ 上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“ 之下”、“ 下方”和“ 下面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

目前，现有的设备均是采用精密的传感器获取偏置的晶片的准确位置，同步配合精密的计算以计算出晶片精准的偏移量，在基于计算出的晶片的精准的偏移量对偏置的晶片做出精准的调整，此种方式对传感器的精度要求较高，同时，对相应的调节机构的精度要求也较高，导致装置的整体成本较高。

为了解决上述问题。本发明实施例提供一种晶片校正机构。

在本申请的一具体实施例一中:

如图1至图3所示，该晶片校正机构100，可包括：反应腔体110，其内部中空以形成一反应室；基座120，其可转动的布置于反应室内，所述基座120上可转动的设置有至少一个载盘121，所述载盘121上开设有容纳槽1211，所述容纳槽1211用于容纳晶片400；以及校正组件130，所述校正组件130包括：机械臂单元131及至少一个校正件132，所述校正件132与所述机械臂单元131传动连接；

在机械臂单元131的作用下，所述校正件132可自远离所述容纳槽1211的方向朝靠近所述容纳槽1211的方向做第一运动，所述第一运动的运动路径至少部分位于所述载盘的正上方，所述校正件132可与所述载盘121的旋转运动配合以对所述晶片400相对于所述容纳槽1211的位置进行调整。

具体的，晶片400被放置于所述载盘121的容纳槽1211内时，晶片400可能会准确无误的放置于容纳槽1211内，也可能会偏置式的放置于容纳槽1211内。当所述晶片400在所述容纳槽1211内偏置时，由于基座120在正常工作时是沿一方向转动的，偏置的晶片400可能会自容纳槽1211内被甩出，造成晶片400的损坏，同时可能造成其他零部件的损坏。

在本申请的实施例中，在机械臂单元131的作用下，所述校正件132可做所述第一运动并停留在所述容纳槽1211的周向边缘的正上方；所述载盘121可同步带动所述晶片400沿一转动方向做至少一圈的旋转运动，所述校正件132在容纳槽1211的周向边缘上形成限位，以使所述校正件132对所述晶片400相对于所述容纳槽1211的位置进行调整。

其中，所述载盘121与外部的驱动设备传动连接，驱动设备提供驱动力以驱动所述载盘121沿一转动方向做旋转运动。

其中，所述载盘121可同步带动所述晶片400沿一转动方向做至少一圈的旋转运动是指所述载盘121可同步带动所述晶片400沿一转动方向做一圈的旋转运动，或者，所述载盘121同步带动所述晶片400沿一转动方向做两圈的旋转运动，或者，所述载盘121同步带动所述晶片400沿一转动方向做三圈的旋转运动等，直至所述晶片400滑动至所述容纳槽1211内以自偏置状态回位至正常状态。

本申请中通过机械臂单元131控制校正件132自远离所述容纳槽1211的方向朝靠近所述容纳槽1211的方向做第一运动并停留在所述容纳槽1211的周向边缘的正上方，同时利用载盘121同步带动晶片400转动，以使得偏置的晶片400与校正件132发生干涉以对所述晶片400相对于所述容纳槽1211的位置进行调整，以使得偏置的晶片400滑动至容纳槽1211内，以对偏置的晶片400进行校正，无需设置高精度的传感装置及机械臂装置，设计简单，易于操作，不涉及反应腔体的内部结构改造的，以消弭潜在的风险，有效的降低了成本。

在本申请的实施例中，所述校正件132呈片状、销状、指状或者圆弧状中的任意一种。

具体的，比如，所述校正件132呈片状，又比如，所述校正件132呈销状，还比如，所述校正件132呈指状，还比如，所述校正件132呈圆弧状。所述校正件132的具体形状工作人员可根据实际情形进行具体选择，本申请中不做具体限定，只要不影响本申请的技术效果即可。

在本申请的实施例中，所述校正件132具有朝向所述载盘121的底部，所述载盘121具有顶面，在所述运动路径位于所述载盘121的正上方时，所述校正件132的底部与所述载盘121的顶面之间的高度差小于所述晶片400的厚度。

具体的，现有的晶片厚度一般为0.3~0.8mm，本申请中可将所述校正件132的底面与所述载盘121的顶面之间的高度差控制在0.3~0.8mm的范围内，比如，所述校正件132的底面与所述载盘121的顶面之间的高度差可以为0. 3mm、0.4mm、0. 5mm、0.6μm、0.7mm、0.8mm中的任意一者或者任意两者之间的范围。值得说明的是，该高度差的具体数值仅是示例性地给出，只要高度差在0 .3～0 .8mm范围内的任意值均在本申请的保护范围内。

本申请中通过限定校正件132的底部与载盘121的顶面之间的高度差小于所述晶片400的厚度，以便于校正件132与偏置的晶片400发生干涉，提升对偏置的晶片的校正效率。

在本申请的实施例中，所述校正件132倾斜布置，定义所述校正件132与竖直方向之间的夹角为α，满足：0<α≤30°。即所述校正件132与竖直方向之间的夹角α控制在0~30°的范围内，比如，所述校正件132的底面与所述载盘121的顶面之间的高度差可以为5°、10°、15°、20°、25°、30°中的任意一者或者任意两者之间的范围。值得说明的是，该夹角α的具体数值仅是示例性地给出，只要夹角α在0~30°范围内的任意值均在本申请的保护范围内。

可以理解的，本申请中通过控制校正件132与竖直方向之间的夹角α控制在0~30°的范围内，以便于校正件132与偏置的晶片400发生干涉，提升对偏置的晶片的校正效率。

在本申请的一实施例中，该晶片校正机构100还包括：偏置传感器（图中未示）及控制器（图中未示），所述偏置传感器用于感应所述容纳槽1211的晶片400是否偏置，所述偏置传感器布置于所述校正件132上，或者，所述偏置传感器布置于所述机械臂单元131上；

所述控制器与所述偏置传感器及所述机械臂单元131电连接或无线连接。

其中，所述控制器采用常规产品或常规的控制芯片或是其他常规的能实现本申请中的控制功能的产品均可，本申请中不做具体限制，所述控制器安装于所述反应腔体110上。

其中，所述偏置传感器可以为压力传感器，以通过对晶片400进行压力传感判断晶片400是否偏置；或者，所述偏置传感器可以为视觉传感器，以通过拍摄晶片400在容纳槽1211内的图片判断晶片400是否偏置；或者，所述偏置传感器还可以为红外探测传感器，通过对容纳槽1211的边缘进行红外感应以判断晶片400是否偏置。

可以理解的，当所述偏置传感器感应到位于所述容纳槽1211内的晶片400偏置时，所述偏置传感器将反馈信号发送至控制器，所述控制器接收到反馈信号后根据反馈结果发送控制指令至所述机械臂单元131，以控制所述机械臂单元131带动所述校正件132自远离所述容纳槽1211的方向朝靠近所述容纳槽1211的方向活动以停留在所述载盘121的周向边缘处，同时，在驱动力的作用下，所述载盘121同步带动所述晶片400沿一转动方向转动至少一圈，以使得偏置的晶片400与所述校正件132发生干涉以致晶片400在校正件132作用下滑动至容纳槽1211内。

在本申请的实施例中，该晶片校正机构100还包括：示警器，所述示警器与所述控制器电连接；

所述示警器具有一偏置阈值，当所述偏置传感器感应到晶片400的偏置次数大于偏置阈值时，所述示警器发出警报。

具体的，在本申请一实施方式中，所述警报可以为光、声音、图像、文字等，在本申请优选的实施方式中，所述警报为声音。

本申请中通过设置示警器以提醒工作人员对放片设备进行校正，以降低放片设备的放片偏置概率，提高晶片400的加工效率。

在本申请的一具体实施例二中:

如图1至图2及图4所示，该晶片校正机构100，可包括：反应腔体110，其内部中空以形成一反应室；基座120，其可转动的布置于反应室内，所述基座120上可转动的设置有至少一个载盘121，所述载盘121上开设有容纳槽1211，所述容纳槽1211用于容纳晶片400；以及校正组件130，所述校正组件130包括：机械臂单元131及至少一个校正件132，所述校正件132与所述机械臂单元131传动连接；

在机械臂单元131的作用下，所述校正件132可自远离所述容纳槽1211的方向朝靠近所述容纳槽1211的方向做第一运动，在第一运动的运动路径至少部分位于所述载盘的正上方以使所述校正件132可对所述晶片400相对于所述容纳槽1211的位置进行调整。

具体的，所述校正件132包括与所述容纳槽1211的轮廓相匹配的弧状拨动部，所述拨动部的弧状开口朝向所述载盘121的中心线。

在机械臂单元131的作用下，所述校正件132可在第一运动和复位之间往复以形成靠近或远离所述容纳槽1211的抵推运动；在驱动力的作用下，所述载盘121可同步带动所述晶片400沿一转动方向并做连续性或间歇性的旋转运动，所述校正件132的抵推运动和所述载盘121的旋转运动配合，以使所述校正件132对所述晶片400相对于所述容纳槽1211的位置进行调整。

其中，所述载盘121与外部的驱动设备传动连接，驱动设备提供驱动力以驱动所述载盘121沿一转动方向转动。

可以理解的，晶片400被放置于所述载盘121的容纳槽1211内时，晶片400可能会准确无误的放置于容纳槽1211内，也可能会偏置式的放置于容纳槽1211内。当所述晶片400在所述容纳槽1211内偏置时，由于基座120在正常工作时是沿一方向转动的，偏置的晶片400可能会自容纳槽1211内被甩出，造成晶片400的损坏，同时可能造成其他零部件的损坏。

具体的，在本申请中的机械臂单元131的作用下，所述校正件132靠近所述容纳槽1211的晶片400以与所述晶片发生干涉，若校正件132没与所述晶片400发生干涉或者校正件132没准确的将晶片推送至容纳槽1211内，所述机械臂单元131驱动所述校正件132远离所述容纳1211，同时，在驱动力的作用下，所述载盘121同步带动所述晶片400沿一转动方向并以一定的角度做旋转运动，重复上述步骤，所述校正件132的抵推运动和所述载盘121的旋转运动配合，直至校正件132将晶片400推送至容纳槽1211内。

本申请中通过机械臂单元131控制校正件132往复式靠近或远离所述容纳槽1211，同时利用载盘121往复式同步带动晶片400以一定的角度转动，利用校正件132的抵推运动和所述载盘121的旋转运动配合以对所述晶片400相对于所述容纳槽1211的位置进行调整，以使得偏置的晶片400与校正件132发生干涉以致于晶片400被推送至容纳槽1211内，以对偏置的晶片400进行校正，无需设置高精度的传感装置及机械臂装置，设计简单，易于操作，不涉及反应腔体的内部结构改造的，以消弭潜在的风险，有效的降低了成本。

在本申请的实施例中，所述载盘121同步带动所述晶片400沿一转动方向做间歇性的旋转运动时，定义所述校正件132的弧度值为A，定义所述载盘121单次旋转的角度为B，则有A/B=n，其中，n为大于或等于1的整数。即所述校正件132的弧度值为所述载盘121的单次旋转的角度的整数倍，以便于校正件132与偏置的晶片400发生干涉，提升对偏置的晶片的校正效率。

同时，本申请的具体实施例二中的其他的技术特征与上述的具体实施例一中的相同，鉴于上述的具体实施例一中以对特征进行详细描述，本申请中的具体实施例二不在进行相应的描述，可参照具体实施例一中的描述。

在本申请的一具体实施例三中:

如图1至图2及图5所示，该晶片校正机构100，可包括：反应腔体110，其内部中空以形成一反应室；基座120，其可转动的布置于反应室内，所述基座120上可转动的设置有至少一个载盘121，所述载盘121上开设有容纳槽1211，所述容纳槽1211用于容纳晶片400；以及校正组件130，所述校正组件130包括：机械臂单元131及至少两个校正件132，所述校正件132与所述机械臂单元131传动连接；

在机械臂单元131的作用下，所述校正件132可自远离所述容纳槽1211的方向朝靠近所述容纳槽1211的方向做第一运动，在第一运动的运动路径至少部分位于所述载盘的正上方以使所述校正件132可对所述晶片400相对于所述容纳槽1211的位置进行调整。

具体的，所述校正组件130还包括：开合驱动器，所述开合驱动器与所述机械臂单元131的活动部传动连接；

所述校正件132设置有至少两个，至少一个所述校正件132与所述开合驱动器的动力输出端传动连接；

所述校正件132沿与所述载盘121的中心共线并大于所述载盘121的第一圆周排布，当所述校正件132对晶片位置进行校正时，所述校正件132位于所述容纳槽1211上方；

其中，所述第一圆周的尺寸不小于所述容纳槽的尺寸，即所述第一圆形的半径不小于所述容纳槽的半径。

在机械臂单元131的作用下，所述开合驱动器可做开合运动，至少一个所述校正件132在开合驱动器的驱动下，在所述第一运动和复位之间往复，

进一步的，在驱动力的作用下，所述载盘121可同步带动所述晶片400沿一转动方向并做连续性或间歇性的旋转运动，所述校正件132的开合运动和所述载盘121的旋转运动配合，以使所述校正件132可对所述晶片400相对于所述容纳槽1211的位置进行调整。

其中，所述载盘121与外部的驱动设备传动连接，驱动设备提供驱动力以驱动所述载盘121沿一转动方向转动。

可以理解的，晶片400被放置于所述载盘121的容纳槽1211内时，晶片400可能会准确无误的放置于容纳槽1211内，也可能会偏置式的放置于容纳槽1211内。当所述晶片400在所述容纳槽1211内偏置时，由于基座120在正常工作时是沿一方向转动的，偏置的晶片400可能会自容纳槽1211内被甩出，造成晶片400的损坏，同时可能造成其他零部件的损坏。

具体的，在本申请中的机械臂单元131及开合驱动器的作用下，所述校正件132做开合运动以靠近所述容纳槽1211的晶片400以与所述晶片发生干涉，若校正件132没准确的将晶片推送至容纳槽1211内，所述机械臂单元131及开合驱动器驱动所述校正件132远离所述容纳1211，同时，在驱动力的作用下，所述载盘121同步带动所述晶片400沿一转动方向并以一定的角度做旋转运动，重复上述步骤，所述校正件132的开合运动和所述载盘121的旋转运动配合，直至校正件132将晶片400推送至容纳槽1211内。

本申请中通过机械臂单元131及开合驱动器控制校正件132做开合运动以靠近或远离所述容纳槽1211，同时利用载盘121往复式同步带动晶片400以一定的角度转动，利用校正件132的开合运动和所述载盘121的旋转运动配合以对所述晶片400相对于所述容纳槽1211的位置进行调整，以使得偏置的晶片400与校正件132发生干涉以致于晶片400被推送至容纳槽1211内，以对偏置的晶片400进行校正，无需设置高精度的传感装置及机械臂装置，设计简单，易于操作，不涉及反应腔体的内部结构改造的，以消弭潜在的风险，有效的降低了成本。

在本申请的实施例中，所述载盘121同步带动所述晶片400沿一转动方向做间歇性的旋转运动时，定义所述校正件132的弧度值为A，定义所述载盘121单次旋转的角度为B，则有A/B=n，其中，n为大于或等于1的整数。即所述校正件132的弧度值为所述载盘121的单次旋转的角度的整数倍，以便于校正件132与偏置的晶片400发生干涉，提升对偏置的晶片的校正效率。

同时，本申请的具体实施例三中的其他的技术特征与上述的具体实施例一中的相同，鉴于上述的具体实施例一中以对特征进行详细描述，本申请中的具体实施例三不在进行相应的描述，可参照具体实施例一中的描述。

另一方面，本申请还提供了一种半导体制造设备，该半导体制造设备可包括如上述任一项所述的晶片校正机构。

以上步骤所提供的介绍，只是用于帮助理解本申请的方法、结构及核心思想。对于本技术领域内的普通技术人员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可以对本申请进行若干改进和修饰，这些改进和修饰也同样属于本申请权利要求保护范围之内。

Claims (10)

1.一种晶片校正机构，其特征在于，包括：

反应腔体，其内部中空以形成一反应室；

基座，其可转动的布置于反应室内，所述基座上可转动的设置有至少一个载盘，所述载盘上开设有容纳槽，所述容纳槽用于容纳晶片；以及

校正组件，所述校正组件包括：机械臂单元及至少一个校正件，所述校正件与所述机械臂单元传动连接；

其中，在机械臂单元的作用下，所述校正件可自远离所述容纳槽的方向朝靠近所述容纳槽的方向做第一运动，所述第一运动的运动路径至少部分位于所述载盘的正上方，所述校正件可与所述载盘的旋转运动配合以对所述晶片相对于所述容纳槽的位置进行调整。

2.如权利要求1所述的晶片校正机构，其特征在于，所述校正件呈片状、销状、指状或者圆弧状中的任意一种，

在机械臂单元的作用下，所述校正件可做所述第一运动并停留在所述容纳槽的周向边缘的正上方；所述载盘可同步带动所述晶片沿一转动方向做至少一圈的旋转运动，以使所述校正件在容纳槽的周向边缘上形成限位，所述校正件对所述晶片相对于所述容纳槽的位置进行调整。

3.如权利要求1所述的晶片校正机构，其特征在于，所述校正件包括与所述容纳槽的轮廓相匹配的弧状拨动部，所述拨动部的弧状开口朝向所述载盘的中心线，

在机械臂单元的作用下，所述校正件可在第一运动和复位之间往复以形成靠近或远离所述容纳槽的抵推运动；在驱动力的作用下，所述载盘可同步带动所述晶片沿一转动方向做连续性或间歇性的旋转运动，所述校正件的抵推运动和所述载盘的旋转运动配合，以使所述校正件对所述晶片相对于所述容纳槽的位置进行调整。

4.如权利要求1所述的晶片校正机构，其特征在于，所述校正组件还包括：开合驱动器，所述开合驱动器与所述机械臂单元的活动部传动连接；

所述校正件设置有至少两个，至少一个所述校正件与所述开合驱动器的动力输出端传动连接；

所述校正件沿与所述载盘的中心共线并大于所述载盘的第一圆周排布，当所述校正件对晶片位置进行校正时，所述校正件位于所述容纳槽上方；

在机械臂单元的作用下，所述开合驱动器可做开合运动，至少一个所述校正件在开合驱动器的驱动下，在所述第一运动和复位之间往复，所述校正件的开合运动和所述载盘的旋转运动配合，以使所述校正件可对所述晶片相对于所述容纳槽的位置进行调整。

5.如权利要求3或4任一项所述的晶片校正机构，其特征在于，所述载盘同步带动所述晶片沿一转动方向做间歇性的旋转运动时，定义所述校正件的弧度值为A，定义所述载盘单次旋转的角度为B，则有A/B=n，其中，n为大于或等于1的整数。

6.如权利要求1~4任一项所述的晶片校正机构，其特征在于，所述校正件具有底部，所述载盘具有顶面，在所述运动路径位于所述载盘的正上方时，所述校正件的底部与所述载盘的顶面之间的高度差小于所述晶片的厚度。

7.如权利要求1~4任一项所述的晶片校正机构，其特征在于，所述校正件倾斜布置，定义所述校正件与竖直方向之间的夹角为α，满足：0<α≤30°。

8.如权利要求1~4任一项所述的晶片校正机构，其特征在于，还包括：偏置传感器及控制器，所述偏置传感器用于感应所述容纳槽的晶片是否偏置，所述偏置传感器布置于所述校正件上，或者，所述偏置传感器布置于所述机械臂单元上，所述偏置传感器为压力传感器或红外探测传感器或视觉传感器；

所述控制器与所述偏置传感器及所述机械臂单元电连接或无线连接。

9.如权利要求8所述的晶片校正机构，其特征在于，还包括：示警器，所述示警器与所述控制器电连接；

所述示警器具有一偏置阈值，当所述偏置传感器感应到晶片的偏置次数大于偏置阈值时，所述示警器发出警报。

10.一种半导体制造设备，其特征在于，包括：如权利要求1~9任一项所述的晶片校正机构。

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