CN115917410A - 光调制器及光调制元件的驱动方法 - Google Patents

光调制器及光调制元件的驱动方法 Download PDF

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Abstract

光调制器具备：光调制元件(100)，其具有第一光波导(11)、第二光波导(12)、向上述第一光波导(11)施加电场的第一电极(21)、以及向上述第二光波导施加电场的第二电极(22)；控制部(130)，其控制上述第一电极(21)和上述第二电极(22)之间的施加电压，第一光波导(11)及第二光波导(12)分别包含从铌酸锂膜(40)的第一面(40a)突出的脊形状部，上述控制部(130)在将上述光调制元件(100)的半波长电压设为Vπ，将零点电压设为Vn时，将动作点Vd设为Vn+0.50Vπ≤Vd≤Vn+0.75Vπ或Vn－0.75Vπ≤Vd≤Vn－0.50Vπ，将向上述光调制元件(100)施加的施加电压的振幅即施加电压幅度Vpp设为0.22≤Vpp≤0.50的范围。

Description

光调制器及光调制元件的驱动方法
技术领域
本发明涉及光调制器及光调制元件的驱动方法。
本申请基于于2020年8月11日在日本申请的日本特愿2020－135861号主张优先权，并将其内容引用于此。
背景技术
随着因特网的普及，通信量飞跃性地增大，光纤通信的重要性变得非常高。光纤通信是将电信号转换为光信号，通过光纤传输光信号的通信，具有宽频带、低损耗、抗噪声等的特征。
光调制器将电信号转换为光信号。例如，在专利文献1、2中记载了一种马赫曾德尔型光调制器，其通过Ti(钛)扩散在铌酸锂单晶基板的表面附近形成光波导。另外，在专利文献2中记载了修正光调制器的动作点漂移。专利文献1、2所记载的光调制器以40Gb/s以上的高速进行动作，但全长长至10cm左右。
与此相对，在专利文献3中记载了一种使用c轴取向的铌酸锂膜的马赫曾德尔型光调制器。与使用铌酸锂单晶基板的光调制器相比，使用铌酸锂膜的光调制器为小型且驱动电压低。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2004－37695号公报
专利文献2：日本专利第4164179号公报
专利文献3：日本特开2019－45880号公报
发明内容
发明所要解决的问题
使用铌酸锂的光调制器因为消光比大且能够在高频段下进行动作，所以用于城市间那样的远距离通信。另外，使用磷化铟(InP)的光调制器也因为能够进行高频段下的动作，所以期待用于远距离通信。另一方面，近年来，数据中心内及数据中心间那样的短、中距离通信也增加，在这种用途中，有使用采用了硅的光调制器的情况或不使用光调制器而由激光二极管的驱动电路直接调制射出光的情况。在使用硅的光调制器所进行的调制或直接调制中，不能应对频段更高的高频化。
另一方面，为了将使用铌酸锂薄膜的光调制器或使用磷化铟的光调制器那样的能够在高频段下进行动作的光调制器应用于数据中心内或数据中心间的通信，要求将驱动电压低电压化。
本发明是鉴于上述问题而完成的发明，其目的在于，提供能够以低电压进行驱动且调制损耗更小的光调制器、及能够以低电压进行驱动且能够将调制损耗抑制得低的光调制元件的驱动方法。
解决问题的技术手段
(1)第一方式所涉及的光调制器，具备：光调制元件，其具有第一光波导、第二光波导、向所述第一光波导施加电场的第一电极、以及向所述第二光波导施加电场的第二电极；控制部，其控制所述第一电极和所述第二电极之间的施加电压，所述控制部在将所述光调制元件的半波长电压设为Vπ，将零点电压设为Vn时，将动作点Vd设为Vn+0.50Vπ≤Vd≤Vn+0.75Vπ或Vn－0.75Vπ≤Vd≤Vn－0.50Vπ，将向所述光调制元件施加的施加电压的振幅即施加电压幅度Vpp设为0.22Vπ≤Vpp≤0.50Vπ的范围。
(2)在上述方式的光调制器中，也可以是所述第一光波导及所述第二光波导分别包含从铌酸锂膜的第一面突出的脊形状部。
(3)第二方式所涉及的光调制元件的驱动方法，是具有第一光波导及第二光波导、位于俯视时与所述第一光波导重叠的位置的第一电极、以及位于俯视时与所述第二光波导重叠的位置的第二电极的光调制元件的驱动方法，在将所述光调制元件的半波长电压设为Vπ，将零点电压设为Vn时，将动作点Vd设为Vn+0.50Vπ≤Vd≤Vn+0.75Vπ或Vn－0.75Vπ≤Vd≤Vn－0.50Vπ，将向所述光调制元件施加的施加电压的振幅即施加电压幅度Vpp设为0.22Vπ≤Vpp≤0.50Vπ的范围。
(4)在上述方式的光调制元件的驱动方法中，也可以是所述第一光波导及所述第二光波导分别包含从铌酸锂膜的第一面突出的脊形状部。
发明的效果
上述方式的光调制器及光调制元件的驱动方法能够进行低电压驱动且调制损耗少。
附图说明
图1是第一实施方式的光调制器的框图。
图2是第一实施方式的光调制元件的光波导的俯视图。
图3是第一实施方式的光调制元件的俯视图。
图4是第一实施方式的光调制元件的截面图。
图5是表示第一实施方式的光调制器的施加电压和输出的关系的图。
图6是用于说明第一实施方式的光调制器的施加电压幅度的图。
图7是表示第一实施方式的光调制器的施加电压和消光比的关系的图。
图8是第一变形例的光调制元件的俯视图。
具体实施方式
下面，适当参照附图对本实施方式进行详细的说明。以下说明中使用的附图为了容易理解特征，有时方便起见将成为特征的部分放大表示，各构成要素的尺寸比例等有时与实际不同。以下说明中例示的材料、尺寸等仅为一个例子，本发明不限定于此，能够在实现本发明的效果的范围内适当地变更并实施。
首先，对方向进行定义。将基板Sb的一面的一方向设为x方向，将与x方向正交的方向设为y方向。x方向例如为第一光波导11的延伸方向。z方向为与基板Sb垂直的方向。z方向为与x方向及y方向正交的方向。下面，有时将+z方向表现为“上”、－z方向表现为“下”。上下不一定与重力施加的方向一致。
图1是第一实施方式的光调制器200的框图。光调制器200具有光调制元件100、驱动电路110、直流偏置施加电路120以及直流偏置控制电路130。由驱动电路110、直流偏置施加电路120以及直流偏置控制电路130而成为控制部。
光调制元件100将电信号转换为光信号。光调制元件100根据调制信号Sm将所输入的输入光Lin转换为输出光Lout。
驱动电路110向光调制元件100施加与调制信号Sm相应的调制电压Vm。直流偏置施加电路120向光调制元件100施加直流偏置电压Vdc。直流偏置控制电路130监测输出光Lout，控制从直流偏置施加电路120输出的直流偏置电压Vdc。通过调整该直流偏置电压Vdc，控制下述的动作点Vd。
图2是从z方向观察光调制元件100的光波导10的俯视图。图3是从z方向观察光调制元件100的俯视图。图4是沿着图3中的X1－X1’切断的截面。光调制元件100具有光波导10和电极21、22、23、24。
光调制元件100包含基板Sb。作为基板Sb，只要为能够使铌酸锂膜等氧化膜40作为外延膜形成的基板即可，优选蓝宝石单晶基板或硅单晶基板。对基板Sb的结晶方位没有特别限定。此外，铌酸锂膜具有相对于各种结晶方位的基板Sb，容易作为c轴取向的外延膜形成这样的性质。因为构成c轴取向的铌酸锂膜的结晶具有3次对称的对称性，所以期望基底的基板Sb也具有相同的对称性，在蓝宝石单晶基板的情况下优选c面的基板，在硅单晶基板的情况下优选(111)面的基板。
光波导10为光在内部传播的光的通路。光波导10例如具有第一光波导11、第二光波导12、输入路13、输出路14、分支部15以及耦合部16。第一光波导11及第二光波导12例如沿x方向延伸。第一光波导11和第二光波导12的x方向的长度大致相同。分支部15位于输入路13和第一光波导11及第二光波导12之间。输入路13经由分支部15与第一光波导11及第二光波导12相连。耦合部16位于第一光波导11及第二光波导12和输出路14之间。第一光波导11和第二光波导12经由耦合部16与输出路14相连。
光波导10包含从氧化膜40的第一面40a突出的脊形状部即第一光波导11及第二光波导12。第一面40a为氧化膜40的脊形状部以外的部分的上表面。脊形状部从第一面40a向z方向突出，且沿着光波导10延伸。脊形状部的X1－X1’截面(与光的行进方向垂直的截面)的形状只要为能够将光进行导波的形状，就不管其形状，例如可以为穹(dome)状、三角形状、矩形状。脊形状部的y方向的宽度例如为0.3μm以上5.0μm以下，脊形状部的高度(自第一面40a起的突出高度)例如为0.1μm以上1.0μm以下。
氧化膜40例如为c轴取向的铌酸锂膜。氧化膜40例如为在基板Sb上外延生长的外延膜。外延膜是指通过基底的基板而使结晶方位对齐的单晶的膜。外延膜为在z方向及xy面内方向上具有单一的结晶方位的膜，且为结晶在x轴、y轴及z轴方向上均对齐地进行取向的膜。是否为外延膜能够通过例如进行2θ－θX射线衍射中的取向位置处的峰强度和极点的确认进行证明。另外，氧化膜40也可以为经由SiO2设置于Si基板上的铌酸锂膜。
铌酸锂的组成为LixNbAyOz。A为Li、Nb、O以外的元素。x为0.5以上1.2以下，优选为0.9以上1.05以下。y为0以上0.5以下。z为1.5以上4.0以下，优选为2.5以上3.5以下。A的元素例如为K、Na、Rb、Cs、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Ti、Zr、Hf、V、Cr、Mo、W、Fe、Co、Ni、Zn、Sc、Ce，也可以将这些元素中的两种以上进行组合。
氧化膜40的膜厚例如为2μm以下。氧化膜40的膜厚是指脊形状部以外的部分的膜厚。如果氧化膜40的膜厚厚，则结晶性可能降低。另外，氧化膜40的膜厚例如为所使用的光的波长的1/10左右以上。如果氧化膜40的膜厚薄，则光的封闭变弱，光泄漏至基板Sb或缓冲层30。如果氧化膜40的膜厚薄，则即使对氧化膜40施加电场，光波导10的有效折射率的变化也可能变小。
电极21、22为向光波导10施加调制电压Vm的电极。电极21为第一电极的一个例子，电极22为第二电极的一个例子。电极21的第一端21a与电源31连接，第二端21b与终端电阻32连接。电极22的第一端22a与电源31连接，第二端22b与终端电阻32连接。电源31为向光调制元件100施加调制电压Vm的驱动电路110的一部分。
电极23、24为向光波导10施加直流偏置电压Vdc的电极。电极23的第一端23a及电极24的第一端24a与电源33连接。电源33为向光调制元件100施加直流偏置电压Vdc的直流偏置施加电路120的一部分。
在图3中，为了容易观察，使并行配置的电极21及电极22的线宽、线间比实际宽。因此，电极21与第一光波导11重叠的部分的长度和电极22与第二光波导12重叠的部分的长度看起来不同，但这些长度大致相同。同样，电极23与第一光波导11重叠的部分的长度和电极24与第二光波导12重叠的部分的长度大致相同。
另外，在电极21、22重叠直流偏置电压Vdc的情况下，也可以不设置电极23、24。另外，也可以在电极21、22、23、24的周围设置接地电极。
电极21、22、23、24隔着缓冲层30位于氧化膜40上。电极21、23能够分别对第一光波导11施加电场。电极21、23分别位于例如从z方向俯视时与第一光波导11重叠的位置。电极21、23分别位于第一光波导11的上方。电极22、24能够分别对第二光波导12施加电场。电极22、24分别位于例如从z方向俯视时与第二光波导12重叠的位置。电极22、24分别位于第二光波导12的上方。
缓冲层30位于光波导10和电极20之间。缓冲层30包覆并保护脊形状部。另外，缓冲层30防止在光波导10中传播的光被电极20吸收。缓冲层30的折射率比氧化膜40低。缓冲层30为例如SiO2、Al2O3、MgF2、La2O3、ZnO、HfO2、MgO、Y2O3、CaF2、In2O3等或它们的混合物。
光调制元件100能够通过公知的方法制作。使用例如外延生长、光刻、蚀刻、气相沉积及喷镀等半导体工艺，制造光调制元件100。
光调制元件100将电信号转换为光信号。光调制元件100将输入光Lin调制为输出光Lout。首先，对光调制元件100的调制动作进行说明。
从输入路13输入的输入光Lin向第一光波导11和第二光波导12分支并传播。在第一光波导11中传播的光和在第二光波导12中传播的光的相位差在分支的时刻为零。
接着，向电极21和电极22之间施加施加电压。例如，也可以向电极21和电极22分别施加绝对值相同且正负相反、相位未彼此偏移的差动信号。第一光波导11及第二光波导12的折射率根据电光效应而变化。例如，第一光波导11的折射率从基准的折射率n变化+Δn，第二光波导12的折射率从基准的折射率n变化－Δn。
第一光波导11和第二光波导12的折射率的不同在传播于第一光波导11的光和传播于第二光波导12的光之间产生相位差。在第一光波导11及第二光波导12中传播的光在输出路14合流，并作为输出光Lout输出。输出光Lout为将在第一光波导11中传播的光和在第二光波导12中传播的光重叠后的光。输出光Lout的强度根据在第一光波导11中传播的光和在第二光波导12中传播的光的相位差而变化。例如，在相位差为π的偶数倍的情况下光增强，在为π的奇数倍的情况下光减弱。通过这样的步骤，光调制元件100根据电信号将输入光Lin调制为输出光Lout。
向光调制元件100的调制电压施加用的电极21、22施加与调制信号相应的调制电压Vm。向直流偏置电压施加用的电极23、24施加的电压、即从直流偏置施加电路120输出的直流偏置电压Vdc通过直流偏置控制电路130进行控制。直流偏置控制电路130通过控制直流偏置电压Vdc，调整光调制元件100的动作点Vd。动作点Vd是指成为调制电压振幅的中心的电压。
直流偏置控制电路130将光调制元件100的动作点Vd设为电压幅度R1内。电压幅度R1根据半波长电压Vπ及零点电压Vn进行规定。
使用图5对光调制元件100所进行的光调制进行说明。图5是表示第一实施方式的光调制器200的施加电压和输出的关系的图。图5的横轴为向光调制元件100施加的电压，纵轴为将来自光调制元件100的输出标准化的值。输出将在第一光波导11中传播的光和在第二光波导12中传播的光的相位差为零的情况作为“1”而进行标准化。
接着，对零点电压Vn及半波长电压Vπ进行说明。
光调制元件100的输出在施加电压为零的情况下最大。其原因在于，在施加电压为零的情况下，在第一光波导11中传播的光和在第二光波导12中传播的光的相位差为零。
如果增大施加电压，则来自光调制元件100的输出逐渐变小，在某一点成为极小。来自光调制元件100的输出成为极小的电压为零点电压Vn。零点电压Vn能够通过测量从光调制元件100输出的光成为极小时的电压而进行确认。具体而言，能够通过向调制电压施加用的电极21、22施加电压，测量从光调制元件100输出的光成为极小时的电压(电极21、22的电位差)而进行确认。
半波长电压(半波长相位调制电压)为用于通过马赫曾德尔型光调制器使光的相位差为180°的电压，从光调制元件100输出的光从极大到极小的电压幅度与半波长电压Vπ对应。如果施加超过零点电压Vn的电压，则来自光调制元件100的输出周期性地变化。来自光调制元件100的输出针对每一半波长电压Vπ重复极大、极小。半波长电压Vπ能够通过测量从光调制元件100输出的光成为极小的电压和成为极大的电压而进行确认。具体而言，能够通过向调制电压施加用的电极21、22施加电压，测量从光调制元件100输出的光成为极大时的电压(电极21、22的电位差)和成为极小时的电压(电极21、22的电位差)而进行确认。
光调制元件100的半波长电压Vπ根据光调制元件100的结构而变化。半波长电压Vπ例如根据第一光波导11上的电极21的长度、第二光波导12上的电极22的长度等而变化。长度为向光的传播方向的长度。在图3的光调制元件100的情况下，为电极21中的与第一光波导11重叠的部分的长度或电极22中的与第二光波导12重叠的部分的长度。该长度被称为相互作用长度。如果相互作用长度长，则半波长电压Vπ变小，如果相互作用长度短，则半波长电压Vπ变大。
与使用块状的铌酸锂的光调制元件相比，使用铌酸锂薄膜的光调制元件能够对光波导高效地施加电场，因此，能够使半波长电压Vπ减小。但是，为了装入数据中心用的对讲机中，需要进行光调制元件100的进一步小型化，需要使光调制元件100的相互作用长度缩短。另外，为了拓宽光调制元件100的调制频率的波段，需要缩短相互作用长度。因此，光调制元件100的半波长电压Vπ例如会变大至4.9V以上。因此，本实施方式的光调制器200将动作点Vd设为电压幅度R1内，控制下述的施加电压幅度Vpp。
电压幅度R1为Vn+0.50Vπ以上Vn+0.75Vπ以下的范围或Vn－0.75Vπ以上Vn－0.50Vπ以下的范围。即，将动作点Vd设计成满足以下关系式。
Vn+0.50Vπ≤Vd≤Vn+0.75Vπ或Vn－0.75Vπ≤Vd≤Vn－0.50Vπ
动作点Vd有时根据使用环境的温度等而变动。在动作点Vd在使用中发生了变动的情况下，通过直流偏置控制电路130进行修正。直流偏置控制电路130例如基于从输出光Lout分支出的分支光Lb，修正动作点Vd的变动。
驱动电路110控制向光调制元件100施加的施加电压幅度Vpp。驱动电路110控制向光调制元件100施加的高频电压。驱动电路110将转换成光信号的电信号输入到光调制元件100。驱动电路110包含例如电源、驱动器等。
图6是用于说明第一实施方式的光调制器200的施加电压幅度Vpp的图。图6是对图5追加施加电压幅度Vpp的说明的图。
施加电压幅度Vpp为使光调制元件100动作时利用的电压的范围。向光调制元件100以动作点Vd为中心施加规定的电压幅度的范围内的电压。向光调制元件100以动作点Vd为中心施加最大值和最小值的差为施加电压幅度Vpp的高频电压。来自光调制元件100的输出在与施加电压幅度Vpp对应的范围内变化。
例如，如果设动作点Vd为Vn+0.5π、施加电压幅度Vpp为半波长电压Vπ，则向光调制元件100施加从Vn到Vn+Vπ的范围的电压。来自光调制元件100的输出在施加电压为Vn时最小，在施加电压为Vn+Vπ时最大。即，如果将施加电压幅度Vpp设定为上述范围，则光调制元件100的输出的变化幅度最大。另一方面，驱动光调制元件100所需的驱动电压变大。
驱动电路110将向光调制元件100施加的施加电压幅度Vpp设为0.22Vπ≤Vpp≤0.50Vπ的范围。
施加电压幅度Vpp能够通过测量向调制电压施加用的电极21、22施加的最小电压(电极21、22的电位差)和最大电压(电极21、22的电位差)而进行确认。
图7是表示第一实施方式的光调制器200的施加电压和消光比的关系的图。图7的横轴为向光调制元件100施加的电压，纵轴表示所施加的电压下的输出光Lout和零点电压下的输出光Lout之比。消光比为输出光Lout的最大值和最小值之比。
如图5及图7所示，如果将动作点Vd设定为电压幅度R1内，将施加电压幅度Vpp设定为规定的范围，则光调制元件100在输出光Lout的光量相对较大的区域内动作。
如果在输出光Lout的光量相对较小的区域(零点电压Vn附近)驱动光调制元件100，则光调制元件100中的调制损耗变大，有时不能充分检测输出光Lout。即，在将输出光Lout转换为电信号时信号分量会被噪声淹没，可能不能进行探测。
与此相对，如果在光调制元件100的输出光Lout的光量充分大的区域驱动光调制元件100，则不能获得充分的灵敏度。例如，如果将动作点Vd设定为电压幅度R1内，将施加电压幅度Vpp设定为规定的范围，则在调制损耗为3dB以下的范围内能够使用光调制元件100。
在此，如图7所示，在光调制元件100的输出光Lout的光量充分大的区域中，消光比小。例如，在施加电压幅度Vpp相同这样的条件下，将动作点Vd设定于从零点电压Vn离开的位置的情况下，与将动作点Vd设定于零点电压Vn附近的情况相比，光量变大，但消光比变小。但是，数据中心用的光调制器要求的消光比小于远距离通信用的光调制器，为3dB～9dB左右。因此，如果将动作点Vd设定为电压幅度R1内，将施加电压幅度Vpp设定为规定的范围，则能够使消光比为3dB以上，能够用于数据中心。
另外，使用铌酸锂膜的光调制元件100如果要使消光比最大化，则驱动电压变大，但通过将施加电压幅度Vpp设定为规定的范围，能够进行低电压驱动。
如上所述，第一实施方式的光调制器200能够进行低电压驱动且调制损耗少。
至此为止以第一实施方式的光调制器200为一个例子进行了说明，但本发明不限定于第一实施方式，可以进行各种变形。
例如，也可以将动作点Vd设为Vn+0.62Vπ≤Vd≤Vn+0.75Vπ或Vn－0.75Vπ≤Vd≤Vn－0.62Vπ，将施加电压幅度Vpp设为0.32Vπ≤Vpp≤0.50Vπ的范围。在该情况下，能够使光调制元件100的调制损耗为2dB以下。
另外，例如，也可以将动作点Vd设为Vn+0.62Vπ≤Vd≤Vn+0.73Vπ或Vn－0.73Vπ≤Vd≤Vn－0.62Vπ，将施加电压幅度Vpp设为0.32Vπ≤Vpp≤0.50Vπ的范围。在输出光Lout的输出为最大的位置上，信号容易发生失真。通过避开该容易发生失真的区域，可抑制再现信号的波形失真。
另外，图8是从z方向俯视第一变形的光调制元件101的俯视图。光调制元件101具有光波导50和电极61、62、63、64。
光波导50具有第一光波导51、第二光波导52、输入路53、输出路54、分支部55以及耦合部56。在第一光波导51及第二光波导52在中途弯曲这一点上，光波导50与光波导10不同。光波导50的其他点与光波导10相同。
电极61、62为向光波导50施加调制电压Vm的电极。电极61为第一电极的一个例子，电极62为第二电极的一个例子。电极61的第一端61a与电源31连接，第二端61b与终端电阻32连接。电极62的第一端62a与电源31连接，第二端62b与终端电阻32连接。电极63、64为向光波导50施加直流偏置Vdc的电极。电极63的第一端63a及电极64的第一端64a与电源33连接。
在图8中，为了拓宽并行配置的电极61及电极62的线宽、线间，将电极61与第一光波导51重叠的部分的长度和电极62与第二光波导52重叠的部分的长度图示为不同，但这些长度大致相同。同样，电极63与第一光波导51重叠的部分的长度和电极64与第二光波导52重叠的部分的长度大致相同。
电极61及电极62沿着第一光波导51及第二光波导52弯曲这一点与电极21及电极22不同。电极61、62、63、64各自的其他点与电极21、22、23、24各自相同。
光调制元件101通过第一光波导51及第二光波导52弯曲，x方向的元件尺寸小。光调制元件101例如能够实现100mm2以下、优选为50mm2以下的元件尺寸。数据中心用的光调制器要求小型化。通过使光波导50弯曲，即使在与已有的数据中心用的光调制器对应的小尺寸的区域内也能够收纳光调制元件101。
符号的说明
10、50 光波导
11、51 第一光波导
12、52 第二光波导
13、53 输入路
14、54 输出路
15 分支部
16 耦合部
21、22、23、24、61、62、63、64电极
30 缓冲层
40 氧化膜
40a 第一面
100、101 光调制元件
110 驱动电路
120 直流偏置施加电路
130 直流偏置控制电路
200 光调制器
Lin 输入光
Lout 输出光
Lb 分支光
Vd 动作点
Vn零(null)点电压
Vπ 半波长电压
Vpp 施加电压幅度。

Claims (4)

1.一种光调制器，其中，
具备：
光调制元件，其具有第一光波导、第二光波导、向所述第一光波导施加电场的第一电极、及向所述第二光波导施加电场的第二电极；及
控制部，其控制所述第一电极和所述第二电极之间的施加电压，
所述控制部，
在将所述光调制元件的半波长电压设为Vπ，将零点电压设为Vn时，将动作点Vd设为Vn+0.50Vπ≤Vd≤Vn+0.75Vπ或Vn－0.75Vπ≤Vd≤Vn－0.50Vπ，
将作为向所述光调制元件施加的施加电压的振幅的施加电压幅度Vpp设为0.22Vπ≤Vpp≤0.50Vπ的范围。
2.根据权利要求1所述的光调制器，其中，
所述第一光波导及所述第二光波导分别包含从铌酸锂膜的第一面突出的脊形状部。
3.一种光调制元件的驱动方法，其中，
所述光调制元件具有第一光波导及第二光波导、位于俯视时与所述第一光波导重叠的位置的第一电极、以及位于俯视时与所述第二光波导重叠的位置的第二电极，
在将所述光调制元件的半波长电压设为Vπ，将零点电压设为Vn时，将动作点Vd设为Vn+0.50Vπ≤Vd≤Vn+0.75Vπ或Vn－0.75Vπ≤Vd≤Vn－0.50Vπ，
将作为向所述光调制元件施加的施加电压的振幅的施加电压幅度Vpp设为0.22Vπ≤Vpp≤0.50Vπ的范围。
4.根据权利要求3所述的光调制元件的驱动方法，其中，
所述第一光波导及所述第二光波导分别包含从铌酸锂膜的第一面突出的脊形状部。
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