CN115915837A - 显示基板、显示面板及显示装置 - Google Patents

Abstract

本申请提供一种显示基板、显示面板及显示装置。显示基板的第一颜色子像素的像素开口在衬底基板上的正投影、第二颜色子像素的像素开口在衬底基板上的正投影及第三颜色子像素的像素开口在衬底基板上的正投影均与其驱动晶体管的沟道在衬底基板上的正投影无交叠。或者，至少一个子像素的像素开口在衬底基板上的正投影与其驱动晶体管的沟道在衬底基板上的正投影存在交叠，至少一个第二颜色子像素的像素开口与第一颜色子像素的像素开口及第三颜色子像素的像素开口在第一方向上的正投影存在交叠，第二颜色子像素的像素开口与第一颜色子像素的像素开口及第三颜色子像素的像素开口在第二方向上的正投影均无交叠，第一方向与第二方向相交。

Description

显示基板、显示面板及显示装置

本申请要求申请号为PCT/CN2021/107421、申请日为2021年7月20日、发明创造的名称为“显示基板、显示面板及显示装置”的申请的优先权。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，特别涉及一种显示基板、显示面板及显示装置。

背景技术

有机发光二极管具有自发光、高效率、色彩鲜艳、轻薄省电以及使用温度范围宽等优点，已经逐步应用于大面积显示、照明以及车载显示等领域。

发明内容

根据本申请实施例的第一方面，提供了一种显示基板。所述显示基板包括衬底基板及位于所述衬底基板上的多个子像素；

所述多个子像素包括多个第一颜色子像素、多个第二颜色子像素及多个第三颜色子像素，人眼对所述第一颜色的敏感度大于对所述第三颜色的敏感度，人眼对所述第三颜色的敏感度大于对所述第二颜色的敏感度；所述子像素包括有机发光元件和驱动所述有机发光元件的像素电路；所述有机发光元件包括第一电极、第二电极及位于所述第一电极与所述第二电极之间的有机发光材料；所述子像素的第一电极与像素电路电连接；所述像素电路包括驱动晶体管；

所述显示基板还包括有源半导体层及像素限定层，所述有源半导体层包括各子像素的驱动晶体管的沟道和源漏区；所述像素限定层设有与所述子像素一一对应的像素开口；

所述第一颜色子像素的像素开口在所述衬底基板上的正投影与所述第一颜色子像素的驱动晶体管的沟道在所述衬底基板上的正投影无交叠，所述第二颜色子像素的像素开口在所述衬底基板上的正投影与所述第二颜色子像素的驱动晶体管的沟道在所述衬底基板上的正投影无交叠，所述第三颜色子像素的像素开口在所述衬底基板上的正投影与所述第三颜色子像素的驱动晶体管的沟道在所述衬底基板上的正投影无交叠；或者，

至少一个子像素的像素开口在所述衬底基板上的正投影与其驱动晶体管的沟道在所述衬底基板上的正投影存在交叠，至少一个所述第二颜色子像素的像素开口在第一方向上的正投影与所述第一颜色子像素的像素开口在所述第一方向上的正投影及所述第三颜色子像素的像素开口在所述第一方向上的正投影存在交叠，且所述第二颜色子像素的像素开口在第二方向上的正投影与所述第一颜色子像素的像素开口在所述第二方向上的正投影及所述第三颜色子像素的像素开口在所述第二方向上的正投影均无交叠，所述第一方向与所述第二方向相交。

在一个实施例中，所述第一颜色子像素的像素开口在所述衬底基板上的正投影与所述第一颜色子像素的驱动晶体管的沟道在所述衬底基板上的正投影存在交叠，所述第二颜色子像素的像素开口在所述衬底基板上的正投影与所述第二颜色子像素的驱动晶体管的沟道在所述衬底基板上的正投影存在交叠，所述第三颜色子像素的像素开口在所述衬底基板上的正投影与所述第三颜色子像素的驱动晶体管的沟道在所述衬底基板上的正投影存在交叠。

在一个实施例中，所述多个子像素被划分为多个像素组，每个所述像素组包括第一颜色子像素、第二颜色子像素和第三颜色子像素；至少一个所述像素组包括两行沿所述第一方向排列的子像素，其中一行沿所述第一方向排列的子像素包括交替排布的所述第一颜色子像素和所述第三颜色子像素，另一行沿所述第一方向排列的子像素包括所述第二颜色子像素。

在一个实施例中，在至少一个所述像素组中，各所述子像素对应的像素开口在所述衬底基板上的正投影与任一所述子像素的驱动晶体管的栅极在所述衬底基板上的正投影没有交叠，或

各所述子像素对应的像素开口在所述衬底基板上的正投影与任一所述子像素的驱动晶体管的栅极在所述衬底基板上的正投影存在交叠区域，所述交叠区域的面积与所述栅极的面积比值不大于10％。

在一个实施例中，所述显示基板还设有多个沿所述第一方向延伸的扫描信号线，所述扫描信号线被配置为为所述像素组提供扫描信号；

在至少一个像素组中，在所述第二方向上，所述第二颜色子像素的驱动晶体管的沟道到所述扫描信号线的距离与所述第一颜色子像素的驱动晶体管的沟道到所述扫描信号线的距离不同。

在一个实施例中，在至少一个像素组中，在第二方向上，所述第二颜色子像素的驱动晶体管的沟道到所述扫描信号线的距离大于所述第一颜色子像素的驱动晶体管的沟道到所述扫描信号线的距离。

在一个实施例中，所述显示基板还设有沿所述第一方向延伸的扫描信号线，所述扫描信号线被配置为为所述像素组提供扫描信号；

在至少一个像素组中，所述扫描信号线在第二方向上的正投影与所述子像素的驱动晶体管的栅极在所述第二方向上的正投影存在交叠，所述第二方向与所述第一方向垂直。

在一个实施例中，所述显示基板还设有沿所述第一方向延伸的扫描信号线，所述扫描信号线被配置为为所述子像素提供扫描信号；所述扫描信号线包括扫描信号线主体部及由所述扫描信号线主体部的一侧凸出的凸出部；所述扫描信号线主体部包括第一子扫描线、第二子扫描线及连接部，所述第一子扫描线与所述第二子扫描线通过所述连接部相连；所述第一子扫描线与所述第一颜色子像素的像素电路连接，所述第二子扫描线与所述第二颜色子像素的像素电路连接；部分所述连接部的延伸方向与所述第一子扫描线的延伸方向相交；

所述像素电路包括补偿晶体管，所述补偿晶体管包括第一栅极和第二栅极；所述补偿晶体管中，所述第一栅极为所述连接部的与所述有源半导体层在所述衬底基板上的正投影交叠的部分，所述第二栅极为所述凸出部的与所述有源半导体层在所述衬底基板上的正投影交叠的部分。

在一个实施例中，所述连接部包括顺次连接的第一子连接部、第二子连接部及第三子连接部，所述第一子连接部与所述第三子连接部与所述第一子扫描线的延伸方向相交，所述第二子连接部与所述第一子扫描线的延伸方向相同；

所述第一栅极为所述第二子连接部的与所述有源半导体层在所述衬底基板上的正投影交叠的部分。

在一个实施例中，所述有源半导体层包括顺次连接的第一区段、第二区段、第三区段及第四区段；所述第二区段、所述第四区段及所述扫描信号线主体部沿所述第一方向延伸，所述第一区段及所述第三区段沿第二方向延伸，所述第二方向与所述第一方向相交；所述显示基板还包括沿所述第一方向延伸且与所述扫描信号线同层设置的复位控制信号线；所述像素电路包括复位晶体管，所述复位晶体管包括栅极；

所述第二栅极为所述凸出部的与所述第四区段在所述衬底基板上的正投影交叠的部分；所述复位晶体管的栅极包括所述复位控制信号线的与所述第一区段在所述衬底基板上的正投影交叠的部分。

在一个实施例中，所述像素电路还包括阈值补偿晶体管，所述阈值补偿晶体管包括栅极；所述显示基板还包括连接结构，所述连接结构的一端与所述驱动晶体管的栅极连接，所述连接结构的另一端与所述阈值补偿晶体管的源漏区连接；

所述连接结构包括第一部分和与所述第一部分相连的第二部分，所述第一部分在所述衬底基板上的正投影与所述凸出部在所述衬底基板上的正投影位于所述扫描信号线主体部在所述衬底基板上的正投影的同一侧；所述第一部分在所述第二方向上的长度大于所述凸出部在所述第二方向上的长度。

在一个实施例中，所述连接结构在第二方向上的尺寸范围为35μm～70μm。

在一个实施例中，所述显示基板还设有多个沿所述第一方向延伸的扫描信号线和复位控制信号线，所述扫描信号线被配置为为所述像素组提供扫描信号，所述复位控制信号线被配置为为所述像素组提供复位控制信号；

至少一个所述第二颜色子像素的第一电极在所述衬底基板上的正投影与所述复位控制信号线在所述衬底基板上的正投影及所述扫描信号线在所述衬底基板上的正投影存在交叠。

在一个实施例中，所述第一颜色子像素的像素开口在所述衬底基板上的正投影、所述第二颜色子像素的像素开口在所述衬底基板上的正投影及所述第三颜色子像素的像素开口在所述衬底基板上的正投影中的任一个、与所述第一颜色子像素的驱动晶体管的沟道在所述衬底基板上的正投影、所述第二颜色子像素的驱动晶体管的沟道在所述衬底基板上的正投影及所述第三颜色子像素的驱动晶体管的沟道在所述衬底基板上的正投影中的任一个均无交叠。

在一个实施例中，所述显示基板还设有扫描信号线，所述扫描信号线被配置为为所述像素组提供扫描信号；所述子像素的驱动晶体管的沟道与所述扫描信号线在第二方向上的距离范围为1μm～50μm。

在一个实施例中，所述像素电路还包括电容，所述电容包括第一极板及位于所述第一极板背离所述衬底基板一侧的第二极板；所述第二颜色子像素的第二极板的面积大于所述第一颜色子像素的第二极板的面积，所述第二颜色子像素的第二极板的面积大于所述第三颜色子像素的第二极板的面积。

在一个实施例中，所述显示基板还包括第一电源线、位于所述第一电源线背离所述衬底基板一侧的第二电源线；所述第一电源线及所述第二电源线被配置为为所述像素电路提供电源信号；所述第一电源线与所述第二电源线电连接；

所述第二电源线包括沿所述第一方向延伸的第一子电源线及沿所述第二方向延伸的第二子电源线，所述第一子电源线与所述第二子电源线相交。

在一个实施例中，所述像素电路还包括发光控制晶体管和电极连接结构，所述电极连接结构将所述子像素的第一电极与所述发光控制晶体管的源漏区电连接；

至少两个所述子像素的电极连接结构的面积不同。

在一个实施例中，所述电极连接结构至少包括第一子电极连接结构和位于所述第一子电极连接结构背离所述衬底基板一侧的第二子电极连接结构；至少两个所述子像素的所述第一子电极连接结构和/或所述第二子电极连接结构的面积不同。

在一个实施例中，所述显示基板还包括屏蔽线及复位电源信号线，所述复位电源信号线被配置为为所述子像素提供复位电源信号；所述屏蔽线与所述复位电源信号线电连接。

在一个实施例中，所述第一颜色子像素在所述第一方向上的尺寸范围为35μm～110μm，在所述第二方向上的尺寸范围为20μm～60μm；所述第二颜色子像素在所述第一方向上的尺寸范围为35μm～120μm，在所述第二方向上的尺寸范围为20μm～80μm；所述第三颜色子像素在所述第一方向上的尺寸范围为35μm～70μm，在所述第二方向上的尺寸范围为20μm～60μm。

根据本申请实施例的第二方面，提供了一种显示面板，包括上述的显示基板。

根据本申请实施例的第三方面，提供了一种显示装置，包括上述的显示面板。

附图说明

图1是本申请一示例性实施例提供的像素电路的电路示意图；

图2至图7是本申请一示例性实施例提供的显示基板的各层的局部示意图；其中，图2A为图2的局部放大图；

图7A是本申请一示例性实施例提供的显示基板的多个像素组的部分膜层的示意图；

图8是本申请一示例性实施例提供的显示基板的一个位置处的局部剖视图；

图9是本申请一示例性实施例提供的显示基板的另一位置处的局部剖视图；

图10是本申请另一示例性实施例提供的显示基板的多个膜层的局部示意图；

图10A为图10中的扫描信号线的局部放大图；

图11是本申请一示例性实施例提供的显示基板的部分膜层的局部示意图；

图12至图16是本申请再一示例性实施例提供的显示基板的各层的局部示意图。

具体实施方式

这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施例并不代表与本申请相一致的所有实施例。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本申请的一些方面相一致的装置和方法的例子。

在本申请使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本申请。在本申请和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。还应当理解，本文中使用的术语“和/或”是指并包含一个或多个相关联的列出项目的任何或所有可能组合。

应当理解，尽管在本申请可能采用术语第一、第二、第三等来描述各种信息，但这些信息不应限于这些术语。这些术语仅用来将同一类型的信息彼此区分开。例如，在不脱离本申请范围的情况下，第一信息也可以被称为第二信息，类似地，第二信息也可以被称为第一信息。取决于语境，如在此所使用的词语“如果”可以被解释成为“在……时”或“当……时”或“响应于确定”。

本申请实施例提供了一种显示基板、显示面板及显示装置。下面结合附图，对本申请实施例中的显示基板、显示面板及显示装置进行详细说明。在不冲突的情况下，下述的实施例中的特征可以相互补充或相互组合。

本申请实施例提供了一种显示基板、显示面板及显示装置。下面结合附图，对本申请实施例中的显示基板、显示面板及显示装置进行详细说明。在不冲突的情况下，下述的实施例中的特征可以相互补充或相互组合。

本申请实施例提供了一种显示基板。所述显示基板包括衬底基板及位于所述衬底基板上的多个子像素。多个子像素在衬底基板上间隔排布。

所述多个子像素包括多个第一颜色子像素、多个第二颜色子像素及多个第三颜色子像素，人眼对所述第一颜色的敏感度大于对所述第三颜色的敏感度，人眼对所述第三颜色的敏感度大于对所述第二颜色的敏感度。子像素的颜色指的是子像素的发光颜色。在一些实施例中，第一颜色为绿色，第二颜色为蓝色，第三颜色为红色。

所述子像素包括有机发光元件和驱动所述有机发光元件的像素电路；所述有机发光元件包括第一电极、第二电极及位于所述第一电极与所述第二电极之间的有机发光材料。所述子像素的第一电极与像素电路电连接。在一些实施例中，第一电极可以是阳极，第二电极可以是阴极。

在一个实施例中，所述显示基板还包括像素限定层，所述像素限定层设有与所述子像素一一对应的像素开口。像素限定层设置在相邻子像素之间，像素开口用于限定各颜色子像素的发光区。像素限定层的像素开口在衬底基板上的正投影位于对应的子像素的第一电极在衬底基板上的正投影内。

在一些实施例中，有机发光材料位于第一电极远离衬底基板的一侧。各颜色子像素的第一电极与有机发光材料在像素限定层的像素开口处接触，像素限定层的像素开口定义出子像素发光区的形状。例如，有机发光元件的第一电极(例如，阳极)可以设置在像素限定层的下方，像素限定层的像素开口露出第一电极的一部分，当有机发光材料形成在上述像素限定层中的像素开口中时，有机发光材料与第一电极接触，从而这部分第一电极能够驱动有机发光材料进行发光。

在一些实施例中，像素限定层的像素开口在衬底基板上的正投影位于相应的有机发光材料在衬底基板上的正投影内，即有机发光材料覆盖了像素限定层的像素开口。例如，有机发光材料的面积大于对应的像素开口的面积，即有机发光材料除位于像素开口内部的部分，至少还包括覆盖像素限定层的实体结构上的部分，通常在像素开口的各个边界处的像素限定层的实体结构上均覆盖有机发光材料。需要说明的是，以上对于有机发光材料图案的描述，是基于例如FMM工艺形成的图案化的各个子像素的有机发光材料，除了FMM制作工艺，也有一些有机发光材料是采用open mask工艺在整个显示区形成整体的膜层，其形状在衬底基板上的正投影是连续的，所以必然有位于像素开口内的部分和位于像素限定层实体结构上的部分。

在一个实施例中，所述多个子像素被划分为多个像素组，多个像素组的有机发光元件在衬底基板上沿第一方向和第二方向排列，第一方向和第二方向相交。所述像素组包括第一颜色子像素、第二颜色子像素及第三颜色子像素。在一些实施例中，第一方向和第二方向垂直。在一些实施例中，第一方向为行方向，第二方向为列方向。在一些实施例中，每一所述像素组中子像素的像素电路在所述第一方向上间隔排布。

在一个实施例中，所述子像素的像素电路在衬底基板上的正投影覆盖的区域大致位于一个矩形框内。像素电路在衬底基板上的正投影主要包括各个晶体管、电容等元件的结构在衬底基板上的正投影。显示基板还包括多个信号线，信号线用来驱动像素电路。需要说明的是，有一些信号线包括位于矩形框内的部分以及延伸出该矩形框外的部分。像素电路还包括电极连接结构，电极连接结构将子像素的像素电路与第一电极电连接。

在一个实施例中，如图1所示，像素电路221包括驱动电路222。驱动电路222包括控制端、第一端和第二端，且被配置为对有机发光元件220提供驱动有机发光元件220发光的驱动电流。

在一个实施例中，如图1所示，像素电路221包括第一发光控制电路223和第二发光控制电路224。例如，第一发光控制电路223与驱动电路222的第一端和第一电压端VDD连接，且被配置为实现驱动电路222和第一电压端VDD之间的连接导通或断开，第二发光控制电路224与驱动电路222的第二端和有机发光元件220的第一电极电连接，且被配置为实现驱动电路222和有机发光元件220之间的连接导通或断开。

在一个实施例中，如图1所示，像素电路221还包括数据写入电路226、存储电路227、阈值补偿电路228和复位电路229。数据写入电路226与驱动电路222的第一端电连接，且被配置为在扫描信号的控制下将数据信号写入存储电路227。存储电路227与驱动电路222的控制端和第一电压端VDD电连接，且被配置为存储数据信号。阈值补偿电路228与驱动电路222的控制端和第二端电连接，且被配置为对驱动电路222进行阈值补偿。复位电路229与驱动电路222的控制端和有机发光元件220的第一电极电连接，且配置为在复位控制信号的控制下对驱动电路222的控制端和有机发光元件220的第一电极进行复位。

在一个实施例中，如图1所示，驱动电路222包括驱动晶体管T1，驱动电路222的控制端包括驱动晶体管T1的栅极，驱动电路222的第一端包括驱动晶体管T1的第一极，驱动电路222的第二端包括驱动晶体管T1的第二极。

在一个实施例中，如图1所示，数据写入电路226包括数据写入晶体管T2，存储电路227包括电容C，阈值补偿电路228包括阈值补偿晶体管T3，第一发光控制电路223包括第一发光控制晶体管T4，第二发光控制电路224包括第二发光控制晶体管T5，复位电路229包括第一复位晶体管T6和第二复位晶体管T7，复位控制信号可以包括第一子复位控制信号和第二子复位控制信号。

在一个实施例中，如图1所示，数据写入晶体管T2的第一极与驱动晶体管T1的第一极电连接，数据写入晶体管T2的第二极被配置为与数据线Vd电连接以接收数据信号，数据写入晶体管T2的栅极被配置为与扫描信号线Ga1电连接以接收扫描信号；电容C的第一极与第一电源端VDD电连接，电容C的第二极与驱动晶体管T1的栅极电连接；阈值补偿晶体管T3的第一极与驱动晶体管T1的第二极电连接，阈值补偿晶体管T3的第二极与驱动晶体管T1的栅极电连接，阈值补偿晶体管T3的栅极被配置为与扫描信号线Ga2电连接以接收补偿控制信号；第一复位晶体管T6的第一极被配置为与复位电源端Vinit1电连接以接收第一复位信号，第一复位晶体管T6的第二极与驱动晶体管T1的栅极电连接，第一复位晶体管T6的栅极被配置为与复位控制信号线Rst1电连接以接收第一子复位控制信号；第二复位晶体管T7的第一极被配置为与复位电源端Vinit2电连接以接收第二复位信号，第二复位晶体管T7的第二极与有机发光元件220的第一电极电连接，第二复位晶体管T7的栅极被配置为与复位控制信号线Rst2电连接以接收第二子复位控制信号；第一发光控制晶体管T4的第一极与第一电源端VDD电连接，第一发光控制晶体管T4的第二极与驱动晶体管T1的第一极电连接，第一发光控制晶体管T4的栅极被配置为与发光控制信号线EM1电连接以接收第一发光控制信号；第二发光控制晶体管T5的第一极与驱动晶体管T1的第二极电连接，第二发光控制晶体管T5的第二极与有机发光元件220的第二电极电连接，第二发光控制晶体管T5的栅极被配置为与发光控制信号线EM2电连接以接收第二发光控制信号；有机发光元件220的第一电极与第二电源端VSS电连接。

在一个实施例中，第一电源端VDD和第二电源端VSS中的其中一个为高压端，另一个为低压端。图1所示的实施例中，第一电源端VDD为电压源以输出恒定的第一电压，第一电压为正电压；而第二电源端VSS可以为电压源以输出恒定的第二电压，第二电压为负电压等。在一些示例性实施例中，第二电源端VSS可以接地。

在一个实施例中，如图1所示，扫描信号和补偿控制信号可以相同，即，数据写入晶体管T2的栅极和阈值补偿晶体管T3的栅极可以电连接到同一条信号线，例如扫描信号线Ga1，以接收相同的信号(例如，扫描信号)，此时，显示基板1000可以不设置扫描信号线Ga2，减少信号线的数量。又例如，数据写入晶体管T2的栅极和阈值补偿晶体管T3的栅极也可以分别电连接至不同的信号线，即数据写入晶体管T2的栅极电连接到扫描信号线Ga1，阈值补偿晶体管T3的栅极电连接到扫描信号线Ga2，而扫描信号线Ga1和扫描信号线Ga2传输的信号相同。

需要说明的是，扫描信号和补偿控制信号也可以不相同，从而使得数据写入晶体管T2的栅极和阈值补偿晶体管T3可以被分开单独控制，增加控制像素电路的灵活性。

在一个实施例中，如图1所示，第一发光控制信号和第二发光控制信号可以相同，即，第一发光控制晶体管T4的栅极和第二发光控制晶体管T5的栅极可以电连接到同一条信号线，例如发光控制信号线EM1，以接收相同的信号(例如，第一发光控制信号)，此时，显示基板1000可以不设置发光控制信号线EM2，减少信号线的数量。在其他实施例中，第一发光控制晶体管T4的栅极和第二发光控制晶体管T5的栅极也可以分别电连接至不同的信号线，即，第一发光控制晶体管T4的栅极电连接到发光控制信号线EM1，第二发光控制晶体管T5的栅极电连接到发光控制信号线EM2，而发光控制信号线EM1和发光控制信号线EM2传输的信号相同。

需要说明的是，当第一发光控制晶体管T4和第二发光控制晶体管T5为不同类型的晶体管，例如，第一发光控制晶体管T4为P型晶体管，而第二发光控制晶体管T5为N型晶体管时，第一发光控制信号和第二发光控制信号也可以不相同，本申请的实施例对此不作限制。

在一个实施例中，第一子复位控制信号和第二子复位控制信号可以相同，即，第一复位晶体管T6的栅极和第二复位晶体管T7的栅极可以电连接到同一条信号线，例如复位控制信号线Rst1，以接收相同的信号(例如，第一子复位控制信号)，此时，显示基板1000可以不设置复位控制信号线Rst2，减少信号线的数量。又例如，第一复位晶体管T6的栅极和第二复位晶体管T7的栅极也可以分别电连接至不同的信号线，即第一复位晶体管T6的栅极电连接到复位控制信号线Rst1，第二复位晶体管T7的栅极电连接到复位控制信号线Rst2，而复位控制信号线Rst1和复位控制信号线Rst2传输的信号相同。需要说明的是，第一子复位控制信号和第二子复位控制信号也可以不相同。在另一实施例中，第一子复位控制信号与第二子复位控制信号不同，复位控制信号线Rst2的脉冲宽度大于复位控制信号线Rst1的脉冲宽度，且复位控制信号线Rst2的脉冲宽度小于第二发光控制晶体管T5在截止时发光控制信号线EM2的脉冲宽度。如此有助于提升子像素的有机发光元件的寿命。

在一个实施例中，第二子复位控制信号可以与扫描信号相同，即第二复位晶体管T7的栅极可以电连接到扫描信号线Ga1以接收扫描信号作为第二子复位控制信号。

在一个实施例中，第一复位晶体管T6的栅极和第二复位晶体管T7的源极分别连接到第一复位电源端Vinit1和第二复位电源端Vinit2，第一复位电源端Vinit1和第二复位电源端Vinit2可以为直流参考电压端，以输出恒定的直流参考电压。第一复位电源端Vinit1和第二复位电源端Vinit2可以相同，例如第一复位晶体管T6的栅极和第二复位晶体管T7的源极连接到同一复位电源端。第一复位电源端Vinit1和第二复位电源端Vinit2可以为高压端，也可以为低压端，只要其能够提供第一复位信号和第二复位信号以对驱动晶体管T1的栅极和发光元件220的第一电极进行复位即可，本申请对此不作限制。

需要说明的是，图1所示的像素电路中的驱动电路222、数据写入电路226、存储电路227、阈值补偿电路228和复位电路229仅为示意性的，驱动电路222、数据写入电路226、存储电路227、阈值补偿电路228和复位电路229等电路的具体结构可以根据实际应用需求进行设定，本申请的实施例对此不作具体限定。

按照晶体管的特性，晶体管可以分为N型晶体管和P型晶体管，为了清楚起见，本申请的实施例以晶体管为P型晶体管(例如，P型MOS晶体管)为例详细阐述了本申请的技术方案，也就是说，在本申请的描述中，驱动晶体管T1、数据写入晶体管T2、阈值补偿晶体管T3、第一发光控制晶体管T4、第二发光控制晶体管T5、第一复位晶体管T6和第二复位晶体管T7等均可以为P型晶体管。当然本申请的实施例的晶体管不限于P型晶体管，本领域技术人员还可以根据实际需要利用N型晶体管(例如，N型MOS晶体管)实现本申请的实施例中的一个或多个晶体管的功能。

需要说明的是，本申请的实施例中采用的晶体管可以为薄膜晶体管或场效应晶体管或其他特性相同的开关器件，薄膜晶体管可以包括氧化物半导体薄膜晶体管、非晶硅薄膜晶体管或多晶硅薄膜晶体管等。晶体管的源极、漏极在结构上可以是对称的，所以其源极、漏极在物理结构上可以是没有区别的。在本申请的实施例中，为了区分晶体管，除作为控制极的栅极，直接描述了其中一极为第一极，另一极为第二极，所以本申请的实施例中全部或部分晶体管的第一极和第二极根据需要是可以互换的。

需要说明的是，在本申请实施例中，子像素的像素电路除了可以为图1所示的7T1C(即七个晶体管和一个电容)结构之外，还可以为包括其他数量的晶体管的结构，如7T2C结构、6T1C结构、6T2C结构或者9T2C结构，本申请实施例对此不作限定。

图2-7为本申请一实施例提供的一种像素电路的各层的示意图。下面结合附图2-7描述像素电路中的各个电路在背板上的位置关系，图2-7所示的示例以一个像素组的像素电路221为例，且以第一颜色子像素110包括的像素电路的各晶体管的位置进行示意，第二颜色子像素120与第三颜色子像素130中像素电路包括的部件与第一颜色子像素包括的各晶体管的位置大致相同。如图2所示，该第一颜色子像素110的像素电路221包括图1所示的驱动晶体管T1、数据写入晶体管T2、阈值补偿晶体管T3、第一发光控制晶体管T4、第二发光控制晶体管T5、第一复位晶体管T6、第二复位晶体管T7及电容C。

图2-7还示出了电连接到各个颜色子像素的像素电路121的扫描信号线Ga1、复位控制信号线Rst1、复位电源信号线Init1、发光控制信号线EM1、数据线Vd、电源信号线(包括第一电源端VDD的第一电源信号线VDD1、第二电源信号线VDD3和第三电源信号线VDD2)及屏蔽线344。第一电源信号线VDD1和第二电源信号线VDD3彼此电连接，第一电源信号线VDD1和第三电源信号线VDD2彼此电连接。所述第二电源线VDD3包括沿所述第一方向Y延伸的第一子电源线VDD31及沿所述第二方向X延伸的第二子电源线VDD32，所述第一子电源线VDD31与所述第二子电源线VDD32相交。

扫描信号线Ga1被配置为为像素组提供扫描信号；复位控制信号线Rst1被配置为为像素组提供复位控制信号；复位电源信号线Init1被配置为为像素组提供复位电源信号；发光控制信号线EM1被配置为为像素组提供发光控制信号；数据线Vd被配置为为像素组提供发光数据信号；第一电源信号线VDD1、第二电源信号线VDD3及第三电源信号线VDD2被配置为为像素组提供电源信号。

例如，图2示出了该显示基板中像素电路的有源半导体层310。有源半导体层310可采用半导体材料图案化形成。有源半导体层310可用于制作上述的驱动晶体管T1、数据写入晶体管T2、阈值补偿晶体管T3、第一发光控制晶体管T4、第二发光控制晶体管T5、第一复位晶体管T6和第二复位晶体管T7的沟道。有源半导体层310包括各子像素的各晶体管的沟道和源漏区(即第二颜色子像素中示出的源极区域s和漏极区域d)，且同一像素电路中的各晶体管的沟道和源漏区一体设置。图2中示出的有源半导体层310包括第一颜色子像素的沟道301、第二颜色子像素的沟道302和第三颜色子像素的沟道303。

需要说明的是，有源半导体层可以包括一体形成的低温多晶硅层，其中的源极区域和漏极区域可以通过掺杂等进行导体化实现各结构的电连接。也就是每个子像素的各晶体管的有源半导体层为由p-硅形成的整体图案，且同一像素电路中的各晶体管包括源漏区(即源极区域s和漏极区域d)和沟道，不同晶体管的沟道之间由源漏区隔开。

在一个实施例中，沿第一方向排列的不同颜色子像素的像素电路中的有源半导体层没有连接关系，彼此断开。沿第二方向排列的相同颜色子像素的像素电路中的有源半导体层可以为一体设置，也可以彼此断开。

在一个实施例中，有源半导体层310可采用非晶硅、多晶硅、氧化物半导体材料等制作。需要说明的是，上述的源极区域和漏极区域可为掺杂有n型杂质或p型杂质的区域。

例如，像素电路的栅极金属层可以包括第一导电层和第二导电层。在上述的有源半导体层310上形成有栅极绝缘层103(如图8和图9所示)，用于保护上述的有源半导体层310，有源半导体层310位于衬底基板100上。图3示出了该显示基板包括的第一导电层320，第一导电层320设置在栅极绝缘层上，从而与有源半导体层310绝缘。第一导电层320可以包括电容C的第二极板CC2、扫描信号线Ga1、复位控制信号线Rst1、发光控制信号线EM1以及驱动晶体管T1、数据写入晶体管T2、阈值补偿晶体管T3、第一发光控制晶体管T4、第二发光控制晶体管T5、第一复位晶体管T6和第二复位晶体管T7的栅极。扫描信号线Ga1包括扫描信号线主体部Ga11及由由所述扫描信号线主体部Ga11的一侧凸出的凸出部P。

例如，如图3所示，数据写入晶体管T2的栅极可以为扫描信号线Ga1与有源半导体层310交叠的部分；第一发光控制晶体管T4的栅极可以为发光控制信号线EM1与有源半导体层310交叠的第一部分，第二发光控制晶体管T5的栅极可以为发光控制信号线EM1与有源半导体层310交叠的第二部分；第一复位晶体管T6的栅极为复位控制信号线Rst1与有源半导体层310交叠的第一部分，第二复位晶体管T7的栅极为复位控制信号线Rst1与有源半导体层310交叠的第二部分；阈值补偿晶体管T3可为双栅结构的薄膜晶体管，阈值补偿晶体管T3的第一个栅极可为扫描信号线Ga1与有源半导体层310交叠的部分，阈值补偿晶体管T3的第二个栅极可为扫描信号线Ga1的突出部P与有源半导体层310交叠的部分。如图1和3所示，驱动晶体管T1的栅极可为电容C的第二极板CC2。

需要说明的是，图2中的各虚线矩形框示出了第一导电层320与有源半导体层310交叠的各个部分。

例如，如图3所示，扫描信号线Ga1、复位控制信号线Rst1和发光控制信号线EM1沿第二方向X排布。扫描信号线Ga1位于复位控制信号线Rst1和发光控制信号线EM1之间。其中信号线沿第一方向延伸指的是，信号线整体行沿第一方向延伸，信号线在第一方向上延伸的部分的面积远大于在第二方向上延伸的部分的面积；信号线沿第二方向延伸指的是，信号线整体行沿第二方向延伸，信号线在第二方向上延伸的部分的面积远大于在第一方向上延伸的部分的面积。

例如，在第二方向X上，电容C的第二极板CC2(即驱动晶体管T1的栅极)位于扫描信号线Ga1和发光控制信号线EM1之间。扫描信号线Ga1的突出部P位于扫描信号线Ga1的远离发光控制信号线EM1的一侧。

例如，如图2所示，在第二方向X上，数据写入晶体管T2的栅极、阈值补偿晶体管T3的栅极、第一复位晶体管T6的栅极和第二复位晶体管T7的栅极均位于驱动晶体管T1的栅极的第一侧，第一发光控制晶体管T4的栅极、第二发光控制晶体管T5的栅极均位于驱动晶体管T1的栅极的第二侧。例如，图2-7所示的示例中，第一颜色子像素的像素电路的驱动晶体管T1的栅极的第一侧和第二侧为在第二方向X上驱动晶体管T1的栅极的彼此相对的两侧。例如，如图2-7所示，在XY面内，第一颜色子像素的像素电路的驱动晶体管T1的栅极的第一侧可以为驱动晶体管T1的栅极的上侧，第一颜色子像素的像素电路的驱动晶体管T1的栅极的第二侧可以为驱动晶体管T1的栅极的下侧。所述下侧，例如显示基板的用于绑定驱动芯片的一侧为显示基板的下侧，驱动晶体管T1的栅极的下侧，为驱动晶体管T1的栅极的更靠近驱动芯片的一侧。所述上侧为下侧的相对侧，例如为驱动晶体管T1的栅极的更远离驱动芯片的一侧。

例如，在一些实施例中，如图2-7所示，在第一方向Y上，数据写入晶体管T2的栅极和第一发光控制晶体管T4的栅极均位于驱动晶体管T1的栅极的第三侧，阈值补偿晶体管T3的第一个栅极、第二发光控制晶体管T5的栅极和第二复位晶体管T7的栅极均位于驱动晶体管T1的栅极的第四侧。例如，图2-7所示的示例中，第一颜色子像素的像素电路的驱动晶体管T1的栅极的第三侧和第四侧为在第一方向Y上驱动晶体管T1的栅极的彼此相对的两侧。例如，如图2-7所示，第一颜色子像素的像素电路的驱动晶体管T1的栅极的第三侧可以为第一颜色子像素的像素电路的驱动晶体管T1的栅极的左侧，第一颜色子像素的像素电路的驱动晶体管T1的栅极的第四侧可以为第一颜色子像素的像素电路的驱动晶体管T1的栅极的右侧。所述左侧和右侧，例如在同一像素电路中，数据线在第一电源信号线VDD1左侧，第一电源信号线VDD1在数据线右侧。

例如，在上述的第一导电层320上形成有第一绝缘层104(如图8和图9所示)，用于保护上述的第一导电层320。图4示出了该像素电路的第二导电层330，第二导电层330包括电容C的第一极板CC1、复位电源信号线Init1、第三电源信号线VDD2以及遮光部S。第三电源信号线VDD2与电容C的第一极板CC1一体形成。电容C的第一极板CC1与电容C的第二极板CC2至少部分重叠以形成电容C。

例如，在上述的第二导电层330上形成有第二绝缘层105(如图8和图9所示)，用于保护上述的第二导电层330。图5示出了该像素电路的源漏极金属层340，源漏极金属层340包括数据线Vd、第一电源信号线VDD1以及屏蔽线344。上述数据线Vd、第一电源信号线VDD1以及屏蔽线344均沿第二方向X延伸。屏蔽线344与数据线Vd同层同材料设置，使得屏蔽线可与数据线在同一次构图工艺中同时形成，避免为了制作屏蔽线而增加额外的构图工艺，从而简化了显示基板的制作流程，节约了制作成本。例如，源漏极金属层340还包括连接结构341、连接部342和电极连接结构的第一子电极连接结构343。所述连接结构341的一端与所述驱动晶体管T1的栅极连接，所述连接结构341的另一端与所述阈值补偿晶体管T3的源漏区连接。

图5还示出了多个过孔的示例性位置，源漏金属层340通过所示的多个过孔与位于该源漏金属层340与衬底基板之间的多个膜层连接。例如，源漏金属层340通过过孔381、过孔382、过孔384、过孔387及过孔352连接至图2所示的有源半导体层310，源漏金属层340通过过孔3832、过孔386、过孔385、过孔331及过孔332连接至图4所示的第二导电层330，各个过孔所在的具体膜层以及具体连接关系在后续图7所示的图中将进行详细描述。

例如，在上述的源漏极金属层340上形成有第三绝缘层106和第四绝缘层107(如图8和图9所示)，用于保护上述的源漏极金属层340。各个子像素的有机发光元件可设置在第三绝缘层和第四绝缘层远离衬底基板的一侧。

图6示出了该像素电路的第三导电层350，第三导电层350包括电极连接结构的第二子电极连接结构353以及沿第二方向X和第一方向Y交叉分布的第二电源信号线VDD3。图6还示出了多个过孔351和过孔354的示例性位置，第三导电层350通过所示的多个过孔351和过孔354与源漏金属层340连接。

图7为上述的有源半导体层310、第一导电层320、第二导电层330、源漏极金属层340以及第三导电层350的层叠位置关系的示意图。如图2-7所示，数据线Vd通过栅极绝缘层、第一绝缘层和第二绝缘层中的至少一个过孔(例如，过孔381)与有源半导体层310中的数据写入晶体管T2的源极区域相连。第一电源信号线VDD1通过栅极绝缘层、第一绝缘层和第二绝缘层中的至少一个过孔(例如，过孔382)与有源半导体层310中对应的第一发光控制晶体管T4的源极区域相连。

如图2-7所示，连接结构341的一端通过栅极绝缘层、第一绝缘层和第二绝缘层中的至少一个过孔(例如，过孔384)与有源半导体层310中对应的阈值补偿晶体管T3的漏极区域相连，连接结构341的另一端通过第一绝缘层和第二绝缘层中的至少一个过孔(例如，过孔385)与第一导电层320中的驱动晶体管T1的栅极(即电容C的第二极板CC2)相连。连接部342的一端通过第二绝缘层中的一个过孔(例如，过孔386)与复位电源信号线Init1相连，连接部342的另一端通过栅极绝缘层、第一绝缘层和第二绝缘层中的至少一个过孔(例如，过孔387)与有源半导体层310中的第二复位晶体管T7的漏极区域相连。第一子电极连接结构343通过栅极绝缘层、第一绝缘层和第二绝缘层中的至少一个过孔(例如，过孔352)与有源半导体层310中的第二发光控制晶体管T5的漏极区域相连。需要说明的是，本公开实施例中采用的晶体管的源极区域和漏极区域在结构上可以是相同的，所以其源极区域和漏极区域在结构上可以是没有区别的，因此根据需要二者是可以互换的。

例如，如图2-7所示，第一电源信号线VDD1通过位于第二导电层330和源漏金属层340之间的第二绝缘层中的至少一个过孔(例如，过孔3832)与第二导电层330中的电容C的第一极板CC1相连。

例如，如图2-7所示，屏蔽线344沿第二方向X延伸，且其在衬底基板上的正投影位于驱动晶体管在衬底基板上的正投影与数据线在衬底基板上的正投影之间。例如，第一颜色子像素的像素电路中的屏蔽线能够减小第二颜色子像素的像素电路中的数据线上传输的信号对第一颜色子像素的阈值补偿晶体管T3的性能产生的影响，进而减小第一颜色子像素的驱动晶体管的栅极和第二颜色子像素的数据线之间的耦合的影响，减弱串扰问题。

例如，如图2-7所示，屏蔽线344通过第二绝缘层中的至少一个过孔(例如过孔332)与复位电源信号线Init1相连，除了使得屏蔽线具有固定电位之外，还使得复位电源信号线上传输的初始化信号的电压更稳定，从而更有利于像素驱动电路的工作性能。

例如，如图2-7所示，屏蔽线344与复位电源信号线电连接，以使屏蔽线具有固定电位。屏蔽线344可分别与沿Y方向延伸的两条复位电源信号线Init1电连接，且这两条复位电源信号线Init1分别位于屏蔽线344沿X方向的两侧。例如，这两条复位电源信号线分别与第n行像素电路和第n+1行像素电路对应。

例如，同一列屏蔽线344可以为一整条屏蔽线，该整条屏蔽线包括多个位于相邻两条复位电源信号线之间的子部分，且每一子部分分别位于该列的每个像素电路区域内。

例如，除了将屏蔽线344与复位电源信号线耦接外，还可以将屏蔽线344与第一电源信号线耦接，使得屏蔽线344具有与第一电源信号线传输的电源信号相同的固定电位。

例如，屏蔽线344在衬底基板上的正投影位于阈值补偿晶体管T3在衬底基板上的正投影与数据线Vd在衬底基板上的正投影之间，使得屏蔽线344能够减小由于数据线上传输的信号变化对阈值补偿晶体管T3的性能产生的影响，进而减小驱动晶体管的栅极和数据信号线Vd(n+1)之间的耦合的影响，解决垂直串扰的问题，使得显示基板在用于显示时能够获得更好的显示效果。

例如，屏蔽线344在衬底基板上的正投影可以位于连接结构341在衬底基板上的正投影与数据线在衬底基板上的正投影之间；屏蔽线344在衬底基板上的正投影位于驱动晶体管T1在衬底基板上的正投影与数据线在衬底基板上的正投影之间。

上述设置方式很好的降低了数据线与阈值补偿晶体管之间产生的第一串扰，以及数据线与连接结构之间产生的第二串扰，从而降低了由于上述第一串扰和第二串扰导致的对驱动晶体管产生的间接串扰。另外，上述设置方式还降低了数据线与驱动晶体管之间产生的直接串扰，从而更好的保证了显示基板的工作性能。

例如，屏蔽线344不仅限于上述设置方式，屏蔽线344还可以仅与对应于第n行像素电路的复位电源信号线耦接，或者仅与对应于第n+1行像素电路的复位电源信号线耦接。而且，屏蔽线344在第二方向X的延伸长度也可根据实际需要设置。

例如，各颜色子像素的像素电路还包括遮光部S，遮光部S与屏蔽线344异层设置，且遮光部S在衬底基板上的正投影与屏蔽线344在衬底基板上的正投影有交叠。屏蔽线344通过第二绝缘层中的过孔331与第二导电层330中的遮光部S相连，使遮光部S具有固定电位，从而更好的减小了阈值补偿晶体管T3与其附近的其他导电图形之间的耦合作用，使得显示基板的工作性能更稳定。

例如，遮光部S与阈值补偿晶体管T3的两个栅极之间的有源半导体层310有交叠以防止两个栅极之间的有源半导体层310被光照而改变特性，例如防止该部分有源半导体层的电压发生变化，以防止产生串扰。

本示例示意性的示出遮光部与屏蔽线相连，但不限于此，两者也可以不连接。

例如，如图2-7所示，第二电源信号线VDD3通过第三绝缘层和第四绝缘层中的至少一个过孔351与第一电源信号线VDD1相连，第二子电极连接结构353通过第三绝缘层和第四绝缘层中的过孔354与第一子电极连接结构343相连。

例如，第三绝缘层可以为钝化层，第四绝缘层可以为平坦化层，第三绝缘层位于第四绝缘层与衬底基板之间。第四绝缘层可以为有机层，且有机层的厚度较钝化层等无机层厚。

例如，过孔351和过孔354均为嵌套过孔，即过孔351包括第三绝缘层中的第一过孔和第四绝缘层中的第二过孔，第三绝缘层中的第一过孔与第四绝缘层中的第二过孔的位置相对，且第四绝缘层中的第二过孔在衬底基板上的正投影位于第三绝缘层中的第一过孔在衬底基板上的正投影内。

例如，第二电源信号线VDD3呈网格状分布，第二电源信号线VDD3的沿X方向延伸的第二子电源线VDD32在衬底基板上的正投影与第一电源信号线VDD1在衬底基板上的正投影大致重合或者第一电源信号线VDD1在衬底基板上的正投影位于第二子电源线VDD32在衬底基板上的正投影内，且第二电源信号线VDD3与第一电源信号线VDD1电连接可以降低第一电源信号线VDD1的电压降，从而改善显示器件的均一性。

例如，第二电源信号线VDD3可以与源漏金属层采用相同的材料。

例如，如图5所示，第一颜色子像素、第二颜色子像素和第三颜色子像素的第一子电极连接结构343均为块状结构。后续形成的各颜色子像素的第一电极会通过过孔与相应的第二子电极连接结构353连接以实现与第二发光控制晶体管T5的漏极区域相连。

本实施例包括但不限于此，各颜色子像素中的第二子电极连接结构的位置根据有机发光元件的排列规律以及发光区域的位置而定。

例如，图8为图7所在的显示基板的局部截面结构示意图，其中图7仅示意了图8中的部分膜层。如图7和8所示，第二颜色子像素120的像素电路中有源半导体层中的第二发光控制晶体管T5的第二极(例如为漏极T5d)远离衬底基板100的一侧设置有栅极绝缘层103，栅极绝缘层103远离衬底基板100的一侧设置有发光控制信号线EM1，发光控制信号线EM1远离衬底基板100的一侧设置有第一绝缘层104，第一绝缘层104远离衬底基板100的一侧设置有第三电源信号线VDD2，第三电源信号线VDD2远离衬底基板100的一侧设置有第二绝缘层105，第二绝缘层105远离衬底基板100的一侧设置有第一子电极连接结构343。第二颜色子像素120的第一子电极连接结构343通过栅极绝缘层103、第一绝缘层104以及第二绝缘层105的过孔352与有源半导体层310中的第二发光控制晶体管T5的第二极T5d相连。第一子电极连接结构343与第三电源信号线VDD2和发光控制信号线EM1均有交叠。第一子电极连接结构343远离衬底基板100的一侧依次设置有第三绝缘层106和第四绝缘层107，第四绝缘层107远离衬底基板100的一侧设置有第二子电极连接结构353以及第二电源信号线VDD3。第二电源信号线VDD3与第三电源信号线VDD2有交叠。第二子电极连接结构353通过位于第三绝缘层106和第四绝缘层107中的嵌套过孔354与第一子电极连接结构343相连，进而实现与第二发光控制晶体管相连。

例如，如图8所示，数据线Vd通过栅极绝缘层103、第一绝缘层104和第二绝缘层105中的过孔381与数据写入晶体管T2的源极T2s相连；连接结构341的一端通过栅极绝缘层103、第一绝缘层104和第二绝缘层105中的过孔384与阈值补偿晶体管T3的漏极T3d相连，连接结构341的另一端通过第一绝缘层104和第二绝缘层105中的过孔385与驱动晶体管T1的栅极(即电容C的第二极板CC2)相连；驱动晶体管T1的沟道T1c位于其栅极面向衬底基板100的一侧，且与过孔385没有交叠，驱动晶体管T1的源极T1d与其栅极以及电容C的第一极板CC1均有交叠。

例如，图9为图7所在的显示基板的局部截面结构示意图，其中图7仅示意出了图9中的部分膜层。如图7-9所示，第一颜色子像素110与第二颜色子像素120不同之处在于第二颜色子像素120中的第二子电极连接结构353在衬底基板100上的正投影与其第二发光控制晶体管T5的第二极T5d在衬底基板100上的正投影没有交叠，而第一颜色子像素130中的第二子电极连接结构353在衬底基板100上的正投影与其第二发光控制晶体管T5的第二极T5d在衬底基板100上的正投影有交叠。第一颜色子像素110中，第一子电极连接结构343与第三电源信号线VDD2和发光控制信号线EM1均没有交叠。第一颜色子像素110中，驱动晶体管T1的沟道T1c位于其栅极面向衬底基板100的一侧，且与过孔385有交叠。由此可以看出第一颜色子像素的驱动晶体管的沟道宽度大于第二颜色子像素的沟道宽度。

例如，如图2-7所示，在第二方向X上，扫描信号线Ga1、复位控制信号线Rst1和复位电源信号线Init1均位于第一颜色子像素的像素电路的驱动晶体管T1的栅极的第一侧，发光控制信号线EM1位于第一颜色子像素的像素电路的驱动晶体管T1的第二侧。

例如，扫描信号线Ga1、复位控制信号线Rst1、发光控制信号线EM1、和复位电源信号线Init1均沿第一方向Y延伸，数据线Vd沿第二方向X延伸。

需要说明的是，每个像素电路中的驱动电路、第一发光控制电路、第二发光控制电路、数据写入电路、存储电路、阈值补偿电路和复位电路等的位置排布关系不限于图2-7所示的示例，根据实际应用需求，可以具体设置驱动电路、第一发光控制电路、第二发光控制电路、数据写入电路、存储电路、阈值补偿电路和复位电路的位置。

例如，如图2-9所示，第一颜色子像素的第一电极11通过第五绝缘层的过孔(未示出)与第二子电极连接结构353相连，从而实现与第二发光控制晶体管T5的漏极区域相连。同理，第三颜色子像素的有机发光元件的第一电极13通过第五绝缘层的过孔(未示出)与第二子电极连接结构353相连，从而实现与第二发光控制晶体管T5的漏极区域相连。第二颜色子像素的第一电极12通过第五绝缘层的过孔与第二子电极连接结构353相连，进而与第二子电极连接结构343相连，以实现与第二发光控制晶体管T5的漏极区域相连。

本申请实施例提供了一种新的像素排布方式，下面将对该新的像素排布方式进行介绍。如图7所示，所述第一颜色子像素的像素开口21在所述衬底基板上的正投影与所述第一颜色子像素的驱动晶体管的沟道301在所述衬底基板上的正投影无交叠，所述第二颜色子像素的像素开口22在所述衬底基板上的正投影与所述第二颜色子像素的驱动晶体管的沟道302在所述衬底基板上的正投影无交叠，所述第三颜色子像素的像素开口23在所述衬底基板上的正投影与所述第三颜色子像素的驱动晶体管的沟道303在所述衬底基板上的正投影无交叠。上述的像素排布方式不同于现有的显示面板中的像素排布方式。

在一个实施例中，所述多个子像素被划分为多个像素组，每个所述像素组包括第一颜色子像素、第二颜色子像素和第三颜色子像素。至少一个所述像素组包括两行沿所述第一方向排列的子像素，其中一行沿所述第一方向排列的子像素包括交替排布的所述第一颜色子像素和所述第三颜色子像素，另一行沿所述第一方向排列的子像素包括所述第二颜色子像素。其中，沿第一方向排列的一行子像素指的是，子像素的有机发光元件沿第一方向排列。

在一个实施例中，可以子像素的第一电极或者像素开口为基准来将多个子像素划分为多个像素组，在其他实施例中也可以子像素的像素电路为基准来划分像素组。图7A示出了图7所在的显示基板中多个像素组101的部分膜层的示意图，并示意出了多个像素组101的像素开口的排列方式。参见图7A，同一像素组101的像素开口分为两行，其中一行沿所述第一方向排列的第一电极包括交替排布的第一颜色子像素的像素开口21和第三颜色子像素的像素开口23；另一行沿所述第一方向排列的第一电极包括第二颜色子像素的像素开口22。图7A中所示的实施例中，同一像素组101的像素电路位于同一行。在其他实施例中，同一像素组101的像素电路也可位于不同行。

在一个实施例中，参见图7，所述第一颜色子像素的像素开口21在所述衬底基板上的正投影、所述第二颜色子像素的像素开口22在所述衬底基板上的正投影及所述第三颜色子像素的像素开口23在所述衬底基板上的正投影中的任一个、与所述第一颜色子像素的驱动晶体管的沟道301在所述衬底基板上的正投影、所述第二颜色子像素的驱动晶体管的沟道302在所述衬底基板上的正投影及所述第三颜色子像素的驱动晶体管的沟道303在所述衬底基板上的正投影中的任一个均无交叠。

现有的显示面板在高温显示时寿命较低，且显示时出现色偏现象。发明人研究发现，出现这种问题的原因在于，显示面板在显示时，蓝色子像素的驱动晶体管的电流较大，例如蓝色子像素的驱动晶体管的电流为绿色子像素的驱动晶体管的电流的2.15倍，蓝色子像素的驱动晶体管的沟道与绿色子像素的有机发光元件存在重叠，导致绿色子像素的有机发光元件的温度升高较大，进而使绿色子像素衰减过快、使用寿命缩短，且使得不同颜色子像素的亮度衰减速度差异较大，从而使显示画面发生色偏现象。上述子像素的设置方式，可避免第二颜色子像素的驱动晶体管使得第一颜色子像素或第三颜色子像素的有机发光元件的温度升高过多，而导致有机发光元件亮度衰减过快及寿命缩短的问题，有助于提升子像素的使用寿命，并且可减小不同颜色子像素的亮度衰减速度的差异，改善显示基板的色偏问题；由于各颜色子像素的像素开口与驱动晶体管的沟道均不重叠，可使各颜色子像素的有机发光元件的温度均较低，更有助于改善显示面板的使用寿命及色偏问题。

在一个实施例中，在至少一个像素组中，所述子像素的驱动晶体管的沟道与所述扫描信号线在第二方向X上的距离范围为1μm～50μm。具体来说，第一颜色子像素的驱动晶体管的沟道301与扫描信号线Ga1在第二方向上的距离范围为1μm～50μm；第二颜色子像素的驱动晶体管的沟道302与扫描信号线Ga1在第二方向上的距离范围为1μm～50μm；第三颜色子像素的驱动晶体管的沟道303与扫描信号线Ga1在第二方向上的距离范围为1μm～50μm。

进一步地，在至少一个像素组中，所述子像素的驱动晶体管的沟道与所述扫描信号线在第二方向上的距离范围为10μm～50μm。例如，所述子像素的驱动晶体管的沟道与所述扫描信号线在第二方向上的距离为10μm、15μm、20μm、25μm、30μm、35μm、40μm、45μm、50μm等。

在一个实施例中，如图7所示，在至少一个所述像素组中，各所述子像素对应的像素开口在所述衬底基板上的正投影与任一所述子像素的驱动晶体管的栅极在所述衬底基板上的正投影没有交叠；或者，各所述子像素对应的像素开口在所述衬底基板上的正投影与任一所述子像素的驱动晶体管的栅极在所述衬底基板上的正投影存在交叠区域，所述交叠区域的面积与所述栅极的面积比值不大于10％。由于驱动晶体管的温度升高时，其产生的热量主要通过栅极传输至子像素的有机发光元件，通过各子像素对应的像素开口在衬底基板上的正投影与任一子像素的驱动晶体管的栅极在衬底基板上的正投影不存在交叠，或者各子像素对应的像素开口在衬底基板上的正投影与任一子像素的驱动晶体管的栅极在衬底基板上的正投影的交叠面积较小时，可有效减小驱动晶体管产生的热量传输至有机发光元件的量，避免有机发光元件的温度升高过多，而导致有机发光元件的衰减过快、使用寿命缩短，有助于提升子像素的使用寿命，有助于改善显示基础的色偏问题。

进一步地，图7所示的实施例中，所述子像素的驱动晶体管的栅极与所述扫描信号线Ga1在第二方向上的距离范围为2μm～10μm。子像素的驱动晶体管的栅极与扫描信号线Ga1在第二方向上的距离例如为2μm、4μm、6μm、8μm、10μm等。

在一个实施例中，参见图10，在至少一个像素组中，所述扫描信号线Ga1在第二方向X上的正投影与所述子像素的驱动晶体管的栅极在所述第二方向X上的正投影存在交叠，所述第二方向X与所述第一方向Y垂直。其中，扫描信号线及驱动晶体管的栅极在第二方向X上的正投影指的是，其在沿第二方向X延伸的直线上的正投影。如图10所示，扫描信号线Ga1在第二方向X上的正投影与第一颜色子像素的驱动晶体管的栅极321在第二方向X上的正投影存在交叠；扫描信号线Ga1在第二方向X上的正投影与第二颜色子像素的驱动晶体管的栅极322在第二方向X上的正投影存在交叠；扫描信号线Ga1在第二方向X上的正投影与第三颜色子像素的驱动晶体管的栅极323在第二方向X上的正投影存在交叠。如此设置，可使得显示基板中结构排布比较紧密，有助于提升显示基板中子像素的密度。

在一个实施例中，如图10所示，所述扫描信号线Ga1包括扫描信号线主体部Ga11及由所述扫描信号线主体部Ga11的一侧凸出的凸出部P。扫描信号线主体部Ga11整体沿第一方向Y延伸，凸出部P沿第二方向X延伸。所述子像素的阈值补偿晶体管T3包括第一栅极和第二栅极，所述阈值补偿晶体管中，所述第一栅极为所述扫描信号线主体部Ga11的与所述有源半导体层在所述衬底基板上的正投影交叠的部分，所述第二栅极为所述凸出部P的与所述有源半导体层在所述衬底基板上的正投影交叠的部分。

进一步地，如图10及图10A所示，所述扫描信号线主体部Ga11包括第一子扫描线324、第二子扫描线326及连接部325，所述第一子扫描线324与所述第二子扫描线326通过所述连接部325相连。第一子扫描线324与第二子扫描线326大致沿第一方向Y延伸。同一扫描信号线中，在第一方向上，凸出部P与连接部325位于第一子扫描线324的两侧。图示实施例中，凸出部P位于第一子扫描线324靠近第一复位控制信号线Rst1的一侧，连接部325位于第一子扫描线324背离第一复位控制信号线Rst1的一侧。在其他实施例中，也可以是连接部325位于第一子扫描线324靠近第一复位控制信号线Rst1的一侧，凸出部P位于第一子扫描线324背离第一复位控制信号线Rst1的一侧。

所述第一子扫描线324与所述第一颜色子像素的像素电路连接，所述第二子扫描线326与所述第二颜色子像素的像素电路连接，部分所述连接部325的延伸方向与所述第一子扫描线324的延伸方向相交。所述阈值补偿晶体管中，所述第一栅极为所述连接部325的与所述有源半导体层在所述衬底基板上的正投影交叠的部分。

进一步地，所述连接部325在所述第二方向X上的正投影与所述子像素的驱动晶体管的栅极在所述第二方向X上的正投影存在交叠。如图10所示，所述连接部325在所述第二方向X上的正投影与第一颜色子像素的栅极321在所述第二方向X上的正投影、第二颜色子像素的栅极322在所述第二方向X上的正投影及第三颜色子像素的栅极323在所述第二方向X上的正投影均存在交叠。

在一个实施例中，如图10及图10A所示，所述连接部325包括顺次连接的第一子连接部3251、第二子连接部3252及第三子连接部3253，所述第一子连接部3251与所述第三子连接部3253与所述第一子扫描线324的延伸方向相交，所述第二子连接部3252与所述第一子扫描线324的延伸方向相同，第三子连接部3253与第一子扫描线324相连，第一子连接部3251与第二子扫描线326相连。所述阈值补偿晶体管中，所述第一栅极为所述第二子连接部3252的与所述有源半导体层在所述衬底基板上的正投影交叠的部分。

在一个实施例中，如图2及图2A所示，所述有源半导体层310包括顺次连接的第一区段311、第二区段312、第三区段313及第四区段314；所述第二区段312、所述第四区段314及所述扫描信号线主体部Ga11沿所述第一方向Y延伸，所述第一区段311及所述第三区段313沿第二方向X延伸。所述阈值补偿晶体管T3的所述第二栅极为所述凸出部P的与所述第四区段314在所述衬底基板上的正投影交叠的部分。所述复位晶体管的栅极包括所述复位控制信号线Rst1的与所述第一区段311在所述衬底基板上的正投影交叠的部分。具体来说，所述第一复位晶体管T6包括两个栅极，其中一个栅极包括所述复位控制信号线Rst1的与所述第一区段311在所述衬底基板上的正投影交叠的部分。如此设置，便于阈值补偿晶体管T3及第一复位晶体管T6形成双栅的结构。

进一步地，如图10所示，在至少一个像素组中，至少一个子像素的驱动晶体管的栅极在衬底基板上的正投影与其对应的像素开口在衬底基板上的正投影存在交叠。具体来说，第一颜色子像素的驱动晶体管的栅极321在衬底基板上的正投影与其对应的像素开口21在衬底基板上的正投影存在交叠；第三颜色子像素的驱动晶体管的栅极323在衬底基板上的正投影与其对应的像素开口23在衬底基板上的正投影存在交叠。

进一步地，至少所述子像素的栅极在衬底基板上的正投影与对应的像素开口在衬底基板存在交叠的部分在第二方向X上的尺寸范围为0-30μm。图10所示的实施例中，所述第一颜色子像素的栅极、所述第二颜色子像素的栅极及所述第三颜色子像素的栅极在衬底基板上的正投影与对应的像素开口在衬底基板存在交叠的部分在第二方向X上的尺寸均大于0。

在一个实施例中，如图11所示，所述连接结构341包括第一部分3411和与所述第一部分3411相连的第二部分3412，所述第一部分3411在所述衬底基板上的正投影与所述凸出部P在所述衬底基板上的正投影位于所述扫描信号线主体部Ga11在所述衬底基板上的正投影的同一侧；所述第一部分3411在所述第二方向X上的长度大于所述凸出部P在所述第二方向X上的长度。其中，在第二方向X上，扫描信号线主体部Ga11在衬底基板上的正投影包括相对的两侧(例如上侧和下侧)，第一部分3411在衬底基板上的正投影与凸起部P在衬底基板上的正投影位于扫描信号线主体部Ga11在衬底基板上的正投影的同一侧指的是，第一部分3411在衬底基板上的正投影与凸起部P在衬底基板上的正投影均位于扫描信号线主体部Ga11在衬底基板上的正投影的上侧，或者下侧。图示实施例中，第一部分3411在衬底基板上的正投影与凸起部P在衬底基板上的正投影均位于扫描信号线主体部Ga11在衬底基板上的正投影的上侧。如此设置，便于第一部分3411的端部与驱动晶体管T1的栅极连接。

进一步地，所述连接结构341在第二方向X上的尺寸范围为35μm～70μm。如此设置，可保证连接结构341的两端分别与第一导电层320的驱动晶体管T1的栅极及有源半导体层310中阈值补偿晶体管T3的源漏区连接电连接。在一些实施例中，所述连接结构341在第二方向X上的尺寸为35μm、40μm、45μm、50μm、55μm、60μm、65μm、70μm等。

在一个实施例中，如图7及图10所示，至少一个所述第二颜色子像素的第一电极12在所述衬底基板上的正投影与所述复位控制信号线Rst1在所述衬底基板上的正投影及所述扫描信号线Ga1在所述衬底基板上的正投影存在交叠。在一些实施例中，显示面板的各个第二颜色子像素的第一电极12在衬底基板上的正投影均与一条复位控制信号线Rst1在所述衬底基板上的正投影及一条扫描信号线Ga1在所述衬底基板上的正投影存在交叠。如此设置，有助于提升显示基板的像素密度。

在一个实施例中，所述第一颜色子像素在所述第一方向Y上的尺寸范围为35μm～110μm，在所述第二方向X上的尺寸范围为20μm～60μm；所述第二颜色子像素在所述第一方向Y上的尺寸范围为35μm～120μm，在所述第二方向X上的尺寸范围为20μm～80μm；所述第三颜色子像素在所述第一方向Y上的尺寸范围为35μm～70μm，在所述第二方向X上的尺寸范围为20μm～60μm。子像素在第一方向上的尺寸指的是其在第一方向Y上的最大尺寸，子像素在第一方向Y上的最大尺寸指的是，子像素的像素开口在衬底基板上的正投影与其第一电极在衬底基板上的正投影的交叠部分在第一方向Y上的最大尺寸；子像素在第二方向X上的尺寸指的是其在第二方向X上的最大尺寸，子像素在第二方向X上的最大尺寸指的是，子像素的像素开口在衬底基板上的正投影与其第一电极在衬底基板上的正投影的交叠部分在第一方向Y上的最大尺寸。

在一些示例性实施例中，所述第一颜色子像素在所述第一方向Y上的尺寸例如为35μm、45μm、55μm、65μm、75μm、85μm、95μm、105μm、110μm等，所述第一颜色子像素在所述第二方向X上的尺寸例如为20μm、25μm、30μm、35μm、40μm、45μm、50μm、55μm、60μm等；所述第二颜色子像素在所述第一方向Y上的尺寸例如为35μm、45μm、55μm、65μm、75μm、85μm、95μm、105μm、115μm、120μm等，所述第二颜色子像素在所述第二方向X上的尺寸例如为20μm、30μm、40μm、50μm、60μm、70μm、80μm等；所述第三颜色子像素在所述第一方向Y上的尺寸范围为35μm、40μm、45μm、50μm、55μm、60μm、65μm、70μm，所述第三颜色子像素在所述第二方向X上的尺寸例如为20μm、25μm、30μm、35μm、40μm、45μm、50μm、55μm、60μm等。

进一步地，所述第二颜色子像素的面积大于所述第一颜色子像素的面积，且所述第一颜色子像素的面积大于所述第三颜色子像素的面积。如此设置，有助于使各个颜色子像素的寿命差距减小。

本申请实施例还提供了另一种新的像素排布方式。参见图12至图16，至少一个子像素的像素开口在所述衬底基板上的正投影与其驱动晶体管的沟道在所述衬底基板上的正投影存在交叠，至少一个所述第二颜色子像素的像素开口22在第一方向上的正投影与所述第一颜色子像素的像素开口21在所述第一方向Y上的正投影、及所述第三颜色子像素的像素开口23在所述第一方向Y上的正投影存在交叠，且至少一个所述第二颜色子像素的像素开口22在第二方向X上的正投影与所述第一颜色子像素的像素开口21在所述第二方向X上的正投影、及所述第三颜色子像素的像素开口23在所述第二方向X上的正投影均无交叠，所述第一方向Y与所述第二方向X相交。本申请实施例提供的像素排布方式与现有显示面板中的像素排布方式不同。

其中，像素开口在第一方向Y上的正投影指的是，像素开口在沿第一方向Y延伸的直线上的正投影。

在一个实施例中，如图16所示，所述第一颜色子像素的像素开口21在所述衬底基板上的正投影与其驱动晶体管的沟道301在所述衬底基板上的正投影存在交叠，所述第三颜色子像素的像素开口23在所述衬底基板上的正投影与其驱动晶体管的沟道303在所述衬底基板上的正投影存在交叠，所述第二颜色子像素的像素开口22在所述衬底基板上的正投影与其驱动晶体管的沟道302在所述衬底基板上的正投影存在交叠。

进一步地，如图16所示，所述第一颜色子像素的驱动晶体管的沟道301在衬底基板上的正投影落在像素开口21在所述衬底基板上的正投影内，第二颜色子像素的驱动晶体管的沟道302在衬底基板上的正投影落在像素开口22在所述衬底基板上的正投影内，第三颜色子像素的驱动晶体管的沟道303在衬底基板上的正投影落在像素开口23在所述衬底基板上的正投影内。

在另一些实施例中，第一颜色子像素、第二颜色子像素及第三颜色子像素中，仅有一种颜色的子像素或两种颜色的子像素的像素开口在所述衬底基板上的正投影与其驱动晶体管的沟道在所述衬底基板上的正投影存在交叠。

在一个实施例中，如图16所示，所述第一颜色子像素的像素开口21在所述衬底基板上的正投影与所述第二颜色子像素的驱动晶体管的沟道302在所述衬底基板上的正投影、以及所述第三颜色子像素的驱动晶体管的沟道303在所述衬底基板上的正投影均不存在交叠；所述第二颜色子像素的像素开口22在所述衬底基板上的正投影与所述第一颜色子像素的驱动晶体管的沟道301在所述衬底基板上的正投影、以及所述第三颜色子像素的驱动晶体管的沟道303在所述衬底基板上的正投影均不存在交叠；所述第三颜色子像素的像素开口23在所述衬底基板上的正投影与所述第一颜色子像素的驱动晶体管的沟道301在所述衬底基板上的正投影、以及所述第二颜色子像素的驱动晶体管的沟道302在所述衬底基板上的正投影均不存在交叠。如此设置，各子像素的驱动晶体管的沟道在衬底基板上的正投影仅与其像素开口在衬底基板上的正投影存在交叠，与其他子像素的像素开口在衬底基板上的正投影均不存在交叠。如此更有助于减小各子像素的有机发光元件的亮度衰减速度的差距，进而改善显示基板的色偏问题。

在本申请的另一个实施例中，所述第一颜色子像素的驱动晶体管的沟道在所述衬底基板上的正投影及所述第二颜色子像素的驱动晶体管的沟道在所述衬底基板上的正投影位于所述第二颜色子像素对应的像素开口在所述衬底上的正投影内；所述第三颜色的驱动晶体管的沟道在所述衬底基板上的正投影位于所述第三颜色子像素对应的像素开口在所述衬底上的正投影内。如此设置，可避免驱动电流较大的第二颜色子像素的驱动晶体管使得第一颜色子像素的有机发光元件温度升高过多，而导致第一颜色子像素的亮度衰减速度过快及寿命缩短的问题，可避免第一颜色子像素的亮度衰减速度与第二颜色子像素及第三颜色子像素的亮度衰减速度差别较大，改善显示基板的色偏现象。

在本申请的再一实施例中，所述第二颜色子像素的驱动晶体管的沟道在所述衬底基板上的正投影与所述第一颜色子像素对应的像素开口在所述衬底上的正投影、所述第二颜色子像素对应的像素开口在所述衬底上的正投影及所述第三颜色子像素对应的像素开口在所述衬底上的正投影均不存在交叠。如此设置，驱动电流较大的第二颜色子像素的驱动晶体管对各颜色子像素的有机发光元件的影响均较小，更有助于改善显示基板的使用寿命及显示基板的色偏问题。

进一步地，所述第一颜色子像素的驱动晶体管的沟道在所述衬底基板上的正投影及所述第三颜色的驱动晶体管的沟道在所述衬底基板上的正投影均位于所述第二颜色子像素对应的像素开口在所述衬底上的正投影内。或者，所述第一颜色子像素的驱动晶体管的沟道在所述衬底基板上的正投影位于所述第二颜色子像素对应的像素开口在所述衬底上的正投影内，所述第三颜色的驱动晶体管的沟道在所述衬底基板上的正投影位于所述第三颜色子像素对应的像素开口在所述衬底上的正投影内。

在一个实施例中，所述多个子像素被划分为多个像素组，每个所述像素组包括第一颜色子像素、第二颜色子像素和第三颜色子像素；至少一个所述像素组包括两行沿所述第一方向排列的子像素，其中一行沿所述第一方向排列的子像素包括交替排布的所述第一颜色子像素和所述第三颜色子像素，另一行沿所述第一方向排列的子像素包括所述第二颜色子像素。

在一个实施例中，如图16所示，在至少一个像素组中，在所述第二方向X上，所述第二颜色子像素的驱动晶体管的沟道302到所述扫描信号线Ga1的距离与所述第一颜色子像素的驱动晶体管的沟道301到所述扫描信号线Ga1的距离不同。进一步地，在所述第二方向X上，所述第三颜色子像素的驱动晶体管的沟道303到所述扫描信号线Ga1的距离与所述第一颜色子像素的驱动晶体管的沟道301到所述扫描信号线Ga1的距离可大致相同。如此设置，更有助于避免第二颜色子像素的驱动晶体管的沟道302与第一颜色子像素的像素开口在衬底基板上的正投影存在交叠。

进一步地，在至少一个像素组中，在第二方向X上，所述第二颜色子像素的驱动晶体管的沟道302到所述扫描信号线Ga1的距离大于所述第一颜色子像素的驱动晶体管的沟道301到所述扫描信号线Ga1的距离。如此设置，更有助于避免第二颜色子像素的驱动晶体管产生的热量导致第二颜色子像素的亮度衰减过快、寿命缩短的问题。

进一步地，在至少一个像素组中，在第二方向X上，所述第二颜色子像素的驱动晶体管的沟道302到所述扫描信号线Ga1的距离范围为1μm～60μm，所述第一颜色子像素的驱动晶体管的沟道301到所述扫描信号线Ga1的距离范围为1μm～50μm，所述第三颜色子像素的驱动晶体管的沟道301到所述扫描信号线Ga1的距离范围为1μm～50μm。在第二方向X上，所述第二颜色子像素的驱动晶体管的沟道302到所述扫描信号线Ga1的距离例如为1μm、10μm、20μm、30μm、40μm、50μm、60μm，所述第一颜色子像素的驱动晶体管的沟道301到所述扫描信号线Ga1的距离及所述第三颜色子像素的驱动晶体管的沟道301到所述扫描信号线Ga1的距离例如为1μm、10μm、20μm、30μm、40μm、50μm等。

在一个实施例中，参见图13，所述第二颜色子像素的第二极板CC12的面积大于所述第一颜色子像素的第二极板CC11的面积，所述第二颜色子像素的第二极板CC12的面积大于所述第三颜色子像素的第二极板CC13的面积。一般所述第二颜色子像素的驱动晶体管的沟道宽长比大于所述第一颜色子像素或者所述第二颜色子像素的驱动晶体管的沟道宽长比，以防止显示基板显示的白光处于最高灰阶时，出现第二颜色的光亮度不足的现象，从而导致最高灰阶的白光的白平衡色坐标偏移设计值。通过设置第二颜色子像素的第二极板CC12的面积大于第一颜色子像素的第二极板CC11的面积及第三颜色子像素的第二极板CC13的面积，可保证第二颜色子像素的第二极板CC12覆盖其驱动晶体管的沟道。

在一个实施例中，至少两个所述子像素的电极连接结构的面积不同。

进一步地，参见图14及图15，电极连接结构包括第一子电极连接结构343和第二子电极连接结构353。至少两个所述子像素的所述第一子电极连接结构343和/或所述第二子电极连接结构353的面积不同。

进一步地，如图15所示，第二颜色子像素的第二子电极连接结构3532的面积小于第一颜色子像素的第二子电极连接结构3531的面积，且第二颜色子像素的第二子电极连接结构3532的面积小于第三颜色子像素的第二子电极连接结构3533的面积。

在一个实施例中，参见图16，至少一个所述第二颜色子像素的第一电极12在所述衬底基板上的正投影与所述复位控制信号线Rst1在所述衬底基板上的正投影及所述扫描信号线Ga1在所述衬底基板上的正投影存在交叠。

在一个实施例中，所述连接结构341包括第一部分和与所述第一部分相连的第二部分，所述第一部分在所述衬底基板上的正投影与所述凸出部P在所述衬底基板上的正投影位于所述扫描信号线主体部Ga11在所述衬底基板上的正投影的同一侧；所述第一部分在所述第二方向X上的长度大于所述凸出部P在所述第二方向X上的长度。如此设置，便于第一部分的端部与驱动晶体管T1的栅极连接。

进一步地，所述连接结构341在第二方向X上的尺寸范围为35μm～70μm。如此设置，可保证连接结构341的两端分别与第一导电层320的驱动晶体管T1的栅极及有源半导体层310中阈值补偿晶体管T3的源漏区连接电连接。在一些实施例中，所述连接结构341在第二方向X上的尺寸为35μm、40μm、45μm、50μm、55μm、60μm、65μm、70μm等。

在一个实施例中，所述第一颜色子像素在所述第一方向Y上的尺寸范围为35μm～110μm，在所述第二方向X上的尺寸范围为20μm～60μm；所述第二颜色子像素在所述第一方向Y上的尺寸范围为35μm～120μm，在所述第二方向X上的尺寸范围为20μm～80μm；所述第三颜色子像素在所述第一方向Y上的尺寸范围为35μm～70μm，在所述第二方向X上的尺寸范围为20μm～60μm。子像素在第一方向上的尺寸指的是其在第一方向Y上的最大尺寸，子像素在第一方向Y上的最大尺寸指的是，子像素的像素开口在衬底基板上的正投影与其第一电极在衬底基板上的正投影的交叠部分在第一方向Y上的最大尺寸；子像素在第二方向X上的尺寸指的是其在第二方向X上的最大尺寸，子像素在第二方向X上的最大尺寸指的是，子像素的像素开口在衬底基板上的正投影与其第一电极在衬底基板上的正投影的交叠部分在第一方向Y上的最大尺寸。

在一些示例性实施例中，所述第一颜色子像素在所述第一方向Y上的尺寸例如为35μm、45μm、55μm、65μm、75μm、85μm、95μm、105μm、110μm等，所述第一颜色子像素在所述第二方向X上的尺寸例如为20μm、25μm、30μm、35μm、40μm、45μm、50μm、55μm、60μm等；所述第二颜色子像素在所述第一方向Y上的尺寸例如为35μm、45μm、55μm、65μm、75μm、85μm、95μm、105μm、115μm、120μm等，所述第二颜色子像素在所述第二方向X上的尺寸例如为20μm、30μm、40μm、50μm、60μm、70μm、80μm等；所述第三颜色子像素在所述第一方向Y上的尺寸范围为35μm、40μm、45μm、50μm、55μm、60μm、65μm、70μm，所述第三颜色子像素在所述第二方向X上的尺寸例如为20μm、25μm、30μm、35μm、40μm、45μm、50μm、55μm、60μm等。

需要说明的是，本申请的不同实施例所描述的特征，在不冲突的情况下，可互相补充。例如在不冲突的情况下，图2至图10所示的实施例中的特征，在图11所示的实施例以及图12至图16所示的实施例也可具备相同的特征；图12至图16所示的实施例中的特征，在图2至图10所示的实施例中也可具备相同的特征。

本申请实施例还提供了一种显示面板，所述显示面板包括上述任一实施例所述的显示基板。

所述显示面板还可包括位于显示基板背离衬底一侧的玻璃盖板。

本申请实施例还提供了一种显示装置，所述显示装置包括上述的显示面板。显示装置还可包括外壳，显示面板可嵌入在外壳中。

本实施例中的显示装置可以为：电子纸、手机、平板电脑、电视机、笔记本电脑、数码相框、车载显示设备等任何具有显示功能的产品或部件。

需要指出的是，在附图中，为了图示的清晰可能夸大了层和区域的尺寸。而且可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“上”时，它可以直接在其他元件上，或者可以存在中间的层。另外，可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“下”时，它可以直接在其他元件下，或者可以存在一个以上的中间的层或元件。另外，还可以理解，当层或元件被称为在两层或两个元件“之间”时，它可以为两层或两个元件之间唯一的层，或还可以存在一个以上的中间层或元件。通篇相似的参考标记指示相似的元件。

本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的内容后，将容易想到本申请的其它实施方案。本申请旨在涵盖本申请的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本申请的一般性原理并包括本申请未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本申请的真正范围和精神由下面的权利要求指出。

应当理解的是，本申请并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构，并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。本申请的范围仅由所附的权利要求来限制。

Claims (23)

1.一种显示基板，其特征在于，所述显示基板包括衬底基板及位于所述衬底基板上的多个子像素；

所述多个子像素包括多个第一颜色子像素、多个第二颜色子像素及多个第三颜色子像素，人眼对所述第一颜色的敏感度大于对所述第三颜色的敏感度，人眼对所述第三颜色的敏感度大于对所述第二颜色的敏感度；所述子像素包括有机发光元件和驱动所述有机发光元件的像素电路；所述有机发光元件包括第一电极、第二电极及位于所述第一电极与所述第二电极之间的有机发光材料；所述子像素的第一电极与像素电路电连接；所述像素电路包括驱动晶体管；

所述显示基板还包括有源半导体层及像素限定层，所述有源半导体层包括各子像素的驱动晶体管的沟道和源漏区；所述像素限定层设有与所述子像素一一对应的像素开口；

所述第一颜色子像素的像素开口在所述衬底基板上的正投影与所述第一颜色子像素的驱动晶体管的沟道在所述衬底基板上的正投影无交叠，所述第二颜色子像素的像素开口在所述衬底基板上的正投影与所述第二颜色子像素的驱动晶体管的沟道在所述衬底基板上的正投影无交叠，所述第三颜色子像素的像素开口在所述衬底基板上的正投影与所述第三颜色子像素的驱动晶体管的沟道在所述衬底基板上的正投影无交叠；或者，

至少一个子像素的像素开口在所述衬底基板上的正投影与其驱动晶体管的沟道在所述衬底基板上的正投影存在交叠，至少一个所述第二颜色子像素的像素开口在第一方向上的正投影与所述第一颜色子像素的像素开口在所述第一方向上的正投影及所述第三颜色子像素的像素开口在所述第一方向上的正投影存在交叠，且所述第二颜色子像素的像素开口在第二方向上的正投影与所述第一颜色子像素的像素开口在所述第二方向上的正投影及所述第三颜色子像素的像素开口在所述第二方向上的正投影均无交叠，所述第一方向与所述第二方向相交。

2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第一颜色子像素的像素开口在所述衬底基板上的正投影与所述第一颜色子像素的驱动晶体管的沟道在所述衬底基板上的正投影存在交叠，所述第二颜色子像素的像素开口在所述衬底基板上的正投影与所述第二颜色子像素的驱动晶体管的沟道在所述衬底基板上的正投影存在交叠，所述第三颜色子像素的像素开口在所述衬底基板上的正投影与所述第三颜色子像素的驱动晶体管的沟道在所述衬底基板上的正投影存在交叠。

3.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述多个子像素被划分为多个像素组，每个所述像素组包括第一颜色子像素、第二颜色子像素和第三颜色子像素；至少一个所述像素组包括两行沿所述第一方向排列的子像素，其中一行沿所述第一方向排列的子像素包括交替排布的所述第一颜色子像素和所述第三颜色子像素，另一行沿所述第一方向排列的子像素包括所述第二颜色子像素。

4.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，在至少一个所述像素组中，各所述子像素对应的像素开口在所述衬底基板上的正投影与任一所述子像素的驱动晶体管的栅极在所述衬底基板上的正投影没有交叠，或

各所述子像素对应的像素开口在所述衬底基板上的正投影与任一所述子像素的驱动晶体管的栅极在所述衬底基板上的正投影存在交叠区域，所述交叠区域的面积与所述栅极的面积比值不大于10％。

5.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还设有多个沿所述第一方向延伸的扫描信号线，所述扫描信号线被配置为为所述像素组提供扫描信号；

在至少一个像素组中，在所述第二方向上，所述第二颜色子像素的驱动晶体管的沟道到所述扫描信号线的距离与所述第一颜色子像素的驱动晶体管的沟道到所述扫描信号线的距离不同。

6.根据权利要求5所述的显示基板，其特征在于，在至少一个像素组中，在第二方向上，所述第二颜色子像素的驱动晶体管的沟道到所述扫描信号线的距离大于所述第一颜色子像素的驱动晶体管的沟道到所述扫描信号线的距离。

7.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还设有沿所述第一方向延伸的扫描信号线，所述扫描信号线被配置为为所述像素组提供扫描信号；

在至少一个像素组中，所述扫描信号线在第二方向上的正投影与所述子像素的驱动晶体管的栅极在所述第二方向上的正投影存在交叠，所述第二方向与所述第一方向垂直。

8.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还设有沿所述第一方向延伸的扫描信号线，所述扫描信号线被配置为为所述子像素提供扫描信号；所述扫描信号线包括扫描信号线主体部及由所述扫描信号线主体部的一侧凸出的凸出部；所述扫描信号线主体部包括第一子扫描线、第二子扫描线及连接部，所述第一子扫描线与所述第二子扫描线通过所述连接部相连；所述第一子扫描线与所述第一颜色子像素的像素电路连接，所述第二子扫描线与所述第二颜色子像素的像素电路连接；部分所述连接部的延伸方向与所述第一子扫描线的延伸方向相交；

所述像素电路包括补偿晶体管，所述补偿晶体管包括第一栅极和第二栅极；所述补偿晶体管中，所述第一栅极为所述连接部的与所述有源半导体层在所述衬底基板上的正投影交叠的部分，所述第二栅极为所述凸出部的与所述有源半导体层在所述衬底基板上的正投影交叠的部分。

9.根据权利要求8所述的显示基板，其特征在于，所述连接部包括顺次连接的第一子连接部、第二子连接部及第三子连接部，所述第一子连接部与所述第三子连接部与所述第一子扫描线的延伸方向相交，所述第二子连接部与所述第一子扫描线的延伸方向相同；

所述第一栅极为所述第二子连接部的与所述有源半导体层在所述衬底基板上的正投影交叠的部分。

10.根据权利要求8所述的显示基板，其特征在于，所述有源半导体层包括顺次连接的第一区段、第二区段、第三区段及第四区段；所述第二区段、所述第四区段及所述扫描信号线主体部沿所述第一方向延伸，所述第一区段及所述第三区段沿第二方向延伸，所述第二方向与所述第一方向相交；所述显示基板还包括沿所述第一方向延伸且与所述扫描信号线同层设置的复位控制信号线；所述像素电路包括复位晶体管，所述复位晶体管包括栅极；

所述第二栅极为所述凸出部的与所述第四区段在所述衬底基板上的正投影交叠的部分；所述复位晶体管的栅极包括所述复位控制信号线的与所述第一区段在所述衬底基板上的正投影交叠的部分。

11.根据权利要求8所述的显示基板，其特征在于，所述像素电路还包括阈值补偿晶体管，所述阈值补偿晶体管包括栅极；所述显示基板还包括连接结构，所述连接结构的一端与所述驱动晶体管的栅极连接，所述连接结构的另一端与所述阈值补偿晶体管的源漏区连接；

所述连接结构包括第一部分和与所述第一部分相连的第二部分，所述第一部分在所述衬底基板上的正投影与所述凸出部在所述衬底基板上的正投影位于所述扫描信号线主体部在所述衬底基板上的正投影的同一侧；所述第一部分在所述第二方向上的长度大于所述凸出部在所述第二方向上的长度。

12.根据权利要求11所述的显示基板，其特征在于，所述连接结构在第二方向上的尺寸范围为35μm～70μm。

13.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还设有多个沿所述第一方向延伸的扫描信号线和复位控制信号线，所述扫描信号线被配置为为所述像素组提供扫描信号，所述复位控制信号线被配置为为所述像素组提供复位控制信号；

至少一个所述第二颜色子像素的第一电极在所述衬底基板上的正投影与所述复位控制信号线在所述衬底基板上的正投影及所述扫描信号线在所述衬底基板上的正投影存在交叠。

14.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第一颜色子像素的像素开口在所述衬底基板上的正投影、所述第二颜色子像素的像素开口在所述衬底基板上的正投影及所述第三颜色子像素的像素开口在所述衬底基板上的正投影中的任一个、与所述第一颜色子像素的驱动晶体管的沟道在所述衬底基板上的正投影、所述第二颜色子像素的驱动晶体管的沟道在所述衬底基板上的正投影及所述第三颜色子像素的驱动晶体管的沟道在所述衬底基板上的正投影中的任一个均无交叠。

15.根据权利要求14所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还设有扫描信号线，所述扫描信号线被配置为为所述像素组提供扫描信号；所述子像素的驱动晶体管的沟道与所述扫描信号线在第二方向上的距离范围为1μm～50μm。

16.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述像素电路还包括电容，所述电容包括第一极板及位于所述第一极板背离所述衬底基板一侧的第二极板；所述第二颜色子像素的第二极板的面积大于所述第一颜色子像素的第二极板的面积，所述第二颜色子像素的第二极板的面积大于所述第三颜色子像素的第二极板的面积。

17.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括第一电源线、位于所述第一电源线背离所述衬底基板一侧的第二电源线；所述第一电源线及所述第二电源线被配置为为所述像素电路提供电源信号；所述第一电源线与所述第二电源线电连接；

所述第二电源线包括沿所述第一方向延伸的第一子电源线及沿所述第二方向延伸的第二子电源线，所述第一子电源线与所述第二子电源线相交。

18.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述像素电路还包括发光控制晶体管和电极连接结构，所述电极连接结构将所述子像素的第一电极与所述发光控制晶体管的源漏区电连接；

至少两个所述子像素的电极连接结构的面积不同。

19.根据权利要求18所述的显示基板，其特征在于，所述电极连接结构至少包括第一子电极连接结构和位于所述第一子电极连接结构背离所述衬底基板一侧的第二子电极连接结构；至少两个所述子像素的所述第一子电极连接结构和/或所述第二子电极连接结构的面积不同。

20.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括屏蔽线及复位电源信号线，所述复位电源信号线被配置为为所述子像素提供复位电源信号；所述屏蔽线与所述复位电源信号线电连接。

21.根据权利要求1至20任一项所述的显示基板，其特征在于，所述第一颜色子像素在所述第一方向上的尺寸范围为35μm～110μm，在所述第二方向上的尺寸范围为20μm～60μm；所述第二颜色子像素在所述第一方向上的尺寸范围为35μm～120μm，在所述第二方向上的尺寸范围为20μm～80μm；所述第三颜色子像素在所述第一方向上的尺寸范围为35μm～70μm，在所述第二方向上的尺寸范围为20μm～60μm。

22.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1至21任一项所述的显示基板。

23.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求22所述的显示面板。

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