CN115910858A - 一种半导体刻蚀设备 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种半导体刻蚀设备，属于半导体技术领域，一种半导体刻蚀设备包括。包括机架设置在所述机架内部的作业部，设置在所述机架上，位于作业部的升降门，设置在所述工作部的处理室，用于刻蚀半导体设备，清洗装置设置在工作部的内部，所述清洗装置包括清洗腔，与所述清洗腔连接的能够升降的升降装置，通过将刻蚀区和清洗区同一合并在作业部，且作业设置了升降门，将作业区域和非作业区域区分，且作业区域通过升降门隔离，防止大气中污染物的进入，同时清洗区设置在升降装置，通过升降装置来带动产品在清洗，方便清洗完后，产品的取出，为了防止产品表面挤压水，工作台面设计成镂空状。
Description
技术领域
本发明涉及一种半导体刻蚀设备，具体是一种半导体刻蚀设备。
背景技术
在半导体处理过程中，等离子蚀刻是用于蚀刻半导体晶圆，以在半导体晶圆上形成的一层或多层电路的常用方法。在等离子蚀刻之后，残留颗粒或烟雾将保留在半导体晶圆上。残留颗粒或烟雾不仅污染蚀刻后的半导体晶圆本身，而且污染设备中存储的相邻晶片。
在现今半导体工艺中，在刻蚀腔和清洗为两个独立的工艺，刻蚀硅片后，由于硅片的表面会产生残留气体，需要对刻蚀完成后的硅片进行清洗，清洗之前，需要人为将硅片转运到清洗工位，在转运硅片的过程中，硅片表面残留的气体与大气中的含有的空气污染物结合产生反应，反应过程中会产生凝结的现象，此现象将直接性的对硅片的良率产生影响。
发明内容
发明目的：一种半导体刻蚀设备，以解决现有技术存在的上述问题。
技术方案：一种半导体刻蚀设备，包括机架，设置在所述机架内部的作业部，设置在所述机架上，位于作业部的升降门，设置在其特征在于；包括工作部的处理室，用于刻蚀半导体设备；
清洗装置，设置在工作部的内部，所述清洗装置包括清洗腔，与所述清洗腔连接的能够升降的升降装置；
处理室，设置在清洗装置的侧面，与所述清洗装置相邻，用于刻蚀半导体金圆。
在进一步实施例中，所述处理室包括处理室本体，与所述处理室本体连接的底座，设置在所述处理室本体底部的连接孔，与所述连接孔连接的快排阀，设置在所述处理室本体上部的外框，设置在所述外框内部的第一喷管组件，与所述外框连接的并且与所述第一喷管组件相对布置；
所述第一喷管组件和第二喷管组件用于供应去离子水，配合处理室清洁半导体。
在进一步实施例中，所述处理室的内部设有通风系统。
在进一步实施例中，所述清洗装置还包括支撑支架，设置在所述支撑支架上的清洗腔本体，设置在所述清洗腔本体侧面的保护罩，设置在所述清洗腔本体内部的盘管支撑件。
在进一步实施例中，所述升降装置包括固定安装在所述清洗腔本体上的、并且位于保护罩内部的升降气缸，与所述升降气缸连接的升降支架，设置在所述升降底部的第一网孔板，设置在所述第一网孔板底部的支撑管。
在进一步实施例中，所述处理室本体底部连接有两组分水器；所述分水器相对布置。
在进一步实施例中，所述处理室本体底部设有第一通孔，侧面设有若干第二通孔；
所述分水器设置在第二通孔处。
在进一步实施例中，所述处理室本体的内部设有第二网孔板。
在进一步实施例中，所述工作部包括工作台面，所述工作台面上开设了多组的通孔。
有益效果：本发明公开了一种半导体刻蚀设备，通过将刻蚀区和清洗区同一合并在作业部，且作业设置了升降门，将作业区域和非作业区域区分，且作业区域通过升降门隔离，防止大气中污染物的进入，同时清洗区设置在升降装置，通过升降装置来带动产品在清洗，方便清洗完后，产品的取出，为了防止产品表面挤压水渍，工作台面设计成镂空状。
附图说明
图1为本发明的主视图；
图2为本发明的处理室的结构示意图；
图3为本发明的处理的主视图；
图4为本发明的清洗装置的结构示意图；
图5为本发明的清洗装置的俯视图；
图6为本发明的清洗装置侧视图。
附图说明：1、机架；2、升降门；3、处理室；4、清洗装置；5、清洗腔；6、升降装置；7、底座；8、连接孔；9、快排阀；10、外框；11、第一喷管组件； 12、第二喷管组件；13、通风系统；14、支撑支架；15、保护罩；16、盘管支撑件；17、升降气缸；18、升降支架；19、第一网孔板；20、支撑管；21、分水器； 22、第二网孔板。
具体实施方式
在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本发明更为彻底的理解。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本发明实施例中可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中，为了避免与本发明实施例中发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进行描述。
经过申请人的研究分析，在现今半导体工艺中，在刻蚀腔和清洗为两个独立的工艺，刻蚀硅片后，由于硅片的表面会产生残留气体，需要对刻蚀完成后的硅片进行清洗，清洗之前，需要人为将硅片转运到清洗工位，在转运硅片的过程中，硅片表面残留的气体与大气中的含有的空气污染物结合产生反应，反应过程中会产生凝结的现象，此现象将直接性的对硅片的良率产生影响。根据这些问题，申请人提出了一种包装机用混合盘。
下面通过实施例，并结合附图对本方案做进一步具体说明。
一种半导体刻蚀设备包括机架1、升降门2，处理室3等部件组成。
具体的，机架1设置在预设的位置，升降门2设置机架1上，作业部位于机架1的内部，为了防止作业区域，大气中污染物的进入落入至硅片表面，设置了升降门2，将作业区域隔离成一个密闭的空间，工作部设置了用于刻蚀半导体的处理室3和清洗装置4，为了方便清洗的操作，将清洗装置4设计成可升降的模式，处理室3设置在清洗装置4的侧面，与所述清洗装置4相邻，用于刻蚀半导体晶圆。
具体的，所述处理室3包括处理室3本体，与所述处理室3本体连接的底座 7，设置在所述处理室3本体底部的连接孔8，与所述连接孔8连接的快排阀9，设置在所述处理室3本体上部的外框10，设置在所述外框10内部的第一喷管组件11，与所述外框10连接的并且与所述第一喷管组件11相对布置的第二喷管组件12，所述第一喷管组件11和第二喷管组件12用于供应等离子气体，处理室3本体，设置了多个过滤通道，外框10和处理室3本体都设有通孔，并且处理室3本体内部设有过滤网，过滤网的底部设有定位柱，防止过滤网直接掉落至处理室3内部，不方便取出的情况。
工作部中还设有移栽系统，通过移栽系统将半导体晶圆从处理室3转动至清洗装置4上，未经处理的半导体晶圆在处理室3进行作业，处理完成后，升降门 2打开，操作人员将处理室3中的盖子打开，然后将半导体晶圆转动到移栽系统上，然后操作人员退出工作区域，升降门2关闭，移栽系统将半导体晶圆运输到清洗装置4的上，然后清洗装置4将半导体晶圆下降到清洗区域，进行清洗。当半导体晶圆处理完成后，清洗装置4撒上升将处理完成的半导体晶圆升至清洗表面。
半导体晶圆被送至清洗装置4后，设备升降门2关闭，清洗装置4处于关闭并且密封，防止清洗过程中污染颗粒、去离子水等污染物进入到设备前端，
具体的，所述处理室3的内部设有通风系统13，设置了气流调节单元，包装至少两个风扇，位于进气口处，通过多个风扇进行送气，有利于提升工作区域内气体流动速率均匀性，避免了因流动速率不均导致紊流的发生，使得流动的空气能够及时有效的空气中的污染物送离。
作为一个优选案例，清洗装置4还包括支撑支架14，设置在所述支撑支架 14上的清洗腔5本体，设置在所述清洗腔5本体侧面的保护罩15，设置在所述清洗腔5本体内部的盘管支撑件16，所述升降装置6包括固定安装在所述清洗腔5本体上的、并且位于保护罩15内部的升降气缸17，与所述升降气缸17连接的升降支架18，设置在所述升降底部的第一网孔板19，设置在所述第一网孔板19底部的支撑管20。
作为一个优选案例，所述处理室3本体底部连接有两组分水器21；所述分水器21相对布置。当处理室3中的液位至预设的界限时，分流至分水器21，经过过滤将杂质均匀分配环环路中，回到入口系统中。
作为一个优选案例，所述处理室3本体底部设有第一通孔，侧面设有若干第二通孔；
作为一个优选案例，所述分水器21设置在第二通孔处。
作为一个优选案例，为了防止工作台面上积水，所述工作部包括工作台面，所述工作台面上开设了多组的通孔，升降过程中带出来的液体，通过通孔流入至回收箱内。
以上结合附图详细描述了本发明的优选实施方式，但是，本发明并不限于上述实施方式中的具体细节，在本发明的技术构思范围内，可以对本发明的技术方案进行多种等同变换，这些等同变换均属于本发明的保护范围。
Claims (9)
1.一种半导体刻蚀设备，其特征在于；包括机架，设置在所述机架内部的作业部，设置在所述机架上，位于作业部的升降门，设置在所述工作部的处理室，用于刻蚀半导体设备；
清洗装置，设置在工作部的内部，所述清洗装置包括清洗腔，与所述清洗腔连接的能够升降的升降装置；
处理室，设置在清洗装置的侧面，与所述清洗装置相邻，用于刻蚀半导体晶圆。
2.根据权利要求1所述的一种半导体刻蚀设备，其特征在于：所述处理室包括处理室本体，与所述处理室本体连接的底座，设置在所述处理室本体底部的连接孔，与所述连接孔连接的快排阀，设置在所述处理室本体上部的外框，设置在所述外框内部的第一喷管组件，与所述外框连接的并且与所述第一喷管组件相对布置的第二喷管组件；
所述第一喷管组件和第二喷管组件用于供应去离子水，配合处理室清洁半导体。
3.根据权利要求2所述的一种半导体刻蚀设备，其特征在于：所述处理室的内部设有通风系统。
4.根据权利要求1所述的一种半导体刻蚀设备，其特征在于：所述清洗装置还包括支撑支架，设置在所述支撑支架上的清洗腔本体，设置在所述清洗腔本体侧面的保护罩，设置在所述清洗腔本体内部的盘管支撑件。
5.根据权利要求1所述的一种半导体刻蚀设备，其特征在于：所述升降装置包括固定安装在所述清洗腔本体上的、并且位于保护罩内部的升降气缸，与所述升降气缸连接的升降支架，设置在所述升降底部的第一网孔板，设置在所述第一网孔板底部的支撑管。
6.根据权利要求2所述的一种半导体刻蚀设备，其特征在于：所述处理室本体底部连接有两组分水器；所述分水器相对布置。
7.根据权利要求2所述的一种半导体刻蚀设备，其特征在于：所述处理室本体底部设有第一通孔，侧面设有若干第二通孔；
所述分水器设置在第二通孔处。
8.根据权利要求2所述的一种半导体刻蚀设备，其特征在于：所述处理室本体的内部设有第二网孔板。
9.根据权利要求1所述的一种半导体刻蚀设备，其特征在于：所述工作部包括工作台面，所述工作台面上开设了多组的通孔。
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Publications (1)
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| CN202211346847.6A Pending CN115910858A (zh) | 2022-10-31 | 2022-10-31 | 一种半导体刻蚀设备 |
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2022
- 2022-10-31 CN CN202211346847.6A patent/CN115910858A/zh active Pending
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