CN115910115A - 磁头及磁记录装置 - Google Patents

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CN115910115A
CN115910115A CN202210065035.8A CN202210065035A CN115910115A CN 115910115 A CN115910115 A CN 115910115A CN 202210065035 A CN202210065035 A CN 202210065035A CN 115910115 A CN115910115 A CN 115910115A
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CN
China
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shield
magnetic
nonmagnetic layer
magnetic pole
magnetic head
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Application number
CN202210065035.8A
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中川裕治
高岸雅幸
成田直幸
永泽鹤美
前田知幸
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Toshiba Corp
Toshiba Electronic Devices and Storage Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Toshiba Electronic Devices and Storage Corp
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    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
    • G11B5/3109—Details
    • G11B5/313—Disposition of layers
    • G11B5/3143—Disposition of layers including additional layers for improving the electromagnetic transducing properties of the basic structure, e.g. for flux coupling, guiding or shielding
    • G11B5/3146—Disposition of layers including additional layers for improving the electromagnetic transducing properties of the basic structure, e.g. for flux coupling, guiding or shielding magnetic layers
    • G11B5/315—Shield layers on both sides of the main pole, e.g. in perpendicular magnetic heads
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Abstract

提供能够提高记录密度的磁头以及磁记录装置。根据实施方式，磁头包括磁极、屏蔽件以及非磁性层。所述非磁性层设置在所述磁极与所述屏蔽件之间。所述非磁性层与所述磁极以及所述屏蔽件相接。所述非磁性层包含选自Cu、Au、Cr、V、Al以及Ag中的至少一种第1元素。

Description

磁头及磁记录装置
本申请以日本专利申请2021-136906(申请日2021年8月25日)为基础，根据该申请享受优先利益。本申请通过参照该申请而包含该申请的全部内容。
技术领域
本发明的实施方式涉及磁头及磁记录装置。
背景技术
使用磁头在HDD(Hard Disk Drive，硬盘驱动器)等磁记录介质记录信息。在磁头及磁记录装置中期望提高记录密度。
发明内容
本发明的实施方式提供能够提高记录密度的磁头及磁记录装置。
用于解决问题的技术方案
根据实施方式，磁头包括磁极、屏蔽件以及非磁性层。所述非磁性层设置在所述磁极与所述屏蔽件之间。所述非磁性层与所述磁极以及所述屏蔽件相接。所述非磁性层包含选自Cu、Au、Cr、V、Al以及Ag中的至少一种第1元素。
根据上述构成的磁头，能够提供能提高记录密度的磁头及磁记录装置。
附图说明
图1是例示第1实施方式涉及的磁头的示意性的剖视图。
图2是例示第1实施方式涉及的磁记录装置的示意性的剖视图。
图3是例示第1实施方式涉及的磁头的示意性的剖视图。
图4是例示第1实施方式涉及的磁头的示意性的剖视图。
图5是例示第1实施方式涉及的磁头的示意性的剖视图。
图6是例示第1实施方式涉及的磁头的示意性的剖视图。
图7是例示第1实施方式涉及的磁头的示意性的剖视图。
图8是例示第1实施方式涉及的磁头的示意性的剖视图。
图9是例示第1实施方式涉及的磁头的示意性的剖视图。
图10是例示第2实施方式涉及的磁头的示意性的剖视图。
图11是例示磁头的特性的曲线图。
图12是例示第3实施方式涉及的磁头的示意性的剖视图。
图13是例示第3实施方式涉及的磁记录装置的示意性的剖视图。
图14是例示第3实施方式涉及的磁头的示意性的剖视图。
图15是例示第3实施方式涉及的磁头的示意性的剖视图。
图16是例示第3实施方式涉及的磁头的示意性的剖视图。
图17是例示第3实施方式涉及的磁头的示意性的剖视图。
图18是例示实施方式涉及的磁记录装置的示意性的立体图。
图19是例示实施方式涉及的磁记录装置的一部分的示意性的立体图。
图20是例示实施方式涉及的磁记录装置的示意性的立体图。
图21的(a)和图21的(b)是例示实施方式涉及的磁记录装置的一部分的示意性的立体图。
标号说明
20、20a～20c层叠体；20D第1电流电路；21第1磁性层；21A～21C磁性层；30磁极；30D记录电路；30F介质相对面；30S屏蔽件；30c线圈；30i绝缘部；30p、30q第1部分区域、第2部分区域；31、32第1屏蔽件、第2屏蔽件；35a、35b第1侧屏蔽件、第2侧屏蔽件；41、42第1非磁性层、第2非磁性层；41A～41C、42A～42C非磁性层；50非磁性层；50D交流电路；50i绝缘部件；51～54第1非磁性层～第4非磁性层；58导电部件；60记录部；70再现部；71磁再现元件；72a、72b第1再现磁屏蔽件、第2再现磁屏蔽件；80磁记录介质；81磁记录层；82介质基板；83磁化；85介质移动方向；110～117、120、130～134磁头；150磁记录装置；154悬架；155臂；156音圈马达；157轴承部；158头万向架组件；159头滑块；159A空气流入侧；159B空气流出侧；160头堆叠组件；161支承框；162线圈；180记录用介质盘；180M主轴马达；181记录介质；190信号处理部；210～230磁记录装置；AR箭头；D1第1方向；I1第1电流；Ia交流电流；Iw记录电流；MSF强度；T1～T3第1端子～第3端子；T30磁极用端子；T58导电部件用端子；W1、W2第1布线、第2布线；fr频率；t50厚度
具体实施方式
(第1实施方式)
图1是例示第1实施方式涉及的磁头的示意性的剖视图。
图2是例示第1实施方式涉及的磁记录装置的示意性的剖视图。
如图2所示，实施方式涉及的磁记录装置210包括磁头110和第1电流电路20D。磁记录装置210也可以包括磁记录介质80。在磁记录装置210中至少进行记录动作。在记录动作中，使用磁头110在磁记录介质80记录信息。
磁头110包括记录部60。如后述的那样，磁头110也可以包括再现部。记录部60包括磁极30、屏蔽件30S以及非磁性层50。
如图1所示，非磁性层50设置在磁极30与屏蔽件30S之间。非磁性层50与磁极30以及屏蔽件30S相接。非磁性层50包含选自Cu、Au、Cr、V、Al以及Ag中的至少一种第1元素。在该例子中，设置有第1非磁性层51来作为非磁性层50。
屏蔽件30S包括第1屏蔽件31。屏蔽件30S(第1屏蔽件31)是尾随(trailing)屏蔽件和引导(leading)屏蔽件中的一方。
例如，磁极30和第1屏蔽件31形成磁回路。磁极30例如为主磁极。第1屏蔽件31例如为尾随屏蔽件。
如图2所示，将从磁记录介质80向磁头110的方向设为Z轴方向。将与Z轴方向垂直的一个方向作为X轴方向。将与Z轴方向以及X轴方向垂直的方向作为Y轴方向。Z轴方向例如对应于高度方向。X轴方向例如对应于顺磁道(down track)方向。Y轴方向例如对应于跨磁道(cross track)方向。沿着顺磁道方向，磁记录介质80和磁头110相对地移动。在磁记录介质80的所希望的位置施加从磁头110产生的磁场(记录磁场)。磁记录介质80的所希望的位置的磁化被控制为与记录磁场相应的方向。由此，在磁记录介质80记录信息。
将从磁极30向第1屏蔽件31的方向作为第1方向D1(参照图2)。第1方向D1实际上沿着X轴方向。在实施方式中，第1方向D1也可以相对于X轴方向以小的角度倾斜。
如图2所示，设置有线圈30c。在该例子中，线圈30c的一部分位于磁极30与第1屏蔽件31之间。在该例子中设置有第2屏蔽件32。在X轴方向上，在第2屏蔽件32与第1屏蔽件31之间具有磁极30。线圈30c的另一部分位于第2屏蔽件32与磁极30之间。在这些多个要素之间设置有绝缘部30i。第2屏蔽件32例如为引导屏蔽件。磁头110也可以包括后述的侧屏蔽件。
如图2所示，从记录电路30D向线圈30c供给记录电流Iw。从磁极30向磁记录介质80施加与记录电流Iw相应的记录磁场。
如图2所示，磁极30包括介质相对面30F。介质相对面30F例如为ABS(Air BearingSurface，空气支承面)。介质相对面30F例如与磁记录介质80相对向。介质相对面30F例如沿着X－Y平面。
如图2所示，第1电流电路20D与磁极30以及第1屏蔽件31电连接。例如，在磁头110设置有第1端子T1和第2端子T2。第1端子T1经由第1布线W1以及磁极30与非磁性层50电连接。第2端子T2经由第2布线W2以及第1屏蔽件31与非磁性层50电连接。从第1电流电路20D例如向磁极30、非磁性层50以及第1屏蔽件31的层叠部分供给第1电流I1(例如直流电流)。第1电流I1例如从第1屏蔽件31流向磁极30。
如图2所示，向磁极30、非磁性层50以及第1屏蔽件31的层叠部分供给第1电流I1。在被供给了第1电流I1时，发现了从磁极30和屏蔽件30S中的至少任一者产生交变磁场。
例如，在磁极30、非磁性层50以及第1屏蔽件31的层叠部分中，通过基于第1电流I1的电子流，产生自旋的相互作用。例如认为在磁极30的与非磁性层50相对向的部分和屏蔽件30S的与非磁性层50相对向的部分中，磁化振荡。
在实施方式中，非磁性层50包含选自Cu、Au、Cr、V、Al以及Ag中的至少一种第1元素。通过使用这样的第1元素，获得自旋的相互作用。
这样，通过供给阈值以上的第1电流I1，从而磁化振荡。伴随着振荡，从磁极30和屏蔽件30S中的至少任一者产生交变磁场(例如高频磁场)。所产生的交变磁场被施加于磁记录介质80，对磁记录介质80的写入得到辅助。例如能够实施MAMR(Microwave AssistedMagnetic Recording，微波辅助磁记录)。提供能够提高记录密度的磁记录装置。
如图1所示，将非磁性层50的沿着从磁极30向屏蔽件30S的方向的厚度设为厚度t50。在实施方式中，厚度t50优选为2nm以上且50nm以下。通过厚度t50为2nm以上，例如第1屏蔽件31与第1侧屏蔽件35a容易磁分离。通过厚度t50为50nm以下，例如容易得到自旋的相互作用。通过厚度t50为50nm以下，例如容易得到作为屏蔽件的功能。例如，能抑制写入磁场的扩展，记录密度得以提高。
图3是例示第1实施方式涉及的磁头的示意性的剖视图。
如图3所示，在实施方式涉及的磁头111中，非磁性层50的结构与磁头110中的结构不同。磁头111中的除了上述以外的结构可以与磁头110中的结构是同样的。
在磁头111中，磁极30包括介质相对面30F。非磁性层50以介质相对面30F为基准而退回。在实施方式中，从磁极30和屏蔽件30S中的至少任一者产生交变磁场。例如，从靠近磁记录介质80的介质相对面30F产生了的交变磁场有效地施加于磁记录介质80。通过非磁性层50以介质相对面30F为基准而退回，容易在介质相对面30F附近集中地产生交变磁场。容易得到高强度的交变磁场。能够更有效地向磁记录介质80施加交变磁场。容易得到更高的记录密度。
图4是例示第1实施方式涉及的磁头的示意性的剖视图。
如图4所示，在实施方式涉及的磁头112中，屏蔽件30S包括第1屏蔽件31和第2屏蔽件32。非磁性层50包括第1非磁性层51和第2非磁性层52。磁头112中的除了上述以外的结构可以与磁头110中的结构是同样的。
第1屏蔽件31是尾随屏蔽件和引导屏蔽件中的一方。第2屏蔽件32是尾随屏蔽件和引导屏蔽件中的另一方。这样，屏蔽件30S包括尾随屏蔽件和引导屏蔽件。
第1非磁性层51设置在磁极30与尾随屏蔽件(第1屏蔽件31)之间。第1非磁性层51与磁极30以及尾随屏蔽件(第1屏蔽件31)相接。第1非磁性层51包含选自Cu、Au、Cr、V、Al以及Ag中的至少一种。
第2非磁性层52设置在磁极30与引导屏蔽件(第2屏蔽件32)之间。第2非磁性层52与磁极30以及引导屏蔽件(第2屏蔽件32)相接。第2非磁性层52包含选自Cu、Au、Cr、V、Al以及Ag中的至少一种。
在磁头112中，从磁极30、第1屏蔽件31以及第2屏蔽件32中的至少任一者产生交变磁场(例如高频磁场)。所产生的交变磁场被施加于磁记录介质80。能实施更有效的MAMR。
在磁头112中，第1电流I1例如从第1屏蔽件31流向磁极30，从第2屏蔽件32流向磁极30。
图5是例示第1实施方式涉及的磁头的示意性的剖视图。
如图5所示，在实施方式涉及的磁头113中，非磁性层50(第1非磁性层51和第2非磁性层52)以介质相对面30F为基准退回。磁头113中的除了上述以外的结构可以与磁头112中的结构是同样的。
在磁头113中，通过非磁性层50以介质相对面30F为基准而退回，容易在介质相对面30F的附近集中产生交变磁场。容易得到高强度的交变磁场。能够更有效地向磁记录介质80施加交变磁场。容易得到更高的记录密度。第1非磁性层51和第2非磁性层52中的至少任一者也可以以介质相对面30F为基准而退回。
图6是例示第1实施方式涉及的磁头的示意性的剖视图。
如图6所示，在实施方式涉及的磁头114中，屏蔽件30S也可以是第1侧屏蔽件35a和第2侧屏蔽件35b中的一方。磁头114中的除了上述以外的结构可以与磁头110中的结构是同样的。
在该例子中，屏蔽件30S包括第1侧屏蔽件35a和第2侧屏蔽件35b。从磁极30向第1侧屏蔽件35a的方向与从磁极30向第1屏蔽件31(参照图1)的方向交叉。从磁极30向第2侧屏蔽件35b的方向与从磁极30向第1屏蔽件31(参照图1)的方向交叉。从磁极30向第1侧屏蔽件35a的方向以及从磁极30向第2侧屏蔽件35b的方向例如沿着Y轴方向。磁极30的至少一部分在Y轴方向上位于第1侧屏蔽件35a与第2侧屏蔽件35b之间。
非磁性层50例如包括第1非磁性层51和第2非磁性层52。第1非磁性层51设置在磁极30与第1侧屏蔽件35a之间，与磁极30以及第1侧屏蔽件35a相接。第1非磁性层51包含选自Cu、Au、Cr、V、Al以及Ag中的至少一种。
第2非磁性层52设置在磁极30与第2侧屏蔽件35b之间，与磁极30以及第2侧屏蔽件35b相接。第2非磁性层52包含选自Cu、Au、Cr、V、Al以及Ag中的至少一种。
例如，第1电流电路20D经由第1端子T1与磁极30电连接。第1电流电路20D经由第2端子T2与第1侧屏蔽件35a电连接。第1电流电路20D经由第3端子T3与第2侧屏蔽件35b电连接。
第1电流I1在包括磁极30、第1非磁性层51以及第1侧屏蔽件35a的层叠部分中流动。从磁极30和第1侧屏蔽件35a中的至少任一者产生交变磁场。第1电流I1在包括磁极30、第2非磁性层52以及第2侧屏蔽件35b的层叠部分中流动。从磁极30和第2侧屏蔽件35b中的至少任一者产生交变磁场。能够向磁记录介质80施加更强的交变磁场。容易得到更高的记录密度。
第1电流I1例如从第1侧屏蔽件35a流向磁极30，从第2侧屏蔽件35b流向磁极30。第1电流I1例如也可以从第1侧屏蔽件35a通过磁极30而流向第2侧屏蔽件35b。第1电流I1例如也可以从第2侧屏蔽件35b通过磁极30而流向第1侧屏蔽件35a。在这些情况下，也可以省略第1端子T1。
图7是例示第1实施方式涉及的磁头的示意性的剖视图。
如图7所示，在实施方式涉及的磁头115中，非磁性层50(第1非磁性层51和第2非磁性层52)以介质相对面30F为基准而退回。磁头115中的除了上述以外的结构可以与磁头114中的结构是同样的。
在磁头115中，通过非磁性层50以介质相对面30F为基准而退回，容易在介质相对面30F的附近集中地产生交变磁场。容易得到高强度的交变磁场。能够更有效地向磁记录介质80施加交变磁场。容易得到更高的记录密度。
图8是例示第1实施方式涉及的磁头的示意性的剖视图。
如图8所示，实施方式涉及的磁头116包括磁极30、第1屏蔽件31以及第1侧屏蔽件35a。第1屏蔽件31是尾随屏蔽件和引导屏蔽件中的一方。从磁极30向第1侧屏蔽件35a的方向(例如沿着Y轴方向的方向)与从磁极30向第1屏蔽件31的方向(例如沿着X轴方向的方向)交叉。
非磁性层50(例如第1非磁性层51)设置在第1屏蔽件31与第1侧屏蔽件35a之间。非磁性层50(例如第1非磁性层51)与第1屏蔽件31以及第1侧屏蔽件35a相接。非磁性层50(例如第1非磁性层51)包含选自Cu、Au、Cr、V、Al以及Ag中的至少一种第1元素。
在该例子中，磁头116还包括第2侧屏蔽件35b。磁极30的至少一部分位于第1侧屏蔽件35a与第2侧屏蔽件35b之间。
非磁性层50包括第1非磁性层51和第2非磁性层52。第1非磁性层51设置在第1屏蔽件31与第1侧屏蔽件35a之间，与第1屏蔽件31以及第1侧屏蔽件35a相接。第1非磁性层51包含选自Cu、Au、Cr、V、Al以及Ag中的至少一种。
第2非磁性层52设置在第1屏蔽件31与第2侧屏蔽件35b之间，与第1屏蔽件31以及第2侧屏蔽件35b相接。第2非磁性层52包含选自Cu、Au、Cr、V、Al以及Ag中的至少一种。
在该例子中设置有第2屏蔽件32。第2屏蔽件32是尾随屏蔽件和引导屏蔽件中的另一方。
非磁性层50包括第3非磁性层53和第4非磁性层54。第3非磁性层53设置在第2屏蔽件32与第1侧屏蔽件35a之间，与第2屏蔽件32以及第1侧屏蔽件35a相接。第3非磁性层53包含选自Cu、Au、Cr、V、Al以及Ag中的至少一种。
第4非磁性层54设置在第2屏蔽件32与第2侧屏蔽件35b之间，与第2屏蔽件32以及第2侧屏蔽件35b相接。第4非磁性层54包含选自Cu、Au、Cr、V、Al以及Ag中的至少一种。
例如，第1电流电路20D经由第1端子T1与第1屏蔽件31电连接。第1电流电路20D经由第2端子T2与第2屏蔽件32电连接。第1电流I1在包括第1屏蔽件31、第1非磁性层51以及第1侧屏蔽件35a的层叠部分中流动。第1电流I1在包括第1屏蔽件31、第2非磁性层52以及第2侧屏蔽件35b的层叠部分中流动。第1电流I1在包括第2屏蔽件32、第3非磁性层53以及第1侧屏蔽件35a的层叠部分中流动。第1电流I1在包括第2屏蔽件32、第4非磁性层54以及第2侧屏蔽件35b的层叠部分中流动。
例如，在第1屏蔽件31、第1侧屏蔽件35a、第2屏蔽件32以及第2侧屏蔽件35b中的至少任一者中产生交变磁场。所产生的交变磁场被施加于磁记录介质80(参照图1)。容易得到更高的记录密度。
如图8所示，将非磁性层50(例如第1非磁性层51)的沿着从第1屏蔽件31向第1侧屏蔽件35a的方向的厚度设为厚度t50。在实施方式中，厚度t50优选为2nm以上且30nm以下。通过厚度t50为2nm以上，例如容易将第1屏蔽件31与第1侧屏蔽件35a磁分离。通过厚度t50为50nm以下，例如容易得到自旋的相互作用。通过厚度t50为50nm以下，例如容易得到作为屏蔽件的功能。例如能抑制写入磁场的扩展，记录密度得以提高。
图9是例示第1实施方式涉及的磁头的示意性的剖视图。
如图9所示，实施方式涉及的磁头117包括磁极30和非磁性层50。在磁头117中，非磁性层50的位置与其在磁头110中的位置不同。磁头117中的除了上述以外的结构可以与磁头110中的结构是同样的。
在磁头117中，磁极30包括第1部分区域30p和第2部分区域30q。非磁性层50(例如第1非磁性层51)设置在第1部分区域30p与第2部分区域30q之间。非磁性层50包含选自Cu、Au、Cr、V、Al以及Ag中的至少一种第1元素。例如，磁极30包括介质相对面30F。第1部分区域30p位于介质相对面30F与第2部分区域30q之间。非磁性层50可以与第1部分区域30p以及第2部分区域30q相接。
例如，第1电流I1从第1部分区域30p经由第1非磁性层51而流向第2部分区域30q。例如，第1电流I1也可以从第2部分区域30q经由第1非磁性层51而流向第1部分区域30p。在磁头117中，通过第1电流I1，从磁极30产生交变磁场。所产生的交变磁场被施加于磁记录介质80。容易得到更高的记录密度。
在该例子中，在磁极30与第1屏蔽件31之间设置有第2非磁性层52。第2非磁性层52为导电性。例如，第1电流I1在磁极30、第2非磁性层52以及第1屏蔽件31的层叠部分中流动。第2非磁性层52例如包含选自Ru、Ir、Ta、Rh、Pd、Pt以及W中的至少一种。第2非磁性层52例如也可以包含选自Cu、Au、Cr、V、Al以及Ag中的至少一种第1元素。在该情况下，与上述同样地，基于第1电流I1，从磁极30和第1屏蔽件31中的至少任一者产生交变磁场。
如图9所示，第2非磁性层52也可以以介质相对面30F为基准而退回。容易在介质相对面30F的附近集中地产生交变磁场。容易得到高强度的交变磁场。能够更有效地向磁记录介质80施加交变磁场。容易得到更高的记录密度。
实施方式涉及的磁记录装置210(参照图2)包括上述的磁头(磁头110～117)和第1电流电路20D。第1电流电路20D能够向磁极30与屏蔽件30S之间供给第1电流I1。在第1电流I1被供给到了磁极30与屏蔽件30S之间时，从磁极30和屏蔽件30S中的至少任一者产生交变磁场。能提供能够提高记录密度的磁记录装置。
(第2实施方式)
图10是例示第2实施方式涉及的磁头的示意性的剖视图。
如图10所示，实施方式涉及的磁头120包括磁极30和导电部件58。磁头120中的除了上述以外的结构可以与磁头110中的结构是同样的。
在磁头120中，导电部件58与磁极30电连接。向导电部件58和磁极30供给交流电流Ia。此时，从磁极30产生交变磁场。
例如，设置有与磁极30电连接的磁极用端子T30和与导电部件58电连接的导电部件用端子T58。磁记录装置220包括磁头120和交流电流电路50D。交流电流电路50D经由磁极用端子T30与磁极30电连接。交流电流电路50D经由导电部件用端子T58与导电部件58电连接。
交流电流电路50D能够经由这些端子向磁极30以及导电部件58供给交流电流Ia。在交流电流Ia被供给至磁极30和导电部件58时，从磁极30产生交变磁场。所产生的交变磁场被施加于磁记录介质80。能有效地实施MAMR。
图11是例示磁头的特性的曲线图。
图11例示了在向包括磁极30的磁头附近施加了高频磁场时从磁极30得到的交变磁场的特性的模拟结果。图11的横轴是所施加的高频磁场的频率fr。纵轴是从磁极30得到的交变磁场的强度MFS(相对值)。
如图11所示，在大约30GHz的频率fr下，交变磁场的强度MFS呈现峰值。这被认为对应于磁极30的至少一部分与所施加的高频磁场共振的情况。
通过向导电部件58和磁极30供给交流电流Ia，由交流电流Ia产生的磁场被施加于磁极30。认为通过交流电流Ia的能量，磁极30的磁化与交流电流Ia共振。
例如，通过交流电流Ia经过磁极30，基于磁极30中的共振的交变磁场被施加于磁记录介质80。能实施MAMR。基于在导电部件58中流动的交流电流Ia的交变磁场的一部分也可以进一步施加于磁记录介质80。能实施更有效的MAMR。
(第3实施方式)
图12是例示第3实施方式涉及的磁头的示意性的剖视图。
图13是例示第3实施方式涉及的磁记录装置的示意性的剖视图。
如图13所示，实施方式涉及的磁记录装置230包括磁头130和第1电流电路20D。磁记录装置230也可以包括磁记录介质80。在磁记录装置230中至少进行记录动作。在记录动作中，使用磁头130在磁记录介质80记录信息。
如图13所示，磁头130包括磁极30、屏蔽件30S以及层叠体20。在该例子中，屏蔽件30S包括第1屏蔽件31。屏蔽件30S也可以包括第2屏蔽件32。
如图12所示，层叠体20包括第1磁性层21、第1非磁性层41以及第2非磁性层42。第1非磁性层41设置在磁极30与第1磁性层21之间。第1非磁性层41包括第1材料和第2材料中的一方。第1材料包含选自Cu、Au、Cr、V、Al以及Ag中的至少一种。第2材料包含选自Ru、Ir、Ta、Rh、Pd、Pt以及W中的至少一种。第2非磁性层42设置在第1磁性层21与屏蔽件30S(例如第1屏蔽件31)之间。第2非磁性层42包含第1材料和第2材料中的另一方。
如图13所示，从第1电流电路20D向层叠体20供给第1电流I1(例如可以为直流电流)。伴随着第1电流I1的电子流作用于层叠体20。电子流的方向与第1电流I1的方向相反。通过向层叠体20中流动第1电流I1，从层叠体20产生交变磁场。
在实施方式中，磁极30和屏蔽件30S中的至少任一者与层叠体20共振。例如，磁极30和屏蔽件30S中的至少任一者伴随着层叠体20的振荡而振荡。由此，也从磁极30和屏蔽件30S中的至少任一者产生交变磁场。从磁极30和屏蔽件30S中的至少任一者产生的交变磁场也被施加于磁记录介质80。能实施MAMR。也可以进一步利用从层叠体20产生的交变磁场。能够实施更有效的MAMR。
例如，从磁极30和屏蔽件30S中的至少任一者产生的交变磁场的强度比从层叠体20产生的交变磁场的强度高。磁极30和屏蔽件30S中的至少任一者例如具有放大从层叠体20产生的交变磁场的作用。
通过磁头130，能够提供能提高记录密度的磁头以及磁记录装置。
如图12所示，层叠体20也可以以磁极30的介质相对面30F为基准而退回。在磁极30的介质相对面30F的附近集中地产生交变磁场。能够实施更有效的MAMR。
图14是例示第3实施方式涉及的磁头的示意性的剖视图。
如图14所示，在实施方式涉及的磁头131中，屏蔽件30S包括第1屏蔽件31和第2屏蔽件32。在磁极30与第1屏蔽件31之间设置有层叠体20。在磁极30与第2屏蔽件32之间设置有其它层叠体20a。层叠体20a的结构可以与层叠体20的结构是同样的。例如，层叠体20a包括磁性层21A、非磁性层41A以及非磁性层42A。
第1电流I1例如从第2屏蔽件32经由磁极30流向第1屏蔽件31。在该情况下，第1非磁性层41和非磁性层42A包含上述第1材料(选自Cu、Au、Cr、V、Al以及Ag中的至少一种)。第2非磁性层42和非磁性层41A包含上述第2材料(选自Ru、Ir、Ta、Rh、Pd、Pt以及W中的至少一种)。
第1电流I1例如也可以从第1屏蔽件31经由磁极30而流向第2屏蔽件32。在该情况下，第2非磁性层42和非磁性层41A包含上述第1材料。第1非磁性层41和非磁性层42A包含上述第2材料。
也可以是，第1电流I1的一部分例如从磁极30流向第1屏蔽件31，第1电流I1的另一部分例如从磁极30流向第2屏蔽件32。在该情况下，第1非磁性层41和非磁性层41A包含上述第1材料。第2非磁性层42和非磁性层42A包含上述第2材料。
也可以是，第1电流I1的一部分例如从第1屏蔽件31流向磁极30，第1电流I1的另一部分例如从第2屏蔽件32流向磁极30。在该情况下，第2非磁性层42和非磁性层42A包含上述第1材料。第1非磁性层41和非磁性层41A包含上述第2材料。
如图14所示，层叠体20和层叠体20a也可以以磁极30的介质相对面30F为基准而退回。
图15是例示第3实施方式涉及的磁头的示意性的剖视图。
如图15所示，在实施方式涉及的磁头132中，设置有第1侧屏蔽件35a和第2侧屏蔽件35b来作为屏蔽件30S。层叠体20b设置在磁极30与第1侧屏蔽件35a之间。层叠体20c设置在磁极30与第2侧屏蔽件35b之间。层叠体20b和层叠体20c的结构可以与层叠体20的结构是同样的。例如，层叠体20b包括磁性层21B、非磁性层41B以及非磁性层42B。例如，层叠体20c包括磁性层21C、非磁性层41C以及非磁性层42C。
第1电流I1例如从第1侧屏蔽件35a经由磁极30而流向第2侧屏蔽件35b。在该情况下，非磁性层42B和非磁性层41C包含上述第1材料(选自Cu、Au、Cr、V、Al以及Ag中的至少一种)。非磁性层41B和非磁性层42C包含上述第2材料(选自Ru、Ir、Ta、Rh、Pd、Pt以及W中的至少一种)。
第1电流I1例如也可以从第2侧屏蔽件35b经由磁极30而流向第1侧屏蔽件35a。在该情况下，非磁性层41B和非磁性层42C包含上述第1材料。非磁性层42B和非磁性层41C包含上述第2材料。
也可以是，第1电流I1的一部分例如从磁极30流向第1侧屏蔽件35a，第1电流I1的另一部分例如从磁极30流向第2侧屏蔽件35b。在该情况下，非磁性层41B和非磁性层41C包含上述第1材料。非磁性层42B和非磁性层42C包含上述第2材料。
也可以是，第1电流I1的一部分例如从第1侧屏蔽件35a流向磁极30，第1电流I1的另一部分例如从第2侧屏蔽件35b流向磁极30。在该情况下，非磁性层42B和非磁性层42C包含上述第1材料。非磁性层41B和非磁性层41C包含上述第2材料。
如图15所示，层叠体20b和层叠体20c也可以以磁极30的介质相对面30F为基准而退回。
图16是例示第3实施方式涉及的磁头的示意性的剖视图。
如图16所示，实施方式涉及的磁头133包括磁极30、第1屏蔽件31以及第1侧屏蔽件35a。磁头133中的除了上述以外的结构例如也可以与磁头130的结构是同样的。
在磁头133中，第1屏蔽件31是尾随屏蔽件和引导屏蔽件中的一方。从磁极30向第1侧屏蔽件35a的方向(例如沿着Y轴方向的方向)与从磁极30向第1屏蔽件31的方向(例如沿着X轴方向的方向)交叉。
层叠体20设置在第1屏蔽件31与第1侧屏蔽件35a之间。层叠体20包括第1磁性层21、第1非磁性层41以及第2非磁性层42。第1非磁性层41设置在第1磁性层21与第1屏蔽件31之间。第1非磁性层41包含选自Cu、Au、Cr、V、Al以及Ag中的至少一种。第2非磁性层42设置在第1磁性层21与第1侧屏蔽件35a之间。第2非磁性层42包含选自Ru、Ir、Ta、Rh、Pd、Pt以及W中的至少一种。
例如，从第1屏蔽件31向第1侧屏蔽件35a流动第1电流I1。例如，通过第1电流I1从层叠体20产生交变磁场。第1屏蔽件31、第1侧屏蔽件35a以及磁极30中的至少任一者与层叠体20共振。
如图16所示，磁头133也可以包括第2屏蔽件32和第2侧屏蔽件35b。在第1屏蔽件31与第2侧屏蔽件35b之间设置有其它层叠体20a。在第2屏蔽件32与第1侧屏蔽件35a之间设置有其它层叠体20b。在第2屏蔽件32与第2侧屏蔽件35b之间设置有其它层叠体20c。
在层叠体20a、层叠体20b以及层叠体20c中产生交变磁场。第1屏蔽件31、第2屏蔽件32、第1侧屏蔽件35a以及第2侧屏蔽件35b中的至少任一者与层叠体20、层叠体20a、层叠体20b以及层叠体20c共振。能够实施更有效的MAMR。
图17是例示第3实施方式涉及的磁头的示意性的剖视图。
如图17所示，实施方式涉及的磁头134包括磁极30和层叠体20。在磁头134中，层叠体20的结构与磁头130中的结构不同。磁头134中的除了上述以外的结构例如也可以与磁头130的结构是同样的。
在磁头134中，磁极30包括第1部分区域30p和第2部分区域30q。层叠体20设置在第1部分区域30p与第2部分区域30q之间。层叠体20包括第1磁性层21、第1非磁性层41以及第2非磁性层42。第1非磁性层41设置在第1部分区域30p与第1磁性层21之间。例如，磁极30包括介质相对面30F。第1部分区域30p位于介质相对面30F与第2部分区域30q之间。非磁性层50可以与第1部分区域30p以及第2部分区域30q相接。第1非磁性层41包含第1材料和第2材料中的一方。第2非磁性层42包含第1材料和第2材料中的另一方。第1材料包含选自Cu、Au、Cr、V、Al以及Ag中的至少一种。第2材料包含选自Ru、Ir、Ta、Rh、Pd、Pt以及W中的至少一种。
例如，向层叠体20供给第1电流I1。从层叠体20产生交变磁场。在实施方式中，磁极30的至少一部分与层叠体20共振。例如从磁极30产生交变磁场。能够实施更有效的MAMR。
例如，第1电流I1具有从第1部分区域30p向第2部分区域30q的方向。在该情况下，第1非磁性层41包含第1材料(选自Cu、Au、Cr、V、Al以及Ag中的至少一种)。第2非磁性层42包含第2材料(选自Ru、Ir、Ta、Rh、Pd、Pt以及W中的至少一种)。
例如，第1电流I1也可以具有从第2部分区域30q向第1部分区域30p的方向。在该情况下，第1非磁性层41包含第2材料，第2非磁性层42包含第1材料。
以下，对实施方式涉及的磁头以及磁记录装置的例子进行说明。
图18是例示实施方式涉及的磁记录装置的示意性的立体图。
如图18所示，实施方式涉及的磁头(例如磁头110)与磁记录介质80一起被使用。在该例子中，磁头110包括记录部60和再现部70。通过磁头110的记录部60，在磁记录介质80记录信息。通过再现部70，将记录于磁记录介质80的信息再现。
磁记录介质80例如包括介质基板82和设置在介质基板82上的磁记录层81。磁记录层81的磁化83由记录部60控制。
再现部70例如包括第1再现磁屏蔽件72a、第2再现磁屏蔽件72b以及磁再现元件71。磁再现元件71设置在第1再现磁屏蔽件72a与第2再现磁屏蔽件72b之间。磁再现元件71能够输出与磁记录层81的磁化83相应的信号。
如图18所示，磁记录介质80在介质移动方向85的方向上相对于磁头110而相对地移动。在任意位置处，与磁记录层81的磁化83对应的信息由磁头110进行控制。在任意位置处，与磁记录层81的磁化83对应的信息由磁头110进行再现。
图19是例示实施方式涉及的磁记录装置的一部分的示意性的立体图。
图19例示了头滑块。
磁头110设置于头滑块159。头滑块159例如包含Al2O3/TiC等。头滑块159一边在磁记录介质上悬浮或者与磁记录介质接触，一边相对于磁记录介质而相对地运动。
头滑块159例如具有空气流入侧159A和空气流出侧159B。磁头110配置在头滑块159的空气流出侧159B的侧面等。由此，磁头110一边在磁记录介质上悬浮或者与磁记录介质接触，一边相对于磁记录介质而相对地运动。
图20是例示实施方式涉及的磁记录装置的示意性的立体图。
图21的(a)和图21的(b)是例示实施方式涉及的磁记录装置的一部分的示意性的立体图。
如图20所示，在实施方式涉及的磁记录装置150中，使用旋转致动器。记录用介质盘180安装于主轴马达180M。记录用介质盘180通过主轴马达180M沿箭头AR的方向旋转。主轴马达180M对来自驱动装置控制部的控制信号进行响应。本实施方式涉及的磁记录装置150也可以具备多个记录用介质盘180。磁记录装置150也可以包括记录介质181。记录介质181例如为SSD(Solid State Drive，固态硬盘驱动器)。记录介质181例如使用闪速存储器等的非易失性存储器。例如，磁记录装置150也可以是混合式HDD(Hard Disk Drive，硬盘驱动器)。
头滑块159进行向记录用介质盘180记录的信息的记录以及再现。头滑块159设置于薄膜状的悬架154的前端。在头滑块159的前端附近设置有实施方式涉及的磁头。
当记录用介质盘180旋转时，由悬架154产生的按压压力与在头滑块159的介质相对面(ABS)产生的压力平衡。头滑块159的介质相对面与记录用介质盘180的表面之间的距离成为预定的悬浮量。在实施方式中，头滑块159也可以与记录用介质盘180接触。例如，也可以应用接触走行式。
悬架154与臂155(例如致动器臂)的一端连接。臂155例如具有卷轴(bobbin)部等。卷轴部保持驱动线圈。在臂155的另一端设置有音圈马达156。音圈马达156是线性马达的一种。音圈马达156例如包括驱动线圈和磁回路。驱动线圈卷绕于臂155的卷轴部。磁回路包括永磁体和对向磁轭。在永磁体与对向磁轭之间设置有驱动线圈。悬架154具有一端和另一端。磁头设置于悬架154的一端。臂155与悬架154的另一端连接。
臂155由滚珠轴承保持。滚珠轴承设置于轴承部157的上下的两个部位。臂155能够通过音圈马达156进行旋转以及滑动。磁头能够移动至记录用介质盘180的任意位置。
图21的(a)例示了磁记录装置的一部分结构，是头堆叠组件160的放大立体图。
图21的(b)是例示成为头堆叠组件160的一部分的磁头组件(头万向架组件：HGA)158的立体图。
如图21的(a)所示，头堆叠组件160包括轴承部157、头万向架组件158以及支承框161。头万向架组件158从轴承部157延伸。支承框161从轴承部157延伸。支承框161的延伸方向与头万向架组件158的延伸方向相反。支承框161支承音圈马达156的线圈162。
如图21的(b)所示，头万向架组件158具有从轴承部157延伸的臂155和从臂155延伸的悬架154。
在悬架154的前端设置有头滑块159。在头滑块159设置有实施方式涉及的磁头。
实施方式涉及的磁头组件(头万向架组件)158包括实施方式涉及的磁头、设置了磁头的头滑块159、悬架154以及臂155。头滑块159设置于悬架154的一端。臂155与悬架154的另一端连接。
悬架154例如具有信号的记录以及再现用的引线(未图示)。悬架154例如也可以具有用于调整悬浮量的加热器用的引线(未图示)。悬架154例如也可以具有用于自旋转移矩振荡器用等的引线(未图示)。这些引线与设置于磁头的多个电极电连接。
在磁记录装置150中设置有信号处理部190。信号处理部190使用磁头进行向磁记录介质的信号的记录以及再现。信号处理部190的输入输出线例如与头万向架组件158的电极焊盘连接，与磁头电连接。
实施方式涉及的磁记录装置150包括磁记录介质、实施方式涉及的磁头、可动部、位置控制部以及信号处理部。可动部能够使磁记录介质和磁头在使它们分离或者使它们接触了的状态下相对地进行移动。位置控制部使磁头对准磁记录介质的预定记录位置。信号处理部进行使用了磁头的向磁记录介质的信号的记录以及再现。
例如，使用记录用介质盘180来作为上述磁记录介质。上述可动部例如包括头滑块159。上述位置控制部例如包括头万向架组件158。
实施方式也可以包括以下的技术方案。
(技术方案1)
一种磁头，具备：
磁极；
屏蔽件；以及
非磁性层，其设置在所述磁极与所述屏蔽件之间，所述非磁性层与所述磁极以及所述屏蔽件相接，所述非磁性层包含选自Cu、Au、Cr、V、Al以及Ag中的至少一种第1元素。
(技术方案2)
根据技术方案1所述的磁头，
所述非磁性层的沿着从所述磁极向所述屏蔽件的方向的厚度为2nm以上且50nm以下。
(技术方案3)
根据技术方案1或者2所述的磁头，
所述屏蔽件是尾随屏蔽件和引导屏蔽件中的一方。
(技术方案4)
根据技术方案1或者2所述的磁头，
所述屏蔽件包括尾随屏蔽件和引导屏蔽件，
所述非磁性层包括第1非磁性层和第2非磁性层，
所述第1非磁性层设置在所述磁极与所述尾随屏蔽件之间，与所述磁极以及所述尾随屏蔽件相接，所述第1非磁性层包含选自Cu、Au、Cr、V、Al以及Ag中的至少一种，
所述第2非磁性层设置在所述磁极与所述引导屏蔽件之间，与所述磁极以及所述引导屏蔽件相接，所述第2非磁性层包含选自Cu、Au、Cr、V、Al以及Ag中的至少一种。
(技术方案5)
根据技术方案1或者2所述的磁头，
所述屏蔽件是第1侧屏蔽件和第2侧屏蔽件中的一方。
(技术方案6)
根据技术方案1或者2所述的磁头，
所述屏蔽件包括第1侧屏蔽件和第2侧屏蔽件，
所述非磁性层包括第1非磁性层和第2非磁性层，
所述第1非磁性层设置在所述磁极与所述第1侧屏蔽件之间，与所述磁极以及所述第1侧屏蔽件相接，所述第1非磁性层包含选自Cu、Au、Cr、V、Al以及Ag中的至少一种，
所述第2非磁性层设置在所述磁极与所述第2侧屏蔽件之间，与所述磁极以及所述第1侧屏蔽件相接，所述第2非磁性层包含选自Cu、Au、Cr、V、Al以及Ag中的至少一种。
(技术方案7)
根据技术方案1～6中任一项所述的磁头，
所述磁极包括介质相对面，
所述非磁性层以所述介质相对面为基准而退回。
(技术方案8)
一种磁头，具备：
磁极；
第1屏蔽件，其为尾随屏蔽件和引导屏蔽件中的一方；
第1侧屏蔽件，从所述磁极向所述第1侧屏蔽件的方向与从所述磁极向所述第1屏蔽件的方向交叉；以及
非磁性层，其设置在所述第1屏蔽件与所述第1侧屏蔽件之间，所述非磁性层与所述第1屏蔽件以及所述第1侧屏蔽件相接，所述非磁性层包含选自Cu、Au、Cr、V、Al以及Ag中的至少一种第1元素。
(技术方案9)
根据技术方案8所述的磁头，
所述非磁性层的沿着从所述第1屏蔽件向所述第1侧屏蔽件的方向的厚度为2nm以上且50nm以下。
(技术方案10)
根据技术方案8或者9所述的磁头，
还具备第2侧屏蔽件，
所述磁极的至少一部分位于所述第1侧屏蔽件与所述第2侧屏蔽件之间，
所述非磁性层包括第1非磁性层和第2非磁性层，
所述第1非磁性层设置在所述第1屏蔽件与所述第1侧屏蔽件之间，与所述第1屏蔽件以及所述第1侧屏蔽件相接，所述第1非磁性层包含选自Cu、Au、Cr、V、Al以及Ag中的至少一种，
所述第2非磁性层设置在所述第1屏蔽件与所述第2侧屏蔽件之间，与所述第1屏蔽件以及所述第2侧屏蔽件相接，所述第2非磁性层包含选自Cu、Au、Cr、V、Al以及Ag中的至少一种。
(技术方案11)
根据技术方案10所述的磁头，
还具备第2屏蔽件，其为所述尾随屏蔽件和所述引导屏蔽件中的另一方，
所述非磁性层包括第3非磁性层和第4非磁性层，
所述第3非磁性层设置在所述第2屏蔽件与所述第1侧屏蔽件之间，与所述第2屏蔽件以及所述第1侧屏蔽件相接，所述第3非磁性层包含选自Cu、Au、Cr、V、Al以及Ag中的至少一种，
所述第4非磁性层设置在所述第2屏蔽件与所述第2侧屏蔽件之间，与所述第2屏蔽件以及所述第2侧屏蔽件相接，所述第4非磁性层包含选自Cu、Au、Cr、V、Al以及Ag中的至少一种。
(技术方案12)
一种磁头，具备：
磁极，其包括第1部分区域和第2部分区域；和
非磁性层，其设置在所述第1部分区域与所述第2部分区域之间，所述非磁性层包含选自Cu、Au、Cr、V、Al以及Ag中的至少一种第1元素。
(技术方案13)
根据技术方案12所述的磁头，
所述磁极包括介质相对面，
所述1部分区域位于所述介质相对面与所述第2部分区域之间。
(技术方案14)
一种磁记录装置，具备：
技术方案1～13中任一项所述的磁头；和
第1电流电路，
所述第1电流电路能够向所述磁极与所述屏蔽件之间供给第1电流，
在所述第1电流被供给到了所述磁极与所述屏蔽件之间时，从磁极和屏蔽件中的至少任一者产生交变磁场。
(技术方案15)
一种磁头，具备：
磁极；和
导电部件，其与所述磁极电连接，
在向所述导电部件和所述磁极供给了交流电流时，从所述磁极产生交变磁场。
(技术方案16)
根据技术方案15所述的磁头，还具备：
磁极用端子，其与所述磁极电连接；和
导电部件用端子，其与所述导电部件电连接。
(技术方案17)
一种磁记录装置，具备：
技术方案15或者16所述的磁头；和
交流电流电路，
所述交流电流电路能够向所述磁极和所述导电部件供给所述交流电流，
在所述交流电流被供给到了所述磁极和所述导电部件时，从所述磁极产生交变磁场。
(技术方案18)
一种磁头，具备：
磁极；
屏蔽件；以及
层叠体，其设置在所述磁极与所述屏蔽件之间，
所述层叠体具备：
第1磁性层；
第1非磁性层，其设置在所述磁极与所述第1磁性层之间，所述第1非磁性层包含第1材料和第2材料中的一方，所述第1材料包含选自Cu、Au、Cr、V、Al以及Ag中的至少一种，所述第2材料包含选自Ru、Ir、Ta、Rh、Pd、Pt以及W中的至少一种；以及
第2非磁性层，其设置在所述第1磁性层与所述屏蔽件之间，所述第2非磁性层包含所述第1材料和所述第2材料中的另一方，
所述磁极和所述屏蔽件中的至少任一者与所述层叠体共振。
(技术方案19)
一种磁头，具备：
磁极；
第1屏蔽件，其为尾随屏蔽件和引导屏蔽件中的一方；
第1侧屏蔽件，从所述磁极向所述第1侧屏蔽件的方向与从所述磁极向所述第1屏蔽件的方向交叉；以及
层叠体，其设置在所述第1屏蔽件与所述第1侧屏蔽件之间，
所述层叠体具备：
第1磁性层；
第1非磁性层，其设置在所述第1磁性层与所述第1屏蔽件之间，所述第1非磁性层包含第1材料和第2材料中的一方，所述第1材料包含选自Cu、Au、Cr、V、Al以及Ag中的至少一种，所述第2材料包含选自Ru、Ir、Ta、Rh、Pd、Pt以及W中的至少一种；以及
第2非磁性层，其设置在所述第1磁性层与所述第1侧屏蔽件之间，所述第2非磁性层包含所述第1材料和所述第2材料中的另一方，
所述第1屏蔽件和所述第1侧屏蔽件中的至少任一者与所述层叠体共振。
(技术方案20)
一种磁头，具备：
磁极，其包括第1部分区域和第2部分区域；和
层叠体，其设置在所述第1部分区域与所述第2部分区域之间，
所述层叠体具备：
第1磁性层；
第1非磁性层，其设置在所述第1部分区域与所述第1磁性层之间，所述第1非磁性层包含第1材料和第2材料中的一方，所述第1材料包含选自Cu、Au、Cr、V、Al以及Ag中的至少一种，所述第2材料包含选自Ru、Ir、Ta、Rh、Pd、Pt以及W中的至少一种；以及
第2非磁性层，其设置在所述第1磁性层与所述第2部分区域之间，所述第2非磁性层包含所述第1材料和所述第2材料中的另一方，
所述磁极的至少一部分与所述层叠体共振。
根据实施方式，能够提供能提高记录密度的磁头以及磁记录装置。
在本申请说明书中，“垂直”和“平行”不仅是严格的垂直和严格的平行，例如也包含制造工序中的偏差等，为实质上垂直和实质上平行即可。
以上，参照具体例对本发明的实施方式进行了说明。但是，本发明并不限定为这些具体例。例如，关于磁头所包括的磁极、层叠体、磁性层、非磁性层以及导电部件等的各要素的具体结构，只要能够通过本领域技术人员从公知的范围适当地加以选择来同样实施本发明、获得同样的效果，就包含在本发明的范围内。
在技术上可行的范围内组合各具体例中的任意两个以上的要素而得到的技术方案，只要包含本发明的宗旨就也包含在本发明的范围内。
此外，本领域技术人员能够根据上面作为本发明的实施方式进行了描述的磁头以及磁记录装置来适当地进行设计变更而能实施的全部磁头以及磁记录装置，只要包含本发明的宗旨就也属于本发明的范围。
此外，可理解到在本发明的思想范畴内，本领域技术人员能够想到各种变更例以及修正例，那些变更例以及修正例也属于本发明的范围。
以上对本发明的几个实施方式进行了说明，但这些实施方式是作为例子提示的，并不是意在限定发明的范围。这些新的实施方式能够以其它各种各样的方式来实施，能够在不脱离发明的宗旨的范围内进行各种省略、置换、变更。这些实施方式和/或其变形包含在发明的范围、宗旨内，并且，包含在权利要求书所记载的发明及其等同的范围内。

Claims (10)

1.一种磁头，具备：
磁极；
屏蔽件；以及
非磁性层，其设置在所述磁极与所述屏蔽件之间，所述非磁性层与所述磁极以及所述屏蔽件相接，所述非磁性层包含选自Cu、Au、Cr、V、Al以及Ag中的至少一种第1元素。
2.根据权利要求1所述的磁头，
所述屏蔽件包括尾随屏蔽件和引导屏蔽件，
所述非磁性层包括第1非磁性层和第2非磁性层，
所述第1非磁性层设置在所述磁极与所述尾随屏蔽件之间，与所述磁极以及所述尾随屏蔽件相接，所述第1非磁性层包含选自Cu、Au、Cr、V、Al以及Ag中的至少一种，
所述第2非磁性层设置在所述磁极与所述引导屏蔽件之间，与所述磁极以及所述引导屏蔽件相接，所述第2非磁性层包含选自Cu、Au、Cr、V、Al以及Ag中的至少一种。
3.一种磁头，具备：
磁极；
第1屏蔽件，其为尾随屏蔽件和引导屏蔽件中的一方；
第1侧屏蔽件，从所述磁极向所述第1侧屏蔽件的方向与从所述磁极向所述第1屏蔽件的方向交叉；以及
非磁性层，其设置在所述第1屏蔽件与所述第1侧屏蔽件之间，所述非磁性层与所述第1屏蔽件以及所述第1侧屏蔽件相接，所述非磁性层包含选自Cu、Au、Cr、V、Al以及Ag中的至少一种第1元素。
4.一种磁头，具备：
磁极，其包括第1部分区域和第2部分区域；和
非磁性层，其设置在所述第1部分区域与所述第2部分区域之间，所述非磁性层包含选自Cu、Au、Cr、V、Al以及Ag中的至少一种第1元素。
5.一种磁记录装置，具备：
权利要求1所述的磁头；和
第1电流电路，
所述第1电流电路能够向所述磁极与所述屏蔽件之间供给第1电流，
在所述第1电流被供给到了所述磁极与所述屏蔽件之间时，从磁极和屏蔽件中的至少任一者产生交变磁场。
6.一种磁头，具备：
磁极；和
导电部件，其与所述磁极电连接，
在向所述导电部件和所述磁极供给了交流电流时，从所述磁极产生交变磁场。
7.一种磁记录装置，具备：
权利要求6所述的磁头；和
交流电流电路，
所述交流电流电路能够向所述磁极和所述导电部件供给所述交流电流，
在所述交流电流被供给到了所述磁极和所述导电部件时，从磁极产生交变磁场。
8.一种磁头，具备：
磁极；
屏蔽件；以及
层叠体，其设置在所述磁极与所述屏蔽件之间，
所述层叠体具备：
第1磁性层；
第1非磁性层，其设置在所述磁极与所述第1磁性层之间，所述第1非磁性层包含第1材料和第2材料中的一方，所述第1材料包含选自Cu、Au、Cr、V、Al以及Ag中的至少一种，所述第2材料包含选自Ru、Ir、Ta、Rh、Pd、Pt以及W中的至少一种；以及
第2非磁性层，其设置在所述第1磁性层与所述屏蔽件之间，所述第2非磁性层包含所述第1材料和所述第2材料中的另一方，
所述磁极和所述屏蔽件中的至少任一者与所述层叠体共振。
9.一种磁头，具备：
磁极；
第1屏蔽件，其是尾随屏蔽件和引导屏蔽件中的一方；
第1侧屏蔽件，从所述磁极向所述第1侧屏蔽件的方向与从所述磁极向所述第1屏蔽件的方向交叉；以及
层叠体，其设置在所述第1屏蔽件与所述第1侧屏蔽件之间，
所述层叠体具备：
第1磁性层；
第1非磁性层，其设置在所述第1磁性层与所述第1屏蔽件之间，所述第1非磁性层包含第1材料和第2材料中的一方，所述第1材料包含选自Cu、Au、Cr、V、Al以及Ag中的至少一种，所述第2材料包含选自Ru、Ir、Ta、Rh、Pd、Pt以及W中的至少一种；以及
第2非磁性层，其设置在所述第1磁性层与所述第1侧屏蔽件之间，所述第2非磁性层包含所述第1材料和所述第2材料中的另一方，
所述第1屏蔽件和所述第1侧屏蔽件中的至少任一者与所述层叠体共振。
10.一种磁头，具备：
磁极，其包括第1部分区域和第2部分区域；和
层叠体，其设置在所述第1部分区域与所述第2部分区域之间，
所述层叠体具备：
第1磁性层；
第1非磁性层，其设置在所述第1部分区域与所述第1磁性层之间，所述第1非磁性层包含第1材料和第2材料中的一方，所述第1材料包含选自Cu、Au、Cr、V、Al以及Ag中的至少一种，所述第2材料包含选自Ru、Ir、Ta、Rh、Pd、Pt以及W中的至少一种；以及
第2非磁性层，其设置在所述第1磁性层与所述第2部分区域之间，所述第2非磁性层包含所述第1材料和所述第2材料中的另一方，
所述磁极的至少一部分与所述层叠体共振。
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