CN1159040A - 一种防伪标志的制备方法 - Google Patents
一种防伪标志的制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1159040A CN1159040A CN 96120701 CN96120701A CN1159040A CN 1159040 A CN1159040 A CN 1159040A CN 96120701 CN96120701 CN 96120701 CN 96120701 A CN96120701 A CN 96120701A CN 1159040 A CN1159040 A CN 1159040A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- macromolecule membrane
- preparation
- irradiation
- false sign
- carried out
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Abstract
本发明涉及一种防伪标志的制备方法,该方法是用厚度为5~30μ的高分子薄膜为原料,将该薄膜与一镂空有防伪图案的模板相重合,用离子加速器或核材料裂变碎片有控制地辐射,产生核径迹图案,再用紫外光照射氧化,最后用酸或碱蚀刻,形成防伪图案。本发明制备的防伪图案可用肉眼观察,也可用显微镜观察图案中圆孔的直径大小及孔密度,进一步微观识别真伪。而制备时必须具备核技术及尖端设备,无法轻易仿制,因而具有理想的防伪效果。
Description
本发明涉及一种防伪标志的制备方法,属核技术应用技术领域。
在商品经济活动中,不时出现假冒伪劣商品。每个企业为了维护商品信誉和经济利益,纷纷采用各种防伪标志。传统的防伪标志,一般采用特殊纸张,特殊油墨印制防伪图案,或者采用热敏等特殊材料制作图案,或者采用激光全息照相技术在金属箔上刻制防伪图案。这些技术所需材料及设备易于得到,技术较简单,有制备能力的单位和个人很多,伪造容易,难于确实起到防伪效果,需要寻找新的防伪技术。
本发明的目的是设计一种防伪标志的制备方法,利用核径迹技术制备防伪标志,利用高能重离子,辐射高分子薄膜,使高分子薄膜上的核径迹构成特殊图案,经化学蚀刻,使径迹进而成为微米亚微米级大小的园孔,显现出易于识别的精美防伪图案。这种技术涉及高级核技术及设备,个人不可能具备,有这种能力的单位也极少。因而能杜绝仿制,使制成的防伪标志能真正起到可靠的防伪效果。
本发明设计的防伪标志的制备方法,包括下列各步骤:
(1)在一模板上刻出防伪图案,将图案部分镂空,或将图案背景部分镂空;
(2)选取厚度为5~30μ的高分子薄膜,将此薄膜与模板相合;
(3)以高能重离子从模板一侧向模板辐照,控制辐照的强度和时间以使高分子薄膜上的核径迹的孔密度为104~108/CM2;
(4)对高分子薄膜进行紫外光照射氧化,氧化时间1~30分钟,以增加核径迹化学活性;
(5)用酸或碱对高分子薄膜进行蚀刻,蚀刻时间为5~30分钟,使径迹上的孔径范围为0.1μ<d<10μ,薄膜上即形成防伪标志。
本发明的防伪标志,也可以用另一种方法制备,该方法包括下列各步骤:
(1)选取厚度为5~30μ的高分子薄膜;
(2)用高能离子加速器对高分子薄膜进行辐照,通过离子聚焦控制扫描,在薄膜上产生所需防伪标志的核径迹,控制辐照的强度和时间以使高分子薄膜上的核径迹的孔密度为104~108/CM2;
(3)对高分子薄膜进行紫外光照射氧化,氧化时间1~30分钟;
(4)用酸或碱对高分子薄膜进行蚀刻,蚀刻时间为5~30分钟,使径迹上的孔径范围为0.1μ<d<10μ,薄膜上即形成防伪标志。
本发明采用核径迹技术,制备新型防伪标志,由特殊园孔构成防伪图案,可用肉眼直接观察或用彩色墨水轻轻涂抹,立即显出清晰图案,也可用显微镜观察图案中园孔的直径大小及孔密度等,以作更进一步的微观识别真伪。而制备技术及设备,必须具备核技术及尖端设备,无法轻易仿制,因而制备的防伪标志,具有理想的防伪效果。
附图说明:
图1是本发明制备防伪标志的方法原理图,该方法中利用U-235裂变碎片形成径迹图案。
图2是本发明设计的另一种方法原理图,该方法中利用离子加速器形成径迹图案。
图1和图2中,1是是U235镀板,2是模板,3是高分子薄膜,4是离子加速器,5是离子光学系统。
本发明中所用的高能,可以从高能离子加速器获得,也可以从U-235等材料裂变碎片获得。所用的高分子薄膜的材料为聚丙烯、聚酯或聚碳酸酯。用以对高分子薄膜进行蚀刻的酸为硫酸,碱为氢氧化钠或氢氧化钾。
下面介绍本发明的实施例。
实施例1:
用厚度为10μ的聚酯薄膜,与一块镂空有防伪图案的模板相重合,用铀-235裂变碎片辐照,使薄膜上的核径迹孔密度为106/CM2,用紫外光照射15分钟,经氧化后,用5当量浓度的氢氧化钾溶蚀刻10分钟,蚀刻温度为50℃,使核径迹孔径为3.0μ,干燥后即为防伪标志成品。
实施例2:
用厚度为12μ的聚碳酸酯薄膜,用氪离子加速器加速到1.8兆电子伏特时辐射薄膜,通过离子聚焦控制扫描,在薄膜上形成所需防伪图案,使图案核径迹密度为105/CM2,再用紫外光照射20分钟,经氧化,用6当量浓度的氢氧化钠溶液蚀刻15分钟,蚀刻温度为60℃,使核径迹孔径为5.0μ,干燥后即为防伪标志成品。
实施例3:
用厚度为15μ的聚丙烯薄膜,与形状为防伪标志的模板相重合,用铀-235裂变碎片辐照,使薄膜上的核径迹孔密度为107/CM2,用紫外光照射20分钟,经氧化后,用18当量浓度的硫酸蚀刻10分钟,蚀刻温度为80℃,使核径迹孔径为2.0μ,干燥后即为防伪标志成品。
Claims (6)
1、一种防伪标志的制备方法,其特征在于该方法包括下列各步骤:
(1)在一模板上刻出防伪图案,将图案部分镂空,或将图案背景部分镂空;
(2)选取厚度为5~30μ的高分子薄膜,将此薄膜与模板相合;
(3)以高能重离子从模板一侧向模板辐照,控制辐照的强度和时间以使高分子薄膜上的核径迹的孔密度为104~108/CM2;
(4)对高分子薄膜进行紫外光照射氧化,氧化时间1~30分钟;
(5)用酸或碱溶液对高分子薄膜进行蚀刻,蚀刻温度40~80℃之间,蚀刻时间为5~30分钟,使径迹上的孔径范围为0.1μ<d<10μ,薄膜上即形成防伪标志。
2、如权利要求1所述的制备方法,其特征在于其中所述的高分子薄膜的膜材料为聚丙烯、聚脂和聚碳酸酯中的任何一种。
3、如权利要求1所述的制备方法,其特征在于其中所述的用以蚀刻的酸为硫酸,碱为氢氧化钠或氢氧化钾。
4、一种防伪标志的制备方法,其特征在于该方法包括下列各步骤:
(1)选取厚度为5~30μ的高分子薄膜;
(2)用高能离子加速器对高分子薄膜进行辐照,通过离子聚焦控制扫描,在薄膜上产生所需防伪标志的核径迹,控制辐照的强度和时间以使高分子薄膜上的核径迹的孔密度为104~108/CM2;
(3)对高分子薄膜进行紫外光照射氧化,氧化时间1~30分钟;
(4)用酸或碱对高分子薄膜进行蚀刻,蚀刻时间为5~30分钟,使径迹上的孔径范围为0.1μ<d<10μ,薄膜上即形成防伪标志。
5、如权利要求4所述的制备方法,其特征在于其中所述的高分子薄膜的膜材料为聚丙烯、聚脂和聚碳酸酯中的任何一种。
6、如权利要求4所述的制备方法,其特征在于其中所述的用以蚀刻的酸为硫酸,碱为氢氧化钠或氢氧化钾。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN 96120701 CN1159040A (zh) | 1996-11-22 | 1996-11-22 | 一种防伪标志的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN 96120701 CN1159040A (zh) | 1996-11-22 | 1996-11-22 | 一种防伪标志的制备方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN1159040A true CN1159040A (zh) | 1997-09-10 |
Family
ID=5126520
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN 96120701 Pending CN1159040A (zh) | 1996-11-22 | 1996-11-22 | 一种防伪标志的制备方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN1159040A (zh) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1999038145A1 (fr) * | 1998-01-25 | 1999-07-29 | Beijing Superenergetic Heavy-Ion S & T Co., Ltd. | Procede de protection contre la contrefaçon et produit obtenu par ce procede |
CN101637999A (zh) * | 2008-07-29 | 2010-02-03 | 精工爱普生株式会社 | 记录方法、记录物、喷墨记录装置及识别方法 |
CN102188909A (zh) * | 2011-05-03 | 2011-09-21 | 中山国安火炬科技发展有限公司 | 一种核微孔膜的生产方法 |
CN109118947A (zh) * | 2018-07-20 | 2019-01-01 | 四川理工学院 | 一次成型制作目标防伪图案的核孔防伪薄膜的方法 |
-
1996
- 1996-11-22 CN CN 96120701 patent/CN1159040A/zh active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1999038145A1 (fr) * | 1998-01-25 | 1999-07-29 | Beijing Superenergetic Heavy-Ion S & T Co., Ltd. | Procede de protection contre la contrefaçon et produit obtenu par ce procede |
US6450536B1 (en) | 1998-01-25 | 2002-09-17 | Beijing Superenergetic Heavy-Ion S&T Co. Ltd. | Anti-forgery method and apparatus |
CN101637999A (zh) * | 2008-07-29 | 2010-02-03 | 精工爱普生株式会社 | 记录方法、记录物、喷墨记录装置及识别方法 |
US8506070B2 (en) | 2008-07-29 | 2013-08-13 | Seiko Epson Corporation | Recording method, recorded matter, ink jet recording apparatus, and identification method |
CN101637999B (zh) * | 2008-07-29 | 2014-10-15 | 精工爱普生株式会社 | 记录方法、记录物、喷墨记录装置及识别方法 |
CN102188909A (zh) * | 2011-05-03 | 2011-09-21 | 中山国安火炬科技发展有限公司 | 一种核微孔膜的生产方法 |
CN109118947A (zh) * | 2018-07-20 | 2019-01-01 | 四川理工学院 | 一次成型制作目标防伪图案的核孔防伪薄膜的方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0171252B1 (en) | Transparent sheet containing authenticating image and method of making same | |
EP0688678B1 (de) | Einschichtlaseretikett | |
EP0330733B1 (de) | Sicherheitselement in Form eines Fadens oder Bandes zur Einbettung in Sicherheitsdokumente sowie Verfahren zur Herstellung desselben | |
EP0253089B1 (de) | Mehrschichtiges Dokument | |
EP1697146B1 (de) | Datenträger mit mittels laserstrahl eingeschriebenen kennzeichnungen und verfahren zu seiner herstellung | |
EP2296909A2 (de) | Sicherheitselement mit gerasterter schicht auf einem lichtdurchlässigen substrat | |
WO2006084686A2 (de) | Mehrschichtkörper mit diffraktiver reliefstruktur und herstellverfahren | |
DE102009035413A1 (de) | Identifikationsdokument mit einer personalisierten visuellen Kennzeichnung sowie Verfahren zu dessen Herstellung | |
CN1159040A (zh) | 一种防伪标志的制备方法 | |
Tomescu et al. | Low cost technology for the fabrication of anti-counterfeiting microtaggants | |
CN114178686B (zh) | 飞秒激光加工的双重二氧化钛纳米光栅防伪结构及其应用 | |
CH691750A5 (de) | Optischer Informationsträger. | |
DE102015207268A1 (de) | Sicherheitselement und Verfahren zur Herstellung eines Sicherheitselements | |
WO2007115720A1 (de) | Speichermedium mit einem sicherheitsmerkmal sowie verfahren zur herstellung eines speichermediums mit einem sicherheitsmerkmal | |
CN2736186Y (zh) | 全息防伪标贴 | |
CN106952566B (zh) | 基于蝶翅鳞片微纳结构的灰度防伪标识及其制备方法 | |
EP0271673A1 (de) | Mehrschichtiges Dokument | |
CN209265837U (zh) | 一种金色全息镂空防伪膜带 | |
CN114536920A (zh) | 一种复合膜及其制备方法和应用 | |
CN1173314C (zh) | 重离子微孔防伪膜的制造方法 | |
CN1067786C (zh) | 核径迹防伪膜的制造方法 | |
CN220324063U (zh) | 双重二氧化钛纳米光栅防伪结构 | |
CN1325094A (zh) | 核径迹微孔薄膜及其防伪标识的制造与鉴别方法 | |
CN1224884A (zh) | 一种防伪方法及其防伪制品 | |
CN1115656C (zh) | 核径迹微孔综合防伪标识的制造方法及其制品 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |