CN115872739A - 一种利用高钛渣制备的pzt压电陶瓷及其方法 - Google Patents

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季益龙
刘秉林
吕辉鸿
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Abstract

本发明公开了一种利用高钛渣制备的PZT压电陶瓷及其方法,属于二次资源高附加值利用技术领域。该产品的制备方法是将高钛渣与二氧化锆、氧化铅至于玛瑙研磨罐内研磨混合均匀后进行焙烧,通过对高钛渣进行矿物相重构,将游离的TiO2富集于PZT相中,实现“Ti”从含钛的铁镁尖晶石及透辉石中的弥散分布到压电功能相的赋存,将经过第一次焙烧的样品进行压片后再次焙烧,通过后续的被银、烧银、极化操作后即可得到PZT压电陶瓷材料。本发明方法所制备的PZT压电陶瓷在10kV/cm的电压下极化后,压电常数d33可达到131pC/N。实现了低成本的制备条件,短流程的制备方法,对高钛渣的回收再利具有深远意义。

Description

一种利用高钛渣制备的PZT压电陶瓷及其方法
技术领域
本发明属于二次资源高附加值利用技术领域,具体涉及一种利用高钛渣制备的PZT压电陶瓷以及制备方法。
背景技术
我国四川省的攀枝花市,蕴藏着极其丰富的钒钛磁铁矿,在已探明的储量中,攀西地区钛资源的储量达8.7亿吨(以二氧化钛计)占全国的90.5%,占世界的35%。现攀枝花市钒钛磁铁矿年开采能力超过4000万吨,年产钛精矿200万吨,高钛渣12万吨。高钛渣是经过物理生产过程而形成的钛矿富集物俗称,即高钛渣是通过电容炉加热熔化钛精矿,使其中的二氧化钛和铁融化后分离而得到的二氧化钛高含量的富集物,高钛渣既不是副产物,也不是废料,而是生产四氯化钛、钛白粉和海绵产品的优质原料。因此,将高钛渣合理化运用,实现高钛渣的高附加值利用,开发出一种低成本的制备条件,短流程的制备方法,对高钛渣的回收再利具有深远意义。
例如,中国专利申请号为202110998839.9,申请公开日为2021年8月28日的专利申请文件公开了一种高钛渣基草酸盐水泥及其应用。该专利的水泥组成物及重量份为高钛渣100份、酸性成分10-25份、缓凝剂1-2份、水15-30份;使用时将水泥与水搅拌混合,具有凝结速度快,早期强度高,凝结时间可控等优点。利用高钛渣作为原料来制备水泥,实现了低成本的高效资源化利用。但是,其方法所制备的水泥抗老化能力较差,高钛渣中有价值组分钛元素利用率过低。
又如,中国专利申请号为202110603669.X,申请公开日为2021年5月31日的专利申请文件公开了一种钛精矿粉低温还原制备高钛渣粉和金属铁粉的方法。该专利方法包括以下过程:步骤S1、将钛铁精矿粉、粉状还原剂、粉状碳酸钠和/或碳酸氢钠配料,混匀;步骤S2、将混匀后的物料放在间接加热还原装置内进行加热还原得到金属化混合料,间接加热还原装置内的反应温度950℃~1100℃,时间80min~200min;步骤S3、将冷却后的金属化混合料破碎、球磨至粒度细于100目,磁选分离;步骤S4、将磁选后的铁粉脱水,然后在干燥得到金属铁粉;步骤S5、磁选后的高钛渣经过水洗、脱水、干燥得到高钛渣粉。该方法可低煤耗、低碳排放生产高质量的高钛渣粉和金属铁粉。但是,不同于传统方法通过电熔炉加热钛精矿,使钛精矿中的二氧化钛和铁融化分离而得到高钛渣粉,该方法得到的高钛渣中杂质较多,粉末中会有部分的钠离子。
又如,中国专利申请号为202110291044.4,申请公开日为2021年3月18日的专利申请文件公开了高钛渣膨珠的生产方法。该专利方法包括以下步骤:a、原料处理:炉前将熔融高钛渣装罐,运输至翻渣场后,采用大锤撞击渣罐侧面,将熔融高钛渣倒入溜槽中,流向滚筒;b、滚筒甩出:熔融高钛渣流至旋转的滚筒叶片上,与冷却水一起被甩出,形成膨珠,所述滚筒叶片的、旋转速度为每分钟350转以上。该发明方法可以在翻渣场直接制备膨珠,其方法简单成本低,但其方法操作环境较为苛刻,操作难度较大,生产的膨珠质量较差。
现有技术中,为了实现高钛渣的高附加值利用,想到先针对高钛渣进行除杂后利用。例如,中国专利申请号为202010575329.6,申请公开日为2020年6月22日的专利申请文件公开了一种高钛渣除杂的方法。包括以下步骤:步骤1、将粒度为0.02mm~0.1mm的高钛渣和硝酸溶液加入反应釜中,向反应釜中通入氧气,同时升温至130℃以上,然后搅拌条件下保温至少1h,降温,得到第一物料;其中,所述硝酸溶液的质量浓度为10%~30%;所述反应釜内的总压为0.5Mpa~1.9Mpa,所述反应釜中氧分压为0.25MPa以上;搅拌转速为250r/min~800r/min;步骤2、将步骤1得到的第一物料进行过滤处理,得到过滤物和滤液,将过滤物进行水洗至洗液为中性,得到除杂后的高钛渣。发明人通过控制反应釜中氧分压、温度、保温时间、硝酸浓度、搅拌转速等多种因素的相互配合,使得除杂效果好,可以得到高纯度的高钛渣,且该方法能耗小、设备要求低。但是,该除杂方法会产生部分硝酸类废液污染环境,且会有部分硝酸残留到高钛渣之中。
发明人课题组多年来一直致力于钛渣的研究。中国专利申请号为202110471834.0,申请公开日为2021年7月20日的专利申请文件公开了一种制备具有压电性能的胶凝复合材料的方法、胶凝复合材料及其应用。该专利将高钛渣与金属氧化物(PbO、ZrO2)充分混匀后在一定的热制度下进行焙烧,以矿物相重构—各有价组元协同调控为理论基础,随炉冷却至室温后得到了这种具有压电性的胶凝复合材料。但是,该方法制备的压电胶凝复合材料在实际应用耐老化性较差,暂时还不能完全取代水泥基压电材料。
2019年,合肥工业大学黄廷伟公开了一篇名为“锆钛酸铅-锰铋钙钛矿-铌锌酸铅多元复合压电陶瓷低温制备与性能研究”的论文,该论文采用固相合成法成功制备新型PZT-BiMnBO3-PZN四元系大功率压电陶瓷,对其掺杂前后的准同型相界处的相结构、铁电和压电、介电性能进行了研究。首先发现,随着BMnT的取代含量的增加,陶瓷三方性增强,烧结温度下降。然后发现Fe2O3/CuO增加,陶瓷烧结温度下降,同时改善了电学性能。最后发现随着Zr/Ti比的增加,陶瓷相结构由四方相逐渐转变为三方相,晶粒发育良好,致密度高,当烧结温度为1120℃,Zr/Ti=0.48/0.52时,材料的综合性能最优,其中d33=285pC/N。通过添加金属氧化物Fe2O3,陶瓷材料的烧结温度进一步降低至1040℃,并增加平均粒径,促进陶瓷的致密化,改善了压电和机电性能。实现了优化性能和低温烧结的目的。但是,该方法最终的烧结温度过高,在焙烧中会有部分的压电相分解导致最终的压电系数降低。
发明内容
1.要解决的问题
本发明提供了一种利用高钛渣制备PZT压电陶瓷,所获得的压电陶瓷材料通过压电陶瓷极化装置极化后,压电常数可达131pC/N。本发明还提供了一种利用高钛渣制备PZT压电陶瓷的方法,利用高钛渣及金属氧化物进行矿物相重构,将游离的TiO2富集于PZT相中,得到以PZT相为主的压电陶瓷。
2.技术方案
为了解决上述问题,本发明所采用的技术方案如下:
一种利用高钛渣制备的PZT压电陶瓷,PZT压电陶瓷压电常数为120~131pC/N。
进一步地,PZT压电陶瓷中Pb、Zr和Ti三者之间质量的占比为1:0.52:0.48。
一种上述利用高钛渣制备PZT压电陶瓷的方法,步骤为:将高钛渣粉末、锆氧化物和铅氧化物在玛瑙研钵中混合研磨混合均匀得到热改性混合体系;将得到的热改性混合体系置于马弗炉中:
第一次焙烧:先升温至低温下保温以去除结合水及挥发性杂质,然后升至低于1200℃的温度下进行第一次焙烧改性,并保温以进行矿相重构,后自然冷却至室温,将焙烧后的样品进行球磨,之后得到压电陶瓷粉体;
将压电陶瓷粉体压片;
第二次焙烧:先升温至低温下保温以去除结合水及挥发性杂质,然后升至高于1000℃的温度下保温进行烧结成型,后自然冷却至室温;
而后将第二次焙烧后烧结的样品被银、烧银、极化,之后得到PZT压电陶瓷。
进一步地,为了反应充分,所述高钛渣粉末的粒径为50~74μm,高钛渣粉末的加工方法为:将高钛渣经破碎、分筛及粉磨后,得到高钛渣粉末。
进一步地,第一次焙烧中:低温为250~300℃,低温下保温时间为0.5~1h;焙烧温度为700~900℃,其升温速率5℃-10℃/min,并保温1~3h。
进一步地,将球磨后的样品压片时,压力为10~20Mpa。
进一步地,将球磨后的样品压片至厚度为0.3mm~0.8mm。
进一步地,采用湿法球磨,球磨时间为3h-24h。优选使用行星球磨机球磨,且球磨的时间为6~12h。
进一步地,第二次焙烧中:低温为250~300℃,低温下保温时间为0.5-1h;焙烧温度为1000~1150℃,其升温速率5℃-10℃/min,并保温1~3h。
进一步地,烧银温度为600~700℃,保温时间为30-90min;极化时,对样品施加10~150kV/cm的电压进行极化,极化时长为10-30min。
进一步地,所述锆氧化物为ZrO2,所述铅氧化物为PbO。
3.有益效果
相比于现有技术,本发明的有益效果为:
(1)本发明利用高钛渣制备PZT压电陶瓷,通过对高钛渣进行矿物相重构,将游离的TiO2富集于PZT相中,实现“Ti”从含钛的铁镁尖晶石及透辉石中的弥散分布到压电功能相的赋存,形成了Pb:Zr:Ti=1:0.52:0.48的PZT相,实现了对压电相形成的精准控制;
(2)本发明在压片过程中并没有添加粘结剂,故不需要造粒,排胶等过程,大大减少了粘结剂的添入对实验样品性能的影响;
(3)本发明在实验过程中添加了微过量的氧化铅,原因是在焙烧过程中会有部分的氧化铅挥发早成在实验反应进程中造成铅元素的匮乏而导致PZT相的形成;
(4)本发明专利技术中所制备的压电陶瓷为钙钛矿型ABO3型结构,具有极强的化学稳定性,耐酸耐碱,且高温条件下的制备工艺赋予其极佳的热稳定性;
(5)本发明PZT压电陶瓷中压电相PbZrxTi1-xO3(PZT)二元固溶体的形成机制主要是由PbTiO3和PbZrO3二者固溶而成,实验加入的锆源其目的是置换出含钛的铁镁尖晶石中的钛,实现对钛的富集。反应的主要过程为锆置换出的TiO2与PbO结合生成PbTiO3,而后PbO与ZrO2的反应物PbZrO3与PbTiO3二者相固溶生成压电相。
附图说明
图1为实施例1制得的PZT压电陶瓷SEM结果;
图2为实施例2制得的PZT压电陶瓷SEM结果;
图3为实施例3制得的PZT压电陶瓷SEM结果;
图4为实施例4制得的PZT压电陶瓷SEM结果;
图5为实施例1制得的PZT压电陶瓷XRD图谱;
图6为实施例2制得的PZT压电陶瓷XRD图谱;
图7为实施例3制得的PZT压电陶瓷XRD图谱;
图8为实施例4制得的PZT压电陶瓷XRD图谱;
图9为实施例1、2、3、4压电常数结果图。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明进一步进行描述。
发明人前期的探索中,利用高钛渣制备PZT压电陶瓷,通过对高钛渣进行矿物相重构,将游离的TiO2富集于PZT相中,实现“Ti”从含钛的铁镁尖晶石及透辉石中的弥散分布到压电功能相的赋存。在反应初期二氧化锆将含钛的铁镁尖晶石及透辉石中的Ti置换出来,而后二氧化钛与氧化铅反应生成钛酸铅,最后钛酸铅与氧化铅和二氧化锆反应生成的产物反应生成锆钛酸铅。
实施例1
将块状高钛渣破碎烘干,置于粉磨罐中粉磨60s,然后取23g高钛渣粉末与100g分析纯PbO、26g分析纯ZrO2混合研磨均匀置于氧化镁坩埚中,先升温至300摄氏度下保温2h以去除结合水及挥发性杂质,再以5℃/min的升温速率在马弗炉中加热至870℃保温2h随炉冷却至室温,随后将样品使用行星球磨机球磨,时间为12h。
记为实施例1,其X射线衍射图像如图5,扫描电子显微镜图像如图1,X射线能谱分析如表1所示。
表1:实施例1中的X射线能谱分析(at%,结合图1)
Figure BDA0003980874070000051
再将实施例1的样品进行烘干压片,压片时的压力为15Mpa,将压片后的样品置于氧化镁坩埚中进行二次焙烧,先升温至300摄氏度下保温2h以去除结合水及挥发性杂质,再以5℃/min的升温速率在马弗炉中加热至1080℃保温2h随炉冷却至室温,将样品取出后进行被银,而后置于氧化镁坩埚中以5℃/min的升温速率在马弗炉中加热至600℃保温40min,最后对样品施加150kV/cm的电压进行极化,极化时间为20min。
由图5的X射线衍射图像以及图1的扫描电子显微镜图像可以得出:白色物相区域一、区域二为PZT相,EDS能谱直观的反映出了其为Pb:Zr:Ti=1:0.52:0.48的PZT固溶体。
实施例2
将块状高钛渣破碎烘干,置于粉磨罐中粉磨60s,然后取23g高钛渣粉末与100g分析纯PbO、26g分析纯ZrO2混合研磨均匀置于氧化镁坩埚中,先升温至300摄氏度下保温2h以去除结合水及挥发性杂质,再以5℃/min的升温速率在马弗炉中加热至870℃保温2h随炉冷却至室温,随后将样品使用行星球磨机球磨,时间为12h。
记为2-实施例2,其X射线衍射图像如图6,扫描电子显微镜图像如图2,X射线能谱分析如表2所示。
表2:实施例2中的X射线能谱分析(at%,结合图2)
Figure BDA0003980874070000061
700℃样品有CaZrTi2O7和PbO两种物相,温度过低是没有形成PZT相的主要原因,PbO几乎没有参与反应,只有部分的锆与高钛渣中的尖晶石相反应生成了锆钛酸钙。再将实施例2的样品进行烘干压片,压片时的压力为15Mpa,将压片后的样品置于氧化镁坩埚中进行二次焙烧,先升温至300摄氏度下保温2h以去除结合水及挥发性杂质,再以5℃/min的升温速率在马弗炉中加热至1080℃保温2h随炉冷却至室温,将样品取出后进行被银,而后置于氧化镁坩埚中以5℃/min的升温速率在马弗炉中加热至600℃保温40min,最后对样品施加150kV/cm的电压进行极化,极化时间为20min。
实施例3
将块状高钛渣破碎烘干,置于粉磨罐中粉磨60s,然后取23g高钛渣粉末与100g分析纯PbO、26g分析纯ZrO2混合研磨均匀置于氧化镁坩埚中,先升温至300摄氏度下保温2h以去除结合水及挥发性杂质,再以5℃/min的升温速率在马弗炉中加热至900℃保温2h随炉冷却至室温,随后将样品使用行星球磨机球磨,时间为12h。
记为3-实施例3,其X射线衍射图像如图7,扫描电子显微镜图像如图3,X射线能谱分析如表3所示。
表3:实施例3中的X射线能谱分析(at%,结合图3)
Figure BDA0003980874070000062
900℃样品有锆酸钙和PZT两种物相,再将实施例3的样品进行烘干压片,压片时的压力为15Mpa,将压片后的样品置于氧化镁坩埚中进行二次焙烧,先升温至300摄氏度下保温2h以去除结合水及挥发性杂质,再以5℃/min的升温速率在马弗炉中加热至1080℃保温2h随炉冷却至室温,将样品取出后进行被银,而后置于氧化镁坩埚中以5℃/min的升温速率在马弗炉中加热至600℃保温40min,最后对样品施加150kV/cm的电压进行极化,极化时间为20min。
实施例4
将块状高钛渣破碎烘干,置于粉磨罐中粉磨60s,然后取23g高钛渣粉末与100g分析纯PbO、26g分析纯ZrO2混合研磨均匀置于氧化镁坩埚中,先升温至300摄氏度下保温2h以去除结合水及挥发性杂质,再以5℃/min的升温速率在马弗炉中加热至870℃保温30min随炉冷却至室温,随后将样品使用行星球磨机球磨,时间为12h。
记为1-实施例4,其X射线衍射图像如图8,扫描电子显微镜图像如图4,X射线能谱分析如表4所示。
表4:实施例4中的X射线能谱分析(at%,结合图4)
Figure BDA0003980874070000071
再将实施例4的样品进行烘干压片,压片时的压力为15Mpa,将压片后的样品置于氧化镁坩埚中进行二次焙烧,先升温至300摄氏度下保温2h以去除结合水及挥发性杂志,再以5℃/min的升温速率在马弗炉中加热至1080℃保温2h随炉冷却至室温,将样品取出后进行被银,而后置于氧化镁坩埚中以5℃/min的升温速率在马弗炉中加热至600℃保温40min,最后对样品施加150kV/cm的电压进行极化,极化时间为20min。
压电性能测试
采用压电陶瓷极化装置测对样品机型极化,采用准静态d33测试仪测量压电系数,极化电压以10kV/cm进行极化;实施例1,2,3和实施例1的d33结果图如图9。可知,实施例1~3相对实施例4而言,随着保温时间的增加,反应更加完全,实施例2样品中PZT含量较低。
本发明所述实例仅仅是对本发明的优选实施方式进行描述,并非对本发明构思和范围进行限定,在不脱离本发明设计思想的前提下,本领域工程技术人员对本发明的技术方案作出的各种变形和改进,均应落入本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种利用高钛渣制备的PZT压电陶瓷,其特征在于:PZT压电陶瓷压电常数为120~131pC/N。
2.根据权利要求1所述的一种利用高钛渣制备的PZT压电陶瓷,其特征在于:PZT压电陶瓷中Pb、Zr和Ti三者之间质量占比为1:0.52:0.48。
3.一种权利要求1或2所述的利用高钛渣制备PZT压电陶瓷的方法,其特征在于:步骤为:将高钛渣粉末、锆氧化物和铅氧化物充分混合,并在低于1200℃的温度下进行第一次焙烧,球磨,并将球磨后的样品压片后在高于1000℃的温度下进行第二次焙烧,而后将烧结的样品被银、烧银、极化。
4.根据权利要求3所述的利用高钛渣制备PZT压电陶瓷的方法,其特征在于:所述高钛渣粉末的粒径为50~74μm。
5.根据权利要求3所述的利用高钛渣制备PZT压电陶瓷的方法,其特征在于:第一次焙烧的温度为700~900℃,并保温1~3h。
6.根据权利要求3所述的利用高钛渣制备PZT压电陶瓷的方法,其特征在于:将球磨后的样品压片至厚度为0.3mm~0.8mm。
7.根据权利要求3所述的利用高钛渣制备PZT压电陶瓷的方法,其特征在于:使用行星球磨机球磨,且球磨的时间为6~12h。
8.根据权利要求3所述的利用高钛渣制备PZT压电陶瓷的方法,其特征在于:第二次焙烧的温度为1000~1150℃,并保温1~3h。
9.根据权利要求3所述的利用高钛渣制备PZT压电陶瓷的方法,其特征在于:烧银温度为600~700℃,保温时间为30-90min;极化时,施加10~150kV/cm的电压进行极化,极化时长为10-30min。
10.根据权利要求3~9任意一项所述的利用高钛渣制备PZT压电陶瓷的方法,其特征在于:所述锆氧化物为ZrO2,所述铅氧化物为PbO。
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20190135951A1 (en) * 2016-07-15 2019-05-09 Fujifilm Corporation Laminate, kit, method for producing laminate, and optical sensor
CN113135754A (zh) * 2021-04-29 2021-07-20 安徽工业大学 一种制备具有压电性能的胶凝复合材料的方法、胶凝复合材料及其应用
CN114656256A (zh) * 2022-03-25 2022-06-24 安徽工业大学 一种利用含钛矿物制备的压电复合材料及其方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20190135951A1 (en) * 2016-07-15 2019-05-09 Fujifilm Corporation Laminate, kit, method for producing laminate, and optical sensor
CN113135754A (zh) * 2021-04-29 2021-07-20 安徽工业大学 一种制备具有压电性能的胶凝复合材料的方法、胶凝复合材料及其应用
CN114656256A (zh) * 2022-03-25 2022-06-24 安徽工业大学 一种利用含钛矿物制备的压电复合材料及其方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
李瑛娟等: "不同Zr/Ti比对Pb(ZrxTi1-x)O3陶瓷微观结构及性能的影响", 《昆明冶金高等专科学校学报》, vol. 33, no. 1, pages 1 - 5 *

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