CN115868117A - 高频模块和通信装置 - Google Patents

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Abstract

抑制在通过同时通信来进行第一发送信号和第二发送信号的双方的发送的情况下的隔离度的下降。高频模块(1)具备第一变压器(120)和第二变压器(220)。第一变压器(120)包括在放大第一发送信号的第一差动功率放大器(13)中。第二变压器(220)包括在放大第二发送信号的第二差动功率放大器(15)中，该第二发送信号是与第一发送信号被同时通信的信号。在第一变压器(120)中产生的磁通的方向与在第二变压器(220)中产生的磁通的方向互不相同。

Description

高频模块和通信装置
技术领域
本发明一般地说涉及一种高频模块和通信装置，更详细地说涉及一种发送信号的高频模块和通信装置。
背景技术
以往，已知一种进行载波聚合等同时通信的技术(例如，参照专利文献1)。
在专利文献1中，记载了一种包括各自与单独的载波(例如，无线频率信号)相关联的功率放大器等RF源的载波聚合系统等。在该载波聚合系统中，检测载波聚合信号的与单独的载波相关联的功率。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2017-17691号公报
发明内容
发明要解决的问题
另外，在通过同时通信进行第一发送信号和第二发送信号的双方的发送的情况下，存在隔离度下降的问题。
本发明是鉴于上述问题而完成的，其目的在于提供一种能够抑制在通过同时通信进行第一发送信号和第二发送信号的双方的发送的情况下的隔离度的下降的高频模块和通信装置。
用于解决问题的方案
本发明的一个方式所涉及的高频模块具备第一变压器和第二变压器。所述第一变压器包括在放大第一发送信号的第一差动功率放大器中。所述第二变压器包括在放大第二发送信号的第二差动功率放大器中，所述第二发送信号是与所述第一发送信号被同时通信的信号。在所述第一变压器中产生的磁通的方向与在所述第二变压器中产生的磁通的方向互不相同。
本发明的一个方式所涉及的高频模块具备第一平衡-不平衡变换器(balun；巴伦)和第二平衡-不平衡变换器。所述第一平衡-不平衡变换器包括在放大第一发送信号的第一差动功率放大器中。所述第二平衡-不平衡变换器包括在放大第二发送信号的第二差动功率放大器中，所述第二发送信号是与所述第一发送信号被同时通信的信号。在所述第一平衡-不平衡变换器中产生的磁通的方向与在所述第二平衡-不平衡变换器中产生的磁通的方向互不相同。
本发明的一个方式所涉及的高频模块具备第一功率放大器、第二功率放大器、第一电感器以及第二电感器。所述第一功率放大器放大第一发送信号。所述第二功率放大器放大第二发送信号，所述第二发送信号是与所述第一发送信号被同时通信的信号。所述第一电感器连接于所述第一功率放大器的输出侧。所述第二电感器连接于所述第二功率放大器的输出侧。在所述第一电感器中产生的磁通的方向与在所述第二电感器中产生的磁通的方向互不相同。
本发明的一个方式所涉及的通信装置具备所述高频模块以及对通过所述高频模块的高频信号进行处理的信号处理电路。
发明的效果
根据本发明，能够抑制在通过同时通信进行第一发送信号和第二发送信号的双方的发送的情况下的隔离度的下降。
附图说明
图1是说明实施方式1所涉及的高频模块和通信装置的结构的图。
图2是说明同上的高频模块所具备的放大部的结构的电路图。
图3是说明同上的放大部的配置的概要图。
图4是说明实施方式2所涉及的高频模块所具备的放大部的结构的电路图。
图5是说明同上的放大部的配置的概要图。
具体实施方式
在下面的实施方式1、2等中参照的图1～图5均是示意性的图，图中的各结构要素的大小之比、厚度之比未必反映了实际的尺寸比。
(实施方式1)
下面，使用图1～图3来说明实施方式1所涉及的高频模块1和具备高频模块1的通信装置500。
(1)高频模块
如图1所示，实施方式1所涉及的高频模块1具备天线端子2a、2b、天线开关3、第一发送滤波器4、第二发送滤波器5以及放大部10。
实施方式1所涉及的高频模块1例如使用于支持多模式/多频段的通信装置500。通信装置500例如是便携式电话(例如，智能电话)，但是不限于此，例如也可以是可穿戴终端(例如，智能手表)等。高频模块1例如是能够支持4G(第四代移动通信)标准、5G(第五代移动通信)标准等的模块。4G标准例如是3GPP(Third Generation Partnership Project：第三代合作伙伴计划)LTE(Long Term Evolution：长期演进)标准。5G标准例如是5G NR(NewRadio：新空口)。高频模块1是能够支持载波聚合(Carrier Aggregation)和双连接(Dualconnectivity)的模块。在此，载波聚合和双连接是指同时使用多个频带的电波的通信。
即，实施方式1所涉及的高频模块1同时进行由4G规定的频带的信号的通信以及由4G规定的另一频带的信号的通信。高频模块1同时进行由4G规定的频带的信号的通信以及由5G规定的频带的信号的通信。高频模块1同时进行由5G规定的频带的信号的通信以及由5G规定的另一频带的信号的通信。下面，将基于载波聚合或双连接的通信也称作同时通信。
(2)高频模块的各结构要素
下面，参照附图来说明实施方式1所涉及的高频模块1的各结构要素。
如上所述，高频模块1具备2个天线端子2a、2b、天线开关3、第一发送滤波器4、第二发送滤波器5以及放大部10。
如图1所示，天线端子2a与天线50a电连接。如图1所示，天线端子2b与天线50b电连接。
第一发送滤波器4是中高频段用滤波器。第一发送滤波器4使包含于中高频段的第一频带的发送信号通过。在实施方式1中，第一发送滤波器4使由4G规定的第一通信频段的第一发送信号作为第一频带的发送信号通过。在此，第一通信频段是例如由4G规定的Band4(发送带1710MHz-1755MHz、接收带2110MHz-2155MHz)。即，第一发送信号是使发送带为1710MHz-1755MHz的频带的信号。
第二发送滤波器5是中高频段用滤波器。第二发送滤波器5使包含于中高频段的第二频带的发送信号通过。在实施方式1中，第二发送滤波器5使由4G规定的第二通信频段的第二发送信号作为第二频带的发送信号通过。在此，第二通信频段是例如由4G规定的Band1(发送带1920MHz-1980MHz、接收带2110MHz-2170MHz)。即，第二发送信号是使发送带为1920MHz-1980MHz的频带的信号。
天线开关3是对与天线端子2a、2b(也就是说天线50a、50b)连接的连接目的地进行切换的开关。如图1所示，天线开关3具有多个(在图示例中为2个)公共端子31a、31b和多个(在图示例中为2个)选择端子32、33。天线开关3将多个选择端子32、33中的一方选作公共端子31a和公共端子31b中的一方的连接目的地。天线开关3将多个选择端子32、33中的另一方选作公共端子31a和公共端子31b中的另一方的连接目的地。也就是说，天线开关3选择性地将第一发送滤波器4及第二发送滤波器5与天线50a、50b连接。公共端子31a、31b与天线端子2a、2b分别电连接。也就是说，公共端子31a经由天线端子2a来与天线50a电连接。公共端子31b经由天线端子2b来与天线50b电连接。此外，公共端子31a、31b不限定于与天线50a、50b直接连接。也可以在公共端子31a、31b与天线50a、50b之间设置滤波器或耦合器等。选择端子32与第一发送滤波器4电连接。选择端子33与第二发送滤波器5电连接。即，天线开关3能够将天线端子2a与第一发送滤波器4及第二发送滤波器5中的一方连接并同时将天线端子2b与第一发送滤波器4及第二发送滤波器5中的另一方连接。
如图1所示，放大部10具备第一放大部11和第二放大部12。第一放大部11和第二放大部12被利用于同时通信。如图2所示，放大部10具备第一输入端子10a、第一输出端子10b、第二输入端子10e、第二输出端子10f、以及多个(在图示例中为4个)端子10c、10d、10g、10h。
第一放大部11放大第一通信频段的第一发送信号。第一放大部11将从信号处理电路80输出的第一发送信号放大后输出到第一发送滤波器4。第一放大部11的详细结构在后面叙述。
第二放大部12放大第二通信频段的第二发送信号。第二放大部12将从信号处理电路80输出的第二发送信号放大后输出到第二发送滤波器5。第二放大部12的详细结构在后面叙述。
(3)通信装置
如图1所示，实施方式1所涉及的通信装置500具备高频模块1、信号处理电路80以及天线50a、50b。信号处理电路80对通过高频模块1的信号进行信号处理。信号处理电路80具备基带信号处理电路81和RF信号处理电路82。
如图1所示，基带信号处理电路81例如是BBIC(Baseband Integrated Circuit：基带集成电路)，与RF信号处理电路82电连接。基带信号处理电路81基于基带信号来生成I相信号和Q相信号。基带信号处理电路81通过将I相信号与Q相信号合成来进行IQ调制处理后，输出发送信号。此时，发送信号被生成为将规定频率的载波信号以比该载波信号的周期长的周期进行振幅调制而得到的调制信号。
如图1所示，RF信号处理电路82是例如RFIC(Radio Frequency IntegratedCircuit：射频集成电路)，设置于高频模块1与基带信号处理电路81之间。RF信号处理电路82具有对来自基带信号处理电路81的发送信号进行信号处理的功能以及对利用天线50a、50b接收到的接收信号进行信号处理的功能。RF信号处理电路82是支持多频段的处理电路，能够生成并放大多个通信频段的发送信号。
此外，在通信装置500中，基带信号处理电路81不是必需的结构要素。
(4)第一放大部
在此，使用图1和图2来说明第一放大部11的详细结构。
如图1所示，第一放大部11包括第一差动功率放大器13和第一输出匹配电路14。
第一差动功率放大器13放大第一发送信号。如图2所示，第一差动功率放大器13具有第一差动放大元件101、第二差动放大元件102、第一平衡-不平衡变换器(不平衡-平衡变换电路)110以及第一变压器120。如图2所示，第一平衡-不平衡变换器110包括输入侧第一阶线圈L1和输入侧第二阶线圈L2。如图2所示，第一变压器120包括输出侧第一阶线圈L3和输出侧第二阶线圈L4。
如图2所示，第一差动功率放大器13还包括多个(在图示例中为2个)电阻R1、R2、多个(在图示例中为2个)电容器C1、C2、以及线圈L5。
放大部10所具备的端子10c被输入第一偏置电压。电阻R1的一端与端子10c电连接。电阻R1的另一端与电阻R2的一端电连接。电阻R2的另一端与地电连接。即，电阻R1与电阻R2串联连接在端子10c与地之间。电阻R1与电阻R2之间的点电连接于位于输入侧第二阶线圈L2的两端之间的点(例如，中点)。也就是说，电阻R1的另一端和电阻R2的一端电连接于位于输入侧第二阶线圈L2的两端之间的点(例如，中点)。
放大部10所具备的端子10d被输入第二偏置电压。线圈L5的一端与端子10d电连接。线圈L5的另一端与电容器C2的一端电连接。电容器C2的另一端与地电连接。即，线圈L5与电容器C2串联连接在端子10d与地之间。线圈L5与电容器C2之间的点电连接于位于输出侧第一阶线圈L3的两端之间的点(例如，中点)。也就是说，线圈L5的另一端和电容器C2的一端电连接于位于输出侧第一阶线圈L3的两端之间的点(例如，中点)。
电容器C1的一端电连接在线圈L5与端子10d之间，电容器C1的另一端与地电连接。
放大部10所具备的第一输入端子10a与信号处理电路80的RF信号处理电路82电连接。从RF信号处理电路82输出的第一发送信号被输入到第一输入端子10a。
输入侧第一阶线圈L1的一端与第一输入端子10a电连接，输入侧第一阶线圈L1的另一端与地电连接。输入侧第二阶线圈L2的一端(第一平衡端子)与第一差动放大元件101电连接，输入侧第二阶线圈L2的另一端(第二平衡端子)与第二差动放大元件102电连接。
在对输入侧第一阶线圈L1施加了第一偏置电压的状态下，向第一输入端子10a输入从RF信号处理电路82输出的高频信号(第一发送信号)。第一发送信号被进行不平衡-平衡变换。此时，从输入侧第二阶线圈L2的第一平衡端子输出非反相输入信号，从输入侧第二阶线圈L2的第二平衡端子输出反相输入信号。
第一差动放大元件101放大从输入侧第二阶线圈L2的第一平衡端子输出的非反相输入信号。第一差动放大元件101具有输入端子和输出端子。第一差动放大元件101的输入端子与输入侧第二阶线圈L2的第一平衡端子电连接。第一差动放大元件101的输出端子与第一变压器120的输出侧第一阶线圈L3电连接。具体地说，第一差动放大元件101的输出端子与输出侧第一阶线圈L3的一端(第一端)电连接。
第二差动放大元件102放大从输入侧第二阶线圈L2的第二平衡端子输出的反相输入信号。第二差动放大元件102具有输入端子和输出端子。第二差动放大元件102的输入端子与输入侧第二阶线圈L2的第二平衡端子电连接。第二差动放大元件102的输出端子与第一变压器120的输出侧第一阶线圈L3电连接。具体地说，第二差动放大元件102的输出端子与输出侧第一阶线圈L3的另一端(第二端)电连接。
第一变压器120的输出侧第一阶线圈L3的第一端与第一差动放大元件101电连接，输出侧第一阶线圈L3的第二端与第二差动放大元件102电连接。第一变压器120的输出侧第一阶线圈L3的中点被提供第二偏置电压。输出侧第二阶线圈L4的一方的端子与第一输出端子10b电连接，输出侧第二阶线圈L4的另一方的端子与地连接。换言之，第一变压器120电连接于第一差动放大元件101的输出端子及第二差动放大元件102的输出端子与第一输出端子10b之间。
被第一差动放大元件101放大后的非反相输入信号以及被第二差动放大元件102放大后的反相输入信号在维持相位相反的状态下通过第一变压器120进行阻抗变换。
第一输出匹配电路14连接于第一差动功率放大器13的输出侧。如图2所示，第一输出匹配电路14包括多个(在图示例中为3个)电感器L11、L12、L13和多个(在图示例中为3个)电容器C11、C12、C13。即，多个电感器L11、L12、L13连接于第一差动功率放大器13的输出侧。
电感器L12电连接于输出侧第二阶线圈L4的一方的端子与第一输出端子10b之间。电容器C13电连接于电感器L12与第一输出端子10b之间。即，电感器L12与电容器C13串联连接在输出侧第二阶线圈L4的一方的端子与第一输出端子10b之间。
电感器L11的一端电连接于输出侧第二阶线圈L4的一方的端子与电感器L12之间，电感器L11的另一端与地电连接。电容器C11的一端与电感器L11的另一端电连接，电容器C11的另一端与地电连接。即，电感器L11与电容器C11串联连接在输出侧第二阶线圈L4的一方的端子同电感器L12之间的点与地之间。
电感器L13的一端电连接于电感器L12与电容器C13之间，电感器L13的另一端与地电连接。电容器C12的一端与电感器L13的另一端电连接，电容器C12的另一端与地电连接。即，电感器L13与电容器C12串联连接在电感器L12同电容器C13之间的点与地之间。
通过上述结构，第一输出匹配电路14取得第一差动功率放大器13与第一发送滤波器4的阻抗匹配。具体地说，被第一差动放大元件101放大后的非反相输入信号以及被第二差动放大元件102放大后的反相输入信号在维持相位相反的状态下通过第一变压器120和第一输出匹配电路14进行阻抗变换。由此，第一输出端子10b处的第一放大部11的输出阻抗与第一发送滤波器4的输入阻抗被进行阻抗匹配。
(5)第二放大部
在此，使用图1和图2来说明第一放大部12的详细结构。
如图1所示，第二放大部12包括第二差动功率放大器15和第二输出匹配电路16。第一差动功率放大器13和第二差动功率放大器15被利用于同时通信。
第二差动功率放大器15放大第二发送信号。如图2所示，第二差动功率放大器15具有第三差动放大元件201、第四差动放大元件202、第二平衡-不平衡变换器210以及第二变压器220。如图2所示，第二平衡-不平衡变换器210包括输入侧第三阶线圈L21和输入侧第四阶线圈L22。如图2所示，第二变压器220包括输出侧第三阶线圈L23和输出侧第四阶线圈L24。
如图2所示，第二差动功率放大器15还包括多个(在图示例中为2个)电阻R21、R22、多个(在图示例中为2个)电容器C21、C22、以及线圈L25。
放大部10所具备的端子10g被输入第三偏置电压。电阻R21的一端与端子10g电连接。电阻R21的另一端与电阻R22的一端电连接。电阻R22的另一端与地电连接。即，电阻R21与电阻R22串联连接在端子10g与地之间。电阻R21与电阻R22之间的点电连接于位于输入侧第四阶线圈L22的两端之间的点(例如，中点)。也就是说，电阻R21的另一端和电阻R22的一端电连接于位于输入侧第四阶线圈L22的两端之间的点(例如，中点)。
放大部10所具备的端子10h被输入第四偏置电压。线圈L25的一端与端子10h电连接。线圈L25的另一端与电容器C22的一端电连接。电容器C22的另一端与地电连接。即，线圈L25与电容器C22串联连接在端子10h与地之间。线圈L25与电容器C22之间的点电连接于位于输出侧第三阶线圈L23的两端之间的点(例如，中点)。也就是说，线圈L25的另一端和电容器C22的一端电连接于位于输出侧第三阶线圈L23的两端之间的点(例如，中点)。
电容器C21的一端电连接在线圈L25与端子10h之间，电容器C21的另一端与地电连接。
放大部10所具备的第二输入端子10e与信号处理电路80的RF信号处理电路82电连接。从RF信号处理电路82输出的第二发送信号被输入到第二输入端子10e。
输入侧第三阶线圈L21的一端与第二输入端子10e电连接，输入侧第三阶线圈L21的另一端与地电连接。输入侧第四阶线圈L22的一端(第一平衡端子)与第四差动放大元件202电连接，输入侧第四阶线圈L22的另一端(第二平衡端子)与第四差动放大元件202电连接。
在对输入侧第三阶线圈L21施加了第三偏置电压的状态下，向第二输入端子10e输入从RF信号处理电路82输出的高频信号(第二发送信号)。第二发送信号被进行不平衡-平衡变换。此时，从输入侧第四阶线圈L22的第二平衡端子输出非反相输入信号，从输入侧第四阶线圈L22的第二平衡端子输出反相输入信号。
第三差动放大元件201放大从输入侧第四阶线圈L22的第一平衡端子输出的非反相输入信号。第三差动放大元件201具有输入端子和输出端子。第三差动放大元件201的输入端子与输入侧第四阶线圈L22的第一平衡端子电连接。第三差动放大元件201的输出端子与第二变压器220的输出侧第三阶线圈L23电连接。具体地说，第三差动放大元件201的输出端子与输出侧第三阶线圈L23的一端(第一端)电连接。
第四差动放大元件202放大从输入侧第四阶线圈L22的第二平衡端子输出的反相输入信号。第四差动放大元件202具有输入端子和输出端子。第四差动放大元件202的输入端子与输入侧第四阶线圈L22的第二平衡端子电连接。第四差动放大元件202的输出端子与第二变压器220的输出侧第三阶线圈L23电连接。具体地说，第四差动放大元件202的输出端子与输出侧第三阶线圈L23的另一端(第二端)电连接。
第二变压器220的输出侧第三阶线圈L23的第一端与第三差动放大元件201电连接，输出侧第三阶线圈L23的第二端与第四差动放大元件202电连接。第二变压器220的输出侧第三阶线圈L23的中点被提供第四偏置电压。输出侧第四阶线圈L24的一方的端子与第二输出端子10f电连接，输出侧第四阶线圈L24的另一方的端子与地连接。换言之，第二变压器220电连接于第三差动放大元件201的输出端子及第四差动放大元件202的输出端子与第二输出端子10f之间。
被第三差动放大元件201放大后的非反相输入信号以及被第四差动放大元件202放大后的反相输入信号在维持相位相反的状态下通过第二变压器220进行阻抗变换。
第二输出匹配电路16连接于第二差动功率放大器15的输出侧。如图2所示，第二输出匹配电路16包括多个(在图示例中为3个)电感器L31、L32、L33和多个(在图示例中为3个)电容器C31、C32、C33。即，多个电感器L31、L32、L33连接于第二差动功率放大器15的输出侧。
电感器L32电连接于输出侧第四阶线圈L24的一方的端子与第二输出端子10f之间。电容器C33电连接于电感器L32与第二输出端子10f之间。即，电感器L32与电容器C33串联连接在输出侧第四阶线圈L24的一方的端子与第二输出端子10f之间。
电感器L31的一端电连接于输出侧第四阶线圈L24的一方的端子与电感器L32之间，电感器L31的另一端与地电连接。电容器C11的一端与电感器L31的另一端电连接，电容器C31的另一端与地电连接。即，电感器L31与电容器C31串联连接在输出侧第四阶线圈L24的一方的端子同电感器L32之间的点与地之间。
电感器L33的一端电连接于电感器L32与电容器C33之间，电感器L33的另一端与地电连接。电容器C32的一端与电感器L33的另一端电连接，电容器C32的另一端与地电连接。即，电感器L33与电容器C32串联连接在电感器L32同电容器C33之间的点与地之间。
通过上述结构，第二输出匹配电路16取得第二差动功率放大器15与第二发送滤波器5的阻抗匹配。具体地说，被第三差动放大元件201放大后的非反相输入信号以及被第四差动放大元件202放大后的反相输入信号在维持相位相反的状态下通过第二变压器220和第二输出匹配电路16进行阻抗变换。由此，第二输出端子10f处的第二放大部12的输出阻抗与第二发送滤波器5的输入阻抗被进行阻抗匹配。
(6)配置结构
在此，使用图3来说明第一放大部11和第二放大部12的配置结构。此外，在图3中，将第一输入端子10a与第一输出端子10b的排列方向规定为左右方向。在图3中，将第一输入端子10a与第二输入端子10e的排列方向规定为前后方向。并且，在图3中，将与左右方向及前后方向的双方正交的方向(纸面的前后方向)规定为上下方向。将从第一输入端子10a向第一输出端子10b的方向规定为右方向，将从第一输出端子10b向第一输入端子10a的方向规定为左方向。将从第一输入端子10a向第二输入端子10e的方向规定为前方向，将从第二输入端子10e向第一输入端子10a的方向规定为后方向。将从基板300的内部朝向安装面301的方向规定为上方向，将从安装面301朝向基板300的内部的方向规定为下方向。
第一放大部11和第二放大部12设置于基板300。
首先，说明第一放大部11的配置。
第一差动放大元件101、第二差动放大元件102以及第一平衡-不平衡变换器110形成于1个芯片。即，第一芯片310包括第一差动放大元件101、第二差动放大元件102以及第一平衡-不平衡变换器110(参照图3)。第一差动放大元件101、第二差动放大元件102以及第一平衡-不平衡变换器110配置于第一芯片310的内部。第一芯片310配置于基板300的安装面301。此外，也可以是，第一芯片310的一部分埋入基板300。此外，第一差动放大元件101、第二差动放大元件102以及第一平衡-不平衡变换器110配置于第一芯片310的内部，但是在图3中用实线来记载。
第一平衡-不平衡变换器110的输入侧第一阶线圈L1以输入侧第一阶线圈L1的两端中的接近第一输入端子10a的一端为起始点来逆时针地卷绕。第一平衡-不平衡变换器110的输入侧第二阶线圈L2设置于第一芯片310的内部的、比输入侧第一阶线圈L1接近基板300的位置。输入侧第一阶线圈L1被配置成在俯视基板300的情况下与输入侧第二阶线圈L2重叠。
第一变压器120的输出侧第一阶线圈L3形成于基板300的内部。第一变压器120的输出侧第二阶线圈L4以输出侧第二阶线圈L4的两端中的接近第一输出端子10b的一端为起始点来顺时针地卷绕。输出侧第二阶线圈L4被配置成在俯视基板300的情况下与输出侧第一阶线圈L3重叠。此外，输出侧第一阶线圈L3配置于基板300的内部，但是在图3中用实线来记载。
多个(在图示例中为3个)电感器L11、L12、L13由形成为大致长方体的电感器芯片形成。电感器L11、L12、L13配置于基板300的安装面301。此外，也可以是，电感器L11、L12、L13的一部分埋入基板300。
关于电感器L11、L12，将沿着与长边方向正交的方向的轴作为卷绕轴，以该卷绕轴为中心卷绕导线。关于电感器L13，将沿着长边方向的轴作为卷绕轴，以该卷绕轴为中心卷绕导线。也就是说，电感器L11、L12的内部的构造与电感器L13的内部的构造不同。
电感器L11、L12、L13被配置成所产生的磁通的方向互不相同。例如，电感器L11被配置成在俯视基板300的情况下所产生的磁通P11为左方向。电感器L12被配置成在俯视基板300的情况下所产生的磁通P12为下方向。电感器L13被配置成在俯视基板300的情况下所产生的磁通P13为后方向。
接着，说明第二放大部12的配置。
第三差动放大元件201、第四差动放大元件202以及第二平衡-不平衡变换器210形成于1个芯片。即，第二芯片320包括第三差动放大元件201、第四差动放大元件202以及第二平衡-不平衡变换器210(参照图3)。第三差动放大元件201、第四差动放大元件202以及第二平衡-不平衡变换器210配置于第二芯片320的内部。第二芯片320配置于基板300的安装面301。此外，也可以是，第二芯片320的一部分埋入基板300。此外，第三差动放大元件201、第四差动放大元件202以及第二平衡-不平衡变换器210配置于第二芯片320的内部，但是在图3中用实线来记载。
第二平衡-不平衡变换器210的输入侧第三阶线圈L21以输入侧第三阶线圈L21的两端中的接近第二输入端子10e的一端为起始点来顺时针地卷绕。第二平衡-不平衡变换器210的输入侧第四阶线圈L22设置于第二芯片320的内部的、比输入侧第三阶线圈L21接近基板300的位置。输入侧第三阶线圈L21被配置成在俯视基板300的情况下与输入侧第四阶线圈L22重叠。
第二变压器220的输出侧第三阶线圈L23形成于基板300的内部。第二变压器220的输出侧第四阶线圈L24以输出侧第四阶线圈L24的两端中的接近第二输出端子10f的一端为起始点来逆时针地卷绕。输出侧第四阶线圈L24被配置成在俯视基板300的情况下与输出侧第三阶线圈L23重叠。此外，输出侧第三阶线圈L23配置于基板300的内部，但是在图3中用实线来记载。
多个(在图示例中为3个)电感器L31、L32由形成为大致长方体的电感器芯片形成。电感器L31、L32配置于基板300的安装面301。此外，也可以是，电感器L31、L32的一部分埋入基板300。
关于电感器L31，将沿着与长边方向正交的方向的轴作为卷绕轴，以该卷绕轴为中心卷绕导线。关于电感器L32，将沿着长边方向的轴作为卷绕轴，以该卷绕轴为中心卷绕导线。也就是说，电感器L31的内部的构造与电感器L32的内部的构造不同。
电感器L33由导体图案形成。电感器L33以电感器L33的两端中的接近第二输出端子10f的一端为起始点来逆时针地形成。
电感器L31、L32、L33被配置成所产生的磁通的方向互不相同。例如，电感器L31被配置成在俯视基板300的情况下所产生的磁通P21为右方向。电感器L32被配置成在俯视基板300的情况下所产生的磁通P22为左方向。电感器L33被配置成在俯视基板300的情况下所产生的磁通P23为上方向。
在此，电感器L11和电感器L31存在于在形成第一放大部11的电路和形成第二放大部12的电路中的相对相同的位置。并且，在电感器L11中产生的磁通P11的方向为左方向，在电感器L31中产生的磁通P21的方向为右方向。电感器L12和电感器L32存在于在形成第一放大部11的电路和形成第二放大部12的电路中的相对相同的位置。并且，在电感器L31中产生的磁通P12的方向为下方向，在电感器L32中产生的磁通P22的方向为左方向。电感器L13和电感器L33存在于在形成第一放大部11的电路和形成第二放大部12的电路中的相对相同的位置。并且，在电感器L13中产生的磁通P13的方向为后方向，在电感器L33中产生的磁通P23的方向为上方向。
即，关于第一输出匹配电路14和第二输出匹配电路16，按作为电路而配置于相对相同的位置的电感器的组，以使在该组的一个电感器(第一电感器)中产生的磁通的方向与在该组的其它电感器(第二电感器)中产生的磁通的方向互不相同的方式配置该组的第一电感器和第二电感器。换言之，关于多个第一电感器(电感器L11、L12、L13)和多个第二电感器(电感器L31、L32、L33)，按作为电路而配置于相对相同的位置的电感器的组，在该组的第一电感器中产生的磁通的方向与在该组的第二电感器中产生的磁通的方向互不相同。
此外，关于第一输出匹配电路14和第二输出匹配电路16，不需要针对作为电路而配置于相对相同的位置的电感器的组中的所有组将该组的第一电感器和第二电感器配置成磁通的方向互不相同。关于第一输出匹配电路14和第二输出匹配电路16，只要针对作为电路而配置于相对相同的位置的电感器的组中的至少1个组将该组的第一电感器和第二电感器配置成磁通的方向互不相同即可。
并且，形成第一平衡-不平衡变换器110的输入侧第一阶线圈L1的导体逆时针地卷绕，形成第二平衡-不平衡变换器210的输入侧第三阶线圈L21的导体顺时针地卷绕。其结果，由于电流流过输入侧第一阶线圈L1而产生的磁通P1的方向为上方向，由于电流流过输入侧第三阶线圈L21而产生的磁通P3的方向为下方向。也就是说，当向第一输入端子10a输入第一发送信号时，也就是说当电流被输入到第一输入端子10a时，在第一平衡-不平衡变换器110中向上方向产生磁通P1。当向第二输入端子10e输入第二发送信号时，也就是说当电流被输入到第二输入端子10e时，在第二平衡-不平衡变换器210中向下方向产生磁通P3。即，第一平衡-不平衡变换器110和第二平衡-不平衡变换器210构成为所产生的磁通的方向互不相同。
形成第一变压器120的输出侧第二阶线圈L4的导体顺时针地卷绕，形成第二变压器220的输出侧第四阶线圈L24的导体逆时针地卷绕。其结果，由于电流流过输出侧第二阶线圈L4而产生的磁通P2的方向为上方向，由于电流流过输出侧第四阶线圈L24而产生的磁通P4的方向为下方向。也就是说，当向第一变压器120输入第一发送信号时，也就是说当电流被输入到第一变压器120时，在第一变压器120中向上方向产生磁通P2。当向第二变压器220输入第二发送信号时，也就是说当电流被输入到第二变压器220时，在第二变压器220中向下方向产生磁通P4。即，第一变压器120和第二变压器220构成为所产生的磁通的方向互不相同。
也就是说，将实施方式1的高频模块1构成为：在第一差动功率放大器13的输入侧产生的第一磁通(例如，磁通P1)与在第二差动功率放大器15的输入侧产生的第二磁通(例如，磁通P3)为互不相同的方向。并且，构成为：在第一差动功率放大器13的输出侧产生的第三磁通(例如，磁通P2)与在第二差动功率放大器15的输出侧产生的第四磁通(例如，磁通P4)为互不相同的方向。
此外，不需要在将第一平衡-不平衡变换器110和第二平衡-不平衡变换器210构成为所产生的磁通的方向互不相同的同时、将第一变压器120和第二变压器220构成为所产生的磁通的方向互不相同。只要以满足第一结构和第二结构中的至少一方的结构的方式设置第一差动功率放大器13和第二差动功率放大器15即可，其中，第一结构是在第一差动功率放大器13的输入侧产生的第一磁通(磁通P1)与在第二差动功率放大器15的输入侧产生的第二磁通(磁通P3)为互不相同的方向的结构，第二结构是在第一差动功率放大器13的输出侧产生的第三磁通(磁通P2)与在第二差动功率放大器15的输出侧产生的第四磁通(磁通P4)为互不相同的方向的结构。即，通过将第一平衡-不平衡变换器110和第二平衡-不平衡变换器210构成为所产生的磁通的方向互不相同，第一结构得到满足。通过将第一变压器120和第二变压器220构成为所产生的磁通的方向互不相同，第二结构得到满足。
另外，设为第一平衡-不平衡变换器110的输入侧第一阶线圈L1的绕线方向与第二平衡-不平衡变换器210的输入侧第三阶线圈L21的绕线方向不同的结构，但是不限定于该结构。也可以是，第一平衡-不平衡变换器110的输入侧第二阶线圈L2的绕线方向与第二平衡-不平衡变换器210的输入侧第四阶线圈L22的绕线方向不同。或者也可以是，第一平衡-不平衡变换器110的输入侧第一阶线圈L1的绕线方向与第二平衡-不平衡变换器210的输入侧第四阶线圈L22的绕线方向不同。或者也可以是，第一平衡-不平衡变换器110的输入侧第二阶线圈L2的绕线方向与第二平衡-不平衡变换器210的输入侧第三阶线圈L21的绕线方向不同。即，只要构成为第一平衡-不平衡变换器110的输入侧第一阶线圈L1及输入侧第二阶线圈L2中的一方的线圈的绕线方向与第二平衡-不平衡变换器210的输入侧第三阶线圈L21及输入侧第四阶线圈L22中的一方的线圈的绕线方向互不相同即可。
另外，设为第一变压器120的输出侧第二阶线圈L4的绕线方向与第二变压器220的输出侧第四阶线圈L24的绕线方向不同的结构，但是不限定于该结构。也可以是，第一变压器120的输出侧第一阶线圈L3的绕线方向与第二变压器220的输出侧第三阶线圈L23的绕线方向不同。或者也可以是，第一变压器120的输出侧第一阶线圈L3的绕线方向与第二变压器220的输出侧第四阶线圈L24的绕线方向不同。或者也可以是，第一变压器120的输出侧第二阶线圈L4的绕线方向与第二变压器220的输出侧第三阶线圈L23的绕线方向不同。即，只要构成为第一变压器120的输出侧第一阶线圈L3及输出侧第二阶线圈L4中的一方的线圈的绕线方向与第二变压器220的输出侧第三阶线圈L23及输出侧第四阶线圈L24中的一方的线圈的绕线方向互不相同即可。
(7)高频模块的动作例
下面，参照图1来说明进行同时通信的情况下的高频模块1的动作。
在该情况下，天线开关3使天线端子2a与第一发送滤波器4及第二发送滤波器5中的一方的滤波器成为连接状态，并使天线端子2b与第一发送滤波器4及第二发送滤波器5中的另一方的滤波器成为连接状态。也就是说，天线开关3将选择端子32和选择端子33中的一方的选择端子选作公共端子31a的连接目的地，将选择端子32和选择端子33中的另一方的选择端子选作公共端子31b的连接目的地。
从信号处理电路80输出的第一发送信号经由第一放大部11、第一发送滤波器4来从天线50a和天线50b中的一方(例如天线50a)发送。从信号处理电路80输出的第二发送信号经由第二放大部12、第二发送滤波器5来从天线50a和天线50b中的一方(例如天线50b)发送。
(8)效果
如以上所说明的那样，实施方式1的高频模块1具备第一变压器120和第二变压器220。第一变压器120包括在放大第一发送信号的第一差动功率放大器13中。第二变压器220包括在放大第二发送信号的第二差动功率放大器15中，该第二发送信号是与第一发送信号被同时通信的信号。在第一变压器120中产生的磁通P2的方向与在第二变压器220中产生的磁通P4的方向互不相同。
根据该结构，在第一变压器120和第二变压器220中，所产生的磁通为互不相同的方向。因此，在第一变压器120中产生的磁通P2与在第二变压器220中产生的磁通P4不会耦合。即，能够抑制在通过同时通信进行第一发送信号和第二发送信号的发送的情况下的隔离度的下降。
另外，实施方式1的高频模块1具备第一平衡-不平衡变换器110和第二平衡-不平衡变换器210。第一平衡-不平衡变换器110包括在放大第一发送信号的第一差动功率放大器13中。第二平衡-不平衡变换器210包括在放大第二发送信号的第二差动功率放大器15中，该第二发送信号是与第一发送信号被同时通信的信号。在第一平衡-不平衡变换器110中产生的磁通P1的方向与在第二平衡-不平衡变换器210中产生的磁通P3的方向互不相同。
根据该结构，在第一平衡-不平衡变换器110和第二平衡-不平衡变换器210中，所产生的磁通为互不相同的方向。因此，在第一平衡-不平衡变换器110中产生的磁通P1与在第二平衡-不平衡变换器210中产生的磁通P3不会耦合。即，能够抑制在通过同时通信进行第一发送信号和第二发送信号的发送的情况下的隔离度的下降。
另外，实施方式1的高频模块1具备：第一功率放大器(例如，第一差动功率放大器13)、第二功率放大器(例如，第二差动功率放大器15)、第一电感器(例如，电感器L11)以及第二电感器(例如，电感器L31)。第一功率放大器放大第一发送信号。第二功率放大器放大与第一发送信号被同时通信的第二发送信号。第一电感器连接于第一功率放大器的输出侧。第二电感器连接于第二功率放大器的输出侧。在第一电感器中产生的磁通(例如，磁通P11)的方向与在第二电感器中产生的磁通(例如，磁通P21)的方向互不相同。
根据该结构，在第一电感器和第二电感器中，所产生的磁通为互不相同的方向。因此，在第一电感器中产生的磁通与在第二电感器中产生的磁通不会耦合。即，能够抑制在通过同时通信进行第一发送信号和第二发送信号的发送的情况下的隔离度的下降。
(9)变形例
下面，说明实施方式1的变形例。
(9.1)变形例1
在实施方式1中，设为以下结构：在第一输出匹配电路14和第二输出匹配电路16中，将所产生的磁通的方向互不相同的电感器的组设为作为电路而配置于相对相同的位置的电感器的组。然而，不限定于该结构。
也可以是，关于第一输出匹配电路14中包括的多个第一电感器和第二输出匹配电路16中包括的多个第二电感器，按基于距离的第一电感器与第二电感器的组，以使在该组的第一电感器中产生的磁通的方向与在该组的第二电感器中产生的磁通的方向互不相同的方式，配置该组的第一电感器和第二电感器。
例如，将电感器L11与第二输出匹配电路16的多个电感器L31、L32、L33中的距电感器L11的配置位置最近的电感器设为使所产生的磁通的方向互不相同的电感器的组。同样地，将电感器L12与第二输出匹配电路16的多个电感器L31、L32、L33中的距电感器L12的配置位置最近的电感器设为使所产生的磁通的方向互不相同的电感器的组。将电感器L13与第二输出匹配电路16的多个电感器L31、L32、L33中的距电感器L13的配置位置最近的电感器设为使所产生的磁通的方向互不相同的电感器的组。
(9.2)变形例2
在实施方式1中，将高频模块1构成为：在第一差动功率放大器13和第二差动功率放大器15中产生的磁通的方向互不相同，且在第一输出匹配电路14和第二输出匹配电路16中产生的磁通的方向互不相同。然而，不限定于该结构。
也可以将高频模块1构成为：仅使第一差动功率放大器13和第二差动功率放大器15中的所产生的磁通的方向互不相同。在该情况下，如上所述，只要将高频模块1构成为满足第一结构和第二结构中的至少一方的结构即可。第一结构是以下的结构：在第一差动功率放大器13的输入侧产生的第一磁通(磁通P1)与在第二差动功率放大器15的输入侧产生的第二磁通(磁通P3)为互不相同的方向。第二结构是以下的结构：在第一差动功率放大器13的输出侧产生的第三磁通(磁通P2)与在第二差动功率放大器15的输出侧产生的第四磁通(磁通P4)为互不相同的方向。
或者，也可以将高频模块1构成为：仅使第一输出匹配电路14和第二输出匹配电路16中的所产生的磁通的方向互不相同。在该情况下，与第一输出匹配电路14连接的功率放大器以及与第二输出匹配电路16连接的功率放大器不需要双方均为差动功率放大器。即，与第一输出匹配电路14连接的功率放大器以及与第二输出匹配电路16连接的功率放大器也可以是不同于差动功率放大器的功率放大器。也就是说，高频模块1也可以是以下的结构。高频模块1具备第一功率放大器、第二功率放大器、第一输出匹配电路14以及第二输出匹配电路16。第一功率放大器放大第一发送信号。第二功率放大器放大第二发送信号。第一输出匹配电路14取得从第一功率放大器输出的信号的阻抗的匹配。第二输出匹配电路16取得从第二功率放大器输出的信号的阻抗的匹配。以使在第一输出匹配电路14中产生的第一磁通与在第二输出匹配电路中产生的第二磁通为互不相同的方向的方式，设置第一输出匹配电路14和第二输出匹配电路16。
(9.3)变形例3
在实施方式1中，作为同时通信，例示了作为4G标准的通信频段的Band4和Band11中的发送，但是同时通信也可以是4G标准的通信频段和5G标准的通信频段中的通信(发送)。即，第一发送信号和第二发送信号中的一方的发送信号是在第四代移动通信标准中规定的第一频带的信号，第一发送信号和第二发送信号中的另一方的发送信号是在第五代移动通信标准中规定的第二频带的信号。
或者，同时通信也可以是5G标准的第一通信频段和5G标准的第二通信频段中的通信(发送)。即，第一发送信号是在第五代移动通信标准中规定的第一频带的信号，第二发送信号是在第五代移动通信标准中规定的第二频带的信号。
(9.4)变形例4
在实施方式1中，设为第一输出匹配电路14和第二输出匹配电路16包括多个电感器的结构，但是不限定于该结构。也可以是，第一输出匹配电路14和第二输出匹配电路16中的各输出匹配电路包括1个电感器。
(9.5)变形例5
在实施方式1中，第一放大部11和第二放大部12也可以构成为1个模块。
(9.6)变形例6
在实施方式1中，高频模块1构成为进行使用2个天线50a、50b的同时通信，但是不限定于该结构。高频模块1也可以构成为进行使用1个天线的同时通信。
(实施方式2)
参照图4～图5来说明实施方式2所涉及的高频模块1A和放大部10A。关于实施方式2所涉及的高频模块1A和放大部10A，对与实施方式1所涉及的高频模块1及放大部10同样的结构要素，标注同一标记并省略说明。
(1)结构
如图4所示，实施方式2所涉及的高频模块1A具备放大部10A和滤波电路4A。
如图4所示，放大部10A具备第一放大部11A(Peaking Amplifier/Aux Amplifier：峰值放大器/辅助放大器)和第二放大部12A(Main Amplifier/Carrier Amplifier：主放大器/载波放大器)。第一放大部11和第二放大部12被利用于同时通信。
第一放大部11A放大第一通信频段的第一发送信号。第一放大部11A将从信号处理电路80(参照图1)输出的第一发送信号放大后输出到滤波电路4A。第二放大部12A放大第二通信频段的第二发送信号。第二放大部12A将从信号处理电路80输出的第二发送信号放大后输出到滤波电路4A。
滤波电路4A是以特定的通信频段的发送带为通带的滤波器。滤波电路4A包含第一发送信号的频带和第二发送信号的频带。滤波电路4A例如是单芯片的弹性波滤波器，多个串联臂谐振器和多个并联臂谐振器中的各谐振器由弹性波谐振器构成。弹性波滤波器例如是利用声表面波的表面弹性波滤波器。在表面弹性波滤波器中，多个串联臂谐振器和多个并联臂谐振器中的各谐振器例如是SAW(Surface Acoustic Wave：声表面波)谐振器。
滤波电路4A经由天线端子将发送信号输出到天线。例如，滤波电路4A经由实施方式1所示的天线端子2a将发送信号输出到天线50a。
下面，说明第一放大部11A和第二放大部12A的结构。
(1.1)第一放大部
如图4所示，第一放大部11A包括第一差动功率放大器13A。第一差动功率放大器13A不管被输入的第一发送信号的功率水平如何，都将第一发送信号放大并输出放大后的第一发送信号。
如图4所示，第一差动功率放大器13A具有第一差动放大元件101A、第二差动放大元件102A、第一平衡-不平衡变换器(不平衡-平衡变换电路)110A以及第一变压器120A。如图4所示，第一平衡-不平衡变换器110A包括输入侧第一阶线圈L51和输入侧第二阶线圈L52。如图4所示，第一变压器120A包括输出侧第一阶线圈L53和输出侧第二阶线圈L54。
如图4所示，第一差动功率放大器13A还包括多个(在图示例中为2个)电阻R1、R2、多个(在图示例中为4个)电容器C1、C2、C51、C52、第一电感器L55、以及多个(在图示例中为2个)线圈L56。
电阻R1的一端与端子10c电连接。电阻R1的另一端与电阻R2的一端电连接。电阻R2的另一端与地电连接。即，电阻R1与电阻R2串联连接在端子10c与地之间。电阻R1与电阻R2之间的点电连接于位于输入侧第二阶线圈L52的两端之间的点(例如，中点)。也就是说，电阻R1的另一端和电阻R2的一端电连接于位于输入侧第二阶线圈L52的两端之间的点(例如，中点)。
第一电感器L55的一端(第一端部)与第一差动放大元件101A电连接。第一电感器L55的另一端(第二端部)与第二差动放大元件102A电连接。
线圈L56的一端(第一端部)与第一差动放大元件101A电连接。线圈L56的另一端(第二端部)与第二差动放大元件102A电连接。第一电感器L55与线圈L56并联连接。线圈L56的中点被提供第二偏置电压。
电容器C51的一端与第一差动放大元件101A及线圈L56的第一端部电连接。电容器C51的另一端与第一电感器L55的第一端部电连接。电容器C52的一端与第二差动放大元件102A及线圈L56的第二端部电连接。电容器C52的另一端与第一电感器L55的第二端部电连接。电容器C51、C52是隔断向第一电感器L55输入的DC成分的DC隔断用的电容器。
线圈L5的一端与端子10d电连接。线圈L5的另一端与电容器C2的一端电连接。电容器C2的另一端与地电连接。即，线圈L5与电容器C2串联连接在端子10d与地之间。线圈L5与电容器C2之间的点电连接于位于线圈L56的两端之间的点(例如，中点)。也就是说，线圈L5的另一端和电容器C2的一端电连接于位于线圈L56的两端之间的点(例如，中点)。
电容器C1的一端电连接在线圈L5与端子10d之间，电容器C1的另一端与地电连接。
输入侧第一阶线圈L51的一端与第一输入端子10a电连接，输入侧第一阶线圈L51的另一端与地电连接。输入侧第二阶线圈L52的一端(第一平衡端子)与第一差动放大元件101A电连接，输入侧第二阶线圈L52的另一端(第二平衡端子)与第二差动放大元件102A电连接。
在对输入侧第一阶线圈L51施加了第一偏置电压的状态下，向第一输入端子10a输入从RF信号处理电路82(参照图1)输出的高频信号(第一发送信号)。第一发送信号被进行不平衡-平衡变换。此时，从输入侧第二阶线圈L52的第一平衡端子输出非反相输入信号，从输入侧第二阶线圈L52的第二平衡端子输出反相输入信号。
第一差动放大元件101A放大从输入侧第二阶线圈L52的第一平衡端子输出的非反相输入信号。第一差动放大元件101A具有输入端子和输出端子。第一差动放大元件101A的输入端子与输入侧第二阶线圈L52的第一平衡端子电连接。第一差动放大元件101A的输出端子与第一变压器120A的输出侧第一阶线圈L53、第一电感器L55及线圈L56电连接。具体地说，第一差动放大元件101A的输出端子与输出侧第一阶线圈L53的一端(第一端)、第一电感器L55的第一端及线圈L56的第一端电连接。
第二差动放大元件102A放大从输入侧第二阶线圈L52的第二平衡端子输出的反相输入信号。第二差动放大元件102A具有输入端子和输出端子。第二差动放大元件102A的输入端子与输入侧第二阶线圈L52的第二平衡端子电连接。第二差动放大元件102A的输出端子与第一变压器120A的输出侧第一阶线圈L53、第一电感器L55及线圈L56电连接。具体地说，第二差动放大元件102A的输出端子与输出侧第一阶线圈L53的另一端(第二端)、第一电感器L55的第二端及线圈L56的第二端电连接。
第一变压器120A的输出侧第一阶线圈L53的第一端与第一差动放大元件101A电连接，输出侧第一阶线圈L53的第二端与第二差动放大元件102A电连接。输出侧第一阶线圈L53与第一电感器L55及线圈L56并联连接。
输出侧第二阶线圈L54的一方的端子与第一输出端子10b(在实施方式2中，仅称为“输出端子10b”)电连接，输出侧第二阶线圈L54的另一方的端子与地连接。输出侧第二阶线圈L54的另一方的端子经由后述的输出侧第四阶线圈L64来与地连接。换言之，第一变压器120A电连接于第一差动放大元件101A的输出端子及第二差动放大元件102A的输出端子与输出端子10b之间。
被第一差动放大元件101A放大后的非反相输入信号以及被第二差动放大元件102A放大后的反相输入信号在维持相位相反的状态下被输入到线圈L56，通过第一电感器L55进行阻抗变换。
(1.2)第二放大部
如图4所示，第二放大部12A包括第二差动功率放大器15A。第二差动功率放大器15A在被输入的第二发送信号的功率水平为基准功率水平以上时，将第二发送信号放大并输出放大后的第二发送信号。第一差动功率放大器13A和第二差动功率放大器15A被利用于同时通信。
第二差动功率放大器15A放大第二发送信号。如图4所示，第二差动功率放大器15A具有第三差动放大元件201A、第四差动放大元件202A、第二平衡-不平衡变换器210A以及第二变压器220A。如图4所示，第二平衡-不平衡变换器210A包括输入侧第三阶线圈L61和输入侧第四阶线圈L62。如图4所示，第二变压器220A包括输出侧第三阶线圈L63和输出侧第四阶线圈L64。
如图4所示，第二差动功率放大器15A还包括多个(在图示例中为2个)电阻R21、R22、多个(在图示例中为4个)电容器C21、C22、C61、C62、第二电感器L65、以及多个(在图示例中为2个)线圈L25、L66。
电阻R21的一端与端子10g电连接。电阻R21的另一端与电阻R22的一端电连接。电阻R22的另一端与地电连接。即，电阻R21与电阻R22串联连接在端子10g与地之间。电阻R21与电阻R22之间的点电连接于位于输入侧第四阶线圈L62的两端之间的点(例如，中点)。也就是说，电阻R21的另一端和电阻R22的一端电连接于位于输入侧第四阶线圈L62的两端之间的点(例如，中点)。
第二电感器L65的一端(第一端部)与第三差动放大元件201A电连接。第二电感器L65的另一端(第二端部)与第四差动放大元件202A电连接。
线圈L66的一端(第一端部)与第三差动放大元件201A电连接。线圈L66的另一端(第二端部)与第四差动放大元件202A电连接。第二电感器L65与线圈L66并联连接。线圈L66的中点被提供第四偏置电压。
电容器C61的一端与第三差动放大元件201A及线圈L66的第一端部电连接。电容器C61的另一端与第二电感器L65的第一端部电连接。电容器C62的一端与第四差动放大元件202A及线圈L66的第二端部电连接。电容器C62的另一端与第二电感器L65的第二端部电连接。电容器C61、C62是隔断向第二电感器L65输入的DC成分的DC隔断用的电容器。
线圈L25的一端与端子10h电连接。线圈L25的另一端与电容器C22的一端电连接。电容器C22的另一端与地电连接。即，线圈L25与电容器C22串联连接在端子10h与地之间。线圈L25与电容器C22之间的点电连接于位于线圈L66的两端之间的点(例如，中点)。也就是说，线圈L25的另一端和电容器C22的一端电连接于位于线圈L66的两端之间的点(例如，中点)。
电容器C21的一端电连接在线圈L25与端子10h之间，电容器C21的另一端与地电连接。
输入侧第三阶线圈L61的一端与第二输入端子10e电连接，输入侧第三阶线圈L61的另一端与地电连接。输入侧第四阶线圈L62的一端(第一平衡端子)与第三差动放大元件201A电连接，输入侧第四阶线圈L62的另一端(第二平衡端子)与第四差动放大元件202A电连接。
在对输入侧第三阶线圈L61施加了第三偏置电压的状态下，向第二输入端子10e输入从RF信号处理电路82(参照图1)输出的高频信号(第二发送信号)。第二发送信号被进行不平衡-平衡变换。此时，从输入侧第四阶线圈L62的第一平衡端子输出非反相输入信号，从输入侧第四阶线圈L62的第二平衡端子输出反相输入信号。
第三差动放大元件201A放大从输入侧第四阶线圈L62的第一平衡端子输出的非反相输入信号。第三差动放大元件201A具有输入端子和输出端子。第三差动放大元件201A的输入端子与输入侧第四阶线圈L62的第一平衡端子电连接。第三差动放大元件201A的输出端子与第二变压器220A的输出侧第三阶线圈L63、第二电感器L65及线圈L66电连接。具体地说，第三差动放大元件201A的输出端子与输出侧第三阶线圈L63的一端(第一端)、第二电感器L65的第一端及线圈L66的第一端电连接。
第四差动放大元件202A放大从输入侧第四阶线圈L62的第二平衡端子输出的反相输入信号。第四差动放大元件202A具有输入端子和输出端子。第四差动放大元件202A的输入端子与输入侧第四阶线圈L62的第二平衡端子电连接。第四差动放大元件202A的输出端子与第二变压器220A的输出侧第三阶线圈L63、第二电感器L65及线圈L66电连接。具体地说，第四差动放大元件202A的输出端子与输出侧第三阶线圈L63的另一端(第二端)、第二电感器L65的第二端及线圈L66的第二端电连接。
第二变压器220A的输出侧第三阶线圈L63的第一端与第三差动放大元件201A电连接，输出侧第三阶线圈L63的第二端与第四差动放大元件202A电连接。输出侧第三阶线圈L63与第二电感器L65及线圈L66并联连接。
输出侧第四阶线圈L64的一方的端子与输出端子10b(在实施方式2中，仅称为“输出端子10b”)电连接，输出侧第四阶线圈L64的另一方的端子与地连接。输出侧第四阶线圈L64的一方的端子经由输出侧第二阶线圈L54来与输出端子10b电连接。换言之，第二变压器220A电连接于第三差动放大元件201A的输出端子及第四差动放大元件202A的输出端子与输出端子10b之间。
被第三差动放大元件201A放大后的非反相输入信号以及被第四差动放大元件202A放大后的反相输入信号在维持相位相反的状态下被输入到线圈L66，通过第二电感器L65进行阻抗变换。
(2)配置结构
在此，使用图5来说明第一放大部11A和第二放大部12A的配置结构。此外，在图5中，将第一输入端子10a与输出端子10b的排列方向规定为左右方向。在图5中，将第一输入端子10a与第二输入端子10e的排列方向规定为前后方向。并且，在图5中，将与左右方向及前后方向的双方正交的方向(纸面的前后方向)规定为上下方向。将从第一输入端子10a向输出端子10b的方向规定为右方向，将从输出端子10b向第一输入端子10a的方向规定为左方向。将从第一输入端子10a向第二输入端子10e的方向规定为前方向，将从第二输入端子10e向第一输入端子10a的方向规定为后方向。将从基板300A的内部朝向安装面301A的方向规定为上方向，将从安装面301A朝向基板300A的内部的方向规定为下方向。
第一放大部11A和第二放大部12A设置于基板300A。
首先，说明第一放大部11A的配置。
第一差动放大元件101A、第二差动放大元件102A以及第一平衡-不平衡变换器110A形成于1个芯片。即，第一芯片310A包括第一差动放大元件101A、第二差动放大元件102A以及第一平衡-不平衡变换器110A(参照图5)。第一差动放大元件101A、第二差动放大元件102A以及第一平衡-不平衡变换器110A配置于第一芯片310A的内部。第一芯片310A配置于基板300A的安装面301A。此外，也可以是，第一芯片310A的一部分埋入基板300A。此外，第一差动放大元件101A、第二差动放大元件102A以及第一平衡-不平衡变换器110A配置于第一芯片310A的内部，但是在图5中用实线来记载。
第一平衡-不平衡变换器110A的输入侧第一阶线圈L51以输入侧第一阶线圈L51的两端中的接近第一输入端子10a的一端为起始点来逆时针地卷绕。第一平衡-不平衡变换器110A的输入侧第二阶线圈L52设置于第一芯片310A的内部的、比输入侧第一阶线圈L51接近基板300A的位置。输入侧第一阶线圈L51被配置成在俯视基板300A的情况下与输入侧第二阶线圈L52重叠。
第一变压器120A的输出侧第一阶线圈L53形成于基板300A的内部。第一变压器120A的输出侧第二阶线圈L54以输出侧第二阶线圈L4的两端中的接近输出端子10b的一端为起始点来顺时针地卷绕。输出侧第二阶线圈L54被配置成在俯视基板300A的情况下与输出侧第一阶线圈L53重叠。此外，输出侧第一阶线圈L53配置于基板300A的内部，但是在图5中用实线来记载。
第一电感器L55由形成为大致长方体的电感器芯片形成。第一电感器L55配置于基板300A的安装面301A。此外，也可以是，第一电感器L55的一部分埋入基板300A。
关于第一电感器L55，将沿着与长边方向正交的方向的轴作为卷绕轴，以该卷绕轴为中心卷绕导线。
第一电感器L55和线圈L56被配置成所产生的磁通的方向互不相同。例如，第一电感器L55被配置成在俯视基板300A的情况下所产生的磁通P53为左方向。线圈L56被配置成在俯视基板300A的情况下所产生的磁通为下方向或上方向。
接着，说明第二放大部12A的配置。
第三差动放大元件201A、第四差动放大元件202A以及第二平衡-不平衡变换器210A形成于1个芯片。即，第二芯片320A包括第三差动放大元件201A、第四差动放大元件202A以及第二平衡-不平衡变换器210A(参照图5)。第三差动放大元件201A、第四差动放大元件202A以及第二平衡-不平衡变换器210A配置于第二芯片320A的内部。第二芯片320A配置于基板300A的安装面301A。此外，也可以是，第二芯片320A的一部分埋入基板300A。此外，第三差动放大元件201A、第四差动放大元件202A以及第二平衡-不平衡变换器210A配置于第二芯片320A的内部，但是在图5中用实线来记载。
第二平衡-不平衡变换器210A的输入侧第三阶线圈L61以输入侧第三阶线圈L61的两端中的接近第二输入端子10e的一端为起始点来顺时针地卷绕。第二平衡-不平衡变换器210A的输入侧第四阶线圈L62设置于第二芯片320A的内部的、比输入侧第三阶线圈L61接近基板300A的位置。输入侧第三阶线圈L61被配置成在俯视基板300A的情况下与输入侧第四阶线圈L62重叠。
第二变压器220A的输出侧第三阶线圈L63形成于基板300A的内部。第二变压器220A的输出侧第四阶线圈L64以输出侧第四阶线圈L64的两端中的接近输出端子10b的一端为起始点来顺时针地卷绕。输出侧第四阶线圈L64被配置成在俯视基板300A的情况下与输出侧第三阶线圈L63重叠。此外，输出侧第三阶线圈L63配置于基板300A的内部，但是在图5中用实线来记载。
第二电感器L65由形成为大致长方体的电感器芯片形成。第二电感器L65配置于基板300A的安装面301A。此外，也可以是，第二电感器L65的一部分埋入基板300A。
第二电感器L65和线圈L66被配置成所产生的磁通的方向互不相同。例如，第二电感器L65被配置成在俯视基板300A的情况下所产生的磁通P63为右方向。线圈L66被配置成在俯视基板300A的情况下所产生的磁通为下方向或上方向。
第一电感器L55和第二电感器L65存在于在形成第一放大部11A的电路和形成第二放大部12A的电路中的相对相同的位置。并且，在第一电感器L55中产生的磁通P53的方向为左方向，在第二电感器L65中产生的磁通P63的方向为右方向。
形成第一平衡-不平衡变换器110A的输入侧第一阶线圈L51的导体逆时针地卷绕，形成第二平衡-不平衡变换器210A的输入侧第三阶线圈L61的导体顺时针地卷绕。其结果，由于电流流过输入侧第一阶线圈L51而产生的磁通P51的方向为上方向，由于电流流过输入侧第三阶线圈L61而产生的磁通P61的方向为下方向。也就是说，当向第一输入端子10a输入第一发送信号时，也就是说当电流被输入到第一输入端子10a时，在第一平衡-不平衡变换器110A中向上方向产生磁通P51。当向第二输入端子10e输入第二发送信号时，也就是说当电流被输入到第二输入端子10e时，在第二平衡-不平衡变换器210A中向下方向产生磁通P61。即，第一平衡-不平衡变换器110A和第二平衡-不平衡变换器210A构成为所产生的磁通的方向互不相同。
当电流流过第一变压器120A的输出侧第二阶线圈L54时，在输出侧第二阶线圈L54中产生的磁通P52的方向为上方向。另外，由于电流流过输出侧第四阶线圈L64而产生的磁通P62的方向为下方向。即，当向第一变压器120A输入第一发送信号时，也就是说当电流被输入到第一变压器120A时，在第一变压器120A中向上方向产生磁通P52。当向第二变压器220A输入第二发送信号时，也就是说当电流被输入到第二变压器220A时，在第二变压器220A中向下方向产生磁通P62。即，第一变压器120A和第二变压器220A构成为所产生的磁通的方向互不相同。
也就是说，将实施方式2的高频模块1A构成为：在第一差动功率放大器13A的输入侧产生的第一磁通(例如，磁通P51)与在第二差动功率放大器15A的输入侧产生的第二磁通(例如，磁通P61)为互不相同的方向。并且，构成为：在第一差动功率放大器13A的输出侧产生的第三磁通(例如，磁通P52)与在第二差动功率放大器15A的输出侧产生的第四磁通(例如，磁通P62)为互不相同的方向。
此外，不需要在将第一平衡-不平衡变换器110A和第二平衡-不平衡变换器210A构成为所产生的磁通的方向互不相同的同时、将第一变压器120A和第二变压器220A构成为所产生的磁通的方向互不相同。只要以满足第一结构和第二结构中的至少一方的结构的方式设置第一差动功率放大器13A和第二差动功率放大器15A即可，其中，第一结构是在第一差动功率放大器13A的输入侧产生的第一磁通(磁通P51)与在第二差动功率放大器15A的输入侧产生的第二磁通(磁通P61)为互不相同的方向的结构，第二结构是在第一差动功率放大器13A的输出侧产生的第三磁通(磁通P52)与在第二差动功率放大器15A的输出侧产生的第四磁通(磁通P62)为互不相同的方向的结构。即，通过将第一平衡-不平衡变换器110A和第二平衡-不平衡变换器210A构成为所产生的磁通的方向互不相同，第一结构得到满足。通过将第一变压器120A和第二变压器220A构成为所产生的磁通的方向互不相同，第二结构得到满足。
另外，设为第一平衡-不平衡变换器110A的输入侧第一阶线圈L51的绕线方向与第二平衡-不平衡变换器210A的输入侧第三阶线圈L61的绕线方向不同的结构，但是不限定于该结构。也可以是，第一平衡-不平衡变换器110A的输入侧第二阶线圈L52的绕线方向与第二平衡-不平衡变换器210的输入侧第四阶线圈L62的绕线方向不同。或者也可以是，第一平衡-不平衡变换器110A的输入侧第一阶线圈L51的绕线方向与第二平衡-不平衡变换器210A的输入侧第四阶线圈L62的绕线方向不同。或者也可以是，第一平衡-不平衡变换器110A的输入侧第二阶线圈L52的绕线方向与第二平衡-不平衡变换器210A的输入侧第三阶线圈L61的绕线方向不同。即，只要构成为第一平衡-不平衡变换器110A的输入侧第一阶线圈L51及输入侧第二阶线圈L52中的一方的线圈的绕线方向与第二平衡-不平衡变换器210A的输入侧第三阶线圈L61及输入侧第四阶线圈L62中的一方的线圈的绕线方向互不相同即可。
另外，设为第一变压器120A的输出侧第二阶线圈L54的绕线方向与第二变压器220A的输出侧第四阶线圈L64的绕线方向不同的结构，但是不限定于该结构。也可以是，第一变压器120A的输出侧第一阶线圈L53的绕线方向与第二变压器220A的输出侧第三阶线圈L63的绕线方向不同。或者也可以是，第一变压器120A的输出侧第一阶线圈L53的绕线方向与第二变压器220A的输出侧第四阶线圈L64的绕线方向不同。或者也可以是，第一变压器120A的输出侧第二阶线圈L54的绕线方向与第二变压器220A的输出侧第三阶线圈L63的绕线方向不同。即，只要构成为第一变压器120A的输出侧第一阶线圈L53及输出侧第二阶线圈L54中的一方的线圈的绕线方向与第二变压器220A的输出侧第三阶线圈L63及输出侧第四阶线圈L64中的一方的线圈的绕线方向互不相同即可。
(3)动作
高频模块1A的动作包括第一动作和第二动作。在第一动作中，第一放大部11A和第二放大部12A这两方进行动作。即，在第一动作时，第一差动放大元件101A、第二差动放大元件102A、第三差动放大元件201A以及第四差动放大元件202A全部进行动作。在第二动作中，第一放大部11A进行动作，第二放大部12A不进行动作。即，在第二动作中，第一差动放大元件101A和第二差动放大元件102A进行动作，第三差动放大元件201A和第四差动放大元件202A不进行动作。
在第一动作时，输入到第二放大部12A的第二发送信号的功率水平为基准功率水平以上。例如在第一放大部11A的输出功率与第二放大部12A的输出功率相同的情况下，“基准功率水平”被规定为向第二放大部12A输入的输入功率的大致2倍的功率。另外，例如在向第一放大部11A和第二放大部12A输入的输入功率逐渐上升的情况下，“基准功率水平”被规定为从第一放大部11A饱和起至第二放大部12A开始输出为止的功率。即，第二放大部12A当被输入到第二放大部12A的第二发送信号的功率水平为基准功率水平以上时，将第二发送信号放大并输出放大后的第二发送信号。另一方面，第一放大部11A不管被输入到第一放大部11A的第一发送信号的功率水平如何，都将第一发送信号放大并输出放大后的第一发送信号。
在第二动作时，向第三差动放大元件201A和第四差动放大元件202A输入的输入功率变小，第三差动放大元件201A和第四差动放大元件202A的输出功率接近0。因此，关于第二放大部12A，成为与第二变压器220A分离的状态。因而，在高频模块1A中，在第二动作时，第一放大部11A将输入到第一放大部11A的第一发送信号放大并输出放大后的第一发送信号。另一方面，在高频模块1A中，在第二动作时，第二放大部12A不进行动作。
(4)变形例
下面，列述变形例。
在实施方式2中，设为在第一平衡-不平衡变换器110A与第二平衡-不平衡变换器210A的组、第一变压器120A与第二变压器220A的组、以及第一电感器L55与第二电感器L65的组中配置成所产生的磁通的方向不同的结构，但是不限定于该结构。也可以是，在第一平衡-不平衡变换器110A与第二平衡-不平衡变换器210A的组、第一变压器120A与第二变压器220A的组、以及第一电感器L55与第二电感器L65的组中的至少1个组中，配置成所产生的磁通的方向不同。
另外，也可以是，在线圈L56和线圈L66中，也配置成所产生的磁通的方向不同。
在实施方式2中，也可以应用在实施方式1中说明的变形例3和变形例5。
(总结)
如以上所说明的那样，第1方式的高频模块(1；1A)具备第一变压器(120；120A)和第二变压器(220；220A)。第一变压器(120；120A)包括在放大第一发送信号的第一差动功率放大器(13；13A)中。第二变压器(220；220A)包括在放大第二发送信号的第二差动功率放大器(15；15A)中，该第二发送信号是与第一发送信号被同时通信的信号。在第一变压器(120；120A)中产生的磁通(P2；P52)的方向与在第二变压器(220；220A)中产生的磁通(P4；P62)的方向互不相同。
根据该结构，能够抑制在通过同时通信进行第一发送信号和第二发送信号的双方的发送的情况下的隔离度的下降。
第2方式的高频模块(1；1A)具备第一平衡-不平衡变换器(110；110A)和第二平衡-不平衡变换器(210；210A)。第一平衡-不平衡变换器(110；110A)包括在放大第一发送信号的第一差动功率放大器(13；13A)中。第二平衡-不平衡变换器(210；210A)包括在放大第二发送信号的第二差动功率放大器(15；15A)中，该第二发送信号是与第一发送信号被同时通信的信号。在第一平衡-不平衡变换器(110；110A)中产生的磁通(P1；P51)的方向与在第二平衡-不平衡变换器(210；210A)中产生的磁通(P3；P61)的方向互不相同。
根据该结构，能够抑制在通过同时通信进行第一发送信号和第二发送信号的双方的发送的情况下的隔离度的下降。
在第3方式的高频模块(1；1A)中，关于第2方式，第一差动功率放大器(13；13A)还包括第一变压器(120；120A)。第二差动功率放大器(15；15A)还包括第二变压器(220；220A)。在第一变压器(120；120A)中产生的磁通(P2；P52)的方向与在第二变压器(220；220A)中产生的磁通(P4；P62)的方向互不相同。
根据该结构，能够抑制在通过同时通信进行第一发送信号和第二发送信号的双方的发送的情况下的隔离度的下降。
第4方式的高频模块(1)具备第一功率放大器(例如，第一差动功率放大器13)、第二功率放大器(例如，第二差动功率放大器15)、第一电感器(例如，电感器L11)以及第二电感器(例如，电感器L31)。第一功率放大器放大第一发送信号。第二功率放大器放大与第一发送信号被同时通信的第二发送信号。第一电感器连接于第一功率放大器的输出侧。第二电感器连接于第二功率放大器的输出侧。在第一电感器中产生的磁通(例如，磁通P11)的方向与在第二电感器中产生的磁通(例如，磁通P21)的方向互不相同。
根据该结构，能够抑制在通过同时通信进行第一发送信号和第二发送信号的双方的发送的情况下的隔离度的下降。
在第5方式的高频模块(1)中，关于第4方式，多个第一电感器连接于第一功率放大器的输出侧。多个第二电感器连接于第二功率放大器的输出侧。关于多个第一电感器和多个第二电感器，按基于距离的第一电感器与第二电感器的组，使在该组的第一电感器中产生的磁通的方向与在该组的第二电感器中产生的磁通的方向互不相同。
根据该结构，能够抑制在通过同时通信进行第一发送信号和第二发送信号的双方的发送的情况下的隔离度的下降。
在第6方式的高频模块(1)中，关于第4方式，多个第一电感器连接于第一功率放大器的输出侧。多个第二电感器连接于第二功率放大器的输出侧。关于多个第一电感器和多个第二电感器，按作为电路而配置于相对相同的位置的第一电感器与第二电感器的组，使在该组的第一电感器中产生的磁通的方向与在该组的第二电感器中产生的磁通的方向互不相同。
根据该结构，能够抑制在通过同时通信进行第一发送信号和第二发送信号的双方的发送的情况下的隔离度的下降。
在第7方式的高频模块(1)中，关于第5方式或第6方式，多个第一电感器被配置成磁通的方向互不相同。
根据该结构，能够抑制第一发送信号的质量的下降。
在第8方式的高频模块(1)中，关于第5方式～第7方式中的任一个方式，多个第二电感器被配置成磁通的方向互不相同。
根据该结构，能够抑制第一发送信号的质量的下降。
在第9方式的高频模块(1)中，关于第4方式～第8方式中的任一个方式，第一功率放大器是第一差动功率放大器(13)。第二功率放大器是第二差动功率放大器(15)。第一差动功率放大器(13)具有第一变压器(120)。第二差动功率放大器(15)具有第二变压器(220)。在第一变压器(120)中产生的磁通(P2)的方向与在第二变压器(220)中产生的磁通(P4)的方向互不相同。
根据该结构，能够进一步抑制在通过同时通信进行第一发送信号和第二发送信号的双方的发送的情况下的隔离度的下降。
在第10方式的高频模块(1)中，关于第4方式～第9方式中的任一个方式，第一功率放大器是第一差动功率放大器(13)。第二功率放大器是第二差动功率放大器(15)。第一差动功率放大器(13)具有第一平衡-不平衡变换器(110)。第二差动功率放大器(15)具有第二平衡-不平衡变换器(210)。在第一平衡-不平衡变换器(110)中产生的磁通(P1)的方向与在第二平衡-不平衡变换器(210)中产生的磁通(P3)方向互不相同。
根据该结构，能够进一步抑制在通过同时通信进行第一发送信号和第二发送信号的双方的发送的情况下的隔离度的下降。
在第11方式的高频模块(1)中，关于第1方式～第10方式中的任一个方式，第一发送信号是在第四代移动通信标准中规定的第一频带的信号。第二发送信号是在第四代移动通信标准中规定的第二频带的信号。
根据该结构，能够抑制在通过同时通信来发送在第四代移动通信标准中规定的第一频带的信号以及在第四代移动通信标准中规定的第二频带的信号的情况下的隔离度的下降。
在第12方式的高频模块(1)中，关于第1方式～第10方式中的任一个方式，第一发送信号是在第五代移动通信标准中规定的第一频带的信号。第二发送信号是在第五代移动通信标准中规定的第二频带的信号。
根据该结构，能够抑制在通过同时通信来发送在第五代移动通信标准中规定的第一频带的信号以及在第五代移动通信标准中规定的第二频带的信号的情况下的隔离度的下降。
在第13方式的高频模块(1)中，关于第1方式～第10方式中的任一个方式，第一发送信号和第二发送信号中的一方的发送信号是在第四代移动通信标准中规定的第一频带的信号。第一发送信号和第二发送信号中的另一方的发送信号是在第五代移动通信标准中规定的第二频带的信号。
根据该结构，能够抑制在通过同时通信来发送在第四代移动通信标准中规定的第一频带的信号以及在第五代移动通信标准中规定的第二频带的信号的情况下的隔离度的下降。
在第14方式的高频模块(1A)中，关于第1方式～第3方式中的任一个方式，第一差动功率放大器(13A)不管被输入的第一发送信号的功率水平如何，都将第一发送信号放大并输出放大后的第一发送信号。第二差动功率放大器(15A)在被输入的第二发送信号的功率水平为基准功率水平以上时，将第二发送信号放大并输出放大后的所述第二发送信号。
根据该结构，能够抑制在通过同时通信进行发送的情况下的隔离度的下降。
在第15方式的高频模块(1A)中，关于第14方式，第一差动功率放大器(13A)具有第一电感器(L55)。第二差动功率放大器(15A)具有第二电感器(L65)。在第一电感器(L55)中产生的磁通(P63)的方向与在第二电感器(L65)中产生的磁通(P63)的方向互不相同。
根据该结构，能够抑制在通过同时通信进行发送的情况下的隔离度的下降。
第16方式的通信装置(500)具备：第1方式～第15方式中的任一个方式的高频模块(1)；以及信号处理电路(80)，其对通过高频模块(1)的高频信号进行处理。
根据该结构，能够抑制在通过同时通信进行第一发送信号和第二发送信号的双方的发送的情况下的隔离度的下降。
附图标记说明
1、1A：高频模块；2a、2b：天线端子；3：天线开关；4：第一发送滤波器；4A：滤波电路；5：第二发送滤波器；10、10A：放大部；10a：第一输入端子；10b：第一输出端子(输出端子)；10c、10d：端子；10e：第二输入端子；10f：第二输出端子；10g、10h：端子；11、11A：第一放大部；12、12A：第二放大部；13、13A：第一差动功率放大器；14：第一输出匹配电路；15、15A：第二差动功率放大器；16：第二输出匹配电路；31a、31b：公共端子；32、33：选择端子；50a、50b：天线；80：信号处理电路；81：基带信号处理电路；82：RF信号处理电路；101、101A：第一差动放大元件；102、102A：第二差动放大元件；110、110A：第一平衡-不平衡变换器(不平衡-平衡变换电路)；120、120A：第一变压器；201、201A：第三差动放大元件；202、202A：第四差动放大元件；210、210A：第二平衡-不平衡变换器；220、220A：第二变压器；300、300A：基板；301、301A：安装面；310、310A：第一芯片；320、320A：第二芯片；500：通信装置；C1、C2、C11、C12、C13、C21、C22、C31、C32、C33、C51、C52、C61、C62：电容器；L1、L51：输入侧第一阶线圈；L2、L52：输入侧第二阶线圈；L3、L53：输出侧第一阶线圈；L4、L54：输出侧第二阶线圈；L5、L25、L56、L66：线圈；L55：第一电感器；L11、L12、L13、L31、L32、L33：电感器；L21、L61：输入侧第三阶线圈；L22、L62：输入侧第四阶线圈；L23、L63：输出侧第三阶线圈；L24、L64：输出侧第四阶线圈；L65：第二电感器；P1、P2、P3、P4、P11、P12、P13、P21、P22、P23、P51、P52、P53、P61、P62、P63：磁通；R1、R2、R21、R22：电阻。

Claims (16)

1.一种高频模块，具备：
第一变压器，其包括在放大第一发送信号的第一差动功率放大器中；以及
第二变压器，其包括在放大第二发送信号的第二差动功率放大器中，所述第二发送信号是与所述第一发送信号被同时通信的信号，
其中，在所述第一变压器中产生的磁通的方向与在所述第二变压器中产生的磁通的方向互不相同。
2.一种高频模块，具备：
第一平衡-不平衡变换器，其包括在放大第一发送信号的第一差动功率放大器中；以及
第二平衡-不平衡变换器，其包括在放大第二发送信号的第二差动功率放大器中，所述第二发送信号是与所述第一发送信号被同时通信的信号，
其中，在所述第一平衡-不平衡变换器中产生的磁通的方向与在所述第二平衡-不平衡变换器中产生的磁通的方向互不相同。
3.根据权利要求2所述的高频模块，其中，
所述第一差动功率放大器还包括第一变压器，
所述第二差动功率放大器还包括第二变压器，
其中，在所述第一变压器中产生的磁通的方向与在所述第二变压器中产生的磁通的方向互不相同。
4.一种高频模块，具备：
第一功率放大器，其放大第一发送信号；
第二功率放大器，其放大第二发送信号，所述第二发送信号是与所述第一发送信号被同时通信的信号；
第一电感器，其连接于所述第一功率放大器的输出侧；以及
第二电感器，其连接于所述第二功率放大器的输出侧，
其中，在所述第一电感器中产生的磁通的方向与在所述第二电感器中产生的磁通的方向互不相同。
5.根据权利要求4所述的高频模块，其中，
多个所述第一电感器连接于所述第一功率放大器的输出侧，
多个所述第二电感器连接于所述第二功率放大器的输出侧，
关于多个所述第一电感器和多个所述第二电感器，按基于距离的第一电感器与第二电感器的组，在该组的所述第一电感器中产生的磁通的方向与在该组的所述第二电感器中产生的磁通的方向互不相同。
6.根据权利要求4所述的高频模块，其中，
多个所述第一电感器连接于所述第一功率放大器的输出侧，
多个所述第二电感器连接于所述第二功率放大器的输出侧，
关于多个所述第一电感器和多个所述第二电感器，按作为电路而配置于相对相同的位置的第一电感器与第二电感器的组，在该组的所述第一电感器中产生的磁通的方向与在该组的所述第二电感器中产生的磁通的方向互不相同。
7.根据权利要求5或6所述的高频模块，其中，
多个所述第一电感器的磁通的方向互不相同。
8.根据权利要求5～7中的任一项所述的高频模块，其中，
多个所述第二电感器的磁通的方向互不相同。
9.根据权利要求4～8中的任一项所述的高频模块，其中，
所述第一功率放大器是第一差动功率放大器，
所述第二功率放大器是第二差动功率放大器，
所述第一差动功率放大器具有第一变压器，
所述第二差动功率放大器具有第二变压器，
其中，在所述第一变压器中产生的磁通的方向与在所述第二变压器中产生的磁通的方向互不相同。
10.根据权利要求4～9中的任一项所述的高频模块，其中，
所述第一功率放大器是第一差动功率放大器，
所述第二功率放大器是第二差动功率放大器，
所述第一差动功率放大器具有第一平衡-不平衡变换器，
所述第二差动功率放大器具有第二平衡-不平衡变换器，
其中，在所述第一平衡-不平衡变换器中产生的磁通的方向与在所述第二平衡-不平衡变换器中产生的磁通的方向互不相同。
11.根据权利要求1～10中的任一项所述的高频模块，其中，
所述第一发送信号是在第四代移动通信标准中规定的第一频带的信号，
所述第二发送信号是在所述第四代移动通信标准中规定的第二频带的信号。
12.根据权利要求1～10中的任一项所述的高频模块，其中，
所述第一发送信号是在第五代移动通信标准中规定的第一频带的信号，
所述第二发送信号是在所述第五代移动通信标准中规定的第二频带的信号。
13.根据权利要求1～10中的任一项所述的高频模块，其中，
所述第一发送信号和所述第二发送信号中的一方的发送信号是在第四代移动通信标准中规定的第一频带的信号，另一方的发送信号是在第五代移动通信标准中规定的第二频带的信号。
14.根据权利要求1～3中的任一项所述的高频模块，其中，
所述第一差动功率放大器不管被输入的第一发送信号的功率水平如何，都将所述第一发送信号放大并输出放大后的所述第一发送信号，
所述第二差动功率放大器在被输入的第二发送信号的功率水平为基准功率水平以上时，将所述第二发送信号放大并输出放大后的所述第二发送信号。
15.根据权利要求14所述的高频模块，其中，
所述第一差动功率放大器具有第一电感器，
所述第二差动功率放大器具有第二电感器，
其中，在所述第一电感器中产生的磁通的方向与在所述第二电感器中产生的磁通的方向互不相同。
16.一种通信装置，具备：
根据权利要求1～15中的任一项所述的高频模块；以及
信号处理电路，其对通过所述高频模块的高频信号进行处理。
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