CN115867090A - 显示面板以及显示面板的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本公开涉及显示技术领域，特别涉及一种显示面板以及显示面板的制备方法。显示面板包括像素阵列基板，像素阵列基板包括阵列排布的多个像素单元；像素单元包括至少一个Micro‑LED子像素和至少一个OLED子像素；驱动电路板，像素阵列基板的Micro‑LED子像素和OLED子像素与驱动电路板键合电连接；Micro‑LED子像素和OLED子像素的发光颜色不同，相邻Micro‑LED子像素和OLED子像素共用阴极，Micro‑LED子像素的阴极作为反射层。本公开的技术方案，避免了相邻Micro‑LED子像素和OLED子像素之间的光串扰问题的同时，可实现较小的像素尺寸排布，从而有利于提高显示面板的显示效果。
Description
技术领域
本公开涉及显示技术领域，特别涉及一种显示面板以及显示面板的制备方法。
背景技术
随着微型投影机和可穿戴设备逐渐进入到现实生产与生活中，微型发光二极管(Micro Light Emitting Diode，Micro-LED)，以及有机发光二极管(OrganicMicro LightEmitting Diode， OLED)在显示技术领域的应用越来越广泛。
相关技术中，显示面板中包括多个发光器件，而相邻的发光器件之间的间距较小，难以在较小的间距之间添加光学隔离结构，导致相邻的发光器件存在光学串扰的问题，从而影响显示面板的显示效果。
发明内容
为了解决上述技术问题或者至少部分地解决上述技术问题，本公开提供了一种显示面板以及显示面板的制备方法，避免了相邻Micro-LED子像素和OLED子像素之间的光串扰问题的同时，可实现较小的像素尺寸排布，从而有利于提高显示面板的显示效果。
第一方面，本公开实施例提供了一种显示面板，包括：
像素阵列基板，所述像素阵列基板包括阵列排布的多个像素单元；所述像素单元包括至少一个Micro-LED子像素以及至少一个OLED子像素；
驱动电路板，所述像素阵列基板中的所述Micro-LED子像素以及所述OLED子像素与所述驱动电路板键合电连接；
其中，所述Micro-LED子像素和所述OLED子像素的发光颜色不同，所述Micro-LED子像素和所述OLED子像素间隔设置，相邻所述Micro-LED子像素和所述OLED子像素共用阴极，所述Micro-LED子像素的阴极作为反射层。
在一些实施例中，所述Micro-LED子像素的发光颜色为蓝色；
所述OLED子像素的发光颜色为红色、绿色或黄色。
在一些实施例中，所述LED子像素的阴极沿所述Micro-LED子像素的侧壁延伸设置。
在一些实施例中，所述像素阵列基板还包括封装层，所述封装层位于所述像素单元的出光侧。
在一些实施例中，所述封装层朝向所述像素单元的一面设置有反射结构。
第二方面，本公开实施例还提供了一种显示面板的制备方法，包括：
制备像素阵列基板；
提供驱动电路板，并将所述像素阵列基板中的Micro-LED子像素以及OLED子像素与所述驱动电路板键合电连接；
其中，所述像素阵列基板包括阵列排布的多个像素单元；所述像素单元包括至少一个Micro-LED子像素以及至少一个OLED子像素；所述Micro-LED子像素和所述OLED子像素的发光颜色不同，所述Micro-LED子像素和所述OLED子像素间隔设置，相邻所述Micro-LED子像素和所述OLED子像素共用阴极，所述Micro-LED子像素的阴极作为反射层。
在一些实施例中，所述制备像素阵列基板，提供驱动电路板，并将所述像素阵列基板中的Micro-LED子像素以及OLED子像素与所述驱动电路板键合电连接，包括：
提供载板；
在所述载板上形成LED外延叠层结构，刻蚀所述LED外延叠层结构形成多个Micro-LED岛结构；
在所述Micro-LED岛结构上形成第一绝缘层，以及在所述第一绝缘层上形成阴极，所述阴极连接所述Micro-LED岛结构的电子传输层；
在所述阴极以及所述第一绝缘层上开设第一过孔，所述第一过孔露出所述Micro-LED岛结构的空穴传输层；
在所述Micro-LED岛结构以及相邻所述Micro-LED岛结构的间隙覆盖第二绝缘层，并在所述第一过孔位置处开设第二过孔，以及在相邻所述Micro-LED岛结构之间间隙处开设第三过孔，所述第二过孔露出所述Micro-LED岛结构的空穴传输层；
在所述第二过孔以及所述第三过孔中形成阳极，以使所述Micro-LED岛结构的空穴传输层与所述阳极电连接，形成Micro-LED子像素，以制备预置像素阵列基板；
提供驱动电路板，将所述驱动电路板的焊盘与所述阳极键合电连接；
去除所述载板，在相邻所述Micro-LED岛结构之间开设第四过孔，所述第四过孔露出所述第三过孔中的阳极以及露出所述部分所述阴极；
在所述第四过孔中形成OLED叠层结构，所述OLED叠层结构的电子传输层与所述第四过孔露出的所述阴极电连接，所述OLED叠层结构的空穴传输层与所述第三过孔中的阳极电连接，形成OLED子像素。
在一些实施例中，所述在载板上形成LED外延叠层结构，刻蚀所述LED外延叠层结构形成多个Micro-LED岛结构，包括：
在载板上形成缓冲层；
在所述缓冲层上形成LED外延叠层结构；
刻蚀所述LED外延叠层结构形成纵向连通的第一凹槽和第二凹槽，形成多个Micro-LED岛结构；
其中，所述第一凹槽贯穿至所述Micro-LED岛结构的部分电子传输层；所述第二凹槽的一端与所述第一凹槽连通，所述第二凹槽的另一端贯穿至所述缓冲层。
在一些实施例中，所述在载板上形成LED外延叠层结构，刻蚀所述LED外延叠层结构形成多个Micro-LED岛结构，还包括：
在载板上形成缓冲层；
在所述缓冲层上形成LED外延叠层结构；
在所述LED外延叠层结构中刻蚀第三凹槽，形成多个Micro-LED岛结构；
其中，所述第三凹槽贯穿至所述Micro-LED岛结构的部分电子传输层。
在一些实施例中，所述制备形成像素阵列基板，包括：
在载板上形成LED外延叠层结构，刻蚀所述LED外延叠层结构形成多个Micro-LED岛结构；
在所述Micro-LED岛结构上形成第一绝缘层，以及在所述第一绝缘层上形成阴极，所述阴极连接所述Micro-LED岛结构的电子传输层；
在所述阴极以及所述第一绝缘层上开设第一过孔，所述第一过孔露出所述Micro-LED岛结构的空穴传输层；
在所述Micro-LED岛结构以及相邻所述Micro-LED岛结构的间隙覆盖第二绝缘层，并在所述第一过孔位置处开设第二过孔，以及在相邻所述Micro-LED岛结构之间间隙处开设第五过孔，所述第二过孔露出所述Micro-LED岛结构的空穴传输层，所述第五过孔露出部分所述阴极；
在所述第五过孔中形成OLED叠层结构，所述OLED叠层结构的电子传输层与所述第五过孔露出的所述阴极电连接；
在所述第五过孔中的所述OLED叠层结构上以及所述第二过孔中形成阳极，以使所述OLED叠层结构的空穴传输层与所述第五过孔中的阳极电连接形成OLED子像素，所述Micro-LED岛结构的空穴传输层与所述第二过孔中的阳极电连接形成Micro-LED子像素。
在一些实施例中，所述显示面板的制备方法，还包括：
在所述Micro-LED子像素以及OLED子像素的出光侧形成封装层。
本公开实施例提供的显示面板包括：像素阵列基板，像素阵列基板包括阵列排布的多个像素单元；像素单元包括至少一个Micro-LED子像素以及至少一个OLED子像素；驱动电路板，像素阵列基板中的Micro-LED子像素以及OLED子像素与驱动电路板键合电连接；其中，Micro-LED子像素和OLED子像素的发光颜色不同，Micro-LED子像素和OLED子像素间隔设置，相邻Micro-LED子像素和OLED子像素共用阴极，Micro-LED子像素的阴极作为反射层。由此，通过设置显示面板包括像素阵列基板，像素阵列基板包括阵列排布的多个像素单元；像素单元包括至少一个Micro-LED子像素以及至少一个OLED子像素，且Micro-LED子像素和OLED子像素的发光颜色不同，从而实现显示面板的彩色化显示。通过设置相邻Micro-LED子像素以及OLED子像素共阴极，一方面可实现相邻Micro-LED子像素与OLED子像素之间的紧密排布，从而有利于显示面板实现更紧密的像素排布，以提高显示面板的显示效果；另一方面，相邻Micro-LED子像素以及OLED子像素共阴极，避免了相邻Micro-LED子像素和OLED子像素之间的光串扰问题，进而有利于提高显示面板的显示效果。
附图说明
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。
为了更清楚地说明本公开实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本公开实施例提供的一种显示面板的结构示意图；
图2为本公开实施例提供的一种反射层抑制光串扰的示意图；
图3为本公开实施例提供的另一种显示面板的结构示意图；
图4为本公开实施例提供的又一种显示面板的结构示意图；
图5为本公开实施例提供的一种显示面板的制备方法的流程示意图；
图6为本公开实施例提供的一种显示面板的制备方法的具体流程示意图；
图7为本公开实施例提供的一种制备显示面板的工艺流程图；
图8为本公开实施例提供的另一种制备显示面板的工艺流程图；
图9为本公开实施例提供的一种形成Micro-LED岛结构的工艺流程图；
图10为本公开实施例提供的另一种形成Micro-LED岛结构的工艺流程图；
图11为本公开实施例提供的一种制备像素阵列基板的工艺流程图。
具体实施方式
为了能够更清楚地理解本公开的上述目的、特征和优点，下面将对本公开的方案进行进一步描述。需要说明的是，在不冲突的情况下，本公开的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本公开，但本公开还可以采用其他不同于在此描述的方式来实施；显然，说明书中的实施例只是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。
本公开实施例提供的显示面板，通过设置显示面板包括像素阵列基板，像素阵列基板包括阵列排布的多个像素单元；像素单元包括至少一个Micro-LED子像素以及至少一个OLED子像素，且Micro-LED子像素和OLED子像素的发光颜色不同，从而实现显示面板的彩色化显示。通过设置相邻Micro-LED子像素以及OLED子像素共阴极，一方面可实现相邻Micro-LED子像素与OLED子像素之间的紧密排布，从而有利于显示面板实现更紧密的像素排布，以提高显示面板的显示效果；另一方面，相邻Micro-LED子像素以及OLED子像素共阴极，避免了相邻Micro-LED子像素和OLED子像素之间的光串扰问题，进而有利于提高显示面板的显示效果。
下面结合附图，对本公开实施例提供的显示面板以及显示面板的制备方法进行示例性说明。
图1为本公开实施例提供的一种显示面板的结构示意图。如图1所示，显示面板010包括：像素阵列基板011，像素阵列基板011包括阵列排布的多个像素单元；像素单元包括至少一个Micro-LED子像素012以及至少一个OLED子像素13；驱动电路板14，像素阵列基板011中的Micro-LED子像素012以及OLED子像素13与驱动电路板14键合电连接；其中，Micro-LED子像素012和OLED子像素13的发光颜色不同，Micro-LED子像素和OLED子像素间隔设置，相邻Micro-LED子像素和OLED子像素共用阴极，Micro-LED子像素的阴极作为反射层。
具体地，设置像素阵列基板011包括多个像素单元，多个像素单元呈阵列排布在像素阵列基板011中，图1中示例性地示出了七个像素单元，七个像素单元中包括四个Micro-LED子像素012以及三个OLED子像素13。像素阵列基板011中的Micro-LED子像素012以及OLED子像素13可通过例如但不限于加热的方式与驱动电路板14键合电连接，以形成显示面板010。
其中，Micro-LED子像素012包括阴极18、阳极19、Micro-LED电子传输层20、Micro-LED发光层21和Micro-LED空穴传输层22；OLED子像素13包括阴极18、阳极19、OLED电子传输层15、OLED发光层16和OLED空穴传输层17。其中，形成阴极18的材料为第一导体，形成阳极19的材料为第二导体。所述阴极18可作为相邻Micro-LED子像素012和OLED子像素13的共阴极。具体地，如图1所示，相邻的Micro-LED子像素012和OLED子像素13共用一个阴极18，且OLED子像素13的阴极18沿Micro-LED子像素012的侧壁延伸设置。
由此，通过在竖直方向上且沿Micro-LED子像素012的侧壁设置的阴极18可作为相邻的Micro-LED子像素012与OLED子像素13的共阴极，有利于显示面板实现更紧密的像素排布，从而利于提高显示面板的显示效果。具体地，将Micro-LED子像素012的阴极18（与Micro-LED子像素相邻的OLED子像素13的阴极18）作为反射层，在实现相邻Micro-LED子像素012和OLED子像素13出光的同时，有利于抑制相邻Micro-LED子像素012和OLED子像素13之间的光串扰问题。
示例性地，图2为本公开实施例提供的一种反射层抑制光串扰的示意图。在图1的基础上，参照图2，从Micro-LED发光层21发出的光经过阴极18反射往上发出，如图2中箭头所示；而相邻的OLED发光层16发出的光经过阴极18反射往上发出，如图2中箭头所示。
由此，将Micro-LED子像素012的阴极18作为反射层避免了相邻Micro-LED子像素012和OLED子像素13之间的光串扰问题，有利于提高显示面板的显示效果。
其中，Micro-LED子像素012的发光颜色与OLED子像素13的发光颜色不同，由此设置显示面板010包括至少一个Micro-LED子像素012以及至少一个OLED子像素13，通过Micro-LED和OLED的电致发光即可实现显示面板010发出不同的颜色，从而实现显示面板010的彩色化显示。
由此，本公开实施例提供的显示面板，通过设置显示面板包括像素阵列基板，像素阵列基板包括阵列排布的多个像素单元；像素单元包括至少一个Micro-LED子像素以及至少一个OLED子像素，且Micro-LED子像素和OLED子像素的发光颜色不同，从而实现显示面板的彩色化显示。通过设置相邻Micro-LED子像素以及OLED子像素共阴极，一方面可实现相邻Micro-LED子像素与OLED子像素之间的紧密排布，从而有利于显示面板实现更紧密的像素排布，以提高显示面板的显示效果；另一方面，相邻Micro-LED子像素以及OLED子像素共阴极，避免了相邻Micro-LED子像素和OLED子像素之间的光串扰问题，进而有利于提高显示面板的显示效果。
相关技术中，在显示面板中设置一种发光器件例如蓝光器件，通过该蓝光器件作为激发光源激发荧光粉或量子点材料，以实现显示面板的彩色化显示。上述蓝光器件通电发蓝光即电致发光，随后通过蓝光作为激发光源，激发荧光粉或量子点材料，即通过光致发光进行辐射发光，以实现显示面板的彩色化显示。其中，光致发光导致像素响应时间延长。此外，光致发光将导致部分能量的损失，且激发不同颜色的荧光粉或量子点材料所需光强不同，将导致像素颜色分布不均匀的问题。
相较于相关技术，本公开实施例通过设置显示面板包括至少一个Micro-LED子像素以及至少一个OLED子像素，Micro-LED子像素和OLED子像素的发光颜色不同，由此通过Micro-LED和OLED的电致发光即可实现显示面板发出不同的颜色，从而实现显示面板的彩色化显示，避免了相关技术中通过电致发光，再结合光致发光进行辐射发光，从而提高了能量利用率，有利于缩短像素的响应时长以及优化颜色分布的均匀度。
另外，本公开实施例提供的显示面板通过先设置包括多个像素单元即发光器件的像素阵列基板，将包括多个发光器件的像素阵列基板与驱动电路板组装形成显示面板，可避免相关技术中采用巨量转移设备将发光器件大规模移植到驱动电路板上，从而避免了通过巨量转移方式使得制备的显示面板难以实现较小的像素尺寸排布，以及难以实现较高分辨率的问题。
在一些实施例中，继续参照图1，Micro-LED子像素012的发光颜色为蓝色；OLED子像素13的发光颜色为红色、黄色或绿色。
具体地，Micro-LED发蓝光效率最佳，以及发蓝光的稳定性最佳。因此，本公开实施例设置Micro-LED发光层21发蓝光，则Micro-LED子像素012的发光颜色为蓝色。
具体地，可设置OLED发光层16发红光、黄光或绿光，则OLED子像素13的发光颜色为红色、黄色或绿色。需要说明的是，本公开实施例优选的实施方式是设置OLED子像素13的发光颜色为红色。
由此，本公开实施例可将发蓝光的Micro-LED和发红光的OLED集成在一个显示面板中，分别发挥了Micro-LED发蓝光的优势以及OLED发红光的优势，以实现一种彩色化显示的显示面板，有利于提高显示面板的显示效果，从而有利于提高用户体验感。
在一些实施例中，图3为本公开实施例提供的另一种显示面板的结构示意图。如图3所示，像素阵列基板011还包括封装层23，封装层23位于像素单元的出光侧。
具体地，可在像素单元的出光侧设置封装层23例如但不限于封装盖板。其中，使用封装层23对像素单元进行密封，以防像素单元被外接外界环境中的水氧腐蚀，从而影响像素单元的发光效果。
示例性地，在手套箱中隔绝水氧进行封装，此时像素单元与封装盖板间填充氮气，仅在封装层23例如封装盖板边缘涂环氧树脂或常见固化胶进行封装即可；还可在像素单元的表面旋涂光学胶水，随后直接盖上封装盖板进行固化，此时像素单元与封装盖板间为光学胶水全填充，光学胶水以提高光取出；还可根据本领域技术人员熟知的其他技术手段对像素单元进行密封；本公开实施例对此不作具体限定。
在一些实施例中，图4为本公开实施例提供的又一种显示面板的结构示意图。在图3的基础上，参照图4，封装层23朝向像素单元的一面设置有反射结构24。
具体地，封装层23朝向像素单元的一面的表面上镶嵌有反射结构24，如图4所示的虚线圈的局部放大图，通过设置反射结构24以抑制表面全反射现象导致的光学串扰问题。
在上述实施方式的基础上，本公开实施例还提供了一种显示面板的制备方法。图5为本公开实施例提供的一种显示面板的制备方法的流程示意图。如图5所示，显示面板的制备方法包括：
S501、制备像素阵列基板。
具体地，制备像素阵列基板011。如图1所示，像素阵列基板011包括阵列排布的多个像素单元；像素单元包括至少一个Micro-LED子像素012以及至少一个OLED子像素13；Micro-LED子像素012和OLED子像素13的发光颜色不同。制备像素阵列基板011为后续制作显示面板010做准备工作，具体如何制备像素阵列基板，在下文中详述。
其中，像素阵列基板包括阵列排布的多个像素单元，像素单元包括至少一个Micro-LED子像素012以及至少一个OLED子像素13；Micro-LED子像素012和OLED子像素13的发光颜色不同；Micro-LED子像素012和OLED子像素13间隔设置，相邻Micro-LED子像素012和OLED子像素13共用阴极，Micro-LED子像素的阴极作为反射层。具体地，可参照上述实施例进行理解，在此不赘述。
S502、提供驱动电路板，并将像素阵列基板中的Micro-LED子像素以及OLED子像素与驱动电路板键合电连接。
具体地，制备如图1所示的驱动电路板14。随后，将像素阵列基板011的Micro-LED子像素012以及OLED子像素13与驱动电路板14键合电连接，以形成显示面板010。
在一些实施例中，图6为本公开实施例提供的一种显示面板的制备方法的具体流程示意图。结合图5和图6，图5中的S501制备像素阵列基板，提供驱动电路板，以及S502将像素阵列基板中的Micro-LED子像素以及OLED子像素与驱动电路板键合电连接，包括：
S601、提供载板。
具体地，为后续制备像素阵列基板提供载板31。
S602、在载板上形成LED外延叠层结构，刻蚀LED外延叠层结构形成多个Micro-LED岛结构。
具体地，图7为本公开实施例提供的一种制备显示面板的工艺流程图，图8为本公开实施例提供的另一种制备显示面板的工艺流程图。图6中示出的显示面板的制备方法的具体流程示意图可参照图7所示的工艺流程，或参照图8所示的工艺流程。
如图7或图8所示，在载板31上形成LED外延叠层结构（图中未示出），刻蚀LED外延叠层结构形成多个Micro-LED岛结构32。
需要说明的是，图7示出的S601中的Micro-LED岛结构32与图8示出的S602中的Micro-LED岛结构32的形状不同。图7示出的S602中相邻Micro-LED岛结构32之间未连接，而图8示出的S602中相邻Micro-LED岛结构32之间连接，可参照图7以及图8示出的工艺流程图理解，在此不赘述。
在一些实施例中，图9为本公开实施例提供的一种形成Micro-LED岛结构的工艺流程图。在图6和图7的基础上，参照图9，图6中的S601在载板上形成LED外延叠层结构，刻蚀LED外延叠层结构形成多个Micro-LED岛结构，包括：
S901、在载板上形成缓冲层；
S902、在缓冲层上形成LED外延叠层结构；
S903、刻蚀LED外延叠层结构形成纵向连通的第一凹槽和第二凹槽，形成多个Micro-LED岛结构。
具体地，如图9所示，先在载板31上淀积绝缘材料形成缓冲层33；随后在缓冲层33上淀积LED外延片以形成LED外延叠层结构34；最后对LED外延叠层结构34进行刻蚀形成纵向连通的第一凹槽35和第二凹槽36，以形成图9中的多个Micro-LED岛结构32。
其中，第一凹槽35贯穿至Micro-LED岛结构的部分电子传输层，其中电子传输层为Micro-LED电子传输层20；第二凹槽36的一端与第一凹槽35连通，第二凹槽36的另一端贯穿至缓冲层33。
需要说明的是，图9中示出的形成多个Micro-LED岛结构的工艺流程对应于图7中示出的S602。
在一些实施例中，图10为本公开实施例提供的另一种形成Micro-LED岛结构的工艺流程图。在图6和图8的基础上，参照图10，图6中的S601在载板上形成LED外延叠层结构，刻蚀LED外延叠层结构形成多个Micro-LED岛结构，包括：
S011、在载板上形成缓冲层；
S012、在缓冲层上形成LED外延叠层结构；
S013、在LED外延叠层结构中刻蚀第三凹槽，形成多个Micro-LED岛结构。
具体地，如图10所示，先在载板31上淀积绝缘材料形成缓冲层33；随后在缓冲层33上淀积Micro-LED外延片以形成LED外延叠层结构34；最后在LED外延叠层结构34中刻蚀第三凹槽37，以形成图10中的多个Micro-LED岛结构32。其中，第三凹槽37贯穿至Micro-LED岛结构32的部分电子传输层，其中电子传输层为Micro-LED电子传输层20。
需要说明的是，图10中示出的形成多个Micro-LED岛结构的工艺流程对应于图8中示出的S602。
S603、在Micro-LED岛结构上形成第一绝缘层，以及在第一绝缘层上形成阴极，阴极连接Micro-LED岛结构的电子传输层。
具体地，参照图7或图8所示，在Micro-LED岛结构32上沉积绝缘材料以形成第一绝缘层38，随后在第一绝缘层38上沉积第一导体，将第一导体作为Micro-LED的阴极18，阴极18连接Micro-LED岛结构32的电子传输层，其中电子传输层为Micro-LED电子传输层20。
S604、在阴极以及第一绝缘层上开设第一过孔，第一过孔露出Micro-LED岛结构的空穴传输层。
具体地，参照图7或图8所示，在Micro-LED岛结构32的阴极18以及第一绝缘层38上刻蚀形成第一过孔39，第一过孔露出Micro-LED岛结构32的空穴传输层，其中空穴传输层为Micro-LED空穴传输层22。
S605、在Micro-LED岛结构以及相邻Micro-LED岛结构的间隙覆盖第二绝缘层，并在第一过孔位置处开设第二过孔，以及在相邻Micro-LED岛结构之间间隙处开设第三过孔，第二过孔露出Micro-LED岛结构的空穴传输层。
具体地，参照图7或图8所示，在Micro-LED岛结构32以及相邻Micro-LED岛结构32的间隙沉积绝缘材料以形成第二绝缘层40。在第一过孔39位置刻蚀形成第二过孔41，在相邻Micro-LED岛结构32之间间隙处刻蚀形成第三过孔42。其中，第二过孔41露出Micro-LED岛结构32的空穴传输层。
S606、在第二过孔以及第三过孔中形成阳极，以使Micro-LED岛结构的空穴传输层与阳极电连接，形成Micro-LED子像素，以制备预置像素阵列基板。
具体地，参照图7或图8所示，在第二过孔41以及第三过孔42中沉积第二导体，第二过孔41中沉积的第二导体形成Micro-LED岛结构32的阳极19，与Micro-LED岛结构的空穴传输层即Micro-LED空穴传输层22电连接，从而形成Micro-LED子像素，以制备预置像素阵列基板。其中，预置像素阵列基板中已形成有Micro-LED子像素，还未形成OLED子像素。
需要说明的是，第三过孔42中沉积的第二导体作为OLED子像素的阳极19，在下文中详述。
S607、提供驱动电路板，将驱动电路板的焊盘与阳极键合电连接。
参照图7或图8所示，制备驱动电路板14，驱动电路板14与像素阵列基板011键合电连接。具体地，驱动电路板14中对应于Micro-LED子像素以及OLED子像素的阳极19所在位置设置有焊盘43，驱动电路板14的焊盘43与阳极19键合电连接。
S608、去除像素阵列基板的载板，在相邻Micro-LED岛结构之间开设第四过孔，第四过孔露出第三过孔中的阳极以及露出部分阴极。
具体地，参照图7或图8所示，通过背部减薄或湿刻，剥除像素阵列基板011的载板31，将载板31除去，随后在相邻Micro-LED岛结构32之间刻蚀形成第四过孔44，第四过孔44露出第三过孔42中的阳极19，以及露出部分阴极18。
S609、在第四过孔中形成OLED叠层结构，以及在OLED叠层结构的电子传输层的边缘覆盖阴极，OLED叠层结构的电子传输层与第四过孔露出的阴极电连接，OLED叠层结构的空穴传输层与第三过孔中的阳极电连接，形成OLED子像素。
具体地，参照图7或图8所示，通过有机蒸镀的方法，在第四过孔依次镀上OLED空穴传输层17、OLED发光层16和OLED电子传输层15，以形成OLED叠层结构；随后在OLED叠层结构的OLED电子传输层15的边缘沉积第一导体，以形成OLED叠层结构的阴极18。其中，OLED叠层结构的OLED电子传输层15与第四过孔44露出的阴极18电连接，OLED叠层结构的OLED空穴传输层17与第三过孔42中形成的OLED叠层结构的阳极19电连接，从而形成OLED子像素。
在一些实施例中，图11为本公开实施例提供的一种制备像素阵列基板的工艺流程图。在图5的基础上结合图11，图5中的S501制备形成像素阵列基板，包括：
S111、在载板上形成LED外延叠层结构，刻蚀LED外延叠层结构形成多个Micro-LED岛结构。
具体地，如图11所示，在载板31上形成LED外延叠层结构（图中未示出），刻蚀LED外延叠层结构形成多个Micro-LED岛结构32。
S112、在Micro-LED岛结构上形成第一绝缘层，以及在第一绝缘层上形成阴极，阴极连接Micro-LED岛结构的电子传输层。
具体地，参照图11，在Micro-LED岛结构32上沉积绝缘材料以形成第一绝缘层38，随后在第一绝缘层38上沉积第一导体，以形成Micro-LED岛结构32的阴极18，阴极18连接Micro-LED岛结构32的电子传输层，其中电子传输层为Micro-LED电子传输层20。
S113、在阴极以及第一绝缘层上开设第一过孔，第一过孔露出Micro-LED岛结构的空穴传输层。
具体地，参照图11，在Micro-LED岛结构32的阴极18以及第一绝缘层38上刻蚀形成第一过孔39，第一过孔露出Micro-LED岛结构32的空穴传输层，其中空穴传输层为Micro-LED空穴传输层22。
S114、在Micro-LED岛结构以及相邻Micro-LED岛结构的间隙覆盖第二绝缘层，并在第一过孔位置处开设第二过孔，以及在相邻Micro-LED岛结构之间间隙处开设第五过孔，第二过孔露出Micro-LED岛结构的空穴传输层，第五过孔露出部分阴极。
具体地，参照图11，在Micro-LED岛结构32以及相邻Micro-LED岛结构32的间隙沉积绝缘材料以形成第二绝缘层40。在第一过孔39位置刻蚀形成第二过孔41，在相邻Micro-LED岛结构32之间间隙处刻蚀形成第五过孔45。其中，第二过孔41露出Micro-LED岛结构32的空穴传输层，第五过孔45露出部分阴极18。
S115、在第五过孔中形成OLED叠层结构，OLED叠层结构的电子传输层与第五过孔露出的阴极电连接。
具体地，参照图11，通过有机蒸镀的方法，在第五过孔45依次镀上OLED电子传输层15、OLED发光层16和OLED空穴传输层17，以形成OLED叠层结构，且OLED电子传输层15与第五过孔45露出的阴极18电连接。
S116、在第五过孔中的OLED叠层结构上以及第二过孔中形成阳极，以使OLED叠层结构的空穴传输层与第五过孔中的阳极电连接形成OLED子像素，Micro-LED岛结构的空穴传输层与第二过孔中的阳极电连接形成Micro-LED子像素。
具体地，参照图11，在第二过孔41中以及在第五过孔45中的OLED叠层结构上沉积第二导体，以使OLED叠层结构的空穴传输层与第五过孔45中的阳极19电连接形成OLED子像素，以及Micro-LED岛结构的空穴传输层与第二过孔41中的阳极19电连接形成Micro-LED子像素。其中，第二过孔41中沉积的第二导体形成Micro-LED子像素的阳极19；第五过孔45中的OLED叠层结构上沉积的第二导体形成OLED子像素的阳极19。
在一些实施例中，显示面板的制备方法，还包括：
在Micro-LED子像素以及OLED子像素的出光侧形成封装层。
具体地，如图1所示，在Micro-LED子像素012以及OLED子像素13的出光侧设置封装层23例如但不限于封装盖板。其中，使用封装层23对像素单元进行密封，以防像素单元被外接外界环境中的水氧腐蚀，从而影响像素单元的发光效果。
需要说明的是，在本文中，诸如“第一”和“第二”等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
以上仅是本公开的具体实施方式，使本领域技术人员能够理解或实现本公开。对这些实施例的多种修改对本领域的技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本公开的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本公开将不会被限制于本文的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
Claims (11)
1.一种显示面板，其特征在于，包括：
像素阵列基板，所述像素阵列基板包括阵列排布的多个像素单元；所述像素单元包括至少一个Micro-LED子像素以及至少一个OLED子像素；
驱动电路板，所述像素阵列基板中的所述Micro-LED子像素以及所述OLED子像素与所述驱动电路板键合电连接；
其中，所述Micro-LED子像素和所述OLED子像素的发光颜色不同，所述Micro-LED子像素和所述OLED子像素间隔设置，相邻所述Micro-LED子像素和所述OLED子像素共用阴极，所述Micro-LED子像素的阴极作为反射层。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述Micro-LED子像素的发光颜色为蓝色；
所述OLED子像素的发光颜色为红色、绿色或黄色。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述OLED子像素的阴极沿所述Micro-LED子像素的侧壁延伸设置。
4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述像素阵列基板还包括封装层，所述封装层位于所述像素单元的出光侧。
5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述封装层朝向所述像素单元的一面设置有反射结构。
6.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括：
制备像素阵列基板；
提供驱动电路板，并将所述像素阵列基板中的Micro-LED子像素以及OLED子像素与所述驱动电路板键合电连接；
其中，所述像素阵列基板包括阵列排布的多个像素单元；所述像素单元包括至少一个Micro-LED子像素以及至少一个OLED子像素；所述Micro-LED子像素和所述OLED子像素的发光颜色不同，所述Micro-LED子像素和所述OLED子像素间隔设置，相邻所述Micro-LED子像素和所述OLED子像素共用阴极，所述Micro-LED子像素的阴极作为反射层。
7.根据权利要求6所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述制备像素阵列基板，提供驱动电路板，并将所述像素阵列基板中的Micro-LED子像素以及OLED子像素与所述驱动电路板键合电连接，包括：
提供载板；
在所述载板上形成LED外延叠层结构，刻蚀所述LED外延叠层结构形成多个Micro-LED岛结构；
在所述Micro-LED岛结构上形成第一绝缘层，以及在所述第一绝缘层上形成阴极，所述阴极连接所述Micro-LED岛结构的电子传输层；
在所述阴极以及所述第一绝缘层上开设第一过孔，所述第一过孔露出所述Micro-LED岛结构的空穴传输层；
在所述Micro-LED岛结构以及相邻所述Micro-LED岛结构的间隙覆盖第二绝缘层，并在所述第一过孔位置处开设第二过孔，以及在相邻所述Micro-LED岛结构之间间隙处开设第三过孔，所述第二过孔露出所述Micro-LED岛结构的空穴传输层；
在所述第二过孔以及所述第三过孔中形成阳极，以使所述Micro-LED岛结构的空穴传输层与所述阳极电连接，形成Micro-LED子像素，以制备预置像素阵列基板；
提供驱动电路板，将所述驱动电路板的焊盘与所述阳极键合电连接；
去除所述载板，在相邻所述Micro-LED岛结构之间开设第四过孔，所述第四过孔露出所述第三过孔中的阳极以及露出部分所述阴极；
在所述第四过孔中形成OLED叠层结构，所述OLED叠层结构的电子传输层与所述第四过孔露出的所述阴极电连接，所述OLED叠层结构的空穴传输层与所述第三过孔中的阳极电连接，形成OLED子像素。
8.根据权利要求7所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述在载板上形成LED外延叠层结构，刻蚀所述LED外延叠层结构形成多个Micro-LED岛结构，包括：
在载板上形成缓冲层；
在所述缓冲层上形成LED外延叠层结构；
刻蚀所述LED外延叠层结构形成纵向连通的第一凹槽和第二凹槽，形成多个Micro-LED岛结构；
其中，所述第一凹槽贯穿至所述Micro-LED岛结构的部分电子传输层；所述第二凹槽的一端与所述第一凹槽连通，所述第二凹槽的另一端贯穿至所述缓冲层。
9.根据权利要求7所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述在载板上形成LED外延叠层结构，刻蚀所述LED外延叠层结构形成多个Micro-LED岛结构，还包括：
在载板上形成缓冲层；
在所述缓冲层上形成LED外延叠层结构；
在所述LED外延叠层结构中刻蚀第三凹槽，形成多个Micro-LED岛结构；
其中，所述第三凹槽贯穿至所述Micro-LED岛结构的部分电子传输层。
10.根据权利要求6所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述制备形成像素阵列基板，包括：
在载板上形成LED外延叠层结构，刻蚀所述LED外延叠层结构形成多个Micro-LED岛结构；
在所述Micro-LED岛结构上形成第一绝缘层，以及在所述第一绝缘层上形成阴极，所述阴极连接所述Micro-LED岛结构的电子传输层；
在所述阴极以及所述第一绝缘层上开设第一过孔，所述第一过孔露出所述Micro-LED岛结构的空穴传输层；
在所述Micro-LED岛结构以及相邻所述Micro-LED岛结构的间隙覆盖第二绝缘层，并在所述第一过孔位置处开设第二过孔，以及在相邻所述Micro-LED岛结构之间间隙处开设第五过孔，所述第二过孔露出所述Micro-LED岛结构的空穴传输层，所述第五过孔露出部分所述阴极；
在所述第五过孔中形成OLED叠层结构，所述OLED叠层结构的电子传输层与所述第五过孔露出的所述阴极电连接；
在所述第五过孔中的所述OLED叠层结构上以及所述第二过孔中形成阳极，以使所述OLED叠层结构的空穴传输层与所述第五过孔中的阳极电连接形成OLED子像素，所述Micro-LED岛结构的空穴传输层与所述第二过孔中的阳极电连接形成Micro-LED子像素。
11.根据权利要求6所述的显示面板的制备方法，其特征在于，还包括：
在所述Micro-LED子像素以及OLED子像素的出光侧形成封装层。
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