CN115863147A - 降低胶带研磨后硅片表面金属和颗粒的清洗方法 - Google Patents
降低胶带研磨后硅片表面金属和颗粒的清洗方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN115863147A CN115863147A CN202211555139.3A CN202211555139A CN115863147A CN 115863147 A CN115863147 A CN 115863147A CN 202211555139 A CN202211555139 A CN 202211555139A CN 115863147 A CN115863147 A CN 115863147A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- silicon wafer
- cleaning
- particles
- metal
- washing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
本发明涉及一种降低胶带研磨后硅片表面金属和颗粒的清洗方法，所属半导体加工技术领域，包括如下操作步骤：第一步：使用TSC‑1活化剂与水的混合物对胶带研磨后的硅片进行浸泡清洗。第二步：采用去离子水冲洗。第三步：使用SC‑1清洗液对硅片进行浸泡清洗。第四步：接着再使用SC‑1清洗液对硅片进行第二次的浸泡清洗。第五步：通过QDR工艺进行硅片表面进行冲洗、鼓泡、风淋。第六步：采用SC‑2清洗液对硅片进行浸泡清洗。第七步：通过QDR工艺进行硅片表面进行冲洗、鼓泡、风淋。第八步：采用去离子水冲洗，最后进行烘干完成清洗过程。将硅片表面颗粒污染降到0.3um≤50颗以内，金属Na、Al污染降到20E10以内，Cr，Fe，Ni，Cu降到5F10以内。
Description
技术领域
本发明涉及半导体加工技术领域，具体涉及一种降低胶带研磨后硅片表面金属和颗粒的清洗方法。
背景技术
中国专利《一种研磨硅片清洗方法》，申请号为：201910105318.9，公开了其方法依次包括预清洗和清洗步骤，其中预清洗依次顺序包括鼓泡吹洗、预清洗液清洗和纯水清洗；清洗包括免超声药液清洗和纯水清洗，其中免超声药液清洗和纯水清洗交替进行若干次。
免超声药液清洗和纯水清洗交替进行的步骤包括：第一次纯水清洗、第一次碱洗液清洗、第二次纯水清洗、第二次碱洗液清洗、第三次纯水清洗、氧化清洗液清洗，第四次纯水清洗；优选的，第四次纯水清洗后对研磨硅片甩干。
胶带研磨工艺是硅片断面处理方法的一种。工作原理是使用特殊胶带通过轮盘带动转动，将硅片边缘倒角上的二氧化硅或多晶硅研磨去除，并且研磨出指定的倒角宽幅和角度。在胶带研磨后，磨下来的二氧化硅以及多晶硅会吸附在硅片表面难以去除，虽然胶带研磨机自带有冲洗功能，但能力有限，必须在其工艺完成后进行再次洗净。
目前工艺过程：胶带研磨后洗净是采用纯水-TSC-1-纯水-SC-1-纯水进行洗净。这种洗净能去除大部分颗粒，但对细小颗粒和金属去除能力有限。
发明内容
本发明主要解决现有技术中存在的不足，提供了一种降低胶带研磨后硅片表面金属和颗粒的清洗方法，将硅片表面颗粒污染降到0.3um≤50颗以内，金属Na、Al污染降到20E10以内，Cr，Fe，Ni，Cu降到5F10以内。
本发明的上述技术问题主要是通过下述技术方案得以解决的：
一种降低胶带研磨后硅片表面金属和颗粒的清洗方法，包括如下操作步骤：
第一步：使用TSC-1活化剂与水的混合物对胶带研磨后的硅片进行浸泡清洗，体积比例为0.8∶59.2，使硅片表面的颗粒活化。
第二步：采用去离子水冲洗，达到去除颗粒的作用。
第三步：使用由体积比为4∶6∶50的NH4OH、H2O2和H2O组成的SC-1清洗液对硅片进行浸泡清洗。
第四步：接着再使用SC-1清洗液对硅片进行第二次的浸泡清洗。
第五步：通过QDR工艺进行硅片表面进行冲洗、鼓泡、风淋，去除硅片表面的可溶性络合离子。
第六步：采用由体积比为2∶5∶53的HCl、H2O2、H2O组成的SC-2清洗液对硅片进行浸泡清洗。
第七步：通过QDR工艺进行硅片表面进行冲洗、鼓泡、风淋，去除硅片表面的可溶性络合离子。
第八步：采用去离子水冲洗，进一步去除硅片表面的金属离子，最后进行烘干完成清洗过程。
作为优选，硅片在60℃温度下通过TSC-1活化剂与水的混合物进行浸泡清洗7min。
作为优选，硅片在60℃温度下通过SC-1清洗液进行浸泡清洗7min。
作为优选，SC-1清洗液通过H2O2的氧化和NH4OH的腐蚀可有效去除硅片表面氧化层，使金属杂质随着腐蚀层剥落，H2O2将硅片表面的Cu、Au、Ag原子氧化为离子状态，同时NH3可以和Cu2+、Ag+络合为可溶性络合离子。
作为优选，硅片在60℃温度下通过SC-2清洗液进行浸泡清洗7min。
作为优选，SC-2清洗液将碱金属离子及Al3+、Fe3+和Mg2+在SC-1溶液中形成的不溶的氢氧化物反应生成与水的络合物。
作为优选，QDR工艺步骤如下：
步骤1：注水、鼓泡、喷淋同时开启100秒。
步骤2：喷淋、快排同时开启30秒。
步骤3：注水、鼓泡、喷淋同时开启100秒。
步骤4：喷淋、快排同时开启30秒。
本发明能够达到如下效果：
本发明提供了一种降低胶带研磨后硅片表面金属和颗粒的清洗方法，与现有技术相比较，将硅片表面颗粒污染降到0.3um≤50颗以内，金属Na、Al污染降到20E10以内，Cr，Fe，Ni，Cu降到5F10以内。
具体实施方式
下面通过实施例，对发明的技术方案作进一步具体的说明。
实施例：一种降低胶带研磨后硅片表面金属和颗粒的清洗方法，包括如下操作步骤：
第一步：使用TSC-1活化剂与水的混合物对胶带研磨后的硅片进行浸泡清洗，体积比例为0.8：59.2，使硅片表面的颗粒活化。
硅片在60℃温度下通过TSC-1活化剂与水的混合物进行浸泡清洗7min。
第二步：采用去离子水冲洗，达到去除颗粒的作用。
第三步：使用由体积比为4∶6∶50的NH4OH、H2O2和H2O组成的SC-1清洗液对硅片进行浸泡清洗。
第四步：接着再使用SC-1清洗液对硅片进行第二次的浸泡清洗。
硅片在60℃温度下通过SC-1清洗液进行浸泡清洗7min。SC-1清洗液通过H2O2的氧化和NH4OH的腐蚀可有效去除硅片表面氧化层，使金属杂质随着腐蚀层剥落，H2O2将硅片表面的Cu、Au、Ag原子氧化为离子状态，同时NH3可以和Cu2+、Ag+络合为可溶性络合离子。
第五步：通过QDR工艺进行硅片表面进行冲洗、鼓泡、风淋，去除硅片表面的可溶性络合离子。QDR工艺步骤如下：
步骤1：注水、鼓泡、喷淋同时开启100秒。
步骤2：喷淋、快排同时开启30秒。
步骤3：注水、鼓泡、喷淋同时开启100秒。
步骤4：喷淋、快排同时开启30秒。
第六步：采用由体积比为2∶5∶53的HCl、H2O2、H2O组成的SC-2清洗液对硅片进行浸泡清洗。
硅片在60℃温度下通过SC-2清洗液进行浸泡清洗7min。SC-2清洗液将碱金属离子及Al3+、Fe3+和Mg2+在SC-1溶液中形成的不溶的氢氧化物反应生成与水的络合物。
第七步：通过QDR工艺进行硅片表面进行冲洗、鼓泡、风淋，去除硅片表面的可溶性络合离子。QDR工艺步骤如下：
步骤1：注水、鼓泡、喷淋同时开启100秒。
步骤2：喷淋、快排同时开启30秒。
步骤3：注水、鼓泡、喷淋同时开启100秒。
步骤4：喷淋、快排同时开启30秒。
第八步：采用去离子水冲洗，进一步去除硅片表面的金属离子，最后进行烘干完成清洗过程。
综上所述，该降低胶带研磨后硅片表面金属和颗粒的清洗方法，将硅片表面颗粒污染降到0.3um≤50颗以内，金属Na、Al污染降到20E10以内，Cr，Fe，Ni，Cu降到5E10以内。
以上所述仅为本发明的具体实施例，但本发明的结构特征并不局限于此，任何本领域的技术人员在本发明的领域内，所作的变化或修饰皆涵盖在本发明的专利范围之中。
Claims (7)
1.一种降低胶带研磨后硅片表面金属和颗粒的清洗方法，其特征在于包括如下操作步骤：
第一步：使用TSC-1活化剂与水的混合物对胶带研磨后的硅片进行浸泡清洗，体积比例为0.8：59.2，使硅片表面的颗粒活化；
第二步：采用去离子水冲洗，达到去除颗粒的作用；
第三步：使用由体积比为4∶6∶50的NH4OH、H2O2和H2O组成的SC-1清洗液对硅片进行浸泡清洗；
第四步：接着再使用SC-1清洗液对硅片进行第二次的浸泡清洗；
第五步：通过QDR工艺进行硅片表面进行冲洗、鼓泡、风淋，去除硅片表面的可溶性络合离子；
第六步：采用由体积比为2∶5∶53的HCl、H2O2、H2O组成的SC-2清洗液对硅片进行浸泡清洗；
第七步：通过QDR工艺进行硅片表面进行冲洗、鼓泡、风淋，去除硅片表面的可溶性络合离子；
第八步：采用去离子水冲洗，进一步去除硅片表面的金属离子，最后进行烘干完成清洗过程。
2.根据权利要求1所述的降低胶带研磨后硅片表面金属和颗粒的清洗方法，其特征在于：硅片在60℃温度下通过TSC-1活化剂与水的混合物进行浸泡清洗7min。
3.根据权利要求1所述的降低胶带研磨后硅片表面金属和颗粒的清洗方法，其特征在于：硅片在60℃温度下通过SC-1清洗液进行浸泡清洗7min。
4.根据权利要求3所述的降低胶带研磨后硅片表面金属和颗粒的清洗方法，其特征在于：SC-1清洗液通过H2O2的氧化和NH4OH的腐蚀可有效去除硅片表面氧化层，使金属杂质随着腐蚀层剥落，H2O2将硅片表面的Cu、Au、Ag原子氧化为离子状态，同时NH3可以和Cu2+、Ag+络合为可溶性络合离子。
5.根据权利要求1所述的降低胶带研磨后硅片表面金属和颗粒的清洗方法，其特征在于：硅片在60℃温度下通过SC-2清洗液进行浸泡清洗7min。
6.根据权利要求5所述的降低胶带研磨后硅片表面金属和颗粒的清洗方法，其特征在于：SC-2清洗液将碱金属离子及Al3+、Fe3+和Mg2+在SC-1溶液中形成的不溶的氢氧化物反应生成与水的络合物。
7.根据权利要求1所述的降低胶带研磨后硅片表面金属和颗粒的清洗方法，其特征在于QDR工艺步骤如下：
步骤1：注水、鼓泡、喷淋同时开启100秒；
步骤2：喷淋、快排同时开启30秒；
步骤3：注水、鼓泡、喷淋同时开启100秒；
步骤4：喷淋、快排同时开启30秒。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202211555139.3A CN115863147A (zh) | 2022-12-05 | 2022-12-05 | 降低胶带研磨后硅片表面金属和颗粒的清洗方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202211555139.3A CN115863147A (zh) | 2022-12-05 | 2022-12-05 | 降低胶带研磨后硅片表面金属和颗粒的清洗方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN115863147A true CN115863147A (zh) | 2023-03-28 |
Family
ID=85670228
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202211555139.3A Pending CN115863147A (zh) | 2022-12-05 | 2022-12-05 | 降低胶带研磨后硅片表面金属和颗粒的清洗方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN115863147A (zh) |
-
2022
- 2022-12-05 CN CN202211555139.3A patent/CN115863147A/zh active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI376273B (en) | Semiconductor substrate process | |
| US6143705A (en) | Cleaning agent | |
| US6146467A (en) | Treatment method for semiconductor substrates | |
| KR101520917B1 (ko) | 웨이퍼의 표면 처리용 텍스쳐링 및 세정제 및 그것의 사용 | |
| CN113675073B (zh) | 一种晶片的清洗方法 | |
| US20060166847A1 (en) | Compositions for processing of semiconductor substrates | |
| US20010018407A1 (en) | Cleaning agent | |
| JP4744228B2 (ja) | 半導体基板洗浄液及び半導体基板洗浄方法 | |
| JP2004006618A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
| KR19990088436A (ko) | 구리배선을화학적기계적으로연마한후반도체웨이퍼를세정하는방법 | |
| JPH1072594A (ja) | 洗浄処理剤 | |
| CN113736580A (zh) | 一种用于硅片清洗抛光的混酸清洗液及抛光硅片清洗方法 | |
| CN111446188A (zh) | 一种半导体硅片表面清洗机构及其清洗工艺 | |
| CN110335807B (zh) | 一种硅片清洗方法 | |
| CN1967788A (zh) | 钨cmp后的清洗方法 | |
| CN112928017A (zh) | 有效去除硅片表面金属的清洗方法 | |
| CN103521474B (zh) | 一种以抛代洗的蓝宝石衬底材料表面洁净方法 | |
| JP4702920B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
| CN116631849B (zh) | 一种硅片的清洗方法 | |
| CN115863147A (zh) | 降低胶带研磨后硅片表面金属和颗粒的清洗方法 | |
| CN114678259B (zh) | 一种抛光后的碳化硅晶片的清洗方法以及相应的清洗剂 | |
| JP2007073806A (ja) | シリコンウエハの洗浄方法 | |
| JP3239998B2 (ja) | 半導体基板の洗浄方法 | |
| JPH11251280A (ja) | 半導体基板の洗浄方法 | |
| JPH09321009A (ja) | 半導体装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |