CN115832126B - 显示面板及其制备方法、显示装置 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种显示面板及其制备方法、显示装置，该制备方法包括：在阵列基板的一侧转移LED元件预制件；LED元件预制件包括依次设置的第一电极层、第一扩散层、第一半导体层、有源层和第二半导体层，且第一电极层与阵列基板电连接；在第二半导体层远离阵列基板的一侧沉积第二扩散层，并对多个LED元件预制件进行封装形成封装层；封装层覆盖第二扩散层且具有电极孔，以使部分第二扩散层暴露；在封装层远离阵列基板的一侧制备第二电极层；其中，第二电极层贯穿电极孔并与第二扩散层接触电连接。通过上述方法，制备形成的显示面板中的LED元件为垂直结构，可以有效解决现有技术中的显示装置无法实现较高PPI显示的问题，提升了显示效果。

Description

显示面板及其制备方法、显示装置

技术领域

本申请涉及显示技术领域，特别是涉及一种显示面板及其制备方法、显示装置。

背景技术

无机微发光二极管(Micro Light Emitting Diode，Micro LED)显示装置是当今显示装置研究领域的热点之一，与OLED显示装置相比，Micro LED显示装置具有信赖性高、功耗低、亮度高及响应速度快等优点。如今使用比较多的为倒装芯片的显示器，然而此方案的局限在于一个LED在同一平面有两个电极，这会大大局限Micro LED显示装置的PPI(像素密度单位)的提升，影响显示效果。

发明内容

本申请主要提供一种显示面板及其制备方法、显示装置，以解决现有技术中的显示装置无法实现较高PPI显示的问题。

为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：提供一种显示面板的制备方法，用于制备形成Micro led显示面板，包括：

在阵列基板的一侧转移LED元件预制件；所述LED元件预制件包括依次设置的第一电极层、第一扩散层、第一半导体层、有源层和第二半导体层，且所述第一电极层与所述阵列基板电连接；

在所述第二半导体层远离所述阵列基板的一侧沉积第二扩散层，并对多个所述LED元件预制件进行封装形成封装层；所述封装层覆盖所述第二扩散层且具有电极孔，以使部分所述第二扩散层暴露；

在所述封装层远离所述阵列基板的一侧制备第二电极层；其中，所述第二电极层贯穿所述电极孔并与所述第二扩散层接触电连接。

其中，所述在阵列基板的一侧转移LED元件预制件的步骤包括：

提供衬底，在所述衬底上生长外延层；所述外延层包括所述第二半导体层、所述有源层以及所述第一半导体层；

在所述第一半导体层上依次沉积所述第一扩散层和所述第一电极层；

分割所述外延层、所述第一扩散层与所述第一电极层，形成多个所述LED元件预制件；

将多个所述LED元件预制件从所述衬底转移至所述阵列基板，以使所述第一电极层与所述阵列基板接触电连接。

其中，所述在所述第二半导体层远离所述阵列基板的一侧沉积第二扩散层，并对多个所述LED元件预制件进行封装形成封装层的步骤包括：

在所述第二半导体层远离所述阵列基板的表面沉积第二扩散层；

设置所述封装层，将多个所述LED元件预制件以及所述第二扩散层覆盖；

在所述封装层远离所述阵列基板的表面开设所述电极孔。

其中，所述在所述第二半导体层远离所述阵列基板的一侧沉积第二扩散层，并对多个所述LED元件预制件进行封装形成封装层的步骤包括：

设置第一子封装层，将多个所述LED元件预制件覆盖；

在所述第一子封装层远离所述阵列基板的表面开槽，以使所述第二半导体层暴露；

在暴露的所述第二半导体层远离所述阵列基板的表面沉积所述第二扩散层；

在所述第一子封装层远离所述阵列基板的一侧设置第二子封装层，以将所述第一子封装层和所述第二扩散层覆盖；所述第二子封装层和所述第一子封装层形成所述封装层；

在所述第一子封装层远离所述阵列基板的表面开设所述电极孔。

其中，所述在所述第一子封装层远离所述阵列基板的表面开槽，以使所述第二半导体层暴露的步骤包括：

在所述第一子封装层远离所述阵列基板的表面开设孔径大于所述第二半导体层的凹槽，且所述第二半导体层远离所述阵列基板的表面作为所述凹槽的底面的一部分；

所述在暴露的所述第二半导体层远离所述阵列基板的表面沉积所述第二扩散层的步骤包括：

使所述第二扩散层覆盖所述第二半导体层并延伸至所述第二半导体层之外；

所述在所述第一子封装层远离所述阵列基板的一侧设置第二子封装层的步骤包括：

使所述第二子封装层填充于所述凹槽内，且使所述第二子封装层远离所述阵列基板的表面形成平面；

所述在所述第二子封装层远离所述阵列基板的表面开设所述电极孔的步骤包括：

使所述电极孔在所述第二半导体层所在平面的投影与所述第二半导体层错位。

其中，所述在所述封装层远离所述阵列基板的一侧制备第二电极层的步骤包括：

在所述封装层远离所述阵列基板的表面沉积导电层，以将所述封装层覆盖；其中，部分所述导电层贯穿所述电极孔并与所述第二扩散层接触；

图案化所述导电层形成开口，以使得所述第二扩散层至少部分暴露。

为解决上述技术问题，本申请采用的另一个技术方案是：提供一种显示面板，包括：

阵列基板；

LED层，设置于所述阵列基板一侧；所述LED层包括多个间隔设置的LED元件，所述LED元件包括依次层叠设置于所述阵列基板一侧的第一电极层、第一扩散层、第一半导体层、有源层、第二半导体层、第二扩散层以及第二电极层；所述第一电极层与所述阵列基板电连接；

封装层，设置于所述阵列基板的一侧；所述封装层覆盖所述第一电极层、所述第一扩散层、所述第一半导体层、所述有源层、所述第二半导体层以及所述第二扩散层；所述封装层设置有多个电极孔，所述电极孔使所述第二扩散层部分暴露；所述第二电极层设置于所述封装层远离所述阵列基板的表面并贯穿所述电极孔与所述第二扩散层接触电连接。

其中，所述第二电极层具有开口，以使得所述第二扩散层部分暴露。

其中，所述电极孔在所述第二半导体层所在平面的投影与所述第二半导体层至少部分重合并覆盖所述第二半导体层的一部分，所述开口在所述第二半导体层所在平面的投影与所述第二半导体层未被所述电极孔在所述第二半导体层所在平面的投影覆盖的其余部分重合；或

所述电极孔在所述第二半导体层所在平面的投影与所述第二半导体层错位，所述开口在所述第二半导体层所在平面的投影与所述第二半导体层重合。

为解决上述技术问题，本申请采用的另一个技术方案是：提供一种显示装置，包括如上所述的任一种显示面板或采用如上所述的任一种显示面板的制备方法制备形成的显示面板。

本申请的有益效果是：区别于现有技术的情况，本申请公开了一种显示面板及其制备方法、显示装置，该制备方法包括：在阵列基板的一侧转移LED元件预制件；LED元件预制件包括依次设置的第一电极层、第一扩散层、第一半导体层、有源层和第二半导体层，且第一电极层与阵列基板电连接；在第二半导体层远离阵列基板的一侧沉积第二扩散层，并对多个LED元件预制件进行封装形成封装层；封装层覆盖第二扩散层且具有电极孔，以使部分第二扩散层暴露；在封装层远离阵列基板的一侧制备第二电极层；其中，第二电极层贯穿电极孔并与第二扩散层接触电连接。通过上述方法，制备形成的显示面板中的LED元件为垂直结构，两个电极层分别位于不同的两个平面，可以有效解决现有技术中的显示装置无法实现较高PPI显示的问题，提升了显示效果。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图，其中：

图1是本申请第一实施例提供的显示面板的制备方法的流程示意图；

图2是图1提供的显示面板的制备方法中步骤S1的流程示意图；

图3是图2中步骤S11对应的结构示意图；

图4是图2中步骤S12对应的结构示意图；

图5是图2中步骤S13对应的结构示意图；

图6是图2中步骤S14对应的结构示意图；

图7是图1提供的显示面板的制备方法中步骤S2的流程示意图；

图8是图7中步骤S21对应的结构示意图；

图9是图7中步骤S22对应的结构示意图；

图10是图7中步骤S23对应的结构示意图；

图11是图7中步骤S23一实施方式对应的结构示意图；

图12是图11对应的俯视结构示意图；

图13是图1提供的显示面板的制备方法中步骤S3的流程示意图；

图14是图13中步骤S31对应的结构示意图；

图15是图13中步骤S32对应的结构示意图；

图16是本申请第二实施例提供的显示面板的制备方法中步骤S2A的流程示意图；

图17是图16中步骤S21A对应的结构示意图；

图18是图16中步骤S22A对应的结构示意图；

图19是图16中步骤S23A对应的结构示意图；

图20是图16中步骤S24A对应的结构示意图；

图21是图16中步骤S25A对应的结构示意图；

图22是本申请第二实施例提供的显示面板的制备方法中步骤S3A对应的结构示意图；

图23是本申请第三实施例提供的显示面板的制备方法中步骤S2B的流程示意图；

图24是图23中步骤S23B对应的结构示意图；

图25是图23中步骤S24B对应的结构示意图；

图26是图23中步骤S25B对应的结构示意图；

图27是本申请第四实施例提供的显示面板的结构示意图；

图28是本申请第五实施例提供的显示面板的结构示意图。

附图标号：

显示面板100；阵列基板1；LED元件20；LED元件预制件2；第一电极层21；第一扩散层22；第一半导体层23；有源层24；第二半导体层25；第二扩散层26；第二电极层27；导电层271；开口272；衬底3；外延层4；缓冲层5；封装层6；电极孔60；第一子封装层61；凹槽63；第二子封装层62；盖板7。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

本申请实施例中的术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”、“第三”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。本申请的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。此外，术语“包括”和“具有”以及它们任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。例如包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备没有限定于已列出的步骤或单元，而是可选地还包括没有列出的步骤或单元，或可选地还包括对于这些过程、方法、产品或设备固有的其他步骤或单元。

在本文中提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本申请的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其他实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本文所描述的实施例可以与其他实施例相结合。

本申请提供了一种显示面板的制备方法，采用该制备方法制备形成的显示面板，可以解决现有技术中的显示装置无法实现较高PPI显示的问题，提升显示效果，下面结合附图和实施例对本申请进行详细的说明。

实施例一

参阅图1，图1是本申请第一实施例提供的显示面板的制备方法的流程示意图，图2是图1提供的显示面板的制备方法中步骤S1的流程示意图，图3是图2中步骤S11对应的结构示意图，图4是图2中步骤S12对应的结构示意图，图5是图2中步骤S13对应的结构示意图，图6是图2中步骤S14对应的结构示意图。

参见图1，本实施例提供了一种显示面板的制备方法，用于制备形成Micro LED显示面板，该制备方法包括：

S1：在阵列基板1的一侧转移LED元件预制件2；LED元件预制件2包括依次设置的第一电极层21、第一扩散层22、第一半导体层23、有源层24和第二半导体层25，且第一电极层21与阵列基板1电连接。

具体的，在阵列基板1的一侧转移LED元件预制件2的步骤包括：

S11：提供衬底3，在衬底3上生长外延层4；外延层4包括第二半导体层25、有源层24以及第一半导体层23。

具体的，首先提供衬底3，衬底3可以为蓝宝石衬底、GaAs衬底、Si基衬底等任意形式的衬底，然后在衬底3上生长外延层4，具体的，在衬底3一侧依次生长第二半导体层25、有源层24以及第一半导体层23，第二半导体层25、有源层24以及第一半导体层23层叠设置，第一半导体层23位于有源层24远离衬底3的一侧。在一实施方式中，也可以在生长第二半导体层25之前先生长一层缓冲层5，以便于衬底3与外延层4晶格匹配，同时可以用于释放衬底3与外延层4之间的应力。其中，第一半导体层23可以为P-GaN层，也可以为N-GaN层，相应的，第一半导体层23为P-GaN层时，第二半导体层25可以为N-GaN层；第一半导体层23为N-GaN层时，第二半导体层25可以为P-GaN层。有源层24可以为InCaN/GaN多量子阱有源层，其中，InCaN/GaN多量子阱有源层可以为蓝光、红光等任意可见光InCaN/GaN多量子阱有源层，也可以为紫外光InCaN/GaN多量子阱有源层，可以根据需要进行设计。经过步骤S11之后，可以得到如图3所示的结构。

S12：在第一半导体层23上依次沉积第一扩散层22和第一电极层21。

具体的，在步骤S11制备形成的外延层4上依次制备形成第一扩散层22和第一电极层21，可以采用LPE(液相沉积)、MOCVD(金属有机化学气相沉积)、HVPE(氢化物气相沉积)和MBE(分子束沉积)中的任意一种方式在第一半导体层23上沉积形成第一扩散层22和第一电极层21，或者也可以采用外延生长、喷墨打印或蒸镀等方法形成第一扩散层22和第一电极层21。

第一扩散层22和第一电极层21与第一半导体层23对应设置，第一扩散层22可以为电子扩散层也可以为空穴扩散层，第一电极层21可以为N电极层也可以为P电极层。当第一半导体层23为P-GaN层时，相应的，第一扩散层22为空穴扩散层，第一电极层21为P电极层；当第一半导体层23为N-GaN层时，相应的，第一扩散层22为电子扩散层，第一电极层21为N电极层。步骤S12之后，可以制备得到如图4所示的结构。

S13：分割外延层4、第一扩散层22与第一电极层21，形成多个LED元件预制件2。

具体的，对步骤S12形成的结构进行分割，分割第一电极层21、第一扩散层22和外延层4，以形成多个相互独立的LED元件预制件2。其中，可以采用黄光工艺即光刻工艺对外延层4、第一扩散层22与第一电极层21进行刻蚀。经过步骤S13之后，可以制备得到如图5所示的结构。

S14：将多个LED元件预制件2从衬底3转移至阵列基板1，以使第一电极层21与阵列基板1接触电连接。

具体的，可以采用选择性巨量转移的方法，将多个LED元件预制件2转移至阵列基板1上，阵列基板1可以为TFT(薄膜晶体管)阵列基板1，设置有多个阵列分布的TFT(图未示)。将多个LED元件预制件2从衬底3转移至阵列基板1之后，多个LED元件预制件2之间相互间隔设置，多个LED元件预制件2的第一电极层21与阵列基板1的多个TFT一一对应接触以实现电连接，每个TFT可以用于单独控制一个LED元件预制件2。可以理解，相对于现有技术中倒装结构的LED的两个电极位于同一平面，且从衬底3巨量转移LED时需要对每个LED的两个电极均进行转移，本实施例中，将从衬底3上转移LED元件预制件2时，每个LED元件预制件2均仅包括第一电极层21，转移时仅需要第一电极层21与阵列基板上的一个PAD连接，有效降低了巨量转移的难度。经过步骤S14之后，可以制备得到如图6所示的结构。

参阅图7至图10，图7是图1提供的显示面板的制备方法中步骤S2的流程示意图，图8是图7中步骤S21对应的结构示意图，图9是图7中步骤S22对应的结构示意图，图10是图7中步骤S23对应的结构示意图，图11是图7中步骤S23一实施方式对应的结构示意图，图12是图11对应的俯视结构示意图。

S2：在第二半导体层25远离阵列基板1的一侧沉积第二扩散层26，并对多个LED元件预制件2进行封装形成封装层6；封装层6覆盖第二扩散层26且具有电极孔60，以使部分第二扩散层26暴露。

具体的，本实施例中，步骤S2中所述的在第二半导体层25远离阵列基板1的一侧沉积第二扩散层26，并对多个LED元件预制件2进行封装形成封装层6的步骤包括：

S21：在第二半导体层25远离阵列基板1的表面沉积第二扩散层26。

具体的，在将多个LED元件预制件2转移至阵列基板1之后，LED元件预制件2的第二半导体层25位于有源层24远离阵列基板1的一侧。本实施例中，在第二半导体层25远离阵列基板1的表面沉积第二扩散层26，形成的第二扩散层26可以与第二半导体层25层叠设置。在一实施方式中，当步骤S11中在生长第二半导体层25之前先生长一层缓冲层5时，LED元件预制件2转移之后，缓冲层5位于第二半导体层25远离阵列基板1的一侧，可以在缓冲层5远离阵列基板1的表面沉积第二扩散层26。

第二扩散层26与第二半导体层25相对应，当第二半导体层25为P-GaN层时，相应的，第二扩散层26为空穴扩散层，当第二半导体层25为N-GaN层时，第二扩散层26为电子扩散层。其中，可以采用LPE(液相沉积)、MOCVD(金属有机化学气相沉积)、HVPE(氢化物气相沉积)和MBE(分子束沉积)中的任意一种方式沉积形成第二扩散层26，或者也可以采用外延生长、喷墨打印或蒸镀等方法形成第二扩散层26。本实施例中，经过步骤S21之后，可以形成如图8所示的结构。

S22：设置封装层6，将多个LED元件预制件2以及第二扩散层26覆盖。

具体的，对多个LED元件预制件2进行封装，在多个LED元件预制件2远离阵列基板1的一侧设置封装层6，封装层6覆盖多个LED元件预制件2和形成于LED元件预制件2上的第二扩散层26，且封装层6填充于多个LED元件预制件2之间。其中，封装层6采用透明材料制成，可以保证光线透过，形成的封装层6可以为单层结构也可以为多层结构，封装层6远离阵列基板1一侧的表面可以为平面，以便于后续制备第二电极层27。经过步骤S22之后，可以得到如图9所示的结构。

S23：在封装层6远离阵列基板1的表面开设电极孔60。

具体的，封装层6远离阵列基板1的表面进行开孔，即对位于LED元件预制件2远离阵列基板1的一侧的封装层6进行开孔，以形成多个电极孔60，形成的多个电极孔60与多个LED元件预制件2上的第二扩散层26对应连通。其中，可以采用光刻工艺进行刻蚀形成电极孔60，也可以采用其他图案化工艺刻蚀封装层6形成电极孔60。电极孔60的形状可以设置为任意形状，例如，圆形孔、矩形孔、方形孔等，电极孔60可以垂直于LED元件预制件2和第二扩散层26设置，可以理解，电极孔60垂直于LED元件预制件2和第二扩散层26，可以有效减小电极孔60在LED元件预制件2上的投影的面积，进而减小对有源层24出射光线的遮蔽，有利于提升光线的出射量，提升PPI。本实施例中，经过步骤S23之后，可以制备形成如图10所示的结构。

在一实施方式中，如图11及图12所示，在封装层6远离阵列基板1的表面开设电极孔60时，电极孔60可以设置为环形，例如，电极孔60呈矩形环状，电极孔60在第二扩散层26所在平面上的投影位于第二扩散层26内，且沿着第二扩散层26的边缘位置设置，电极孔60的外侧边与第二扩散层26的侧边平齐，电极孔60的内侧边位于第二扩散层26内，使得电极孔60与第二扩散层26连通。在其他实施方式中，电极孔60也可以设置为圆环、方环等任意环形，只要实现电极孔60与第二扩散层26连通即可。可以理解，将电极孔60设置为环形，电极孔60的外侧边与第二扩散层26的侧边平齐，可以便于后续制备形成的第二电极层27经过电极孔60与第二扩散层26进行更好的电连接。

参阅图13至图15，图13是图1提供的显示面板的制备方法中步骤S3的流程示意图，图14是图13中步骤S31对应的结构示意图，图15是图13中步骤S32对应的结构示意图。

S3：在封装层6远离阵列基板1的一侧制备第二电极层27；其中，第二电极层27贯穿电极孔60并与第二扩散层26接触电连接。

具体的，在封装层6远离阵列基板1的一侧制备第二电极层27的步骤包括：

S31：在封装层6远离阵列基板1的表面沉积导电层271，以将封装层6覆盖；其中，部分导电层271贯穿电极孔60并与第二扩散层26接触。

具体的，在封装层6远离阵列基板1的表面上制备形成导电层271，导电层271采用导电材料制成。导电层271将封装层6远离阵列基板1的表面完全覆盖，且在导电层271形成过程中，部分导电层271贯穿位于封装层6中的电极孔60，并与LED元件预制件2上的第二扩散层26接触，位于电极孔60中的部分导电层271与位于封装层6远离阵列基板1的表面上的部分导电层271为相互连接的一体结构。其中，可以采用LPE(液相沉积)、MOCVD(金属有机化学气相沉积)、HVPE(氢化物气相沉积)和MBE(分子束沉积)中的任意一种方式沉积形成导电层271，或者也可以采用外延生长、喷墨打印或蒸镀等方法形成导电层271。经过步骤S31之后，可以得到如图14所示的结构。

S32：图案化导电层271形成开口272，以使得第二扩散层26至少部分暴露。

具体的，对步骤S31制备形成的导电层271进行图案化处理，以使得在导电层271中形成开口272，由此制备形成第二电极层27，并最终形成多个完整的LED元件20。开口272的位置需与电极孔60的位置错位设置，以防止位于电极孔60中的部分导电层271与位于封装层6远离阵列基板1的表面上的部分导电层271断开而无法实现第二电极层27与第二扩散层26之间的电连接。

需要说明的是，由于封装层6由透明材料制成，开口272将第二扩散层26至少部分暴露，是指在第二电极层27远离封装层6的一侧可以在开口272对应的位置处透过封装层6看到至少部分第二扩散层26。可以理解，开口272位置至少部分暴露第二扩散层26，可以使得有源层24发射的光线经导电层271的开口272位置出射，保证制备形成的LED元件20在通电后光线可以正常出射，显示面板100可以正常显示画面。优选的，开口272与电极孔60在第二扩散层26上的投影与有源层24在第二扩散层26上的投影重合，即，开口272的大小正好露出有源层24在封装层6上的投影中除被电极孔60覆盖之外的其余位置，可以保证有源层24发射的光线最大程度的从开口272中出射，保证光线的出射面积，同时，也避免开口272过大影响第二电极层27的导电性能，同时，第二电极层27也可以起到黑矩阵的作用。

本实施例中，经过步骤S32之后，可以得到如图15所示的结构，图15中的结构即为采用本实施例提供的显示面板的制备方法最终制备形成的结构。

实施例二

参阅图16至图22，图16是本申请第二实施例提供的显示面板的制备方法中步骤S2A的流程示意图，图17是图16中步骤S21A对应的结构示意图，图18是图16中步骤S22A对应的结构示意图，图19是图16中步骤S23A对应的结构示意图，图20是图16中步骤S24A对应的结构示意图，图21是图16中步骤S25A对应的结构示意图，图22是本申请第二实施例提供的显示面板的制备方法中步骤S3A对应的结构示意图。

在本实施例中，还提供了另一种显示面板的制备方法，具体的，与显示面板的制备方法第一实施例的区别在于，本实施例中，步骤S2的具体步骤与第一实施例中不同，其余步骤均与第一实施例中相同。本实施例中，显示面板的制备方法包括：

S1A：在阵列基板1的一侧转移LED元件预制件2；LED元件预制件2包括依次设置的第一电极层21、第一扩散层22、第一半导体层23、有源层24和第二半导体层25，且第一电极层21与阵列基板1电连接。

具体的，与显示面板的制备方法第一实施例中步骤S1的具体流程相同，不再赘述。

S2A：在第二半导体层25远离阵列基板1的一侧沉积第二扩散层26，并对多个LED元件预制件2进行封装形成封装层6；封装层6覆盖第二扩散层26且具有电极孔60，以使部分第二扩散层26暴露。

具体的，本实施例中，步骤S2A中所述的在第二半导体层25远离阵列基板1的一侧沉积第二扩散层26，并对多个LED元件预制件2进行封装形成封装层6的具体步骤包括：

S21A：设置第一子封装层61，将多个LED元件预制件2覆盖。

具体的，本实施例中，在步骤S1将多个LED元件预制件2转移至阵列基板1之后，先对多个LED元件预制件2进行封装，在多个LED元件预制件2远离阵列基板1的一侧设置第一子封装层61，第一子封装层61覆盖包裹多个LED元件预制件2，且填充于多个LED元件预制件2之间。其中，第一子封装层61采用透明材料制成，以保证光线透过，第一子封装层61可以为单层结构也可以为多层结构，第一子封装层61远离阵列基板1一侧的表面可以为平面。经过步骤S21A之后，可以得到如图17所示的结构。

S22A：在第一子封装层61远离阵列基板1的表面开槽，以使第二半导体层25暴露。

具体的，将多个LED元件预制件2转移至阵列基板1之后，LED元件预制件2的第二半导体层25位于有源层24远离阵列基板1的一侧，在第一子封装层61远离阵列基板1的表面开槽，使得第二半导体层25由开设的凹槽63暴露出来。

其中，步骤S22A所述的在第一子封装层61远离阵列基板1的表面开槽，以使第二半导体层25暴露的步骤包括：

在第一子封装层61远离阵列基板1的表面开设孔径大于第二半导体层25的凹槽63，且第二半导体层25远离阵列基板1的表面为凹槽63的底面的一部分。

具体的，在第一子封装层61远离阵列基板1的表面开设凹槽63，凹槽63的孔径大于第二半导体层25的宽度，且凹槽63与第二半导体层25连通，即凹槽63的深度为第一子封装层61远离阵列基板1的表面与第二半导体层25远离阵列基板1的表面之间的距离，凹槽63将第二半导体层25暴露，第二半导体层25远离阵列基板1的表面为凹槽63的底面的一部分，凹槽63的底面的另一部分与第二半导体层25远离阵列基板1的表面平齐，为第一子封装层61开槽形成的面。经过步骤S22A之后，可以得到如图18所示的结构。

S23A：在暴露的第二半导体层25远离阵列基板1的表面沉积第二扩散层26。

具体的，步骤S23A所述的在暴露的第二半导体层25远离阵列基板1的表面沉积第二扩散层26的步骤包括：

使第二扩散层26覆盖第二半导体层25并延伸至第二半导体层25之外。

具体的，在经由凹槽63暴露出来的第二半导体层25远离阵列基板1的表面上沉积第二扩散层26，即在凹槽63内沉积第二扩散层26，第二扩散层26覆盖第二半导体层25远离阵列基板1的表面且延伸至第二半导体层25之外，即第二扩散层26部分覆盖第二半导体层25，另一部分延伸至凹槽63内与第二半导体层25相邻设置的其余位置处。第二扩散层26的厚度小于与凹槽63的深度，第二扩散层26的宽度等于凹槽63的宽度，即第二扩散层26远离阵列基板1的表面与第一子封装层61远离阵列基板1的表面间隔设置，第二扩散层26的宽度大于第二半导体层25的宽度。其中，可以采用LPE(液相沉积)、MOCVD(金属有机化学气相沉积)、HVPE(氢化物气相沉积)和MBE(分子束沉积)中的任意一种方式沉积形成第二扩散层26，或者也可以采用外延生长、喷墨打印或蒸镀等方法形成第二扩散层26。本实施例中，经过步骤S23A之后，可以形成如图19所示的结构。

S24A：在第一子封装层61远离阵列基板1的一侧设置第二子封装层62，以将第一子封装层61和第二扩散层26覆盖；第二子封装层62和第一子封装层61形成封装层6。

具体的，本实施例中，在沉积第二扩散层26之后，在第一子封装层61远离阵列基板1的一侧设置第二子封装层62。其中，步骤S24A中所述的在第一子封装层61远离阵列基板1的一侧设置第二子封装层62的步骤包括：

使第二子封装层62填充于凹槽63内，且使第二子封装层62远离阵列基板1的表面形成平面。

具体的，在第一子封装层61远离阵列基板1的一侧设置第二子封装层62，使得第二子封装层62填充于第一子封装层61的凹槽63内，即第二子封装层62设置于第二扩散层26远离阵列基板1的一侧，第二子封装层62覆盖第二扩散层26，且第二子封装层62远离阵列基板1的表面为平面，以便于后续制备第二电极层27。其中，第二子封装层62可以仅填充于凹槽63内，第二子封装层62远离阵列基板1的表面与第一子封装层61远离阵列基板1的表面平齐；或者，第二子封装层62也可以设置于第一子封装层61远离阵列基板1的表面，使得第二子封装层62部分填充于凹槽63内，部分覆盖第一子封装层61远离阵列基板1的表面。第二子封装层62采用透明材料制成，第二子封装层62和第一子封装层61的材料可以相同也可以不同，可以根据需要进行设计。第二子封装层62和第一子封装层61共同形成封装层6。经过步骤S24A之后，可以形成如图20所示的结构。

S25A：在第二子封装层62远离阵列基板1的表面开设电极孔60。

具体的，在第二子封装层62远离阵列基板1的表面开设电极孔60的步骤包括：

使电极孔60在第二半导体层25所在平面的投影与第二半导体层25错位。

具体的，在第二子封装层62远离阵列基板1的表面开设电极孔60，电极孔60连通第二扩散层26，即电极孔60开设于第二子封装层62位于凹槽63内的部分，其中，电极孔60可以与第二扩散层26垂直设置。电极层在第二半导体层25所在平面的投影与第二半导体层25错位，电极孔60连通于第二扩散层26未覆盖第二半导体层25的部分，即电极孔60连通于第二扩散层26延伸至第二半导体层25之外的部分。可以理解，本实施例中，将电极孔60在第二半导体层25所在平面的投影与第二半导体层25错位设置，可以使得后续制备形成的第二电极层27在第二半导体层25所在平面的投影与第二半导体层25错位设置，第二电极层27完全避让开第二半导体层25，也即完全避让开有源层24，保证第二电极层27与第二扩散层26良好接触，保证制备形成的LED元件20的电连接性能的同时，有效避免了电极孔60内的第二电极层27遮蔽有源层24发射的光线，使得有源层24发射的光线可以完全出射，保证出光量充足，有利于提升制备形成的显示面板100的PPI，提升显示效果。在其他实施方式中，电极孔60在第二半导体层25所在平面的投影也可以不与第二半导体层25错位，即电极孔60在第二半导体层25所在平面的投影在第二半导体层25之内，只要保证电极孔60与第二扩散层26连通即可。经过步骤S25A之后，可以形成如图21所示的结构。

S3A：在封装层6远离阵列基板1的一侧制备第二电极层27；其中，第二电极层27贯穿电极孔60并与第二扩散层26接触电连接。

具体的，与显示面板的制备方法第一实施例中步骤S3的具体流程相同，不再赘述。

本实施例中，第二子封装层62和第一子封装层61共同形成封装层6，在图案化导电层271形成开口272时，开口272与电极孔60错位设置，优选的，开口272可以与有源层24在封装层6上的投影重合，以保证有源层24发射的光线可以最大程度的出射，保证出光面积，提升显示面板100的PPI，进而提升显示性能，解决现有技术中显示装置的PPI较低的问题，实现更高的PPI显示。

本实施例中，经过步骤S3A之后，可以制备形成如图22所示的结构，图22中的结构也即为采用本实施例提供的显示面板的制备方法最终制备形成的显示面板。

实施例三

参阅图23至图26，图23是本申请第三实施例提供的显示面板的制备方法中步骤S2B的流程示意图，图24是图23中步骤S23B对应的结构示意图，图25是图23中步骤S24B对应的结构示意图，图26是图23中步骤S25B对应的结构示意图。

参见图23，本实施例中显示面板的制备方法与显示面板的制备方法第二实施例的区别仅在于，步骤S2B的具体流程与显示面板的制备方法第二实施例中步骤S2A不同，其余步骤均与显示面板的制备方法第二实施例中相同，不再赘述。

具体的，本实施例中，步骤S2B与显示面板的制备方法第二实施例中步骤S2A的区别在于，步骤S23B和步骤S24B与第二实施例中步骤S23A和步骤S24B不同，其余步骤均相同，不再赘述。本实施例中，步骤S2B包括：

S21B：设置第一子封装层61，将多个LED元件预制件2覆盖。

具体的，与显示面板的制备方法第二实施例中步骤S21A相同，不再赘述。

S22B：在第一子封装层61远离阵列基板1的表面开槽，以使第二半导体层25暴露。

具体的，与显示面板的制备方法第二实施例中步骤S22A相同，不再赘述。

S23B：在暴露的第二半导体层25以及第一子封装层61远离阵列基板1的表面沉积第二扩散层26。

具体的，本实施例中，如图24所示，步骤S23B中制备第二扩散层26时，是在暴露的第二半导体层25以及第一子封装层61远离阵列基板1的表面沉积第二扩散层26，使第二扩散层26完全覆盖第二半导体层25远离阵列基板1的表面以及第一子封装层61远离阵列基板1的表面，即第二扩散层26部分位于凹槽63内，另一部分位于第一子封装层61远离阵列基板1的表面上，其中，凹槽63的深度不宜太大，以使位于凹槽63内的第二扩散层26和位于第一子封装层61远离阵列基板1的表面上的第二扩散层26形成连续的一体结构，第二扩散层26的厚度小于与凹槽63的深度，第二扩散层26远离阵列基板1的表面为平面。可以理解，相较于第二实施例中只在凹槽63内沉积第二扩散层26，本实施例中，将第二扩散层26设置为连续的一体结构，在沉积第二扩散层26时不需要在除凹槽63之外的其余位置设置掩膜，可以使得制备工艺更简单，简化了工艺流程。

S24B：在第二扩散层26远离阵列基板1的一侧设置第二子封装层62，以将第二扩散层26覆盖；第二子封装层62和第一子封装层61形成封装层6。

具体的，本实施例中，由于步骤S23B中沉积形成的第二扩散层26为连续的一体结构且覆盖第二半导体层25远离阵列基板1的表面以及第一子封装层61远离阵列基板1的表面，因此，如图25所示，第二子封装层62设置在第二扩散层26远离阵列基板1的一侧，第二子封装层62覆盖第二扩散层26远离阵列基板1的表面，第二子封装层62和第一子封装层61共同形成封装层6。

S25B：在第二子封装层62远离阵列基板1的表面开设电极孔60。

具体的，与显示面板的制备方法第二实施例中步骤S25A相同，不再赘述。本实施例中，经过步骤S25B之后，可以形成如图26所示的结构。

采用本实施例提供的显示面板的制备方法制备形成的显示面板，LED元件为垂直结构，两个电极层分别位于不同的两个平面，可以有效解决现有技术中的显示装置无法实现较高PPI显示的问题，提升了显示效果，且第二扩散层26为连续的一体结构，在沉积第二扩散层26时不需要在除凹槽63之外的其余位置设置掩膜，可以使得制备工艺更简单，简化了工艺流程。

实施例四

参阅图27，图27是本申请第四实施例提供的显示面板的结构示意图。

参见图27，本申请提供了一种显示面板100，该显示面板100包括：阵列基板1、LED层和封装层6以及盖板7。LED层设置于阵列基板1一侧，LED层包括多个间隔设置的LED元件20，LED元件20包括依次层叠设置于阵列基板1一侧的第一电极层21、第一扩散层22、第一半导体层23、有源层24、第二半导体层25、第二扩散层26以及第二电极层27，第一电极层21与阵列基板1电连接。封装层6设置于阵列基板1的一侧，封装层6覆盖第一电极层21、第一扩散层22、第一半导体层23、有源层24、第二半导体层25以及第二扩散层26，封装层6设置有多个电极孔60，电极孔60使第二扩散层26部分暴露，第二电极层27设置于封装层6远离阵列基板1的表面并贯穿电极孔60与第二扩散层26接触电连接。盖板7设置于封装层6远离阵列基板1的一侧，以将LED层和封装层6进行封装或覆盖，其中，盖板7可以为板状结构，也可以为由封装材料形成的封装结构，即盖板7不限于板状。

可以理解，相较于现有技术中倒装结构的LED元件的两个电极位于同一平面，本实施例中，显示面板100中LED元件20为垂直结构，LED元件20的第一电极层21与第二电极层27分别设置有源层24两侧，位于两个不同的平面上，可以有效解决现有技术中LED元件的同一平面有两个电极，影响光线出射，导致无法实现较高PPI显示的问题，提升了显示效果。

具体的，阵列基板1可以为TFT(薄膜晶体管)阵列基板1，设置有多个阵列分布的TFT。第一半导体层23可以为P-GaN层，也可以为N-GaN层，第一扩散层22可以为电子扩散层也可以为空穴扩散层，第一电极层21可以为N电极层也可以为P电极层。第一半导体层23为P-GaN层时，相应的，第二半导体层25可以为N-GaN层，第一扩散层22为空穴扩散层，第一电极层21为P电极层，第二扩散层26为电子扩散层，第二电极层27为N电极层；第一半导体层23为N-GaN层时，第二半导体层25可以为P-GaN层，第一扩散层22为电子扩散层，第一电极层21为N电极层，第二扩散层26为空穴扩散层，第二电极层27为P电极层。有源层24可以为InCaN/GaN多量子阱有源层，其中，InCaN/GaN多量子阱有源层可以为蓝光、红光等任意可见光InCaN/GaN多量子阱有源层，也可以为紫外光InCaN/GaN多量子阱有源层。

LED层的多个LED元件20相互间隔设置，封装层6设置于LED层远离阵列基板1的一侧，封装层6覆盖并包裹多个LED元件20中除第二电极层27之外的部分，第二电极层27设置于封装层6远离阵列基板1的一侧。封装层6采用透明材料制成，可以保证光线透过，封装层6可以为单层结构也可以为多层结构，封装层6远离阵列基板1一侧的表面可以为平面，以使LED结构更平整。封装层6具有多个电极孔60，多个电极孔60与多个LED元件20一一对应设置，电极孔60设置于封装层6远离阵列基板1的一侧，且电极孔60与LED元件20的第二扩散层26连通，电极孔60使得LED元件20的第二扩散层26部分暴露，第二电极层27设置于封装层6远离阵列基板1一侧的表面，且第二电极层27部分贯穿电极孔60与第二扩散层26接触电连接。

第二电极层27设置有开口272，开口272使得第二扩散层26部分暴露，需要说明的是，由于封装层6由透明材料制成，开口272将第二扩散层26部分暴露，是指在第二电极层27远离封装层6的一侧可以在开口272对应的位置处透过封装层6看到部分第二扩散层26。可以理解，第二电极层27的开口272位置至少部分暴露第二扩散层26，可以使得有源层24发射的光线经导电层271的开口272位置出射，保证制备形成的LED元件20在通电后光线可以正常出射，显示面板100可以正常显示画面。

本实施例中，如图27所示，封装层6为单层结构，封装层6设置于第二扩散层26远离阵列基板1的一侧，第二扩散层26与第二半导体层25层叠设置且横截面积相等，第二半导体层25与有源层24的横截面积相等。电极孔60在第二半导体层25所在平面的投影与第二半导体层25至少部分重合并覆盖第二半导体层25的一部分，即电极孔60在第二半导体层25所在平面的投影至少部分位于第二半导体层25内，以保证电极孔60内的第二电极层27与第二扩散层26良好的接触电连接。其中，电极孔60在第二半导体层25所在平面的投影可以部分位于第二半导体层25内，也可以完全位于第二半导体层25内，只要可以保证电极孔60与第二扩散层26连通即可。

封装层6的开口272在第二半导体层25所在平面的投影与第二半导体层25未被电极孔60在第二半导体层25所在平面的投影覆盖的其余部分重合，即，第二半导体层25一部分被电极孔60在第二半导体层25所在平面的投影覆盖，其余部分被开口272的在第二半导体层25所

在平面的投影覆盖，以保证开口272的面积足够大，保证有源层24发5射的光线中除被电极孔60遮蔽的其余位置处的光线均可以经开口272

出射，最大程度的保证出光面积，进而提升显示面板100的PPI，提升显示效果。

如图27所示，本实施例中，电极孔60在第二半导体层25所在平

面的投影完全位于第二半导体层25内，且电极孔60的外侧边与第二半0导体层25的侧边平齐设置，开口272与电极孔60错位设置，且开口272和电极孔60在第二半导体层25所在平面上的投影与第二半导体层25完全重合，既保证了第二电极层27与第二扩散层26稳定的电连接，也提升了显示面板100的PPI。

5实施例五

参阅图28，图28是本申请第五实施例提供的显示面板的结构示意图。

本实施例中，提供了另一种显示面板100，与显示面板100第一实施例相比，区别在于，本实施例中封装层6与第二扩散层26以及电极0孔60的结构与第一实施例中不同，其余结构均与显示面板100第一实施例中相同，不再赘述。

具体的，参见图28，本实施例中，封装层6为多层结构，封装层6包括第一子封装层61和第二子封装层62，区别于第一实施例，第一子

封装层61设置于第二半导体层25远离阵列基板1的一侧，第一子封装5层61覆盖第一电极层21、第一扩散层22、第一半导体层23、有源层24和第二半导体层25。第一子封装层61远离阵列基板1的一侧表面设置有凹槽63，凹槽63的孔径大于第二半导体层25的宽度，凹槽63与第二半导体层25连通，并将第二半导体层25远离阵列基板1的表面完

全暴露。第二半导体层25远离阵列基板1的表面为凹槽63的底面的一0部分，凹槽63的底面的另一部分与第二半导体层25远离阵列基板1的表面平齐。第二扩散层26设置于凹槽63内，且与第二半导体层25层叠设置，第二扩散层26覆盖第二半导体层25并延伸至第二半导体层25之外，第二扩散层26的宽度与凹槽63的孔径相等，第二扩散层26的厚度小于与凹槽63的深度。

第二子封装层62设置于第一子封装层61远离阵列基板1的一侧，且第二子封装层62填充于第一子封装层61的凹槽63内并覆盖第二扩散层26，第二子封装层62远离阵列基板1的表面为平面。如图28所示，第二子封装层62部分填充于凹槽63内，部分覆盖第一子封装层61远离阵列基板1的表面。在其他实施方式中，第二子封装层62可以仅填充于第一子封装层61的凹槽63内，且第二子封装层62远离阵列基板1的表面与第一子封装层61远离阵列基板1的表面平齐。第二子封装层62设置有电极孔60，电极孔60设置于第二子封装层62远离阵列基板1的表面，且与凹槽63内的第二扩散层26连通，即电极孔60设置于第二子封装层62位于凹槽63内的部分，电极孔60垂直于第二扩散层26设置。

具体的，如图28所示，本实施例中，电极孔60在第二半导体层25所在平面的投影与第二半导体层25错位，即电极孔60连通于第二扩散层26延伸至第二半导体层25之外的部分。第二电极层27设置于第二子封装层62远离阵列基板1的一侧表面，并贯穿电极孔60与第二扩散层26接触电连接。可以理解，将电极孔60在第二半导体层25所在平面的投影与第二半导体层25错位设置，即电极孔60避让开LED元件20的有源层24与第二半导体层25对应的位置，可以避免电极孔60内的第二电极层27遮蔽LED元件20的出光面，使得有源层24发射的光线的出射率提高，提升显示效果。

第二电极层27设置有开口272，使得第二扩散层26暴露，以便于光线出射。具体的，如图28所示，开口272与电极孔60错位设置，优选的，开口272在第二半导体层25所在平面的投影与第二半导体层25重合，即开口272完全暴露第二扩散层26中与第二半导体层25对应的位置，也即开口272的横截面积与有源层24的横截面积相等，开口272可以与有源层24在封装层6上的投影重合，开口272可以使得有源层24发射的光线可以最大程度的出射，保证出光面积充足，提升显示面板100的PPI，进而提升显示性能，解决了现有技术中显示装置的PPI较低的问题，实现更高的PPI显示。在其他实施方式中，开口272在第二半导体层25所在平面的投影也可以位于第二半导体层25之内，即开口272的横街面积可以小于第二半导体层25的横截面积，只要可以保证光线正常出射，显示面板100可以正常显示画面即可。

本实施例中，显示面板100中的LED元件为垂直结构，第一电极层21与第二电极层27分别位于不同的两个平面，可以有效解决现有技术中的显示装置无法实现较高PPI显示的问题，提升了显示效果，且电极孔60在第二半导体层25所在平面的投影与第二半导体层25错位，电极孔60避让开LED元件20的有源层24与第二半导体层25对应的位置，可以避免电极孔60内的第二电极层27遮蔽LED元件20的出光面，使得有源层24发射的光线的出射率提高，提升显示效果。

实施例六

本申请还提供了一种显示装置，该显示装置包括显示面板100，其中，显示面板100可以为上述任一实施例中的显示面板100，也可以为采用上述任一实施例中的显示面板的制备方法制备形成的显示面板100。可以理解，本实施例中的显示装置包括上述任一种显示面板100，显示面板100中的LED元件为垂直结构，第一电极层21与第二电极层27分别位于不同的两个平面，可以有效解决现有技术中的显示装置无法实现较高PPI显示的问题，提升了显示效果。

区别于现有技术的情况，本申请公开了一种显示面板及其制备方法、显示装置，该制备方法包括：在阵列基板的一侧转移LED元件预制件；LED元件预制件包括依次设置的第一电极层、第一扩散层、第一半导体层、有源层和第二半导体层，且第一电极层与阵列基板电连接；在第二半导体层远离阵列基板的一侧沉积第二扩散层，并对多个LED元件预制件进行封装形成封装层；封装层覆盖第二扩散层且具有电极孔，以使部分第二扩散层暴露；在封装层远离阵列基板的一侧制备第二电极层；其中，第二电极层贯穿电极孔并与第二扩散层接触电连接。通过上述方法，制备形成的显示面板中的LED元件为垂直结构，两个电极层分别位于不同的两个平面，可以有效解决现有技术中的显示装置无法实现较高PPI显示的问题，提升了显示效果。

以上所述仅为本申请的实施例，并非因此限制本申请的专利范围，凡是利用本申请说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本申请的专利保护范围内。

Claims (8)

1.一种显示面板的制备方法，用于制备形成Micro led显示面板，其特征在于，包括：

在阵列基板的一侧转移LED元件预制件；所述LED元件预制件包括依次设置的第一电极层、第一扩散层、第一半导体层、有源层和第二半导体层，且所述第一电极层与所述阵列基板电连接；

在所述第二半导体层远离所述阵列基板的一侧沉积第二扩散层，并对多个所述LED元件预制件进行封装形成封装层；所述封装层覆盖所述第二扩散层且具有电极孔，以使部分所述第二扩散层暴露；

在所述封装层远离所述阵列基板的一侧制备第二电极层；其中，所述第二电极层贯穿所述电极孔并与所述第二扩散层接触电连接；其中，所述第二电极层具有开口，所述开口至少部分暴露所述第二扩散层；所述电极孔在所述第二半导体层所在平面的投影与所述第二半导体层至少部分重合并覆盖所述第二半导体层的一部分，所述开口在所述第二半导体层所在平面的投影与所述第二半导体层未被所述电极孔在所述第二半导体层所在平面的投影覆盖的其余部分重合；或

所述电极孔在所述第二半导体层所在平面的投影与所述第二半导体层错位，所述开口在所述第二半导体层所在平面的投影与所述第二半导体层重合。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在阵列基板的一侧转移LED元件预制件的步骤包括：

提供衬底，在所述衬底上生长外延层；所述外延层包括所述第二半导体层、所述有源层以及所述第一半导体层；

在所述第一半导体层上依次沉积所述第一扩散层和所述第一电极层；

分割所述外延层、所述第一扩散层与所述第一电极层，形成多个所述LED元件预制件；

将多个所述LED元件预制件从所述衬底转移至所述阵列基板，以使所述第一电极层与所述阵列基板接触电连接。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在所述第二半导体层远离所述阵列基板的一侧沉积第二扩散层，并对多个所述LED元件预制件进行封装形成封装层的步骤包括：

在所述第二半导体层远离所述阵列基板的表面沉积第二扩散层；

设置所述封装层，将多个所述LED元件预制件以及所述第二扩散层覆盖；

在所述封装层远离所述阵列基板的表面开设所述电极孔。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在所述第二半导体层远离所述阵列基板的一侧沉积第二扩散层，并对多个所述LED元件预制件进行封装形成封装层的步骤包括：

设置第一子封装层，将多个所述LED元件预制件覆盖；

在所述第一子封装层远离所述阵列基板的表面开槽，以使所述第二半导体层暴露；

在暴露的所述第二半导体层远离所述阵列基板的表面沉积所述第二扩散层；

在所述第一子封装层远离所述阵列基板的一侧设置第二子封装层，以将所述第一子封装层和所述第二扩散层覆盖；所述第二子封装层和所述第一子封装层形成所述封装层；

在所述第二子封装层远离所述阵列基板的表面开设所述电极孔。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述在所述第一子封装层远离所述阵列基板的表面开槽，以使所述第二半导体层暴露的步骤包括：

在所述第一子封装层远离所述阵列基板的表面开设孔径大于所述第二半导体层的凹槽，且所述第二半导体层远离所述阵列基板的表面作为所述凹槽的底面的一部分；

所述在暴露的所述第二半导体层远离所述阵列基板的表面沉积所述第二扩散层的步骤包括：

使所述第二扩散层覆盖所述第二半导体层并延伸至所述第二半导体层之外；

所述在所述第一子封装层远离所述阵列基板的一侧设置第二子封装层的步骤包括：

使所述第二子封装层填充于所述凹槽内，且使所述第二子封装层远离所述阵列基板的表面形成平面；

在所述第二子封装层远离所述阵列基板的表面开设所述电极孔的步骤包括：

使所述电极孔在所述第二半导体层所在平面的投影与所述第二半导体层错位。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在所述封装层远离所述阵列基板的一侧制备第二电极层的步骤包括：

在所述封装层远离所述阵列基板的表面沉积导电层，以将所述封装层覆盖；其中，部分所述导电层贯穿所述电极孔并与所述第二扩散层接触；

图案化所述导电层形成所述开口，以使得所述第二扩散层至少部分暴露。

7.一种显示面板，其特征在于，包括：

阵列基板；

LED层，设置于所述阵列基板一侧；所述LED层包括多个间隔设置的LED元件，所述LED元件包括依次层叠设置于所述阵列基板一侧的第一电极层、第一扩散层、第一半导体层、有源层、第二半导体层、第二扩散层以及第二电极层；所述第一电极层与所述阵列基板电连接；

封装层，设置于所述阵列基板的一侧；所述封装层覆盖所述第一电极层、所述第一扩散层、所述第一半导体层、所述有源层、所述第二半导体层以及所述第二扩散层；所述封装层设置有多个电极孔，所述电极孔使所述第二扩散层部分暴露；所述第二电极层设置于所述封装层远离所述阵列基板的表面并贯穿所述电极孔与所述第二扩散层接触电连接；

所述第二电极层具有开口，以使得所述第二扩散层部分暴露；

所述电极孔在所述第二半导体层所在平面的投影与所述第二半导体层至少部分重合并覆盖所述第二半导体层的一部分，所述开口在所述第二半导体层所在平面的投影与所述第二半导体层未被所述电极孔在所述第二半导体层所在平面的投影覆盖的其余部分重合；或

所述电极孔在所述第二半导体层所在平面的投影与所述第二半导体层错位，所述开口在所述第二半导体层所在平面的投影与所述第二半导体层重合。

8.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求7所述的显示面板或采用如权利要求1-6任一项所述的显示面板的制备方法制备形成的显示面板。