CN115799292A - 半导体结构及其制备方法、微器件的转移方法及显示面板 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种半导体结构及其制备方法、微器件的转移方法及显示面板。半导体结构的制备方法包括提供第一暂态基板；于第一暂态基板的表面涂布黏附层；提供衬底，于衬底上形成多个微器件；将微器件嵌入黏附层内；去除衬底，以暴露出微器件的出光面；去除衬底后，微器件的出光面具有残留金属；去除残留金属的同时刻蚀黏附层，以形成弱化结构对黏附层进行刻蚀处理以完成弱化结构。刻蚀处理过程中同时去除残留金属，节约成本，降低弱化结构的制程工艺复杂度，同时提高微器件出光面的出光效率，降低微器件移动至背板的转移难度。
Description
技术领域
本发明涉及巨量转移技术领域，尤其涉及半导体结构及其制备方法、微器件的转移方法及显示面板。
背景技术
微型发光二极管(Micro Light Emitting Diode，Micro LED)显示器作为新一代显示技术，相比于液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)、有机发光二极管(OrganicLight Emitting Diode，OLED)显示器技术，其亮度更高、发光效率更好、同时具有低功耗和长寿命的性能。
目前，Micro LED面临的关键技术是要通过巨量转移将Micro LED芯片转移到驱动背板上，通常是先将Micro LED矩阵通过胶材与暂态基板键合在一起，通过激光剥离(LaserLift-off，LLO)技术将Micro LED芯片背面衬底剥离，Micro LED芯片转移至暂态基板上，然后通过转移结构压印技术一次性拾取大量Micro LED芯片，最后整体放置到驱动背板上。
但激光剥离过程中位于Micro LED芯片与衬底之间的外延层分解产生残留金属，残留在Micro LED芯片背面，从而降低芯片出光效率；同时，上述过程中需要以热或光的形式将胶材解粘，将芯片转移至转移结构上，制程工艺复杂，且不能实现选择性转移，巨量转移难度大。
因此，如何提高转移后Micro LED芯片的发光效率，减少制程工艺是亟需解决的问题。
发明内容
鉴于上述现有技术的不足，本申请的目的在于提供半导体结构及其制备方法、微器件的转移方法及显示面板，旨在解决现有技术中，激光剥离产生的残留金属残留于MicroLED芯片背面，降低Micro LED芯片发光效率，以及巨量转移工艺复杂的问题。
一种半导体结构的制备方法，包括：
提供第一暂态基板；
于所述第一暂态基板的表面涂布黏附层；
提供衬底，于所述衬底上形成多个微器件；
将所述微器件嵌入所述黏附层内；
去除所述衬底，以暴露出所述微器件的出光面；去除所述衬底后，所述微器件的出光面具有残留金属；
去除所述残留金属的同时刻蚀所述黏附层，以形成弱化结构。
上述半导体结构的制备方法中，通过在第一暂态基板上形成黏附层，提供的衬底上形成有多个微器件，并将微器件嵌入进黏附层内；去除衬底时，暴露出微器件出光面的同时，微器件出光面上具有剩余的残留金属；最后对黏附层进行刻蚀处理以完成弱化结构的制备，刻蚀处理过程中同时去除残留金属，节约成本，降低弱化结构的制程工艺复杂度，同时提高微器件出光面的出光效率，降低微器件移动至背板的转移难度。
可选地，所述弱化结构的截面尺寸小于所述微器件的截面尺寸。通过设置弱化结构的截面尺寸小于微器件的截面尺寸，减小弱化结构与微器件的接触面积，使得在微器件转移过程中，无需任何附加工艺，可以直接脱离微器件，实现微器件转移。
可选地，所述黏附层包括热解胶层；所述去除所述残留金属，并刻蚀所述黏附层，以形成弱化结构包括：采用反应离子刻蚀工艺去除所述残留金属过程中，刻蚀所述黏附层，以得到所述弱化结构。利用通入腔体内的高能气体，在高频电场下解离成高能等离子体，并与残留金属发生反应，以去除残留金属；在去除残留金属的过程中，同时利用高能等离子体本身具有的物理轰击能力，刻蚀黏附层形貌，以形成弱化结构，一步去除残留金属和形成弱化结构，降低弱化结构的制程工艺难度，提高微器件出光效率。
可选地，所述于所述衬底上形成多个微器件之前还包括：于所述衬底的表面形成含镓外延层；所述于所述衬底上形成多个微器件包括：于所述含镓外延层远离所述衬底的表面形成磊晶；于所述磊晶远离所述含镓外延层的表面形成第一电极及第二电极；所述残留金属包括金属镓。
可选地，所述去除所述衬底，以暴露出所述微器件的出光面，包括：采用激光剥离工艺去除所述衬底；其中，激光能量大于所述含镓外延层的带隙宽度，且小于所述衬底的带隙宽度。激光剥离工艺去除衬底时，会对微器件出光面上的含镓外延层热分解，从而实现含镓外延层或微器件与衬底的分离。
基于同样的发明构思，本申请还提供一种半导体结构，半导体结构采用如上述的半导体结构的制备方法而得到。
上述半导体结构中，由于采用如上述具有微器件出光面的出光效率高，微器件移动至背板的转移难度低的半导体结构的制备方法制备半导体结构，因此，半导体结构同样具有微器件出光面的出光效率高，微器件移动至背板的转移难度低。
基于同样的发明构思，本申请还提供一种微器件的转移方法，包括：
采用如上述的半导体结构的制备方法制备所述半导体结构；
提供转移结构及驱动背板；
使用所述转移结构将所述微器件转移至所述驱动背板表面。
上述微器件的转移方法中，由于采用微器件的出光效率高、制备工艺简单的半导体结构的制备方法制备的半导体结构，并通过提供的转移结构及驱动背板，使用转移结构将半导体结构内的微器件转移至驱动背板的表面，以完成微器件的转移，从而提高转移后驱动背板的整体发光亮度，降低微器件的转移难度。
可选地，所述使用所述转移结构将所述微器件转移至所述驱动背板表面，包括：对所述第一暂态基板进行加热，使用所述转移结构拾取所述微器件；将拾取的所述微器件转移至所述驱动背板表面。
可选地，所述转移结构包括第二暂态基板及转移构件，所述转移构件位于所述第二暂态基板的表面；所述使用所述转移结构将所述微器件转移至所述驱动背板表面，包括：使用所述转移构件拾取所述微器件，并将所述微器件转移至所述驱动背板表面。
基于同样的发明构思，本申请还提供一种显示面板，包括驱动背板及固定于所述驱动背板上的多个微器件，多个所述微器件采用如上述的微器件的转移方法转移至所述驱动背板的表面。
上述显示面板中，由于采用了采用微器件的出光效率高、制备工艺简单的微器件的转移方法将多个微器件转移至驱动背板的表面，使得制备得到的显示面板具有较高的发光亮度，减小显示面板的制作成本和制作周期。
附图说明
图1为本申请一实施例中提供的半导体结构的制备方法的流程示意图；
图2为本申请一实施例中提供的于第一暂态基板上形成黏附层的局部截面示意图；
图3为本申请一实施例中提供的衬底及微器件的局部截面示意图；
图4为本申请一实施例中提供的微器件与黏附层键合后所得结构的局部截面示意图；
图5为本申请一实施例中提供的激光剥离工艺去除衬底后所得结构的局部截面示意图；
图6为本申请一实施例中提供的形成半导体结构的局部截面示意图；
图7为本申请一实施例中提供的微器件的转移方法的流程示意图；
图8a为本申请一实施例中提供的转移结构的局部截面示意图；
图8b为本申请一实施例中提供的去除弱化结构与第一暂态基板后所得结构的局部截面示意图；
图8c为本申请一实施例中提供的微器件转移至驱动背板后所得结构的局部截面示意图；
图9a为本申请另一实施例中提供的转移结构的局部截面示意图；
图9b为本申请另一实施例中提供的去除弱化结构与第一暂态基板后所得结构的局部截面示意图；
图9c为本申请另一实施例中提供的微器件转移至驱动背板后所得结构的局部截面示意图。
附图标记说明：
100-半导体结构，11-第一暂态基板，12-黏附层，13-弱化结构；
21-衬底，22-微器件，221-磊晶，222-第一电极，223-第二电极，23-含镓外延层，231-残留金属；
31-转移结构，311-第二暂态基板，312-转移构件，32-驱动背板，33-接触电极。
具体实施方式
为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的较佳实施方式。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本申请的公开内容理解的更加透彻全面。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本申请。
现有技术中，通常使用激光剥离技术将衬底与Micro LED芯片分离开来，但剥离后，在Micro LED芯片出光面会有金属残留，此种残留的金属物质会极大影响Micro LED芯片的出光效率；并且，需要通过以热或光的形式将胶层进行解粘，才能实现将Micro LED芯片转移出去。以上两个方面的问题导致Micro LED芯片的转移工艺复杂，巨量转移难度大，造成制备出的显示面板整体发光效率低，制作周期长，成本高。
基于此，本申请希望提供一种能够解决上述技术问题的方案，其详细内容将在后续实施例中得以阐述。
在本申请的一个实施例中，如图1所示，提供一种半导体结构的制备方法，包括如下步骤：
步骤S10：提供第一暂态基板；
步骤S20：于第一暂态基板的表面涂布黏附层；
步骤S30：提供衬底，于衬底上形成多个微器件；
步骤S40：将微器件嵌入黏附层内；
步骤S50：去除衬底，以暴露出微器件的出光面；去除衬底后，微器件的出光面具有残留金属；
步骤S60：去除残留金属的同时刻蚀黏附层，以形成弱化结构。
上述半导体结构的制备方法中，通过在第一暂态基板上形成黏附层，提供的衬底上形成有多个微器件，并将微器件嵌入进黏附层内；去除衬底时，暴露出微器件出光面的同时，微器件出光面上具有剩余的残留金属；最后对黏附层进行刻蚀处理以完成弱化结构的制备，刻蚀处理过程中同时去除残留金属，节约成本，降低弱化结构的制程工艺复杂度，同时提高微器件出光面的出光效率，降低微器件移动至背板的转移难度。
作为示例，如图2所示，步骤S10中提供的第一暂态基板11的材质可以包括但不仅限于玻璃、蓝宝石(Al2O3)或石英；即第一暂态基板11可以包括但不仅限于玻璃基板、蓝宝石基板或石英基板。
作为示例，请继续参阅图2，可使用匀胶机旋涂法(Spin coating)、化学气相沉积法(Chemical Vapor Deposition，CVD)或原子沉积法(Atomic layer deposition，ALD)等方法制备黏附层12，本申请对于其制备方法不作限定。
作为示例，黏附层12的材质包括但不仅限于热解胶；黏附层12包括但不仅限于热解胶层；热解胶层的材质包括但不仅限于碳氢氧化物。
作为示例，黏附层12的厚度可以包括10um-15um；譬如，黏附层12的厚度为10um、11um、12um、13um、14um或15um等等。
作为示例，黏附层12的厚度可以大于微器件的高度，以满足微器件在加热键合后能够完全嵌入进黏附层12内，且微器件与第一暂态基板11之前仍然保留有一定厚度的黏附层12。
在一个实施例中，如图3所示，步骤S30提供的衬底21的材质可以包括但不仅限于蓝宝石(Al2O3)、碳化硅(SiC)、硅(Si)或砷化镓(GaAs)等等；衬底21可以包括但不仅限于蓝宝石衬底、碳化硅衬底、硅衬底或砷化镓衬底等等；微器件22可以但不仅限于Micro LED芯片、Mini LED芯片光电探测二极管、MOS器件或MEMS(Micro-Electro-Mechanical System，微机电系统)器件等等。
在一个实施例中，请继续参考图3，衬底21的表面具有多个微器件22，多个微器件22呈阵列排布，可以等间距排布，或非等间距排布。为方便后续微器件在转移过程中拾取，多个微器件22在衬底21的表面设置为等间距排布，间距大小可根据制程参数的实际情况而定，本申请不对此做限定。
在一个实施例中，请继续参考图3，S30：于衬底21上形成多个微器件22之前还包括如下步骤：
步骤S201：于衬底21的表面形成含镓外延层23。
作为示例，含镓外延层23的材质可以包括但不仅限于GaN等等。
作为示例，可以采用但不仅限于物理气相沉积工艺、化学气相沉积工艺或原子层沉积工艺等于衬底21的表面形成含镓外延层23。
在一个实施例中，请继续参考图3，S30：于衬底21上形成多个微器件22包括如下步骤：
步骤S31：于含镓外延层23远离衬底21的表面形成磊晶221；
步骤S32：于磊晶221远离含镓外延层23的表面形成第一电极222及第二电极223。
作为示例，第一电极222与第二电极223之间具有间隙；对于第一电极222与第二电极223的材质和形状不做限定，电极的材质可以包括但不仅限于Cr、Ti、Al、Ni、Pt、W、Pb、Rh、Sn、Cu及Ag中的一种或其任意组合形成的合金材料。第一电极222可以为P电极，第二电极223可以为N电极；或第一电极222可以为N电极，第二电极223可以为P电极。
在一个实施例中，如图4所示，步骤S40中，将微器件22倒装键合于黏附层12上。利用黏附层12的材质特性，对其进行加热，使微器件22整体嵌入进黏附层12内，同时含镓外延层23暴露在黏附层12的外部，便于后续在去除残留金属时，同时能够控制黏附层12的形貌，以得到相较于黏附层12具有弱粘附力的弱化结构。微器件22出光面与黏附层12远离第一暂态基板11的表面相平齐，含镓外延层23远离衬底21的表面与微器件22的出光面相接触，含镓外延层23远离衬底21的表面与黏附层12远离第一暂态基板11的表面相接触。
作为示例，键合过程中，加热温度可以根据实际需要进行设定，本实施例中，加热温度可以包括100℃-200℃；譬如，键合过程的加热温度为100℃、110℃、120℃、130℃、140℃、150℃、160℃、170℃、170℃、180℃或200℃等等。
在一个实施例中，如图5所示，步骤S50：去除衬底21，以暴露出微器件的出光面，包括如下步骤：
步骤S51：采用激光剥离工艺去除衬底21；其中，激光能量大于含镓外延层23的带隙宽度，且小于衬底21的带隙宽度。
为了便于理解，在本申请实施例中，以含镓外延层23的材质为GaN为例，衬底21以蓝宝石衬底为例，GaN外延层的禁带宽度为3.3eV，蓝宝石衬底的禁带宽度为9.9eV，调节激光能量处于3.3eV-9.9eV之间，紫外波段的激光光源透过蓝宝石衬底辐照微器件22，使与蓝宝石衬底相接触的GaN外延层发生热分解反应，生成金属Ga以及氮气N2，从而实现微器件22与衬底21的分离。残留的金属Ga保留在微器件22的出光面。
在一个实施例中，出光面为微器件22与含镓外延层23的接触面；去除衬底21后，微器件22的出光面具有残留金属231，残留金属231包括金属镓。
在一个实施例中，步骤S60：去除残留金属，并刻蚀黏附层，以形成弱化结构包括如下步骤：
步骤S61：采用反应离子刻蚀工艺去除残留金属231过程中，刻蚀黏附层12，以得到弱化结构13，无需进行任何清洗工艺。弱化结构13相较于黏附层12具有更小的粘附力，微器件22在转移时更易脱离。
具体地，利用反应离子刻蚀工艺(Reactive ion etching，RIE)各向异性高，选择性强的特性，向反应腔体内通入高能反应气体，在射频电源形成高频电场下解离成高能等离子体，并与残留金属231发生反应，以去除残留金属231；在去除残留金属231的过程中，同时利用高能等离子体本身具有的物理轰击能力，刻蚀黏附层12，通过RIE各项异性控制黏附层12形貌，以形成弱化结构13，从而得到半导体结构100，如图6所示。采用上述制备方法得到半导体结构100，一步去除残留金属231和形成弱化结构13，无需对黏附层进行解粘处理，降低弱化结构13的制程工艺难度，同时提高微器件22的出光效率。
在一个实施例中，高能反应气体包括但不仅限于O2、Ar、N2及SF6等等；可根据含镓外延层23所含有的金属种类，对应性选取适当的反应气体，本申请对此不作限定。
为便于理解，反应气体在腔体内发生电离，反应如下：
SF6+e-→SxF+ y+F-+e-，nCF+ 2+F-→CF- x→CF2↑；
残留金属231以金属镓为例，金属镓与高能等离子体反应如下：
Ga++F-→GaFx；
黏附层12为热解胶层，热解胶层的材质为碳氢氧化物时，黏附层12与高能等离子体反应如下：
C++F-→CO2↑。
在一个实施例中，弱化结构13的形状包括但不仅限于凸型，弱化结构13位于第一暂态基板11与微器件22之间，弱化结构13填满第一电极222与第二电极223之间的间隙。微器件22在第一暂态基板11上的正投影面积大于弱化结构13在第一暂态基板11上的正投影面积。
在一个实施例中，弱化结构13的截面尺寸小于微器件22的截面尺寸，截面尺寸即为宽度，即，弱化结构13的宽度小于微器件22的宽度，减小弱化结构与微器件的接触面积，使得在微器件转移过程中，无需任何附加工艺，可以直接脱离微器件，实现微器件转移。弱化结构的截面尺寸包括10um-15um；弱化结构的高度包括5um-10um；譬如，弱化结构的截面尺寸为10um、11um、12um、13um、14um或15um等等；弱化结构的高度为5um、6um、7um、8um、9um或10um等等。
在本申请的一个实施例中，还提供一种半导体结构，半导体结构采用如上述的半导体结构的制备方法而得到。请继续参考图6，半导体结构100包括第一暂态基板11、弱化结构13及微器件22。微器件22与弱化结构13一一对应，弱化结构13位于微器件22与第一暂态基板11之间。其中，微器件22包括多个，多个微器件22之间具有间隙。
上述半导体结构中，由于采用如上述具有微器件出光面的出光效率高，微器件移动至背板的转移难度低的半导体结构的制备方法制备半导体结构，因此，半导体结构同样具有微器件出光面的出光效率高，微器件移动至背板的转移难度低。
在本申请的一个实施例中，如图7所示，还提供一种微器件的转移方法，包括如下步骤：
步骤S100：采用如上述的半导体结构的制备方法制备半导体结构100，如图6所示；
步骤S200：提供转移结构31及驱动背板32；
步骤S300：使用转移结构31将微器件22转移至驱动背板32的表面，如图8和图9所示。
上述微器件的转移方法中，由于采用微器件出光效率高、制备工艺简单的半导体结构的制备方法制备的半导体结构，并通过提供的转移结构及驱动背板，使用转移结构将半导体结构内的微器件转移至驱动背板的表面，以完成微器件的转移，从而提高转移后驱动背板的整体发光亮度，降低微器件的转移难度。
在一个实施例中，驱动背板32的表面具有接触电极33，接触电极33与第一电极222、第二电极223相对应，接触电极33的数量大于第一电极222与第二电极223的数量总和。选择性拾取后，至少部分接触电极33与第一电极222及第二电极223相接触，如图8和图9所示。
在一个实施例中，步骤S300：使用转移结构31将微器件22转移至驱动背板32表面，包括如下步骤：
步骤S301：对第一暂态基板11进行加热，使用转移结构31拾取微器件22，同时去除弱化结构13和第一暂态基板11；
步骤S302：将拾取的微器件22转移至驱动背板32表面。
作为示例，第一暂态基板11的加热温度可以根据转移结构31的材料而适应性设置，本实施例中，第一暂态基板11的加热温度可以包括40℃-70℃，譬如，加热温度可以为40℃、50℃、60℃、65℃或70℃等等。
在一个实施例中，转移结构31包括第二暂态基板311及转移构件312，转移构件312位于第二暂态基板311的表面；使用转移结构31将微器件22转移至驱动背板32表面，包括如下步骤：
步骤S310：使用转移构件31将拾取的微器件22，并将微器件22转移至驱动背板32表面。
作为示例，可全部拾取所有的微器件22，也可以拾取部分的微器件22；第二暂态基板311的材质可以包括但不仅限于玻璃基板、蓝宝石基板(Al2O3)或石英基板。第一暂态基板11的材质与第二暂态基板311的材质可以相同，也可以不同。转移构件312可以包括但不仅限于聚二甲基硅氧烷印章(Polydimethylsiloxane Stamp，PDMS Stamp)，利用其本身粘附力不需加热即可直接拾取第一暂态基板11上的微器件22。
作为示例，图7中转移构件312可拾取全部微器件22，图8中转移构件312经过图形化处理后，可部分拾取微器件22，转移构件312的具体形状关联于拾取微器件22的数量。
在本申请的一个实施例中，还提供一种显示面板，包括驱动背板32及固定于驱动背板32上的多个微器件22，多个微器件22采用如上述的微器件的转移方法转移至驱动背板32的表面。
作为示例，显示面板例如为LED显示面板或LED背板。前述Micro LED芯片所能实现的技术效果，该显示装置也均能实现，此处不再详述。
上述显示面板中，由于采用了采用微器件出光效率高、制备工艺简单的微器件的转移方法将多个微器件转移至驱动背板的表面，使得制备得到的显示面板具有较高的发光亮度，减小显示面板的制作成本和制作周期。
应当理解的是，本发明的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。
Claims (10)
1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：
提供第一暂态基板；
于所述第一暂态基板的表面涂布黏附层；
提供衬底，于所述衬底上形成多个微器件；
将所述微器件嵌入所述黏附层内；
去除所述衬底，以暴露出所述微器件的出光面；去除所述衬底后，所述微器件的出光面具有残留金属；
去除所述残留金属的同时刻蚀所述黏附层，以形成弱化结构。
2.如权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述弱化结构的截面尺寸小于所述微器件的截面尺寸。
3.如权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述黏附层包括热解胶层；所述去除所述残留金属的同时刻蚀所述黏附层，以形成弱化结构包括：
采用反应离子刻蚀工艺去除所述残留金属过程中，刻蚀所述黏附层，以得到所述弱化结构。
4.如权利要求1-3任一项所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述于所述衬底上形成多个微器件之前还包括：于所述衬底的表面形成含镓外延层；所述于所述衬底上形成多个微器件包括：
于所述含镓外延层远离所述衬底的表面形成磊晶；
于所述磊晶远离所述含镓外延层的表面形成第一电极及第二电极；
所述残留金属包括金属镓。
5.如权利要求4所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述去除所述衬底，以暴露出所述微器件的出光面，包括：
采用激光剥离工艺去除所述衬底；其中，激光能量大于所述含镓外延层的带隙宽度，且小于所述衬底的带隙宽度。
6.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构采用如权利要求1至5中任一项所述的半导体结构的制备方法制备而得到。
7.一种微器件的转移方法，其特征在于，包括：
采用如权利要求1-5任一项所述的半导体结构的制备方法制备所述半导体结构；
提供转移结构及驱动背板；
使用所述转移结构将所述微器件转移至所述驱动背板表面。
8.如权利要求7所述的微器件的转移方法，其特征在于，所述使用所述转移结构将所述微器件转移至所述驱动背板表面，包括：
对所述第一暂态基板进行加热，使用所述转移结构拾取所述微器件；
将拾取的所述微器件转移至所述驱动背板表面。
9.如权利要求8所述的微器件的转移方法，其特征在于，所述转移结构包括第二暂态基板及转移构件，所述转移构件位于所述第二暂态基板的表面；所述使用所述转移结构将所述微器件转移至所述驱动背板表面，包括：
使用所述转移构件拾取所述微器件，并将所述微器件转移至所述驱动背板表面。
10.一种显示面板，其特征在于，包括驱动背板及固定于所述驱动背板上的多个微器件，多个所述微器件采用如权利要求7-9任一项所述的微器件的转移方法转移至所述驱动背板的表面。
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN117080238A (zh) * | 2023-08-31 | 2023-11-17 | 惠科股份有限公司 | 显示背板及微型器件的转移方法 |
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2021
- 2021-09-10 CN CN202111064463.0A patent/CN115799292A/zh active Pending
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