CN115786759B - 气相渗铝制备近净成型铝基碳化硅箔材的设备及方法 - Google Patents
气相渗铝制备近净成型铝基碳化硅箔材的设备及方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN115786759B CN115786759B CN202211413433.0A CN202211413433A CN115786759B CN 115786759 B CN115786759 B CN 115786759B CN 202211413433 A CN202211413433 A CN 202211413433A CN 115786759 B CN115786759 B CN 115786759B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- gas
- furnace
- aluminizing
- control valve
- aluminide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000005269 aluminizing Methods 0.000 title claims abstract description 90
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 53
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 53
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 51
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 50
- 239000011888 foil Substances 0.000 title claims abstract description 33
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 129
- 229910000951 Aluminide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 56
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 21
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hydrogen chloride Substances Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 21
- 229910000041 hydrogen chloride Inorganic materials 0.000 claims abstract description 21
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract description 6
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000000428 dust Substances 0.000 claims description 11
- 239000012071 phase Substances 0.000 claims description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 9
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 claims description 8
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 6
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 3
- 238000005086 pumping Methods 0.000 claims description 3
- 238000009423 ventilation Methods 0.000 claims description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 abstract description 3
- CAVCGVPGBKGDTG-UHFFFAOYSA-N alumanylidynemethyl(alumanylidynemethylalumanylidenemethylidene)alumane Chemical compound [Al]#C[Al]=C=[Al]C#[Al] CAVCGVPGBKGDTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 9
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000004100 electronic packaging Methods 0.000 description 4
- 239000005022 packaging material Substances 0.000 description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000011156 metal matrix composite Substances 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000002360 explosive Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 231100000956 nontoxicity Toxicity 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000004064 recycling Methods 0.000 description 1
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 1
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Manufacture And Refinement Of Metals (AREA)
Abstract
本发明公开了一种气相渗铝制备近净成型铝基碳化硅箔材的设备及方法，属于铝基碳化硅复合材料技术领域。包括气体铝化物发生炉和渗铝炉，气体铝化物发生炉通过渗铝炉进气控制阀门与渗铝炉相连接，气体铝化物发生炉通过第一进气控制阀门与氯化氢气瓶相连接，渗铝炉通过第二进气控制阀门与氢气瓶相连接，渗铝炉底部通过尾气控制阀门与气泵相连接，内循环管道将渗铝炉和气体铝化物发生炉连接，渗铝炉和气体铝化物发生炉通过第二管道和内循环管道构成闭合的循环气路，内循环阀门安装在内循环管道上控制所述循环气路通断，渗铝炉内设置有炉内循环挂架，得到近净成型的铝基碳化硅箔材，残留的铝和HCl气体通过内循环系统重新进入气体铝化物发生炉。
Description
技术领域
本发明涉及铝基碳化硅复合材料技术领域，具体涉及一种气相渗铝制备近净成型铝基碳化硅箔材的设备及方法。
背景技术
电子封装是连接半导体芯片和电子系统的一道桥梁，集成电路和计算机、通信、汽车电子等系统的蓬勃发展对微电子封装提出了更高要求。
普通的纯金属材料，如Al、Cu、Ag的热膨胀系数(CTE)较高，很难与半导体器件匹配；W、Mo熔点高、二次加工困难、价格相对昂贵，限制了其发展应用。Al2O3是目前应用最成熟的陶瓷基片材料，价格低廉、耐热冲击及电绝缘性好、制作加工技术成熟,使用最为广泛；但低热导率限制了其在大规模集成电路中的应用。AlN陶瓷的热导率较高、热膨胀系数与硅芯片匹配较好，其优良的电性能、机械性能、无毒等特点被视为最好的封装材料之一；因其制备工艺复杂、成本较高，尚未实现大规模应用。
由于传统封装材料存在种种弊端，电子封装用金属基复合材料应时、应需而生。尤其是颗粒增强金属基复合材料能够综合吸收各组元性能的优点、甚至产生新的优异性能，成为代替传统电子封装材料的最佳选择。以高体分SiC颗粒为增强体的铝基碳化硅复合材料具有密度低、热导率高、热膨胀系数低且可调整等优异性能，可以满足电子元器件轻量化、高功率密度设计要求，在微波功率器件、高可靠性IGBT模块基板及CPU盖板等领域已实现广泛应用，成为第三代封装材料的主流。
铝基碳化硅中加入的高硬度增强相导致切削加工过程中刀具磨损严重、表面加工质量差、加工精度无法达到要求；大幅降低刀具使用年限的同时增加了加工成本、限制了生产效率。现有技术中，高体积分数铝基碳化硅箔材难以通过物理加工成型，成型尺寸、成型质量无法控制，不能大批量生产。而近净成形工艺生产的设备构件外形精确、表面粗糙度好、尺寸精度和形位精度高，尤其适用于电子封装领域“轻薄微小”构件的发展要求。
因此，本专利提供了一种气相渗铝制备近净成型铝基碳化硅箔材的方法与设备。
发明内容
本发明的目的在于提供一种气相渗铝制备近净成型铝基碳化硅箔材的方法与设备，用于解决现有技术中高体积分数铝基碳化硅箔材难以加工成型、成型尺寸和质量无法控制及无法大批量生产的问题。
本发明的目的可以通过以下技术方案实现：
一种气相渗铝制备近净成型铝基碳化硅箔材的设备，包括气体铝化物发生炉和渗铝炉，所述气体铝化物发生炉通过渗铝炉进气控制阀门与所述渗铝炉相连接，所述气体铝化物发生炉通过第一进气控制阀门与氯化氢气瓶相连接，所述渗铝炉通过第二进气控制阀门与氢气瓶相连接，所述渗铝炉底部通过尾气控制阀门与气泵相连接，内循环管道将所述渗铝炉和所述气体铝化物发生炉连接，所述渗铝炉和所述气体铝化物发生炉通过第二管道和所述内循环管道构成闭合的循环气路，内循环阀门安装在所述内循环管道上控制所述循环气路通断，所述渗铝炉内设置有炉内循环挂架。
作为本发明进一步的方案，所述气泵输出端连接有除尘设备，所述除尘设备通过第三管道与除尾气设备相连接。
作为本发明进一步的方案，所述渗铝炉进气控制阀门安装在第二管道上，所述第二管道的一端与所述气体铝化物发生炉相连接，所述第二管道的另一端与所述渗铝炉相连接。
作为本发明进一步的方案，包括以下步骤：
(1)将铝屑(或铝合金屑)置于所述气体铝化物发生炉内，加盖并密封；
(2)将碳化硅预制薄片依次挂在所述渗铝炉的所述炉内循环挂架上，加盖并密封；
(3)打开所述气泵电源，从右到左依次打开所述尾气控制阀门、所述内循环阀门和所述渗铝炉进气控制阀门，将所述气体铝化物发生炉、所述渗铝炉和所述第二管道的气压抽至10Pa-50Pa，依次关闭所述渗铝炉进气控制阀门、所述内循环阀门和所述尾气控制阀门；
(4)将所述气体铝化物发生炉加热至250℃-330℃，打开所述第一进气控制阀门通入HCl气体；
(5)待所述气体铝化物发生炉内生成AlCl(x)气体后，待20分钟后打开所述第二进气控制阀门和所述渗铝炉进气控制阀门，将AlCl(x)气体和H2通入所述渗铝炉，生成的细小铝颗粒依次渗入所述炉内循环挂架上的碳化硅预制薄片；
(6)期间打开所述内循环阀门，开启所述气体铝化物发生炉、所述渗铝炉之间的内循环装置，重复利用所述渗铝炉内残存的AlCl(x)气体和HCl气体，最终得到所需的铝基碳化硅箔材；
(7)反应结束后关闭所述第一进气控制阀门和第二进气控制阀门，打开所述气泵将炉内和管道内残留的气体抽出，经所述除尘设备和所述除尾气设备进行处理；
(8)关闭所述气泵，待所述渗铝炉回复到正常大气压打开所述渗铝炉的炉门，取出制备的铝基碳化硅箔材。
作为本发明进一步的方案，步骤(2)中所述碳化硅预制薄片厚度为0.1-0.2毫米，多个所述碳化硅预制薄片间隔排布，间距为10毫米。
作为本发明进一步的方案，步骤(4)中通入HCl气体时间为2分钟。
作为本发明进一步的方案，步骤(5)中将AlCl(x)气体和H2通入所述渗铝炉持续2小时。
作为本发明进一步的方案，步骤(7)中所述气泵抽取炉内和管道内残留的气体时间为5分钟。
本发明的有益效果：
本发明所公开的一种气相渗铝制备近净成型铝基碳化硅箔材的设备及方法对碳化硅预制薄片进行气相渗铝的过程中，通过各阀门之间的协调可以控制铝基碳化硅箔材的成型尺寸和质量，满足大批量箔材的生产要求，同时无有害气体泄露，气相渗铝设备制备的铝基碳化硅箔材厚度均匀、不需后续加工、工艺简单、成本低廉。
附图说明
下面结合附图对本发明作进一步的说明。
图1是本发明所提出的一种气相渗铝制备近净成型铝基碳化硅箔材的设备的主视图；
图2是本发明所提出的一种气相渗铝制备近净成型铝基碳化硅箔材的设备的渗铝炉的俯视图。
图中：1、氯化氢气瓶；2、第一进气控制阀门；3、气体铝化物发生炉；4、渗铝炉；5、氢气瓶；6、第二进气控制阀门；7、渗铝炉进气控制阀门；8、内循环阀门；9、炉内循环挂架；10、尾气控制阀门；11、气泵；12、除尘设备；13、除尾气设备；14、第一管道；15、第二管道；16、第三管道；17、内循环管道；18、第一口；19、第二口；20、第三口；21、第四口；22、第五口；23、第六口；24、第七口。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例一：
如图1-2所示，一种气相渗铝制备近净成型铝基碳化硅箔材的设备，包括气体铝化物发生炉3和渗铝炉4，气体铝化物发生炉3左侧炉壁上开设有第一口18，气体铝化物发生炉3右侧炉壁上开设有第二口19，第一口18上方开设有第三口20，渗铝炉4左侧炉壁上开设有第四口21，第四口21下方开设有第七口24，渗铝炉4右侧炉壁上开设有第五口22，第五口22下方靠近渗铝炉4底部处开设有第六口23，渗铝炉4内部设置有炉内循环挂架9，炉内循环挂架9上依次排列碳化硅预制薄片；
气体铝化物发生炉3的第二口19通过第二管道15与渗铝炉4的第四口21相连接，第二管道15上设置有渗铝炉进气控制阀门7，渗铝炉4与气体铝化物发生炉3之间设置有内循环系统，第一口18通过第一管道14与氯化氢气瓶1相连接，第一管道14上设置有第一进气控制阀门2，第三口20通过内循环管道17与第五口22相连接，内循环管道17上设置有内循环阀门8，内循环管道17将渗铝炉4和气体铝化物发生炉3连接，渗铝炉4和气体铝化物发生炉3通过第二管道15和内循环管道17构成闭合的循环气路，内循环阀门8安装在内循环管道17上控制形成的闭合循环气路通断；
第七口24通过第二进气控制阀门6与氢气瓶5相连接，第六口23通过尾气控制阀门10与气泵11输入端相连接，气泵11的输出端连接有废弃物处理装置，包括除尘设备12和除尾气设备13，除尘设备12通过第三管道16与除尾气设备13相连接。
实施例二：
一种气相渗铝制备近净成型铝基碳化硅箔材的方法，铝屑(或铝合金屑)与氯化氢在气体铝化物发生炉3内生成气体铝化物AlCl(x)，AlCl(x)在渗铝炉4内与氢气反应生成的Al不断渗入炉内循环挂架9上的碳化硅预制薄片，得到近净成型的铝基碳化硅箔材，渗铝炉4内残留的Al和氯化氢通过内循环系统重新进入气体铝化物发生炉3，包括以下步骤：
(1)HCl与铝屑在气体铝化物发生炉3内生成AlCl(x)，AlCl(x)与H2在渗铝炉4内对碳化硅预制薄片进行气相渗铝，得到的铝基碳化硅箔材厚度均匀可控、无需后续加工。
(2)将铝屑(或铝合金屑)置于气体铝化物发生炉3内，约占炉膛体积的1/3，加盖并密封；
(3)将若干厚度为0.2mm的碳化硅预制薄片依次间隔10mm排布在渗铝炉4的炉内循环挂架9上，加盖并密封；
(4)打开气泵11电源，从右到左依次打开尾气控制阀门10、内循环阀门8和渗铝炉进气控制阀门7，将气体铝化物发生炉3、渗铝炉4以及内循环通气管道的气压抽至10Pa，依次关闭渗铝炉进气控制阀门7、内循环阀门8和尾气控制阀门10；
(5)将气体铝化物发生炉3加热至300℃，打开第一进气控制阀门2通入HCl气体2min；
(6)气体铝化物发生炉3内生成AlCl(x)气体后，待20min后打开第二进气控制阀门6、渗铝炉进气控制阀门7，将AlCl(x)气体和H2通入渗铝炉4，该过程持续2h，生成的细小铝颗粒依次渗入炉内循环挂架9上的碳化硅预制薄片；
(7)打开第二进气控制阀门6、渗铝炉进气控制阀门7通气20min后，打开内循环阀门8开启气体铝化物发生炉3、渗铝炉4之间的内循环系统；
(8)反应结束后关闭第一进气控制阀门2、第二进气控制阀门6，打开气泵11将炉内和管道内残留的气体抽出，抽气时间5min，经除尘设备12和除尾气设备13进行处理；
(9)关闭气泵11，待渗铝炉4回复到正常大气压打开炉门，取出制备的铝基碳化硅箔材；制备的铝基碳化硅箔材厚度均匀、铝含量为32％。
本发明所公开的一种气相渗铝制备近净成型铝基碳化硅箔材的设备及方法的工作原理如下：
包括以下原材料：碳化硅预制薄片、铝屑(或铝合金屑)、氯化氢气体和氢气；设备包括气体铝化物发生炉3和用于控制反应进行的HCl气体，渗铝炉4、炉内循环挂架9、加快反应的H2，气泵11、除尘设备12和除尾气设备13，以及控制反应顺序的阀门等。铝屑(或铝合金屑)与氯化氢气体在气体铝化物发生炉3内生成气体铝化物AlCl(x)气体，AlCl(x)气体在渗铝炉4内与氢气反应生成的铝颗粒不断渗入炉内循环挂架9上的碳化硅预制薄片，得到近净成型的铝基碳化硅箔材，渗铝炉4内残留的Al和氯化氢通过内循环系统重新进入气体铝化物发生炉3，该设备及方法对碳化硅预制薄片进行气相渗铝的过程中，通过各阀门之间的协调可以控制铝基碳化硅箔材的成型尺寸和质量，满足大批量箔材的生产要求，同时无有害气体泄露。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“左”、“右”等指示方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以及特定的方位构造和操作，因此，不能理解为对本发明的限制。此外，“第一”、“第二”仅由于描述目的，且不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。因此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者多个该特征。本发明的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”“相连”“连接”等应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接连接，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
以上对本发明的多个实施例进行了详细说明，但所述内容仅为本发明的较佳实施例，不能被认为用于限定本发明的实施范围。凡依本发明申请范围所作的均等变化与改进等，均应仍归属于本发明的专利涵盖范围之内。
Claims (5)
1.一种气相渗铝制备近净成型铝基碳化硅箔材的方法，其特征在于，包括气相渗铝制备近净成型铝基碳化硅箔材的设备，所述设备包括气体铝化物发生炉（3）和渗铝炉（4），所述气体铝化物发生炉（3）通过渗铝炉进气控制阀门（7）与所述渗铝炉（4）相连接，所述气体铝化物发生炉（3）通过第一进气控制阀门（2）与氯化氢气瓶（1）相连接，所述渗铝炉（4）通过第二进气控制阀门（6）与氢气瓶（5）相连接，所述渗铝炉（4）底部通过尾气控制阀门（10）与气泵（11）相连接，内循环管道（17）将所述渗铝炉（4）和所述气体铝化物发生炉（3）连接，所述渗铝炉（4）和所述气体铝化物发生炉（3）通过第二管道（15）和所述内循环管道（17）构成闭合的循环气路，内循环阀门（8）安装在所述内循环管道（17）上控制所述循环气路通断，所述渗铝炉（4）内设置有炉内循环挂架（9）；
所述气泵（11）输出端连接有除尘设备（12），所述除尘设备（12）通过第三管道（16）与除尾气设备（13）相连接；
所述渗铝炉进气控制阀门（7）安装在第二管道（15）上，所述第二管道（15）的一端与所述气体铝化物发生炉（3）相连接，所述第二管道（15）的另一端与所述渗铝炉（4）相连接；
所述方法包括以下步骤：
（1）将铝屑置于气体铝化物发生炉（3）内，加盖并密封；
（2）将碳化硅预制薄片依次挂在渗铝炉（4）的炉内循环挂架（9）上，加盖并密封；
（3）打开气泵（11）电源，从右到左依次打开尾气控制阀门（10）、内循环阀门（8）和渗铝炉进气控制阀门（7），将所述气体铝化物发生炉（3）、所述渗铝炉（4）和第二管道（15）的气压抽至10 Pa - 50 Pa，依次关闭所述渗铝炉进气控制阀门（7）、所述内循环阀门（8）和所述尾气控制阀门（10）；
（4）将所述气体铝化物发生炉（3）加热至250℃ - 330℃，打开第一进气控制阀门（2）通入HCl气体；
（5）待所述气体铝化物发生炉（3）内生成AlCl（x）气体后，待20分钟后打开第二进气控制阀门（6）和渗铝炉进气控制阀门（7），将AlCl（x）气体和H2通入所述渗铝炉（4），所述AlCl(x)气体在渗铝炉（4）内与H2反应生成的铝颗粒依次渗入所述炉内循环挂架（9）上的碳化硅预制薄片；
（6）打开第二进气控制阀门（6）、渗铝炉进气控制阀门（7）通气20min后打开所述内循环阀门（8），开启所述气体铝化物发生炉（3）和渗铝炉（4）之间的内循环装置，重复利用渗铝炉（4）内残存的AlCl（x）气体和HCl气体，最终得到所需的铝基碳化硅箔材；
（7）反应结束后关闭所述第一进气控制阀门（2）和第二进气控制阀门（6），打开所述气泵（11）将炉内和管道内残留的气体抽出，经除尘设备（12）和除尾气设备（13）进行处理；
（8）关闭所述气泵（11），待所述渗铝炉（4）回复到正常大气压打开所述渗铝炉（4）的炉门，取出制备的铝基碳化硅箔材。
2.根据权利要求1所述的一种气相渗铝制备近净成型铝基碳化硅箔材的方法，其特征在于，步骤（2）中所述碳化硅预制薄片厚度为0.1 - 0.2毫米，多个所述碳化硅预制薄片间隔排布，间距为10毫米。
3.根据权利要求1所述的一种气相渗铝制备近净成型铝基碳化硅箔材的方法，其特征在于，步骤（4）中通入HCl气体时间为2分钟。
4.根据权利要求1所述的一种气相渗铝制备近净成型铝基碳化硅箔材的方法，其特征在于，步骤（5）中将AlCl（x）气体和H2通入所述渗铝炉（4）持续2小时。
5.根据权利要求1所述的一种气相渗铝制备近净成型铝基碳化硅箔材的方法，其特征在于，步骤（7）中所述气泵（11）抽取炉内和管道内残留的气体时间为5分钟。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202211413433.0A CN115786759B (zh) | 2022-11-11 | 2022-11-11 | 气相渗铝制备近净成型铝基碳化硅箔材的设备及方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202211413433.0A CN115786759B (zh) | 2022-11-11 | 2022-11-11 | 气相渗铝制备近净成型铝基碳化硅箔材的设备及方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN115786759A CN115786759A (zh) | 2023-03-14 |
| CN115786759B true CN115786759B (zh) | 2024-06-04 |
Family
ID=85437066
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202211413433.0A Active CN115786759B (zh) | 2022-11-11 | 2022-11-11 | 气相渗铝制备近净成型铝基碳化硅箔材的设备及方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN115786759B (zh) |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05331643A (ja) * | 1992-05-29 | 1993-12-14 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | アルミニウム化学蒸着コーティング方法 |
| JPH0813125A (ja) * | 1994-06-30 | 1996-01-16 | Aisin Seiki Co Ltd | ガス浸炭窒化処理の炉気制御方法および装置 |
| US6689422B1 (en) * | 1994-02-16 | 2004-02-10 | Howmet Research Corporation | CVD codeposition of A1 and one or more reactive (gettering) elements to form protective aluminide coating |
| CN204174276U (zh) * | 2014-10-24 | 2015-02-25 | 西安热工研究院有限公司 | 用于制备燃气透平叶片内表面涂层的化学气相沉积设备 |
| CN204825045U (zh) * | 2015-07-06 | 2015-12-02 | 华能国际电力股份有限公司 | 一种用于制备多元素改性铝化物涂层的化学气相沉积设备 |
| CN112430802A (zh) * | 2020-10-09 | 2021-03-02 | 北京航空航天大学 | 复杂内腔叶片氟离子清洗及铝化物涂层制备的方法及装置 |
| CN213803952U (zh) * | 2020-11-24 | 2021-07-27 | 沈阳梅特科航空科技有限公司 | 一种工件外表面气相渗铝装置 |
| CN114807831A (zh) * | 2022-04-11 | 2022-07-29 | 北航（四川）西部国际创新港科技有限公司 | 一种铝含量可控的金属粘结层及其制备方法 |
-
2022
- 2022-11-11 CN CN202211413433.0A patent/CN115786759B/zh active Active
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05331643A (ja) * | 1992-05-29 | 1993-12-14 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | アルミニウム化学蒸着コーティング方法 |
| US6689422B1 (en) * | 1994-02-16 | 2004-02-10 | Howmet Research Corporation | CVD codeposition of A1 and one or more reactive (gettering) elements to form protective aluminide coating |
| JPH0813125A (ja) * | 1994-06-30 | 1996-01-16 | Aisin Seiki Co Ltd | ガス浸炭窒化処理の炉気制御方法および装置 |
| CN204174276U (zh) * | 2014-10-24 | 2015-02-25 | 西安热工研究院有限公司 | 用于制备燃气透平叶片内表面涂层的化学气相沉积设备 |
| CN204825045U (zh) * | 2015-07-06 | 2015-12-02 | 华能国际电力股份有限公司 | 一种用于制备多元素改性铝化物涂层的化学气相沉积设备 |
| CN112430802A (zh) * | 2020-10-09 | 2021-03-02 | 北京航空航天大学 | 复杂内腔叶片氟离子清洗及铝化物涂层制备的方法及装置 |
| CN213803952U (zh) * | 2020-11-24 | 2021-07-27 | 沈阳梅特科航空科技有限公司 | 一种工件外表面气相渗铝装置 |
| CN114807831A (zh) * | 2022-04-11 | 2022-07-29 | 北航（四川）西部国际创新港科技有限公司 | 一种铝含量可控的金属粘结层及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN115786759A (zh) | 2023-03-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN109175354B (zh) | 一种金刚石/W-Cu复合材料的制备方法 | |
| CN113097153B (zh) | 铝碳化硅热沉基板制备方法及铝碳化硅热沉基板 | |
| CN110343897B (zh) | 一种鳞片石墨增强铝基复合材料的制备方法及其应用 | |
| CN110142332A (zh) | 一种NiAl合金薄壁管件成形与控性一体化方法 | |
| CN110241325B (zh) | 一种钛金属化石墨片增强铝基复合材料及其制备方法和应用 | |
| CN108746637A (zh) | 铝硅/铝碳化硅梯度复合材料及其制备方法 | |
| CN108342716A (zh) | 等离子体增强化学气相沉积制备二维材料的系统及方法 | |
| CN112935249A (zh) | 一种金刚石/金属基复合材料的高效制备方法 | |
| CN112981164A (zh) | 一种高可靠性高导热金刚石增强金属基复合材料的制备方法 | |
| CN115786759B (zh) | 气相渗铝制备近净成型铝基碳化硅箔材的设备及方法 | |
| CN115354296A (zh) | 一种提高石墨膜铝复合材料热导率的方法 | |
| CN111663062B (zh) | 一种利用热等静压近净成型制备Cu-Cr-Mg-Zr-Ce高性能端环的方法 | |
| CN114561565B (zh) | 金刚石颗粒增强的高熵合金复合材料的制备方法 | |
| CN111575654A (zh) | 一种超声振动辅助真空微蒸发镀设备 | |
| CN104987134B (zh) | 一种在陶瓷表面利用原位还原法制备镍涂层的方法 | |
| CN110343896B (zh) | 一种鳞片石墨增强铜基复合材料的制备方法及应用 | |
| CN113968742B (zh) | 一种高导热高稳定性的覆铜基板及其加工工艺 | |
| CN113664217B (zh) | 一种结构功能梯度材料的制备方法 | |
| CN113210611A (zh) | 表面覆金属层的铜金刚石复合材料及其制备方法和应用 | |
| CN115821211B (zh) | 一种低温高压制备金刚石/铜复合材料的方法 | |
| CN102093080B (zh) | 一种氮化硼多孔陶瓷材料及其制备方法 | |
| CN107974645A (zh) | 一种航空高强散热复合新材料的制备方法 | |
| CN114752868A (zh) | 一种镀铜玄武岩纤维增强铜基复合材料及其制备方法与应用 | |
| CN114255981A (zh) | 一种铁镍钼/二氧化硅软磁粉芯复合材料的制备方法 | |
| CN111235420A (zh) | 一种添加镀铜铝片改善鳞片石墨铝基复合材料层间排布均匀性的方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |