CN115776942A - 透明导电性薄膜 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种在触摸面板中使用时的笔滑动耐久性、笔重加压耐久性、防眩性优异的透明导电性薄膜。透明导电性薄膜，在透明塑料薄膜基材上的一个面上层叠有铟‑锡复合氧化物的透明导电膜，通过以下的笔滑动耐久性试验得到的透明导电性薄膜的透明导电膜的导通电阻为10kΩ以下，进一步通过以下的笔重加压试验得到的透明导电性薄膜的透明导电膜的表面电阻值的增加率为1.5以下，进而透明塑料薄膜基材上的与透明导电膜侧相反的面的60°镜面光泽为50％以上且120％以下。

Description

透明导电性薄膜

技术领域

本发明涉及在透明塑料薄膜基材上层叠有结晶性的铟-锡复合氧化物的透明导电膜的透明导电性薄膜，特别是涉及用于电阻膜式触摸面板时的笔滑动耐久性、笔重加压耐久性、防眩性优异的透明导电性薄膜。

背景技术

在透明塑料基材上层叠透明且电阻小的薄膜而成的透明导电性薄膜，作为利用其导电性的用途例如液晶显示器、电致发光(EL)显示器等那样的平板显示器、触摸面板的透明电极等，广泛用于电气/电子领域的用途。

电阻膜式触摸面板是将在玻璃、塑料的基板上涂敷了透明导电性薄膜的固定电极、和在塑料薄膜上涂敷了透明导电性薄膜的可动电极(＝薄膜电极)组合而成的触摸面板，重叠在显示体的上侧来使用。用手指、笔按压薄膜电极，使固定电极与薄膜电极的透明导电性薄膜彼此接触，成为用于触摸面板的位置识别的输入。与手指相比，笔对触摸面板施加的力大多较强。如果用笔持续对触摸面板进行输入，则有时会在薄膜电极侧的透明导电性薄膜上产生裂缝、剥离、磨损等破坏。此外，若用笔剧烈地敲击触摸面板或以非常强的力进行笔输入等，将通常使用假定以上的强的力施加于触摸面板，则有时会在透明导电性薄膜上产生裂缝、剥离等破坏。为了解决这些课题，期望兼具优异的笔滑动耐久性和优异的笔重加压耐久性的透明导电性薄膜。进而，为了防止荧光灯等映入触摸面板的影像，还要求防眩性。

作为提高笔滑动耐久性的手段，有使薄膜电极侧的透明导电性薄膜成为结晶性的方法(例如，参照专利文献1)。然而，以往的透明导电性薄膜通过控制铟-锡复合氧化物的结晶性而实现笔滑动耐久性优异的透明导电性薄膜。但是，以往的透明导电性薄膜若实施后述的笔重加压耐久性试验，则不充分。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2004-071171号公报

发明内容

-发明所要解决的课题-

本发明的目的在于，鉴于上述以往的问题点，提供一种使用于触摸面板时的笔滑动耐久性优异且笔重加压耐久性也优异、进而能提供优异的防眩性的透明导电性薄膜。

-用于解决课题的手段-

本发明是鉴于上述那样的状况而完成的，能够解决上述课题的本发明的透明导电性薄膜由以下的结构构成。

1.一种透明导电性薄膜，在透明塑料薄膜基材上的一个面上层叠有铟-锡复合氧化物的透明导电膜，通过以下的笔滑动耐久性试验得到的透明导电性薄膜的透明导电膜的导通电阻为10kΩ以下，进一步通过以下的笔重加压试验得到的透明导电性薄膜的透明导电膜的表面电阻值的增加率为1.5以下，进而透明塑料薄膜基材上的与透明导电膜侧相反的面的60°镜面光泽为50％以上且120％以下。

(笔滑动耐久性试验方法)

将所述透明导电性薄膜用作一个面板，作为另一个面板，使用包含在玻璃基板上通过溅射法形成且厚度为20nm的铟-锡复合氧化物薄膜(氧化锡含量：10质量％)的透明导电性薄膜。隔着直径30μm的环氧珠配置上述2个面板，以使得透明导电性薄膜对置，用厚度为170μm的双面胶带粘贴薄膜侧的面板和玻璃侧的面板，制作触摸面板。接下来，对聚缩醛制的笔(前端的形状：0.8mmR)施加2.5N的载荷，在触摸面板上进行18万往复的直线滑动试验。在该试验中，对所述透明导电性薄膜面施加笔的载荷。

此时的滑动距离为30mm，滑动速度为180mm/秒。在该滑动耐久性试验后，测定以笔载荷0.8N按压滑动部时的导通电阻(可动电极(薄膜电极)与固定电极接触时的电阻值)。

(笔重加压试验方法)

将切割成50mm×50mm的所述透明导电性薄膜用作一个面板，作为另一个面板，使用包含在玻璃基板上通过溅射法形成且厚度为20nm的铟-锡复合氧化物薄膜(氧化锡含量：10质量％)的透明导电性薄膜。隔着直径30μm的环氧珠配置上述2个面板，以使得透明导电性薄膜对置，利用已调整成厚度为120μm的双面胶带将薄膜侧的面板与玻璃侧的面板粘贴，制作出触摸面板。利用聚缩醛制的笔(前端的形状0.8mmR)对距双面胶带的端部为2.0mm的位置施加35N的载荷，与双面胶带平行地实施10次(往复5次)的直线滑动。在该试验中，对所述透明导电性薄膜面施加笔的载荷。此时的滑动距离为30mm，滑动速度为20mm/秒。在没有环氧珠的位置进行滑动。滑动后，取下透明导电性薄膜，测定滑动部的任意5处的表面电阻(4端子法)，求出平均值。在测定表面电阻时，在与滑动部垂直的方向上排列4端子，使得滑动部出现在第二端子与第三端子之间。将滑动部的表面电阻值的平均值除以未滑动部的表面电阻值(用4端子法测定)，计算表面电阻值的增加率。

2.根据上述1所述的透明导电性薄膜，其中，

铟-锡复合氧化物的透明导电膜的晶体粒径为10～100nm，铟-锡复合氧化物的透明导电膜的晶化度为20～80％，铟-锡复合氧化物的透明导电膜含有0.5～10质量％的氧化锡，铟-锡复合氧化物的透明导电膜的厚度为10～30nm，将铟-锡复合氧化物的透明导电性薄膜的三维表面粗糙度SRa设为X时，X为1～100nm，进而将透明塑料薄膜基材上的与透明导电膜侧相反的面的三维表面粗糙度SRa设为Y时，Y为70～270nm。

3.根据上述1或2所述的透明导电性薄膜，其中，

即使在透明导电膜的表面实施附着性试验(JIS K5600-5-6：1999)，透明导电膜也不剥离，在透明导电性薄膜的铟-锡复合氧化物的透明导电膜侧进行耐弯曲性试验(JISK5600-5-1：1999)并用10倍放大镜观察弯曲部时产生破裂或剥离的心轴直径小于20mm。

4.根据上述1～3中任一项所述的透明导电性薄膜，其中，

透明导电性薄膜的厚度为100～250μm。

5.根据上述1～4中任一项所述的透明导电性薄膜，其中，

在铟-锡复合氧化物的透明导电膜与透明塑料薄膜基材之间具有固化型树脂层。

-发明效果-

根据本发明，能够提供兼具优异的笔滑动耐久性以及优异的笔重加压耐久性、进而能提供优异的防眩性的透明导电性薄膜。所得到的透明导电性薄膜对于电阻膜式触摸面板等用途极其有用。

附图说明

图1是表示本发明中的结晶粒的最长部的一例(其一)的示意图。

图2是表示本发明中的结晶粒的最长部的另一例(其二)的示意图。

图3是表示本发明中的结晶粒的最长部的另一例(其三)的示意图。

图4是表示本发明中的结晶粒的最长部的另一例(其四)的示意图。

图5是用于说明在本发明中优选使用的溅射装置的一例的中心辊的位置的示意图。

具体实施方式

本发明的透明导电性薄膜是在透明塑料薄膜基材上的一个面上层叠有铟-锡复合氧化物的透明导电膜的透明导电性薄膜，由以下的笔滑动耐久性试验得到的透明导电性薄膜的透明导电膜的导通电阻为10kΩ以下，进一步通过以下的笔重加压试验得到的透明导电性薄膜的透明导电膜的表面电阻值的增加率为1.5以下，进而透明塑料薄膜基材上的与透明导电膜侧相反的面的60°镜面光泽为50％以上且120％以下。

(笔滑动耐久性试验)

将本发明所涉及的透明导电性薄膜用作一个面板，作为另一个面板，使用包含在玻璃基板上通过溅射法形成且厚度为20nm的铟-锡复合氧化物薄膜(氧化锡含量：10质量％)的透明导电性薄膜。隔着直径30μm的环氧珠配置该2片面板，以使得透明导电性薄膜对置，用厚度170μm的双面胶带粘贴薄膜侧的面板和玻璃侧的面板，制作触摸面板。接下来，对聚缩醛制的笔(前端的形状：0.8mmR)施加2.5N的载荷，在触摸面板上进行18万往复的直线滑动试验。在该试验中，对本发明所涉及的透明导电性薄膜面施加笔的载荷。此时的滑动距离为30mm，滑动速度为180mm/秒。在该滑动耐久性试验后，测定以笔载荷0.8N按压滑动部时的导通电阻(可动电极(薄膜电极)与固定电极接触时的电阻值)。

(笔重加压试验)

作为一个面板，使用将本发明所涉及的透明导电性薄膜切割成50mm×50mm的透明导电性薄膜，作为另一个面板，使用包含在玻璃基板上用溅射法形成且厚度为20nm的铟-锡复合氧化物薄膜(氧化锡含量：10质量％)的透明导电性薄膜。隔着直径30μm的环氧珠来配置该2片面板，以使得透明导电性薄膜对置，利用调整成厚度为120μm的双面胶带将薄膜侧的面板与玻璃侧的面板贴合，制作了触摸面板。利用聚缩醛制的笔(前端的形状0.8mmR)对距双面胶带的端部为2.0mm的位置施加35N的载荷，与双面胶带平行地实施10次(往复5次)的直线滑动。在该试验中，对本发明所涉及的透明导电性薄膜面施加笔的载荷。此时的滑动距离为30mm，滑动速度为20mm/秒。其中，在没有环氧珠的位置进行滑动。滑动后，取下透明导电性薄膜，测定滑动部的任意5处的表面电阻(4端子法)，求出平均值。在测定表面电阻时，在与滑动部垂直的方向上排列4端子，以使滑动部出现在第二端子与第三端子之间。将滑动部的表面电阻值的平均值除以未滑动部的表面电阻值(用4端子法测定)，计算表面电阻值的增加率。

本发明的透明导电性薄膜的笔滑动耐久性和笔重加压耐久性优异。笔滑动耐久性和笔重加压耐久性是相反的性质。首先，对笔滑动耐久性进行说明。笔滑动耐久性优异的铟-锡复合氧化物的透明导电性薄膜的透明导电膜的晶化度高，晶体粒径大。对晶化度和晶体粒径进行说明。将在透射型电子显微镜下观察到的、具有圆状或多边形状的区域的部分定义为透明导电膜的晶体(＝晶粒)，将除此以外的部分定义为非晶。晶化度高表示晶体的比例高。晶体粒径大表示在透射型电子显微镜下观察到的圆状或多边形状的区域大。晶化度高的透明导电膜由于硬的晶体的比例高，晶体粒径大的晶粒的周围的应变变大等，因此透明导电膜变硬，笔滑动耐久性优异。接下来，对笔重加压耐久性进行说明。笔重加压耐久性优异的铟-锡复合氧化物的透明导电性薄膜需要透明导电膜的晶化度低、晶体粒径小，进而透明导电膜的三维表面粗糙度小。对于三维表面粗糙度，在后面进行说明，首先晶化度低的透明导电膜由于柔软的非晶的比例高、晶体粒径小的透明导电膜的晶粒的周围的应变变小等，因此即使对透明导电膜施加载荷也难以产生裂缝等，从而笔重加压耐久性优异。如上所述，可知笔滑动耐久性和笔重加压耐久性是相反的性质。研究的结果是，通过控制透明导电膜的晶化度和晶体粒径，能够兼顾笔滑动耐久性和笔重加压耐久性。对具有可兼顾笔滑动耐久性和笔重加压耐久性的透明导电膜的透明导电性薄膜进行说明。

在本发明中，若基于笔滑动耐久性试验的透明导电性薄膜的透明导电膜的导通电阻为10kΩ以下，则即使用笔对触摸面板连续输入，也能够对透明导电膜抑制裂缝、剥离、磨损等，因此优选。一个方式中，导通电阻可以为9.5kΩ以下，更优选为5kΩ以下。例如，导通电阻为3kΩ以下，可以为1.5kΩ以下，优选为1kΩ以下。若导通电阻为0kΩ，则笔滑动耐久性非常优异，若是本发明，则导通电阻也可以为0kΩ。导通电阻例如可以为3kΩ以上，也可以为5kΩ以上。

通过使导通电阻在这样的范围内，即使用笔对触摸面板连续输入，也能够对透明导电膜抑制裂缝、剥离、磨损等。

在一个方式中，也可以适当组合这些上限以及下限。

在本发明中，基于笔重加压试验的透明导电性薄膜的透明导电膜的表面电阻值的增加率优选为1.5以下。通过具有这样的特性，例如即使施加通常使用假定以上的强的力，也能够对透明导电膜抑制裂缝、剥离等。更优选表面电阻值的增加率为1.2以下，特别优选为1.0(无增大)。

在此，本发明所涉及的透明导电膜的表面电阻值的增加率优选为1.0以上。

在一个方式中，基于笔滑动耐久性试验的透明导电性薄膜的透明导电膜的导通电阻为0.05kΩ以上且9.5kΩ以下，并且，基于笔重加压(耐久性)试验的透明导电性薄膜的透明导电膜的表面电阻值的增加率为1.0以上且1.5以下。

如上所述，通常，笔滑动耐久性和笔重加压耐久性是相反的性质。在本发明中，在这样的范围内，能够均衡地具有这两个耐久性。此外，即使用笔对触摸面板连续输入，也能够对透明导电性薄膜抑制裂缝、剥离、磨损等，而且，对于基于笔滑动、笔重加压的载荷，也能够示出优异的耐久性。另外，数值范围能够在本说明书中选择记载的范围、值。

在本发明中，若透明塑料薄膜基材上的与透明导电膜侧相反的面的60°镜面光泽为50％以上且120％以下，则能够提供优异的防眩性。60°镜面光泽越小，荧光灯等的映入越困难，即防眩性越优异。更优选与透明导电膜侧相反的面的60°镜面光泽为100％以下。进一步优选与透明导电膜侧相反的面的60°镜面光泽为80％以下。若与透明导电膜侧相反的面的60°镜面光泽为50％以上，则触摸面板的影像的鲜明性变得良好，因此优选。利用透明导电性薄膜的透射像鲜明度的总和来判断触摸面板的影像的鲜明性。透明导电性薄膜的透射像鲜明度以梳宽0.125mm、0.25mm、0.5mm、1.0mm、2.0mm进行测定，若各梳宽的透明导电性薄膜的透射像鲜明度的总和为50％以上，则触摸面板的影像的鲜明性变得良好，因此优选。

另外，在本说明书中，“梳宽”是指依据JIS-K7105的光梳宽度。

本发明中的透明导电性薄膜优选铟-锡复合氧化物的透明导电膜的晶体粒径为10～100nm、铟-锡复合氧化物的透明导电膜的晶化度为20～80％。铟-锡复合氧化物的透明导电膜的晶体粒径为10nm以上时，由于透明导电膜的晶粒周围的应变，透明导电膜适度变硬，因此，笔滑动耐久性优异，故优选。更优选铟-锡复合氧化物的透明导电膜的晶体粒径为30nm以上。

另一方面，若铟-锡复合氧化物的透明导电膜的晶体粒径为100nm以下，由于透明导电膜的晶体粒的周围的应变而导致的透明导电膜不会过硬，因此，由于笔重加压耐久性优异，故优选。更优选铟-锡复合氧化物的透明导电膜的晶体粒径为90nm以下。

在一个方式中，铟-锡复合氧化物的透明导电膜的晶体粒径为30nm以上且95nm以下，例如为40nm以上且90nm以下。

铟-锡复合氧化物的透明导电膜的晶化度为20％以上时，由于在透明导电膜中所占的硬的晶体而适度变硬，笔滑动耐久性优异，因此优选。更优选铟-锡复合氧化物的透明导电膜的晶化度为25％以上。另一方面，若铟-锡复合氧化物的透明导电膜的晶化度为80％以下，含有硬的晶体的量多，但由于透明导电膜不会过硬，因此，由于笔重加压耐久性优异，故优选。

在一个方式中，铟-锡复合氧化物的透明导电膜的晶化度为25％以上且78％以下，例如为25％以上且76％以下。

本发明中的透明导电性薄膜在将透明导电膜的三维表面粗糙度SRa设为X的情况下，优选X为1～100nm。若X为1～100nm，则透明导电膜的表面突起较小，因此在进行了笔重加压试验时表面突起的变形量变小，抑制了透明导电膜的裂缝产生，进而在透明导电膜上存在少许表面突起，因此也能够保持薄膜卷取性，故优选。更优选X为1～80nm。进一步优选X为1～65nm。

本发明中的透明导电膜包含铟-锡复合氧化物，优选含有0.5质量％以上且10质量％以下的氧化锡。铟-锡复合氧化物中的氧化锡相当于对氧化铟而言的杂质。通过含有氧化锡的杂质，铟-锡复合氧化物的熔点增大。即，由于氧化锡的杂质含有在阻碍晶体化的方向上起作用，因此是与晶体粒径、晶化度等结晶性具有较强相关性的重要因素。若含有0.5质量％以上的氧化锡，则透明导电性薄膜的表面电阻成为实用的水准而优选。更优选氧化锡的含有率为1质量％以上，特别优选为2质量％以上。若氧化锡的含有率为10质量％以下，则在调节为后述的半晶体状态时容易产生晶体化，笔滑动耐久性变得良好而优选。氧化锡的含有率更优选为8质量％以下，进一步优选为6质量％以下，特别优选为4质量％以下。此外，本发明的透明导电性薄膜的表面电阻优选为50～900Ω/□，更优选为50～600Ω/□。

在本发明中，透明导电膜的厚度优选为10nm以上且30nm以下。透明导电膜的厚度是与晶体粒径、晶化度等结晶性具有较强相关性的重要因素。若透明导电膜的厚度为10nm以上，则透明导电膜不会有过多的非晶，容易赋予后述的成为半晶体状态的适度的晶体粒径和晶化度，结果保持笔滑动耐久性而优选。更优选透明导电膜的厚度为13nm以上，更优选为16nm以上。此外，若透明导电膜的厚度为30nm以下，则透明导电膜的晶体粒径不会过大，晶化度不会过高，容易保持半晶体状态，保持笔重加压耐久性而优选。更优选为28nm以下，进一步优选为25nm以下。

本发明中的透明导电性薄膜在将透明塑料薄膜基材上的与透明导电膜侧相反的面的三维表面粗糙度SRa设为Y的情况下，若Y为70～270nm以下，能够提供优异的防眩性，故优选。Y的值越大，防眩性越提高。更优选Y为90nm以上。进一步优选Y为130nm以上。此外，若Y的值为270nm以下，则触摸面板的影像的鲜明性变得良好，因此优选。

本发明中的透明导电性薄膜优选即使在透明导电膜面上实施附着性试验(JISK5600-5-6：1999)，透明导电膜也不剥离。在附着性试验中透明导电膜不剥离的透明导电性薄膜，由于透明导电膜和透明塑料基材、固化型树脂层等与透明导电膜相接的层密接，因此即使用笔对触摸面板连续输入，也能够对透明导电膜抑制裂缝、剥离、磨损等，进而，即使施加通常使用假定以上的强的力，电能够对透明导电膜抑制裂缝、剥离等，因此优选。

本发明中的透明导电性薄膜优选在透明导电性薄膜的透明导电膜侧进行耐弯曲性试验(JIS K5600-5-1：1999)，用10倍放大镜观察弯曲部时产生破裂、剥离的心轴直径小于20mm。若心轴直径小于20mm，则在进行了笔重加压试验时与透明导电性薄膜相接的层不破裂，在透明导电膜中不产生裂缝，因此优选。更优选为18mm以下。

在一个方式中，耐弯曲性试验的值可以为1mm以上，例如可以为8mm以上、10mm以上。此外，在一个方式中，耐弯曲性试验的值为13mm以上，可以为15mm以上。

通过在这样的范围内，在进行了笔重加压试验时与透明导电性薄膜相接的层不破裂，在透明导电膜中不产生裂缝，因此优选。

此外，能够提供兼具优异的笔滑动耐久性以及优异的笔重加压耐久性的透明导电性薄膜。

本发明中的透明导电性薄膜的透明塑料薄膜基材的厚度优选为100～250μm的范围，更优选为130～220μm。若塑料薄膜的厚度为100μm以上，则机械强度得以保持，特别是在用于触摸面板时相对于笔输入的变形小，笔滑动耐久性和笔重加压耐久性优异，因此优选。另一方面，厚度为250μm以下时，在用于触摸面板时，不需要特别增大笔输入中用于定位的载荷。

本发明中的透明导电性薄膜优选在透明导电膜与塑料薄膜基材之间具有固化型树脂层。通过存在固化型树脂层，能够分散透明导电膜的密接力增加、施加于透明导电膜的力，因此相对于笔滑动试验中的透明导电膜抑制了裂缝、剥离、磨损等，进而，相对于笔重加压试验中的透明导电性薄膜抑制了裂缝、剥离等，因此优选。

本发明中的透明导电膜的结晶性为不会过高、不会过低的状态(将这样的结晶性称为半结晶性或者半晶体质)。使透明导电膜稳定而成为半结晶性非常困难。其原因在于，在从非晶性急剧相变为结晶性的中途停止的状态为半结晶性。因此，对与结晶性有关的参数即成膜气氛中的水分量敏感，特别是对含氢原子的气体敏感，即使稍微使成膜气氛中的含氢原子的气体、水分量少，则成为大致完全的结晶性(高的结晶性)，相反，若成膜气氛中的含氢原子的气体、水分量稍微多，则成为非晶性(低的结晶性)。

用于得到本发明的透明导电性薄膜的制造方法没有特别限定，例如可以优选例示以下的制造方法。

作为在透明塑料薄膜基材上的至少一个面上成膜结晶性的铟-锡复合氧化物的透明导电膜的方法，优选使用溅射法。为了以高生产率制造透明导电性薄膜，优选使用供给膜辊并在成膜后卷绕成膜辊的形状的所谓的辊式溅射装置。优选采用以下方法：在成膜气氛中，在质量流量控制器中将含有氢原子的气体(只要是氢、氨、氢+氩混合气体等含有氢原子的气体，则没有特别限定，其中，水除外)导入下述记载的量，进而，将溅射时的薄膜温度设为0℃以下，使用含有0.5～10质量％的氧化锡的铟-锡复合氧化物的烧结靶，将铟-锡复合氧化物的透明导电膜的厚度调整为10～30nm，在铟-锡复合氧化物的透明导电膜的三维表面粗糙度SRa为1～100nm的透明塑料薄膜上成膜透明导电膜。在溅射时的成膜气氛中，具有含氢原子的气体阻碍透明导电膜的晶体化的效果。在成膜气氛中流通氢气的情况下，优选(氢气流量)÷(惰性气体流量+氢气流量)×100的值(有时仅记载为氢浓度)为0.01～3.00％。氢浓度例如为0.01％以上且2.00％，也可以为0.01％以上且1.00％以下。

通过使氢浓度在这样的范围内，例如在笔滑动耐久性试验导通电阻值、笔重加压耐久性试验中的任一个中都能够有助于导出良好的结果。

此外，作为惰性气体，可举出氦、氦、氩、氪、氙等。在使用氢气以外的含氢原子的气体的情况下，从被含在含氢原子的气体中的氢原子量换算为氢气(＝氢分子)量进行计算即可。在成膜气氛中通过质量流量控制器精密地流动含氢原子的气体时，通过配置气体吹出口、以使得能够相对于与膜辊的长度方向垂直的方向均匀地吹送含氢原子的气体，难以成为结晶性高的部分、低的部分混合存在那样的透明导电膜，容易得到均匀的半结晶性的透明导电性薄膜，因此能够适当地得到兼具优异的笔滑动耐久性以及笔重加压耐久性的透明导电性薄膜。已知若成膜气氛中的水多，则透明导电膜的结晶性降低，因此成膜气氛中的水分量也是重要的因素。在使用含氢原子的气体的情况下，将溅射时的成膜气氛的水分压相对于惰性气体的比的中心值(最大值与最小值的中间的值)控制为1.0×10^-4～2.0×10^-3，进而，关于溅射时的成膜气氛的水分压相对于惰性气体之比，若从成膜开始时到成膜结束时为止的最大值与最小值之差为1.0×10^-3以下，则在薄膜的全长范围内保持透明导电膜的结晶性的均匀性，因此，除了作为溅射机的排气装置而经常使用的旋转泵、涡轮分子泵、低温泵以外，若进行下述的轰击工序、下述的膜辊端面的凹凸的高低差的限定等，即减少透明导电膜进行成膜时从薄膜释放的水分量、遍及薄膜全长释放均匀的水分量，则不需要水分量的精密控制，因此优选。其中，水分压相对于惰性气体的比的中心值多少依赖于铟-锡复合氧化物的透明导电膜中的氧化锡的含有率、透明导电膜的厚度。在铟-锡复合氧化物的透明导电膜中的氧化锡的添加量较多的情况下、透明导电性薄膜较薄的情况下，优选将水分压相对于惰性气体之比的中心值在所述范围中设定为较低。相反，在铟-锡复合氧化物的透明导电膜中的氧化锡的含有率较少的情况下或透明导电膜厚的情况下，优选将水分压相对于惰性气体之比的中心值在所述范围内设定为较高。优选使溅射时的薄膜温度为0℃以下，在透明塑料薄膜上成膜透明导电膜。成膜中的薄膜温度用调节与行进薄膜接触的中心辊的温度的温控器的设定温度来代替。在此，图5表示在本发明中优选使用的溅射装置的一例的示意图，行进的薄膜1与中心辊2的表面部分地接触而行进。经由烟囱3设置铟-锡的溅射靶4，在中心辊2上行进的薄膜1的表面堆积并层叠铟-锡复合氧化物的薄膜。中心辊2由未图示的温控器进行温度控制。若薄膜温度为0℃以下，则能够抑制来自使透明导电膜的结晶性分散的薄膜的水、有机气体等杂质气体的释放，因此从成膜开始时到成膜结束时为止的透明导电膜的结晶性容易均匀化，因此优选。在使用含氢原子的气体的情况下，溅射时的成膜气氛的水分压相对于惰性气体之比的中心值(最大值与最小值的中间的值)优选为1.0×10^-4～2.0×10^-3。若溅射时的成膜气氛的水分压相对于惰性气体之比在所述范围内，则由含氢原子气体带来的透明导电膜的结晶性的阻碍有效地发挥作用，因此优选。此外，为了使透明导电性薄膜的表面电阻以及总透光率达到实用的水平，优选在溅射时添加氧气。该制造方法主要是极力排除由使透明导电膜的结晶性散乱的重要因素的水引起的结晶性的影响，利用含氢气体控制结晶性。

在塑料薄膜上形成铟-锡复合氧化物时的水分量的控制中，与观测到达真空度相比，优选观测实际成膜时的水分量为以下的两个理由。

作为其理由的第1点，通过溅射在塑料薄膜上进行成膜时，薄膜被加热，水分从薄膜释放，因此成膜气氛中的水分量增加，与测定到达真空度时的水分量相比有所增加，因此与以到达真空度表现相比，以成膜时的水分量表现更准确。

其理由的第2点，是大量投入透明塑料薄膜的装置的情况。在这样的装置中，以膜辊的方式投入薄膜。若将薄膜作为辊投入真空槽，则辊的外层部分的水容易脱落，但辊的内层部分的水难以脱落。这是由于，在测定到达真空度时，膜辊停止，但在成膜时膜辊行进，因此包含大量水的膜辊的内层部分被卷出，因此成膜气氛中的水分量增加，与测定到达真空度时的水分量相比增加。在本发明中，在控制成膜气氛中的水分量时，通过观测溅射时的成膜气氛的水分压相对于惰性气体之比，能够优选地应对。

优选在成膜透明导电膜之前，使薄膜通过轰击工序。所谓轰击工序是指，在仅通入氩气等惰性气体或氧气等反应性气体与惰性气体的混合气体的状态下，施加电压进行放电，产生等离子体。具体而言，优选用SUS靶等通过RF溅射来轰击薄膜。由于通过轰击工序使薄膜暴露于等离子体中，因此从薄膜释放水、有机成分，在成膜透明导电膜时从薄膜释放的水、有机成分减少，因此从成膜开始时到成膜结束时为止的透明导电膜的结晶性容易均匀化，因此优选。此外，由于通过轰击工序使透明导电膜相接的层激活，因此透明导电膜的密接性提高，因此笔滑动耐久性、笔重加压耐久性提高。

用于成膜透明导电膜的膜辊在辊端面中，最凸的部位与最凹的部位的高低差优选为10mm以下。若为10mm以下，则在将膜辊投入溅射装置时，来自薄膜端面的水、有机成分的释放方法的不均变小，因此从成膜开始时到成膜结束时为止的透明导电膜的结晶性容易均匀化，因此优选。

在透明塑料薄膜基材上的至少一面上成膜结晶性的铟-锡复合氧化物的透明导电膜的方法中，优选在溅射时导入氧气。若在溅射时导入氧气，则不会因铟-锡复合氧化物的透明导电膜的氧的缺乏而产生不良情况，透明导电性薄膜的表面电阻低，总透光率变高而优选。因此，为了使透明导电性薄膜的表面电阻以及总透光率达到实用的水准，优选在溅射时导入氧气。另外，本发明的透明导电性薄膜的总透光率优选为70～95％。

本发明的透明导电性薄膜优选在透明塑料薄膜基材上成膜层叠铟-锡复合氧化物的透明导电膜后，在含氧气氛下，实施80～200℃、0.1～12小时加热处理。若为80℃以上，则为了形成半晶体状态而稍微提高结晶性的处置容易，笔滑动耐久性提高，因此优选。若为200℃以下，则确保透明塑料薄膜的平面性而优选。

<透明塑料薄膜基材>

本发明中使用的透明塑料薄膜基材是指将有机高分子以膜状熔融挤出或者溶液挤出，根据需要在长度方向和/或宽度方向上实施拉伸、冷却、热固定而得到的膜，作为有机高分子，可举出聚乙烯、聚丙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚2，6-萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、尼龙6、尼龙4、尼龙66、尼龙12、聚酰亚胺、聚酰胺酰亚胺、聚醚砜、聚醚醚酮、聚碳酸酯、聚芳酯、纤维素丙酸酯、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、聚乙烯醇、聚醚酰亚胺、聚苯硫醚、聚苯醚、聚苯乙烯、间规聚苯乙烯、降冰片烯系聚合物等。

在这些有机高分子中，优选聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚2，6-萘二甲酸乙二醇酯、间规聚苯乙烯、降冰片烯系聚合物、聚碳酸酯、聚芳酯等。此外，这些有机高分子可以将其他的有机聚合物的单体少量共聚，或者将其他的有机高分子共混。

在不损害本发明的目的的范围内，本发明中使用的透明塑料薄膜基材可以对所述膜实施电晕放电处理、辉光放电处理、火焰处理、紫外线照射处理、电子束照射处理、臭氧处理等表面活性化处理。

若在透明塑料薄膜基材上涂敷固化型树脂层，则透明导电膜与固化型树脂层牢固地密接或分散施加于透明导电膜的力，因此可对笔滑动试验中的透明导电膜抑制裂缝、剥离、磨损等，进而，可对笔重加压试验中的透明导电膜抑制裂缝、剥离等，因此优选。此外，若在使固化型树脂层的表面成为凹凸的基础上成膜透明导电膜，则在笔滑动试验时透明导电性薄膜与玻璃接触时的真正的接触面积减少，因此玻璃面与透明导电膜的滑动性变好，笔滑动耐久性提高，能够期待膜辊的卷取性的提高、防牛顿环性，但若凹凸过大，则进行了笔重加压试验时的表面突起的变形量变大，在透明导电膜上产生裂缝，因此不优选。因此，在将透明导电膜的三维表面粗糙度SRa设为X的情况下，作为表面凹凸，优选使X为1～100nm。此外，固化型树脂层也可以涂敷在透明塑料薄膜基材的两面。在将与形成有透明导电膜的面相反的面的固化型树脂层的三维表面粗糙度SRa设为Y的情况下，Y优选设为70～270nm。以下，对固化型树脂层的详细情况进行记载。

此外，作为本发明中优选使用的所述固化型树脂层，只要是通过加热、紫外线照射、电子束照射等能量施加而固化的树脂就没有特别限制，可以举出硅酮树脂、丙烯酸树脂、甲基丙烯酸树脂、环氧树脂、三聚氰胺树脂、聚酯树脂、聚氨酯树脂等。从生产率的观点出发，优选以紫外线固化型树脂为主成分。

作为这样的紫外线固化型树脂，例如可以举出由多元醇的丙烯酸或者甲基丙烯酸酯之类的多官能性的丙烯酸酯树脂、二异氰酸酯、多元醇及丙烯酸或甲基丙烯酸的羟烷基酯等合成的多官能性的聚氨酯丙烯酸酯树脂等。根据需要，可以在这些多官能性的树脂中加入单官能性的单体，例如乙烯基吡咯烷酮、甲基丙烯酸甲酯、苯乙烯等进行共聚。

此外，为了提高透明导电性薄膜与固化型树脂层的附着力，利用以下记载的方法对固化型树脂层的表面进行处理是有效的。作为具体的方法，可以列举：为了增加羰基、羧基、羟基而照射辉光或电晕放电的放电处理法；为了增加氨基、羟基、羰基等极性基团而用酸或碱进行处理的化学药剂处理法等。

紫外线固化型树脂通常添加光敏引发剂而使用。作为光敏引发剂，能够没有特别限制地使用吸收紫外线而产生自由基的公知的化合物，作为这样的光敏引发剂，例如可以举出各种安息香类、苯酮类、二苯甲酮类等。相对于每100质量份的紫外线固化型树脂，光敏引发剂的添加量则通常优选为1～5质量份。

此外，在本发明中，固化型树脂层以及功能层除了作为主要构成成分的固化型树脂以外，优选同时采用无机粒子、有机粒子。通过使无机粒子、有机粒子分散于固化型树脂，能够在固化型树脂层以及功能层的表面形成凹凸，提高宽区域内的表面粗糙度。

作为所述的无机粒子例示二氧化硅等。作为所述的有机粒子例示聚酯树脂、聚烯烃树脂、聚苯乙烯树脂和聚酰胺树脂等。

除了无机粒子、有机粒子以外，除了作为主要构成成分的固化型树脂以外，还优选同时采用与固化型树脂不相容的树脂。通过在矩阵的固化型树脂中少量同时采用不相容的树脂，能够在固化型树脂中产生相分离，使非相溶树脂分散为粒子状。通过该非相溶树脂的分散粒子，在固化型树脂层的表面形成凹凸，能够提高宽区域内的表面粗糙度。

作为非相溶树脂，可例示聚酯树脂、聚烯烃树脂、聚苯乙烯树脂、聚酰胺树脂等。

在此，作为一例，表示在透明导电膜的正下方的固化型树脂层中使用无机粒子的情况下的配合比例。对于每100质量份的紫外线固化型树脂，优选为无机粒子0.1～20质量份、进一步优选为0.1～15质量份、特别优选为0.1～12质量份。

若所述无机粒子的混合量相对于每100质量份的紫外线固化型树脂为0.1质量份以上且30质量份以下，则形成于固化型树脂层表面的凸部不会过小，透明导电膜的裂缝产生得到抑制，能够提供高精细的影像，进而在透明导电膜上存在少许表面突起，因此还能够保持薄膜卷取性，因此优选。

在此，作为一例，表示在与形成有透明导电膜的面相反的面的固化型树脂层中使用无机粒子的情况下的配合比例。每100质量份紫外线固化型树脂优选无机粒子为12.5～48质量份、进一步优选为17～48质量份、特别优选为25.5～48质量份。若所述无机粒子的配合量相对于每100质量份的紫外线固化型树脂为12.5～48质量份，则形成于固化型树脂层表面的凹凸的大小适度，能够提供优异的防眩性，因此优选。

所述的紫外线固化型树脂、光敏引发剂以及无机粒子、有机粒子、与紫外线固化型树脂非相溶的树脂分别溶解于共用的溶剂来调制涂敷液。使用的溶剂没有特别限制，例如能够单独或者混合使用乙醇、异丙醇等醇类溶剂，乙酸乙酯、乙酸丁酯等酯类溶剂，二丁醚、乙二醇单乙醚等醚类溶剂，甲基异丁基酮、环己酮等酮类溶剂，甲苯、二甲苯、溶剂石脑油等芳香烃类溶剂等。

涂敷液中的树脂成分的浓度能够考虑与涂敷法相应的粘度等而适当地选择。例如，紫外线固化型树脂、光敏引发剂以及高分子量的聚酯树脂的合计量在涂敷液中所占的比例通常为20～80质量％。此外，根据需要，也可以在该涂敷液中添加其它公知的添加剂，例如有机硅系流平剂等。

本发明中，制备的涂敷液涂敷在透明塑料薄膜基材上。涂敷法没有特别限制，能够使用棒涂法、凹版涂敷法、逆转涂敷法等以往已知的方法。

涂敷后的涂敷液在接下来的干燥工序中溶剂蒸发除去。在该工序中，在涂敷液中均匀溶解的高分子量的聚酯树脂成为粒子而在紫外线固化型树脂中析出。将涂膜干燥后，对塑料薄膜照射紫外线，由此使紫外线固化型树脂交联/固化而形成固化型树脂层。在该固化的工序中，高分子量的聚酯树脂的粒子固定于硬涂层中，并且在固化型树脂层的表面形成突起，使宽区域中的表面粗糙度提高。

此外，固化型树脂层的厚度优选为0.1～15μm的范围。更优选为0.5～10μm的范围，特别优选为1～8μm的范围。在固化型树脂层的厚度为0.1μm以上的情况下，优选形成充分的突起。另一方面，若为15μm以下，则生产率良好，因此优选。

实施例

以下，通过实施例对本发明进行更详细的说明，但本发明并不受这些实施例的任何限定。另外，实施例中的各种测定评价通过下述方法进行。

(1)总透光率

依据JIS-K7361-1：1997，使用日本电色工业(株)制造的NDH-2000，测定总透光率。

(2)表面电阻值

依据JIS-K7194：1994，通过4端子法进行了测定。测定机使用了三菱化学分析技术(Mitsubishi Chemical Analytech Co.，Ltd.)制造的Lotesta AX MCP-T370。

(3)三维中心面平均表面粗糙度SRa

三维中心面平均表面粗糙度SRa由ISO25178规定，使用三维表面形状测定装置伯特扫描(菱化系统公司制、R5500H-M100(测定条件：wave模式、测定波长560nm、物镜10倍))，求出三维中心面平均表面粗糙度SRa。将测定数设为5，求出它们的平均值。在此，对nm单位的小数点第一位进行四舍五入。在此，将透明导电膜的三维表面粗糙度SRa设为X，将透明塑料薄膜基材上的与透明导电膜侧相反的面的三维表面粗糙度SRa设为Y。

(4)晶体粒径

将层叠有透明导电性薄膜层的薄膜试样片切成1mm×10mm的大小，使导电性薄膜面朝外侧而粘贴于适当的树脂块的上表面。对其进行修整后，通过一般的超薄切片机的技法制作与薄膜表面大致平行的超薄切片。

选择用透射型电子显微镜(JEOL公司制，JEM-2010)观察该切片而没有显著损伤的导电性薄膜表面部分，以加速电压200kV、直接倍率40000倍进行照片摄影。

在透射型电子显微镜下观察到的晶粒中，测定所有晶粒的最长部，将它们的测定值的平均值作为晶体粒径。在此，在图1～4中示出关于晶粒的最长部的测定时的最长部的认定方法的例子。即，根据能够最大地测定各晶粒的粒径的直线的长度来认定最长部。

(5)透明导电膜的厚度(膜厚)

将层叠有透明导电性薄膜层的薄膜试样片切成1mm×10mm的大小，包埋在电子显微镜用环氧树脂中。将其固定在超薄切片机的试样支架上，制作与包埋的试样片的短边平行的截面薄切片。接下来，在该切片的薄膜的没有显著损伤的部位，使用透射型电子显微镜(JEOL公司制、JEM-2010)，在加速电压200kV、明场中以观察倍率1万倍进行照片摄影，根据得到的照片求出膜厚。

(6)笔滑动耐久性试验

将本发明所涉及的透明导电性薄膜用作一个面板，作为另一个面板，使用包含在玻璃基板上通过溅射法形成且厚度为20nm的铟-锡复合氧化物薄膜(氧化锡含量：10质量％)的透明导电性薄膜。将该2片面板隔着直径30μm的环氧珠进行配置，以使得透明导电性薄膜对置，制作触摸面板。接下来，对聚缩醛制的笔(前端的形状：0.8mmR)施加5.0N的载荷，在触摸面板上进行18万往复的直线滑动试验。在该试验中，对本发明所涉及的透明导电性薄膜面施加笔的载荷。此时的滑动距离为30mm，滑动速度为180mm/秒。在该滑动耐久性试验后，测定以笔载荷0.8N按压滑动部时的导通电阻(可动电极(薄膜电极)与固定电极接触时的电阻值)。导通电阻优选为10kΩ以下。

另外，在比较例中，使用各比较例中的薄膜来代替本发明所涉及的透明导电性薄膜。

(7)笔重加压试验

作为一个面板，使用将本发明所涉及的透明导电性薄膜切割成50mm×50mm的透明导电性薄膜，作为另一个面板，使用包含在玻璃基板上用溅射法形成且厚度为20nm的铟-锡复合氧化物薄膜(氧化锡含量：10质量％)的透明导电性薄膜。将该2片面板隔着直径30μm的环氧珠进行配置，以使得透明导电性薄膜对置，利用调整成厚度为120μm的双面胶带将薄膜侧的面板与玻璃侧的面板贴合，制作了触摸面板。利用聚缩醛制的笔(前端的形状0.8mmR)对距双面胶带的端部为2.0mm的位置施加35N的载荷，与双面胶带平行地实施10次(往复5次)的直线滑动。在该试验中，对本发明所涉及的透明导电性薄膜面施加笔的载荷。此时的滑动距离为30mm，滑动速度为20mm/秒。其中，在没有环氧珠的位置进行滑动。滑动后，取下透明导电性薄膜，测定滑动部的任意5处的表面电阻(4端子法)，求出平均值。在测定表面电阻时，在与滑动部垂直的方向上排列4端子，以使滑动部出现在第二端子与第三端子之间。将滑动部的表面电阻值的平均值除以未滑动部的表面电阻值(用4端子法测定)，计算表面电阻值的增加率。

另外，在比较例中，使用各比较例中的薄膜来代替本发明所涉及的透明导电性薄膜。

(8)透明导电膜中所含的氧化锡的含有率的测定

切取试样(约15cm²)，在石英制三角烧瓶中加入6mol/l盐酸20ml，没有酸的挥发地进行薄膜密封。一边在室温下时常摆动一边放置9天，使透明导电膜溶解。取出残膜，将溶解有透明导电膜的盐酸作为测定液。溶解液中的In、Sn使用ICP发光分析装置(制造商名；理学、装置型式；CIROS-120EOP)，通过校准曲线法求得。各元素的测定波长选择没有干涉的、灵敏度高的波长。此外，标准溶液使用市售的In、Sn的标准溶液来使用。

(9)附着性试验

依据JIS K5600-5-6：1999实施。

(10)耐弯曲性试验

依据JIS K5600-5-1：1999实施。其中，在心轴直径直到13mm都不破裂或剥离的情况下，不进行其以上的耐弯曲试验，全部记载为13mm。

(11)60°镜面光泽试验

依据JIS Z 8741实施了透明塑料薄膜基材上的与透明导电膜侧的相反的面的60°镜面光泽。测定机使用日本电色工业(株)制Gloss Meter VG 2000。

(12)透射像鲜明度试验

依据JIS-K7105，测定梳宽0.125mm、0.25mm、0.5mm、1.0mm、2.0mm下的透明导电性薄膜的透射像鲜明度，求出各梳宽的透射像鲜明度的总和。测定机使用Suga试验机(公司)制映像性测定器ICM-1T。

实施例、比较例中使用的透明塑料薄膜基材是在两面具有易粘接层的双轴取向透明PET薄膜(东洋纺公司制、A4380，厚度记载于表1、表2)。作为固化型树脂层，在100质量份含有光敏引发剂的丙烯酸系树脂(大日精化工业公司制造，SEIKA波束(注册商标)EXF-01J)中混合表1、表2中记载的量的二氧化硅粒子(日产化学公司社制造，SNOWTEXZL)，作为溶剂则添加甲苯/MEK(8/2：质量比)的混合溶剂，以使得固体成分浓度成为表1、表2中记载的值，搅拌使其均匀溶解，调制出涂敷液(以下，将该涂敷液称为涂敷液A)。使用迈耶棒涂敷所调制的涂敷液，使得涂膜的厚度为5μm。在80℃下进行了1分钟干燥后，使用紫外线照射装置(EYEGRAPHICS公司制造，UB042-5AM-W型)照射紫外线(光量：300mJ/cm²)，使涂膜固化。此外，固化型树脂层设于透明塑料基材的两面。

(实施例1～8)

各实施例水准在表1所示的条件下，如下实施。

向真空槽中投入薄膜，抽真空至1.5×10^-4Pa。接下来，在导入氧后将作为惰性气体的氩、作为含氢气体的氢气导入表1中记载的浓度，使总压为0.6Pa。

以3W/cm²的功率密度向铟-锡复合氧化物的烧结靶、或者不含氧化锡的氧化铟烧结靶投入电力，通过DC磁控管溅射法，成膜透明导电膜。关于膜厚，改变薄膜在靶上通过时的速度来进行控制。此外，关于溅射时的成膜气氛的水分压相对于惰性气体之比，使用气体分析装置(Inficon公司制，Transpector XPR3)进行测定。在各实施例水准下，为了调节溅射时的成膜气氛的水分压相对于惰性气体之比，如表1所记载的那样，调节了有无轰击工序、膜辊端面的凹凸高低差、控制薄膜接触正行进的中心辊的温度的温度控制器的载热体的温度。将从向膜辊的成膜开始时到成膜结束时为止的温度的最大值与最小值的刚好正中间的温度作为中心值而记载于表1。

对成膜并层叠了透明导电膜的薄膜进行表1中记载的热处理后，实施了测定。将测定结果示于表1。

(比较例1～9)

在表1中记载的条件下，与实施例1同样地制作透明导电性薄膜并进行评价。其中，比较例7未设置固化型树脂层。其中，比较例8将固化型树脂层的涂膜的厚度调整为20μm。将结果示于表2。

[表1A]

[表1B]

[表2A]

[表2B]

如表1A、1B所记载，实施例1～8记载的透明导电性薄膜的笔滑动耐久性、笔重加压耐久性、防眩性优异，兼具所有特性。然而，如表2所记载，比较例1～9无法全部满足笔滑动耐久性、笔重加压耐久性、防眩性。

-工业可用性-

如上所述，根据本发明，能够制作笔滑动耐久性、笔重加压耐久性、防眩性优异的透明导电性薄膜，这对于电阻膜式触摸面板等用途极其有用。

-附图标记说明-

1.薄膜

2.中心辊

3.烟囱

4.铟-锡复合氧化物的靶。

Claims (5)

1.一种透明导电性薄膜，在透明塑料薄膜基材上的一个面层叠有铟-锡复合氧化物的透明导电膜，通过以下的笔滑动耐久性试验得到的透明导电性薄膜的透明导电膜的导通电阻为10kΩ以下，通过以下的笔重加压试验得到的透明导电性薄膜的透明导电膜的表面电阻值的增加率为1.5以下，进而透明塑料薄膜基材上的与透明导电膜侧相反的面的60°镜面光泽为50％以上且120％以下，

在笔滑动耐久性试验方法中，

将所述透明导电性薄膜用作一个面板，作为另一个面板，使用包含铟-锡复合氧化物薄膜的透明导电性薄膜，该铟-锡复合氧化物薄膜是在玻璃基板上通过溅射法形成的，且厚度为20nm，其中氧化锡含量为10质量％，

隔着直径30μm的环氧珠配置2个所述面板，以使得透明导电性薄膜对置，用厚度为170μm的双面胶带粘贴薄膜侧的面板和玻璃侧的面板，来制作触摸面板，

接下来，对聚缩醛制的笔施加2.5N的载荷，在触摸面板进行18万往复的直线滑动试验，其中该笔的前端的形状为0.8mmR，

在该试验中，对所述透明导电性薄膜面施加笔的载荷，此时的滑动距离为30mm，滑动速度为180mm/秒，

在该滑动耐久性试验后，测定以笔载荷0.8N按压滑动部时的导通电阻，该导通电阻是作为薄膜电极的可动电极与固定电极接触时的电阻值，

在笔重加压试验方法中，

将切割成50mm×50mm的所述透明导电性薄膜用作一个面板，作为另一个面板，使用包含铟-锡复合氧化物薄膜的透明导电性薄膜，该铟-锡复合氧化物薄膜是在玻璃基板上通过溅射法形成的，且厚度为20nm，其中氧化锡含量为10质量％，

隔着直径30μm的环氧珠配置2个所述面板，以使得透明导电性薄膜对置，利用已调整成厚度为120μm的双面胶带将薄膜侧的面板与玻璃侧的面板粘贴，制作出触摸面板，

利用聚缩醛制的笔对距双面胶带的端部为2.0mm的位置施加35N的载荷，与双面胶带平行地实施10次即往复5次的直线滑动，其中该笔的前端的形状为0.8mmR，

在该试验中，对所述透明导电性薄膜面施加笔的载荷，此时的滑动距离为30mm，滑动速度为20mm/秒，

在没有环氧珠的位置进行滑动，滑动后取下透明导电性薄膜，通过4端子法测定滑动部的任意5处的表面电阻，求出平均值，

在测定表面电阻时，在与滑动部垂直的方向上排列4端子，使得滑动部出现在第二端子与第三端子之间，

将滑动部的表面电阻值的平均值除以用4端子法测定的未滑动部的表面电阻值，计算表面电阻值的增加率。

2.根据权利要求1所述的透明导电性薄膜，其中，

铟-锡复合氧化物的透明导电膜的晶体粒径为10～100nm，铟-锡复合氧化物的透明导电膜的晶化度为20～80％，铟-锡复合氧化物的透明导电膜含有0.5～10质量％的氧化锡，铟-锡复合氧化物的透明导电膜的厚度为10～30nm，

在将铟-锡复合氧化物的透明导电性薄膜的三维表面粗糙度SRa设为X时，X为1～100nm，进而将透明塑料薄膜基材上的与透明导电膜侧相反的面的三维表面粗糙度SRa设为Y时，Y为70～270nm。

3.根据权利要求1或2所述的透明导电性薄膜，其中，

即使在透明导电膜的表面实施附着性试验JIS K5600-5-6：1999，透明导电膜也不剥离，在透明导电性薄膜的铟-锡复合氧化物的透明导电膜侧进行耐弯曲性试验JIS K5600-5-1：1999并用10倍放大镜观察弯曲部时产生破裂或剥离的心轴直径小于20mm。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的透明导电性薄膜，其中，

透明导电性薄膜的厚度为100～250μm。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的透明导电性薄膜，其中，

在铟-锡复合氧化物的透明导电膜与透明塑料薄膜基材之间具有固化型树脂层。

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