CN115769385A - 太阳能电池及太阳能电池模块 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种太阳能电池(1)，其包括由半导体材料制成的至少第一层(3，4’，4”，5，6)，用于从光辐射中吸收光子并释放电荷载体，以及至少一个导电层(2)，其与所述第一层(3，4’，4”，5，6)重叠，适于允许所述光辐射朝向所述第一层(3，4’，4”，5，6)进入到所述太阳能电池(1)并收集由所述第一层(3，4’，4”，5，6)释放的电荷载体，所述太阳能电池(1)的特征在于所述导电层(2)包括至少三个重叠层(21、22、23)，并且具体地：‑透明中间金属层(23)，由金属制成，和‑两个透明氧化层(21，22)，由导电氧化物制成，所述两个氧化层(21，22)分别是包围所述透明中间金属层(23)的内氧化层(21)和外氧化层(22)，以便为电荷提供低电阻路径，并使进入太阳能电池(1)的光辐射的量最大化。本发明还涉及包括所述太阳能电池(1)的太阳能电池模块。

Description

太阳能电池及太阳能电池模块
本发明涉及一种新型太阳能电池和太阳能电池模块。
具体地，本发明涉及一种具有新型导电层的太阳能电池，特别是异质结(heterojunction，HJT)太阳能电池。这种HJT太阳能电池的示例是具有氢化本征非晶硅层(a-Si：H)作为被沉积在晶体硅(c-Si)晶片表面上的钝化层的HJT太阳能电池。然而，所述新型导电层也可以被应用于其它太阳能电池。
众所周知，高效a-Si:H/c-Si HJT的制造需要优化化学和物理工艺，通常伴随着与一些消耗元件(诸如银膏和薄透明导电氧化物(TCO))的使用相关的后续高成本。
实际上，HJT太阳能电池通常通过在单晶硅(Si)体衬底(也被称为Si晶片)上沉积非常薄(10nm-20nm)的氢化非晶硅层(A-Si:H层)作为钝化层来实现。通常被采用的Si体衬底具有介于0.1Ωcm和10Ωcm之间的电阻率以及介于100μm和250μm之间的厚度。在HJT双面太阳能电池的情况下，钝化层被沉积在单晶硅晶片的两侧，也用参考c-Si镜片来表示。
在沉积a-Si:H之前，Si体衬底可以经历由几个不同的化学蚀刻步骤组成的纹理化过程。
a-Si:H层，或最终由硅次氧化物或碳化硅制成的任何其它钝化层，或最终适用于此范围的任何其它材料，通常被沉积在c-Si晶片的两侧上，以通过减少其硅悬键来钝化c-Si表面。
因此，由于初始蚀刻可以减少表面缺陷，该步骤允许减少接口处带隙的内侧的局部化等级缺陷，其是少数载体的重组中心，并且其可以导致开路电压(VOC)的降低。
钝化后，接触层可以被沉积在钝化表面上，这种接触层由被用于在太阳能电池的一侧上形成PN结的p掺杂的氢化非晶硅层(p-A-Si:H)或p+层和在电池的相对侧上的n掺杂的氢化非晶硅层(n-A-Si:H)或n+层制成。
当晶体硅晶片是n型晶体硅晶片(n型c-Si)时，电池的p-侧(即具有p+层的电池的侧)是发射极。
此外，当采用n型晶体硅晶片时，所述n型c-Si的少数载体是孔，并且其可以实现高效率。
电池最终被覆盖有由TCO制成的层，该层被沉积在晶片的两侧上，其是用于收集电荷的导电氧化物。
用于制造HJT电池的TCO通常是掺杂有锡氧化物SnO2(也被称为ITO)的三氧化二铟In2O3，并且In2O3和SnO2之间的重量比从90％In2O310％SnO2到97％In2O33％SnO2不等，这意味着TCO可以被高度掺杂。除了ITO，还有由铝掺杂的氧化锌AlZnO(也被称为AZO)制成的TCO。AZO的主要缺点是与ITO相比低得多的电导率，但它具有避免使用昂贵且有毒的元素(诸如铟)的重要优点。
在所有情况下，TCO通常是n型掺杂半导体，如果与真实的半导体相比，它在电子上表现为具有有限传输特性的金属。
因此，TCO与氢化非晶硅层TCO/A-Si:H之间的结的电荷载体流动性和电子行为通常被假定为类似于金属-半导体结。
此外，TCO功函数可以对电池结构中的带对齐(TCO/A-Si:H/c-Si)有重要贡献，调节异质结上的电荷载体运输。
总之，TCO的作用是收集来自硅接触的电荷，并以最小的损耗将它们转移到金属网格中，这将在下面描述。
理想地，TCO应具有以下属性：
-低电阻率；
-高载体流动性；
-高载体浓度；
-高光学透明度。
然而，一起实现所有这些属性并不容易，并且通常会接受一些妥协。
实际上，通过降低载体浓度可以获得增加的载体流动性，这反过来又增加了TCO的电阻率。
另一方面，增加载体浓度的同时降低了载体流动性和TCO的光学透射率(即透明度)，这是电池的结果。
如已经提到的，金属化网格通常被沉积在TCO的层上。
特别是，这种金属化网格具有以有效的方式从TCO收集电荷的功能。
金属化网格通常由银电极制成，这可以通过不同的制造工艺来实现。
在HJT太阳能电池上生产金属化网格的一种优选工艺是通过丝网印刷(SP)银膏，即含有银颗粒的膏。
生产金属化网格的另一种已知工艺是基于电池表面上的金属电化学电镀。
金属化网格布局通常包括沿着被称为指状物的电池运行的细长平行触点和与该指状物交叉的更大的触点(被称为母线)。
在光伏太阳能模块内侧，电池通过金属带被串联连接，该金属带通常通过焊接或通过胶合被附接到母线。
典型的HJT双面太阳能电池的结构如图1所示。
如已经提到的，使用银膏用于制造HJT太阳能电池的金属化网格是昂贵的。
此外，银膏应在低温下固化，并需要被仔细地配制，以便确保触点之间的良好电阻和良好的手指电阻率。
因此，本发明的目的是提供一种具有替代电荷收集器的太阳能电池。
此外，本发明的目的是使太阳能电池上的总入射光辐射最大化。
本发明的再一个目的是，这种替代电荷收集器应该比通常所使用的金属化网格便宜，无论是在与所使用的材料有关的成本方面还是在与制造工艺有关的成本方面。
因此，本发明的目的是最小化或消除被用于制造太阳能电池的工艺中的银膏消耗。
最后，本发明的另一个目的是提供一种具有太阳能电池之间的简化互连方案的太阳能电池模块。
这样的目的已经通过用具有改进的电性能的TCO制成的层代替金属化层来实现。
特别地，典型的电池布局已经被修改，用具有改进的电性能的多层TCO-金属-TCO(也被称为氧化物-金属-氧化物或OMO)代替金属化网格并通过在模块等级处使用新的互连方案，如果与已知的太阳能电池模块相比，这减少了模块本身的材料清单。
因此，本发明的具体目的是一种太阳能电池，其包括由半导体材料制成的至少一个第一层，用于从光辐射中吸收光子并释放电荷载体，以及与所述第一层重叠的至少一个导电层，其适于允许所述光辐射朝向所述第一层进入所述太阳能电池并收集由所述第一层释放的电荷载体。具体地，所述导电层包括至少三个重叠的层，它们是：
-透明中间金属层，由金属制成，和
-两个氧化层，由透明导电氧化物制成。
所述两个氧化层分别是包围所述透明中间金属层的内氧化层和外氧化层，以便为电荷提供低电阻路径，并使进入太阳能电池的光辐射的量最大化。
所述透明中间金属层具有在5nm和10nm之间的厚度。
此外，所述内氧化层具有基本上为50nm的厚度。特别地，对于大于或等于50nm的厚度，术语“基本上”表示±5nm之间的可能变化。换言之，内氧化层具有在45nm和55nm之间的厚度，优选地等于50nm。
最后，所述外氧化层具有在50nm和60nm之间的厚度。
特别地，根据本发明，所述透明中间金属层可以具有在5nm和7nm之间的厚度，所述内氧化层可以具有基本上为50nm的厚度并且所述外氧化层可以具有在50nm和60nm之间的厚度。优选地，根据本发明，所述透明中间金属层可以具有5nm的厚度，所述内氧化层可以具有基本上为50nm的厚度并且所述外氧化层可以具有基本上为50nm的厚度。
此外，根据本发明，至少一个所述氧化层可以由掺杂有锡氧化物SnO2的三氧化二铟In2O3制成或由掺杂有铝的氧化锌制成。
此外，根据本发明，所述透明中间金属层可以具有连续层的形状。
此外，根据本发明，所述透明中间金属层可以被布置为网状网络。
根据本发明，所述太阳能电池可以是包括前侧和后侧的异质结双面太阳能电池，其中，所述至少一个第一层可以包括由晶体硅、优选地为n型晶体硅制成的第一层、第二层和第三层。特别地，所述第二层和第三层可以由氢化非晶硅制成，并且可以被布置为使得与围绕它的所述第一层重叠。事实上，所述第二层可以与所述前侧相对应地被布置，并且所述第三层可以与所述后侧相对应地被布置。此外，所述太阳能电池可以包括由n型掺杂氢化非晶硅制成、与所述第二层重叠的第四层。所述太阳能电池还可以包括由p型掺杂氢化非晶硅制成、与所述第三层重叠的第五层。最后，所述太阳能电池可以包括所述至少一个导电层的两个导电层，其分别与所述第四层和所述第五层重叠。
根据本发明，所述太阳能电池可以不包括金属化网格或其可以包括仅由平行或基本上平行的导体制成的金属化网格。
本发明的再一个目的是一种太阳能电池模块，其中，该太阳能电池模块包括根据本发明的第一太阳能电池和第二太阳能电池，以及用于将所述第一太阳能电池的导电层电连接到所述第二太阳能电池的导电层的连接器，其中，所述连接器直接被附接到所述第一太阳能电池的所述导电层的所述外氧化层和所述第二太阳能电池的所述导电层的所述外氧化层；或
被附接到所述第一太阳能电池的所述导电层上和/或所述第二太阳能电池的所述导电层上的所述平行或基本上平行的导体。
现在将特别参考所附图中的图根据本发明优选实施例为了说明而不是限制性的目的来描述本发明，其中：
图1示出在背射极配置中的已知HJT电池的多层结构的截面图；
图2示出根据本发明的太阳能电池的多层结构的截面图；
图3A示出具有金属化网格的已知太阳能电池的正视图；
图3B示出根据本发明的太阳能电池的正视图；
图4A示出图3A的太阳能电池在第一太阳能电池模块内侧的正视图；
图4B示出图3B的太阳能电池在第二太阳能电池模块内侧的正视图；
图4C示出图3B的太阳能电池在第三太阳能电池模块内侧的正视图；
图5示出具有等于20nm的厚度的铝掺杂氧化锌的单片层的反射率百分比，作为入射辐射波长的函数；
图6示出不是根据本发明的太阳能电池的三个不同导电层的反射率和吸收率的百分比，作为入射辐射波长的函数；
图7示出不是根据本发明的太阳能电池的第一示例的反射率百分比；
图8示出不是根据本发明的太阳能电池的第二和第三示例的反射率百分比；
图9示出不是根据本发明的太阳能电池的第四示例的反射率的百分比；以及
图10示出根据本发明的太阳能电池的第五和第六示例的反射率百分比。
参考图2、3B、4B和4C，根据本发明的太阳能电池1在前侧11上并且优选地还在后侧10上具有导电层2。
具体地，图2中所示的太阳能电池1是双面n型HJT太阳能电池1，然而导电层2也可以被应用在其它种类的太阳能电池上，诸如p型晶片基HJT电池或任何其它种类的太阳能电池。
太阳能电池1包括由c-Si、优选地c-Si(n)制成的中心层3或第一层3和由a-Si:H制成的围绕所述中心层3的两个中间层4’，4”，其分别是与电池1的前侧11相对应地被布置的第二层4’和与电池1的后侧10相对应地被布置的第三层4”。
此外，太阳能电池1包括由a-Si:H(n+)制成的、与所述第二层4’接触的第四层5，以及由a-Si:H(p+)制成的、与所述第三层4”接触的第五层6。因此，所述第四层5与太阳能电池1的前侧11相对应地被布置，并且所述第五层6与太阳能电池1的后侧10相对应地被布置。
所有前述由硅制成的层都具有从光辐射中吸收光子并释放电荷载体的功能。在其它实施例中，这样的层可以具有不同的结构并且用不同类型的半导体制成。
导电层2被沉积在所述第四层5和第五层6上。
这种导电层2具有允许光辐射朝向所述层5、4’、3或6、4”、3进入所述太阳能电池(1)并将由所述层5、4’、3或6、4”、3释放的电荷载体收集到电流中的功能。
特别地，每个导电层2包括由TCO制成的两个氧化层21、22，其可以是ITO或AZO或其它合适的氧化物，以及透明的中间金属层23，其被放置在所述两个氧化层21、22之间。
中间金属层23的透明性通过最小化其总厚度来实现，该总厚度可以在5nm和20nm(纳米)之间，更优选在5nm和10nm之间。这样的厚度可以适应最终器件所需的光学和电气性能。在实施例中，中间金属层的厚度可以在5nm和7nm之间，优选地等于5nm。
实际上，透明中间金属层23主要负责结构的电阻率并且低于5nm的厚度不会总是保证连续互连金属膜的生长。
此外，具有这样的厚度，当膜是连续膜时，透明中间金属层23可以有利地实现在10-6Ωcm量级的电阻率值。例如，已经用具有约10nm厚度的由银制成的中间金属层23测量了低于10-5Ωcm的电阻率。
此外，这种透明中间金属层23也可以被结构化，例如被组织在网格或网状网络中或在互连纳米颗粒的集合中。在具有网状网络的中间金属层23的情况下，如果与具有具有相同厚度的均匀中间金属层23的太阳能电池1相比，网状本身中孔的存在允许电池1的更高透明度。此外，以网状网络被组织的中间金属层23允许实现非常低的电阻率值。
最后，当通过沉积金属互连纳米颗粒或纳米结构(例如具有在2-5纳米之间的尺寸的纳米颗粒)获得中间金属层23时，可以实现非常好的导电性，由于多孔膜的较低密度和纳米结构的等离子体效应伴随着增加的光学透明度。
透明中间金属层23可以由银Ag、铜Cu、金Au、铝Al或其它合适的金属制成。
如已经提到的，导电层2可以通过在第四层5上方和/或在第五层6上方沉积内氧化层21来制成。
随后，在所述内氧化物层21上方沉积所述透明中间金属层23之后，外氧化物22可以被沉积在所述透明中间金属层23上方。
每个导电层2的两个氧化层21、22可以用不同的TCO制成。
特别地，被用于被布置在太阳能电池1的后侧10上的导电层2的氧化物和/或金属可以不同于在相同的太阳能电池1的前侧11上所使用的氧化物和/或金属，以便优化太阳能电池模块内侧的太阳能电池1的电气和光学性能。
导电层2的性质也可以通过修改层厚度来调谐，以便找到太阳能电池1的最佳电气和光学性能。
所获得的导电层2因此可以被设计用于以纯TCO和纯金属超薄膜都不能实现的这样一种方式假设电气和光学性能的组合。
事实上，纯金属情况和纯TCO情况两者都应该被排除，因为在这两种情况下太阳能电池1都不会以期望的方式表现。
具体地，被沉积为内氧化层21和外氧化层22的TCO的厚度可以在1nm和200nm之间变化，优选地在1nm和80nm之间变化。
氧化层21和22的厚度的组合是用于控制OMO层的反射率的关键参数。事实上，作为多层结构的OMO结构，这种材料在太阳光光谱范围内的抗反射效果直接由这些参数确定。虽然可以在1nm至200nm之间的范围内并且特别是在1nm至80nm之间的范围内使用几种厚度，但是已经发现用于内氧化层21的优选的值在1nm和30nm或50nm之间，并且用于外氧化层22的优选的值在30nm至80nm之间。
在优选的实施例中，所述内氧化层21具有基本上为50nm的厚度并且所述外氧化层22具有在30nm和60nm之间、更优选在50nm和60nm之间、甚至更优选地基本上等于50nm的厚度。
在下文中，大于或等于30nm的厚度所涉及的术语“基本上”将意味着±5nm的可变性。
这些值确保了相对于反射率典型行为的显著扩展和宽的相对最小值的出现，该反射率典型行为限定了具有被包含在500nm和700nm之间的波长的入射辐射的最佳反射率条件，如图10所示并且如下文更好地讨论的。
这些值也已被选择以便最小化介于由半导体制成的层3，4’，4”，5，6和太阳能电池1的外部表面之间的层的厚度。同时，当太阳能电池1在太阳能电池模块内侧时，这样的厚度确保了太阳能电池1对应于其外部区域的最大保护，该外部区域通常与最终的玻璃保护接触。
此外，所选择的OMO层2的厚度有利地允许增加太阳能电池1在可见光和近红外的光谱范围内的透明度。
具体地，太阳能电池1已经被设计以便在双面太阳能电池1的其后侧10处增加太阳光谱的红色部分的透射，其接收在地面反射后的光的反照率(蓝色波长贫乏而红色波长丰富)。
此外，外氧化层22有利地促进了太阳能电池模块内的太阳能电池1的连接，其能够凭借互连带100连接，如图4B和4C所示。
事实上，由于最外层是由TCO制成的外氧化层22，因此太阳能电池1和带100之间的粘附性被有利地改善。另一方面，由于所述透明中间金属层上可能的不连续性和其减小的厚度，透明中间金属层23和带100之间的直接连接，即使可能，也会导致更差的粘附性。
此外，所述导电层2的配置允许避免在太阳能电池1的表面上使用金属网格。因此，这种配置允许有利地最大化其进入太阳能电池1中的光的量，同时实现所需的电导性，以便收集和传输电荷直至带100，而无需任何进一步的外部金属化网格。然而，可以使用很少的母线来改善电荷载体的收集，如下文所解释的。
事实上，所述导电层2的特定配置导致在电池1的整个外部表面上的电荷的分布式收集，导致太阳能电池1本身的更好的金属化。
这些特征的组合允许有利地降低银膏的消耗，降低与太阳能电池1制造有关的成本。
此外，也不需要昂贵的工具(诸如丝网印刷机)用于生产所述太阳能电池1，这进一步降低了用于制造它的成本。
此外，如上所述，所提出的导电层2允许将带100直接附接在外氧化层22上，而没有任何进一步的中间接触。
具体地，有利地可以将所述互连带100直接粘合在所述外氧化层22上，而没有任何电损耗。事实上，带100和外氧化层22之间接触的机械强度高于带100和由银膏制成的母线之间的机械强度。
参考图4B和图4C，可以采用两种不同的金属化方法来将所述太阳能电池1连接在太阳能电池模块中。
特别地，如图4B所示，标准方法使用具有四个母线和在所述母线顶部的四个带100的经典纵梁。另一方面，使用多线方法的更分布式方案被示出在图4C中，其可以被应用在根据本发明的太阳能电池1上。
在这两种情况下都不需要带和母线之间的对齐，因为太阳能电池1上不存在金属网格。
最后，导电层2和相关互连方案也有利地独立于电池的取向，这允许在电池模块中的任何种类的金属化方案。
在以下段落中，描述了一些测量和实验，其被允许识别用于太阳能电池1的最佳导电层2。
在图5中，单片AZO层的反射率的百分比被示出为入射辐射波长的函数，其中单片AZO层具有等于20nm的厚度。显而易见，对于大约375nm的波长，实现了反射率的局部最大值，而对于更大的波长，则存在平台期或增加的单调行为。
在图6中示出三个不同导电层2的行为，根据反射率和吸收率作为入射辐射波长的函数，其中三个导电层2中的每一个包括由Ag制成的透明中间金属层23和由AZO制成的两个氧化层21、22。具体地，第一AZO/Ag/AZO导电层2的层21、23、22具有分别等于10nm/5nm/10nm的厚度；第二AZO/Ag/AZO导电层2的层21、23、22具有分别等于10nm/10m/10nm的厚度；并且第三AZO/Ag/AZO导电层2的层21、23、22具有分别等于10nm/15nm/10nm的厚度。
显而易见，对于每个导电层2，大约在375nm处存在反射率的局部最大值(并且因此存在吸收率的局部最小值)，并且对于更大的波长具有增加的单调行为，类似于图6所示的单片AZO层的表现。
太阳能电池中的这种行为通常与较差的性能相关联。事实上，更高的反射率意味着更少的辐射穿过导电层2并到达硅层3，这反过来又降低了通过光电效应电荷的载体的释放。
因此期望对于被包含在500nm和700nm之间的波长具有低反射率。此外，期望与大于800nm的波长相关联的反射率的百分比在30％和40％之间，并且其以相对小的斜率增加。
图7至图10示出反射率百分比作为入射辐射波长的函数，用于若干太阳能电池1，其包括由硅制成的第一层3和重叠所述第一层3的导电层2，其中每个导电层2包括由Ag制成的透明中间金属层23和由AZO制成的具有不同的厚度的两个氧化层21、22。
具体地，
在第一太阳能电池1中，其反射率被示出在图7中，AZO/Ag/AZO导电层2的层21、23、22的厚度分别为30nm、20nm和30nm；
在第二太阳能电池1中，其反射率被示出在图8中，AZO/Ag/AZO导电层2的层21、23、22的厚度分别为50nm、15nm和70nm；
在第三太阳能电池1中，其反射率被示出在图8中，AZO/Ag/AZO导电层2的层21、23、22的厚度分别为50nm、20nm和70nm；
在第四太阳能电池1中，其反射率被示出在图9中，AZO/Ag/AZO导电层2的层21、23、22的厚度分别为30nm、20nm和50nm；
在第五太阳能电池1中，其反射率被示出在图10中，AZO/Ag/AZO导电层2的层21、23、22的厚度分别为50nm、5nm和50nm；以及
在第六太阳能电池1中，其反射率也被示出在图10中，AZO/Ag/AZO导电层2的层21、23、22的厚度分别为50nm、10nm和50nm。
显而易见，图7至图9所示的太阳能电池1的反射率具有非期望的和特别有效的表现，其取决于AZO/Ag/AZO导电层2的相应厚度。
令人惊讶的是，图10所示的太阳能电池1的反射率对于具有在500nm和700nm之间的波长的入射辐射的具有局部最小值，即在反射率方面的期望行为，并且因此在这些太阳能电池1中实现了更高的效率。以这种方式，能够显著增加硅第一层3处的入射辐射。
本发明已根据其优选实施例进行了说明性但非限制性目的的描述，但应当理解，本领域技术人员可在不脱离所附权利要求所界定的范围的情况下作出变型和/或修改。

Claims (9)

1.一种太阳能电池(1)，所述太阳能电池(1)包括由半导体材料制成的至少第一层(3，4’，4”，5，6)，用于从光辐射中吸收光子并释放电荷载体，以及至少一个导电层(2)，所述至少一个导电层(2)与所述第一层(3，4’，4”，5，6)重叠，适于允许所述光辐射朝向所述第一层(3，4’，4”，5，6)进入所述太阳能电池(1)并收集由所述第一层(3，4’，4”，5，6)释放的所述电荷载体，所述导电层(2)包括至少三个重叠层(21，22，23)，分别是：
-透明中间金属层(23)，由金属制成，和
-两个氧化层(21，22)，由透明导电氧化物制成，
所述两个氧化层(21，22)分别是包围所述透明中间金属层(23)的内氧化层(21)和外氧化层(22)，以便为所述电荷提供低电阻路径，并使进入所述太阳能电池(1)的所述光辐射的量最大化，其特征在于
所述透明中间金属层(23)具有在5nm和10nm之间的厚度，
所述内氧化层(21)具有基本上为50nm的厚度；以及
所述外氧化层(22)具有在50nm和60nm之间的厚度。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池(1)，其中，所述透明中间金属层(23)具有在5nm和7nm之间的厚度，所述内氧化层(21)具有基本上为50nm的厚度并且所述外氧化层(22)具有在50nm和60nm之间的厚度。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池(1)，其中，所述透明中间金属层(23)具有5nm的厚度，所述内氧化层(21)具有基本上为50nm的厚度并且所述外氧化层(22)具有基本上为50nm的厚度。
4.根据前述权利要求中任一项所述的太阳能电池(1)，其中，至少一个所述氧化层(21，22)由掺杂有锡氧化物SnO2的三氧化二铟In2O3制成或由掺杂有铝的氧化锌制成。
5.根据前述权利要求中任一项所述的太阳能电池(1)，其中，所述透明中间金属层(23)具有连续层的形状。
6.根据权利要求1至4中任一项所述的太阳能电池(1)，其中，所述透明中间金属层(23)被布置为网状网络。
7.根据前述权利要求中任一项所述的太阳能电池(1)，其中，所述太阳能电池(1)是包括前侧(11)和后侧(10)的异质结双面太阳能电池(1)，所述至少一个第一层(3，4’，4”，5，6)包括由晶体硅、优选地为n型晶体硅制成的第一层(3)、第二层(4’)和第三层(4”)，所述第二层和第三层(4’，4”)由氢化非晶硅制成，并且与围绕它的所述第一层(3)重叠，所述第二层(4’)与所述前侧(11)相对应地被布置，所述第三层(4”)与所述后侧(10)相对应地被布置，所述太阳能电池(1)还包括由n型掺杂氢化非晶硅制成、与所述第二层(4’)重叠的第四层(5)，由p型掺杂氢化非晶硅制成、与所述第三层(4”)重叠的第五层(6)以及所述至少一个导电层(2)的两个导电层(2)，其分别与所述第四层(5)和所述第五层(6)重叠。
8.根据前述权利要求中任一项所述的太阳能电池(1)，其中，所述太阳能电池(1)不包括金属化网格或其包括仅由平行或基本上平行的导体制成的金属化网格。
9.一种太阳能电池模块，其中，所述太阳能电池模块包括根据前述权利要求中任一项所述的第一太阳能电池(1)和第二太阳能电池(1)，以及连接器(100)，所述连接器(100)用于将所述第一太阳能电池(1)的导电层(2)电连接到所述第二太阳能电池(1)的导电层(2)，所述连接器(100)直接被附接到所述第一太阳能电池(1)的所述导电层(2)的所述外氧化层(22)和所述第二太阳能电池(1)的所述导电层(2)的所述外氧化层(22)；或
被附接到所述第一太阳能电池(1)的所述导电层(2)上和/或所述第二太阳能电池(1)的所述导电层(2)上的所述平行或基本上平行的导体。
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