CN115763457A - 芯片转移方法 - Google Patents

Abstract

本申请实施例公开一种芯片转移方法，该芯片转移方法通过在多个芯片背离基板的一侧上形成具有第一熔点的固定层，将驱动背板对准基板以及对驱动背板进行降温，以使驱动背板的温度小于或等于第一熔点，使覆盖在芯片上的固定层熔融，将覆盖有熔融固定层的芯片与基板分离，芯片掉落至驱动背板的瞬间，由于驱动背板的温度小于或等于第一熔点，从而使得覆盖在芯片上的熔融的固定层发生凝固将该芯片固定在驱动背板上，从而可以避免芯片掉落至其他位置，即，避免出现芯片翻转或者位置偏移的现象，提高了转移良率。

Description

芯片转移方法

技术领域

本申请涉及芯片转移技术领域，具体涉及一种芯片转移方法。

背景技术

随着显示技术的逐渐发展，Micro-LED(Micro Light Emitting Diode，微型发光二极管)技术越来越多的被提及，Micro-LED是一种小型化的LED(Light Emitting Diode，发光二极管)，它的尺寸介于1um-100um，是目前最有希望替代LCD(Liquid CrystalDisplay，液晶显示器)和OLED(Organic Light Emitting Diode，有机发光二极管)的新一代半导体显示技术。

在完成Micro-LED芯片制作后，需要把数百万甚至数千万颗微米级的LED晶粒正确且有效率地移动到驱动背板上，这一过程称为“巨量转移”，但是目前将LED晶粒转移到驱动背板上时，LED晶粒容易出现翻转或偏离目标位置等问题，导致未能正常键合至驱动背板上，影响转移良率。

发明内容

本申请实施例公开了一种芯片转移方法，提高芯片转移到驱动背板上的良率。

本申请实施例公开一种芯片转移方法，所述方法包括：

提供设有多个芯片的基板；

在所述多个芯片背离所述基板的一侧上形成具有第一熔点的固定层；

提供驱动背板，并对所述驱动背板进行降温处理，以使所述驱动背板的温度小于或等于所述第一熔点；

将所述驱动背板对准所述基板；

将所述芯片与所述基板分离以及使所述芯片上的固定层熔融，所述芯片通过所述固定层与所述驱动背板接触发生凝固以固定于所述驱动背板上。

作为一种可选的实施方式，所述固定层的熔点为35℃至85℃，降温处理后的驱动背板的温度为-20℃至35℃。

作为一种可选的实施方式，所述将所述芯片与所述基板分离以及使所述芯片上的固定层熔融，所述芯片通过所述固定层与所述驱动背板接触发生凝固以固定于所述驱动背板上之后，所述方法还包括：

加热所述驱动背板和/或所述驱动背板上的所述芯片，以使所述芯片焊接于所述驱动背板，以及使所述固定层受热汽化挥发。

作为一种可选的实施方式，所述固定层的沸点为b，所述加热所述驱动背板和/或所述驱动背板上的所述芯片中，加热温度为a，其中，150℃≤b＜a≤300℃。

作为一种可选的实施方式，所述将所述芯片与所述基板分离以及使所述芯片上的固定层熔融，包括：

将激光作用于所述基板上以使所述芯片与所述基板分离；

对所述基板进行加热以使所述芯片上的固定层熔融。

作为一种可选的实施方式，所述对所述基板进行加热以使所述芯片上的固定层熔融，包括：

提供加热装置；

将所述加热装置贴合于所述基板背离所述芯片的一侧对所述基板进行加热，以使所述固定层熔融。

作为一种可选的实施方式，所述加热装置设有贯通的开口，所述开口与所述芯片对应设置；

所述将激光作用于所述基板上以使所述芯片与所述基板分离，包括：

提供激光器；

将所述激光器对准所述开口并释放激光，以使所述芯片与所述基板分离。

作为一种可选的实施方式，所述在所述多个芯片背离所述基板的一侧上形成具有第一熔点的固定层，包括：

提供熔融的固定材料，所述固定材料的熔点为所述第一熔点；

将所述熔融的固定材料喷涂或旋涂于所述多个芯片背离所述基板的一侧上，以形成所述固定层。

作为一种可选的实施方式，所述将所述熔融的固定材料喷涂或旋涂于所述多个芯片背离所述基板的一侧上，以形成所述固定层，包括：

对所述基板进行加热处理，以使所述基板以及所述基板上的所述多个芯片的温度大于或等于第一熔点；

将所述熔融的固定材料喷涂或旋涂于所述多个芯片背离所述基板的一侧上；

对所述基板降温，以使所述固定材料凝固以在所述多个芯片上形成所述固定层。

作为一种可选的实施方式，所述基板为生长衬底，或者，所述基板为临时载板。

与相关技术相比，本申请实施例具有以下有益效果：

本申请实施例提供了一种芯片转移方法，该芯片转移方法通过在多个芯片背离基板的一侧上形成具有第一熔点的固定层，将驱动背板对准基板以及对驱动背板进行降温，以使驱动背板的温度小于或等于第一熔点，使覆盖在芯片上的固定层熔融，将覆盖有熔融固定层的芯片与基板分离，芯片掉落至驱动背板的瞬间，由于驱动背板的温度小于或等于第一熔点，从而使得覆盖在芯片上的熔融的固定层发生凝固将该芯片固定在驱动背板上，从而可以避免芯片掉落至其他位置，即，避免出现芯片翻转或者位置偏移的现象，提高了转移良率。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是相关技术中的芯片翻转以及位置偏移的结构示意图；

图2是本申请实施例公开的芯片转移方法的一种流程示意图；

图3为图2中的芯片转移方法的过程示意图；

图4是本申请实施例公开的形成固定层的流程示意图；

图5是本申请实施例公开的芯片脱落以及使固定层熔融的流程示意图；

图6是本申请实施例公开的芯片转移方法的另一种流程示意图；

图7是本申请实施例公开的芯片转移方法的又一种流程示意图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

需要说明的是，本申请实施例及附图中的术语“包括”和“具有”以及它们任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。例如包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备没有限定于已列出的步骤或单元，而是可选地还包括没有列出的步骤或单元，或可选地还包括对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。

相比OLED和LCD，Micro-LED具有更高的发光效率、更长的寿命、更高的亮度和更快的响应速度，同时具备轻薄、省电等优势。Micro-LED技术被认为是下一代主流显示技术的重要选择。

在完成微米级Micro-LED芯片制作后，需要把数百万甚至数千万颗微米级的LED芯片正确且有效率地移动到驱动背板上，这一过程称为“巨量转移”。目前，巨量转移技术包括弹性印章转移技术、激光转移技术以及流体自组装技术等。相较于其他巨量转移技术，激光转移技术可控性强、转移效率高、易于加工且灵活性大，但是通过激光转移技术将LED芯片转移至驱动背板的过程中，一般需要使LED芯片与驱动背板之间具有一定空隙，以避免粘接于基板上的LED芯片压坏驱动背板上的驱动线路，但是由于驱动背板(驱动背板通常为玻璃背板或印刷电路板)的硬度比较高，在通过激光使LED芯片与驱动背板分离后，LED芯片掉落到驱动背板上，容易与驱动背板发生碰撞，导致LED芯片出现翻转或位置偏移的现象。例如，如图1所示，第一芯片110c发生翻转，第一芯片110c设有电极111的一侧背离驱动背板120，第二芯片110d发生位置偏移，第一芯片110c与第二芯片110d均无法正常键合在驱动背板120上。

有鉴于此，本申请实施例提供了一种芯片转移方法，该芯片转移方法通过在多个芯片背离基板的一侧上形成具有第一熔点的固定层，将驱动背板对准基板以及对驱动背板进行降温，以使驱动背板的温度小于或等于第一熔点，使覆盖在芯片上的固定层熔融，将覆盖有熔融固定层的芯片与基板分离，芯片掉落至驱动背板的瞬间，由于驱动背板的温度小于或等于第一熔点，从而使得覆盖在芯片上的熔融的固定层发生凝固将该芯片固定在驱动背板上，从而可以避免芯片掉落至其他位置，即，避免出现芯片翻转或者位置偏移的现象，提高了转移良率。

请参考图2，其示出本申请实施例提供了一种芯片转移方法，如图2所示，该芯片转移方法可以包括步骤S202至步骤S210，具体的，该芯片转移方法可以包括：

S202：提供设有多个芯片的基板。

请参考图3(a)，其示出了一种设有多个芯片的基板的结构示意图，如图3(a)所示，基板311上设有多个芯片110，可选的，芯片110可以为Micro-LED芯片。可选的，设于基板311上的芯片110可以为正装Micro-LED芯片或倒装Micro-LED芯片。可选的，设于基板311上的芯片110可以为红光Micro-LED芯片、绿光Micro-LED芯片或蓝光Micro-LED芯片。

在一个可选的实施例中，该基板311可以为临时载板，也即提供设有多个芯片的基板，包括：提供设有多个芯片的生长衬底，并将多个芯片自生长衬底脱离，使得该多个芯片粘接至临时载板上。再将芯片110自临时载板脱离并掉落至驱动背板上，从而实现芯片110的电极与驱动背板的电极接触，实现键合。其中，生长衬底用于为多个芯片110提供生长空间。考虑到将芯片110自临时载板转移至驱动背板上之前，芯片110具有电极的一侧应背离临时载板，以实现芯片110的电极与驱动背板的电极接触，为实现芯片110与驱动背板的键合做准备。可以理解，在生长衬底背离芯片110具有电极的一侧的情况下，若采用临时载板实现将芯片110转移至驱动背板上，应使用两个临时载板；在生长衬底靠近芯片110具有电极的一侧的情况下，若采用临时载板实现将芯片110转移至驱动背板上，采用一个临时载板即可。

可选的，临时载板可以包括粘贴层以及载板，粘贴层具有粘附力，且与载板的一侧连接。可选的，粘贴层的材料为与激光反应的UV(Ultraviolet Rays，紫外光线)胶。采用UV胶作为粘贴层的材料，可以通过激光对粘贴层与芯片110之间的粘附力进行调节，以实现粘贴层拾取或释放芯片110，从而实现芯片110粘接于临时载板或自临时载板脱离。

在另一个可选的实施例中，基板311可以为生长衬底，也即提供设有多个芯片的基板，包括：提供设有多个芯片的生长衬底。其中，芯片110具有电极的一侧背离生长衬底，将芯片110自生长衬底脱离并掉落至驱动背板上，从而实现芯片110的电极与驱动背板的电极接触，实现键合。基板311为生长衬底，也即本实施例提供了一种可以将多个芯片110直接从生长衬底转移到驱动背板上，无需采用临时载板，使得芯片转移流程更简单，开发难度小(芯片转移对临时载板的粘贴层的均匀性、粘性以及杨氏模量的要求高)。可选的，多个芯片110在生长衬底上呈阵列排布。

S204：在多个芯片背离基板的一侧上形成具有第一熔点的固定层。

请参考图3(b)，其示出了一种在多个芯片上形成有固定层的结构的示意图，如图3(b)所示，多个芯片110背离基板311的一侧上覆盖有固定层313，该固定层313具有第一熔点和第一沸点，也即在固定层313的温度小于第一熔点的情况下，固定层313呈现固态，在固定层313的温度高于第一熔点且小于第一沸点的情况下，固定层313呈现熔融态，也即固定层313呈现液态或呈现固液共存态，在固定层313的温度高于第一沸点的情况下，固定层313呈现气态。可选的，第一熔点的范围可以为35℃至85℃，示例性的，第一熔点可以为35℃、45℃、55℃、65℃、75℃或85℃。可选的，第一沸点的范围可以为150℃至300℃，示例性的，第一沸点可以为150℃、180℃、200℃、250℃、270℃或300℃。

可选的，该固定层313可选用二苯基乙烷层或石蜡层。可选的，固定层313为二苯基乙烷层，二苯基乙烷的熔点为55℃，在二苯基乙烷的温度大于其沸点的情况下会彻底汽化挥发(不会留下残留物或者产生腐蚀现象)，且二苯基乙烷相对金属是惰性的，也即二苯基乙烷不会与金属反应。

可选的，固定层313至少覆盖多个芯片110的背离基板311的一侧。请继续参考图3(b)，示例性的，该固定层313可包围多个芯片110，即，固定层313不仅覆盖在芯片110的背离基板的一侧上，还覆盖在芯片110的外周上。可选的，固定层313覆盖在芯片110上的厚度可小于芯片110的厚度。示例性的，固定层313的厚度小于10微米。

进一步地，考虑到固定层313覆盖在芯片110上，因此，在芯片上形成该固定层时，可以包括：提供熔融的固定材料(该固定材料即为在第一熔点下发生熔融的上述固定层的材料)，并将熔融的固定材料喷涂或旋涂于多个芯片背离基板的一侧，以形成固定层。

请参考图4，其示出了本申请实施例提供的一种固定层形成方法，如图4所示，将熔融的固定材料喷涂或旋涂于多个芯片背离基板的一侧上，以形成固定层的细化步骤可以包括步骤S402至步骤S406。

S402，对基板进行加热处理，以使基板以及基板上的多个芯片的温度大于或等于第一熔点。

在此步骤中，对基板进行加热处理时，可提供加热装置，使加热装置与基板的背离芯片的一侧贴合，从而加热装置可释放热量以加热基板以及基板上的芯片。

S404，将熔融的固定材料喷涂或旋涂于多个芯片背离基板的一侧上。

示例性的，将熔融的固定材料喷涂于多个芯片背离基板的一侧，包括：通过喷枪或蝶式雾化器，借助压力或离心力，将熔融的固定材料分散成均匀且微细的雾滴，且该雾滴涂于多个芯片背离基板的一侧。

示例性的，将熔融的固定材料旋涂于多个芯片背离基板的一侧，包括：通过注射器将熔融的固定材料滴射到各芯片背离基板的一侧的中心，使该基板旋转，从而熔融的固定材料在芯片背离基板的一侧发生扩散，进而覆盖芯片背离基板的一侧。

S406，对基板降温，以使固定材料凝固以在多个芯片上形成固定层。

应说明的，对基板进行降温处理是指：使设于基板上的多个芯片的从第一温度(大于或等于第一熔点)降到第二温度(小于第一熔点)，以使喷涂或旋涂于多个芯片上的固定材料可以凝固。示例性的，在室温小于第一熔点的情况下，对基板进行降温处理，包括：将基板放置到室温环境静置降温。将基板放置到室温环境且不对基板进行加热，可以使基板以及多个芯片逐渐冷却，也即固定材料的温度会慢慢下降，从而凝固在多个芯片上形成固定层。本实施例在多个芯片背离基板的一侧上形成固态的固定层，相较于形成的固定层为熔融态而言，可以避免固定层预想之外的脱落(如在移动驱动背板和/或基板以使驱动背板对准基板的过程中，固定层滴落到驱动背板之外)，造成资源的浪费。

本实施例，通过在将熔融的固定材料喷涂或旋涂于多个芯片背离基板的一侧上之前，对基板先进行加热处理，以使基板以及设于基板的多个芯片的温度大于或等于第一熔点，使得固定材料涂于多个芯片背离基板的一侧上时，固定材料仍为熔融态，从而可以避免由于固定材料在涂于芯片上时凝固导致无法在芯片上形成均匀的固定层(这是因为，若涂于芯片的固定材料凝固，此时旋转基板无法使固定材料在芯片背离基板的一侧扩散)。

S206，提供驱动背板，并对驱动背板进行降温处理，以使驱动背板的温度小于或等于第一熔点。

应说明的，驱动背板可以包括驱动电极，该驱动电极可以用于与芯片的电极电连接，以实现驱动芯片的目的。示例性的，在芯片用于实现发光的情况下，驱动芯片即为点亮芯片。

在一个可选的实施例中，对驱动背板进行降温处理，以使驱动背板的温度小于或等于第一熔点，可以包括：提供冷却装置，将该冷却装置的第一面与驱动背板的第一侧贴合并使冷却装置的第一面的温度小于或等于第一熔点，以使驱动背板的温度小于或等于第一熔点。

由前述可知，固定层的熔点可以为35℃至85℃，因此，降温处理后的驱动背板的温度可以为-20℃至35℃，示例性的可为-20℃、0℃、20℃或35℃，只要降温处理后的驱动背板的温度低于固定层的第一熔点即可，本实施例对此不作具体限定。

S208，将驱动背板对准基板。

应说明的，将驱动背板对准基板是为了使芯片能够自基板脱落到大致对应于驱动背板的电极的位置。

S210，将芯片与基板分离以及使芯片上的固定层熔融，芯片通过固定层与驱动背板接触发生凝固以固定于驱动背板上。

应说明的，若基板上设有x个芯片，将芯片与基板分离可以为将设于基板上的y个芯片与基板分离，其中，x≥y≥1，也即可以根据实际情况，选择将基板上的全部芯片都与基板分离，或者是，选择将基板上的部分芯片与基板分离。

由于芯片转移至驱动背板上时，可能出现芯片相对驱动背板的位置发生偏转情况，而此时若固定层未熔融，则由于固态状态下的固定层的杨氏模量相对于熔融的固定层的杨氏模量较大，在覆有固定层的芯片与驱动背板接触时，仍会出现翻转或位置偏移等情况。因此，本申请采用在将芯片与基板分离时，还同步使得芯片上的固定层处于熔融态，能够便于芯片转移至驱动背板上时，熔融态的固定层能够先接触驱动背板，进而因接触降温的驱动背板冷凝而凝固在驱动背板上，由此实现将芯片固定在驱动背板上，避免芯片相对驱动背板的位置发生偏转。

在一个可选的实施例中，将芯片与基板分离以及使芯片上的固定层熔融可以包括：将激光作用于基板上，以使芯片与基板分离，同时固定层受热熔融。本实施例在通过激光转移技术实现芯片与基板分离的过程中，激光产生的热量，使固定层受热熔融，在实现芯片与基板分离的同时使固定层熔融，可以简化芯片转移流程。

在另一个可选的实施例中，将芯片与基板分离以及使芯片上的固定层熔融，可以包括：将激光作用于基板上以使芯片与基板分离，对基板进行加热以使芯片上的固定层熔融。即，芯片与基板分离是通过激光作用，固定层熔融是通过对基板进行加热处理实现的，采用不同的手段实现芯片与基板分离，以及固定层熔融，可以有效保证在固定层呈现熔融态的情况下，芯片才与基板分离，避免固定层还未熔融时芯片就与基板分离导致转移良率较差的情况。

可选的，对基板进行加热以使芯片上的固定层熔融，可以包括：提供加热装置，将加热装置贴合于基板背离芯片的一侧并对基板进行加热，以使固定层熔融。示例性的，加热装置可以包括发热丝，该发热丝在通电的情况下会发热，释放出热量。

请参考图5，其示出了本申请实施例提供的一种使芯片脱落及使固定层熔融的方法，如图5所示，将芯片与基板分离以及使芯片上的固定层熔融的细化步骤可以包括：

S502，提供加热装置以及激光器，该加热装置设有贯通的开口，开口与芯片对应设置。

可以理解的是，设于加热装置的开口贯穿加热装置相对的表面，该开口的数量可与需转移的芯片的数量一致，从而可使得各个开口可分别对应各个芯片，进而便于激光可以通过开口作用到芯片上。

S504，将加热装置贴合于基板背离芯片的一侧对基板进行加热，以使固定层熔融。

S506，将激光器对准开口并释放激光，以使芯片与基板分离。

本实施例通过在加热装置上开设与芯片对应的开口，可以实现在加热使固定层熔融的同时，还能够使激光作用在基板与芯片对应的位置，也即无需将加热装置移走后才能使激光作用到基板上，也可以在加热的过程中同时进行激光转移，提高了芯片转移的效率。

应说明的，上述的步骤S202至步骤S210没有必然的顺序，只要在芯片与驱动背板接触前，形成在芯片背离基板的一侧上的固定层熔融且驱动背板的温度小于第一熔点即可，步骤的顺序可以根据需要进行选择。

本申请实施例提供的芯片转移方法，通过在芯片背离基板的一侧形成固定层，并使固定层熔融，以使芯片脱离基板并与温度小于固定层的熔点的驱动背板接触时，固定层能够发生凝固，从而实现将芯片固定在驱动背板上，避免在转移时芯片发生翻转或位置偏移的现象，提高转移的良率。

请参考图6，其示出了本申请实施例提供的芯片转移方法，图5所示的芯片转移方法除了可以包括如图2所示的步骤S202至步骤S210之外还可以包括步骤S212，具体的，步骤S212可以包括：

S212，加热驱动背板和/或驱动背板上的芯片，以使芯片焊接于驱动背板，以及使固定层受热汽化挥发。

应说明的，可以加热驱动背板、加热芯片或加热驱动背板和芯片实现芯片与驱动背板金属键合，完成电气连接，进而实现驱动控制。应说明的，在芯片与驱动背板焊接过程中产生的热量大于固定层的沸点，也即在芯片焊接于驱动背板的过程中，固定层会受热汽化挥发。

在一个可选的实施例中，固定层的沸点为b，加热驱动背板和/或驱动背板上的芯片中，加热温度为a，其中，150℃≤b＜a≤300℃。可选的，在驱动背板和/或驱动背板上的芯片的过程中，固定层相对金属是惰性的，也即固定层不会与金属反应，固定层不会影响驱动背板的驱动功能。可选的，固定层在加热焊接过程中会彻底汽化挥发，可以避免存在残留物或者腐蚀现象，也即固定层不会影响焊接效果。

在一个可选的实施例中，加热驱动背板上的芯片，以使芯片焊接于驱动背板，包括：提供激光器，将激光器对准芯片背离驱动背板的一侧并释放激光，以加热驱动背板上的芯片。可选的，释放的激光的波长为980nm。

应说明的，将芯片转移到驱动背板后，需要将驱动背板从转移机台移动至焊接机台以完成芯片与驱动背板的焊接，本申请实施例通过固定层凝固使芯片与驱动背板固定连接，只要保持固定层的温度小于其熔点，在将驱动背板从转移机台移动到焊接机台的过程中芯片不会移动或掉落，提高了焊接的良率。示例性的，固定层的熔点大于环境温度。因此在芯片转移到驱动背板上，再将驱动背板转移到焊接背板的过程中，芯片均不会发生翻转、位置偏移等问题。

下述实施例将以固定层的材料为二苯基乙烷为例，对芯片转移方法进行简要说明。

请参考图7，其示出了本申请实施例提供的一种芯片转移方法，该芯片转移方法可以包括步骤S702至步骤S712。

S702，提供设有多个芯片的生长衬底。

S704，将液态的二苯基乙烷喷涂或旋涂于多个芯片背离生长衬底的一侧上形成二苯基乙烷层。

S706，提供驱动背板，将驱动背板对准生长衬底。

S708，加热生长衬底，使生长衬底的温度大于55℃。

可选的，加热生长衬底，使生长衬底的温度为70℃。

S710，对驱动背板进行降温，使驱动背板的温度小于55℃。

可选的，对驱动背板进行降温，使驱动背板的温度为0℃。

S712，将激光作用在生长衬底上，以使芯片与生长衬底分离并掉落到驱动背板上，覆盖在芯片上的固定层与驱动背板接触发生凝固以将芯片固定于驱动背板上。

相关技术中，为了避免设于生长衬底上的芯片压坏驱动背板的驱动线路，一般会使设于生长衬底上的芯片与驱动背板具有一定间隙，但是这样会导致芯片与生长衬底分离后，与驱动背板发生碰撞导致芯片翻转或位置偏移。本实施例提供的芯片转移方法可以实现在不压坏驱动背板上的驱动线路的同时，保证了芯片转移的良率，同时将生长衬底上的芯片直接转移到驱动背板上，无需经过临时载板，简化了芯片转移的步骤，也无需制备包含粘贴层的临时载板，大大降低了开发难度。

应理解，说明书通篇中提到的“一个实施例”或“一实施例”意味着与实施例有关的特定特征、结构或特性包括在本申请的至少一个实施例中。因此，在整个说明书各处出现的“在一个实施例中”或“在一实施例中”未必一定指相同的实施例。此外，这些特定特征、结构或特性可以以任意适合的方式结合在一个或多个实施例中。本领域技术人员也应该知悉，说明书中所描述的实施例均属于可选实施例，所涉及的动作和模块并不一定是本申请所必须的。

在本申请的各种实施例中，应理解，上述各过程的序号的大小并不意味着执行顺序的必然先后，各过程的执行顺序应以其功能和内在逻辑确定，而不应对本申请实施例的实施过程构成任何限定。

以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种芯片转移方法，其特征在于，所述方法包括：

提供设有多个芯片的基板；

在所述多个芯片背离所述基板的一侧上形成具有第一熔点的固定层；

提供驱动背板，并对所述驱动背板进行降温处理，以使所述驱动背板的温度小于或等于所述第一熔点；

将所述驱动背板对准所述基板；

将所述芯片与所述基板分离以及使所述芯片上的固定层熔融，所述芯片通过所述固定层与所述驱动背板接触发生凝固以固定于所述驱动背板上。

2.根据权利要求1所述的芯片转移方法，其特征在于，所述固定层的熔点为35℃至85℃，降温处理后的驱动背板的温度为-20℃至35℃。

3.根据权利要求1或2所述的芯片转移方法，其特征在于，所述将所述芯片与所述基板分离以及使所述芯片上的固定层熔融，所述芯片通过所述固定层与所述驱动背板接触发生凝固以固定于所述驱动背板上之后，所述方法还包括：

加热所述驱动背板和/或所述驱动背板上的所述芯片，以使所述芯片焊接于所述驱动背板，以及使所述固定层受热汽化挥发。

4.根据权利要求3所述的芯片转移方法，其特征在于，所述固定层的沸点为b，所述加热所述驱动背板和/或所述驱动背板上的所述芯片中，加热温度为a，其中，150℃≤b＜a≤300℃。

5.根据权利要求1所述的芯片转移方法，其特征在于，所述将所述芯片与所述基板分离以及使所述芯片上的固定层熔融，包括：

将激光作用于所述基板上以使所述芯片与所述基板分离；

对所述基板进行加热以使所述芯片上的固定层熔融。

6.根据权利要求5所述的芯片转移方法，其特征在于，所述对所述基板进行加热以使所述芯片上的固定层熔融，包括：

提供加热装置；

将所述加热装置贴合于所述基板背离所述芯片的一侧对所述基板进行加热，以使所述固定层熔融。

7.根据权利要求6所述的芯片转移方法，其特征在于，所述加热装置设有贯通的开口，所述开口与所述芯片对应设置；

所述将激光作用于所述基板上以使所述芯片与所述基板分离，包括：

提供激光器；

将所述激光器对准所述开口并释放激光，以使所述芯片与所述基板分离。

8.根据权利要求1所述的芯片转移方法，其特征在于，所述在所述多个芯片背离所述基板的一侧上形成具有第一熔点的固定层，包括：

提供熔融的固定材料，所述固定材料的熔点为所述第一熔点；

将所述熔融的固定材料喷涂或旋涂于所述多个芯片背离所述基板的一侧上，以形成所述固定层。

9.根据权利要求8所述的芯片转移方法，其特征在于，所述将所述熔融的固定材料喷涂或旋涂于所述多个芯片背离所述基板的一侧上，以形成所述固定层，包括：

对所述基板进行加热处理，以使所述基板以及所述基板上的所述多个芯片的温度大于或等于第一熔点；

将所述熔融的固定材料喷涂或旋涂于所述多个芯片背离所述基板的一侧上；

对所述基板降温，以使所述固定材料凝固以在所述多个芯片上形成所述固定层。

10.根据权利要求1所述的芯片转移方法，其特征在于，所述基板为生长衬底，或者，所述基板为临时载板。

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