CN115763295A - 基板成膜装置和基板处理装置 - Google Patents

Abstract

本申请实施例公开了一种基板成膜装置和基板处理装置，包括容器、开闭阀、基座、内轴、外轴和第一吹扫机构；容器开设有排气孔，容器布置有反应室和加热室；基座转动布置在反应室，基座开设有贯穿的配接孔，基座上设有载盘；内轴沿竖直轴线穿过容器的底壁并插入配接孔，载盘在圆周方向上与内轴传动连接；内轴以基座为界被分成第一插入段及第一露出段；外轴沿竖直轴线穿过容器的底壁并环绕第一露出段布置并传动连接基座；第一吹扫机构包括第一管路；载盘与基座存在载盘间隙，内轴与配接孔存在配接间隙，内轴与外轴存在外轴间隙；载盘间隙、配接间隙及外轴间隙依次连通形成第一吹气通路；第一管路连通至第一吹气通路；以降低成膜工艺的杂质比例。

Description

基板成膜装置和基板处理装置

技术领域

本申请涉及晶圆制程设备领域，具体涉及一种基板成膜装置和基板处理装置。

背景技术

晶圆的表面处理工艺是通过化学气相沉积技术，将含有薄膜元素的一种或几种气相化合物或单质，在衬底表面上进行化学反应生成薄膜。在对现有技术的研究和实践过程中，本申请的发明人发现，现有技术中成膜装置多通过向旋转轴的下方通入惰性气体，使得基座和夹具之间形成惰性气体气幕，即成为静压区。当晶圆成膜装置的喷嘴供给反应气体时，利用上述静压区仅能阻挡部分反应气体颗粒沉降到非工作区域，部分反应气体可以易隐藏在轴隙等非工作区域，使得反应腔内部的轴隙等非工作区域内反应气体颗粒的浓度不满足实际工艺的杂质要求。

发明内容

本申请实施例提供一种基板成膜装置和基板处理装置，其能够对轴隙等非工作区域进行吹扫，降低成膜工艺的杂质比例，改善成膜效果。

为了解决上述技术问题，本申请的实施例公开了如下技术方案：

一方面，提供了一种基板成膜装置，包括容器、开闭阀、基座、内轴、外轴和第一吹扫机构；

容器，其开设有用于排出反应气体和吹扫气体的排气孔，所述容器在竖直方向上依次布置有彼此连通的反应室和加热室；

开闭阀，其连接至所述容器以打开和关闭所述排气孔；

基座，其绕竖直轴线转动自由地布置在所述反应室中，所述基座的中心处开设有贯穿其上下表面的配接孔，所述基座的上表面沿着周向设有至少两个围绕所述竖直轴线Z布置的载盘；

内轴，其沿所述竖直轴线穿过所述容器的底壁并插接入所述基座中，每个所述载盘在圆周方向上与所述内轴保持传动连接；

管状的外轴，其沿所述竖直轴线穿过所述容器的底壁并环绕所述内轴的至少一部分布置并传动连接所述基座；

第一吹扫机构，其包括输送所述吹扫气体的第一管路；

其中，所述载盘与所述基座之间存在载盘间隙，所述内轴与所述基座之间存在配接间隙，所述内轴与所述外轴的侧壁间存在外轴间隙；所述载盘间隙、所述配接间隙及所述外轴间隙依次连通形成第一吹气通路；所述第一管路连通至所述第一吹气通路。

可选的，所述基板成膜装置还包括：

加热体，其布置于所述加热室中；

第二吹扫机构，其包括输送所述吹扫气体的第二管路；

其中，所述基座与所述容器的内侧壁之间存在容器间隙，所述基座的底部与所述加热件之间存在底部间隙，所述容器间隙、所述底部间隙和所述加热室依次连通形成第二吹气通路；所述第二管路连通至所述第二吹气通路。

可选的，所述外轴以所述容器为界被分成插入所述容器中的第二插入段及露出所述容器的第二露出段，所述第二露出段的外周环绕地布置有连接所述容器的底部的弹性密封件。

可选的，所述弹性密封件与所述第二露出段间存在装配间隙，所述第二管路依次连通所述装配间隙及所述第二吹气通路。

可选的，所述基板成膜装置还包括抬升装置，所述抬升装置包括多个联动件和与所述联动件对应啮合的抬升臂，所述抬升臂的上端连接至所述容器；

所述弹性密封件能够沿所述竖直轴线形变，所述容器的内壁设置有位于所述基座下方的支臂；所述联动件和所述抬升臂啮合驱动所述容器沿竖直方向运动，以使所述支臂抵接并抬升所述基座。

可选的，多个所述抬升臂环绕所述竖直轴线均匀布置。

可选的，所述抬升装置还包括第一传动副，所述第一传动副和每一所述联动件保持传动连接，以驱动所述联动件同步运动。

可选的，所述容器沿与所述基座的上表面齐平处环绕开设所述排气孔。

可选的，所述基座的上表面内凹设置有容纳槽，所述载盘转动置于至所述容纳槽内；所述容纳槽内壁和所述载盘之间存在所述载盘间隙；所述载盘间隙包括位于所述容纳槽底壁与所述载盘之间的沟道及位于所述容纳槽远离所述基座的中心的侧壁与所述载盘之间的第一气道；

所述基座的上表面覆盖有掩板，所述基座和所述掩板之间设有第二气道；所述掩板在竖直方向上至少部分地遮盖所述第一气道，使得所述第一气道与所述第二气道连通。

可选的，所述基板成膜装置还包括反应气体供给组件，所述反应气体供给组件包括喷嘴，所述喷嘴沿所述基座的径向将所述反应气体喷覆至所述载盘上表面的基板上；

所述外轴的中心轴和所述内轴的中心轴均与所述竖直轴线(Z)共线设置，且所述载盘环绕所述喷嘴均匀布置。

可选的，所述外轴通过第一旋转密封件与所述容器转动连接；所述内轴通过第二旋转密封件与所述外轴转动连接。

相应的，本申请实施例还提供一种基板处理装置，包括内部配置有基板输送部件的真空输送室以及如上述任一项所述的基板成膜装置，所述基板成膜装置气密地连接于所述真空输送室。

上述技术方案中的一个技术方案具有如下优点或有益效果：

利用第一管路中的吹扫气体吹扫载盘间隙、配接间隙及外轴间隙，可以避免反应气体颗粒沉降到外轴和内轴之间的外轴轴隙、内轴和配接孔之间的配接间隙以及载盘与基座之间的载盘间隙；从而避免反应气体颗粒沉降至外轴和内轴之间的轴隙等其他非工作区域，从而进一步降低成膜工序的杂质比例，改善基板处理工艺的效果。

上述技术方案中的另一个技术方案具有如下优点或有益效果，利用外轴带动基座做旋转运动，同时内轴带动载盘做旋转运动，因而在基板成膜的工序中，利用同时旋转的基座和载盘的相互配合，可以使得反应气体颗粒在基板上沉积地更加均匀，从而提高基板成膜效果。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是基板成膜装置的结构示意图。

附图标记说明：

100、容器；110、反应室；120、加热室；121、加热体；130、支臂；140、弹性密封件；150、排气孔；160、开闭阀；170、机架；200、基座；210、容纳槽；220、配接孔；230、掩板；231、第二气道；300、载盘；400、外轴；410、第二插入段；420、第二露出段；430、第一旋转密封装置；500、内轴；510、第一插入段；520、第一露出段；530、第二旋转密封装置；610、第一气源；620、第一管路；630、外轴间隙；640、配接间隙；650、载盘间隙；710、第二气源；720、第二管路；730、装配间隙；740、底部间隙；750、容器间隙；810、联动件；820、抬升臂；830、第一传动副；900、喷嘴。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请，并不用于限制本申请。在本申请中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。

本申请实施例提供一种基板成膜装置和基板处理装置。以下分别进行详细说明。需说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。

实施例一

本申请的第一实施例提供了一种基板成膜装置，用于半导体晶圆成膜，其通过在真空环境中在作为基板的半导体晶圆的表面上吸附反应气体从而成膜。如图1所示，上述基板成膜装置包括容器100，容器100在竖直方向上依次布置有彼此连通的反应室110和加热室120，同时容器100上开设有用于排出反应气体和吹扫气体的排气孔150，上述排气孔150可以开设在反应室110的侧壁上，也可以开设在加热室120的侧壁上。

容器100位于上述排气孔150处连接有开闭阀160，利用开闭阀160可以打开和关闭排气孔150，从而控制反应气体和吹扫气体排出容器100外部。本实施例中容器100环绕开设有多个排气孔150，可以利用单独的开闭阀160对排气孔150进行控制，也可以利用一个开闭阀160同时控制多个排气孔150，从而可以根据需要控制不同位置处的排气孔150打开和关闭。其中，排气孔150的具体位置不做限定，本实施例中排气孔150的开设位置与设置在容器100内部的基座200的上表面的位置大致齐平，从而更易于抑制反应气体颗粒卷起。

反应室110内部布置有基座200和多个载盘300，基座200围绕竖直轴线Z转动设置。同时基座200位于其中心处的下表面内凹形成有配接孔220，上述载盘300围绕竖直轴线Z沿周向分布在基座200的上表面，以利用上述载盘300承载作为基板的半导体晶圆。

上述基板成膜装置还包括外轴400、内轴500和第一吹扫机构，其中内轴500沿竖直轴线Z穿过容器100的底壁并插接入配接孔220中，同时每个载盘300在圆周方向上与内轴500保持传动连接。内轴500以基座200为界被分成插入配接孔220中的第一插入段510及露出于基座200的第一露出段520，即每个载盘300与上述第一插入段510的上端保持传动连接。其中载盘300和第一插入段510的传动关系可以为交错轴斜齿轮传动、蜗轮蜗杆传动或准双曲面齿轮传动中一种，本实施例中载盘300和第一插入段510的传动连接为交错轴斜齿轮传动。利用载盘300和第一插入段510的传动连接关系，可以实现内轴500和载盘300空间位置的传动。内轴500的第一插入段510传动连接至载盘300上，第一露出段520连接有驱动电机，从而能够利用内轴500驱动全部的载盘300，以载盘300和基座200的连接处的中心轴为中心同步旋转。

外轴400呈管状设置，外轴400沿竖直轴线Z穿过容器100的底壁，并环绕第一露出段520的至少一部分布置并传动连接基座200。本实施例中外轴400的上端传动连接至基座200的下表面，其另一端连接有驱动电机，从而能够利用外轴400带动基座200以竖直轴线Z为中心做旋转运动。

此外，管状的外轴400环绕第一露出段520的至少一部分布置时，由于内轴500和外轴400均通过驱动电机带动旋转，因而外轴400和内轴500的第一露出段520之间通过旋转密封装置连接，以实现外轴400和内轴500之间的相对运动；同时由于要控制吹扫气体在外轴400和内轴500之间的轴隙中的流动方向，需要限制上述旋转密封装置具有较好密封效果。本实施例中内轴500通过第二旋转密封装置530与外轴400转动连接，其中第二旋转密封装置530优选磁流体密封装置。

在进一步改进的方案中，外轴400通过第一旋转密封装置430与容器100转动连接，以保证加热室120内的加热效果，本实施例中第一旋转密封装置430优选磁流体密封装置。

当第一旋转密封装置430优选磁流体密封装置时，既能够保证外轴400与容器100底壁的转动效果，也能够实现对加热室120的密封，从而保证加热室120的加热效果；此外，利用磁流体密封装置能够有效减小其工作时因摩擦产生的颗粒，从而降低成膜工序的杂质比例。同理，当第二旋转密封装置530优选磁流体密封装置时，既能够控制内轴500与外轴400之间的相对转动，也能够控制内轴500与外轴400的外轴间隙630中吹扫气体的流动方向，避免吹扫气体中内轴500和外轴400的连接处扩散；此外，利用磁流体密封装置能够有效减小其工作时因摩擦产生的颗粒，从而避免外轴间隙630隐藏杂质。

第一吹扫机构包括用于存储吹扫气体的第一气源610，以及用于输送吹扫气体的第一管路620，第一管路620的一端连通至第一气源610。内轴500沿竖直轴线Z贯穿于外轴400内部，内轴500的第一插入段510穿设出外轴400并与载盘300配合，内轴500的第一露出段520穿出外轴400并传动连接至驱动电机。载盘300与基座200之间存在载盘间隙650，内轴500的外侧壁与配接孔220的内侧壁之间存在配接间隙640，内轴500的外侧壁与外轴400的内侧壁间存在外轴间隙630；因而载盘间隙650、配接间隙640及外轴间隙630依次连通形成第一吹气通路，同时第一管路620远离第一气源610的另一端连通至第一吹气通路。

第一气源610内的吹扫气体经第一管路620依次输送至外轴间隙630、配接间隙640以及载盘间隙650，实现吹扫气体在第一吹气通路上的流动，并流动至出气口处后排出至容器100外部。

利用第一管路620中的吹扫气体吹扫载盘间隙650、配接间隙640及外轴间隙630，可以避免反应气体颗粒沉降到外轴400和内轴500之间的外轴间隙630、内轴500和配接孔220之间的配接间隙640以及载盘300与基座200之间的载盘间隙650。由于实际生产中在容器100内需要进行多重不同的工艺操作，因而成膜时的反应气体颗粒在其他工序中就会成为杂质。若反应气体颗粒在成膜工序中隐藏在外轴400和内轴500之间，在高温的工作环境中，外轴400和内轴500之间的反应气体颗粒可能会扩散到工作区域并成为杂质，从而增加了后续工序的杂质比例。因而本实施例中利用流动的吹扫气体可以对外轴400和内轴500之间的外轴间隙630、内轴500和配接孔220之间的配接间隙640以及载盘300和基座200之间的载盘间隙650进行持续性的吹扫，从而避免反应气体颗粒沉降至外轴400和内轴500之间的轴隙等其他非工作区域，从而进一步降低成膜工序的杂质比例，改善基板处理工艺的效果。

此外，利用外轴400带动基座200做旋转运动，同时内轴500带动载盘300做旋转运动，因而在基板成膜的工序中，利用同时旋转的基座200和载盘300的相互配合，可以使得反应气体颗粒在基板上沉积地更加均匀，从而提高基板成膜效果。

在进一步改进的方案中，上述基板成膜装置包括加热体121以及第二吹扫机构，其中加热体121布置于加热室120中。第二吹扫机构包括用于存储吹扫气体的第二气源710，以及用于输送吹扫气体的第二管路720，第二管路720的一端连通至第二气源710；此外第一气源610和第二气源710可以独立设置，也可以合并设置。

基座200与容器100的内侧壁之间存在容器间隙750，基座200的底部与加热件121之间存在底部间隙740，容器间隙750、底部间隙740和加热室120依次连通形成第二吹气通路；同时第二管路720远离第二气源710的一端连通至第二吹气通路。

利用第二管路720中的吹扫气体吹扫第二吹气通路，可以避免反应气体颗粒沉降到外轴400与加热室120之间。利用第二管路720中的吹扫气体可以避免成膜工序中的反应气体颗粒沉积到加热室120内部，并在高温环境下扩散成为杂质，因而本实施例可以降低基板成膜工序的杂质比例，以改善整个基板处理工序的效果。

此外，第二管路720中的吹扫气体会扩散至加热室120内部，不仅能够利用上述吹扫气体避免反应气体沉降到加热室120内部，同时也能够利用吹扫气体均匀加热室120内部的温度。

本实施例中采用第一吹扫机构和第二吹扫机构配合使用，利用第一吹扫机构对第一吹气通路进行吹扫，从而避免反应气体颗粒沿基座200的上方扩散至载盘300下方，以及外轴400和内轴500的轴隙之间等其他非工作区域。利用第二吹扫机构对第二吹气通路进行吹扫，从而可以避免反应气体颗粒从基座200上方的工作区域沿基座200的外侧壁扩散至加热室120内部等其他非工作区域。因而第一吹扫机构和第二吹扫工序组合使用，可以实现对容器100内部整个的非工作区域进行吹扫，从而可以进一步的降低成膜工艺的杂质比例，提高基板成膜的效果。

在进一步改进的方案中，基座200的上表面内凹设置有容纳槽210，上述载盘300能够对应的设置在容纳槽210的内部，同时本实施例中载盘300的中心处与容纳槽210的中心位置通过转轴连接，利用容纳槽210可以限制位于其内部的载盘300的位置，保持载盘300上表面的平面度，使得反应气体颗粒均匀地沉积在基板上，以提高基板成膜的精度。

载盘300的下表面与容纳槽210的底壁之间存在沟道，以及载盘300的外侧壁与容纳槽210的远离基座200的中心的内侧壁之间存在第一气道，上述沟道和第一气道组合形成的空隙为载盘间隙650。反应气体颗粒对放置在载盘300上表面的基板进行成膜处理时，载盘间隙650内的吹扫气体能够对载盘300的下表面以及侧壁进行吹扫，从而避免反应气体颗粒扩散至载盘300和基座200之间，从而降低基板处理工艺中的杂质比例。

在进一步改进的方案中，基座200的上表面覆盖有掩板230，基座200和掩板230之间设有第二气道231；掩板230在竖直方向上至少部分地遮盖第一气道，使得第一气道与第二气道231连通。覆盖在基座200的掩板230与放置在载盘300上的基板的上表面基本平齐，从而避免在反应室110内形成扰流，以提高基板成膜的精度。利用掩板230覆盖基座200的上表面可以避免反应气体沉降到基座200上，以降低基板处理工艺中的杂质比例。利用设置在基座200和掩板230之间的第二气道231与上述第一气道连通，从而引导第一吹气通路中的吹扫气体经第二气道231流出排气孔外。

在进一步改进的方案中，载盘300环绕配接孔220均匀排布，且外轴400和内轴500的中心轴均与竖直轴线Z共线设置，载盘300环绕配接孔220均匀排布，同时外轴400的旋转中心和内轴500的旋转中心共线设置，可以使得基座200和载盘300转动的过程中除了扭矩外不产生其他的附加外力。同时利用共线旋转的内轴500和外轴400同步地驱动载盘300和基座200转动，可以使得反应气体颗粒可以更加均匀地沉积在基板上，从而提高成膜效果。

在进一步改进的方案中，基板成膜装置还包括反应气体供给组件，反应气体供给组件包括喷嘴900，喷嘴900沿基座200的径向将反应气体喷覆至载盘300上表面的基板上。其中喷嘴900可以设置在基座200的上表面，也可以设置在反应室110内壁上。同时喷嘴900的位置、种类和数量不做限制，可以根据工艺的类别、反应气体的类别以及供给反应气人的数量等因素综合确定，从而提高基板成膜装置应对工艺变更的适用性。

在进一步改进的方案中，载盘300环绕所述喷嘴900均匀布置，内轴500和外轴400分别驱动载盘300和基座200转动时，可以使得反应气体颗粒可以更加均匀地沉积在基板上，从而提高成膜效果。

在进一步改进的方案中，外轴400以容器100为界被分成插入容器100中的第二插入段410及露出容器100的第二露出段420，第二露出段420的外周环绕地布置有连接容器100的底部的弹性密封件140。本实施例中弹性密封件140的横截面积小于位于其上方的加热室120的横截面积，弹性密封件140的内侧壁和外轴400的外侧壁之间形成与第二吹气通路连通的装配间隙730，本实施例中第二管路720的端部和上述装配间隙730连通，以使第二管路720内的吹扫气体经装配间隙730流动至第二吹气通路。

在进一步改进的方案中，基板成膜装置还包括抬升装置，上述抬升装置包括多个联动件810和多个抬升臂820，其中联动件810和抬升臂820对应设置，并且联动件810和抬升臂820的下端部啮合，可以利用联动件810驱动抬升臂820沿竖直方向运动。抬升臂820的上端和容器100固定连接，本实施例中抬升臂820的下端和联动件810齿轮啮合，联动件810可以选用齿轮，抬升臂820的下端设置与其啮合的齿条。同时为了保持抬升臂820沿竖直方向运动时能够保持稳定，抬升臂820的中部通过直线轴承和机架170滑动连接。

此外，上述弹性密封件140能够沿竖直轴线Z发生一定量的形变，从而使得容器100和弹性密封件140的底壁之间的距离具有一定的调节范围，本实施例中弹性密封件140可以选用波纹管。

容器100的内壁沿垂直其侧壁的方向突出设置有支臂130，上述支臂130位于基座200的下方，并且本实施例中支臂130的上表面和基座200的下表面之间可以留有一定的距离。支臂130远离容器100的游离端位于基座200下表面所在平面内的正投影与基座200能够部分重合，因而当利用联动件810驱动抬升臂820沿竖直方向向上运动时，容器100能够带动支臂130同步运动，支臂130能够抵接基座200的下表面并在继续抵接基座200并施加给基座200推力，因而可以利用支臂130抬升上述基座200，以便于对基板成膜装置进行周期性的保养维护。同时，在抬升上述基座200的过程中，弹性密封件140沿竖直轴线Z发生形变辅助抬升基座200的过程中，可以保证弹性密封件140的两端分别固定容器100和外轴400的外侧壁，从而保证容器100整体的密封性能。

在进一步改进的方案中，抬升装置包括多个平行设置的抬升臂820，为了使得抬升装置施加在容器100上的推力分布地相对均衡，本实施例中多个抬升臂820环绕竖直轴线Z均匀布置。

在进一步改进的方案中，上述抬升装置还包括第一传动副830，驱动电机通过第一传动副830传动连接至每一联动件810，从而利用第一传动副830带动全部的联动件810同步运动，然后通过联动件810和抬升臂820的啮合驱动全部的抬升臂820同步运动，以使得容器100底部各部分的运动距离保持一致，从而提高抬升容器100和基座200过程中的稳定性。本实施例中第一传动副830可以是带传动副、链传动副或齿轮传动副中的任一种。

实施例二

一种基板处理装置，包括内部配置有基板输送部件的真空输送室以及前述述的基板成膜装置，基板成膜装置气密地连接于真空输送室。

本实施例提供的基板处理装置中的基板成膜装置的功能与实施例一中实现的功能相对应，所以关于本实施例的其他功能可参见实施例一中的内容，在此不再一一赘述。

以上对本申请实施例所提供的一种基板成膜装置和基板处理装置进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (12)

1.一种基板成膜装置，其特征在于，包括：

容器，其开设有用于排出反应气体和吹扫气体的排气孔，所述容器在竖直方向上依次布置有彼此连通的反应室和加热室；

开闭阀，其连接至所述容器以打开和关闭所述排气孔；

基座，其绕竖直轴线(Z)转动自由地布置在所述反应室中，所述基座的上表面沿着周向设有至少两个围绕所述竖直轴线(Z)布置的载盘；

内轴，其沿所述竖直轴线(Z)穿过所述容器的底壁并插接入所述基座中，每个所述载盘在圆周方向上与所述内轴保持传动连接；

管状的外轴，其沿所述竖直轴线(Z)穿过所述容器的底壁并环绕所述内轴的至少一部分布置并传动连接所述基座；

第一吹扫机构，其包括输送所述吹扫气体的第一管路；

其中，所述载盘与所述基座之间存在载盘间隙，所述内轴与所述基座之间存在配接间隙，所述内轴与所述外轴的侧壁间存在外轴间隙；所述载盘间隙、所述配接间隙及所述外轴间隙依次连通形成第一吹气通路；所述第一管路连通至所述第一吹气通路。

2.根据权利要求1所述的基板成膜装置，其特征在于，所述基板成膜装置还包括：

加热体，其布置于所述加热室中；

第二吹扫机构，其包括输送所述吹扫气体的第二管路；

其中，所述基座与所述容器的内侧壁之间存在容器间隙，所述基座的底部与所述加热件之间存在底部间隙，所述容器间隙、所述底部间隙和所述加热室依次连通形成第二吹气通路；所述第二管路连通至所述第二吹气通路。

3.根据权利要求1或2所述的基板成膜装置，其特征在于，所述外轴以所述容器为界被分成插入所述容器中的第二插入段及露出所述容器的第二露出段，所述第二露出段的外周环绕地布置有连接所述容器的底部的弹性密封件。

4.根据权利要求3所述的基板成膜装置，其特征在于，所述弹性密封件与所述第二露出段间存在装配间隙，所述第二管路依次连通所述装配间隙及所述第二吹气通路。

5.根据权利要求3所述的基板成膜装置，其特征在于，所述基板成膜装置还包括抬升装置，所述抬升装置包括多个联动件和与所述联动件对应啮合的抬升臂，所述抬升臂的上端连接至所述容器；

所述弹性密封件能够沿所述竖直轴线(Z)形变，所述容器的内壁设置有位于所述基座下方的支臂；所述联动件和所述抬升臂啮合驱动所述容器沿竖直方向运动，以使所述支臂抵接并抬升所述基座。

6.根据权利要求5所述的基板成膜装置，其特征在于，多个所述抬升臂环绕所述竖直轴线(Z)均匀布置。

7.根据权利要求5或6所述的基板成膜装置，其特征在于，所述抬升装置还包括第一传动副，所述第一传动副和每一所述联动件保持传动连接，以驱动所述联动件同步运动。

8.根据权利要求1或2所述的基板成膜装置，其特征在于，所述容器沿与所述基座的上表面齐平处环绕开设所述排气孔。

9.根据权利要求1或2所述的基板成膜装置，其特征在于，所述基座的上表面内凹设置有容纳槽，所述载盘转动置于至所述容纳槽内；所述容纳槽内壁和所述载盘之间存在所述载盘间隙；所述载盘间隙包括位于所述容纳槽底壁与所述载盘之间的沟道及位于所述容纳槽远离所述基座的中心的侧壁与所述载盘之间的第一气道；

所述基座的上表面覆盖有掩板，所述基座和所述掩板之间设有第二气道；所述掩板在竖直方向上至少部分地遮盖所述第一气道，使得所述第一气道与所述第二气道连通。

10.根据权利要求1或2所述的基板成膜装置，其特征在于，所述基板成膜装置还包括反应气体供给组件，所述反应气体供给组件包括喷嘴，所述喷嘴沿所述基座的径向将所述反应气体喷覆至所述载盘上表面的基板上；

所述外轴的中心轴和所述内轴的中心轴均与所述竖直轴线(Z)共线设置，且所述载盘环绕所述喷嘴均匀布置。

11.根据权利要求1或2所述的基板成膜装置，其特征在于，所述外轴通过第一旋转密封装置与所述容器转动连接；所述内轴通过第二旋转密封装置与所述外轴转动连接。

12.一种基板处理装置，其特征在于，包括内部配置有基板输送部件的真空输送室以及权利要求1-11任一所述的基板成膜装置，所述基板成膜装置气密地连接于所述真空输送室。

Images