CN115758948A - 一种CrSi电阻及其激光修调仿真方法 - Google Patents
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Abstract
一种CrSi电阻及其激光修调仿真方法，属于集成电路设计领域。CrSi电阻的形状由修调区和非修调区组成，非修调区贯通CrSi电阻的左端和右端，修调区位于非修调区的左端和右端之间，与非修调区一体化；仿真方法为：将CrSi电阻左端设为正极，右端设为负极，电流从电阻的左端流向右端；沿平行于电流方向，切除电阻修调区域的部分区域，进行激光修调；按照设定的步进间隔依次减少电阻修调区域垂直于电流方向的长度，每次步进均仿真出结果；遍历从初始值到目标值的多个阻值；对电阻按设定值进行精确修调。解决了集成电路中CrSi薄膜电阻的阻值精度难以控制，最终目标值难以确定的问题。本发明可广泛应用于需要精确控制电阻阻值的场合。
Description
技术领域
本发明属于集成电路设计领域，进一步来说涉及集成电路薄膜电阻领域，具体来说，涉及一种CrSi电阻及其激光修调仿真方法。
背景技术
CrSi电阻具有温度系数低,阻值一致性高,寄生电容小,漏电小等优点,成为组成高精度集成电路或模块电路精密电阻网络的基础。同时电阻的分压功能在模拟电路中应用广泛，一些电路对电压、电流的精度要求很高，但是CrSi电阻在实际集成电路制造过程中极易受到工艺参数的微小变化带来的影响，单纯利用流片工艺来实现阻值的精确控制难度较高，精度常常不能满足要求，使得电路性能不符合指标，这时就需要对CrSi电阻进行调阻。在现有调阻技术中，激光调阻技术是最优异的阻值调整方法，与其他调阻技术相比，激光调阻具有精度高、速度快和效率高等优点。如在高精度电压基准芯片中，在最坏情况SS工艺角下，输出电压温漂CTAT电压占比较大，需要对电阻进行激光修调，控制CrSi电阻的阻值准确落在某一个值上，同时由于存在其他电阻的影响，目标电阻的最终目标值不确定。
有鉴于此，特提出本发明。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是：解决集成电路中CrSi薄膜电阻的阻值精度难以控制，最终目标值难以确定的问题。
本发明的发明构思是：对CrSi电阻的精确调阻进行仿真，同时以一定间隔遍历修调过程中电阻从初始值到目标值的多个阻值，激光修调时操作人员可根据需求对仿真结果进行取值后精确修调。
为此，本发明提供一种CrSi电阻及其激光修调仿真方法，如图1所示。
1.将CrSi电阻的形状设计为修调区和非修调区。
2.将CrSi电阻左端设为正极，右端设为负极，电流从电阻的左端流向右端。
3.沿平行于电流方向，切除电阻修调区域的部分区域，进行激光修调。
4.按照设定的步进间隔依次减少电阻修调区域垂直于电流方向的长度，每次步进均仿真出结果。
5.根据每次步进激光修调的仿真结果，遍历从初始值到目标值的多个阻值。
6.根据遍历从初始值到目标值的多个阻值，对电阻按设定值进行精确修调。
技术效果：
1、此方法不会大幅度改变电阻的阻值，有利于阻值的细微调整，实现对电阻阻值的精确控制，可满足CrSi电阻在集成电路芯片中精确阻值的需求。
2、可遍历从初始值到目标值之间的多个阻值。
3、对产品进行实际激光修调时，可根据需求对仿真结果进行设定值的精确修调。
4、采用先仿真再修调，可降低流片成本。
本发明可广泛应用于需要精确控制电阻阻值的场合。
附图说明
图1为CrSi电阻形状、电流流向及修调方向示意图。
图中：1为非修调部分，2为修调部分，3为光斑直径。
具体实施方式
如图1所示，所述一种CrSi电阻及其激光修调仿真方法，以高精度电压基准芯片制造为例，具体实施方式如下：
1.所述CrSi电阻的形状为倒T型，水平方向的下部分为非修调区，垂直方向的上部分为修调区。
2.流过电阻的电流流向定义为从电阻的左端到右端。
3.将长方体修调区设置为被切除区域，使用激光在电阻的垂直部分进行水平修调。
4.按照设定步进间隔依次切除修调区区域，减少修调区垂直方向长度。
5.每次步进均仿真出结果，遍历从初始值到目标值的多个阻值。
6.根据遍历从初始值到目标值的多个阻值，对电阻按设定值进行精确修调。
CrSi电阻仅仅依靠流片工艺来控制阻值难度较高，同时一般的激光修调方法是对电阻进行垂直于电流方向的切割，此方法极易改变电阻阻值，属于粗调，不适合需要精确控制电阻阻值的场景。本发明的一种CrSi电阻将其形状设计成倒T型，将上下两部分分为修调区和非修调区，电极设置为非修调区的两侧。本发明激光修调采用了平行于电流方向的修调方法，将修调区上边缘的一块长方体设置为被切除区域，按照理论步进间隔依次减少长度，每次步进均仿真出结果。此方法不会大幅度改变电阻的阻值，有利于阻值的细微调整，实现对电阻阻值的精确控制，可满足CrSi电阻在某些电压基准芯片中精确阻值的需求，同时可遍历从初始值到目标值之间的多个阻值，对实物进行实际激光修调时可根据需求对仿真结果进行取某一值后精确修调，由此先仿真再实物修调可降低流片成本。
最后应说明的是：上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，本发明包括但不限于以上实施例，这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。凡符合本发明要求的实施方案均属于本发明的保护范围。
Claims (3)
1.一种CrSi电阻的激光修调仿真方法，其特征在于：所述CrSi电阻的形状由修调区和非修调区组成，非修调区贯通CrSi电阻的左端和右端，修调区位于非修调区的左端和右端之间，与非修调区一体化；
所述CrSi电阻的激光修调仿真方法为：
(1)将CrSi电阻左端设为正极，右端设为负极，电流从电阻的左端流向右端；
(2)沿平行于电流方向，切除电阻修调区域的部分区域，进行激光修调；
(3)按照设定的步进间隔依次减少电阻修调区域垂直于电流方向的长度，每次步进均仿真出结果；
(4)根据每次步进激光修调的仿真结果，遍历从初始值到目标值的多个阻值；
(5)根据遍历从初始值到目标值的多个阻值，对电阻按设定值进行精确修调。
2.如权利要求1所述的一种CrSi电阻的激光修调仿真方法，其特征在于：所述CrSi电阻的形状为倒T型。
3.如权利要求2所述的一种CrSi电阻的激光修调仿真方法，其特征在于：所述倒T型CrSi电阻的水平方向的下部分为非修调区，垂直方向的上部分为修调区。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN202211451224.5A CN115758948A (zh) | 2022-11-20 | 2022-11-20 | 一种CrSi电阻及其激光修调仿真方法 |
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Publications (1)
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Country Status (1)
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| CN (1) | CN115758948A (zh) |
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2022
- 2022-11-20 CN CN202211451224.5A patent/CN115758948A/zh active Pending
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