CN115724680A - 一种SiC纳米线涂层表面改性氧化铝基蜂窝陶瓷的低温原位制备方法及其制得的产品 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种SiC纳米线涂层表面改性氧化铝基蜂窝陶瓷的低温原位制备方法及其制得的产品，采用铝硅酸盐矿物‑铝质原料‑金属铝‑金属硅‑碳为原料体系，通过原位反应合成SiC纳米线、梯级造孔、反应基料辅助合成等工艺，以原位合成的方式和一步烧成获得α‑A1₂O₃蜂窝陶瓷基体及对其改性的SiC纳米线涂层，从而获得高性能、低成本的α‑A1₂O₃蜂窝陶瓷。本发明原料易得、工艺简单、烧成温度低、产品性能优异，对于提高α‑A1₂O₃陶瓷材料的品质、以及节约产品成本具有重要意义，因而具有广阔的市场前景，有利于推广应用和行业技术的进步与发展。

Description

一种SiC纳米线涂层表面改性氧化铝基蜂窝陶瓷的低温原位 制备方法及其制得的产品

技术领域

本发明涉及陶瓷材料技术领域，尤其涉及一种SiC纳米线涂层表面改性氧化铝基蜂窝陶瓷的低温原位制备方法及其制得的产品。

背景技术

蜂窝陶瓷是一种高比表面积功能性多孔材料，具有良好的物理化学稳定性、低密度、高渗透率、良好的能量吸收性能及耐高温、耐腐蚀、尺寸稳定性高、易于再生等诸多优点；对比传统陶瓷载体，多孔状蜂窝陶瓷载体具有压力小、几何表面大、扩展距离短、有利于反应物的进入和生成物的排除，并可缩小反应器的体积等优点。因此，蜂窝陶瓷特别适用于催化裂化汽油脱硫、汽车尾气的处理、烟道气的净化、高温催化燃烧以及其它化学工程反应器等。现有技术对蜂窝陶瓷的研究开发，主要集中在堇青石、莫来石蜂窝陶瓷的制备、性能和应用上，对Al₂O₃质蜂窝陶瓷的研究相对较少。

Al₂O₃的用途很广泛，可用于催化剂及其载体领域、冶炼金属铝、耐火材料、电子封装用衬底、结构材料、磨料等。其中，低温过渡态的γ-A1₂O₃具有很多优良特点，如多孔性、高分散度、高比表面积、良好的吸附性等，在石油、生物化工处理等工业中应用也越来越多。然而，如何提高γ-A1₂O₃蜂窝陶瓷的强度与稳定性是长期难以解决的问题，如在A1₂O₃质蜂窝陶瓷中，介稳态的γ-A1₂O₃在有水蒸汽或高温存在条件时极易发生相变，向大颗粒化晶化和α-A1₂O₃热力学上稳定发展，比表面积大幅度下降，而且γ-A1₂O₃的力学性能不如稳定性更优、结构更为致密的α-A1₂O₃。因此，从稳定性与力学性能来看，直接选择α-A1₂O₃作为蜂窝陶瓷的材质更具竞争力。但是α-A1₂O₃的气孔率、比表面积低于γ-A1₂O₃，而且α-A1₂O₃的热膨胀系数大、热导率低，如何提高α-A1₂O₃蜂窝陶瓷的比表面积、气孔率是一个亟待解决的关键问题。

SiC纳米线具有高比表面积、高热导率与低热膨胀系数，如果能在α-A1₂O₃蜂窝陶瓷的表面覆盖SiC纳米线涂层，或者将SiC纳米线加入α-A1₂O₃蜂窝陶瓷内部，可提高其比表面积、热导率与抗热震性。然而，SiC纳米线原料的成本较高，且作为原料加入坯料中不易混合均匀，而且挤出成型时对模具的损害较大。因此，需要提供一种成本更低、操作性更好的合成SiC纳米线及其涂层的方法，以获得性能优异的α-A1₂O₃蜂窝陶瓷材料。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术的不足，提供一种SiC纳米线涂层表面改性氧化铝基蜂窝陶瓷的低温原位制备方法，采用铝硅酸盐矿物-铝质原料-金属铝-金属硅-碳为原料体系，通过原位反应合成SiC纳米线、梯级造孔、反应基料辅助合成等工艺，以原位合成的方式和一步烧成获得α-A1₂O₃蜂窝陶瓷基体及对其改性的SiC纳米线涂层，从而获得高性能、低成本的α-A1₂O₃蜂窝陶瓷。本发明的另一目的在于利用上述SiC纳米线涂层表面改性氧化铝基蜂窝陶瓷的低温原位制备方法制得的产品。

本发明的目的通过以下技术方案予以实现：

本发明提供的一种SiC纳米线涂层表面改性氧化铝基蜂窝陶瓷的低温原位制备方法，以基料、结合剂、润滑剂、反应基料为原料；

所述基料的组成为铝硅酸盐矿物50～80wt％、铝质原料0～15wt％、预煅烧金属铝质原料5～20wt％、金属硅质原料5～10wt％、碳质原料5～15wt％、碳酸铝1～3wt％、晶种0.1～0.5wt％、催化剂0.1～0.5wt％；

所述结合剂的用量为基料的3～5wt％，润滑剂的用量为基料的3～5wt％；

所述反应基料的组成为硅质原料20～50wt％、碳质原料50～80wt％、预煅烧金属铝质原料0～10wt％、金属硅质原料0～10wt％；

其中，所述预煅烧金属铝质原料为金属铝质原料空气下经500～600℃煅烧2～4h得到；

制备方法为：将所述基料混合后，加入结合剂混合均匀，再加入润滑剂和相对于基料用量为15～16wt％的水进行拌料、练泥、挤出成型、微波干燥后得到水分含量为＜1％的生坯；然后将所述生坯置于管式炉中的反应基料上，生坯的通孔与管式炉的通气方向平行，进行通还原气氛烧结，升温时在150℃、500～700℃分别保温0.5～1h，烧结温度为1300～1400℃，烧成时间为1～3h，得到SiC纳米线涂层表面改性氧化铝基蜂窝陶瓷。

进一步地，本发明所述铝硅酸盐矿物为高岭土、球土、红柱石、硅线石、蓝晶石、铝矾土中的一种、二种、三种或四种组合；铝质原料为Al(OH)₃、γ-Al₂O₃、α-Al₂O₃的一种或二种组合；金属铝质原料为金属铝粉和/或铝屑；金属硅质原料为金属硅粉、多晶硅废料、单晶硅废料中的一种或其组合；碳质原料为石墨粉、炭粉、碳黑中的一种或其组合；晶种为纳米β-SiC粉；催化剂为过渡金属Fe、Co、Ni粉中的一种或其组合。

进一步地，本发明所述铝硅酸盐矿物的粒度为80～700目；铝质原料的粒度为80～325目；金属铝质原料的粒度为80～325目；金属硅质原料的粒度为80～700目；碳质原料的粒度为325～1000目；晶种的粒度为50～100纳米；催化剂的粒度为700～1000目。

上述方案中，本发明所述硅质原料为稻壳粉、石英粉、粘土尾矿中的一种或其组合，其粒度为180～700目。所述结合剂为羧甲基纤维素(CMC)和/或羟丙基甲基纤维素(HPMC)；润滑剂为食用油。所述还原气氛的组成为Ar、N₂、CO的一种或二种组合。

利用上述SiC纳米线涂层表面改性氧化铝基蜂窝陶瓷的低温原位制备方法制得的产品，其气孔率≥45％、比表面积≥40m²/g、抗折强度≥60MPa、室温～800℃热震循环30次不开裂。

本发明具有以下有益效果：

(1)本发明采用梯级分段造孔的方案，用于提高α-A1₂O₃蜂窝陶瓷的气孔率与比表面积，并以这些气孔为SiC纳米线生长创造空间。梯级分段造孔工艺如下：①室温下，练泥时利用碳酸铝与水反应，形成产物CO₂气体与Al(OH)₃，气体释放起到造孔的作用；②150℃左右利用Al(OH)₃的分解产生水汽进行造孔；③利用铝硅酸盐矿物在500～700℃释放结构水进行造孔；④利用预煅烧金属铝质原料生成的Al₂O₃膜以及在660℃以上Al熔融流走遗留下的Al₂O₃壳进行造孔；⑤利用烧成温度下含SiO₂的矿物与金属铝质、金属硅质和碳质原料的各类还原反应生成SiO与CO气体进行造孔。这样，利用上述不同温度梯度下的造孔工艺，可使大中小介四种气孔均匀地分布在蜂窝陶瓷中，有效地提高了气孔率与比表面积，为烧成温度下合成纳米线的气体逸出至表面创造了通道，也为纳米线在陶瓷内部的生长创造了空间，提高了纳米线的数量。

(2)本发明为降低SiC纳米线涂层的合成温度，采用了晶种+催化剂的组合，其中，纳米β-SiC粉体作为晶种，有助于SiO、CO的沉积，促进SiC纳米线生长；Fe、Co、Ni过渡金属粉烧成温度下熔融成液相，可作为催化剂促进β-SiC晶种、SiO、Si、C的溶解与析出。晶种+催化剂的组合一方面降低了SiC纳米线的起始合成温度(现有技术为1400℃以上)至1300℃，另一方面通过促进各类还原反应，进一步提高了纳米线的数量(β-SiC含量＞22wt％)。

(3)本发明采用反应基料辅助合成SiC纳米线的方式，使能合成SiC纳米线的气体(SiO、CO)经流过蜂窝陶瓷的通孔中，补充了蜂窝陶瓷可能由于高气孔率导致的气体逸出流失部分，也提高了蜂窝陶瓷表面SiC纳米线涂层的数量及其比表面积。

(4)本发明在蜂窝陶瓷的内部与表面协同生长SiC纳米线及其涂层，其中，内部的SiC纳米线有助于提高材料的力学强度、传热性与抗热震性，表面生长的SiC纳米线涂层则有助于提高材料的比表面积，由蜂窝陶瓷内部气孔生长至其表面的SiC纳米线在气孔内部进行交织，从而与陶瓷基体的结合性优良。

(5)本发明采用低温原位合成的方式生长SiC纳米线及其涂层，即在原位合成α-A1₂O₃的同时原位生长出SiC纳米线涂层，一次烧制即可获得蜂窝陶瓷基体+涂层，避免了传统的涂覆方法需要的第二步热处理，减少了燃耗。

(6)本发明原料易得、工艺简单、烧成温度低、产品性能优异，对于提高α-A1₂O₃陶瓷材料的品质、以及节约产品成本具有重要意义，因而具有广阔的市场前景，有利于推广应用和行业技术的进步与发展。

附图说明

下面将结合实施例和附图对本发明作进一步的详细描述：

图1是本发明制得的SiC纳米线涂层表面改性氧化铝基蜂窝陶瓷的X射线衍射图谱；

图2是本发明实施例制得的SiC纳米线涂层表面改性氧化铝基蜂窝陶瓷的扫描电镜照片；

图3是本发明实施例中反应基料辅助合成SiC纳米线的示意图；

图4是本发明实施例中预煅烧金属铝质原料生成的Al₂O₃壳。

具体实施方式

实施例一：

本实施例一种SiC纳米线涂层表面改性氧化铝基蜂窝陶瓷的低温原位制备方法，以基料、结合剂、润滑剂、反应基料为原料；

基料的组成为高岭土(80目)20wt％、球土(325目)15wt％、红柱石(700目)20wt％、γ-Al₂O₃(180目)5wt％、Al(OH)₃(80目)5wt％、预煅烧金属铝粉(180目)11wt％、预煅烧铝屑(180目)4wt％、金属硅粉(700目)10wt％、石墨粉(325目)8wt％、碳酸铝1wt％、纳米β-SiC粉(50纳米)0.5wt％、Fe粉(700目)0.5wt％；

结合剂为CMC，其用量为基料的5wt％，润滑剂为食用油，其用量为基料的3wt％；

反应基料的组成为稻壳粉(325目)20wt％、粘土尾矿(325目)10wt％、石墨粉(325目)50wt％、预煅烧铝屑(180目)10wt％、多晶硅废料(180目)10wt％；

其中，上述预煅烧金属铝粉和预煅烧铝屑，为金属铝粉和铝屑空气下经500℃煅烧4h得到；

制备方法为：将上述基料混合后，加入结合剂混合均匀，再加入润滑剂和相对于基料用量为15wt％的水进行拌料、练泥、挤出成型、微波干燥后得到水分含量为＜1％的生坯；然后将生坯置于管式炉中的反应基料上，生坯的通孔与管式炉的通气方向平行，通Ar+CO混合气氛烧结，升温时在150℃、650℃分别保温0.5h，烧结温度为1300℃，烧成时间为3h，得到SiC纳米线涂层表面改性氧化铝基蜂窝陶瓷。

实施例二：

本实施例一种SiC纳米线涂层表面改性氧化铝基蜂窝陶瓷的低温原位制备方法，以基料、结合剂、润滑剂、反应基料为原料；

基料的组成为高岭土(80目)20wt％、铝矾土(325目)10wt％、硅线石(325目)20wt％、球土(700目)20wt％、Al(OH)₃(325目)10wt％、预煅烧金属铝粉(325目)5wt％、多晶硅废料(180目)5wt％、石墨粉(500目)3wt％、碳黑(1000目)3wt％、碳酸铝3wt％、纳米β-SiC粉(100纳米)0.5wt％、Fe粉(700目)0.25wt％、Co粉(1000目)0.25wt％；

结合剂为HPMC，其用量为基料的3wt％，润滑剂为食用油，其用量为基料的5wt％；

反应基料的组成为石英粉(325目)50wt％、石墨粉(325目)20wt％、碳黑(1000目)30wt％；

其中，上述预煅烧金属铝粉为金属铝粉空气下经600℃煅烧2h得到；

制备方法为：将上述基料混合后，加入结合剂混合均匀，再加入润滑剂和相对于基料用量为16wt％的水进行拌料、练泥、挤出成型、微波干燥后得到水分含量为＜1％的生坯；然后将生坯置于管式炉中的反应基料上，生坯的通孔与管式炉的通气方向平行，通Ar+CO混合气氛烧结，升温时在150℃、700℃分别保温1h，烧结温度为1350℃，烧成时间为2h，得到SiC纳米线涂层表面改性氧化铝基蜂窝陶瓷。

实施例三：

本实施例一种SiC纳米线涂层表面改性氧化铝基蜂窝陶瓷的低温原位制备方法，以基料、结合剂、润滑剂、反应基料为原料；

基料的组成为高岭土(500目)30wt％、蓝晶石(700目)50wt％、预煅烧金属铝粉(150目)8.8wt％、金属硅粉(325目)5wt％、碳酸铝1wt％、石墨粉(400目)5wt％、纳米β-SiC粉(50纳米)0.1wt％、Ni粉(900目)0.1wt％；

结合剂为HPMC，其用量为基料的3wt％，润滑剂为食用油，其用量为基料的5wt％；

反应基料的组成为石英粉(325目)20wt％、石墨粉(500目)80wt％；

其中，上述预煅烧金属铝粉为金属铝粉空气下经550℃煅烧3h得到；

制备方法为：将上述基料混合后，加入结合剂混合均匀，再加入润滑剂和相对于基料用量为16wt％的水进行拌料、练泥、挤出成型、微波干燥后得到水分含量为＜1％的生坯；然后将生坯置于管式炉中的反应基料上，生坯的通孔与管式炉的通气方向平行，通CO气氛烧结，升温时在150℃、500℃分别保温1h，烧结温度为1400℃，烧成时间为1h，得到SiC纳米线涂层表面改性氧化铝基蜂窝陶瓷。

实施例四：

本实施例一种SiC纳米线涂层表面改性氧化铝基蜂窝陶瓷的低温原位制备方法，以基料、结合剂、润滑剂、反应基料为原料；

基料的组成为球土(700目)50wt％、α-A1₂O₃粉(180目)10wt％、Al(OH)₃(325目)5wt％、预煅烧金属铝粉(80目)20wt％、多晶硅废料(80目)2.5wt％、单晶硅废料(325目)2.5wt％、炭粉(325目)7wt％、碳酸铝2wt％、纳米β-SiC粉(50纳米)0.5wt％、Co粉(1000目)0.5wt％；

结合剂为CMC和HPMC，用量分别为基料的2wt％、3wt％，润滑剂为食用油，其用量为基料的4wt％；

反应基料的组成为稻壳粉(325目)10wt％、石英粉(700目)10wt％、粘土尾矿(180目)10wt％、石墨粉(325目)20wt％、炭粉(500目)20wt％、碳黑(1000目)10wt％、预煅烧金属铝粉(325目)5wt％、预煅烧铝屑(80目)5wt％、多晶硅废料(325目)4wt％、单晶硅废料(80目)3wt％、金属硅粉(700目)3wt％；

其中，上述预煅烧金属铝粉和预煅烧铝屑，为金属铝粉和铝屑空气下经550℃煅烧3h得到；

制备方法为：将上述基料混合后，加入结合剂混合均匀，再加入润滑剂和相对于基料用量为16wt％的水进行拌料、练泥、挤出成型、微波干燥后得到水分含量为＜1％的生坯；然后将生坯置于管式炉中的反应基料上，生坯的通孔与管式炉的通气方向平行，通N₂+CO混合气氛烧结，升温时在150℃、600℃分别保温0.5h，烧结温度为1360℃，烧成时间为2h，得到SiC纳米线涂层表面改性氧化铝基蜂窝陶瓷。

实施例五：

本实施例一种SiC纳米线涂层表面改性氧化铝基蜂窝陶瓷的低温原位制备方法，以基料、结合剂、润滑剂、反应基料为原料；

基料的组成为高岭土(325目)30wt％、球土(700目)27wt％、Al(OH)₃(150目)5wt％、预煅烧金属铝粉(180目)10wt％、多晶硅废料(240目)2wt％、单晶硅废料(325目)3wt％、金属硅粉(700目)5wt％、石墨粉(325目)5wt％、炭粉(325目)5wt％、碳黑(1000目)5wt％、碳酸铝2wt％、纳米β-SiC粉(50纳米)0.5wt％、Co粉(700目)0.2wt％、Fe粉(900目)0.2wt％、Ni粉(1000目)0.1wt％；

结合剂为CMC和HPMC，用量分别为基料的3wt％、2wt％，润滑剂为食用油，其用量为基料的5wt％；

反应基料的组成为稻壳粉(325目)20wt％、石英粉(700目)20wt％、石墨粉(325目)20wt％、炭粉(700目)30wt％、预煅烧金属铝粉(180目)2wt％、预煅烧铝屑(180目)3wt％、多晶硅废料(325目)2wt％、单晶硅废料(500目)3wt％；

其中，上述预煅烧金属铝粉和预煅烧铝屑，为金属铝粉和铝屑空气下经600℃煅烧2h得到；

制备方法为：将上述基料混合后，加入结合剂混合均匀，再加入润滑剂和相对于基料用量为16wt％的水进行拌料、练泥、挤出成型、微波干燥后得到水分含量为＜1％的生坯；然后将生坯置于管式炉中的反应基料上，生坯的通孔与管式炉的通气方向平行，通Ar+CO混合气氛烧结，升温时在150℃、600℃分别保温0.5h，烧结温度为1340℃，烧成时间为2.5h，得到SiC纳米线涂层表面改性氧化铝基蜂窝陶瓷。

分别以未采用反应基料辅助合成SiC纳米线(即气体直接通过蜂窝陶瓷通孔，不经过反应基料)、未加入纳米β-SiC晶种、未加入过渡金属(Fe、Co、Ni)催化剂(其他条件均与实施例一相同)为对比例一、对比例二、对比例三；以未添加碳酸铝作为造孔剂(其他条件均与实施例三相同)为对比例四；以未对金属铝质原料进行空气下的预煅烧(其他条件均与实施例四相同)为对比例五。本发明实施例与对比例制得的氧化铝基蜂窝陶瓷的各项性能与β-SiC含量如表1所示。

表1本发明实施例与对比例制得的氧化铝基蜂窝陶瓷的性能与β-SiC含量

其中，β-SiC的含量采用K值法进行检测，以α-刚玉为参照物。

从表1可以看出，本发明实施例制得的SiC纳米线涂层表面改性氧化铝基蜂窝陶瓷均获得了高气孔率、高比表面积与高SiC含量。

对比实施例一与对比例一的数据可知，未采用本发明的反应基料进行辅助合成，对比例一所得样品的SiC含量下降，因为通气氛烧结的过程中，蜂窝陶瓷的高气孔率导致内部的SiO气体会流失一部分，因此需要通过反应基料补充流失的部分；对比实施例一与对比例二、对比例三的数据可知，单独使用晶种或催化剂，促进SiC合成的效果均不如复合使用，β-SiC的起始合成温度＞1400℃，因此使用晶种+催化剂的组合十分有必要；对比实施例三与对比例四的数据可知，如果没有添加碳酸铝与水反应释放气体和Al(OH)₃，气孔率、比表面积与SiC含量等指标均不如添加碳酸铝的样品，说明提高气孔率对原位合成SiC纳米线也有帮助；对比实施例四与对比例五的数据可知，缺少了对金属铝质原料的预煅烧，同样降低了样品的气孔率、比表面积与SiC的含量，因为金属铝质原料预煅烧留下Al₂O₃外壳，同样起到了增加气孔率的作用。

本发明实施例制得的SiC纳米线涂层表面改性氧化铝基蜂窝陶瓷，如图1所示，晶相只有α-Al₂O₃和β-SiC两种；如图2所示，SiC纳米线可分布在蜂窝陶瓷表面而形成涂层，起到提高比表面积的作用；如图3所示，本发明实施例采用反应基料辅助合成的方式，蜂窝陶瓷的通孔平行于水平方向排布，反应基料生成的SiO、CO经流过蜂窝陶瓷的通孔；如图4所示，本发明通过预煅烧金属铝质原料，在其表面形成一层致密的Al₂O₃外壳，烧成后留在基体内部，同样起到提高气孔率的作用。

Claims (9)

1.一种SiC纳米线涂层表面改性氧化铝基蜂窝陶瓷的低温原位制备方法，其特征在于：以基料、结合剂、润滑剂、反应基料为原料；

所述基料的组成为铝硅酸盐矿物50～80wt％、铝质原料0～15wt％、预煅烧金属铝质原料5～20wt％、金属硅质原料5～10wt％、碳质原料5～15wt％、碳酸铝1～3wt％、晶种0.1～0.5wt％、催化剂0.1～0.5wt％；

所述结合剂的用量为基料的3～5wt％，润滑剂的用量为基料的3～5wt％；

所述反应基料的组成为硅质原料20～50wt％、碳质原料50～80wt％、预煅烧金属铝质原料0～10wt％、金属硅质原料0～10wt％；

其中，所述预煅烧金属铝质原料为金属铝质原料空气下经500～600℃煅烧2～4h得到；

制备方法为：将所述基料混合后，加入结合剂混合均匀，再加入润滑剂和相对于基料用量为15～16wt％的水进行拌料、练泥、挤出成型、微波干燥后得到水分含量为＜1％的生坯；然后将所述生坯置于管式炉中的反应基料上，生坯的通孔与管式炉的通气方向平行，进行通还原气氛烧结，升温时在150℃、500～700℃分别保温0.5～1h，烧结温度为1300～1400℃，烧成时间为1～3h，得到SiC纳米线涂层表面改性氧化铝基蜂窝陶瓷。

2.根据权利要求1所述的SiC纳米线涂层表面改性氧化铝基蜂窝陶瓷的低温原位制备方法，其特征在于：所述铝硅酸盐矿物为高岭土、球土、红柱石、硅线石、蓝晶石、铝矾土中的一种、二种、三种或四种组合；铝质原料为Al(OH)₃、γ-Al₂O₃、α-Al₂O₃的一种或二种组合；金属铝质原料为金属铝粉和/或铝屑；金属硅质原料为金属硅粉、多晶硅废料、单晶硅废料中的一种或其组合；碳质原料为石墨粉、炭粉、碳黑中的一种或其组合；晶种为纳米β-SiC粉；催化剂为过渡金属Fe、Co、Ni粉中的一种或其组合。

3.根据权利要求1或2所述的SiC纳米线涂层表面改性氧化铝基蜂窝陶瓷的低温原位制备方法，其特征在于：所述铝硅酸盐矿物的粒度为80～700目；铝质原料的粒度为80～325目；金属铝质原料的粒度为80～325目；金属硅质原料的粒度为80～700目；碳质原料的粒度为325～1000目；晶种的粒度为50～100纳米；催化剂的粒度为700～1000目。

4.根据权利要求1所述的SiC纳米线涂层表面改性氧化铝基蜂窝陶瓷的低温原位制备方法，其特征在于：所述硅质原料为稻壳粉、石英粉、粘土尾矿中的一种或其组合。

5.根据权利要求1或4所述的SiC纳米线涂层表面改性氧化铝基蜂窝陶瓷的低温原位制备方法，其特征在于：所述硅质原料的粒度为180～700目。

6.根据权利要求1所述的SiC纳米线涂层表面改性氧化铝基蜂窝陶瓷的低温原位制备方法，其特征在于：所述结合剂为羧甲基纤维素和/或羟丙基甲基纤维素；润滑剂为食用油。

7.根据权利要求1所述的SiC纳米线涂层表面改性氧化铝基蜂窝陶瓷的低温原位制备方法，其特征在于：所述还原气氛的组成为Ar、N₂、CO的一种或二种组合。

8.利用权利要求1-7之一所述SiC纳米线涂层表面改性氧化铝基蜂窝陶瓷的低温原位制备方法制得的产品。

9.根据权利要求8所述的产品，其特征在于：所述SiC纳米线涂层表面改性氧化铝基蜂窝陶瓷，其气孔率≥45％、比表面积≥40m²/g、抗折强度≥60MPa、室温～800℃热震循环30次不开裂。

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