CN115719582A - 像素 - Google Patents

Abstract

公开了一种像素。该像素包括有机发光二极管、驱动晶体管、第一双栅晶体管、第一电容器和补偿晶体管。有机发光二极管包括第一端子和第二端子。驱动晶体管生成驱动电流，并且包括第一电源电压施加到的第一端子、连接到有机发光二极管的第一端子的第二端子以及栅端子。第一双栅晶体管连接在驱动晶体管的栅端子与驱动晶体管的第二端子之间，并且包括第一子晶体管和第二子晶体管。第一电容器包括第一电源电压施加到的第一电极及连接到将第一子晶体管和第二子晶体管彼此连接的第一节点的第二电极。补偿晶体管包括连接在第二电极与第一节点之间的端子。

Description

像素

技术领域

实施例总体上涉及像素、显示装置和驱动显示装置的方法。更具体地，本发明的实施例涉及像素、包括该像素的显示装置以及驱动包括该像素的显示装置的方法。

背景技术

由于平板显示装置的诸如重量轻、薄的特性的优点，平板显示装置被用作用于替代阴极射线管显示装置的显示装置。平板显示装置包括例如液晶显示装置、有机发光二极管显示装置和量子点显示装置等。

为了提高包括在有机发光二极管显示装置或量子点显示装置中的电池的效率，期望降低包括在显示装置中的像素的功耗。近来，为了降低像素的功耗，正在开发用于在像素显示静止图像时降低用于驱动像素的驱动频率的低频驱动技术。

发明内容

在像素基于数据电压显示图像的同时，数据电压可能由于包括在像素中的晶体管的泄漏电流等而失真，并且显示装置的图像质量可能劣化。

实施例提供一种像素。

实施例提供一种包括像素的显示装置。

实施例提供一种驱动包括像素的显示装置的方法。

在本发明的实施例中，像素包括有机发光二极管、驱动晶体管、第一双栅晶体管、第一电容器和补偿晶体管。有机发光二极管基于驱动电流输出光，并且包括第一端子和第二端子。驱动晶体管生成驱动电流，并且包括第一电源电压施加到的第一端子、电连接到有机发光二极管的第一端子的第二端子以及初始化电压施加到的栅端子。第一双栅晶体管连接在驱动晶体管的栅端子与驱动晶体管的第二端子之间，并且包括串联连接的第一子晶体管和第二子晶体管。第一电容器包括第一电源电压施加到的第一电极及连接到将第一子晶体管和第二子晶体管彼此连接的第一节点的第二电极。补偿晶体管包括补偿电压施加的第一端子、连接在第二电极与第一节点之间的第二端子以及补偿栅信号施加到的栅端子。

在实施例中，补偿电压的电压电平可以根据灰度级而可变。

在实施例中，像素可以进一步包括：第二双栅晶体管，连接在第一子晶体管与初始化电压线提供到的初始化电压线之间，并且可以包括串联连接的第三子晶体管和第四子晶体管。

在实施例中，像素可以进一步包括：第二电容器，包括第一电源电压施加到的第三电极和连接到将第三子晶体管和第四子晶体管彼此连接的第二节点的第四电极。

在实施例中，补偿晶体管的第二端子可以附加地连接在第四电极与第二节点之间，并且可以将具有根据灰度级而可变的电压电平的补偿电压提供到第一节点和第二节点。

在实施例中，当像素以第一频率驱动时，补偿晶体管可以响应于补偿栅信号而将补偿电压提供到第一节点和第二节点，并且补偿晶体管可以减小在第一节点处的泄漏电流与在第二节点处的泄漏电流之间的偏差。

在实施例中，当像素以与第一频率不同的第二频率驱动时，补偿晶体管可以截止。

在实施例中，第一频率可以大于约0赫兹(Hz)且小于约60Hz，并且第二频率可以大于或等于约60Hz且小于或等于约240Hz。

在实施例中，第一双栅晶体管可以响应于栅信号而将驱动晶体管二极管连接。

在实施例中，像素可以进一步包括存储电容器和第一开关晶体管。存储电容器可以包括第一电源电压施加到的第一端子和连接到驱动晶体管的栅端子的第二端子。第一开关晶体管可以包括连接到驱动晶体管的第一端子的第二端子、数据电压施加到的第一端子以及栅信号施加到的栅端子。

在实施例中，像素可以进一步包括第二开关晶体管和第三开关晶体管。第二开关晶体管可以包括连接到第一电源电压提供到的第一电源电压线的第一端子、连接到驱动晶体管的第一端子的第二端子以及发射信号施加到的栅端子。第三开关晶体管可以包括连接到驱动晶体管的第二端子的第一端子、连接到有机发光二极管的第一端子的第二端子以及发射信号施加到的栅端子。

在实施例中，像素可以进一步包括：第四开关晶体管，包括初始化电压施加到的第一端子、连接到有机发光二极管的第一端子的第二端子以及阳极初始化信号施加到的栅端子。

在本发明的实施例中，显示装置包括显示面板、数据驱动器和补偿驱动器。多个像素中的像素包括有机发光二极管、驱动晶体管、第一双栅晶体管、第一电容器和补偿晶体管。

有机发光二极管基于驱动电流输出光，并且包括第一端子和第二端子。驱动晶体管生成驱动电流，并且包括第一电源电压施加到的第一端子、电连接到有机发光二极管的第一端子的第二端子以及初始化电压施加到的栅端子。第一双栅晶体管连接在驱动晶体管的栅端子与驱动晶体管的第二端子之间，并且包括串联连接的第一子晶体管和第二子晶体管。第一电容器包括第一电源电压施加到的第一电极及连接到将第一子晶体管和第二子晶体管彼此连接的第一节点的第二电极。补偿晶体管包括补偿电压施加到的第一端子、连接在第二电极与第一节点之间的第二端子以及补偿栅信号施加到的栅端子。数据驱动器生成与输入图像数据对应的数据电压并将数据电压供应到多个像素。补偿驱动器从数据驱动器接收灰度级数据并且生成补偿电压。

在实施例中，像素可以进一步包括第二双栅晶体管和第二电容器。第二双栅晶体管可以连接在第一子晶体管与初始化电压提供到的初始化电压线之间，并且可以包括串联连接的第三子晶体管和第四子晶体管。第二电容器可以包括第一电源电压施加到的第三电极和连接到将第三子晶体管和第四子晶体管彼此连接的第二节点的第四电极。补偿晶体管的第二端子可以附加地连接在第四电极与第二节点之间。

在实施例中，当像素以第一频率驱动时，补偿驱动器可以将补偿栅信号和补偿电压提供到补偿晶体管。

在实施例中，补偿驱动器可以包括存储器、计算器和信号生成器。存储器可以存储根据灰度级的用于减小在第一节点处的泄漏电流与在第二节点处的泄漏电流之间的偏差的补偿电压数据。计算器可以接收灰度级数据，并且可以在补偿电压数据当中确定与灰度级对应的补偿电压。信号生成器可以生成补偿电压和补偿栅信号。

在实施例中，像素可以进一步包括存储电容器、第一开关晶体管、第二开关晶体管、第三开关晶体管和第四开关晶体管。存储电容器可以包括第一电源电压施加到的第一端子和连接到驱动晶体管的栅端子的第二端子。第一开关晶体管可以包括连接到驱动晶体管的第一端子的第二端子、数据电压施加到的第一端子以及栅信号施加到的栅端子。第二开关晶体管可以包括连接到第一电源电压提供到的第一电源电压线的第一端子、连接到驱动晶体管的第一端子的第二端子以及发射信号施加到的栅端子。第三开关晶体管可以包括连接到驱动晶体管的第二端子的第一端子、连接到有机发光二极管的第一端子的第二端子以及发射信号施加到的栅端子。第四开关晶体管可以包括初始化电压施加到的第一端子、连接到有机发光二极管的第一端子的第二端子以及阳极初始化信号施加到的栅端子。

在实施例中，显示装置可以进一步包括：栅驱动器，生成栅信号以将栅信号供应到多个像素；发射驱动器，生成发射信号以将发射信号供应到多个像素；电源单元，生成第一电源电压、初始化电压和第二电源电压以将第一电源电压、初始化电压和第二电源电压提供到多个像素；以及控制器，生成输入图像数据以将输入图像数据提供到数据驱动器。

在实施例中，如下提供了制造显示装置的方法。从数据驱动器接收灰度级数据。确定在存储在存储器中的补偿电压数据当中的根据灰度级数据的灰度级而可变的补偿电压以减小跨第一双栅晶体管和第二双栅晶体管中的每个的相反端的电压差。生成补偿栅信号和补偿电压。将补偿栅信号和补偿电压提供到像素。

在实施例中，在从数据驱动器接收灰度级数据之前，该方法可以进一步包括从控制器接收驱动频率数据以及确定驱动频率数据是与第一频率驱动对应还是与第二频率驱动对应。当驱动频率是第一频率时，可以从数据驱动器接收灰度级数据。当驱动频率是与第一频率不同的第二频率时，可以不从数据驱动器接收灰度级数据。

由于在本发明的实施例中的显示装置包括补偿驱动器、第一电容器和第二电容器以及第八晶体管，补偿驱动器包括存储与所有灰度级对应的补偿电压数据的存储器、在补偿电压数据当中确定与灰度级数据对应的补偿电压的计算器以及生成补偿栅信号和补偿电压的信号生成器，并且补偿栅信号和补偿电压施加到第八晶体管，因此跨第三晶体管和第四晶体管中的每个的相反端的电压差可以在所有灰度级中减小，并且在第一泄漏电流与第二泄漏电流之间的偏差也可以减小。相应地，可以显著地减少可能发生在显示装置中的闪烁现象。

在本发明的实施例中的驱动显示装置的方法可以仅在低频驱动中执行，跨第三晶体管和第四晶体管中的每个的相反端的电压差可以在所有灰度级中减小，并且在第一泄漏电流和第二泄漏电流之间的偏差也可以减小。相应地，可以显著地减少可能发生在显示装置中的闪烁现象。

附图说明

通过参照附图进一步详细地描述本公开的示例性实施例，本公开的上述和其他示例性实施例、优点和特征将变得更明显，在附图中：

图1是示出根据本发明的显示装置的实施例的框图；

图2是示出包括在图1的显示装置中的补偿驱动器的框图；

图3是示出包括在图1的显示装置中的像素的电路图；

图4是用于描述根据本发明的驱动显示装置的方法的实施例的流程图；

图5是用于描述根据本发明的驱动显示装置的方法的实施例的流程图；

图6是示出根据本发明的像素的实施例的电路图；

图7是示出根据本发明的像素的实施例的电路图；

图8是示出根据本发明的像素的实施例的电路图；

图9是示出根据本发明的像素的实施例的电路图；

图10是示出根据本发明的像素的实施例的电路图；并且

图11是示出根据本发明的包括显示装置的电子装置的框图。

具体实施方式

在下文中，将参照附图详细描述本发明的实施例中的像素、显示装置和驱动显示装置的方法。在附图中，相同或相似的附图标记指代相同或相似的元件。

将理解的是，当元件被称为“在”另一元件“上”时，它可以直接在该另一元件上，或者居间元件可以在它们之间。相反，当元件被称为“直接在”另一元件“上”时，不存在居间元件。

将理解的是，尽管术语“第一”、“第二”、“第三”等在本文中可以用于描述各种元件、部件、区域、层和/或部分，但是这些元件、部件、区域、层和/或部分不应受到这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件、部件、区域、层或部分与另一元件、部件、区域、层或部分区分开。因此，下面讨论的第一元件、部件、区域、层或部分可以被称为第二元件、部件、区域、层或部分，而不脱离在本文中的教导。

在本文中使用的术语是仅出于描述特定实施例的目的，并且不旨在进行限制。如在本文中所使用的，单数形式“一”和“该(所述)”旨在包括包含“至少一个”的复数形式，除非上下文另外明确指示。“或”意味着“和/或”。如在本文中所使用的，术语“和/或”包括关联的所列项目中的一个或多个的任何组合和所有组合。将进一步理解的是，当术语“包括”或“包含”和/或其变型在该说明书中使用时，指明所陈述的特征、区域、整体、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或多个其他特征、区域、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其组的存在或添加。

此外，可以在本文中使用诸如“下”或“底”以及“上”或“顶”的相对术语来描述如在附图中所示出的一个元件与另一元件的关系。将理解的是，除了在附图中描绘的定向之外，相对术语还旨在涵盖装置的不同定向。在实施例中，当在附图中的一个中的装置被翻转时，被描述为在其他元件“下”侧的元件将随之被定向在该其他元件的“上”侧。因此，根据附图的特定定向，示例性术语“下”可以涵盖“下”和“上”的两个定向。相似地，当在附图中的一个中的装置被翻转时，被描述为“在”其他元件“下方”或“下面”的元件将随之被定向为“在”该其他元件“上方”。因此，示例性术语“下方”或“下面”可以涵盖上方和下方两个定向。

考虑讨论中的测量和与特定量的测量关联的误差(即，测量系统的限制)，如在本文中所使用的“约”或“近似”包括所陈述的值并且意味着在由本领域普通技术人员确定的特定值的可接受的偏差范围内。例如，术语“约”可以意味着在一个或多个标准偏差内，或者在所陈述的值的±30％、±20％、±10％、±5％内。

除非另有限定，否则在本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本发明所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。将进一步理解的是，术语(诸如在常用词典中定义的术语)应该被解释为具有与它们在相关技术和本发明的背景中的含义一致的含义，并且将不以理想化的或过于正式的意义来解释，除非在本文中明确地如此限定。

图1是示出根据本发明的显示装置的实施例的框图，并且图2是示出包括在图1的显示装置中的补偿驱动器的框图。

参照图1和图2，显示装置100可以包括包含多个像素PX的显示面板110、控制器150、数据驱动器120、栅驱动器140、发射驱动器190、电源单元160、伽马参考电压生成器180和补偿驱动器130等。在这种情况下，补偿驱动器130可以包括计算器131、存储器132和信号生成器133。

显示面板110可以包括多条数据线DL、多条栅线GL、多条发射线EML、多条第一电源电压线ELVDDL、多条第二电源电压线ELVSSL、多条初始化电压线VINTL、补偿栅线GNL、补偿电压线MINTL和连接到这些线的多个像素PX。

在实施例中，像素PX中的每个可以包括至少两个晶体管、至少一个电容器以及一个发光元件，并且显示面板110可以是发光显示面板。在其他实施例中，显示面板110可以包括量子点显示装置(“QDD”)的显示面板、液晶显示装置(“LCD”)的显示面板、场发射显示装置(“FED”)的显示面板、等离子体显示装置(“PDP”)的显示面板或电泳显示装置(“EPD”)的显示面板。

控制器150(例如，时序控制器(“T-CON”))可以从外部主处理器(例如，应用处理器(“AP”)、图形处理单元(“GPU”)或图形卡)接收图像数据IMG和输入控制信号CON。图像数据IMG可以是包括红色图像数据、绿色图像数据和蓝色图像数据的RGB图像数据。另外，图像数据IMG可以包括关于驱动频率的信息。输入控制信号CON可以包括垂直同步信号、水平同步信号、输入数据使能信号和主时钟信号等，但本发明不限于此。

控制器150可以通过将用于校正图像质量的算法(例如，动态电容补偿(“DCC”)等)施加到从外部主处理器供应的图像数据IMG来将图像数据IMG转换成输入图像数据IDATA。在一些实施例中，当控制器150不包括用于改善图像质量的算法时，图像数据IMG可以作为输入图像数据IDATA输出。控制器150可以将输入图像数据IDATA供应到数据驱动器120。

控制器150可以生成用于控制输入图像数据IDATA的驱动的数据控制信号CTLD、用于控制栅驱动器140的操作的栅控制信号CTLS、用于控制发射驱动器190的操作的发射控制信号CTLE、用于控制伽马参考电压生成器180的操作的伽马控制信号CTLG以及用于基于输入控制信号CON来控制补偿驱动器130的操作的补偿控制信号CTLC。在实施例中，例如，栅控制信号CTLS可以包括垂直起始信号和扫描时钟信号等，并且数据控制信号CTLD可以包括水平起始信号和数据时钟信号等。在实施例中，控制器150可以将包括关于驱动频率的信息的驱动频率数据DFD提供到补偿驱动器130。

栅驱动器140可以基于从控制器150接收的栅控制信号CTLS来生成栅信号GW。栅驱动器140可以将栅信号GW输出到连接到栅线GL的像素PX。另外，栅驱动器140可以附加地生成栅初始化信号GI(参照图3)和阳极初始化信号GB(参照图3)，并将生成的栅初始化信号GI和生成的阳极初始化信号GB输出到像素PX。

发射驱动器190可以基于从控制器150接收的发射控制信号CTLE来生成发射信号EM。发射驱动器190可以将发射信号EM输出到连接到发射线EML的像素PX。

电源单元160可以生成初始化电压VINT、第一电源电压ELVDD和第二电源电压ELVSS，并且通过初始化电压线VINTL、第一电源电压线ELVDDL和第二电源电压线ELVSSL将初始化电压VINT、第一电源电压ELVDD和第二电源电压ELVSS提供到像素PX。

伽马参考电压生成器180可以基于从控制器150接收的伽马控制信号CTLG来生成伽马参考电压VGREF。伽马参考电压生成器180可以将伽马参考电压VGREF提供到数据驱动器120。提供到数据驱动器120的伽马参考电压VGREF可以具有与每个输入图像数据IDATA对应的值。在一些实施例中，伽马参考电压生成器180可以与数据驱动器120或控制器150是一体的。

数据驱动器120可以从控制器150接收数据控制信号CTLD和输入图像数据IDATA，并且从伽马参考电压生成器180接收伽马参考电压VGREF。数据驱动器120可以借助于伽马参考电压VGREF将数字输入图像数据IDATA转换成模拟数据电压。在这种情况下，通过转换而得到的模拟数据电压将被定义为数据电压VDATA。数据驱动器120可以基于数据控制信号CTLD将数据电压VDATA输出到连接到数据线DL的像素PX。在其他实施例中，数据驱动器120和控制器150可以被实现为单个集成电路(“IC”)，并且这样的IC也可以被称为时序控制器嵌入式数据驱动器(“TED”)。在实施例中，数据电压VDATA可以包括关于灰度级的信息，并且数据驱动器120可以将包括关于灰度级的信息的灰度级数据GD提供到补偿驱动器130。

在实施例中，例如，显示装置100的亮度与灰度级数据GD之间的相关性可以根据伽马曲线来定义。为了使显示装置100维持稳定的显示质量，可以期望非常精确地执行伽马设定。当在伽玛设定中发生错误时，可能发生实际亮度与根据灰度级数据GD的亮度之间的偏差。为了使这样的偏差最小化，用于实时编程伽马参考电压VGREF的多次编程(“MTP”)可以被执行。伽马参考电压VGREF可以指代输入到数据驱动器120的电压，数据驱动器120生成用于确定亮度的数据电压VDATA。根据灰度级数据GD，数据驱动器120可以借助于伽马参考电压VGREF来生成数据电压VDATA，并且像素PX可以根据数据电压VDATA来发射光。换句话说，灰度级数据GD可以在多次编程的过程中得到。

补偿驱动器130可以从控制器150接收补偿控制信号CTLC和驱动频率数据DFD，并且补偿驱动器130可以从数据驱动器120接收灰度级数据GD。

如在图2中所示出的，驱动频率数据DFD可以提供到计算器131。计算器131可以确定驱动频率数据DFD是与高频驱动对应还是与低频驱动对应。在实施例中，例如，低频可以是大于约0赫兹(Hz)且小于约60Hz的频率。另外，高频可以大于或等于约60Hz，并且小于或等于约240Hz。然而，上述频率范围为一个实施例，并且根据本发明的高频和低频不限于上述频率范围。

在实施例中，当计算器131确定的是驱动频率数据DFD与低频驱动(例如，第一频率驱动)对应时，灰度级数据GD可以提供到计算器131。相反，当计算器131确定的是驱动频率数据DFD与高频驱动(例如，第二频率驱动)对应时，灰度级数据GD可以不提供到计算器131，并且计算器131可以不被驱动。

当灰度级数据GD提供到计算器131时，计算器131可以在存储在存储器132中的补偿电压数据当中确定与灰度级数据GD对应的补偿电压。在实施例中，例如，与所有灰度级(例如，0至255灰度级)对应的补偿电压数据可以存储在存储器132中。下面将详细描述补偿电压。

信号生成器133可以基于与灰度级数据GD对应的补偿电压来生成补偿电压MINT，并且信号生成器133可以生成补偿栅信号GN。

补偿驱动器130可以基于补偿控制信号CTLC将补偿栅信号GN和补偿电压MINT输出到连接到补偿栅线GNL和补偿电压线MINTL的像素PX。在一些实施例中，补偿驱动器130可以与数据驱动器120或控制器150是一体的。

图3是示出包括在图1的显示装置中的像素的电路图。

参照图3，显示装置100可以包括像素PX，并且像素PX可以包括像素电路PC和有机发光二极管OLED。在这种情况下，像素电路PC可以包括第一晶体管至第八晶体管TR1、TR2、TR3、TR4、TR5、TR6、TR7和TR8、存储电容器CST、第一电容器CAP1和第二电容器CAP2等。另外，像素电路PC和有机发光二极管OLED可以连接到第一电源电压线ELVDDL、第二电源电压线ELVSSL、初始化电压线VINTL、数据线DL、栅线GL、发射线EML、补偿栅线GNL和补偿电压线MINTL等。第一晶体管TR1可以与驱动晶体管对应，并且第二晶体管至第八晶体管TR2、TR3、TR4、TR5、TR6、TR7和TR8可以与开关晶体管对应。第一晶体管至第八晶体管TR1、TR2、TR3、TR4、TR5、TR6、TR7和TR8中的每个可以包括第一端子、第二端子和栅端子。在实施例中，第一端子可以是源端子，并且第二端子可以是漏端子。在一些实施例中，第一端子可以是漏端子，并且第二端子可以是源端子。

有机发光二极管OLED可以基于驱动电流ID来输出光。有机发光二极管OLED可以包括第一端子和第二端子。在实施例中，有机发光二极管OLED的第二端子可以接收第二电源电压ELVSS，并且有机发光二极管OLED的第一端子可以接收第一电源电压ELVDD。在实施例中，例如，有机发光二极管OLED的第一端子可以是阳极端子，并且有机发光二极管OLED的第二端子可以是阴极端子。在一些实施例中，有机发光二极管OLED的第一端子可以是阴极端子，并且有机发光二极管OLED的第二端子可以是阳极端子。

第一电源电压ELVDD可以施加到第一晶体管TR1的第一端子，第一晶体管TR1的第二端子可以连接到有机发光二极管OLED的第一端子，并且初始化电压VINT可以施加到第一晶体管TR1的栅端子。

第一晶体管TR1可以生成驱动电流ID。在实施例中，第一晶体管TR1可以在饱和区中操作。在这种情况下，第一晶体管TR1可以基于第一晶体管TR1的栅端子与源端子之间的电压差来生成驱动电流ID。另外，灰度级可以基于供应到有机发光二极管OLED的驱动电流ID的大小来表示。在一些实施例中，第一晶体管TR1可以在线性区中操作。在这种情况下，灰度级可以基于在一个帧内向有机发光二极管OLED供应驱动电流的时间的总和来表示。

第二晶体管TR2(例如，第一开关晶体管)的栅端子可以接收栅信号GW。在这种情况下，栅信号GW可以通过栅线GL从栅驱动器140(参照图1)提供。第二晶体管TR2的第一端子可以接收数据电压VDATA。在这种情况下，数据电压VDATA可以通过数据线DL从数据驱动器120(参照图1)提供。第二晶体管TR2的第二端子可以连接到第一晶体管TR1的第一端子。第二晶体管TR2可以在栅信号GW的激活时段期间将数据电压VDATA供应到第一晶体管TR1的第一端子。在这种情况下，第二晶体管TR2可以在线性区中操作。

第三晶体管TR3的栅端子可以接收栅信号GW。第三晶体管TR3的第一端子可以连接到第一晶体管TR1的栅端子。第三晶体管TR3的第二端子可以连接到第一晶体管TR1的第二端子。换句话说，第三晶体管TR3可以连接在第一晶体管TR1的栅端子与第一晶体管TR1的第二端子之间。

第三晶体管TR3可以在栅信号GW的激活时段期间将第一晶体管TR1的栅端子连接到第一晶体管TR1的第二端子。在这种情况下，第三晶体管TR3可以在线性区中操作。也就是说，第三晶体管TR3可以在栅信号GW的激活时段期间将第一晶体管TR1二极管连接。换句话说，第三晶体管TR3可以响应于栅信号GW而将第一晶体管TR1二极管连接。由于第一晶体管TR1被二极管连接，因此可以在第一晶体管TR1的第一端子与第一晶体管TR1的栅端子之间发生与第一晶体管TR1的阈值电压对应的电压差。结果，通过对供应到第一晶体管TR1的第一端子的数据电压VDATA与该电压差(即，阈值电压)求和而获得的电压可以在栅信号GW的激活时段期间供应到第一晶体管TR1的栅端子。换句话说，数据电压VDATA可以被补偿第一晶体管TR1的阈值电压，并且补偿后的数据电压VDATA可以供应到第一晶体管TR1的栅端子。

在实施例中，第三晶体管TR3可以被定义为第一双栅晶体管。第一双栅晶体管可以包括第一子晶体管TR3_1和第二子晶体管TR3_2。第一子晶体管TR3_1和第二子晶体管TR3_2可以串联连接，并且第一节点N1可以将第一子晶体管TR3_1和第二子晶体管TR3_2彼此连接。换句话说，第三晶体管TR3可以操作为双栅晶体管，并且相同的信号可以施加到第一子晶体管TR3_1和第二子晶体管TR3_2中的每个的栅端子。也就是说，第一子晶体管TR3_1和第二子晶体管TR3_2中的每个的栅端子可以接收栅信号GW。另外，第一子晶体管TR3_1的第二端子和第二子晶体管TR3_2的第一端子可以彼此连接。

第四晶体管TR4的栅端子可以接收栅初始化信号GI。第四晶体管TR4的第一端子可以接收初始化电压VINT。第四晶体管TR4的第二端子可以连接到第一晶体管TR1的栅端子。换句话说，第四晶体管TR4可以连接在第一子晶体管TR3_1与初始化电压线VINTL之间。

第四晶体管TR4可以在栅初始化信号GI的激活时段期间将初始化电压VINT供应到第一晶体管TR1的栅端子。在这种情况下，第四晶体管TR4可以在线性区中操作。换句话说，第四晶体管TR4可以在栅初始化信号GI的激活时段期间将第一晶体管TR1的栅端子初始化为初始化电压VINT。在实施例中，初始化电压VINT可以具有足够低于在前一帧中由存储电容器CST维持的数据电压VDATA的电压电平的电压电平，并且初始化电压VINT可以供应到第一晶体管TR1的栅端子。在其他实施例中，初始化电压VINT可以具有足够高于在前一帧中由存储电容器CST维持的数据电压VDATA的电压电平的电压电平，并且初始化电压VINT可以施加到第一晶体管TR1的栅端子。在实施例中，预定时间点处的栅初始化信号GI可以与先于预定时间点一个水平时间的时间点处的栅信号GW基本相同。在实施例中，例如，供应到包括在显示装置100中的多个像素PX当中的、在第n行(其中n是大于或等于2的整数)中的像素PX的栅初始化信号GI可以是与供应到多个像素PX当中的、在第n-1行中的像素PX的栅信号GW基本相同的信号。换句话说，激活的栅信号GW可以供应到多个像素PX当中的、在第n-1行中的像素PX，使得激活的栅初始化信号GI可以供应到多个像素PX当中的、在第n行中的像素PX。结果，数据电压VDATA可以供应到多个像素PX当中的、在第n-1行中的像素PX，并且同时，包括在多个像素PX当中的、在第n行中的像素PX中的第一晶体管TR1的栅端子可以初始化为初始化电压VINT。

在实施例中，第四晶体管TR4可以被定义为第二双栅晶体管。第二双栅晶体管可以包括第三子晶体管TR4_1和第四子晶体管TR4_2。第三子晶体管TR4_1和第四子晶体管TR4_2可以串联连接，并且第二节点N2可以将第三子晶体管TR4_1和第四子晶体管TR4_2彼此连接。换句话说，第四晶体管TR4可以操作为双栅晶体管，并且相同的信号可以施加到第三子晶体管TR4_1和第四子晶体管TR4_2中的每个的栅端子。也就是说，第三子晶体管TR4_1和第四子晶体管TR4_2中的每个的栅端子可以接收栅初始化信号GI。另外，第三子晶体管TR4_1的第二端子和第四子晶体管TR4_2的第一端子可以彼此连接。

第五晶体管TR5(例如，第二开关晶体管)的栅端子可以接收发射信号EM。在这种情况下，发射信号EM可以通过发射线EML从发射驱动器190(参照图1)提供。第五晶体管TR5的第一端子可以接收第一电源电压ELVDD。第五晶体管TR5的第二端子可以连接到第一晶体管TR1的第一端子。第五晶体管TR5可以在发射信号EM的激活时段期间将第一电源电压ELVDD供应到第一晶体管TR1的第一端子。相反，第五晶体管TR5可以在发射信号EM的去激活时段期间切断第一电源电压ELVDD的供应。在这种情况下，第五晶体管TR5可以在线性区中操作。由于第五晶体管TR5在发射信号EM的激活时段期间将第一电源电压ELVDD供应到第一晶体管TR1的第一端子，因此第一晶体管TR1可以生成驱动电流ID。另外，由于第五晶体管TR5在发射信号EM的去激活时段期间切断第一电源电压ELVDD的供应，因此供应到第一晶体管TR1的第一端子的数据电压VDATA可以供应到第一晶体管TR1的栅端子。

第六晶体管TR6(例如，第三开关晶体管)的栅端子可以接收发射信号EM。第六晶体管TR6的第一端子可以连接到第一晶体管TR1的第二端子。第六晶体管TR6的第二端子可以连接到有机发光二极管OLED的第一端子。第六晶体管TR6可以在发射信号EM的激活时段期间将由第一晶体管TR1生成的驱动电流ID供应到有机发光二极管OLED。在这种情况下，第六晶体管TR6可以在线性区中操作。换句话说，由于第六晶体管TR6在发射信号EM的激活时段期间将由第一晶体管TR1生成的驱动电流ID供应到有机发光二极管OLED，因此有机发光二极管OLED可以输出光。另外，由于第六晶体管TR6在发射信号EM的去激活时段期间将第一晶体管TR1和有机发光二极管OLED彼此电分离，因此供应到第一晶体管TR1的第二端子的数据电压VDATA(例如，已经经受阈值电压补偿的数据电压)可以供应到第一晶体管TR1的栅端子。

第七晶体管TR7(例如，第四开关晶体管)的栅端子可以接收阳极初始化信号GB。第七晶体管TR7的第一端子可以接收初始化电压VINT。第七晶体管TR7的第二端子可以连接到有机发光二极管OLED的第一端子。第七晶体管TR7可以在阳极初始化信号GB的激活时段期间将初始化电压VINT供应到有机发光二极管OLED的第一端子。在这种情况下，第七晶体管TR7可以在线性区中操作。换句话说，第七晶体管TR7可以在阳极初始化信号GB的激活时段期间将有机发光二极管OLED的第一端子初始化为初始化电压VINT。在一些实施例中，栅初始化信号GI和阳极初始化信号GB可以是基本相同的信号。初始化第一晶体管TR1的栅端子的操作和初始化有机发光二极管OLED的第一端子的操作可以彼此不影响。换句话说，初始化第一晶体管TR1的栅端子的操作和初始化有机发光二极管OLED的第一端子的操作可以彼此独立。

存储电容器CST可以连接在第一电源电压线ELVDDL与第一晶体管TR1的栅端子之间。存储电容器CST可以包括第一端子和第二端子。在实施例中，例如，存储电容器CST的第一端子可以接收第一电源电压ELVDD，并且存储电容器CST的第二端子可以连接到第一晶体管TR1的栅端子。存储电容器CST可以在栅信号GW的去激活时段期间维持第一晶体管TR1的栅端子的电压电平。栅信号GW的去激活时段可以包括发射信号EM的激活时段，并且由第一晶体管TR1生成的驱动电流ID可以在发射信号EM的激活时段期间供应到有机发光二极管OLED。因此，由第一晶体管TR1基于由存储电容器CST维持的电压电平而生成的驱动电流ID可以供应到有机发光二极管OLED。

第一电容器CAP1可以包括第一电极和第二电极。第一电容器CAP1可以连接到第一电源电压线ELVDDL和第一节点N1。在实施例中，例如，第一电源电压ELVDD可以施加到第一电容器CAP1的第一电极，并且第一电容器CAP1的第二电极可以连接在第一子晶体管TR3_1与第二子晶体管TR3_2之间。

第二电容器CAP2可以包括第三电极和第四电极。第二电容器CAP2可以连接到第一电源电压线ELVDDL和第二节点N2。在实施例中，例如，第一电源电压ELVDD可以施加到第二电容器CAP2的第三电极，并且第二电容器CAP2的第四电极可以连接在第三子晶体管TR4_1与第四子晶体管TR4_2之间。

在实施例中，例如，栅线GL、栅初始化信号GI施加到的线或数据线DL等可以设置在第一节点N1和第二节点N2的外围处，并且第一节点N1和第二节点N2的电压可能由于栅线GL、栅初始化信号GI施加到的线或数据线DL的电压变化而波动。在实施例中，由于第一节点N1和第一电容器CAP1彼此连接，因此第一节点N1的可能由设置在第一节点N1的外围处的栅线GL、栅初始化信号GI施加到的线或数据线DL的电压变化而引起的电压波动可以减小。相似地，由于第二节点N2和第二电容器CAP2彼此连接，因此第二节点N2的可能由设置在第二节点N2的外围处的栅线GL、栅初始化信号GI施加到的线或数据线DL的电压变化而引起的电压波动可以减小。

另外，当栅信号GW的去激活时段在栅信号GW的激活时段结束之后开始时，第一节点N1和第二节点N2中的每个的电压可以增大，并且随着第一节点N1和第二节点N2的电压增大，第一晶体管TR1的栅端子的电压也可以增大。在这种情况下，其中有机发光二极管OLED的亮度减小的闪烁现象可能发生。在实施例中，由于第一节点N1和第一电容器CAP1彼此连接，并且第二节点N2和第二电容器CAP2彼此连接，因此第一节点N1和第二节点N2中的每个的电压可以减小，使得可以减少闪烁现象。

第八晶体管(也称为补偿晶体管)TR8的栅端子可以接收补偿栅信号GN。在这种情况下，补偿栅信号GN可以通过补偿栅线GNL从补偿驱动器130(参照图1和图2)提供。第八晶体管TR8的第一端子可以接收补偿电压MINT。在这种情况下，补偿电压MINT可以通过补偿电压线MINTL从补偿驱动器130提供。第八晶体管TR8的第二端子可以同时连接到在第一电容器CAP1的第二电极与第一节点N1之间的第三节点N3和在第二电容器CAP2的第四电极与第二节点N2之间的第四节点N4。

第八晶体管TR8可以在补偿栅信号GN的激活时段期间将补偿电压MINT提供到第三节点N3和第四节点N4。换句话说，补偿电压MINT可以提供到第一节点N1和第二节点N2。在这种情况下，第八晶体管TR8可以在线性区中操作。补偿栅信号GN的激活时段可以与发射信号EM的激活时段基本相同。换句话说，当第五晶体管TR5和第六晶体管TR6导通时，第八晶体管TR8也可以导通。也就是说，补偿栅信号GN的时序图可以与发射信号EM的时序图基本相同。

在实施例中，补偿电压MINT的电压电平可以根据灰度级而可变。在实施例中，例如，流过第一节点N1和第二节点N2的泄漏电流可以根据灰度级而变化。在这种情况下，流过第一节点N1的泄漏电流将被定义为第一泄漏电流IoffT3，并且流过第二节点N2的泄漏电流将被定义为第二泄漏电流IoffT4。当像素PX以相对低的灰度级驱动时，第一泄漏电流IoffT3的大小可以小于第二泄漏电流IoffT4的大小。表述“第一泄漏电流IoffT3相对小”意味着跨第三晶体管TR3的第一端子和第二端子(例如，第一子晶体管TR3_1的第一端子和第二子晶体管TR3_2的第二端子)的电压差小于跨第四晶体管TR4的第一端子和第二端子(例如，第三子晶体管TR4_1的第一端子和第四子晶体管TR4_2的第二端子)的电压差。相似地，当像素PX以相对高的灰度级驱动时，第一泄漏电流IoffT3的大小可以大于第二泄漏电流IoffT4的大小。表述“第一泄漏电流IoffT3相对大”意味着跨第三晶体管TR3的第一端子和第二端子的电压差大于跨第四晶体管TR4的第一端子和第二端子的电压差。当在第一泄漏电流IoffT3与第二泄漏电流IoffT4之间的偏差相对大时，有机发光二极管OLED的亮度可能相对多地减小，使得闪烁现象可能更严重。

为了减小在第一泄漏电流IoffT3与第二泄漏电流IoffT4之间的偏差，跨第三晶体管TR3和第四晶体管TR4中的每个的相反端的电压差必须减小。为了减小电压差，电压可以施加到第三节点N3和第四节点N4。在实施例中，例如，在其中近似-3伏特(V)施加到第四晶体管TR4的第一端子、近似0V施加到在第四子晶体管TR4_2与第一子晶体管TR3_1之间的节点并且近似4V施加到第一晶体管TR1的第二端子的情况下，当近似3.5V施加到第三节点N3和第四节点N4时，跨第三晶体管TR3和第四晶体管TR4中的每个的相反端的电压差可以减小。然而，由于电压差可以根据灰度级而变化，因此当固定电压施加到第三节点N3和第四节点N4时，在第一泄漏电流IoffT3与第二泄漏电流IoffT4之间的偏差可能增大。

在实施例中，如在图2中所示出的，与所有灰度级对应的补偿电压数据可以存储在存储器132中。计算器131可以在补偿电压数据当中确定与灰度级数据GD对应的补偿电压，并且信号生成器133可以生成补偿栅信号GN和补偿电压MINT。补偿驱动器130可以将补偿栅信号GN和补偿电压MINT提供到第八晶体管TR8。相应地，由于与灰度级对应的补偿电压MINT基于与灰度级数据GD对应的补偿电压生成并且提供到第三节点N3和第四节点N4，因此跨第三晶体管TR3和第四晶体管TR4中的每个的相反端的电压差可以在所有灰度级中减小，并且在第一泄漏电流IoffT3与第二泄漏电流IoffT4之间的偏差也可以减小。换句话说，为了减小在第一节点N1处的第一泄漏电流IoffT3与在第二节点N2处的第二泄漏电流IoffT4之间的偏差，与所有灰度级对应的补偿电压数据可以存储在存储器132中。

另外，由于闪烁现象通常发生在低频驱动中，因此第八晶体管TR8可以在以第一频率(即，低频)驱动时由补偿栅信号GN导通，并且第八晶体管TR8可以在以第二频率(即，高频)驱动时截止。在其他实施例中，第八晶体管TR8可以在所有频率下由补偿栅信号GN导通，而与驱动频率无关。

然而，尽管根据本发明的像素电路PC已经被描述为包括一个驱动晶体管、两个双栅晶体管、两个电容器和一个存储电容器，但是本发明的配置不限于此。在实施例中，例如，像素电路PC可以具有包括至少一个驱动晶体管、至少一个双栅晶体管、至少一个电容器和至少一个存储电容器的配置。

另外，尽管包括在根据本发明的像素PX中的发光元件已经被描述为包括有机发光二极管OLED，但是本发明的配置不限于此。在实施例中，例如，发光元件可以包括量子点(“QD”)发光元件或无机发光二极管等。

由于在本发明的实施例中的显示装置100包括补偿驱动器130、第一电容器CAP1和第二电容器CAP2以及第八晶体管TR8，补偿驱动器130包括存储与所有灰度级对应的补偿电压数据的存储器132、在补偿电压数据当中确定与灰度级数据GD对应的补偿电压的计算器131以及生成补偿栅信号GN和补偿电压MINT的信号生成器133，并且补偿栅信号GN和补偿电压MINT施加到第八晶体管TR8，因此跨第三晶体管TR3和第四晶体管TR4中的每个的相反端的电压差可以在所有灰度级中减小，并且在第一泄漏电流IoffT3与第二泄漏电流IoffT4之间的偏差也可以减小。相应地，可以显著地减少可能发生在显示装置100中的闪烁现象。

图4是用于描述根据本发明的驱动显示装置的方法的实施例的流程图。

参照图1、图2、图3和图4，驱动显示装置100的方法可以包括：从控制器150接收驱动频率数据DFD(S510)、确定驱动频率数据DFD是与第一频率(例如，低频)驱动对应还是与第二频率(例如，高频)驱动对应(S520)、从数据驱动器120接收灰度级数据GD(S530)、在存储在存储器132中的补偿电压数据当中确定根据灰度级数据GD的灰度级而可变(或与灰度级对应的)补偿电压以减小跨第一双栅晶体管TR3和第二双栅晶体管TR4中的每个的相反端的电压差(S540)、生成补偿栅信号GN和补偿电压MINT(S550)以及将补偿栅信号GN和补偿电压MINT提供到像素PX(S560)。

补偿驱动器130可以从控制器150接收驱动频率数据DFD。

在将驱动频率数据DFD提供到计算器131之后，计算器131可以确定驱动频率数据DFD是与第一频率驱动对应还是与第二频率驱动对应。在实施例中，例如，第一频率可以是大于约0Hz且小于约60Hz的频率。另外，第二频率可以大于或等于约60Hz，并且小于或等于约240Hz。然而，上述频率范围是一个实施例，并且根据本发明的第一频率和第二频率不限于上述频率范围。

当计算器131确定的是驱动频率数据DFD与第一频率驱动对应时，灰度级数据GD可以从数据驱动器120提供到计算器131。相反，当计算器131确定的是驱动频率数据DFD与第二频率驱动对应时，灰度级数据GD可以不从数据驱动器120提供到计算器131，并且计算器131可以不被驱动。

当灰度级数据GD提供到计算器131时，计算器131可以在存储在存储器132中的补偿电压数据当中确定与灰度级数据GD对应的补偿电压，以减小跨第一双栅晶体管TR3和第二双栅晶体管TR4中的每个的相反端的电压差。在实施例中，例如，与所有灰度级(例如，0至255灰度级)对应的补偿电压数据可以存储在存储器132中。

信号生成器133可以基于与灰度级数据GD对应的补偿电压来生成补偿电压MINT，并且信号生成器133可以进一步生成补偿栅信号GN。

补偿驱动器130可以基于补偿控制信号CTLC而将补偿栅信号GN和补偿电压MINT输出到连接到补偿栅线GNL和补偿电压线MINTL的像素PX。

换句话说，由于闪烁现象通常发生在低频驱动中，因此第八晶体管TR8可以在以第一频率(即，低频)驱动时由补偿栅信号GN导通，并且第八晶体管TR8可以在以第二频率(即，高频)驱动时截止。

本发明的实施例中的驱动显示装置100的方法可以仅在低频驱动中执行，跨第三晶体管TR3和第四晶体管TR4中的每个的相反端的电压差可以在所有灰度级中减小，并且在第一泄漏电流IoffT3和第二泄漏电流IoffT4之间的偏差也可以减小。相应地，可以显著地减少可能发生在显示装置100中的闪烁现象。

图5是用于描述根据本发明的驱动显示装置的方法的实施例的流程图。

参照图1、图2、图3和图5，驱动显示装置100的方法可以包括：从数据驱动器120接收灰度级数据GD(S610)、在存储在存储器132中的补偿电压数据当中确定根据灰度级数据GD的灰度级而可变(或与灰度级对应的)补偿电压以减小跨第一双栅晶体管TR3和第二双栅晶体管TR4中的每个的相反端的电压差(S620)、生成补偿栅信号GN和补偿电压MINT(S630)以及将补偿栅信号GN和补偿电压MINT提供到像素PX(S640)。

灰度级数据GD可以从数据驱动器120提供到计算器131。当灰度级数据GD提供到计算器131时，计算器131可以在存储在存储器132中的补偿电压数据当中确定与灰度级数据GD对应的补偿电压，以减小跨第一双栅晶体管TR3和第二双栅晶体管TR4中的每个的相反端的电压差。在实施例中，例如，与所有灰度级(例如，0至255灰度级)对应的补偿电压数据可以存储在存储器132中。

信号生成器133可以基于与灰度级数据GD对应的补偿电压来生成补偿电压MINT，并且信号生成器133可以生成补偿栅信号GN。

补偿驱动器130可以基于补偿控制信号CTLC而将补偿栅信号GN和补偿电压MINT输出到连接到补偿栅线GNL和补偿电压线MINTL的像素PX。

换句话说，第八晶体管TR8可以在所有频率下由补偿栅信号GN导通，而与驱动频率无关。

图6是示出根据本发明的像素的实施例的电路图，并且图7是示出根据本发明的像素的实施例的电路图。除了第八晶体管TR8的配置之外，在图6和图7中示出的显示装置500和600可以具有与参照图1至图3描述的显示装置100的配置基本相同或相似的配置。在图6和图7中，将省略与参照图1至图3描述的部件基本相同或相似的部件的冗余描述。

参照图1、图2和图6，显示装置500可以包括像素PX，并且像素PX可以包括像素电路PC和有机发光二极管OLED。在这种情况下，像素电路PC可以包括第一晶体管至第八晶体管TR1、TR2、TR3、TR4、TR5、TR6、TR7和TR8、存储电容器CST、第一电容器CAP1和第二电容器CAP2等。另外，像素电路PC和有机发光二极管OLED可以连接到第一电源电压线ELVDDL、第二电源电压线ELVSSL、初始化电压线VINTL、数据线DL、栅线GL、发射线EML、补偿栅线GNL和补偿电压线MINTL等。第一晶体管TR1可以与驱动晶体管对应，第二晶体管至第八晶体管TR2、TR3、TR4、TR5、TR6、TR7和TR8可以与开关晶体管对应。第一晶体管至第八晶体管TR1、TR2、TR3、TR4、TR5、TR6、TR7和TR8中的每个可以包括第一端子、第二端子和栅端子。在实施例中，第一端子可以是源端子，并且第二端子可以是漏端子。在一些实施例中，第一端子可以是漏端子，并且第二端子可以是源端子。

第八晶体管TR8的栅端子可以接收补偿栅信号GN。在这种情况下，补偿栅信号GN可以通过补偿栅线GNL从补偿驱动器130(参照图1和图2)提供。第八晶体管TR8的第一端子可以接收补偿电压MINT。在这种情况下，补偿电压MINT可以通过补偿电压线MINTL从补偿驱动器130提供。第八晶体管TR8的第二端子可以仅连接到在第一电容器CAP1的第二电极与第一节点N1之间的第三节点N3。换句话说，当与图3的显示装置100相比时，第八晶体管TR8的第二端子可以不连接到在第二电容器CAP2的第四电极与第二节点N2之间的第四节点N4。

第八晶体管TR8可以在补偿栅信号GN的激活时段期间将补偿电压MINT提供到第三节点N3。换句话说，补偿电压MINT可以提供到第一节点N1。

在实施例中，补偿电压MINT的电压电平可以根据灰度级而可变。在实施例中，例如，流过第一节点N1的泄漏电流可以根据灰度级而变化。在这种情况下，流过第一节点N1的泄漏电流将被定义为第一泄漏电流IoffT3。为了减小第一泄漏电流IoffT3，跨第三晶体管TR3的相反端的电压差必须减小。为了减小电压差，补偿电压MINT可以施加到第三节点N3。

相反，如在图7中所示出的，根据显示装置600，第八晶体管TR8的第二端子可以仅连接到在第二电容器CAP2的第四电极与第二节点N2之间的第四节点N4。换句话说，当与图3的显示装置100相比时，第八晶体管TR8的第二端子可以不连接到在第一电容器CAP1的第二电极与第一节点N1之间的第三节点N3。

第八晶体管TR8可以在补偿栅信号GN的激活时段期间将补偿电压MINT提供到第四节点N4。换句话说，补偿电压MINT可以提供到第二节点N2。

在实施例中，补偿电压MINT的电压电平可以根据灰度级而可变。在实施例中，例如，流过第二节点N2的泄漏电流可以根据灰度级而变化。在这种情况下，流过第二节点N2的泄漏电流将被定义为第二泄漏电流IoffT4。为了减小第二泄漏电流IoffT4，跨第四晶体管TR4的相反端的电压差必须减小。为了减小电压差，补偿电压MINT可以施加到第四节点N4。

图8是示出根据本发明的像素的实施例的电路图。除了第四晶体管TR4的配置和第八晶体管TR8的配置之外，在图8中示出的显示装置700可以具有与参照图1至图3描述的显示装置100的配置基本相同或相似的配置。在图8中，将省略与参照图1至图3描述的部件基本相同或相似的部件的冗余描述。

参照图1、图2和图8，显示装置700可以包括像素PX，并且像素PX可以包括像素电路PC和有机发光二极管OLED。在这种情况下，像素电路PC可以包括第一晶体管至第八晶体管TR1、TR2、TR3、TR4、TR5、TR6、TR7和TR8、存储电容器CST和第一电容器CAP1等。在这种情况下，仅第三晶体管TR3可以用作双栅晶体管。

第八晶体管TR8的第二端子可以仅连接到在第一电容器CAP1的第二电极与第一节点N1之间的第三节点N3。

图9是示出根据本发明的像素的实施例的电路图。除了第三晶体管TR3的配置和第八晶体管TR8的配置之外，在图9中示出的显示装置800可以具有与参照图1至图3描述的显示装置100的配置基本相同或相似的配置。在图9中，将省略与参照图1至图3描述的部件基本相同或相似的部件的冗余描述。

参照图1、图2和图9，显示装置800可以包括像素PX，并且像素PX可以包括像素电路PC和有机发光二极管OLED。在这种情况下，像素电路PC可以包括第一晶体管至第八晶体管TR1、TR2、TR3、TR4、TR5、TR6、TR7和TR8、存储电容器CST和第二电容器CAP2等。在这种情况下，仅第四晶体管TR4可以用作双栅晶体管。

第八晶体管TR8的第二端子可以仅连接到在第二电容器CAP2的第四电极与第二节点N2之间的第四节点N4。

图10是示出根据本发明的像素的实施例的电路图。除了第三晶体管TR3的配置和第四晶体管TR4的配置之外，在图9中示出的显示装置900可以具有与参照图1至图3描述的显示装置100的配置基本相同或相似的配置。在图10中，将省略与参照图1至图3描述的部件基本相同或相似的部件的冗余描述。

参照图1、图2和图10，显示装置900可以包括像素PX，并且像素PX可以包括像素电路PC和有机发光二极管OLED。在这种情况下，像素电路PC可以包括第一晶体管至第八晶体管TR1、TR2、TR3、TR4、TR5、TR6、TR7和TR8、存储电容器CST、第一电容器CAP1和第二电容器CAP2等。另外，像素电路PC和有机发光二极管OLED可以连接到第一电源电压线ELVDDL、第二电源电压线ELVSSL、初始化电压线VINTL、数据线DL、栅线GL、发射线EML、补偿栅线GNL和补偿电压线MINTL等。第一晶体管TR1可以与驱动晶体管对应，并且第二晶体管至第八晶体管TR2、TR3、TR4、TR5、TR6、TR7和TR8可以与开关晶体管对应。第一晶体管至第八晶体管TR1、TR2、TR3、TR4、TR5、TR6、TR7和TR8中的每个可以包括第一端子、第二端子和栅端子。在实施例中，第一端子可以是源端子，并且第二端子可以是漏端子。在一些实施例中，第一端子可以是漏端子，并且第二端子可以是源端子。

第三晶体管TR3的栅端子可以接收栅信号GW。第三晶体管TR3的第一端子可以连接到第一晶体管TR1的栅端子。第三晶体管TR3的第二端子可以连接到第一晶体管TR1的第二端子。换句话说，第三晶体管TR3可以连接在第一晶体管TR1的栅端子与第一晶体管TR1的第二端子之间。

在实施例中，第三晶体管TR3可以被定义为第一三栅晶体管。第一三栅晶体管可以包括第一子晶体管TR3_1、第二子晶体管TR3_2和第三子晶体管TR3_3。第一子晶体管TR3_1、第二子晶体管TR3_2和第三子晶体管TR3_3可以串联连接，并且第一节点N1和第二节点N2可以将第一子晶体管TR3_1、第二子晶体管TR3_2和第三子晶体管TR3_3彼此连接。换句话说，第三晶体管TR3可以操作为三栅晶体管，并且相同的信号可以施加到第一子晶体管TR3_1、第二子晶体管TR3_2和第三子晶体管TR3_3中的每个的栅端子。也就是说，第一子晶体管TR3_1、第二子晶体管TR3_2和第三子晶体管TR3_3中的每个的栅端子可以接收栅信号GW。另外，第一子晶体管TR3_1的第二端子和第二子晶体管TR3_2的第一端子可以彼此连接，并且第二子晶体管TR3_2的第二端子和第三子晶体管TR3_3的第一端子可以彼此连接。

第四晶体管TR4的栅端子可以接收栅初始化信号GI。第四晶体管TR4的第一端子可以接收初始化电压VINT。第四晶体管TR4的第二端子可以连接到第一晶体管TR1的栅端子。换句话说，第四晶体管TR4可以连接在第一子晶体管TR3_1与初始化电压线VINTL之间。

在实施例中，第四晶体管TR4可以被定义为第二三栅晶体管。第二三栅晶体管可以包括第四子晶体管TR4_1、第五子晶体管TR4_2和第六子晶体管TR4_3。第四子晶体管TR4_1、第五子晶体管TR4_2和第六子晶体管TR4_3可以串联连接，并且第三节点N3和第四节点N4可以将第四子晶体管TR4_1、第五子晶体管TR4_2和第六子晶体管TR4_3彼此连接。换句话说，第四晶体管TR4可以操作为三栅晶体管，并且相同的信号可以施加到第四子晶体管TR4_1、第五子晶体管TR4_2和第六子晶体管TR4_3中的每个的栅端子。也就是说，第四子晶体管TR4_1、第五子晶体管TR4_2和第六子晶体管TR4_3中的每个的栅端子可以接收栅初始化信号GI。另外，第四子晶体管TR4_1的第二端子和第五子晶体管TR4_2的第一端子可以彼此连接，并且第五子晶体管TR4_2的第二端子和第六子晶体管TR4_3的第一端子可以彼此连接。

第八晶体管TR8的栅端子可以接收补偿栅信号GN。在这种情况下，补偿栅信号GN可以通过补偿栅线GNL从补偿驱动器130(参照图1和图2)提供。第八晶体管TR8的第一端子可以接收补偿电压MINT。在这种情况下，补偿电压MINT可以通过补偿电压线MINTL从补偿驱动器130提供。第八晶体管TR8的第二端子可以同时连接到在第一节点N1和第二节点N2连接到的节点与第一电容器CAP1的第二电极之间的第五节点N5以及在第三节点N3和第四节点N4连接到的节点与第二电容器CAP2的第四电极之间的第六节点N6。

图11是示出根据本发明的包括显示装置的电子装置的框图。

参照图11，电子装置1100可以包括处理器1110、存储器装置1120、储存装置1130、输入/输出(“I/O”)装置1140、电源1150和显示装置1160。电子装置1100可以进一步包括用于与视频卡、声卡、存储卡、通用串行总线(“USB”)装置、其他电子装置等进行通信的多个端口。

处理器1110可以执行各种计算功能或任务。处理器1110可以是应用处理器(“AP”)、微处理器、中央处理单元(“CPU”)等。处理器1110可以经由地址总线、控制总线、数据总线等耦接到其他部件。此外，在实施例中，处理器1110可以进一步耦接到诸如外围部件互连(“PCI”)总线的扩展总线。

存储器装置1120可以存储用于电子装置1100的操作的数据。在实施例中，例如，存储器装置1120可以包括诸如可擦除可编程只读存储器(“EPROM”)装置、电可擦除可编程只读存储器(“EEPROM”)装置、闪存装置、相变随机存取存储器(“PRAM”)装置、电阻随机存取存储器(“RRAM”)装置、纳米浮栅存储器(“NFGM”)装置、聚合物随机存取存储器(“PoRAM”)装置、磁性随机存取存储器(“MRAM”)装置、铁电随机存取存储器(“FRAM”)装置等的至少一种非易失性存储器装置和/或诸如动态随机存取存储器(“DRAM”)装置、静态随机存取存储器(“SRAM”)装置、移动动态随机存取存储器(“移动DRAM”)装置等的至少一种易失性存储器装置。

储存装置1130可以是固态驱动器(“SSD”)装置、硬盘驱动器(“HDD”)装置、光盘只读存储器(“CD-ROM”)装置等。I/O装置1140可以是诸如键盘、小键盘、鼠标、触摸屏等的输入装置以及诸如打印机、扬声器等的输出装置。电源1150可以为电子装置1100的操作供应电力。显示装置1160可以通过总线或其他通信链路耦接到其他部件。在实施例中，显示装置1160可以是包括包含上述有机发光二极管OLED的像素PX的有机发光显示装置。

显示装置1600可以包括包含多个像素的显示面板、控制器、数据驱动器、栅驱动器、发射驱动器、电源单元、伽马参考电压生成器和补偿驱动器等。在这种情况下，补偿驱动器可以包括计算器、存储器和信号生成器。另外，像素中的每个可以包括像素电路和有机发光二极管，并且像素电路可以包括第一晶体管至第八晶体管、存储电容器、第一电容器和第二电容器等。此外，第一晶体管可以与驱动晶体管对应，并且第三晶体管和第四晶体管中的每个可以操作为双栅晶体管。在实施例中，与所有灰度级对应的补偿电压数据可以存储在存储器中。计算器可以在补偿电压数据当中确定与灰度级数据对应的补偿电压，并且信号生成器可以生成补偿栅信号和补偿电压。补偿驱动器可以将补偿栅信号和补偿电压提供到第八晶体管。相应地，跨第三晶体管和第四晶体管中的每个的相反端的电压差可以在所有灰度级中减小，并且在第一泄漏电流和第二泄漏电流之间的偏差也可以减小。也就是说，可以显著地减少可能发生在显示装置1160中的闪烁现象。

本发明的实施例可以应用于支持可变帧模式的任何显示装置1160以及包括显示装置1160的任何电子装置1100。例如，本发明的实施例可以应用于智能电话、可穿戴电子装置、移动电话、电视(“TV”)(例如，数字TV或三维(“3D”)TV)、个人计算机(例如，平板计算机或膝上型计算机)、家用电器、个人数字助理(“PDA”)、便携式多媒体播放器(“PMP”)、数码相机、音乐播放器、便携式游戏机、导航装置等。

本发明的实施例可以应用于包括显示装置的各种电子装置。例如，本发明的实施例可以应用于诸如车辆显示装置、船舶显示装置、飞机显示装置、便携式通信装置、展览显示装置、信息传输显示装置、医疗显示装置等的许多电子装置。

前述是对实施例的例示并且不解释为对其的限制。尽管已经描述了一些实施例，但是本领域技术人员将容易理解的是，对实施例的许多修改是可能的，而实质上不脱离本发明的新颖的教导和优点。相应地，所有这样的修改旨在包括在如权利要求中所限定的本发明的范围内。因此，将理解的是，前述是对各种实施例的例示并且不解释为限于公开的实施例，并且对公开的实施例以及其他实施例的修改旨在包括在所附权利要求的范围内。

Claims (12)

1.一种像素，包括：

有机发光二极管，基于驱动电流输出光，并且包括第一端子和第二端子；

驱动晶体管，生成所述驱动电流，并且包括第一电源电压施加到的第一端子、电连接到所述有机发光二极管的所述第一端子的第二端子以及初始化电压施加到的栅端子；

第一双栅晶体管，连接在所述驱动晶体管的所述栅端子与所述驱动晶体管的所述第二端子之间，并且包括串联连接的第一子晶体管和第二子晶体管；

第一电容器，包括所述第一电源电压施加到的第一电极及连接到将所述第一子晶体管和所述第二子晶体管彼此连接的第一节点的第二电极；以及

补偿晶体管，包括补偿电压施加到的第一端子、连接在所述第二电极与所述第一节点之间的第二端子以及补偿栅信号施加到的栅端子。

2.根据权利要求1所述的像素，其中，所述补偿电压的电压电平根据灰度级而可变。

3.根据权利要求1所述的像素，进一步包括：

第二双栅晶体管，连接在所述第一子晶体管与所述初始化电压提供到的初始化电压线之间，并且包括串联连接的第三子晶体管和第四子晶体管。

4.根据权利要求3所述的像素，进一步包括：

第二电容器，包括所述第一电源电压施加到的第三电极和连接到将所述第三子晶体管和所述第四子晶体管彼此连接的第二节点的第四电极。

5.根据权利要求4所述的像素，其中，所述补偿晶体管的所述第二端子附加地连接在所述第四电极与所述第二节点之间，并且将具有根据灰度级而可变的电压电平的所述补偿电压提供到所述第一节点和所述第二节点。

6.根据权利要求5所述的像素，其中，当所述像素以第一频率驱动时，所述补偿晶体管响应于所述补偿栅信号将所述补偿电压提供到所述第一节点和所述第二节点，并且

所述补偿晶体管减小在所述第一节点处的泄漏电流与在所述第二节点处的泄漏电流之间的偏差。

7.根据权利要求6所述的像素，其中，当所述像素以与所述第一频率不同的第二频率驱动时，所述补偿晶体管截止。

8.根据权利要求7所述的像素，其中，所述第一频率大于0赫兹且小于60赫兹，并且

所述第二频率大于或等于60赫兹且小于或等于240赫兹。

9.根据权利要求1所述的像素，其中，所述第一双栅晶体管响应于栅信号而将所述驱动晶体管二极管连接。

10.根据权利要求1所述的像素，进一步包括：

存储电容器，包括所述第一电源电压施加到的第一端子和连接到所述驱动晶体管的所述栅端子的第二端子；以及

第一开关晶体管，包括连接到所述驱动晶体管的所述第一端子的第二端子、数据电压施加到的第一端子以及栅信号施加到的栅端子。

11.根据权利要求1所述的像素，进一步包括：

第二开关晶体管，包括连接到所述第一电源电压提供到的第一电源电压线的第一端子、连接到所述驱动晶体管的所述第一端子的第二端子以及发射信号施加到的栅端子；以及

第三开关晶体管，包括连接到所述驱动晶体管的所述第二端子的第一端子、连接到所述有机发光二极管的所述第一端子的第二端子以及所述发射信号施加到的栅端子。

12.根据权利要求1至11中任何一项所述的像素，进一步包括：

第四开关晶体管，包括所述初始化电压施加到的第一端子、连接到所述有机发光二极管的所述第一端子的第二端子以及阳极初始化信号施加到的栅端子。

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