CN115705804A - 电子装置 - Google Patents

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洪正武
高庆旼
朴成均
全相炫
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Abstract

一种电子装置，包括：基体层；第一感测图案，设置在所述基体层上并且包括多条第一网格线；第二感测图案，设置在所述基体层上，与所述第一感测图案间隔开，并且包括多条第二网格线；以及遮光图案，设置在所述多条第一网格线和所述多条第二网格线上，并且包括多条遮光网格线。所述多条遮光网格线的最小厚度大于所述多条第一网格线的厚度和所述多条第二网格线的厚度。

Description

电子装置
相关申请的交叉引用
本申请要求于2021年8月4日在韩国知识产权局提交的第10-2021-0102330号韩国专利申请的优先权，上述韩国专利申请的公开内容通过引用全部并入本文。
技术领域
本公开的实施例涉及一种电子装置，并且更具体地，涉及一种通过降低来自外部的入射光的反射率来提高其黑色可见度的电子装置。
背景技术
电子装置通过接收电信号而被激活。电子装置包括显示图像的显示装置和/或感测外部施加的触摸的触摸屏幕。电子装置可以包括由电信号激活的各种导电图案。具有激活的导电图案的区域显示信息以及/或者对从电子装置的外部施加的诸如触摸的外部输入作出反应。导电图案可以包括设置在外围区域中的信号线。信号线对于入射的外部光具有更高的反射率。
发明内容
本公开的实施例提供一种能够防止感测图案之间的边界被从电子装置的外部观看到(例如，被用户观看到)的电子装置。
根据实施例，一种电子装置包括：基体层；第一感测图案，设置在所述基体层上并且包括多条第一网格线；第二感测图案，设置在所述基体层上，与所述第一感测图案间隔开，并且包括多条第二网格线；以及遮光图案，设置在所述多条第一网格线和所述多条第二网格线上，并且包括多条遮光网格线。所述多条遮光网格线的最小厚度大于所述多条第一网格线的厚度和所述多条第二网格线的厚度。
在实施例中，所述多条第一网格线包括：第一线，在第一交叉方向上延伸；和第一交叉线，在与所述第一交叉方向交叉的第二交叉方向上延伸，所述多条第二网格线包括：第二线，在所述第一交叉方向上延伸并且在所述第一交叉方向上与所述第一线间隔开；和第二交叉线，在所述第二交叉方向上延伸。所述多条遮光网格线包括：遮光线，在所述第一交叉方向上延伸；和交叉遮光线，在所述第二交叉方向上延伸。所述遮光线与所述第一线、所述第二线以及所述第一线和所述第二线之间的间隙重叠。
在实施例中，所述多条遮光网格线中的每一条的宽度大约等于或大于所述多条第一网格线中的每一条的宽度。
在实施例中，所述多条第一网格线中的每一条包括：顶表面和连接到所述顶表面的侧表面。所述顶表面直接接触所述多条遮光网格线中的一条遮光网格线。
在实施例中，所述侧表面未被所述一条遮光线覆盖。
在实施例中，所述顶表面和连接到所述顶表面的所述侧表面被所述一条遮光网格线覆盖。
在实施例中，所述电子装置还包括：有机层，设置在所述第一感测图案和所述基体层之间以及设置在所述第二感测图案和所述基体层之间；和桥接图案，设置在所述基体层和所述有机层之间并且电连接到所述第二感测图案。
在实施例中，所述有机层的厚度等于或大于大约0.5微米且等于或小于大约4微米。
在实施例中，所述第一感测图案包括：多个第一开口；和第二开口，具有大于所述多个第一开口中的每一者的尺寸的尺寸，并且所述第二开口与所述桥接图案的一部分重叠。
在实施例中，所述电子装置还包括：偏光膜，设置在所述遮光图案上；和粘合剂层，设置在所述遮光图案和偏光膜之间。所述粘合剂层包括不平坦的底表面和平坦的顶表面。所述遮光图案直接接触所述粘合剂层的所述底表面，并且所述偏光膜直接接触所述粘合剂层的所述顶表面。
在实施例中，所述电子装置还包括：平坦化层，覆盖所述遮光图案并且包括平坦的顶表面；粘合剂层，设置在所述平坦化层上并且附着到所述平坦化层的所述顶表面；以及偏光膜，设置在所述粘合剂层上。
在实施例中，所述电子装置包括：显示层，设置在所述基体层下面并且包括：显示区域，显示图像；和非显示区域，与所述显示区域相邻。所述第一感测图案、所述第二感测图案和所述遮光图案与所述显示区域重叠。
在实施例中，所述电子装置还包括：第一迹线，设置在所述基体层上并且连接到所述第一感测图案；和第二迹线，设置在所述基体层上并且连接到所述第二感测图案。所述遮光图案还包括：第一遮光线和第二遮光线，分别与所述第一迹线和所述第二迹线重叠。
在实施例中，所述第一迹线、所述第二迹线、所述第一遮光线以及所述第二遮光线与所述非显示区域重叠。
在实施例中，所述第一迹线的一部分、所述第二迹线的一部分、所述第一遮光线的一部分以及所述第二遮光线的一部分与所述显示区域重叠。
在实施例中，所述电子装置还包括：虚设线，与所述显示区域重叠并且设置在所述第一迹线和所述第二迹线之间。所述遮光图案还包括：遮光虚设线，与所述虚设线重叠。
在实施例中，所述多条遮光网格线的所述最小厚度在大约0.5微米至大约4微米的范围内。所述多条第一网格线的所述厚度和所述多条第二网格线的所述厚度中的每一者在大约0.2微米至大约0.4微米的范围内。
在实施例中，构成所述第一感测图案的所述多条第一网格线彼此连续地连接，并且构成所述第二感测图案的所述多条第二网格线彼此连续地连接。
根据本公开的实施例，一种电子装置包括：显示层，包括第一基体层、设置在所述第一基体层上的电路层、设置在所述电路层上的发光器件层以及设置在所述发光器件层上的封装层；传感器层，包括直接设置在所述封装层上的第二基体层、设置在所述第二基体层上的多个感测图案以及与所述多个感测图案重叠的遮光图案；以及偏光膜，设置在所述传感器层上。所述遮光图案直接接触所述多个感测图案的顶表面，并且所述遮光图案的最小厚度大于所述多个感测图案中的每一者的厚度。
在实施例中，在所述电子装置中，所述传感器层还包括：多条迹线，连接到所述多个感测图案；和多条遮光线，与所述多条迹线重叠。
在实施例中，所述电子装置还包括介于所述传感器层和所述偏光膜之间的平坦化层，并且包括不平坦的底表面和平坦的顶表面。
在实施例中，所述传感器层还包括：有机层，设置在所述第二基体层和多个感测图案之间；和桥接图案，设置在所述第二基体层和所述有机层之间并且电连接到所述多个感测图案中的至少一个感测图案。所述有机层的厚度等于或大于大约0.5微米且等于或小于大约4微米。
附图说明
通过参照附图详细描述本公开的实施例，本公开的以上及其它目的和特征将变得明显，在附图中：
图1是根据本公开的实施例的电子装置的透视图；
图2是根据本公开的实施例的电子装置的示意性截面图；
图3是根据本公开的实施例的电子装置的一些组件的示意性截面图；
图4是根据本公开的实施例的显示层的平面图；
图5是根据本公开的实施例的传感器层的平面图；
图6A是根据本公开的实施例的图5中示出的区域AA'的放大平面图；
图6B是根据本公开的实施例的图6A中示出的区域BB'的放大平面图；
图7是根据本公开的实施例的沿着图6B的线I-I'截取的传感器层的截面图；
图8A是根据本公开的实施例的沿着图6B的线II-II'截取的传感器层的截面图；
图8B是根据本公开的实施例的沿着图6B的线II-II'截取的传感器层的截面图；
图9是根据本公开的实施例的图5中示出的区域AA'的放大平面图；
图10是根据本公开的实施例的沿着图9的线III-III'截取的传感器层的截面图；
图11是示出根据本公开的实施例的电子装置的一些组件的截面图；
图12是根据本公开的实施例的传感器层的平面图；
图13A是根据本公开的实施例的沿着图12的线IV-IV'截取的传感器层的截面图；以及
图13B是根据本公开的实施例的沿着图12的线IV-IV'截取的传感器层的截面图。
具体实施方式
下文中将参照附图更全面地描述本公开的实施例。在整个附图中，同样的附图标记可以指代同样的元件。
将理解的是，当诸如膜、区、层或元件的组件被称为“在”另一组件“上”、“连接到”另一组件、“耦接到”另一组件或“与”另一组件“相邻”时，所述组件可以直接在所述另一组件上、直接连接到所述另一组件、直接耦接到所述另一组件或直接与所述另一组件相邻，或者可以存在居间组件。还将理解的是，当组件被称为“在”两个组件“之间”时，所述组件可以是所述两个组件之间的唯一组件，或者还可以存在一个或多个居间组件。还将理解的是，当组件被称为“覆盖”另一组件时，所述组件可以是覆盖所述另一组件的唯一组件，或者一个或多个居间组件也可以覆盖所述另一组件。用于描述组件之间的关系的其他词语应以类似的方式解释。
术语“和/或”包括相关所列项的一种或多种组合。
尽管可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种组件，但是所述组件不应被解释为受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个组件与另一组件区分开。因此，在不脱离本公开的范围和精神的情况下，第一组件可以被称为第二组件，并且类似地，第二组件可以被称为第一组件。
在本文中，除非上下文另有明确指示，否则单数形式旨在包括复数形式。
此外，术语“在……下面”、“在……下方”、“在……上”、“在……上方”等用于描述附图中示出的组件的相关性。基于附图中示出的方向描述在概念上相对的术语。
将理解的是，术语“包括”、“包含”、“具有”等说明存在说明书中描述的特征、数量、步骤、操作、元件或组件或者它们的组合，而不排除存在或添加一个或多个其它特征、数量、步骤、操作、元件或组件或者它们的组合的可能性。
在本文中，当两个或更多个元件或值被描述为彼此基本上相同或彼此大约相等时，将理解的是，元件或值彼此相同，元件或值在测量误差内彼此相等，或者将如本领域普通技术人员所理解的，如果可测量地不相等，则在值上足够接近以在功能上彼此相等。例如，考虑到讨论中的测量和与特定量的测量相关的误差(例如，测量系统的局限性)，如本文中所使用的术语“大约”包括陈述值，并且意指在由本领域普通技术人员确定的特定值的可接受的偏差范围内。例如，“大约”可以表示在如本领域普通技术人员所理解的一个或多个标准偏差内。此外，将理解，虽然在本文中可以将参数描述为具有“大约”某个值，但是根据实施例，如本领域普通技术人员将理解的，该参数可以是恰好某个值或者在测量误差内的近似某个值。应以类似的方式解释描述组件之间的关系的这些术语和类似术语的其他用途。
图1是根据本公开的实施例的电子装置1000的透视图。
参照图1，电子装置1000可以响应于电信号而被激活。例如，电子装置1000可以是蜂窝电话、智能电话、平板计算机、汽车导航系统、游戏机或可穿戴装置。然而，电子装置1000不限于此。图1示出了电子装置1000是蜂窝电话。
电子装置1000可以包括限定在电子装置1000中的显示区域1000A和非显示区域1000NA。非显示区域1000NA可以是显示区域1000A的外围区域。电子装置1000可以通过显示区域1000A显示图像。
电子装置1000的厚度方向可以平行于与第一方向DR1和第二方向DR2交叉的第三方向DR3。因此，可以基于第三方向DR3来限定构成电子装置1000的构件的前表面(或顶表面)和后表面(或底表面)。措辞“在平面上观看”可以表示“在电子装置1000的第三方向DR3上观看”。
图2是根据本公开的实施例的电子装置1000的示意性截面图。
参照图2，电子装置1000可以包括显示层100、传感器层200、光学膜300和窗400。根据本公开的实施例，可以省略以上组件中的一些，并且可以另外添加另一组件(多个组件)。粘合剂层可以介于这些组件之间。粘合剂层可以包括例如光学透明粘合剂(OCA)膜或压敏粘合剂(PSA)膜。下面将要描述的粘合剂层可以包括以上材料或典型的粘附剂。
显示层100可以是生成图像的组件。显示层100可以是发光显示层。例如，显示层100可以是有机发光显示层、无机发光显示层、有机-无机显示层、量子点显示层、微型LED显示层或纳米LED显示层。
传感器层200可以设置在显示层100上。传感器层200可以感测从电子装置1000的外部施加到传感器层200的外部输入。外部输入可以是用户输入。用户输入可以包括各种类型的外部输入，诸如来自用户的身体的一部分(例如，用户的手指)或笔的输入、光、热或压力。
传感器层200可以通过连续工艺形成在显示层100上。在这种情况下，传感器层200可以被表示为直接设置在显示层100上。短语“直接设置”可以表示在传感器层200和显示层100之间未设置居间组件。换言之，根据实施例，当传感器层200直接设置在显示层100上时，粘合剂构件不介于传感器层200和显示层100之间。可替代地，根据实施例，传感器层200可以通过粘合剂构件接合到显示层100。粘合剂构件可以包括典型的粘合剂或粘着剂。
光学膜300可以降低从外部入射的光的反射率。光学膜300可以包括例如延迟器和偏振器。光学膜300可以被称为偏光膜。光学膜300可以通过粘合剂层附着到传感器层200。
窗400可以设置在光学膜300上。窗400可以包括光学透明材料。例如，窗400可以包括玻璃或塑料。窗400可以具有多层结构或单层结构。例如，窗400可以包括通过粘合剂彼此接合的多个塑料膜，或者可以具有通过粘合剂彼此接合的玻璃基底和塑料膜。
图3是根据本公开的实施例的电子装置1000的一些组件的示意性截面图。
图3示出了电子装置1000的组件之中的显示层100、传感器层200和光学膜300。
显示层100可以包括基体层110、电路层120、发光器件层130和封装层140。基体层110可以被称为显示基体层110。
基体层110可以是提供用于设置电路层120的基体表面的构件。基体层110可以是例如刚性基底或允许弯曲、折叠或卷曲的柔性基底。基体层110可以是例如玻璃基底、金属基底或聚合物基底等。然而，本公开的实施例不限于此。例如，根据实施例，基体层110可以是无机层、有机层或复合材料层。
基体层110可以具有多层结构。例如，基体层110可以包括第一合成树脂层、以多层结构或单层结构的中间层以及设置在中间层上的第二合成树脂层。中间层可以被称为基体阻挡层。中间层可以包括例如氧化硅(SiOx)层和设置在氧化硅层上的非晶硅(a-Si)层。例如，中间层可以包括氧化硅层、氮化硅层、氮氧化硅层和非晶硅层中的至少一种。
第一合成树脂层和第二合成树脂层中的每一者可以包括聚酰亚胺基树脂。此外，第一合成树脂层和第二合成树脂层中的每一者可以包括丙烯酸酯基树脂、甲基丙烯酸酯基树脂、聚异戊二烯基树脂、乙烯基树脂、环氧基树脂、聚氨酯基树脂、纤维素基树脂、硅氧烷基树脂、聚酰胺基树脂和苝基树脂中的至少一种。说明书中的短语“～基树脂”表示“～基树脂”包括“～”的官能团。
电路层120可以设置在基体层110上。电路层120可以包括例如绝缘层、半导体图案、导电图案和信号线。绝缘层、半导体层和导电层可以通过涂覆或沉积工艺形成在基体层110上，并且然后可以通过多个光刻工艺将绝缘层、半导体层和导电层选择性地图案化。此后，可以形成被包括在电路层120中的半导体图案、导电图案和信号线。
缓冲层BFL可以设置在基体层110上。缓冲层BFL可以防止金属原子或杂质从基体层110扩散到半导体图案中。另外，缓冲层BFL可以调节在用于形成半导体图案的结晶工艺期间施加热的速度，使得均匀地形成半导体图案。
半导体图案可以设置在缓冲层BFL上。半导体图案可以包括硅半导体。例如，硅半导体可以包括非晶硅或多晶硅。例如，半导体图案可以包括低温多晶硅。然而，本公开的实施例不限于此。例如，根据实施例，半导体图案可以包括氧化物半导体。
图3仅示出了设置在缓冲层BFL上的半导体图案的一部分，并且半导体图案的另一部分可以另外设置在另一区域中。半导体图案可以跨像素以特定规则布置。取决于半导体图案是否被掺杂，半导体图案可以具有不同的电特性。半导体图案可以包括具有较高的电导率的第一区域和具有较低的电导率的第二区域。第一区域可以掺杂有N型掺杂剂或P型掺杂剂。P型晶体管可以包括掺杂有P型掺杂剂的掺杂区域，并且N型晶体管可以包括掺杂有N型掺杂剂的掺杂区域。第二区域可以是非掺杂区域，或者可以是以低于第一区域的浓度的浓度掺杂的区域。
在实施例中，第一区域的电导率高于第二区域的电导率。第一区域可以基本上用作电极或信号线。第二区域可以基本上与晶体管的有源区域(或沟道)相对应。换言之，半导体图案的一部分可以是晶体管的有源区域，半导体图案的另一部分可以是晶体管的源极区域或漏极区域，并且半导体图案的又一部分可以是连接电极或连接信号线。
多个像素中的每一者可以具有包括七个晶体管、一个电容器和发光器件的等效电路，并且可以以各种形式修改像素的等效电路。在图3中通过示例的方式示出了被包括在像素中的一个晶体管100PC和一个发光器件100PE。
晶体管100PC的源极区域S1、有源区域A1和漏极区域D1可以由半导体图案形成。当在截面图中观看时，源极区域S1和漏极区域D1可以从有源区域A1在彼此相反的方向上延伸。图3中示出了由半导体图案形成的连接信号线SCL的一部分。在实施例中，当在平面图中观看时，连接信号线SCL可以连接到晶体管100PC的漏极区域D1。
第一绝缘层10可以设置在缓冲层BFL上。第一绝缘层10可以与多个像素公共地重叠，并且可以覆盖半导体图案。第一绝缘层10可以是例如无机层和/或有机层，并且可以具有单层结构或多层结构。第一绝缘层10可以包括例如氧化铝、氧化钛、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化锆和氧化铪中的至少一种。根据实施例，第一绝缘层10可以是具有单层结构的氧化硅层。第一绝缘层10和待后述的电路层120的绝缘层可以是无机层和/或有机层，并且可以具有单层结构或多层结构。无机层可以包括但不限于上述材料中的至少一种。
晶体管100PC的栅极G1设置在第一绝缘层10上。栅极G1可以是金属图案的一部分。栅极G1与有源区域A1重叠。栅极G1可以用作掺杂半导体图案的工艺中的掩模。
第二绝缘层20可以设置在第一绝缘层10上并且可以覆盖栅极G1。第二绝缘层20可以与像素公共地重叠。第二绝缘层20可以是例如无机层和/或有机层，并且可以具有单层结构或多层结构。根据实施例，第二绝缘层20可以是例如具有单层结构的氧化硅层或氮化硅层。
第三绝缘层30可以设置在第二绝缘层20上。根据实施例，第三绝缘层30可以是例如具有单层结构的氧化硅层或氮化硅层。
第一连接电极CNE1可以设置在第三绝缘层30上。第一连接电极CNE1可以通过穿过第一绝缘层10、第二绝缘层20和第三绝缘层30形成的接触孔CNT-1连接到连接信号线SCL。
第四绝缘层40可以设置在第三绝缘层30上并且可以覆盖第一连接电极CNE1。第四绝缘层40可以是具有单层结构的氧化硅层。第五绝缘层50可以设置在第四绝缘层40上。第五绝缘层50可以是有机层。
第二连接电极CNE2可以设置在第五绝缘层50上。第二连接电极CNE2可以通过穿过第四绝缘层40和第五绝缘层50形成的接触孔CNT-2连接到第一连接电极CNE1。
第六绝缘层60可以设置在第五绝缘层50上并且可以覆盖第二连接电极CNE2。第六绝缘层60可以是有机层。
发光器件层130可以设置在电路层120上。发光器件层130可以包括发光器件100PE。例如，发光器件层130可以包括有机发光材料、无机发光材料、有机-无机发光材料、量子点、量子棒、微型LED或纳米LED。
包括发光器件100PE的发光器件层130可以设置在电路层120上。发光器件100PE可以包括第一电极AE、发光层EL和第二电极CE。
第一电极AE可以设置在第六绝缘层60上。第一电极AE可以通过穿过第六绝缘层60形成的接触孔CNT-3连接到第二连接电极CNE2。
像素限定层70可以设置在第六绝缘层60上并且可以覆盖第一电极AE的一部分。在像素限定层70中限定开口70-OP。像素限定层70的开口70-OP暴露第一电极AE的至少一部分。
如图3中所示，显示区域100A(参见图4)可以包括发光区域PXA和与发光区域PXA相邻的非发光区域NPXA。非发光区域NPXA可以围绕发光区域PXA。在实施例中，发光区域PXA被限定为与第一电极AE的被开口70-OP暴露的部分相对应。
发光层EL可以设置在第一电极AE上。发光层EL可以设置在由开口70-OP限定的区域中。换言之，可以为像素中的每一者单独地形成发光层EL。当为每个像素单独地形成发光层EL时，发光层EL中的每一者可以发射蓝色、红色和绿色中的至少一种的光。然而，本公开的实施例不限于此，并且根据实施例，可以将发光层EL公共地提供给多个像素。在这种情况下，发光层EL可以提供蓝光或白光。
第二电极CE可以设置在发光层EL上。第二电极CE可以公共地一体地设置在多个像素中。
在实施例中，空穴控制层可以介于第一电极AE和发光层EL之间。空穴控制层可以公共地设置在发光区域PXA和非发光区域NPXA中。空穴控制层可以包括空穴传输层，并且还可以包括空穴注入层。电子控制层可以介于发光层EL和第二电极CE之间。电子控制层可以包括电子传输层，并且还可以包括电子注入层。空穴控制层和电子控制层可以通过使用开口掩模公共地形成在多个像素中。
封装层140可以设置在发光器件层130上。封装层140可以包括彼此顺序地堆叠的无机层141、有机层142和无机层143。然而，构成封装层140的各层不限于此。
无机层141和无机层143可以保护发光器件层130免受例如湿气和氧的影响，并且有机层142可以保护发光器件层130免受诸如以尘粒为例的异物的影响。无机层141和无机层143可以包括例如氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层或氧化铝层。有机层142可以包括但不限于基于丙烯酸的有机层。有机层142的厚度可以在大约4微米至大约12微米的范围内。
传感器层200可以包括基体层201、第一导电层202、感测绝缘层203、第二导电层204和遮光图案205。基体层201可以被称为传感器基体层201。
基体层201可以是无机层，所述无机层包括例如氮化硅、氮氧化硅和氧化硅中的至少一种。可替代地，基体层201可以是有机层，所述有机层包括例如环氧树脂、丙烯酸酯树脂或酰亚胺基树脂。基体层201可以具有单层结构，或者可以具有在第三方向DR3上堆叠的多层结构。
第一导电层202和第二导电层204中的每一者可以具有在第三方向DR3上堆叠的单层结构或多层结构。
单层结构的导电层可以包括金属层或透明导电层。金属层可以包括例如钼、银、钛、铜、铝或它们的合金。透明导电层可以包括透明导电氧化物，诸如以氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)或氧化铟锌锡(IZTO)为例。另外，透明导电层可以包括导电聚合物，诸如以PEDOT、金属纳米线、石墨烯等为例。
多层结构的导电层可以包括金属层。金属层可以具有钛/铝/钛的三层结构。多层结构的导电层可以包括至少一个金属层和至少一个透明导电层。
传感器层200可以通过互电容或自电容的变化来获取关于外部输入的信息。例如，传感器层200可以包括感测图案和桥接图案。感测图案和桥接图案中的至少一些图案可以被包括在第一导电层202中，并且感测图案和桥接图案中的至少其他图案可以被包括在第二导电层204中。根据实施例，可以省略传感器层200的第一导电层202和第二导电层204中的至少一者。在这种情况下，所有的感测图案可以被包括在一个导电层中。
感测绝缘层203可以包括有机膜。有机膜可以包括例如丙烯酸酯基树脂、甲基丙烯酸酯基树脂、聚异戊二烯基树脂、乙烯基树脂、环氧基树脂、聚氨酯基树脂、纤维素基树脂、硅氧烷基树脂、聚酰亚胺基树脂、聚酰胺基树脂和苝基树脂中的至少一种。感测绝缘层203也可以被称为有机层。
遮光图案205可以设置在第二导电层204上。遮光图案205可以提供为防止被包括在第一导电层202或第二导电层204中的图案或者图案之间的边界被从电子装置1000的外部观看到(例如，被电子装置1000的用户观看到)。
遮光图案205可以具有黑色。遮光图案205可以包括黑色着色剂。黑色着色剂可以包括黑色染料。黑色着色剂可以包括金属，诸如炭黑或铬，或其氧化物。
在使用电子装置1000的过程中，外部光可以从电子装置1000的外部入射到电子装置1000上。由于外部光入射在设置在电子装置1000中的组件上，因此可能发生光学效应，诸如以反射/透射为例。
当外部光入射在图案上时以及当外部光入射在不具有图案的部分上时，外部光可以表现出不同的反射方面。例如，根据缺少遮光图案205的比较示例，当外部光入射到第二导电层204上时，大部分外部光被反射，使得组件可能由于更亮而被用户观看到。相反，当外部光入射到缺少第二导电层204的空的空间时，外部光的反射率可能降低，使得组件由于更暗而被用户观看到。根据本公开的实施例，第二导电层204可以被遮光图案205覆盖。因此，当外部光朝向第二导电层204入射时，外部光可以被遮光图案205吸收。因此，可以减小设置有第二导电层204的区域和未设置有第二导电层204的区域之间的反射率的差异。因此，可以防止由于外部光反射而观看到被包括在第二导电层204中的图案。
光学膜300可以设置在传感器层200上。光学膜300可以降低从外部入射到电子装置1000上的外部光的反射率。光学膜300可以通过粘合剂层AHL接合到传感器层200。光学膜300可以是偏光膜。
粘合剂层AHL可以包括不平坦的底表面AHL-B和平坦的顶表面AHL-U。粘合剂层AHL的底表面AHL-B可以具有与传感器层200的形状相对应的不平坦形状。光学膜300可以直接接触粘合剂层AHL的顶表面AHL-U。
根据本公开的实施例，可以将遮光图案205提供给采用光学膜300(例如，偏光膜)的电子装置1000。因此，粘合剂层AHL可以直接接触遮光图案205。例如，粘合剂层AHL的底表面AHL-B的一部分可以直接接触遮光图案205，并且粘合剂层AHL的底表面AHL-B的另一部分可以直接接触感测绝缘层203。
根据本公开的实施例，电子装置1000可以包括光学膜300和遮光图案205两者。因此，从外部入射到电子装置1000上的光的反射率可以由于光学膜300和遮光图案205而降低。因此，可以提高电子装置1000的黑色可见度。黑色可见度是指电子装置1000在断电时呈现黑色的程度。
图4是根据本公开的实施例的显示层100的平面图。
参照图4，显示层100可以包括显示区域100A和提供在显示区域100A的外围部分处的非显示区域100NA。可以根据是否存在多个像素PX来区分显示区域100A和非显示区域100NA。例如，像素PX可以设置在显示区域100A中，并且不设置在非显示区域100NA中。扫描驱动器SDV、数据驱动器和发光驱动器EDV可以设置在非显示区域100NA中。数据驱动器可以是被包括在驱动芯片DIC中的电路的一部分。
显示层100可以包括在第一方向DR1上限定的第一面板区域AA1、弯曲区域BA和第二面板区域AA2。第二面板区域AA2和弯曲区域BA可以是非显示区域100NA的部分区域。弯曲区域BA介于第一面板区域AA1和第二面板区域AA2之间。
弯曲区域BA的与第二方向DR2平行的宽度(或长度)和第二面板区域AA2的与第二方向DR2平行的宽度(或长度)可以小于第一面板区域AA1的与第二方向DR2平行的宽度(或长度)。在弯曲轴方向上具有较短长度的区域可以更容易弯曲。
显示层100可以包括多个像素PX、多条扫描线SL1至SLm、多条数据线DL1至DLn、多条发光线EL1至ELm、第一控制线CSL1和第二控制线CSL2、电力线PL和多个焊盘PD。在这种情况下，“m”和“n”是大于1的自然数。像素PX可以连接到扫描线SL1至SLm、数据线DL1至DLn以及发光线EL1至ELm。
扫描线SL1至SLm可以在第二方向DR2上延伸并且可以电连接到扫描驱动器SDV。数据线DL1至DLn可以在第一方向DR1上延伸并且可以经由弯曲区域BA电连接到驱动芯片DIC。发光线EL1至ELm可以在第二方向DR2上延伸并且可以电连接到发光驱动器EDV。
电力线PL可以包括在第一方向DR1上延伸的部分和在第二方向DR2上延伸的部分。在第一方向DR1上延伸的部分和在第二方向DR2上延伸的部分可以设置在相互不同的层中。电力线PL的在第一方向DR1上延伸的部分可以经由弯曲区域BA延伸到第二面板区域AA2。电力线PL可以将第一电压提供给像素PX。
第一控制线CSL1可以连接到扫描驱动器SDV并且可以经由弯曲区域BA朝向第二面板区域AA2的下端延伸。第二控制线CSL2可以连接到发光驱动器EDV并且可以经由弯曲区域BA朝向第二面板区域AA2的下端延伸。
当在平面上观看时，焊盘PD可以设置为与第二面板区域AA2的下端相邻。驱动芯片DIC、电力线PL、第一控制线CSL1和第二控制线CSL2可以电连接到焊盘PD。柔性电路膜FCB可以通过各向异性导电膜电连接到焊盘PD。
图5是根据本公开的实施例的传感器层200的平面图。
参照图5，传感器层200可以包括限定在传感器层200中的感测区域200A和外围区域200NA。感测区域200A可以是响应于电信号而激活的区域。例如，感测区域200A可以是感测外部输入的区域。外围区域200NA可以与感测区域200A相邻，并且在实施例中，可以围绕感测区域200A。
传感器层200可以包括电极210、交叉电极220和迹线230。电极210和交叉电极220可以设置在感测区域200A中，并且迹线230可以设置在外围区域200NA中。传感器层200可以基于电极210和交叉电极220之间的互电容的变化来获取关于外部输入的信息。
电极210可以在第一方向DR1上延伸，并且可以在第二方向DR2上布置。电极210中的每一者可以包括第一感测图案211和连接部分212。连接部分212可以与彼此相邻的两个第一感测图案211相邻。构成一个电极210的第一感测图案211和连接部分212可以彼此一体地连接。因此，第一感测图案211可以被称为图案部分211。
交叉电极220可以在第二方向DR2上延伸，并且可以在第一方向DR1上布置。交叉电极220中的每一者可以包括第二感测图案221和桥接图案222。桥接图案222中的每一者可以将相邻的两个第二感测图案221彼此电连接。尽管相邻的两个第二感测图案221可以通过两个桥接图案222彼此连接，但是本公开的实施例不限于此。连接部分212可以在与两个桥接图案222交叉的同时与两个桥接图案222绝缘。
第一感测图案211、连接部分212和第二感测图案221可以设置在相同的层中，并且桥接图案222可以设置在与设置有第一感测图案211、连接部分212和第二感测图案221的层不同的层中。例如，第一感测图案211、连接部分212和第二感测图案221可以被包括在第二导电层204(参见图3)中，并且桥接图案222可以被包括在第一导电层202(参见图3)中。以上结构可以被称为底桥结构。然而，本公开的实施例不限于此。例如，根据实施例，第一感测图案211、连接部分212和第二感测图案221可以被包括在第一导电层202(参见图3)中，并且桥接图案222可以被包括在第二导电层204(参见图3)中。以上结构可以被称为顶桥结构。
图5示出了电极210和交叉电极220的形状以及电极210和交叉电极220之间的布置关系。构成传感器层200的电极210和交叉电极220的形状以及电极210和交叉电极220之间的布置关系不限于图5所示的那些形状和布置关系。
图6A是根据本公开的实施例的图5中示出的区域AA'的放大平面图。图6B是根据本公开的实施例的图6A中示出的区域BB'的放大平面图。
参照图5、图6A和图6B，第一感测图案211和第二感测图案221中的每一者可以具有网格(或格子，或网状)结构。传感器层200可以直接设置在显示层100(参见图3)上。在这种情况下，可以减小传感器层200和显示层100(参见图3)的第二电极CE(参见图3)之间的间隙。根据本公开的实施例，由于第一感测图案211和第二感测图案221中的每一者具有网格结构，因此与包括没有开口的电极形式的第一感测图案211和第二感测图案221的基础电容相比，来自电极210和第二电极CE(参见图3)之间的寄生电容的基础电容以及来自交叉电极220和第二电极CE(参见图3)之间的寄生电容的基础电容可以进一步减小。因此，由于第一感测图案211和第二感测图案221具有网格结构，因此根据本公开的实施例，可以提高传感器层200的触摸灵敏度。
第一感测图案211可以包括第一网格线MSL1。第一网格线MSL1可以包括第一线L1和第一交叉线LC1。第一线L1可以在第一交叉方向DRC1上延伸并且可以在第二交叉方向DRC2上彼此间隔开。第一交叉线LC1可以在第二交叉方向DRC2上延伸并且可以在第一交叉方向DRC1上彼此间隔开。
第二感测图案221可以包括第二网格线MSL2。第二网格线MSL2可以包括第二线L2和第二交叉线LC2。第二线L2可以在第一交叉方向DRC1上延伸并且可以在第二交叉方向DRC2上彼此间隔开。第二交叉线LC2可以在第二交叉方向DRC2上延伸并且可以在第一交叉方向DRC1上彼此间隔开。
桥接图案222可以电连接到第二感测图案221。桥接图案222可以设置在与设置有第二感测图案221的层不同的层中，并且可以通过接触孔T-CNT电连接到第二感测图案221。
第一开口SOP1和第二开口SOP2可以被限定在第一感测图案211中。第二开口SOP2的尺寸可以大于第一开口SOP1的尺寸。例如，在实施例中，第二开口SOP2的尺寸大于多个第一开口SOP1中的每一者的尺寸。第二开口SOP2可以与桥接图案222的一部分重叠。因此，可以降低设置在相互不同的层中的桥接图案222和第一感测图案211彼此接触的可能性。
参照图6A和图6B，遮光图案205(参见图3)可以包括多条遮光网格线BML。遮光网格线BML可以与第一网格线MSL1和第二网格线MSL2重叠。
遮光网格线BML可以包括遮光线BL1和交叉遮光线BL2。遮光线BL1可以在第一交叉方向DRC1上延伸并且可以在第二交叉方向DRC2上彼此间隔开。交叉遮光线BL2可以在第二交叉方向DRC2上延伸并且可以在第一交叉方向DRC1上彼此间隔开。
一条遮光线BL1可以与所有的第一线L1、第二线L2以及第一线L1和第二线L2之间的间隙GP1重叠。一条交叉遮光线BL2可以与所有的第一交叉线LC1、第二交叉线LC2以及第一交叉线LC1和第二交叉线LC2之间的间隙GP2重叠。
根据本公开的实施例，遮光网格线BML可以覆盖所有的第一网格线MSL1、第二网格线MSL2以及第一网格线MSL1和第二网格线MSL2之间的间隙GP1和GP2。在这种情况下，根据本公开的实施例，第一网格线MSL1和第二网格线MSL2之间的边界从外部不可见(例如，对用户不可见)。
因为由于包含遮光网格线BML使得第一网格线MSL1和第二网格线MSL2之间的边界不可见，所以根据实施例，在第一网格线MSL1和第二网格线MSL2中不存在切割部分。因此，构成第一感测图案211的多条第一网格线MSL1可以彼此连续地连接，并且构成第二感测图案221的多条第二网格线MSL2可以彼此连续地连接。因此，可以减小电极210和交叉电极220中的每一者的电阻，从而提高传感器层200的感测性能。
根据实施例，第一网格线MSL1彼此连续地连接，并且第二网格线MSL2彼此连续地连接，这表明第一感测图案211和第二感测图案221中的每一者具有全网格结构，而无断开部分。
图7是根据本公开的实施例的沿着图6B的线I-I'截取的传感器层200的截面图。
参照图6A、图6B和图7，间隙GP1存在于第一线L1和第二线L2之间，并且第一线L1、第二线L2和间隙GP1可以被遮光线BL1覆盖。
遮光网格线BML的厚度可以大于第一网格线MSL1的厚度和第二网格线MSL2的厚度。例如，在实施例中，遮光网格线BML的最小厚度大于第一网格线MSL1的厚度并且大于第二网格线MSL2的厚度。例如，在实施例中，在遮光网格线BML与第一网格线MSL1和第二网格线MSL2重叠的区域中，遮光网格线BML中的每一条的最小厚度大于第一网格线MSL1中的每一条的厚度并且大于第二网格线MSL2中的每一条的厚度。在实施例中，在遮光网格线BML与第一网格线MSL1和第二网格线MSL2重叠的区域中，遮光网格线BML的每一部分的厚度大于第一网格线MSL1的每一部分的厚度并且大于第二网格线MSL2的每一部分的厚度。例如，在实施例中，在遮光网格线BML与第一网格线MSL1和第二网格线MSL2重叠的区域中，遮光网格线BML中的每一条的每一部分的厚度大于第一网格线MSL1中的每一条的每一部分的厚度并且大于第二网格线MSL2中的每一条的每一部分的厚度。图7代表性地示出了遮光线BL1的厚度BTk和第二线L2的厚度MTk。遮光线BL1的厚度BTk可以大约等于遮光网格线BML的厚度。第二线L2的厚度MTk可以大约等于第一网格线MSL1的厚度和第二网格线MSL2的厚度。
第二线L2的厚度MTk可以在大约0.2微米至大约0.4微米的范围内，并且遮光线BL1的厚度BTk可以在大约0.5微米至大约4微米的范围内。遮光线BL1的厚度BTk可以被限定为从第二线L2的顶表面至遮光线BL1的顶表面的距离。遮光线BL1的厚度BTk可以是遮光线BL1的最小厚度。随着遮光线BL1的厚度BTk变得大于第二线L2的厚度MTk，第二线L2可以被遮光线BL1稳定地覆盖。
图8A是根据本公开的实施例的沿着图6B的线II-II'截取的传感器层200的截面图。
参照图6A、图6B和图8A，第一网格线MSL1和第二网格线MSL2中的每一者可以包括顶表面和连接到顶表面的侧表面。图8A代表性地示出了第二线L2的顶表面MUS和侧表面MSS1和MSS2。
遮光网格线BML中的每一条的宽度可以大于第一网格线MSL1和第二网格线MSL2中的每一条的宽度。例如，遮光线BL1的宽度BWT可以大于第二线L2的宽度MWT。因此，第二线L2可以被遮光线BL1完全覆盖。换言之，第二线L2的顶表面MUS和侧表面MSS1和MSS2可以与遮光线BL1接触(例如，直接接触)，并且可以被遮光线BL1覆盖。例如，遮光线BL1的宽度BWT可以在大约3微米至大约20微米的范围内。第二线L2的宽度MWT可以小于遮光线BL1的宽度BWT。
图8B是根据本公开的实施例的沿着图6B的线II-II'截取的传感器层200-1的截面图。
参照图6A、图6B和图8B，遮光网格线BML中的每一条的宽度可以大约等于第一网格线MSL1和第二网格线MSL2中的每一条的宽度。例如，遮光线BL1-a的宽度BWT-a可以大约等于第二线L2的宽度MWT。
第二线L2的顶表面MUS可以与遮光线BL1-a接触(例如，直接接触)并且可以被遮光线BL1-a覆盖。在实施例中，第二线L2的侧表面MSS1a和MSS2a未被遮光线BL1-a覆盖。在这种情况下，第二线L2的侧表面MSS1a和MSS2a可以与粘合剂层AHL(参见图3)直接接触，或者可以与平坦化层206(参见图11)直接接触。
图9是根据本公开的实施例的图5中示出的区域AA'的放大平面图。图10是根据本公开的实施例的沿着图9的线III-III'截取的传感器层200-2的截面图。
参照图5、图9和图10，在实施例中，第二开口SOP2(参见图6A)未被提供在第一感测图案211中。换言之，根据本公开的实施例，仅具有基本上相同尺寸的第一开口SOP1可以被限定在第一感测图案211中。第一感测图案211可以具有全网格形式，其中，第一感测图案211即使在与桥接图案222重叠的部分处也被连续地连接。
感测绝缘层(也可以被称为“有机层”)203设置在第一感测图案211和桥接图案222之间。感测绝缘层203可以包括有机膜。在这种情况下，感测绝缘层203的厚度OTK可以在大约0.5微米至大约4微米的范围内。在这种情况下，由于通过包括有机材料的感测绝缘层203将桥接图案222和第一感测图案211之间的间隙确保为特定距离或更大，因此可以降低桥接图案222和第一感测图案211之间的相互接触的可能性。
图11是示出根据本公开的实施例的电子装置1000-1的一些组件的截面图。
参照图11，传感器层200-3可以包括基体层201、第一导电层202、感测绝缘层203、第二导电层204、遮光图案205和平坦化层206。
平坦化层206可以包括不平坦的底表面206-B和平坦的顶表面206-U。平坦化层206的底表面206-B可以具有与遮光图案205的形状相对应的不平坦形状。因此，平坦化层206可以与遮光图案205直接接触。例如，平坦化层206的底表面206-B的一部分可以与遮光图案205直接接触，并且平坦化层206的底表面206-B的另一部分可以与感测绝缘层203直接接触。粘合剂层AHL可以与平坦化层206的顶表面206-U直接接触。
图12是根据本公开的实施例的传感器层200-4的平面图。
参照图12，感测区域200A-1和外围区域200NA-1可以被限定在传感器层200-4中。感测区域200A-1可以是响应于电信号而激活的区域。外围区域200NA-1可以与感测区域200A-1相邻，并且在实施例中，可以围绕感测区域200A-1。
图12示出了显示层100(参见图11)的显示区域100A。感测区域200A-1的面积可以小于显示区域100A的面积。因此，显示区域100A的一部分可以与感测区域200A-1重叠，并且显示区域100A的另一部分可以与外围区域200NA-1重叠。外围区域200NA-1可以包括与显示区域100A重叠的第一外围区域200NAa和与显示区域100A不重叠的第二外围区域200NAb。
传感器层200-4可以包括感测图案(也可以被称为“电极”)210-1和210-2以及迹线230-1和230-2。传感器层200-4可以通过自电容的变化来获取关于外部输入的信息。
感测图案210-1和210-2可以包括第一感测图案210-1和与第一感测图案210-1电绝缘的第二感测图案210-2，并且迹线230-1和230-2可以包括连接到第一感测图案210-1的第一迹线230-1和连接到第二感测图案210-2的第二迹线230-2。
第一迹线230-1和第二迹线230-2可以从感测区域200A-1朝向外围区域200NA-1延伸。因此，第一迹线230-1和第二迹线230-2可以与显示区域100A和非显示区域100NA重叠。
传感器层200-4还可以包括设置在第一外围区域200NAa中的虚设线DML。虚设线DML可以设置在没有第一迹线230-1和第二迹线230-2的区域上。因此，在显示区域100A中，可以减小具有第一迹线230-1和第二迹线230-2的区域与没有第一迹线230-1和第二迹线230-2的区域之间的反射率的差异。
图13A是根据本公开的实施例的沿着图12的线IV-IV'截取的传感器层200-4的截面图。
参照图12和图13A，第一迹线230-1和第二迹线230-2以及虚设线DML可以设置在相同的层中。例如，第一迹线230-1和第二迹线230-2以及虚设线DML可以设置在感测绝缘层203a上。感测绝缘层203a可以设置在基体层201上。在实施例中，导电层不介于感测绝缘层203a和基体层201之间。
遮光图案205-1包括设置在第一感测图案210-1和第二感测图案210-2上的遮光网格线、第一遮光线BML-L1、第二遮光线BML-L2以及遮光虚设线BML-D。
第一遮光线BML-L1可以在覆盖第一迹线230-1的同时与第一迹线230-1重叠。第二遮光线BML-L2可以在覆盖第二迹线230-2的同时与第二迹线230-2重叠。遮光虚设线BML-D可以在覆盖虚设线DML的同时与虚设线DML重叠。
根据本公开的实施例，第一感测图案210-1、第二感测图案210-2、第一迹线230-1和第二迹线230-2以及虚设线DML可以被遮光图案205-1覆盖。因此，外部光可以被遮光图案205-1吸收。因此，可以防止第一迹线230-1和第二迹线230-2被观看到。根据本公开的实施例，可以省略虚设线DML和遮光虚设线BML-D。
图13B是根据本公开的实施例的沿着图12的线IV-IV'截取的传感器层200-5的截面图。
参照图12和图13B，第一迹线230-1和第二迹线230-2以及虚设线DML可以设置在相同的层中。例如，第一迹线230-1和第二迹线230-2以及虚设线DML可以设置在基体层201上。图12中示出的传感器层200-4可以以单个导电层的形式实现。因此，在图13B的实施例中，可以省略参照图13A描述的感测绝缘层203a。
如上所述，根据本公开的实施例，第一感测图案的第一网格线、第二感测图案的第二网格线以及第一网格线和第二网格线之间的间隙可以被遮光网格线覆盖。在这种情况下，根据本公开的实施例，第一网格线和第二网格线之间的边界从外部不可见(例如，对用户不可见)。
因为由于包含遮光网格线使得第一网格线和第二网格线之间的边界不可见，所以根据本公开的实施例，在第一网格线和第二网格线中不提供切割部分。因此，构成第一感测图案的多条第一网格线可以彼此连续地连接，并且构成第二感测图案的多条第二网格线可以彼此连续地连接。因此，可以减小电极中的每一者和交叉电极中的每一者之间的电阻，从而提高传感器层的感测性能。
另外，根据本公开的实施例，电子装置可以包括覆盖第一网格线和第二网格线的遮光网格线以及光学膜。另外，根据本公开的实施例，可以通过光学膜和遮光网格线降低来自外部的入射光的反射率。因此，根据本公开的实施例，可以提高电子装置的黑色可见度。
虽然已经参照本公开的实施例描述了本公开，但是对于本领域普通技术人员明显的是，在不脱离如所附权利要求中阐述的本公开的精神和范围的情况下，可以对本公开进行各种改变和修改。

Claims (18)

1.一种电子装置，其中，所述电子装置包括：
基体层；
第一感测图案，设置在所述基体层上并且包括多条第一网格线；
第二感测图案，设置在所述基体层上，与所述第一感测图案间隔开并且包括多条第二网格线；以及
遮光图案，设置在所述多条第一网格线和所述多条第二网格线上，并且包括多条遮光网格线，
其中，所述多条遮光网格线的最小厚度大于所述多条第一网格线的厚度和所述多条第二网格线的厚度。
2.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述多条第一网格线包括：
第一线，在第一交叉方向上延伸；和
第一交叉线，在与所述第一交叉方向交叉的第二交叉方向上延伸，
其中，所述多条第二网格线包括：
第二线，在所述第一交叉方向上延伸并且在所述第一交叉方向上与所述第一线间隔开；和
第二交叉线，在所述第二交叉方向上延伸，
其中，所述多条遮光网格线包括：
遮光线，在所述第一交叉方向上延伸；和
交叉遮光线，在所述第二交叉方向上延伸，
其中，所述遮光线与所述第一线、所述第二线以及所述第一线和所述第二线之间的间隙重叠。
3.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述多条遮光网格线中的每一条的宽度等于或大于所述多条第一网格线中的每一条的宽度。
4.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述多条第一网格线中的每一条包括：
顶表面和连接到所述顶表面的侧表面，
其中，所述顶表面直接接触所述多条遮光网格线中的一条遮光网格线。
5.根据权利要求4所述的电子装置，其中，所述侧表面未被所述一条遮光网格线覆盖。
6.根据权利要求4所述的电子装置，其中，所述顶表面以及连接到所述顶表面的所述侧表面被所述一条遮光网格线覆盖。
7.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述电子装置还包括：
有机层，设置在所述第一感测图案和所述基体层之间以及设置在所述第二感测图案和所述基体层之间；和
桥接图案，设置在所述基体层和所述有机层之间并且电连接到所述第二感测图案。
8.根据权利要求7所述的电子装置，其中，所述有机层的厚度等于或大于0.5微米且等于或小于4微米。
9.根据权利要求7所述的电子装置，其中，所述第一感测图案包括：
多个第一开口；和
第二开口，具有大于所述多个第一开口中的每一者的尺寸的尺寸，
其中，所述第二开口与所述桥接图案的一部分重叠。
10.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述电子装置还包括：
偏光膜，设置在所述遮光图案上；和
粘合剂层，设置在所述遮光图案和所述偏光膜之间，
其中，所述粘合剂层包括不平坦的底表面和平坦的顶表面，
其中，所述遮光图案直接接触所述粘合剂层的所述底表面，
其中，所述偏光膜直接接触所述粘合剂层的所述顶表面。
11.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述电子装置还包括：
平坦化层，覆盖所述遮光图案并且包括平坦的顶表面；
粘合剂层，设置在所述平坦化层上并且附着到所述平坦化层的所述顶表面；以及
偏光膜，设置在所述粘合剂层上。
12.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述电子装置还包括：
显示层，设置在所述基体层下面，并且包括：
显示区域，显示图像；和
非显示区域，与所述显示区域相邻，
其中，所述第一感测图案、所述第二感测图案和所述遮光图案与所述显示区域重叠。
13.根据权利要求12所述的电子装置，其中，所述电子装置还包括：
第一迹线，设置在所述基体层上并且连接到所述第一感测图案；和
第二迹线，设置在所述基体层上并且连接到所述第二感测图案，
其中，所述遮光图案还包括：
第一遮光线和第二遮光线，分别与所述第一迹线和所述第二迹线重叠。
14.根据权利要求13所述的电子装置，其中，所述第一迹线、所述第二迹线、所述第一遮光线以及所述第二遮光线与所述非显示区域重叠。
15.根据权利要求13所述的电子装置，其中，所述第一迹线的一部分、所述第二迹线的一部分、所述第一遮光线的一部分以及所述第二遮光线的一部分与所述显示区域重叠。
16.根据权利要求15所述的电子装置，其中，所述电子装置还包括：
虚设线，与所述显示区域重叠并且设置在所述第一迹线和所述第二迹线之间，
其中，所述遮光图案还包括：
遮光虚设线，与所述虚设线重叠。
17.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述多条遮光网格线的所述最小厚度在0.5微米至4微米的范围内，
其中，所述多条第一网格线的所述厚度和所述多条第二网格线的所述厚度中的每一者在0.2微米至0.4微米的范围内。
18.根据权利要求1所述的电子装置，其中，构成所述第一感测图案的所述多条第一网格线彼此连续地连接，
其中，构成所述第二感测图案的所述多条第二网格线彼此连续地连接。
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