CN115699274A - 用于AiP/AoB的射频布置 - Google Patents

Abstract

本公开涉及一种射频布置(100，200)，该射频布置(100，200)包括：载体板(101)；布置在载体板(101)上的射频集成电路RF IC(102)；以及包封RF IC(102)的模具层(103)，其中模具层(103)包括添加剂材料，其中添加剂材料通过激光束局部能够转化为催化敏感种子，催化敏感种子被配置用于导电材料的催化接收，其中添加剂材料包括携带金属化层(104)的催化敏感种子，金属化层(104)形成天线馈电结构(105)。

Description

用于AiP/AoB的射频布置

技术领域

本公开涉及AiP/AoB(封装天线/板上天线)系统中RF-IC(射频集成电路)以及天线馈电和天线的集成领域。特别地，本公开涉及射频布置和射频布置阵列以及用于生成这样的器件的方法。更具体地，本公开涉及用于天线和包封的选择性金属化的3D馈电。

背景技术

AiP/AoB技术可以显著减小无线系统的尺寸。由于AiP/AoB解决方案中的天线更靠近RFIC，因此传输损耗更低，这有助于提高传输器效率和接收器噪声因数。此外，AiP/AoB解决方案降低了系统和组装成本以及上市时间。AiP/AoB技术的发展受到对单片无线电和雷达的更好天线解决方案的巨大需求的推动。通过使用对晶片和面板级别(柱状或BGA)的不同封装方法，可以将天线和/或天线馈电与IC封装分离。

当前AiP/AoB系统具有缺点，即，信号从IC到天线和/或天线馈电的距离相对较长。天线通常使用印刷电路板(PCB)来实现，其中性能受到可用层限制、层分离和高频下的材料损耗的影响。

发明内容

本公开的目的是提供一种用于AiP/AoB系统的解决方案，而没有上述缺点。因此，本发明的一个目的是提供一种用于AiP/AoB系统的解决方案，其具有RF IC与天线和/或天线馈电之间的减小的路径尺寸，从而导致更低的传输损耗、改进的传输器效率和改进的接收器噪声因数。

该目的通过实施例的特征来实现。根据其他实施例、说明书和附图，其他实现形式是清楚的。

本公开的基本思想是通过选择性金属化将IC的封装与天线和天线馈电相结合。想法是也将包封(即，模制)用于馈电天线结构，并且也将包封(即，模制)用于信号连接。这种新颖的方法导致了天线的低成本实现，其在框架之上具有低成本的盖，其中框架可以是模具的一部分。这种新颖的解决方案可用于两种安装方法：面朝上和面朝下(倒装芯片)IC，并且可扩展到天线阵列。

本公开中描述的新颖解决方案允许在AiP/AoB系统中RF-IC(集成电路)与天线馈电和天线之间的高度集成。该方法的关键新颖之处在于，它具有模块化可扩展天线阵列尺寸以及选择性3D金属化。这种新颖的方法还实现了面朝上和面朝下/倒装芯片RF-IC的集成。它通过信号转发扩展了封装。

本公开的基本概念是3D模制互连器件(MID)天线和馈电结构的新颖组合，其实现了天线阵列的模块化可扩展构建。通过选择性3D金属化的芯片封装和具有竖直馈电的天线框架的组合，可以实现高效的模块化可扩展AoB/AiP。倒装芯片或面朝上的RF IC可以安装在载体上，并且嵌入带有穿模过孔(TMV)的封装(模具材料)中，该TMV可以放置成支撑用作天线馈电的上部单侧封闭框架以及顶部的载体天线元件。单侧封闭框架允许实现空气腔，从而实现更高增益和效率。

为了详细描述本发明，将使用以下术语、缩写和符号：

AiP：封装天线

AoB：板上天线

RF：射频

IC：集成电路

PCB：印刷电路板

TMV：穿模过孔

MID：模制互连器件

BGA：球栅阵列

根据第一方面，本公开涉及一种射频布置，该射频布置包括：载体板；布置在载体板上的射频集成电路(RF IC)；以及封装RF IC的模具层，其中模具层包括添加剂材料，其中添加剂材料通过激光束局部能够转化为催化敏感种子，催化敏感种子被配置用于导电材料的催化接收，其中添加剂材料包括携带金属化层的催化敏感种子，金属化层形成天线馈电结构。

这样的射频布置允许在AiP/AoB系统中RF IC与天线馈电和天线之间的高度集成。射频布置提供了模块化可缩放天线阵列尺寸以及选择性3D金属化的优点。这种射频布置有利地通过信号转发扩展了RF IC的封装。

在射频布置的示例性实现中，催化敏感种子包括与金属化层相互作用以确保金属化层的粘附的微凹凸表面。

这提供了这样的优点，即，金属化层可以在所有维度上灵活布置，从而提供具有天线和馈电结构的三维模制互连器件(3D-MID)，以实现天线结构和天线阵列的模块化可缩放构建。

在射频布置的示例性实现中，射频集成电路包括主表面，主表面上安装有RF IC的至少一个连接端子，其中RF IC的主表面面对载体板。

这种布置对应于RF IC的倒装芯片安装或面朝下安装。因此，这种射频布置实现了面朝下/倒装芯片RF IC的集成。它通过信号转发扩展了封装。

在射频布置的示例性实现中，RF IC包括主表面，主表面上安装有RF IC的至少一个连接端子，其中RF IC的主表面背对载体板。

这种布置对应于RF IC的面朝上安装。这种方法可以应用于无法倒装的RF IC。因此，这种射频布置实现了面朝上安装的RF-IC的集成。它通过信号转发扩展了封装。

在射频布置的示例性实现中，金属化层竖直地或对角地或步进式横穿模具层。

与完全封闭在模具层内的结构相比，这些是可以由激光束形成的结构。竖直方向与携带RF IC和模具层的载体板表面相关。

这种射频布置提供了这样的优点，即，可以通过激光束容易地形成复杂的三维金属化结构和天线馈电结构。

在示例性实现中，射频布置包括布置在模具层上方的天线结构。

这样的射频布置提供了实现与3D-MID天线馈电结构组合的天线结构的模块化可扩展构建的优点。

在射频布置的示例性实现中，金属化层形成将RF IC与天线结构电连接的穿模过孔。

这提供了这样的优点，即，可以放置穿模过孔以支撑上部单侧封闭框架(该框架用作天线馈电)以及顶部的载体天线元件。通过选择性3D金属化芯片封装和具有竖直馈电的天线框架的组合，可以实现高效的模块化可扩展AoB/AiP。

在射频布置的示例性实现中，金属化层在模具层的顶表面上形成顶表面金属化物以将RF IC与天线结构电连接。模具层的顶表面与载体板相对。

这种射频布置提供了天线结构和天线阵列的模块化可扩展构建。

在射频布置的示例性实现中，天线结构与模具层的天线馈电结构电容性耦合。

这样的电容性耦合提供了更高的天线增益和效率。

在示例性实现中，射频布置包括在天线结构与模具层之间的空气腔。

空气腔实现更高的增益和效率。

在示例性实现中，射频布置包括：设置在模具层上以形成空气腔的横向边界的框架层。

框架层可以是第二模具层，例如不同于模具层的第二模具层，例如不具有局部可转换的添加剂材料。

单侧封闭框架层实现了空气腔，从而实现了更高的增益和效率。

在示例性实现中，射频布置包括：第二载体板，第二载体板在空气腔之上安装在框架层上以形成空气腔的顶部边界，其中天线结构设置在第二载体上。

第二载体板可以是PCB，例如，比载体板薄的PCB。载体板也可以是PCB或基板。

这提供了这样的优点，即，天线馈电结构由可以用作盖的第二载体板保护。射频布置可以用低成本盖在框架上方制造，其中框架层可以是模具层的一部分。

根据第二方面，本公开涉及一种射频布置阵列，该射频布置阵列包括：多个如上所述的根据第一方面的射频布置，该射频布置布置为阵列。

这样的射频布置阵列可以被高效地缩放。射频布置阵列可以具有可缩放天线阵列尺寸。

RF布置可以被布置为具有可缩放阵列尺寸的阵列。RF布置的阵列可以形成具有可缩放尺寸的较大天线结构。备选地，RF布置阵列可以在生成之后被分离成单个RF布置(RF封装)。

在示例性实现中，射频布置阵列包括：携带多个射频布置的系统板；安装在所述系统板的底表面上的至少一个散热器，底表面与多个射频布置相对；以及穿过多个射频布置的载体板和系统板而形成的多个过孔，多个过孔将多个射频布置的RF IC与至少一个散热器热连接。

这样的射频布置阵列提供了具有RF IC的高效冷却的模块化设计。

根据第三方面，本公开涉及一种用于生成射频布置的方法，该方法包括：将RF IC布置在载体板上；通过模具层包封RF IC，其中模具层包括添加剂材料，其中添加剂材料通过激光束局部能够转化为催化敏感种子，催化敏感种子被配置用于导电材料的催化接收；通过激光束将添加剂材料局部转化为催化敏感种子；以及通过催化敏感种子催化接收金属化层，金属化层形成天线馈电结构。

这种方法允许生成基于射频布置的AiP/AoB系统，该射频布置具有RF IC与天线馈电和天线之间的高集成度。该方法可以生成提供模块化可缩放天线阵列尺寸以及选择性3D金属化的优点的射频布置。该方法允许生成能够有利地通过信号转发扩展RF IC的包封的射频布置。

在示例性实现中，该方法包括：在模具层之上布置天线结构；以及将天线馈电结构与天线结构电容性耦合。

通过将天线结构布置在模具层之上而实现的这样的电容性耦合提供了更高的天线增益和效率。

附图说明

将参考以下附图描述本发明的其他实施例，在附图中：

图1示出了图示根据第一示例的示例性射频布置100的示意图；

图2示出了图示根据第二示例的示例性射频布置200的示意图；

图3示出了图示根据第一示例的示例性射频布置阵列300的示意图；以及

图4示出了图示根据本公开的用于生成射频布置的方法400的示意图。

具体实施方式

在下面的详细描述中，参考形成其一部分的附图，附图中通过图示的方式示出了可以在其中实践本公开的特定方面。应当理解，在不脱离本公开的范围的情况下，可以利用其他方面并且可以进行结构或逻辑改变。因此，以下详细描述不应当被视为限制性的，并且本公开的范围由所附权利要求限定。

应当理解，结合所述方法作出的评论对于被配置为执行该方法的对应设备或系统也可以成立，反之亦然。例如，如果描述了特定方法步骤，则对应设备可以包括用于执行所描述的方法步骤的单元，即使这样的单元在图中没有明确描述或图示。此外，应当理解，除非另有特别说明，否则本文中描述的各个示例性方面的特征可以彼此组合。

本文中描述的半导体器件和系统可以例如以无线通信方案(例如，符合5G或WiFi的通信方案)来实现。半导体器件和系统也可以在汽车或工业系统(例如，物联网等)中实现。所描述的半导体器件可以用于生成集成电路和/或功率半导体，并且可以根据各种技术制造。例如，半导体器件可以用于逻辑集成电路、模拟集成电路、混合信号集成电路、光学电路、存储器电路和/或集成无源器件。

在以下章节中，将描述天线和天线馈电结构。在天线系统的天线结构的传输部分中，术语“天线馈电”可以是指将RF电流传输到天线的辐射部分的任何一个或所有组件，在该组件中，电流被转换为辐射；在天线结构或天线系统的接收部分中，用语“天线馈电”是指将从输入无线电波中收集的电流转换为接收器处所需要的特定电压电流比(阻抗)的系统的部件。

在本公开中，描述了封装天线(AIP)和板上天线(AoB)解决方案。在这样的解决方案中，天线与RFIC一起集成到封装或板(例如，PCB)上。在这种情况下，天线不再是放置在无线设备内的单独组件，而是与其他IC一起直接集成到封装中或到电路板上。传统上，天线放置在板上，与RF IC芯片组分开。这种方法被称为离散天线方法。在AiP或AoB解决方案中，RFIC和天线集成到单个封装中或板(例如，PCB)上。

图1示出了图示根据第一示例的示例性射频布置100的示意图。

射频布置100包括：载体板101；布置在载体板101上的射频集成电路(RF IC)102；以及包封RF IC 102的模具层103。模具层103包括通过激光束局部能够转化为催化敏感种子的添加剂材料。催化敏感种子被配置用于导电材料的催化接收。添加剂材料包括携带金属化层104的催化敏感种子，金属化层104形成天线馈电结构105。金属化层104不仅可以形成天线馈电结构105。金属化层104还可以形成天线。通常，金属化层104可以形成天线和/或天线馈电结构105。

射频布置100提供了3D模制互连器件(MID)天线和馈电结构的新颖组合，其能够实现天线结构和天线阵列的模块化可扩展构建。通过选择性3D金属化芯片封装和具有竖直馈电的天线框架的组合，可以实现高效的模块化可扩展AoB/AiP。

3D-MID天线和馈电结构将电气和机械功能结合在一个组件中。导电结构集成在壳体中，并且从而替代传统电路板，从而减少了重量、安装空间和组装成本。

在通过激光束或激光活化进行的选择性金属化中，基板材料被模制，例如，作为具有特殊添加剂塑料颗粒的单组分模制中的预制件。对于模制工艺，可以应用任何模制技术，例如注射模制、转移模制等。添加剂可以通过激光束(也称为激光活化)选择性地转化为催化活性种子。在物理化学反应中，形成天线馈电结构105的金属化层104可以在随后的化学金属化浴中沉积在经这样的处理的位置处。除了活化之外，激光束还负责生成微凹凸表面，以确保金属化层104在添加剂材料上的充分粘附。由于暴露于激光束的区域可以由计算机软件控制，因此在激光活化过程中可以在最短时间内调节或修改电路设计和布局，而无需修改工具。

如上所述，催化敏感种子可以包括与金属化层104相互作用以确保金属化层的粘附的微凹凸表面。

RF IC 102包括主表面106，主表面106上可以安装有RF IC 102的至少一个连接端子107。RF IC 102的主表面106面对载体板101。也就是说，RF IC可以倒装芯片或面朝下安装在载体板101上。

金属化层104可以竖直地或对角地或步进式横穿模具层103。通过金属化层103的这种设计，可以提供3D模制互连器件(MID)天线和馈电结构的新颖组合，以实现天线结构和天线阵列的模块化可扩展构建。

射频布置100可以包括布置在模具层103之上的天线结构110。天线结构110是形成天线的任何结构的总称。天线结构110例如可以是天线阵列、定向天线或全向天线或任何其他类型的天线。

金属化层104可以形成将RF IC 102与天线结构110电连接的穿模过孔111。

金属化层104可以在模具层103的顶表面113上形成顶表面金属化物以将RF IC102与天线结构110电连接。

天线结构110可以与模具层103的天线馈电结构105电容性耦合。备选耦合也可以实现，例如阻抗耦合或通过阻抗网络进行的耦合等。

射频布置100可以包括在天线结构110与模具层103之间的空气腔120。空气腔120可以形成电容的绝缘层以用于天线馈电结构105与天线结构110的电容性耦合。

射频布置100可以包括设置在模具层103上以形成空气腔120的横向边界的框架层121。

射频布置100可以包括第二载体板122，也称为盖122，第二载体板122在空气腔120上方安装在框架层121上以形成空气腔120的顶部边界。天线结构110可以设置在第二载体板122或盖122上。薄盖122可以是印刷电路板(PCB)或可以由例如玻璃制成。

射频布置100可以形成模制RF IC，其中RF IC 102可以如通常那样组装并且包覆模制。模具103可以被构造为具有穿模过孔(TMV)111和用于天线结构110(例如，顶部122上的天线阵列)的近距离馈电的顶表面金属化物105，顶表面金属化物105可以在薄PCB中实现并且用作封装100的盖。

框架可以被形成为框架模具，例如与模具层103不同的模具或作为模具层103的一部分的模具。框架模具可以在与模具层103不同的生成步骤中或在相同的生成步骤中形成。

图2示出了图示根据第二示例的示例性射频布置200的示意图。

射频布置200包括：载体板101；布置在载体板101上的射频集成电路(RF IC)102；以及封装RF IC 102的模具层103。模具层103包括通过激光束局部能够转化为催化敏感种子的添加剂材料。催化敏感种子被配置用于导电材料的催化接收。添加剂材料包括携带金属化层104的催化敏感种子，金属化层104形成天线馈电结构105。如上文关于图1所述，金属化层104不仅可以形成天线馈电结构105。金属化层104还可以形成天线。通常，金属化层104可以形成天线和/或天线馈电结构105。

射频布置200对应于上文关于图1所述的射频布置100，但不同之处在于，RF IC不是倒装芯片安装在载体板101上，而是面朝上安装在载体板101上。这表示，RF IC 102包括主表面106，主表面106上可以安装有RF IC 102的至少一个连接端子107，其中RF IC 102的主表面106背对载体板101。

射频布置200可以例如由不能翻转的RF IC 102形成模制RF IC。RF IC 102可以如通常那样面朝上组装并且包覆模制。模具103可以被构造为具有作为信号连接的穿模过孔(TMV)111和用于天线结构110(例如，顶部122上的天线阵列)的近距离馈电的顶表面金属化物105、104，该顶表面金属化物105、104可以在薄PCB中实现并且用作封装200的盖。复合材料(例如，“Duroplast”)可以用作模具层103。

图3示出了图示根据第一示例的示例性射频布置阵列300的示意图。

射频布置阵列300包括多个射频布置，例如根据上文关于图1描述的第一示例的射频布置100和/或根据上文关于2描述的第二示例的射频布置200。这些射频布置100或200被布置为阵列。射频布置阵列300可以仅包括根据第一示例的RF布置100，或者仅包括根据第二示例的RF布置200，或者包括这两个RF布置100、200的混合物。

射频布置阵列300可以包括：携带多个射频布置100、200的系统板301；安装在系统板301的底表面301a上的至少一个散热器302，底表面301a与多个射频布置100、200相对；以及穿过多个射频布置100、200的载体板101和系统板301而形成的多个过孔303。多个过孔303将多个射频布置100、200的RF IC 102与至少一个散热器302热连接。

射频布置阵列300可以形成模制RF IC 102的阵列，其可以根据设计要求进行缩放。封装中天线(AiP)子模块100、200可以被布置为具有可缩放阵列尺寸的阵列。

图4示出了图示根据本公开的用于生成射频布置的方法400的示意图。

方法400包括：将射频集成电路RF IC 102布置401在载体板101上，如图1或图2所示；通过模具层103封装402RF IC 102，其中模具层103包括添加剂材料，其中添加剂材料通过激光束局部能够转化为催化敏感种子，催化敏感种子被配置用于导电材料的催化接收，例如，如上文关于图1和图2所述；通过激光束将添加剂材料局部转化403为催化敏感种子，如上文关于图1和图2所述；以及通过催化敏感种子催化接收404金属化层104，金属化层104形成天线和/或天线馈电结构105，例如，如上文关于图1和图2所述。

方法400还可以包括：将天线结构110布置在模具层103之上，例如，如上文关于图1和图2所述；以及将天线馈电结构105与天线结构110电容性耦合，例如，如上文关于图1和图2所述。

方法400可以包括用于根据上文关于图1和图2所述的功能来生成射频布置100、200的另外的生成步骤。

方法400不仅可用于生成上文关于图1和图2所述的射频布置100、200，还可以用于生成如上文关于图3所述的射频布置阵列300。

虽然本公开的特定特征或方面可以仅针对若干实现中的一个来公开，但是这种特征或方面可以与其他实现的一个或多个其他特征或方面组合，这对于任何给定或特定应用可能是期望和有利的。此外，在详细描述或权利要求中使用术语“包括(include)”、“具有(have)”、“带有(with)”或其其他变体的情况下，这样的术语旨在以类似于术语“包括(comprise)”的方式是包括性的。此外，术语“示例性”、“作为示例”和“例如”仅表示示例，而非最佳或最优。术语“耦合”和“连接”以及派生词可能已经被使用。应当理解，这些术语可以用于指示两个元件彼此协作或相互作用，而不管它们是直接物理接触还是电接触，或者它们不是彼此直接接触。

尽管这里已经说明和描述了特定方面，但是本领域普通技术人员将理解，在不脱离本公开的范围的情况下，可以用各种替代和/或等效实现来替代所示和描述的特定方面。本申请旨在涵盖本文中讨论的特定方面的任何修改或变化。

尽管以下权利要求中的元素以具有对应标记的特定序列来描述，但是除非权利要求的描述另外暗示了用于实现这些元素中的一些或所有元素的特定序列，否则这些元素不一定要限于以该特定序列来实现。

根据上述教导，很多替代、修改和变化对于本领域技术人员将是很清楚的。当然，本领域技术人员容易认识到，除了本文中描述的应用之外，本发明还有很多应用。虽然已经参考一个或多个特定实施例描述了本发明，但是本领域技术人员认识到，在不脱离本发明的范围的情况下，可以对其进行很多改变。因此，应当理解，在所附权利要求及其等同物的范围内，本发明可以以本文中具体描述的方式以外的其他方式实践。

Claims (16)

1.一种射频布置(100，200)，其特征在于，包括：

载体板(101)；

射频集成电路RF IC(102)，布置在所述载体板(101)上；以及

模具层(103)，包封所述RF IC(102)，其中所述模具层(103)包括添加剂材料，其中所述添加剂材料通过激光束局部能够转化为催化敏感种子，所述催化敏感种子被配置用于导电材料的催化接收，

其中所述添加剂材料包括携带金属化层(104)的催化敏感种子，所述金属化层(104)形成天线馈电结构(105)。

2.根据权利要求1所述的射频布置(100，200)，其特征在于，

所述催化敏感种子包括微凹凸表面，所述微凹凸表面与所述金属化层(104)相互作用以确保所述金属化层(104)的粘附。

3.根据权利要求1或2所述的射频布置(100)，其特征在于，

所述RF IC(102)包括主表面(106)，所述主表面(106)上安装有所述RF IC(102)的至少一个连接端子(107)，

其中所述RF IC(102)的所述主表面(106)面对所述载体板(101)。

4.根据权利要求1或2所述的射频布置(200)，其特征在于，

所述RF IC(102)包括主表面(106)，所述主表面(106)上安装有所述RF IC(102)的至少一个连接端子(107)，

其中所述RF IC(102)的所述主表面(106)背对所述载体板(101)。

5.根据前述权利要求中任一项所述的射频布置(100，200)，其特征在于，所述金属化层(104)竖直地或对角地或步进式横穿所述模具层(103)。

6.根据前述权利要求中任一项所述的射频布置(100，200)，其特征在于，包括天线结构(110)，所述天线结构(110)布置在所述模具层(103)的上方。

7.根据权利要求6所述的射频布置(100，200)，其特征在于，

所述金属化层(104)形成将所述RF IC(102)与所述天线结构(110)电连接的穿模过孔(111)。

8.根据权利要求7所述的射频布置(100，200)，其特征在于，

所述金属化层(104)在所述模具层(103)的顶表面(113)上形成顶表面金属化物以将所述RF IC(102)与所述天线结构(110)电连接。

9.根据权利要求6至8中任一项所述的射频布置(100，200)，其特征在于，所述天线结构(110)与所述模具层(103)的所述天线馈电结构(105)电容性耦合。

10.根据权利要求6至9中任一项所述的射频布置(100，200)，其特征在于，包括在所述天线结构(110)与所述模具层(103)之间的空气腔(120)。

11.根据权利要求10所述的射频布置(100，200)，其特征在于，包括框架层(121)，所述框架层(121)设置在所述模具层(103)上以形成所述空气腔(120)的横向边界。

12.根据权利要求11所述的射频布置(100，200)，其特征在于，包括第二载体板(122)，所述第二载体板(122)安装在所述空气腔(120)上方的所述框架层(121)上，以形成所述空气腔(120)的顶部边界，

其中所述天线结构(110)设置在所述第二载体板(122)上。

13.一种射频布置阵列(300)，其特征在于，包括：

根据前述权利要求中任一项所述的多个射频布置(100，200)，所述多个射频布置(100，200)布置为阵列。

14.根据权利要求13所述的射频布置阵列(300)，其特征在于，包括：

系统板(301)，携带所述多个射频布置(100，200)；

至少一个散热器(302)，安装在所述系统板(301)的底表面(301a)上，所述底表面(301a)与所述多个射频布置(100，200)相对；以及

多个过孔(303)，穿过所述多个射频布置(100，200)的所述载体板(101)和所述系统板(301)形成，所述多个过孔(303)将所述多个射频布置(100，200)的所述RFIC(102)与所述至少一个散热器(302)热连接。

15.一种用于生成射频布置(100，200)的方法(400)，其特征在于，所述方法包括：

将射频集成电路RF IC(102)布置(401)在载体板(101)上；

通过模具层(103)包封(402)所述RF IC(102)，其中所述模具层(103)包括添加剂材料，其中所述添加剂材料通过激光束局部能够转化为催化敏感种子，所述催化敏感种子被配置用于导电材料的催化接收；

通过激光束将所述添加剂材料局部转化(403)为催化敏感种子；以及

通过所述催化敏感种子催化接收(404)金属化层(104)，所述金属化层(104)形成天线馈电结构(105)。

16.根据权利要求15所述的方法(400)，其特征在于，包括：

将天线结构(110)布置在所述模具层(103)上方；以及

将所述天线馈电结构(105)与所述天线结构(110)电容性耦合。

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