CN115692326A - 电子封装件及其制法 - Google Patents
电子封装件及其制法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN115692326A CN115692326A CN202110870383.8A CN202110870383A CN115692326A CN 115692326 A CN115692326 A CN 115692326A CN 202110870383 A CN202110870383 A CN 202110870383A CN 115692326 A CN115692326 A CN 115692326A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- antenna structure
- antenna
- layer
- electronic
- package
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 21
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 14
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 56
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 5
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 4
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 4
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 4
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 239000012792 core layer Substances 0.000 description 3
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000004100 electronic packaging Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000009501 film coating Methods 0.000 description 1
- 239000007888 film coating Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
- H01Q1/00—Details of, or arrangements associated with, antennas
- H01Q1/12—Supports; Mounting means
- H01Q1/22—Supports; Mounting means by structural association with other equipment or articles
- H01Q1/2283—Supports; Mounting means by structural association with other equipment or articles mounted in or on the surface of a semiconductor substrate as a chip-type antenna or integrated with other components into an IC package
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/552—Protection against radiation, e.g. light or electromagnetic waves
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
- H01L23/64—Impedance arrangements
- H01L23/66—High-frequency adaptations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
- H01Q1/00—Details of, or arrangements associated with, antennas
- H01Q1/36—Structural form of radiating elements, e.g. cone, spiral, umbrella; Particular materials used therewith
- H01Q1/38—Structural form of radiating elements, e.g. cone, spiral, umbrella; Particular materials used therewith formed by a conductive layer on an insulating support
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
- H01L2223/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for
- H01L2223/64—Impedance arrangements
- H01L2223/66—High-frequency adaptations
- H01L2223/6661—High-frequency adaptations for passive devices
- H01L2223/6677—High-frequency adaptations for passive devices for antenna, e.g. antenna included within housing of semiconductor device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/50—Multistep manufacturing processes of assemblies consisting of devices, each device being of a type provided for in group H01L27/00 or H01L29/00
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Transmitters (AREA)
Abstract
本发明涉及一种电子封装件及其制法，包括将一设有电子元件的承载结构接置于一天线结构上，其中，该天线结构的边缘处形成有阶梯部，以令遮蔽体沿该阶梯部的表面布设，使该遮蔽体仅覆盖该天线结构的局部表面，避免该遮蔽体干涉该天线结构的运行。
Description
技术领域
本发明有关一种半导体封装制程，尤指一种具屏蔽机制的电子封装件及其制法。
背景技术
随着半导体技术的演进，半导体产品已开发出不同封装产品型态，而为提升电性品质，多种半导体产品(例如射频模块)具有屏蔽的功能，以防止电磁干扰(Electromagnetic Interference，简称EMI)。
如图1A及图1B所示，现有射频模块1包括将多个射频芯片11电性连接在一具有天线层12的封装基板10上，再以封装胶体13包覆各该射频芯片11，并于该封装胶体13的顶面13a与侧面13c及该封装基板10的侧面10c上形成一金属屏蔽层14，以经由该金属屏蔽层14保护该些射频芯片11免受外界EMI影响。
然而，现有射频模块1中，由于该金属屏蔽层14覆盖于该封装基板10的侧面10c上，致使该金属屏蔽层14屏蔽该天线层12，导致该天线层12的天线功能无法有效运行。
因此，如何克服上述现有技术的问题，实已成目前亟欲解决的课题。
发明内容
鉴于上述现有技术的种种缺陷，本发明提供一种电子封装件及其制法，可避免遮蔽体干涉天线结构的运行。
本发明的电子封装件，包括：承载结构；电子元件，其设于该承载结构上；天线结构，其接置该承载结构上，且该天线结构的边缘处形成有阶梯部；以及遮蔽体，其沿该阶梯部的表面布设。
本发明还提供一种电子封装件的制法，包括：提供至少一封装模块，其包含承载结构及设于该承载结构上的电子元件；以及将天线结构接置该承载结构，且该天线结构的边缘处形成有阶梯部，其中，该阶梯部的表面布设有遮蔽体。
前述的电子封装件及其制法中，该承载结构经由多个导电元件接合该天线结构。
前述的电子封装件及其制法中，该天线结构具有相对的第一表面与第二表面及邻接该第一与第二表面的侧面，且该天线结构以其第一表面接置该承载结构。例如，该阶梯部形成于该第一表面与该侧面的交界处。或者，该阶梯部形成于该第二表面与该侧面的交界处。
前述的电子封装件及其制法中，还包括以封装层包覆该电子元件。进一步，该封装层上形成有屏蔽层。
前述的电子封装件及其制法中，该遮蔽体为金属层。
由上可知，本发明的电子封装件及其制法中，主要经由该天线结构的边缘处形成有阶梯部，使该遮蔽体仅覆盖该天线结构的局部表面，以避免该遮蔽体干涉该天线结构的运行，故相比于现有技术，本发明的电子封装件能有效运行该天线结构的天线功能。
附图说明
图1A为现有射频模块的剖面示意图。
图1B为现有射频模块的立体示意图。
图2A至图2F为本发明的电子封装件的制法的剖视示意图。
图2F-1及图2F-2为图2F的其它实施例的剖面示意图。
图3A至图3C为图2D至图2F的另一制法的剖视示意图。
图4A至图4D为图2D所示的天线模块的制法的剖视示意图。
图5A、图5B及图5C为本发明的电子封装件的其它实施例的剖视示意图。
附图标记说明
1:射频模块
10:封装基板
10c,13c,20c,25c:侧面
11:射频芯片
12:天线层
13:封装胶体
13a:顶面
14:金属屏蔽层
2,3:电子封装件
2a,5a,5b:封装模块
2b:天线模块
20,50:承载结构
20a:第一侧
20b:第二侧
200:线路层
201:绝缘材
21:电子元件
21a,22a:表面
22,29,52:封装层
23:导电元件
24:屏蔽层
25:天线结构
25a:第一表面
25b:第二表面
250,350,450:凹部
251,351:阶梯部
252:天线主层
253:接点
26:遮蔽体
27:连接器
28:底胶
40:线路结构
41:阻层
53:导电柱
8:整版面封装体
D,H1,H2:长度
g:讯号
L,S:切割路径。
具体实施方式
以下经由特定的具体实施例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本发明的其他优点及功效。
须知，本说明书附图所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供本领域技术人员的了解与阅读，并非用以限定本发明可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本发明所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本发明所揭示的技术内容得能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如“上”、“第一”、“第二”及“一”等的用语，也仅为便于叙述的明了，而非用以限定本发明可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更技术内容下，当也视为本发明可实施的范畴。
图2A至图2F图为本发明的电子封装件2的制法的剖面示意图。
如图2A所示，提供一包含多个封装模块2a的整版面封装体8，且该封装模块2a包含有一承载结构20、多个设于该承载结构20上的电子元件21、及设于该承载结构20上以包覆该些电子元件21的封装层22。
所述的承载结构20例如为具有核心层与线路结构的封装基板(substrate)或无核心层(coreless)的线路结构，其于绝缘材201上形成多个线路层200，如扇出(fan out)型重布线路层(redistribution layer，简称RDL)。
于本实施例中，该承载结构20具有相对的第一侧20a与第二侧20b，且形成该线路层200的材料为铜，而该绝缘材201为如聚对二唑苯(Polybenzoxazole，简称PBO)、聚酰亚胺(Polyimide，简称PI)、预浸材(Prepreg，简称PP)等的介电材、或如绿漆、油墨等的防焊材。
所述的电子元件21设于该承载结构20的第一侧20a上，且该电子元件21为主动元件、被动元件或其二者组合等，其中，该主动元件例如为半导体芯片，且该被动元件例如为电阻、电容及电感。
于本实施例中，该电子元件21可经由覆晶方式、打线方式、直接接触该线路层200或其它适当方式电性连接该承载结构20的线路层200，并无特别限制。
所述的封装层22设于该承载结构20的第一侧20a上，以包覆该电子元件21。
于本实施例中，该封装层22为绝缘材，如聚酰亚胺(polyimide，简称PI)、干膜(dryfilm)、如环氧树脂(epoxy)的封装胶体或封装材(molding compound)，但不限于上述。
再者，可经由整平制程，使至少一个电子元件21的表面21a外露于该封装层22的表面22a，以令该封装层22的表面22a齐平该电子元件21的表面21a。例如，该整平制程经由研磨方式，移除该电子元件21的部分材料与该封装层22的部分材料。
如图2B所示，形成多个导电元件23于该承载结构20的第二侧20b，再沿如图2A所示的切割路径L对该整版面封装体8进行切单制程，以获取多个相互分开的封装模块2a。
于本实施例中，该导电元件23为如焊球的圆球状、或如铜柱、焊锡凸块等金属材的柱状、或焊线机制作的钉状(stud)导电体，但不限于此。
如图2C所示，形成一屏蔽层24于各该封装模块2a的外表面，且该屏蔽层24未接触该导电元件23。
于本实施例中，该屏蔽层24形成于该封装层22上并延伸至该承载结构20的侧面20c，但该屏蔽层24未形成于该承载结构20的第二侧20b。
再者，可经由溅镀、蒸镀、电镀、化镀或贴膜等方式制作一如金属层的屏蔽层24，但不限于上述方式。
如图2D所示，提供一整版面天线模块2b，其包含多个天线结构25，且于两该天线结构25之间的交界处形成有至少一凹部250，并沿该凹部250的表面形成有一如金属层的遮蔽体26。
于本实施例中，该天线结构25例如为具有核心层与线路结构的封装基板(substrate)或无核心层(coreless)的线路结构形式，其具有相对的第一表面25a与第二表面25b。例如，该天线结构25为天线基板，其内部介电材上形成有至少一天线主层252，且于该天线结构25的第一表面25a上形成多个接点253，且该第二表面25b作为该天线主层252的发射/接收面。
再者，该凹部250可形成于两该天线结构25的第一表面25a之间的交界处；或者，如图3A所示，该凹部350可形成于两该天线结构25的第二表面25b之间的交界处。
另外，该天线模块2b的制程如图4A至图4D所示。如图4A所示，提供一包含有多个天线结构25的整版面线路结构40。接着，如图4B所示，于该线路结构40上形成一阻层41，再于该阻层41上形成一延伸至该线路结构40的凹部450。之后，如图4C所示，经由溅镀、蒸镀、电镀、化镀或贴膜等方式制作于该阻层41并沿该凹部450的表面延伸形成一如金属层的遮蔽体26。最后，如图4D所示，移除该阻层41及其上的遮蔽体26，以保留该天线结构25的凹部250,350上的遮蔽体26。
另外，该天线模块2b可依需求于该天线结构25的第一表面25a上配置相关元件，如连接器27，故应可理解地，有关该天线模块2b的种类繁多，并不限于上述。
如图2E所示，接续如图2D所示的制程，将多个该封装模块2a经由该些导电元件23接置于该天线模块2b的天线结构25的第一表面25a的接点253上，使该承载结构20经由该些导电元件23电性连接该天线结构25。
如图2F所示，于该天线模块2b上沿如图2E所示的切割路径S(即对应该凹部250之处)进行切单制程，以获取多个电子封装件2，且该天线结构25定义出邻接该第一表面25a与第二表面25b的侧面25c。
于本实施例中，该天线结构25的第一表面25a与该侧面25c的交界处形成阶梯部251，且该遮蔽体26沿该阶梯部251的表面布设，以令该天线结构25的边缘处的外观具有缺口状，如侧视呈L形状，使该天线结构25的发射端(该第二表面25b)所对应的侧面25c无屏蔽机制，而讯号传输线路(该第一表面25a上的接点253)所对应的侧面配置有屏蔽机制。例如，该阶梯部251于该侧面25c的长度H1为该侧面25c的长度D的1/3至2/3。
再者，该封装模块2a的种类繁多，并无特别限制。如图2F-1所示，该封装模块2a可包含底胶28，以当该封装模块2a经由该些导电元件23接置于该天线结构25上后，可将该底胶28填入该承载结构20与该天线结构25之间的空间，以令该底胶28包覆该些导电元件23，其中，该天线结构25的第二表面25b为发射端，以发射讯号g。或者，如图2F-2所示，该封装模块2a可于接置于该天线结构25上后，再形成该封装层29与该屏蔽层24，以令该封装层22填入该承载结构20与该天线结构25之间的空间以包覆该些导电元件23，其中，该天线结构25的第二表面25b为发射端，以发射讯号g。
另外，若延续如图3A所示的制程(即凹部350设于天线结构25的第二表面25b)，将于该天线模块2b上沿如图3B所示的切割路径S(即对应该凹部350之处)进行切单制程，以获取多个如图3C所示的电子封装件3，其天线结构25的第二表面25b与侧面25c的交界处形成有阶梯部351，且该遮蔽体26沿该阶梯部351的表面布设，以令该天线结构25的第二表面25b的边缘处的外观具有缺口状，使该天线结构25的发射端(该第二表面25b)所对应的侧面25c配置有屏蔽机制，而讯号传输线路(该第一表面25a上的接点253)所对应的侧面无屏蔽机制。例如，该阶梯部351于该侧面25c的长度H2为该侧面25c的长度D的1/3至2/3，故该天线结构25可由该天线结构25的第二表面25b及局部侧面25c发射讯号，而不受该遮蔽体26对于发射方位的干涉影响。
因此，本发明的制法主要经由该天线结构25于边缘处形成阶梯部251,351，使该遮蔽体26仅覆盖该天线结构25的局部侧面25c，以避免该遮蔽体26干涉该天线结构25的天线主层252的接收与发射，故相比于现有技术，本发明的电子封装件2,3能有效运行该天线结构25的天线功能。
另外，具有该遮蔽体26的天线结构25可应用于各种半导体封装制程中。例如，如图5A所示，将多个具有该遮蔽体26的天线结构25以其第一表面25a经由多个导电元件23接置于一如电路板或基板的承载结构50上，且该承载结构50上可选择配置有至少一电子元件(图略)；或者，如图5B所示，将多个具有该遮蔽体26的天线结构25以其第一表面25a经由多个导电元件23接置于一具有多个电子元件21的封装模块5a的承载结构50上，且该些电子元件21与该天线结构25分别位于该承载结构50的相对两侧；抑或，如图5C所示，将多个具有该遮蔽体26的天线结构25以其第一表面25a设于一具有多个电子元件21的封装模块5b的封装层52上，且该封装层52内埋设有多个电性连接承载结构50的导电柱53，以令该导电柱53外露于该封装层52，使该天线结构25经由多个导电元件23与该些导电柱53电性耦合，进而电性连接该承载结构50。
本发明还提供一种电子封装件2,3，其包括：一承载结构20,50、至少一电子元件21、一天线结构25以及至少一遮蔽体26。
所述的电子元件21设于该承载结构20,50上并电性连接该承载结构20,50。
所述的天线结构25接置该承载结构20,50，且该天线结构25的边缘处形成有阶梯部251,351。
所述的遮蔽体26仅沿该阶梯部251,351的表面布设而未遮盖该天线结构25的全部侧面25c。
于一实施例中，该承载结构20,50经由多个导电元件23接合该天线结构25。
于一实施例中，该天线结构25具有相对的第一表面25a与第二表面25b及邻接该第一与第二表面25a,25b的侧面25c，且该天线结构25以其第一表面25a接置该承载结构20,50。例如，该阶梯部251形成于该第一表面25a与该侧面25c的交界处。或者，该阶梯部351形成于该第二表面25b与该侧面25c的交界处。
于一实施例中，所述的电子封装件2,3还包括包覆该电子元件21的封装层22,29,52。例如，该封装层22,29上形成有屏蔽层24。
于一实施例中，该遮蔽体26为金属层。
综上所述，本发明的电子封装件及其制法，经由该阶梯部的设计，使该遮蔽体仅覆盖该天线结构的局部侧面，以避免该遮蔽体屏蔽该天线结构，故本发明的电子封装件能有效运行该天线结构的天线功能。
上述实施例用以例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何本领域技术人员均可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修改。因此本发明的权利保护范围，应如权利要求书所列。
Claims (14)
1.一种电子封装件，其特征在于，包括：
承载结构；
电子元件，其设于该承载结构上；
天线结构，其接置该承载结构上，且该天线结构的边缘处形成有阶梯部；以及
遮蔽体，其沿该阶梯部的表面布设。
2.如权利要求1所述的电子封装件，其特征在于，该承载结构经由多个导电元件接合该天线结构。
3.如权利要求1所述的电子封装件，其特征在于，该天线结构具有相对的第一表面与第二表面及邻接该第一与第二表面的侧面，且该天线结构以其第一表面接置该承载结构。
4.如权利要求3所述的电子封装件，其特征在于，该阶梯部形成于该第一表面与该侧面的交界处。
5.如权利要求3所述的电子封装件，其特征在于，该阶梯部形成于该第二表面与该侧面的交界处。
6.如权利要求1所述的电子封装件，其特征在于，该电子封装件还包括包覆该电子元件的封装层。
7.如权利要求6所述的电子封装件，其特征在于，该封装层上形成有屏蔽层。
8.一种电子封装件的制法，其特征在于，包括：
提供至少一封装模块，其包含承载结构及设于该承载结构上的电子元件；以及
将天线结构接置该承载结构，且该天线结构的边缘处形成有阶梯部，其中，该阶梯部的表面布设有遮蔽体。
9.如权利要求8所述的电子封装件的制法，其特征在于，该承载结构经由多个导电元件接合该天线结构。
10.如权利要求8所述的电子封装件的制法，其特征在于，该天线结构具有相对的第一表面与第二表面及邻接该第一与第二表面的侧面，且该天线结构以其第一表面接置该承载结构。
11.如权利要求10所述的电子封装件的制法，其特征在于，该阶梯部形成于该第一表面与该侧面的交界处。
12.如权利要求10所述的电子封装件的制法，其特征在于，该阶梯部形成于该第二表面与该侧面的交界处。
13.如权利要求8所述的电子封装件的制法，其特征在于，该制法还包括以封装层包覆该电子元件。
14.如权利要求13所述的电子封装件的制法，其特征在于，该封装层上形成有屏蔽层。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW110126820 | 2021-07-21 | ||
| TW110126820A TWI766769B (zh) | 2021-07-21 | 2021-07-21 | 電子封裝件及其製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN115692326A true CN115692326A (zh) | 2023-02-03 |
Family
ID=83103783
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202110870383.8A Pending CN115692326A (zh) | 2021-07-21 | 2021-07-30 | 电子封装件及其制法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20230027120A1 (zh) |
| CN (1) | CN115692326A (zh) |
| TW (1) | TWI766769B (zh) |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI593165B (zh) * | 2016-02-04 | 2017-07-21 | 矽品精密工業股份有限公司 | 電子封裝件 |
| TWI682521B (zh) * | 2018-09-13 | 2020-01-11 | 矽品精密工業股份有限公司 | 電子封裝件及其製法 |
| TWI713190B (zh) * | 2019-10-25 | 2020-12-11 | 矽品精密工業股份有限公司 | 電子封裝件及其製法 |
| US11756894B2 (en) * | 2020-05-20 | 2023-09-12 | Qualcomm Incorporated | Radio-frequency (RF) integrated circuit (IC) (RFIC) packages employing a substrate sidewall partial shield for electro-magnetic interference (EMI) shielding, and related fabrication methods |
-
2021
- 2021-07-21 TW TW110126820A patent/TWI766769B/zh active
- 2021-07-30 CN CN202110870383.8A patent/CN115692326A/zh active Pending
- 2021-08-25 US US17/411,322 patent/US20230027120A1/en active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TWI766769B (zh) | 2022-06-01 |
| TW202306097A (zh) | 2023-02-01 |
| US20230027120A1 (en) | 2023-01-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US11222852B2 (en) | Method for fabricating electronic package | |
| US8058714B2 (en) | Overmolded semiconductor package with an integrated antenna | |
| KR102196173B1 (ko) | 반도체 패키지 및 제조 방법 | |
| US10714431B2 (en) | Semiconductor packages with electromagnetic interference shielding | |
| US11670607B2 (en) | Electronic package | |
| US20230343603A1 (en) | Electronic package and method for fabricating the same | |
| CN112992837A (zh) | 电子封装件及其制法 | |
| US10431535B2 (en) | Electronic package and method for fabricating the same | |
| CN108962878B (zh) | 电子封装件及其制法 | |
| CN107689364B (zh) | 电子封装件及其制法 | |
| KR20240023415A (ko) | 사전 형성된 마스크를 이용한 선택적 emi 차폐 | |
| CN108695299B (zh) | 电子封装件及其承载结构与制法 | |
| US11764162B2 (en) | Electronic package and method for manufacturing the same | |
| CN112054005B (zh) | 电子封装件及其制法 | |
| CN107958894B (zh) | 电子封装件及其制法 | |
| US20190252325A1 (en) | Chip package structure and manufacturing method thereof | |
| US11776897B2 (en) | Electronic module, manufacturing method thereof and electronic package having the same | |
| CN115692326A (zh) | 电子封装件及其制法 | |
| CN112530901A (zh) | 电子封装件及其制法 | |
| US20240047440A1 (en) | Electronic package and manufacturing method thereof | |
| US20240145403A1 (en) | Electronic package and manufacturing method thereof | |
| US20240063137A1 (en) | Semiconductor Device and Method for Partial EMI Shielding | |
| US20240021536A1 (en) | Semiconductor Device and Method of Forming EMI Shielding Material in Two-Step Process to Avoid Contaminating Electrical Connector | |
| CN115621219A (zh) | 电子封装件及其制法 | |
| CN111463176A (zh) | 电子封装件及其制法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |