CN115679266A - 基板载体、成膜装置、成膜方法以及电子器件的制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及基板载体、成膜装置、成膜方法以及电子器件的制造方法。在一体地输送对准后的基板和掩模时，能够抑制输送中的基板与掩模之间的相对位置偏移。一种蒸镀装置用的基板载体(9)，具有：基板保持构件，所述基板保持构件保持基板；以及支承体(33c′)，所述支承体(33c′)设置于包围所保持的所述基板的外周的外周部的与输送方向平行的边，在隔着支承体(33c′)载置于掩模(6)的状态下被输送，其特征在于，支承体(33c′)在与输送方向平行的边的中央附近支承基板载体(9)，由此，支承负荷成为最大。

Description

基板载体、成膜装置、成膜方法以及电子器件的制造方法

技术领域

本发明涉及基板载体、成膜装置、成膜方法以及电子器件的制造方法。

背景技术

作为制造有机EL显示器的方法，已知有经由以规定的图案形成有开口的掩模在基板上成膜，从而形成规定的图案的膜的掩模成膜法。在掩模成膜法中，在将掩模与基板对位(对准)之后，使掩模与基板紧贴而进行成膜。为了通过掩模成膜法高精度地成膜，重要的是高精度地进行掩模与基板的对位。

在专利文献1中公开了一边输送重叠的基板和掩模一边进行成膜的直列(in-line)式的蒸镀装置。

另外，在专利文献2中记载有使基板保持于装夹板(也称为“基板载体”)，连同装夹板一起输送基板。在该结构中，将保持有基板的载体载置于掩模并进行输送。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2012-097330号公报

专利文献2：韩国公开专利第10-2018-0067031号公报

发明内容

发明要解决的课题

若由于辊输送时的掩模行进面的变形所引起的对基板载体的负荷而在输送中基板与掩模的相对位置偏移，则成品率有可能降低。特别是，在层叠多个薄膜而制造的电子器件中，对成品率的影响容易变大。

在专利文献1中，未公开用于将基板与掩模重叠的具体的手段。因此，基板与掩模的相对位置有可能偏移。另外，在使用专利文献2的结构将保持有基板的载体载置于掩模并在直列成膜室上输送时，抑制装夹板相对于掩模的位置偏移成为课题。

本发明的目的在于提供一种在输送对准后的基板和掩模时，能够抑制输送中的基板与掩模之间的相对位置偏移的技术。

用于解决课题的方案

为了解决上述课题，本发明的基板载体通过多个输送辊在保持基板且载置于掩模的状态下沿输送方向被输送，所述多个输送辊至少包括按照以第一距离相邻地排列的方式配置的两个输送辊，并沿着所述输送方向排列，所述基板载体的特征在于，具有：

前端部，所述前端部从所述输送方向的前端起在所述输送方向上到所述第一距离为止；

后端部，所述后端部从所述输送方向的后端起在所述输送方向上到所述第一距离为止；以及

中间部，所述中间部在所述输送方向上位于所述前端部与所述后端部之间，

所述中间部处的对所述掩模的每单位面积的载荷大于所述前端部处的对所述掩模的每单位面积的载荷，并且大于所述后端部处的对所述掩模的每单位面积的载荷。

发明效果

根据本发明，在输送对准后的基板和掩模时，能够抑制输送中的基板与掩模之间的相对位置偏移。

附图说明

图1(a)、(b)是表示比较例的支承体以及基板载体的结构的示意图。

图2是有机EL面板的直列制造系统的示意性结构图。

图3是对准机构的示意性的图。

图4(a)～(d)是表示基板载体的翻转和向掩模的载置的情形的示意图。

图5(a)～(c)是表示基板以及掩模的保持的情形的俯视图和标记的放大图。

图6是实施例的对准机构的示意性的图。

图7是实施例的对准机构的立体图。

图8(a)、(b)是表示基板载体的变形例的结构的示意图。

图9(a)～(c)是表示比较例的支承体及基板载体和掩模的结构的示意图。

图10是表示实施例中的处理的各工序的流程图。

图11是表示实施例1的支承体以及基板载体的结构的示意图。

图12是实施例1的支承体及基板载体和掩模的示意图。

图13(a)～(c)是表示实施例1的支承体及基板载体和掩模的结构的示意图。

图14(a)～(c)是表示实施例2、3、4的基板载体的结构的示意图。

图15(a)、(b)是表示实施例5、6的基板载体的结构的示意图。

图16(a)、(b)是有机EL显示装置的说明图。

附图标记说明

100：对准室，1：对准装置，9：基板载体，5：基板，6：掩模，33：支承体

具体实施方式

[实施例1]

以下，参照附图，基于实施例对用于实施本发明的方式例示性地进行详细说明。但是，该实施例中记载的构成部件的尺寸、材质、形状、其相对配置等只要没有特定的记载，其主旨并非将本发明的范围仅限定于此。

参照图1～图16，对本发明的实施例的基板载体、基板输送装置、成膜装置、成膜方法以及电子器件的制造方法进行说明。在以下的说明中，以用于制造电子器件的装置所具备的掩模安装装置等为例进行说明。另外，作为用于制造电子器件的成膜方法，以采用真空蒸镀法的情况为例进行说明。但是，本发明也能够应用于作为成膜方法而采用溅射法的情况。另外，本发明的掩模安装装置等除了用于成膜工序的装置以外，还能够应用于需要在基板上安装掩模的各种装置，特别是能够优选应用于大型基板成为处理对象的装置。需要说明的是，作为应用于本发明的基板的材料，除了玻璃以外，还可以选择半导体(例如，硅)、高分子材料的膜、金属等任意材料。另外，作为基板，例如，也可以采用硅片或在玻璃基板上层叠有聚酰亚胺等膜的基板。需要说明的是，在基板上形成多层的情况下，将直至前一个工序为止已经形成的层也包括在内称为“基板”。另外，在以下说明的各种装置等的同一附图内具有多个相同或对应的部件的情况下，有时在附图中标注a、b等尾标来表示，但在说明书中不需要区分的情况下，有时省略a、b等尾标来记述。

(载体结构)

参照图1，对本发明的比较例的基板载体9的结构进行说明。图1(a)是处于保持基板5的保持面朝向上方(纸面跟前方向)的状态的基板载体9的示意性俯视图，(b)是(a)的A向视剖视图。基板载体9是在俯视时呈大致矩形的平板状的结构体。为了便于说明，基板载体9包括与保持基板5的位置对应的基板保持部和包围基板5的外周的外周部。在图1(a)中，表示基板5的外缘的虚线是基板保持部与其周围的外周部的边界。这样，两者是由所保持的基板5方便地规定的，在两者的边界也可以没有特征性的结构。需要说明的是，以下有时也将基板保持部称为基板保持区域。基板载体9的构成矩形外周缘部的四边中的相向两边附近由输送辊15(参照图3、图6)支承。以该相向两边分别沿着输送方向的姿势支承基板载体9。输送辊15由在基板载体9的输送路径的两侧沿着输送方向配置有多个的输送旋转体构成。根据该支承结构，上述输送方向的基板载体9的移动通过作为基板输送构件的输送辊的旋转而被引导。基板载体9具有作为矩形的平板状部件的载体面板30、多个装夹部件32、以及作为多个支承体(落座部件)的间隙块33(以下，称为支承体33)。基板载体9将基板5保持于载体面板30的保持面31。

装夹部件32是具有与基板5接触而装夹基板5的装夹面的突起。本实施例的装夹部件32的装夹面是由粘合性的部件(PSC：Physical Sticky Chucking：物理粘性装夹)构成的粘合面，通过物理性的粘合力或者物理性的吸附力(adsorption)来保持基板5。因此，本实施例的装夹部件32也可以称为粘合垫。通过利用多个装夹部件32分别对基板5进行装夹，能够沿着载体面板30的保持面31保持基板5。多个装夹部件32以各自具有的装夹面成为从载体面板30的保持面31突出规定距离的状态的方式配置。装夹部件32优选根据掩模6的形状而配置，更优选与掩模6的用于划分基板5的被成膜区域的边界部(格条的部分)对应地配置。由此，能够抑制装夹部件32与基板5接触对基板5的成膜区域的温度分布的影响。

需要说明的是，装夹部件32优选配置在显示器的有源区域之外。这是因为，由装夹部件32的吸附产生的应力有可能使基板5变形，或者引起成膜时的温度分布，因此，装夹部件32与基板5的接触面积尽可能小，保持数尽可能少时较好。另外，由于上述理由，装夹部件32的排列在掩模部的背面配置这在成膜上是优选的。

为了减轻基板载体9整体的重量，载体面板30的材质优选以铝或铝合金为主材料。

如后所述，在以保持基板5的载体面板30的保持面31朝向下方的方式将基板载体9翻转并载置于掩模6上时，支承体33相对于掩模6支承基板载体9。在本实施例中，至少在支承体33的附近，支承体33以保持于基板载体9的基板5与掩模6分离的方式支承基板载体9。详细情况在后面叙述。

(直列成膜装置)

参照图2，对本发明的实施例的制造系统(成膜装置)进行说明。图2是本发明的实施例的制造系统的示意性结构图，例示出以直列方式制造有机EL面板(有机EL显示装置)的制造系统300。有机EL面板通常经过形成电路元件的电路元件形成工序、在基板上形成有机发光元件的有机发光元件形成工序、以及在所形成的有机发光层上形成保护层的密封工序来制造。本实施例的制造系统300主要进行有机发光元件形成工序。

如图2所示，制造系统300具有掩模送入室90、对准室100(掩模安装室)、多个成膜室110a、110b、翻转室111a、111b、输送室112、掩模分离室113、基板分离室114、载体输送室115、掩模输送室116以及基板送入室117(基板安装室)。制造系统300还具有后述的输送构件，基板载体9通过输送构件沿着通过制造系统300所具有的各腔室内的规定的输送路径被输送。

具体而言，在图2的结构中，基板载体9按照基板送入室117、翻转室111a、掩模送入室90、对准室100(掩模安装室)、多个成膜室110a、110b、输送室112、掩模分离室113、翻转室111b、基板分离室114、输送室115的顺序通过各腔室内而被输送，再次返回到基板送入室117。另一方面，掩模6按照掩模送入室90、对准室100(掩模安装室)、多个成膜室110a、110b、输送室112、掩模分离室113的顺序通过各腔室内而被输送，再次返回到掩模送入室90。这样，基板载体9和掩模6分别沿着规定的输送路径(循环输送路径)循环地被输送。以下，对各腔室的功能进行说明。

未成膜的基板5从基板送入室117被投入到循环输送路径，在保持于基板载体9的状态下成膜。之后，成膜完毕的基板5从基板分离室114送出。被送入到基板送入室117的未成膜的基板5首先在基板送入室117安装并保持于基板载体9。然后，在成膜之前，经由翻转室111a、掩模送入室90向对准室100送入。

在翻转室111a、111b具备使基板载体9的基板保持面的朝向从铅垂方向朝上翻转为铅垂方向朝下、或者从铅垂方向朝下翻转为铅垂方向朝上的翻转机构120a、120b。作为翻转构件的翻转机构120a、120b可以适当采用能够把持基板载体9等而使姿势(朝向)变化的以往已知的机构，省略具体结构的说明。

基板5以被成膜面朝向铅垂方向上方的状态向以保持面朝向铅垂方向上方的状态配置有基板载体9的基板送入室117送入。被送入的基板5载置于基板载体9的保持面之上，由基板载体9保持。之后，在翻转室111a中，通过翻转机构120a使保持有基板5的基板载体9翻转，成为基板5的被成膜面朝向铅垂方向下方的状态。另一方面，在基板载体9从掩模分离室113向翻转室111b送入时，以基板5的被成膜面朝向铅垂方向下方的状态被送入。在送入后，通过翻转机构120b使保持有基板5的基板载体9翻转，成为基板5的被成膜面朝向铅垂方向上方的状态。之后，基板5以被成膜面朝向铅垂方向上方的状态从基板分离室114送出。

与保持被送入到基板送入室117的基板5并翻转后的基板载体9经由掩模送入室90向对准室100送入相应地，掩模6也从掩模送入室90向对准室100送入。在对准室100(掩模安装室)搭载有对准装置1。在对准室100中，对准装置1将载置于本实施例的基板载体9的基板5与掩模6高精度地对位，在掩模6上载置基板载体9(基板5)。之后，将载置有基板载体9的掩模6交接到输送辊(输送构件)，朝向下一工序开始输送。如图3、图6所示，作为输送构件的输送辊15成为如下结构：在输送路径的两侧沿着输送方向配置有多个，分别通过未图示的AC伺服电机的驱动力进行旋转，从而输送基板载体9和掩模6。

在图2中，在成膜室110a、110b中，吸附于被送来的基板载体9的基板5在蒸镀源7(参照图3)上通过，由此在基板5的被成膜面上在被掩模6遮挡的部位以外的面上进行成膜。成膜室110能够通过具备真空泵、室压计的室压控制部(未图示)来调整室压(腔室内部的压力)。在成膜室110的内部能够配置收纳有蒸镀材料(成膜材料)的蒸发源(成膜源)，由此，在腔室内部形成被减压后的成膜空间。在成膜空间中，蒸镀材料从蒸发源朝向基板5飞溅，在基板上形成膜。蒸发源例如也可以具备收容蒸镀材料的坩埚等材料收容部和对蒸镀材料进行加热的护套式加热器等加热构件。并且，也可以通过具备使材料收容部在与基板载体9以及掩模6大致平行的平面内移动的机构、使蒸发源整体移动的机构，从而使将蒸镀材料射出(放出)的射出口的位置在腔室4内相对于基板5相对位移，使向基板5上的成膜均匀化。

在成膜室110a、110b中的成膜完成后，基板载体9和掩模6到达掩模分离室113，在掩模分离室113中被分离。从基板载体9分离后的掩模6向掩模输送室116输送，并被送到新的基板5的成膜工序。另一方面，保持有基板5的基板载体9向翻转室111b、基板分离室114输送。在基板分离室114中，完成了成膜的基板5从基板载体9分离，并从循环输送路径内被回收。基板载体9被输送到基板送入室117，在基板送入室117中送入、吸附新的基板5。之后，在翻转室111a中翻转后的基板载体9再次在对准室100中对准并载置于从送入室90输送来的掩模6上。

图3是用于表示本实施例的直列蒸镀装置的对准机构部的整体结构的示意性剖视图，与图2的BB向视对应。

蒸镀装置大致具备腔室4和保持由基板载体9保持的基板5及掩模6并进行相对对位的对准装置1。腔室4能够通过具备真空泵、室压计的室压控制部(未图示)来调整室压(腔室内部的压力)。

在图示例中，对在成膜时以基板5的成膜面(被成膜面)朝向重力方向下方的状态成膜的向上沉积的结构进行说明。但是，也可以是在成膜时以基板5的成膜面朝向重力方向上方的状态成膜的向下沉积的结构。另外，也可以是在基板5垂直地立起而成膜面与重力方向大致平行的状态下进行成膜的侧沉积的结构。即，在使保持于基板载体9的基板5与掩模6相对地接近时，在该基板载体9和掩模6中的至少任一部件产生下垂、挠曲的状态下要求以高精度进行对位时，能够适当地利用本发明。

另外，在本实施例中，如图5所示，掩模6具有在框状的掩模框架6a焊接固定有数μm～数十μm左右的厚度的掩模箔6b的结构。掩模框架6a以使掩模箔6b不挠曲的方式，将掩模箔6b以在其面方向(后述的X方向以及Y方向)上拉伸的状态支承。掩模箔6b包括用于划分基板的被成膜区域的边界部。掩模箔6b所具有的边界部在将掩模6安装于基板5时与基板5紧贴，遮挡成膜材料。需要说明的是，掩模6可以是掩模箔6b仅具有边界部的敞口式掩模(openmask)，也可以是在边界部以外的部分、即与基板的被成膜区域对应的部分形成有与像素或子像素对应的微细的开口的精细掩模。在使用玻璃基板或在玻璃基板上形成有聚酰亚胺等树脂制的膜的基板作为基板5的情况下，作为掩模框架6a和掩模箔6b的主要材料，可以使用铁合金，优选使用包含镍的铁合金。作为包含镍的铁合金的具体例，可举出包含34质量％以上且38质量％以下的镍的因瓦合金材料、除了30质量％以上且34质量％以下的镍以外还包含钴的超因瓦合金材料、包含38质量％以上且54质量％以下的镍的低热膨胀Fe-Ni系镀敷合金等。

如图3所示，腔室4具有上部隔壁4a(顶板)、侧壁4b、底壁4c。腔室内部除了上述减压环境以外，也可以维持为真空环境、氮气等非活性气体环境。需要说明的是，本说明书中的“真空”是指充满压力比大气压低的气体的空间内的状态，典型的是指充满压力比1atm(1013hPa)低的气体的空间内的状态。

对准装置1大致包括对位机构60，该对位机构60搭载于腔室4的上部隔壁4a之上，对基板载体9进行驱动而使其与掩模6的位置相对地对准。对准装置1具有保持基板载体9的载体支承部8(基板载体支承部)、保持掩模6的掩模承接台16(掩模支承部)以及输送辊15(输送构件)。

对位机构60设置在腔室4的外侧，为了在蒸镀时能够实现所希望的精度，使基板载体9与掩模6的相对位置关系变化或将其稳定地保持。对位机构60大致包括面内移动构件11、Z升降基座13以及Z升降滑块10。

面内移动构件11与腔室4的上部隔壁4a连接，在XYθ方向上驱动Z升降基座13。Z升降基座13与面内移动构件11连接，成为基板载体9沿Z方向移动时的基座。Z升降滑块10是能够沿着Z引导件18在Z方向上移动的部件。Z升降滑块10经由基板保持轴12与基板载体支承部8连接。

在该结构中，在利用面内移动构件11在与基板载体9以及掩模6大致平行的面内进行XYθ驱动时，Z升降基座13、Z升降滑块10以及基板保持轴12一体地移动，向载体支承部8传递驱动力。而且，使基板5在与基板5以及掩模6大致平行的平面内移动。需要说明的是，掩模6以及基板5如后述那样因重力而挠曲，但在此所说的与基板5以及掩模6大致平行的平面是指与未产生挠曲的理想状态的基板5以及掩模6大致平行的平面。例如，在向上沉积或向下沉积等将基板5和掩模6水平配置的结构中，面内移动构件11使基板5在水平面内移动。另外，在利用Z引导件18使Z升降滑块10相对于Z升降基座13沿Z方向驱动时，驱动力经由基板保持轴12(在本实施例中，具备4根基板保持轴12a、12b、12c、12d。需要说明的是，在图6中，轴12d被基板5以及掩模6遮挡而未图示)传递到载体支承部8。接着，使基板5相对于掩模6的距离变化(分离或接近)。即，Z升降基座13和Z引导件18作为对位构件的距离变化构件发挥功能。

如图示例那样，通过将包括较多可动部的对位机构60配置在成膜空间外，能够抑制在成膜空间内或进行对准的空间内产生灰尘。由此，能够抑制因产生灰尘而污染掩模、基板而导致成膜精度降低。需要说明的是，在本实施例中，说明了对位机构60使基板5在XYθ方向以及Z方向上移动的结构，但并不限定于此，对位机构60可以使掩模6移动，也可以使基板5和掩模6双方移动。即，对位机构60是使基板5和掩模6中的至少一方移动的机构，由此，能够将基板5与掩模6的相对位置对准。

(基板/载体/掩模翻转载置的说明)

图4是表示从基板送入室117经由翻转室111a、掩模送入室90到达对准室100的、将基板5安装于基板载体9并将该基板载体9翻转而载置于掩模6为止的情形的示意性剖视图。基板载体9具有载体面板30(面板部件)、装夹部件32以及支承体33(落座部件)。

如图4(a)所示，载体面板30是由金属等构成的板状部件，是构成保持基板5的保持面31的部件。载体面板30具有一定程度的刚性(至少比基板5高的刚性)，通过沿着保持面31保持基板5，能够抑制基板5的挠曲。在基板送入室117中，相对于保持面31朝向上方的基板载体9，基板5从上方下降并载置于保持面31。

如图4(b)所示，在翻转室111a中，基板载体9和基板5以上下颠倒的方式翻转。即，基板载体9成为保持面31朝向下方的姿势，基板5通过装夹部件32的保持力从下方贴附于保持面31，成为被成膜面朝向下方的状态。

如图4(c)、图4(d)所示，在对准室100中，基板载体9载置于掩模6上。支承体33在载体面板30的保持面31的基板保持区域(基板保持部)的外侧(外周部)比保持面31以及装夹部件32突出地配置有多个。支承体33以在基板5保持于基板载体9的状态下比基板5向掩模6侧突出的方式设置。基板载体9经由支承体33经过对准动作而落座于掩模框架6a的外周框架上。此时，优选至少在支承体33的附近，基板5与掩模6分离。通过这样的结构，能够提高对准的精度。在此的“附近”是指，在基板5的一部分与掩模6接触时，与基板5的接触的部分相比靠近支承体33的基板5的任意部分。在图4(d)中，基板5的整体与掩模6分离。在该情况下，当然在支承体33的附近，基板5与掩模6也分离。需要说明的是，由于基板5的挠曲，基板5的一部分可以与掩模6接触，或者，基板5的全部也可以与掩模6接触。

基板载体9还可以具有用于通过磁力隔着所保持的基板5吸引掩模6的磁力产生构件(未图示)。作为磁力产生构件，可以使用具备永磁铁、电磁铁或永电磁铁的磁铁板。另外，磁力产生构件也可以设置为能够相对于载体面板30相对移动。更具体地说，磁力产生构件也可以设置为能够变更与载体面板30之间的距离。

(其他基板保持构件)

需要说明的是，作为基板载体9的基板保持构件的结构，并不限定于本实施例所示的装夹部件32。例如，如图8(a)所示的作为变形例1的基板载体9a那样，也可以采用具备在翻转时在结构上从下方支承基板5的支承部321的结构。或者，如图8(b)所示的作为变形例2的基板载体9a那样，也可以采用如下结构(静电吸盘)：在载体面板30的内部设置电极322，利用通过向电极322施加电压而生成的静电力来保持基板5。

(对准机构的详细说明)

图6是表示对准机构的一个方式的立体图。掩模承接台16沿着载置于掩模台基座19上的升降台引导件34被上下引导(升降)。另外，在掩模6的输送方向的边下部载置有输送辊15，掩模6通过使掩模承接台16下降而被交接到输送辊15。

基板保持轴12通过设置于腔室4的上部隔壁4a的贯通孔，跨设于腔室4的外部和内部。在成膜空间内，在基板保持轴12的下部设置有载体支承部8，能够经由基板载体9保持作为被成膜物的基板5。

为了不使基板保持轴12与上部隔壁4a发生干涉，将贯通孔设计为相对于基板保持轴12的外径足够大。另外，基板保持轴12中的从贯通孔到向Z升降滑块10固定的固定部分为止的区间(比贯通孔靠上方的部分)被固定于Z升降滑块10和上部隔壁4a的波纹管40覆盖。由此，基板保持轴12被与腔室4连通的封闭的空间覆盖，因此，能够将基板保持轴12整体保持为与成膜空间2相同的状态(例如，真空状态)。波纹管40可以使用在Z方向以及XY方向上也具有柔软性的波纹管。由此，能够充分减小在波纹管40因对准装置1的运转而位移时产生的阻力，能够降低位置调整时的载荷。

掩模承接部在腔室4的内部设置于上部隔壁4a的成膜空间2侧的面，能够支承掩模6。例如在有机EL面板的制造中使用的掩模具有将具有与成膜图案对应的开口的掩模箔6b以架设于高刚性的掩模框架6a的状态固定的结构。根据该结构，掩模承接部能够以减少了掩模箔6b的挠曲的状态进行保持。

由对准装置1进行的各种动作(由面内移动构件11进行的对准、由距离变化构件进行的Z升降滑块10的升降、由载体支承部8进行的基板保持等)由控制部70控制。控制部70例如可以由具有处理器、内存、存储器、I/O等的计算机构成。在该情况下，控制部70的功能通过由处理器执行在内存或存储器中存储的程序来实现。作为计算机，可以使用通用的个人计算机，也可以使用嵌入式的计算机或PLC(programmable logic controller：可编程逻辑控制器)。或者，也可以由ASIC、FPGA那样的电路构成控制部70的功能的一部分或全部。需要说明的是，可以对每个对准装置设置控制部70，也可以由一个控制部70对多个对准装置进行控制。

说明对准装置1的对位机构60的详细情况。沿铅垂Z方向引导Z升降滑块10的引导件包括多根(在此为4根)Z引导件18a～18d，并固定于Z升降基座13的侧面。在Z升降滑块中央配设有用于传递驱动力的滚珠丝杠27，从固定于Z升降基座13的电机26传递的动力经由滚珠丝杠27传递到Z升降滑块10。

电机26内置有未图示的旋转编码器，能够通过编码器的转速间接地测量Z升降滑块10的Z方向位置。通过由外部控制器控制电机26的驱动，能够进行Z升降滑块10的Z方向的精密的定位。需要说明的是，Z升降滑块10的升降机构并不限定于滚珠丝杠27和旋转编码器，能够采用线性电机和线性编码器的组合等任意的机构。

图7是表示本实施例的对准机构的面内移动构件11的立体图。在图7的结构中，面内移动构件11在基座的四个角部具有多个驱动单元21a、21b、21c、21d。各驱动单元21a～21d以使产生驱动力的方向在四个角部各相差90度的方式，使配置于相邻的角部的驱动单元绕Z轴各旋转90度的方向而配置。

各驱动单元21具备产生驱动力的驱动单元电机25。各驱动单元21还具备：第一引导件22，该第一引导件22通过经由驱动单元滚珠丝杠46传递驱动单元电机25的力而在第一方向上滑动；以及第二引导件23，该第二引导件23在XY平面上在与第一方向正交的第二方向上滑动。还具备能够绕Z轴旋转的旋转轴承24。例如，在驱动单元21d的情况下，具有在X方向上滑动的第一引导件22、在与X方向正交的Y方向上滑动的第二引导件23、以及旋转轴承24，驱动单元电机25的力经由驱动单元滚珠丝杠46传递到第一引导件22。其他驱动单元21a、21b、21c也仅配置的方向彼此相差90度，分别具有与驱动单元21d相同的结构。

驱动单元电机25内置有未图示的旋转编码器，能够测量第一引导件22的位移量。在各驱动单元21中，通过由控制部70控制驱动单元电机25的驱动，能够精密地控制Z升降基座13在XYθz方向上的位置。

例如，在使Z升降基座13向+X方向移动的情况下，在驱动单元21a和驱动单元21d的每一个中，由驱动单元电机25产生向+X方向滑动的力，将该力传递到Z升降基座13即可。另外，在向+Y方向移动的情况下，在驱动单元21b和驱动单元21c的每一个中，由驱动单元电机25产生向+Y方向滑动的力，将该力传递到Z升降基座13即可。

在使Z升降基座13绕与Z轴平行的旋转轴旋转+θ(绕顺时针方向旋转θz)的情况下，使用对角配置的驱动单元21a和21d，产生绕Z轴旋转+θz所需的力，并将该力传递到Z升降基座13即可。或者，也可以使用驱动单元21b和驱动单元21c，向Z升降基座13传递旋转所需的力。

(对准标记拍摄)

接着，对为了检测基板5和掩模6的位置而用于同时测量各自的对准标记的位置的拍摄装置进行说明。如图3、图6所示，在上部隔壁4a的外侧的面上配设有用于取得掩模6上的对准标记(掩模标记)以及基板5上的对准标记(基板标记)的位置的位置取得构件即拍摄装置14(14a、14b、14c、14d)。在上部隔壁4a，以能够通过拍摄装置14对配置在腔室4的内部的对准标记的位置进行测量的方式，在照相机光轴上设置有拍摄用贯通孔。在拍摄用贯通孔，为了维持腔室内部的气压而设置有窗玻璃17(17a、17b、17c、17d)等。并且，在拍摄装置14的内部或附近设置未图示的照明，通过向基板以及掩模的对准标记附近照射光，从而能够进行准确的标记图像的测量。需要说明的是，在图3中，拍摄装置14d、窗玻璃17c、17d被其他部件遮挡而未图示。

参照图5(a)～图5(c)，对使用拍摄装置14测量基板标记37和掩模标记38的位置的方法进行说明。

图5(a)是从上方观察保持于载体支承部8的状态的载体面板30上的基板5的图。为了便于说明，载体面板30用虚线以透过的方式图示。在基板5上，在基板5的四个角部形成有能够由拍摄装置14测量的基板标记37a、37b、37c、37d。通过四个拍摄装置14a～14d同时测量该基板标记37a～37d，根据各基板标记37a～37d的中心位置4点的位置关系计算基板5的X方向移动量、Y方向移动量、旋转量，从而能够取得基板5的位置信息。需要说明的是，在载体面板30上开设有贯通孔，能够从上部通过拍摄装置14测量基板标记37的位置。

图5(b)是从上面观察掩模框架6a的图。在四个角部形成有能够由拍摄装置测量的掩模标记38a、38b、38c、38d。通过四个拍摄装置14a、14b、14c、14d同时测量该掩模标记38a～38d，根据各掩模标记38a～38d各自的中心位置4点的位置关系计算掩模6的X方向移动量、Y方向移动量、旋转量等，能够取得掩模6的位置信息。

图5(c)是示意性地表示通过拍摄装置14测量掩模标记38以及基板标记37的四个组中的一组时的拍摄图像的视野44的图。在该例子中，在拍摄装置14的视野44内，同时测量基板标记37和掩模标记38，因此，能够测定标记中心彼此的相对位置。标记中心坐标能够基于通过拍摄装置14的测量而得到的图像，使用未图示的图像处理装置求出。需要说明的是，作为掩模标记38以及基板标记37，示出了四边形、圆形的标记，但标记的形状并不限于此。例如，优选使用如×标记或十字形等那样容易计算中心位置且具有对称性的形状。

在要求精度高的对准的情况下，作为拍摄装置14，使用具有数μm量级的高分辨率的高倍率CCD照相机。这样的高倍率CCD照相机的视野的直径为数mm，较窄，因此，若将基板载体9载置于载体承接爪时的位置偏移较大，则基板标记37从视野脱离，无法测量。因此，作为拍摄装置14，优选一同设置高倍率CCD照相机和具有宽视野的低倍率CCD照相机。在该情况下，以使掩模标记38和基板标记37同时收在高倍率CCD照相机的视野内的方式，使用低倍率CCD照相机进行大致的对准(粗对准)后，使用高倍率CCD照相机进行掩模标记38和基板标记37的位置测量，进行高精度的对准(精对准)。

通过使用高倍率CCD照相机作为拍摄装置14，能够以误差为数μm内的精度调整掩模框架6a与基板5的相对位置。但是，拍摄装置14不限于CCD照相机，例如也可以是具备CMOS传感器作为拍摄元件的数字照相机。另外，即便不单独地一同设置高倍率照相机和低倍率照相机，也可以通过使用能够更换高倍率镜头和低倍率镜头的照相机、变焦镜头，从而能够利用单一的照相机进行高倍率和低倍率的测量。

根据由拍摄装置14取得的掩模框架6a的位置信息以及基板5的位置信息，能够取得掩模框架6a与基板5的相对位置信息。将该相对位置信息反馈到对准装置的控制部70，控制升降滑块10、面内移动构件11、载体支承部8等各个驱动部的驱动量。

(基板载置方法)

以下，对将基板5设置于基板载体9、将基板载体9上的基板5与掩模6对准并将基板载体9(基板5)载置于掩模6上为止的蒸镀装置的一系列的动作进行说明。

图10是表示实施例的对准装置的动作顺序的流程图。

首先，在步骤S101中，搭载于输送机构的基板载体9经由闸阀被送入腔室4内，载置于载体支承部8的两侧的载体承接爪上。一方的载体承接爪沿着基板5(基板载体9)的第一边隔开规定的间隔地配置有多个，在该基板5的第一边附近支承基板载体9的周缘部。另一方的载体承接爪沿着基板5的与上述第一边相向的第二边隔开规定的间隔地配置有多个，在该基板5的第二边附近支承基板载体9的周缘部。

接着，在步骤S103中，使基板载体9下降，设置在由低倍率CCD照相机拍摄的高度。接着，在步骤S104中，由低倍率CCD照相机对设置于基板5的基板标记37进行拍摄。控制部70基于拍摄到的图像取得基板5的位置信息并保存于存储器。

在步骤S105中存在如下情况：接着步骤S104执行的情况和在步骤S109或步骤S113中的判定为“否”时接着这些S109或S113执行的情况。

在接着步骤S104执行的步骤S105中，使基板载体9下降，设置在对准动作高度，基于在步骤S104中取得的位置信息来调整基板5的位置。

首先，就基板载体9的高度而言，将隔开载体承接面(载体承接爪的上表面)与掩模6的距离变更为比步骤S104时低的高度。但是，此时，载体承接面的位置设定为因自重而挠曲的基板载体9上的基板5不与掩模6接触的高度。需要说明的是，根据不同情况，也可以在相同的高度执行步骤S105和步骤S104。

在接着步骤S104执行的步骤S105中的对准动作中，控制部70基于在步骤S104中取得的基板5的位置信息，驱动对准装置1所具备的对位机构60。即，控制部70调整基板5的位置，以使基板5的基板标记37进入高倍率CCD照相机的视野内。需要说明的是，关于掩模6，预先调整好掩模6与高倍率CCD照相机的相对位置，以使掩模标记38进入高倍率CCD照相机的视野内(优选视野中心)。因此，通过接着步骤S104执行的步骤S105中的对准动作，被调整为基板标记37和掩模标记38双方进入高倍率CCD照相机的视野内。但是，在该时刻，由于景深的关系，有可能无法由高倍率CCD照相机拍摄基板标记37。需要说明的是，在对准动作中，使基板5在XYθz方向上移动，但如上所述，由于因自重而挠曲的基板5在不与掩模6接触的高度移动，因此，基板5的表面或已形成于基板5表面的膜图案不会与掩模6滑动而破损。

接着，在步骤S106中，使基板载体9下降，将基板5设置在由高倍率CCD照相机拍摄的高度。

在此，为了使景深浅的高倍率CCD照相机对焦于基板标记37和掩模标记36双方来进行拍摄，使基板5接近掩模6，直至基板5的至少一部分(挠曲的部分)与掩模6接触而形成基板掩模抵接部为止。

接着，在步骤S108中，通过高倍率CCD照相机同时拍摄基板5的基板标记37和掩模6的掩模标记38。控制部70基于拍摄到的图像，取得基板5与掩模6的相对位置信息。具体而言，在此所说的相对位置信息是与基板标记37和掩模标记38的中心位置彼此的距离和位置偏移的方向相关的信息。步骤S108是取得基板5与掩模6的相对位置信息(相对位置偏移量)并测量基板5与掩模6的位置偏移量的测量工序(测量处理)。

接着，在步骤S109中，控制部70判定在步骤S108中测出的基板5与掩模6的位置偏移量是否为规定的阈值以下。规定的阈值是预先设定的值，以使基板5与掩模6的位置偏移量收敛于即便进行成膜也不妨碍的范围内。阈值被设定为能够实现所要求的基板5与掩模6的对位精度。阈值例如设为误差为数μm内的量级。

在步骤S109中，在判定为基板5与掩模6的位置偏移量超过规定的阈值的情况下(步骤S109：否)，返回到步骤S105而执行对准动作，进而继续进行步骤S106以后的处理。

在步骤S109的判定为否的情况下执行的步骤S105中，使基板载体9上升，设置在对准动作高度，基于在步骤S108中取得的相对位置信息来调整基板5的位置。

在步骤S109的判定为否的情况下执行的对准动作中，控制部70基于在步骤S108中取得的基板5与掩模6的相对位置信息，驱动对准装置1所具备的对位机构。即，控制部70以使基板5的基板标记37与掩模6的掩模标记38成为更接近的位置关系的方式，使基板5在XYθz方向上移动来调整位置。

在对准动作中，使基板5在XYθz方向上移动，但如上所述，由于是因自重而挠曲的基板5不与掩模6接触的高度处的移动，因此，基板5的表面或已形成于基板5表面的膜图案不会与掩模6滑动而破损。

步骤S105是以减少基板5与掩模6的位置偏移量的方式使基板5移动的对准工序(对准处理)，在步骤S109的判定为否的情况下进行精对准。

在步骤S109的判定为是的情况下，在步骤S110中，使基板载体9进一步下降，成为基板载体9整体载置于掩模框架6a上的状态。即，载体支承部8对基板载体9的支承被解除，基板载体9(基板5)和搭载该基板载体9的掩模框架6a(掩模6)都成为被掩模承接台16(掩模支承部)支承的状态。接着，在步骤S112中，通过高倍率CCD照相机拍摄基板标记37和掩模标记36，取得基板5与掩模6的相对位置信息。

接着，在步骤S113中，控制部70基于在步骤S112中取得的基板5与掩模6的相对位置信息，判定基板5与掩模6的位置偏移量是否为规定的阈值以下。规定的阈值作为只要在该阈值内则即便进行成膜也不妨碍的范围内的条件而预先设定。

在步骤S113中，在判定为基板5与掩模6的位置偏移量超过规定的阈值的情况下(步骤S113：否)，使载体承接爪上升到基板5的高度来支承基板载体9。需要说明的是，该“否”判定例如在步骤S109～步骤S114之间在因外部振动而产生了位置偏移的情况下等可能会发生。

接着，返回到步骤S105而执行对准动作。之后，继续进行步骤S106以后的处理。

另一方面，在步骤S113中，在判定为基板5与掩模6的位置偏移量为规定的阈值以下的情况下(步骤S113：是)，转移到步骤S114，使掩模升降台16下降，交接到输送辊15。由此，对准顺序完成(结束)。

而且，作为安装工序，为了使基板载体9和掩模6从基板载体9向上方离开掩模6的分离位置向基板载体9载置于掩模6之上的安装位置移动(从分离状态向安装状态转移)，使基板载体支承部8下降。在本实施例中，沿着作为第三方向的Z轴方向下降，但也可以是在能够实现本发明的所希望的载置动作的范围内相对于Z轴方向带有一些角度的方向。另外，也可以不使基板载体支承部8移动，而使掩模支承部移动，也可以使两者移动。

(比较例的基板载体)

接着，使用图9对完成在图10中说明的一系列的对准动作，将比较例的基板载体9搭载于掩模6并通过输送辊15输送的情况下的输送状态进行说明。图9表示经由支承体33载置于掩模6上的比较例的基板载体9通过输送辊15的驱动而被输送时的状态(示意性剖视图)。另外，图9表示从图1中的C-C向视方向观察的载体结构，是将基板载体9翻转并经由支承体33搭载于掩模6上时的示意性剖视图，表示利用输送辊15进行输送时的形态。在图9中，纸面右方向为输送方向，通过使各输送辊15在图中右旋，依次输送掩模6以及基板载体9，按照图9(a)→图9(b)→图9(c)的顺序进行输送。

在图1中，基板载体9的载体面板30的构成矩形外周缘部的四边中的沿着基板载体9的输送方向的相向两边附近与掩模6被输送辊15支承的位置对应。为了便于说明，将纸面上方向设为输送方向，将在载体面板30的纸面左右的相向两边沿输送方向排列的多个支承体设为33c，在以下的说明中，有时称为输送方向支承体33c。另外，将在与输送方向正交的宽度方向上排列的多个支承体设为33s，在以下的说明中，有时称为宽度方向支承体33s。并且，在各图中，有时将各支承体组在由虚线包围的范围内分开表示。在图9(a)中，输送方向支承体33c配置在距相向两边中的与输送方向正交的边最近的dg的位置。该距离是基板载体9的输送方向上的载体面板30的端面与输送方向支承体33c中的在输送方向上与该端面最近的支承体33c的输送方向中央部的位置之间的输送方向上的距离。

图9(a)是掩模6的最后部与最后部附近的输送辊15b接触而被支承的状态。图9(b)表示从图9(a)的位置进行输送而从掩模6的最后部的输送辊15b离开的状态。此时，掩模6的最后部不被输送辊15b支承而成为悬臂状态，因此，成为因自重变形而局部地产生δ的挠曲的状态。本比较例以及本实施例中的基板载体(载体面板30)与掩模6相比，成为难以产生挠曲变形的结构。因此，基板载体9不追随掩模6的上述挠曲变形，其输送方向的后端的挠曲量比掩模6的输送方向后端的挠曲量小。需要说明的是，输送方向的前端侧的基板载体9与掩模6的挠曲量的大小关系也相同。

输送辊15以绕沿着与基板载体9以及掩模6的输送方向正交的宽度方向的旋转轴线旋转的方式配置，并且在输送线上以在上述输送方向上隔开间隔地排列的方式配置有多个。各输送辊15的相邻的输送辊15之间的输送方向上的距离、即辊间的跨距(相邻的输送辊15各自的旋转中心在输送方向上的距离)以距离dr(第一距离)等间隔地配置。但是，由于真空腔之间的连接部成为经由门阀的连接，因此，在该连接部处辊间跨距有时比dr长，在该情况下，其挠曲比δ大。图9(c)表示从图9(b)的位置进一步进行输送，掩模6的最后部与下一个输送辊15b′接触，掩模6后部再次被输送辊15支承的状态。此时，由自重引起的δ的挠曲被消除。

在该图9(b)至图9(c)的过程中，掩模6上的基板载体9经由输送方向支承体33c中的载体后部附近的支承体33c，受到由掩模6的变形引起的负荷Fm。在此，将由掩模6的变形引起的负荷Fm的横向分量负荷设为Fs，将由输送方向支承体33c中的配置在输送方向中央部的支承体33c受到的基板载体负荷的垂直阻力设为Fv，将垂直阻力Fv的横向分量、即横向(与输送方向相向的方向)的最大静摩擦力设为Fh。若相对于该最大静摩擦力Fh为Fs>Fh的关系，则掩模6与基板载体9的相对位置da变化而产生偏移。

若在该状态下反复进行多个输送辊15的输送，则在每次与输送辊15接触时，在掩模6后部产生由自重引起的δ的挠曲，掩模6后部再次与输送辊15接触而掩模6的姿势恢复为平坦时的变形引起的横向负荷Fs作用于基板载体9，掩模6与基板载体9的相对位置da发生变化。该相对位置da在进行直列成膜的过程中累积而以数百μm的水平变化。这是因为，基板载体9的输送方向支承体33中的在输送方向上配置于最端部的支承体33c以相距载体面板30的输送方向的端面的输送方向上的距离dg配置，该距离dg比输送辊15之间的跨距dr短。即，比较例的基板载体9的输送方向支承体33c的配置可以说是容易受到由与输送辊15接触时的掩模6的变形引起的负荷变化的影响的支承体的配置。

因此，尽管经过图10所示的对准流程那样的一系列的动作而高精度地对掩模6和基板载体9进行了对位，有时也会产生由之后的输送引起的偏移，在直列的成膜时会带来较大的影响。例如，设想在基板成膜面的外周的掩模范围产生偏移而产生成膜不均等，在有机EL面板的制造过程中成品率变差。

(本实施例的基板载体)

使用图11、图12、图13，对应用了本发明的载体结构以及支承体的配置进行说明。图11表示本发明的实施例1的基板载体9a的结构(支承体33的配置)。需要说明的是，在此，在本实施例的基板载体的结构中，仅对与比较例的基板载体9不同的部分进行说明。在本实施例的基板载体的结构中，在此未特别说明的事项、例如支承体以外的载体结构、上述成膜装置中的使用方式等与比较例的基板载体9相同，省略再次的说明。

在本实施例的基板载体9a中，配置于载体面板30的与输送方向平行的方向的边的多个支承体33c′(输送方向支承体33c′)配置成，距与基板载体9的输送方向正交的边(载体面板30的输送方向的端面)最近的位置(距离)为dg′。该dg′与比较例的图1所示的dg相比远离载体面板30的输送方向端面，支承体33c′的配置被限定在载体面板30的输送方向的边的中央附近。配置在该输送方向的中央部的输送方向支承体33c′成为集中受到基板载体9的负荷的结构。另外，与输送方向正交的宽度方向的支承体33s′(宽度方向支承体33s′)配置于载体面板30的四个角部，以便以最低限度的支承负荷支承基板载体9的端部，以避免基板5因基板载体9的自重挠曲而与掩模6接触并破损。

图12是本实施例中的基板载体9a、支承体33、掩模6的示意性剖视图。图12表示从图11的C′-C′向视方向观察的剖视图，表示将基板载体9a翻转而经由支承体33c′以及支承体33s′搭载于掩模6上的状态。图13(a)是掩模6的最后部与最后部附近的输送辊15b接触而被支承的状态。图13(b)表示从图13(a)的位置进行输送而从掩模6的最后部的输送辊15b离开的状态。图13(c)表示从图13(b)的位置进一步进行输送，掩模6的最后部与下一个输送辊15b′接触，掩模6后部再次被输送辊15支承的状态。

如上所述，在本实施例中，利用配置在载体面板30的宽度方向相向两边各自的输送方向中央的输送方向支承体33c′集中受到基板载体9a的负荷。因此，垂直阻力Fv与比较例的基板载体9中的支承体配置的情况相比增大，因此，横向(与输送方向相向的方向)的最大静摩擦力Fh与比较例的基板载体9中的支承体配置的情况相比大幅增大。此时，输送方向支承体33c′中的、位于距载体面板30的输送方向相向两边最近的位置的支承体33c′距载体面板30的输送方向端面的距离为dg′。dg′是基板载体9a的输送方向上的载体面板30的端面与输送方向支承体33c′中的在输送方向上与该端面最近的支承体33c′的输送方向中央部的位置之间的输送方向上的距离。本实施例的基板载体9a由于dg′比辊跨距dr远，因此，难以受到掩模6跨越输送辊15时的自重变形引起的负荷变化的影响。

另一方面，输送方向上的基板载体9a端部的支承通过由配置于沿着与载体面板30的输送方向正交的宽度方向的边的宽度方向支承体33s′对载体面板30的保持面31的四个角部进行支承而辅助性地承受。从四个角部的支承体33s′受到跨越输送辊15时的负荷Fm′，产生此时的水平分量Fs′，但在本实施例的基板载体9a的结构中，中央部的最大静摩擦力足够大，Fh>Fs′的关系被维持。因此，在掩模6的后端跨越输送辊15时，基板载体9a与掩模6的相对位置da′不会偏移而变化。

因此，根据本实施例，即使是在直列成膜时跨越多个输送辊15而被输送的状态，也能够维持在图10所示的一系列的对准流程中实施的高精度的基板载体9a与掩模6的对位状态。因此，根据本实施例，例如，基板外周部的成膜不均减少，有机EL面板生产的成品率大幅提高。

需要说明的是，在图12、图13中，对输送方向的后端部侧的掩模6的变形引起的负荷变化进行了说明，但在输送方向的前端部侧也同样地产生输送辊15的支承状态的变化引起的掩模6的变形。因此，基板载体9a的输送方向前端侧的支承体结构也与上述后端侧的支承体结构同样地构成。即，如图11所示，输送方向支承体33c′中的配置于输送方向的前头的支承体33c′配置成距载体面板30的输送方向前端面的距离为dg′。

另外，在本实施例中，将输送方向支承体33c′集中配置在输送方向上的基板载体9a的大致中央部，但只要能够确保上述距离dg′，则也可以是从中央部偏移的配置。即，在输送方向上，将从基板载体9a的前端起直至输送方向相反方向的距离为dg′为止的基板载体9a的区域设为前端部，将从基板载体9a的后端起直至输送方向上的距离为dg′为止的基板载体9a的区域设为后端部，将前端部与后端部之间的基板载体9a的区域设为中间部时，在该中间部配置输送方向支承体33c′即可。而且，关于作用于掩模6的基板载体9a的载荷(负荷)的每单位面积的大小，以中间部比前端部大且中间部比后端部大的方式配置输送方向支承体33c′即可。或者，关于在掩模6与基板载体9a之间产生的摩擦力的大小，以中间部比前端部大且中间部比后端部大的方式配置输送方向支承体33c′即可。在满足这些关系的范围内，中间部内的输送方向支承体33c′的配置不需要如本实施例那样在输送方向上设为等间隔，可以在处于中间部的范围内任意地配置。

在图12中的基板载体9a的支承状态下，使垂直阻力Fv与比较例相比增大，其结果是，使横向的摩擦力Fh增大而减少输送中的偏移，作为该方法，可考虑下述那样的结构。即，可考虑使配置在载体面板30的宽度方向相向两边的中央的支承体33c′的高度ghc比载体面板30的保持面31的四个角部的支承体33s′的高度ghs高。即，作为第一间隙块的支承体33c′在与输送方向交叉的高度方向上的长度比作为第二间隙块的支承体33s′在该高度方向上的长度长即可。根据该结构，在掩模6上的基板载体9a受到由掩模6的变形引起的负荷时，在支承体33c′侧受到的负荷增大，垂直阻力Fv增大，最大静摩擦力Fh增大，支承体33s′侧的负荷相对降低。因此，在基板载体9a的输送方向中央部受到的、作用于与输送方向相向的方向的摩擦力相对增大，由此，掩模6与基板载体9a的输送中的偏移进一步减少。

另外，若将静摩擦系数设为μ，则垂直阻力Fv和最大静摩擦力Fh存在Fh＝μ×Fv的关系，因此，通过提高静摩擦系数μ，能够减少输送偏移。即，只要作为第一间隙块的支承体33c′与掩模6之间的摩擦系数比作为第二间隙块的支承体33s′与掩模6之间的摩擦系数大即可。因此，为了提高支承体33c′与掩模6的接触面处的最大静摩擦力Fh，将支承体33c′的接触面变更为静摩擦系数μ高的材质是有效的。例如，可考虑用铝合金覆盖接触面的材质。另外，也可以考虑在接触面设置微细的凹凸来提高摩擦力的方法。例如，即便采用像汽车的制动垫那样含有石棉纤维的酚醛树脂，也具有提高摩擦力的效果。

另外，即便支承体33s′侧采用具有粘弹性的材质、例如柔软的橡胶，也具有吸收跨越输送辊15时的变形δ的效果，具有难以受到来自掩模6的负荷Fm′的变化的影响而减少输送偏移的效果。

[其他实施例]

参照图14以及图15，对本发明的实施例2～6的基板载体9b～9f进行说明。在以下的说明中，在实施例2～6中，仅对与实施例1的不同点进行说明。在实施例2～6的结构中，在此未特别说明的事项与实施例1的结构相同，省略再次的说明。

图14(a)是表示本发明的实施例2的基板载体9b的结构的示意性剖视图。作为配置在载体面板30的宽度方向相向两边的输送方向中央的支承体33c′的高度ghc的调整方法，也可以是通过设为将垫片等薄板35夹在支承体33c′与载体面板30之间的结构来调整高度的方法。需要说明的是，在图14(a)所示的结构例中，构成为相对于多个支承体33c′配置共用的一张薄板35，但并不限定于该结构。也可以与多个支承体33c′分别对应地夹设被分割为多个的薄板，也可以使一对一地配置支承体33c′与薄板35的对应的部分和在多个支承体33c′配置共用的一张薄板35的部分混合存在。

图14(b)是表示本发明的实施例3的基板载体9c的结构的示意性剖视图。作为配置在载体面板30的宽度方向相向两边的输送方向中央的支承体33c′的高度ghc的调整方法，也可以构成为代替支承体33c′而配置能够调整高度的千斤顶机构39。千斤顶机构39可以采用以往已知的例如螺纹式或楔式的千斤顶机构，具备支承载体面板30的支承部391、载置于掩模6的载置部392、以及构成为使它们之间的高度方向的距离可变的调整部393。调整部393由根据拧合位置的变化而使支承部391与载置部392之间的高度变化的螺钉、根据插入量而使上述高度变化的楔部等构成。这样，通过设为利用千斤顶机构39相对于掩模6支承基板载体9c(载体面板30)的沿着输送方向的边(长边)的中央部的结构，能够增大该中央部处的负荷，相对减小输送方向的端部侧的负荷。

图14(c)是表示本发明的实施例4的基板载体9d的结构的示意性剖视图。本实施例是施加基于磁力的预压来提高最大静摩擦力Fh的结构例。即，本实施例的基板载体9d成为代替支承体33c′而配置有磁铁41的结构。磁铁41是具有N极41N和S极41S的永磁铁，在掩模6与载体面板30的相向面周缘部的沿着输送方向的边的大致中央部，以磁极的配置在掩模6和载体面板30分别交错的方式配置。磁铁41作为磁力产生构件，对载体面板30的沿着输送方向的边的中央部(输送方向上的前端部与后端部之间的中间部)施加以基板载体9d的输送方向中央部朝向掩模6的方式被吸引的磁力。通过由这样的磁力产生的载荷，能够使基板载体9d的输送方向中央部处的对掩模6的负荷相对于输送方向端部相对变大，难以受到来自掩模6端部的负荷Fm′的影响，能够减少输送偏移。

在图14(c)所示的结构例中，设置于基板载体9d的磁铁41和设置于掩模6的磁铁41配置在支承体33t′的附近，通过支承体33t′的高度而成为两磁铁41相互分离的结构。根据磁铁41的配置，或者根据支承体的配置，也可以构成为两磁铁41通过磁力进行吸附。或者，在掩模6由金属等磁性体材料构成的情况下，也可以构成为在掩模6不设置磁铁41，通过设置于基板载体9d的磁铁41，在基板载体9d的输送方向中央部产生由磁力引起的载荷。在该结构中，也能够使基板载体9d的输送方向中央部处的对掩模6的负荷相对于输送方向端部相对变大。

图15(a)是表示本发明的实施例5的基板载体9e的结构的示意性剖视图。本实施例构成为，不设置支承体33c′，而在载体面板30的保持面31的周缘部的沿着输送方向的边的输送方向中央部设置凸部93，利用该凸部93的前端面相对于掩模6支承基板载体9e。即，基板载体9e的上述中间部成为具有与上述前端部以及上述后端部相比朝向掩模6突出的突出部的结构，基板载体9e在上述中间部与掩模6接触，上述前端部和上述后端部不与掩模6接触。在该结构中，也能够使基板载体9e的输送方向中央部处的对掩模6的负荷相对于输送方向端部相对变大。

在图15(a)所示的结构例中，构成为在载体面板30的沿着输送方向的相向边分别设置单一的凸部93，但例如也可以构成为将多个凸部以集中于输送方向中央部的方式配置。在该情况下，多个凸部各自的大小(高度、输送方向的宽度)可以分别设为相同的大小，也可以构成为不同的大小。另外，也可以与上述实施例同样地构成为，在载体面板30的保持面31的四个角部，高度比凸部93低的支承体33s′辅助性地支承基板载体9e的输送方向端部。

图15(b)是表示本发明的实施例6的基板载体9f的结构的示意性剖视图。在上述实施例中，构成为利用配置于载体面板30的保持面31的四个角部的支承体33s′来防止基板5与掩模6在输送方向的端部接触，但实施例6的基板载体9f构成为省去了四个角部的支承体33s′。例如，根据载体面板30的尺寸、材质、结构、支承部33的结构、配置等，有时成为即便产生振动也不会产生基板5与掩模6的接触的结构、或者即便产生接触也收敛于不会导致基板5破损的程度的结构。在这种情况下，也可以采用省去了实施例1～4的基板载体所具备的四个角部的支承体33s′的结构。根据该结构，与实施例1～4的基板载体9相比，能够减少受到来自掩模6端部的负荷Fm′的机会，能够提高输送偏移的减少效果。

上述各实施例的各结构只要不产生技术上的矛盾，也可以为相互组合的结构。

<电子器件的制造方法>

对使用上述基板处理装置制造电子器件的方法进行说明。在此，作为电子器件的一例，以有机EL显示装置那样的显示装置等所使用的有机EL元件的情况为例进行说明。需要说明的是，本发明的电子器件并不限定于此，也可以是薄膜太阳能电池、有机CMOS图像传感器。在本实施例中，具有使用上述成膜方法在基板5上形成有机膜的工序。另外，在基板5上形成有机膜后，具有形成金属膜或金属氧化物膜的工序。以下对通过这样的工序得到的有机EL显示装置600的结构进行说明。

图16(a)是有机EL显示装置600的整体图，图16(b)表示一个像素的截面结构。如图16(a)所示，在有机EL显示装置600的显示区域61，呈矩阵状地配置有多个具备多个发光元件的像素62。每一个发光元件具有具备被一对电极夹着的有机层的结构。需要说明的是，在此所说的像素是指在显示区域61中能够进行所希望的颜色的显示的最小单位。在本图的有机EL显示装置的情况下，通过示出彼此不同的发光的第一发光元件62R、第二发光元件62G、第三发光元件62B的组合来构成像素62。像素62大多由红色发光元件、绿色发光元件以及蓝色发光元件的组合来构成，但也可以是黄色发光元件、青色发光元件以及白色发光元件的组合，只要是至少一种颜色以上即可，没有特别限定。另外，各发光元件也可以通过层叠多个发光层来构成。

另外，也可以使用由示出相同发光的多个发光元件构成像素62并以与各个发光元件对应的方式呈图案状地配置有多个不同的颜色变换元件的滤色器，一个像素在显示区域61中能够进行所希望的颜色的显示。例如，也可以使用由至少三个白色发光元件构成像素62并以与各个发光元件对应的方式排列有红色、绿色、蓝色的各颜色变换元件的滤色器。或者，也可以使用由至少三个蓝色发光元件构成像素62并以与各个发光元件对应的方式排列有红色、绿色、无色的各颜色变换元件的滤色器。在后者的情况下，通过使用量子点滤色器(QD-CF)，与不使用量子点滤色器的通常的有机EL显示装置相比，能够扩大显示色域，上述量子点滤色器(QD-CF)使用量子点(Quantum Dot：QD)材料作为构成滤色器的材料。

图16(b)是图16(a)的A-B线处的局部截面示意图。像素62具有有机EL元件，该有机EL元件在基板5上具备第一电极(阳极)64、空穴输送层65、发光层66R、66G、66B中的任一个、电子输送层67以及第二电极(阴极)68。其中，空穴输送层65、发光层66R、66G、66B、电子输送层67相当于有机层。另外，在本实施例中，发光层66R是发出红色光的有机EL层，发光层66G是发出绿色光的有机EL层，发光层66B是发出蓝色光的有机EL层。需要说明的是，如上所述，在使用滤色器或量子点滤色器的情况下，在各发光层的光出射侧、即图16(b)的上部或下部配置滤色器或量子点滤色器，但省略图示。

发光层66R、66G、66B分别形成为与发出红色光、绿色光、蓝色光的发光元件(有时也记为有机EL元件)对应的图案。另外，第一电极64按照每个发光元件分离地形成。空穴输送层65、电子输送层67以及第二电极68既可以与多个发光元件62R、62G、62B共用而形成，也可以按照每个发光元件形成。需要说明的是，为了防止第一电极64和第二电极68因异物而短路，在第一电极64之间设置有绝缘层69。并且，由于有机EL层会因水分、氧而劣化，因此，设置有用于保护有机EL元件免受水分、氧侵蚀的保护层P。

接着，对作为电子器件的有机EL显示装置的制造方法的例子进行具体说明。首先，准备形成有用于驱动有机EL显示装置的电路(未图示)以及第一电极64的基板5。

接着，在形成有第一电极64的基板5上通过旋涂而形成丙烯酸树脂、聚酰亚胺等树脂层，通过光刻法以在形成有第一电极64的部分形成开口的方式对树脂层进行构图而形成绝缘层69。该开口部相当于发光元件实际发光的发光区域。

接着，将构图有绝缘层69的基板5送入第一成膜装置，利用基板保持单元保持基板，将空穴输送层65作为共用的层而成膜在显示区域的第一电极64上。空穴输送层65通过真空蒸镀而成膜。实际上，空穴输送层65形成为比显示区域61大的尺寸，因此不需要高精细的掩模。在此，在本步骤中的成膜、以下的各层的成膜中使用的成膜装置是上述各实施例中的任一个所记载的成膜装置。

接着，将形成至空穴输送层65的基板5送入第二成膜装置，利用基板保持单元进行保持。进行基板与掩模的对准，将基板载置于掩模上，在基板5的配置发出红色光的元件的部分，成膜发出红色光的发光层66R。根据本例，可以使掩模与基板良好地重叠，能够进行高精度的成膜。

与发光层66R的成膜同样地，利用第三成膜装置来成膜发出绿色光的发光层66G，进而利用第四成膜装置来成膜发出蓝色光的发光层66B。在发光层66R、66G、66B的成膜完成后，利用第五成膜装置在整个显示区域61成膜电子输送层67。发光层66R、66G、66B的每一个既可以是单层，也可以是层叠有多个不同的层而得到的层。电子输送层65作为共用的层而形成于三种颜色的发光层66R、66G、66B。在本实施例中，电子输送层67、发光层66R、66G、66B通过真空蒸镀而成膜。

接着，在电子输送层67上成膜第二电极68。第二电极可以通过真空蒸镀形成，也可以通过溅射形成。之后，将形成有第二电极68的基板移动到密封装置，通过等离子体CVD成膜保护层P(密封工序)，有机EL显示装置600完成。需要说明的是，在此通过CVD法形成保护层P，但并不限定于此，也可以通过ALD法、喷墨法形成。

从将构图有绝缘层69的基板5送入成膜装置起直至保护层P的成膜完成为止，若暴露在包含水分、氧在内的环境中，则由有机EL材料构成的发光层有可能因水分、氧而劣化。因此，在本例中，成膜装置之间的基板的送入送出在真空环境或非活性气体环境下进行。

Claims (19)

1.一种基板载体，所述基板载体通过多个输送辊在保持基板且载置于掩模的状态下沿输送方向被输送，所述多个输送辊至少包括按照以第一距离相邻地排列的方式配置的两个输送辊，并沿着所述输送方向排列，所述基板载体的特征在于，具有：

前端部，所述前端部从所述输送方向的前端起在所述输送方向上到所述第一距离为止；

后端部，所述后端部从所述输送方向的后端起在所述输送方向上到所述第一距离为止；以及

中间部，所述中间部在所述输送方向上位于所述前端部与所述后端部之间，

所述中间部处的对所述掩模的每单位面积的载荷大于所述前端部处的对所述掩模的每单位面积的载荷，并且大于所述后端部处的对所述掩模的每单位面积的载荷。

2.一种基板载体，所述基板载体通过多个输送辊在保持基板且载置于掩模的状态下沿输送方向被输送，所述多个输送辊至少包括按照以第一距离相邻地排列的方式配置的两个输送辊，并沿着所述输送方向排列，所述基板载体的特征在于，具有：

前端部，所述前端部从所述输送方向的前端起在所述输送方向上到所述第一距离为止；

后端部，所述后端部从所述输送方向的后端起在所述输送方向上到所述第一距离为止；以及

中间部，所述中间部在所述输送方向上位于所述前端部与所述后端部之间，

所述中间部处的所述基板载体与所述掩模的摩擦力大于所述前端部处的所述基板载体与所述掩模的摩擦力，并且大于所述后端部处的所述基板载体与所述掩模的摩擦力。

3.如权利要求1或2所述的基板载体，其特征在于，

所述基板载体具有：

基板保持部，所述基板保持部保持所述基板；以及

多个间隙块，所述多个间隙块配置在所述基板保持部的周围的外周部，

所述基板载体隔着所述多个间隙块载置于所述掩模。

4.如权利要求3所述的基板载体，其特征在于，

所述多个间隙块配置在所述中间部，而不配置在所述前端部和所述后端部。

5.如权利要求3所述的基板载体，其特征在于，

所述多个间隙块包括配置在所述中间部的第一间隙块和配置在所述前端部或所述后端部的第二间隙块，

所述第一间隙块与所述掩模之间的摩擦系数大于所述第二间隙块与所述掩模之间的摩擦系数。

6.如权利要求3所述的基板载体，其特征在于，

所述多个间隙块包括配置在所述中间部的第一间隙块和配置在所述前端部或所述后端部的第二间隙块，

与所述输送方向交叉的高度方向上的所述第一间隙块的长度比所述高度方向上的所述第二间隙块的长度长。

7.如权利要求1或2所述的基板载体，其特征在于，

所述前端的挠曲量比所述输送方向上的所述掩模的前端的挠曲量小，

所述后端的挠曲量比所述输送方向上的所述掩模的后端的挠曲量小。

8.如权利要求1或2所述的基板载体，其特征在于，

所述基板载体具有磁力产生构件，所述磁力产生构件对所述中间部施加朝向所述掩模的磁力。

9.如权利要求1或2所述的基板载体，其特征在于，

所述中间部具有与所述前端部以及所述后端部相比朝向所述掩模突出的突出部。

10.一种基板载体，所述基板载体通过多个输送辊在保持基板且载置于掩模的状态下沿输送方向被输送，所述多个输送辊至少包括按照以第一距离相邻地排列的方式配置的两个输送辊，并沿着所述输送方向排列，所述基板载体的特征在于，具有：

前端部，所述前端部从所述输送方向的前端起在所述输送方向上到所述第一距离为止；

后端部，所述后端部从所述输送方向的后端起在所述输送方向上到所述第一距离为止；以及

中间部，所述中间部在所述输送方向上位于所述前端部与所述后端部之间，

所述中间部与所述掩模接触，

所述前端部和所述后端部不与所述掩模接触。

11.如权利要求10所述的基板载体，其特征在于，

所述基板载体具有：

基板保持部，所述基板保持部保持所述基板；以及

多个间隙块，所述多个间隙块配置在所述基板保持部的周围的外周部，

所述基板载体隔着所述多个间隙块载置于所述掩模。

12.如权利要求11所述的基板载体，其特征在于，

所述多个间隙块配置在所述中间部，而不配置在所述前端部和所述后端部。

13.如权利要求10或11所述的基板载体，其特征在于，

所述前端的挠曲量比所述输送方向上的所述掩模的前端的挠曲量小，

所述后端的挠曲量比所述输送方向上的所述掩模的后端的挠曲量小。

14.如权利要求10或11所述的基板载体，其特征在于，

所述基板载体具有磁力产生构件，所述磁力产生构件对所述中间部施加朝向所述掩模的磁力。

15.如权利要求10或11所述的基板载体，其特征在于，

所述中间部具有与所述前端部以及所述后端部相比朝向所述掩模突出的突出部。

16.一种成膜装置，其特征在于，所述成膜装置具备：

权利要求1、2、10中任一项所述的基板载体；

所述多个输送辊；以及

放出成膜材料的成膜源，

在所述基板载体保持所述基板且载置于所述掩模的状态下，一边沿所述输送方向输送所述基板，一边经由所述掩模对所述基板进行成膜。

17.一种成膜方法，通过成膜装置进行成膜，所述成膜装置具备成膜源和多个输送辊，所述多个输送辊至少包括按照以第一距离相邻地排列的方式配置的两个输送辊，并沿着输送方向排列，所述成膜源放出成膜材料，所述成膜方法的特征在于，具有：

基板保持工序，在所述基板保持工序中，使基板保持于基板载体，所述基板载体具有前端部、后端部以及中间部，所述前端部从所述输送方向的前端起在所述输送方向上到所述第一距离为止，所述后端部从所述输送方向的后端起在所述输送方向上到所述第一距离为止，所述中间部在所述输送方向上位于所述前端部与所述后端部之间；

载置工序，在所述载置工序中，以所述中间部处的对所述掩模的每单位面积的载荷大于所述前端部处的对所述掩模的每单位面积的载荷且大于所述后端部处的对所述掩模的每单位面积的载荷的方式，将所述基板载体载置于掩模；以及

成膜工序，在所述成膜工序中，在所述基板载体保持所述基板且载置于所述掩模的状态下，一边沿所述输送方向输送所述基板，一边经由所述掩模对所述基板进行成膜。

18.一种成膜方法，通过成膜装置进行成膜，所述成膜装置具备成膜源和多个输送辊，所述多个输送辊至少包括按照以第一距离相邻地排列的方式配置的两个输送辊，并沿着输送方向排列，所述成膜源放出成膜材料，所述成膜方法的特征在于，具有：

基板保持工序，在所述基板保持工序中，使基板保持于基板载体，所述基板载体具有前端部、后端部以及中间部，所述前端部从所述输送方向的前端起在所述输送方向上到所述第一距离为止，所述后端部从所述输送方向的后端起在所述输送方向上到所述第一距离为止，所述中间部在所述输送方向上位于所述前端部与所述后端部之间；

载置工序，在所述载置工序中，以所述中间部与掩模接触且所述前端部和所述后端部不与所述掩模接触的方式，将所述基板载体载置于所述掩模；以及

成膜工序，在所述成膜工序中，在所述基板载体保持所述基板且载置于所述掩模的状态下，一边沿所述输送方向输送所述基板，一边经由所述掩模对所述基板进行成膜。

19.一种电子器件的制造方法，其特征在于，具有使用权利要求17或18所述的成膜方法在基板上形成有机膜的工序。

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