CN115642564A

CN115642564A - 一种过流保护电路及芯片

Info

Publication number: CN115642564A
Application number: CN202211328153.XA
Authority: CN
Inventors: 傅荣颢
Original assignee: Yaoxin Microelectronics Technology Shanghai Co ltd
Current assignee: Yaoxin Microelectronics Technology Shanghai Co ltd
Priority date: 2022-10-27
Filing date: 2022-10-27
Publication date: 2023-01-24
Anticipated expiration: 2042-10-27
Also published as: CN115642564B

Abstract

本发明提供一种过流保护电路及芯片，至少包括：第一保护模块与功率器件连接，对功率器件的源电压进行采集，输出对应的反馈信号；驱动模块连接于功率器件与第一保护模块之间，用于给功率器件提供驱动信号，并基于反馈信号将功率器件关断；锁存模块连接于功率器件与第一保护模块之间，将反馈信号锁存；第二保护模块连接于功率器件与驱动模块之间，对功率器件的源电压进行采集，在第一时间将功率器件关断。通过第一保护模块设置的触发阈值以适应不同应用场景的过流保护，通过第二保护模块能够第一时间对功率器件进行过流保护，给功率器件提供双重保护。能够重复进行过流保护，且无需更换，具有广泛地适用性。

Description

一种过流保护电路及芯片

技术领域

本发明涉及电子电路领域，特别是涉及一种过流保护电路及芯片。

背景技术

在功率器件(包括Si MOSFET、IGBT、SiC MOSFET等)的应用中，偶尔会发生功率器件的失效，功率器件的失效往往还伴随高电压及大电流的冲击，传统的方案是在电路中安装保险丝，大电流触发保险丝熔断从而切断电源，进而保护功率器件。但是保险丝存在两个缺陷，一是熔断后的保险丝需要人工更换；二是保险丝的熔断机制是热累积熔断，比如说某保险丝在100安培的电流时0.1秒熔断，而在1000安培的电流时0.01秒熔断，这个熔断机制会导致电路出现了超大瞬态电流脉冲时，保险丝虽然经过一段时间延迟后熔断，在这段时间延迟的过程中，电流脉冲仍有可能对电路中的功率器件造成不可逆的损坏。因此，如何使保险丝在能够第一时间熔断以及熔断后可恢复且不需要更换是急需解决的技术问题。

应该注意，上面对技术背景的介绍只是为了方便对本申请的技术方案进行清楚、完整的说明，并方便本领域技术人员的理解而阐述的。不能仅仅因为这些方案在本申请的背景技术部分进行了阐述而认为上述技术方案为本领域技术人员所公知。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种过流保护电路及芯片，用于解决现有技术中保险丝需要经过延迟才能熔断，以及熔断后的保险丝无法恢复的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种过流保护电路，用于对功率器件进行过流保护，所述过流保护电路至少包括：第一保护模块、第二保护模块、驱动模块及锁存模块，其中：

所述第一保护模块与功率器件连接，对功率器件的源电压进行采集，通过对比所述第一保护模块设置的触发阈值与所述源电压输出对应的反馈信号；

所述驱动模块连接于功率器件与所述第一保护模块之间，用于给功率器件提供驱动信号，在功率器件过流时，所述驱动模块基于所述反馈信号将功率器件关断；

所述锁存模块连接于功率器件与所述第一保护模块之间，在功率器件关断时，将所述反馈信号锁存；

所述第二保护模块连接于功率器件与所述驱动模块之间，对功率器件的源电压进行采集，在源电压超过所述第二保护模块的触发阈值时，所述第二保护模块第一时间将功率器件关断。

可选地，所述第一保护模块包括：第一电阻、第二电阻、第三电阻、可调电阻、第一比较器、第二比较器及第一二极管，其中，所述第一电阻的第一端接第一工作电压；所述可调电阻的第一端与所述第一电阻的第二端连接；所述第二电阻连接于所述可调电阻的第二端与参考地之间；所述第一二极管的正极与所述可调电阻的第一端连接；所述第一比较器的同相端与所述可调电阻的第二端连接，反相端经所述第三电阻与功率器件连接，输出端与所述第一二极管的负极连接，其中，所述第一比较器的输出端输出所述反馈信号；所述第二比较器的同相端接第一工作电压，反相端与所述锁存模块连接，输出端与所述第一比较器的输出端连接。

可选地，所述第一工作电压的电压值为2.5伏.

可选地，所述第二保护模块包括：第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第八电阻、第一功率管、第一电容及第二二极管，其中，所述第四电阻的第一端与所述驱动模块连接；所述第一功率管的第一端与所述第四电阻的第二端连接，第三端接参考地；所述第五电阻的第一端与所述第一功率管的第二端连接；所述第二二极管的负极与所述第五电阻的第二端连接；所述第七电阻的第一端与所述第二二极管的正极连接，第二端与功率器件连接；所述第六电阻连接于所述第二二极管的正极与负极之间；所述第一电容连接于所述第二二极管的负极与所述第一功率管的第三端之间；所述第八电阻连接于所述第一功率管的第一端与第三端之间。

可选地，所述第一功率管为NMOS管，其中，所述第一功率管的第一端为NMOS管的漏极，第二端为NMOS管的栅极，第三端为NMOS管的源极。

可选地，所述锁存模块包括：第九电阻、第十电阻及锁存单元，其中，所述第九电阻的第一端与功率器件连接，第二端与所述第一保护模块连接；所述第十电阻连接于所述第九电阻的第二端与参考地之间；所述锁存单元连接于所述第九电阻的第二端与参考地之间。

可选地，所述第九电阻与所述第十电阻的阻值的比值至少为10：1。

可选地，所述锁存单元包括第三二极管，其中，所述第三二极管的负极与所述第九电阻的第二端连接，正极接参考地。

可选地，所述驱动模块包括：第十一电阻、第十二电阻、第十三电阻、第十四电阻、第二功率管及第三功率管，其中，所述第十一电阻的第一端接第二工作电压；所述第二功率管的第一端与所述第十一电阻的第二端连接；所述第十二电阻连接于第二工作电压与所述第二功率管的第二端之间；所述第十三电阻的第一端与所述第二功率管的第二端连接，第二端与所述第一保护模块连接，其中，所述第十三电阻的第二端接所述反馈信号；所述第三功率管的第一端与所述第二功率管的第三端连接，第二端与所述第二功率管的第二端连接，第三端接参考地；所述第十四电阻连接于所述第三功率管的第二端与第三端之间。

可选地，所述第二工作电压的电压值为12伏。

可选地，所述第二功率管为NMOS管，其中，所述第二功率管的第一端为NMOS管的漏极，第二端为NMOS管的栅极，第三端为NMOS管的源极；所述第三功率管为PMOS管，其中，所述第三功率管的第一端为PMOS管的源极，第二端为PMOS管的栅极，第三端为PMOS管的漏极。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种芯片，所述芯片基于所述过流保护电路实现，所述芯片与功率器件连接，用于对功率器件进行过流保护。

如上所述，本发明的一种过流保护电路及芯片，具有以下有益效果：

1)本发明的过流保护电路及芯片，通过第一保护模块设置的触发阈值以适应不同应用场景的过流保护，通过第二保护模块能够第一时间对功率器件进行过流保护，给功率器件提供双重保护。

2)本发明的过流保护电路及芯片，能够重复进行过流保护，且无需更换，具有广泛地适用性。

附图说明

图1显示为本发明的过流保护电路示意图。

附图标记说明

1 过流保护电路

11 第一保护模块

111 第一比较器

112 第二比较器

113 可调电阻

12 第二保护模块

13 锁存模块

131 锁存模块

14 驱动模块

2 功率器件

具体实施方式

以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。

请参阅图1。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，图式中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。

如图1所示，本实施例提供一种过流保护电路1，用于对功率器件2进行过流保护，所述过流保护电路1包括：第一保护模块11、第二保护模块12、驱动模块14及锁存模块13，其中：

如图1所示，第一保护模块11与功率器件2连接，对功率器件2的源电压S1进行采集，通过对比第一保护模块11设置的触发阈值与源电压S1输出对应的反馈信号fd。

需要说明的是，功率器件包括Si MOSFET(MOSFET为Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect Transistor的缩写，即金属-氧化物半导体场效应晶体管，Si指的是硅)、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,绝缘栅双极型晶体管，是由双极型三极管(Bipolar Junction Transistor，BJT)和绝缘栅型场效应管(Metal OxideSemiconductor，MOS)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件)、SiC(即碳化硅)MOSFET等，以SiC MOSFET为例，SiC MOSFET在过流的状态下，能够耐受大约2-3微秒，因此，过流保护电路的响应时间需要小于2-3微秒。

具体地，作为示例，如图1所示，第一保护模块11包括：第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、可调电阻113、第一比较器111、第二比较器112及第一二极管D1，其中，第一电阻R1的第一端接第一工作电压VCC1，更具体地，第一工作电压VCC1的电压值为2.5伏；可调电阻113的第一端与第一电阻R1的第二端连接；第二电阻R2连接于可调电阻113的第二端与参考地GND之间；第一二极管D1的正极与可调电阻113的第一端连接；第一比较器111的同相端IN1+与可调电阻113的第二端连接，反相端经第三电阻R3与功率器件2连接，其中，反相端经第三电阻R3接收源电压S1，输出端与第一二极管D1的负极连接，其中，第一比较器111的输出端输出反馈信号fd；第二比较器112的同相端接第一工作电压VCC1，反相端与锁存模块13连接，输出端与第一比较器111的输出端连接。需要说明的是，可调电阻113调整第一比较器111的同相端IN1+的电压进而设置第一保护模块11的触发阈值，第一比较器111通过对比IN1+的电压与源电压S1进而输出对应的反馈信号fd，当源电压S1超过同相端IN1+的电压时，则反馈信号fd为低电平。作为示例，如果功率器件2的过流值为300安培，将第十五电阻R15、第十六电阻R16、第十七电阻R17均设置为0.01欧姆，当功率器件2发生过流时，源电压S1等于3伏，源电压S1经过第三电阻R3传输至第一比较器111的反相端，其中，第三电阻R3的阻值通常设置为1K欧姆；第一工作电压VCC1经过第一电阻R1、第二电阻R2及可调电阻113进行分压，并由可调电阻113与第二电阻R2的连接点作为第一比较器111的同相端IN1+的输入电压，第一比较器111通过对比同相端IN1+与反向端的电压值输出对应的反馈信号fd。通过分析可知，如果功率器件2的过流值不断突变，第一保护模块11采集到的源电压S1随着过流发生跳跃，造成第一比较器111的反向端的电压时而大于同相端的电压，时而小于同相端的电压，从而导致反馈信号fd不断发生突变，如果没有锁存模块13在功率器件2关断时对反馈信号fd进行锁存，会导致功率器件2交替进行关断和开启，造成功率器件2不可逆的损坏。需要补充说明的是，第一工作电压VCC1的电压值应根据具体的使用场景进行设置，并不以本实施例为限。进一步地，第一保护模块11还可以采用ASIC(Application SpecificIntegrated Circuit)即专用集成电路进行设置，ASIC被认为是一种为专门目的而设计的集成电路。是指应特定用户要求和特定电子系统的需要而设计、制造的集成电路。ASIC的特点是面向特定用户的需求，ASIC在批量生产时与通用集成电路相比具有体积更小、功耗更低、可靠性提高、性能提高、保密性增强、成本降低等优点。需要进一步说明的是，只要能对功率器件的源电压S1进行采集、并设置触发阈值、通过对比触发阈值与源电压S1输出对应的反馈信号fd，任意第一保护模块11实现形式均适用，并不以本实施例为限。

如图1所示，驱动模块14连接于功率器件2与第一保护模块11之间，用于给功率器件2提供驱动信号，在功率器件2过流时，驱动模块14基于反馈信号fd将功率器件2关断。

具体地，作为示例，如图1所示，驱动模块14包括：第十一电阻R11、第十二电阻R12、第十三电阻R13、第十四电阻R14、第二功率管Q2及第三功率管Q3，其中，所第十一电阻R11的第一端接第二工作电压VCC2，更具体地，第二工作电压VCC2的电压值为12伏；第二功率管Q2的第一端与第十一电阻R11的第二端连接；第十二电阻R12连接于第二工作电压VCC2与第二功率管Q2的第二端之间；第十三电阻R13的第一端与第二功率管Q2的第二端连接，第二端与第一保护模块11连接，其中，第十三电阻R13的第二端接反馈信号fd；第三功率管Q3的第一端与第二功率管Q2的第三端连接，第二端与第二功率管Q2的第二端连接，第三端接参考地GND；第十四电阻R14连接于第三功率管Q3的第二端与第三端之间。需要说明的是，第二工作电压VCC2的电压值包括但不限于12伏，只要能使驱动模块14正常工作，任意第二工作电压VCC2的电压设置均适用，并不以本实施例为限。

更具体地，第二功率管Q2为NMOS管，其中，第二功率管Q2的第一端为NMOS管的漏极，第二端为NMOS管的栅极，第三端为NMOS管的源极；第三功率管Q3为PMOS管，其中，第三功率管Q3的第一端为PMOS管的源极，第二端为PMOS管的栅极，第三端为PMOS管的漏极。

需要说明的是，驱动模块14为推挽驱动，为上N下P型结构，当第二功率管Q2开启时，第三功率管Q3关断；当第二功率管Q2关断时，第三功率管Q3开启。而反馈信号fd经过第十三电阻R13加载至第二功率管Q2与第三功率管Q3的第二端上，通过反馈信号fd控制第二功率管Q2与第三功率管Q3的交替开启，在本实施例中，通过驱动模块14中第二功率管Q2的第三端为功率器件2提供驱动信号，其中，由第二功率管Q2的第三端输出的驱动信号，给功率器件2中第四功率管Q4、第五功率管Q5及第六功率管Q6的第二端提供驱动，使功率器件2正常工作。当功率器件2出现过流时，功率器件2中的源电压S1经第一保护模块11采集并对比后，由第一保护模块11输出对应的反馈信号fd；驱动模块14采集到反馈信号fd时，驱动模块14将功率器件2中第四功率管Q4、第五功率管Q5及第六功率管Q6关断，使过流保护电路1对功率器件2进行过流保护。其中，第四功率管Q4、第五功率管Q5及第六功率管Q6的第二端的电压均为源电压S1。需要进一步说明的是，功率器件2中功率管的数量包括但不限于3个，也可以为1个，或2个，或超过3个，当功率器件2中功率管的数量超过1个时，各功率管为并联设置。

需要补充说明的是，驱动模块14包括但不限于第十一电阻R11、第十二电阻R12、第十三电阻R13、第十四电阻R14、第二功率管Q2及第三功率管Q3，只要能给功率器件2提供驱动信号，并在功率器件2过流时，将功率器件2关断，任意驱动模块14设置形式均适用，并不以本实施例为限。

如图1所示，锁存模块13连接于功率器件2与第一保护模块11之间，在功率器件2关断时，将反馈信号fd锁存。需要说明的是，功率器件2关断是指：当功率器件2过流时，驱动模块14基于反馈信号fd将功率器件2关断。

具体地，作为示例，如图1所示，锁存模块13包括：第九电阻R9、第十电阻R10及锁存单元131，其中，第九电阻R9的第一端与功率器件2连接(即第九电阻R9的第一端与第四功率管Q4、第五功率管Q5及第六功率管Q6的第一端连接，在本实施例中，第四功率管Q4、第五功率管Q5及第六功率管Q6均为NMOS管，则第四功率管Q4、第五功率管Q5及第六功率管Q6的漏极均与第九电阻R9的第一端连接)，第二端与第一保护模块11连接(第一保护模块11中第二比较器112的反相端与第九电阻R9的第二端连接)；第十电阻R10连接于第九电阻R9的第二端与参考地GND之间；锁存单元131连接于第九电阻R9的第二端与参考地GND之间。

更具体地，第九电阻R9与第十电阻R10的阻值的比值至少为10：1；锁存单元131包括第三二极管D3，其中，第三二极管D3的负极与第九电阻R9的第二端连接，正极接参考地GND。需要说明的是，第九电阻R9的第二端与第二比较器112的反相端连接，当功率器件2过流时，第一保护模块11输出对应的反馈信号fd；第九电阻R9第一端的电压升高，第九电阻R9的第二端的电压也随之升高，从而使第二比较器112的反相端的电压高于第二比较器112的正相端的电压，进而使第二比较器112输出为低电平，进一步使反馈信号fd维持在低电平，通过反馈信号fd使驱动模块14将功率器件2保持在关断状态，从而避免功率器件2误开启，此时，锁存模块13对反馈信号fd进行了锁存操作。需要进一步说明的是，第九电阻R9与第十电阻R10的阻值的比值的设置只要能够保证第九电阻R9的第二端的电压大于第二比较器112的同相端的电压，进而保证反馈信号fd能够被锁存，具体的第九电阻R9与第十电阻R10的阻值的比值应根据使用场景进行调整，并不以本实施例为限。如果功率器件2的过流值为300安培时，此时第九电阻R9的第一端的电压近似为3伏，由于锁存单元131中第三二极管D3的负极与九电阻R9的第二端连接，由于第三二极管D3反接，则第三二极管D3的反相阈值应超过3伏，需要进一步说明的是，应根据功率器件2过流值选择对应反相阈值的第三二极管D3，并不以本实施例为限。

需要补充说明的是，由于第一保护模块11中包括比较器，包括第二比较器111和第二比较器112，进行比较操作会产生一定延迟，通常会延迟1-2微秒，通过第一保护模块11输出对应的反馈信号fd，驱动模块14基于反馈信号fd将功率器件2关断，这个过程会因比较器带来的延迟，因而无法在功率器件2出现过流时，第一时间将功率器件2关断。因此，本实施例的过流保护电路1还提供了第二保护模块12。

如图1所示，第二保护模块12连接于功率器件2与驱动模块14之间，对功率器件2的源电压S1进行采集，在源电压S1超过第二保护模块12的触发阈值时，所述第二保护模块第一时间将功率器件关断。

具体地，作为示例，如图1所示，第二保护模块12包括：第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、第七电阻R7、第八电阻R8、第一功率管Q1、第一电容C1及第二二极管D2，其中，第四电阻R4的第一端与驱动模块14连接，其中，第四电阻R4的第一端与驱动模块14中第二功率管Q2的第三端连接；第一功率管Q1的第一端与第四电阻R4的第二端连接，第三端接参考地GND；第五电阻R5的第一端与第一功率管Q1的第二端连接；第二二极管D2的负极与第五电阻R5的第二端连接；第七电阻R7的第一端与第二二极管D2的正极连接，第二端与功率器件2连接；第六电阻R6连接于第二二极管D2的正极与负极之间；第一电容C1连接于第二二极管D2的负极与第一功率管Q1的第三端之间；第八电阻R8连接于第一功率管Q1的第一端与第三端之间。更具体地，第一功率管Q1为NMOS管，其中，第一功率管Q1的第一端为NMOS管的漏极，第二端为NMOS管的栅极，第三端为NMOS管的源极。

需要说明的是，当功率器件2过流时，当源电压S1超过第二二极管D2导通电压与第一功率管Q1第一端阈值电压的和时(其中，第二二极管D2导通电压与第一功率管Q1第一端阈值电压的和即为第二保护模块12的触发阈值)，第一功率管Q1开启，当第一功率管Q1开启时，功率器件2第一时间被关断，这个过程不存在延时。同时在锁存模块13的作用下，功率器件2不会误开启。进一步地，第二保护模块12还可以采用ASIC(Application SpecificIntegrated Circuit)即专用集成电路进行设置，ASIC被认为是一种为专门目的而设计的集成电路。是指应特定用户要求和特定电子系统的需要而设计、制造的集成电路。ASIC的特点是面向特定用户的需求，ASIC在批量生产时与通用集成电路相比具有体积更小、功耗更低、可靠性提高、性能提高、保密性增强、成本降低等优点。需要进一步说明的是，只要能对功率器件的源电压S1进行采集、并在第一时间将功率器件2关断，任意第二保护模块12实现形式均适用，并不以本实施例为限。

通过本实施例可以看出，根据功率器件2不同的过流值，第一保护模块11设置对应的触发阈值从而对功率器件2进行过流保护保护，但是第一保护模块11存在延迟；进一步地，第二保护模块12能够第一时间对功率器件2进行过流保护，并在锁存模块13的作用下，避免功率器件2误开启，因此，第一保护模块11与第二保护模块12给功率器件2的过流保护提供了双重保护，提高了过流保护电路1的可靠性。同时，过流保护电路1在进行完一次过流保护后，无需更换，并能在功率器件2的故障解除后，继续对功率器件2进行过流保护，使过流保护电路1能够重复使用，跟传统的保险丝相比，具有广泛地适用性。

本实施例还提供一种芯片，所述芯片基于本实施例所述的过流保护电路1实现，所述芯片与功率器件2连接，用于对功率器件2进行过流保护。

综上所述，本发明的一种过流保护电路及芯片，用于对功率器件进行过流保护，至少包括：第一保护模块、第二保护模块、驱动模块及锁存模块，其中：所述第一保护模块与功率器件连接，对功率器件的源电压进行采集，通过对比所述第一保护模块设置的触发阈值与所述源电压输出对应的反馈信号；所述驱动模块连接于功率器件与所述第一保护模块之间，用于给功率器件提供驱动信号，在功率器件过流时，所述驱动模块基于所述反馈信号将功率器件关断；所述锁存模块连接于功率器件与所述第一保护模块之间，在功率器件关断时，将所述反馈信号锁存；所述第二保护模块连接于功率器件与所述驱动模块之间，对功率器件的源电压进行采集，在源电压超过所述第二保护模块的触发阈值时，所述第二保护模块第一时间将功率器件关断。本发明的过流保护电路及芯片，通过第一保护模块设置的触发阈值以适应不同应用场景的过流保护，通过第二保护模块能够第一时间对功率器件进行过流保护，给功率器件提供双重保护。本发明的过流保护电路及芯片，能够重复进行过流保护，且无需更换，具有广泛地适用性。所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。

上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。

Claims

1.一种过流保护电路，用于对功率器件进行过流保护，其特征在于，所述过流保护电路至少包括：第一保护模块、第二保护模块、驱动模块及锁存模块，其中：

2.根据权利要求1所述的过流保护电路，其特征在于：所述第一保护模块包括：第一电阻、第二电阻、第三电阻、可调电阻、第一比较器、第二比较器及第一二极管，其中，所述第一电阻的第一端接第一工作电压；所述可调电阻的第一端与所述第一电阻的第二端连接；所述第二电阻连接于所述可调电阻的第二端与参考地之间；所述第一二极管的正极与所述可调电阻的第一端连接；所述第一比较器的同相端与所述可调电阻的第二端连接，反相端经所述第三电阻与功率器件连接，输出端与所述第一二极管的负极连接，其中，所述第一比较器的输出端输出所述反馈信号；所述第二比较器的同相端接第一工作电压，反相端与所述锁存模块连接，输出端与所述第一比较器的输出端连接。

3.根据权利要求2所述的过流保护电路，其特征在于：所述第一工作电压的电压值为2.5伏。

4.根据权利要求1所述的过流保护电路，其特征在于：所述第二保护模块包括：第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第八电阻、第一功率管、第一电容及第二二极管，其中，所述第四电阻的第一端与所述驱动模块连接；所述第一功率管的第一端与所述第四电阻的第二端连接，第三端接参考地；所述第五电阻的第一端与所述第一功率管的第二端连接；所述第二二极管的负极与所述第五电阻的第二端连接；所述第七电阻的第一端与所述第二二极管的正极连接，第二端与功率器件连接；所述第六电阻连接于所述第二二极管的正极与负极之间；所述第一电容连接于所述第二二极管的负极与所述第一功率管的第三端之间；所述第八电阻连接于所述第一功率管的第一端与第三端之间。

5.根据权利要求4所述的过流保护电路，其特征在于：所述第一功率管为NMOS管，其中，所述第一功率管的第一端为NMOS管的漏极，第二端为NMOS管的栅极，第三端为NMOS管的源极。

6.根据权利要求1所述的过流保护电路，其特征在于：所述锁存模块包括：第九电阻、第十电阻及锁存单元，其中，所述第九电阻的第一端与功率器件连接，第二端与所述第一保护模块连接；所述第十电阻连接于所述第九电阻的第二端与参考地之间；所述锁存单元连接于所述第九电阻的第二端与参考地之间。

7.根据权利要求6所述的过流保护电路，其特征在于：所述第九电阻与所述第十电阻的阻值的比值至少为10：1。

8.根据权利要求6所述的过流保护电路，其特征在于：所述锁存单元包括第三二极管，其中，所述第三二极管的负极与所述第九电阻的第二端连接，正极接参考地。

9.根据权利要求1所述的过流保护电路，其特征在于：所述驱动模块包括：第十一电阻、第十二电阻、第十三电阻、第十四电阻、第二功率管及第三功率管，其中，所述第十一电阻的第一端接第二工作电压；所述第二功率管的第一端与所述第十一电阻的第二端连接；所述第十二电阻连接于第二工作电压与所述第二功率管的第二端之间；所述第十三电阻的第一端与所述第二功率管的第二端连接，第二端与所述第一保护模块连接，其中，所述第十三电阻的第二端接所述反馈信号；所述第三功率管的第一端与所述第二功率管的第三端连接，第二端与所述第二功率管的第二端连接，第三端接参考地；所述第十四电阻连接于所述第三功率管的第二端与第三端之间。

10.根据权利要求9所述的过流保护电路，其特征在于：所述第二工作电压的电压值为12伏。

11.根据权利要求9所述的过流保护电路，其特征在于：所述第二功率管为NMOS管，其中，所述第二功率管的第一端为NMOS管的漏极，第二端为NMOS管的栅极，第三端为NMOS管的源极；所述第三功率管为PMOS管，其中，所述第三功率管的第一端为PMOS管的源极，第二端为PMOS管的栅极，第三端为PMOS管的漏极。

12.一种芯片，其特征在于：所述芯片基于如权利要求1-11任意一项所述的过流保护电路实现，所述芯片与功率器件连接，用于对功率器件进行过流保护。