CN115633526A - 发光装置及发光装置的制作方法 - Google Patents

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CN115633526A CN202211645466.8A CN202211645466A CN115633526A CN 115633526 A CN115633526 A CN 115633526A CN 202211645466 A CN202211645466 A CN 202211645466A CN 115633526 A CN115633526 A CN 115633526A
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Abstract

本发明公开了一种发光装置及发光装置的制作方法。发光装置包括发光单元和静电防护单元；所述静电防护单元用于释放所述发光单元上的静电；所述静电防护单元包括至少一个晶体管，每一所述晶体管包括第一极、第二极和控制极，所述第一极、第二极和所述控制极同层设置。本发明可以提高发光装置的静电防护能力的同时，降低工艺成本。

Description

发光装置及发光装置的制作方法
技术领域
本发明涉及有机发光技术领域，尤其涉及一种发光装置及发光装置的制作方法。
背景技术
有机发光结构（Organic Light-Emitting Diode，OLED）是一种通过载流子注入和复合发光而发光的光电器件。其具体发光过程为电子通过阴极注入，经电子传输材料传输至发光层，空穴通过阳极注入，通过空穴传输材料传输至发光层，电子和空穴在发光层复合形成激子，激子退激发光。OLED具有发光均一性好、轻薄、可弯折、柔性、可拉伸等特点而备受关注。
OLED发光装置在发光领域得到了快速的发展，尤其是在通用发光和车载发光方面。但是，OLED发光装置的抗ESD的能力有限，在高电压的条件下易损坏。
发明内容
本发明提供了一种发光装置及发光装置的制作方法，以在提高发光装置的静电防护能力的同时，降低工艺成本。
根据本发明的一方面，提供了一种发光装置，包括：
发光单元和静电防护单元；所述静电防护单元用于释放所述发光单元上的静电；
所述静电防护单元包括至少一个晶体管，每一所述晶体管包括第一极、第二极和控制极，所述第一极、第二极和所述控制极同层设置。
可选的，所述静电防护单元包括至少一个静电防护通路，每一所述静电防护通路的一端与所述发光单元的第一电极电连接，另一端与所述发光单元的第二电极电连接或者与外部电路电连接；每一所述静电防护通路包括至少一个晶体管组，所述静电防护通路包括一个以上晶体管组时，一个以上晶体管组电连接；每一所述晶体管组包括第一有机晶体管和第二有机晶体管；
所述第一有机晶体管的第一极与所述第一有机晶体管的控制极以及所述第二有机晶体管的第二极电连接，所述第一有机晶体管的第二极与所述第二有机晶体管的控制极以及所述第二有机晶体管的第一极电连接，或者，所述第一有机晶体管第一极和所述第一有机晶体管的控制极电连接，所述第一有机晶体管的第二极与所述第二有机晶体管的第一极以及所述第二有机晶体管的控制极电连接。
可选的，每一所述晶体管均包括有源层；
每一晶体管中，所述第一极和所述第二极的第一端均与所述有源层接触，所述第一极和所述第二极的第二端均与所述有源层不接触，所述控制极的第一端在所述有源层的垂直投影与所述有源层交叠，所述控制极的第二端在所述有源层的垂直投影与所述有源层不交叠；
所述第一极和所述第二极的第二端均设置于所述有源层的第一侧，所述控制极的第二端设置于所述有源层的第二侧；或者，所述第一极、所述第二极和所述控制极的第二端均设置于所述有源层的同一侧。
可选的，所述静电防护单元设置于所述发光装置的非发光区；
所述发光单元包括有机功能层和发光层；所述晶体管为有机晶体管；
每一所述有机晶体管均包括有源层；
所述有源层与至少部分所述有机功能层同层设置。
可选的，所述有机功能层包括电子传输层，所述有源层采用的材料与所述电子传输层采用的材料至少部分相同。
可选的，所述发光装置还设置有驱动电路，所述驱动电路设置于发光单元的非发光侧，所述驱动电路用于驱动所述发光单元发光；所述驱动电路包括至少一层导电层和至少一层绝缘层；每一所述晶体管均还包括栅极绝缘层；
所述控制极与所述至少一层导电层中的任一层同层设置，所述栅极绝缘层与所述至少一层绝缘层中的任一层同层设置。
可选的，所述第一有机晶体管和所述第二有机晶体管的有源层的迁移率均大于或等于10-2cm2/V·s。
根据本发明的另一方面，提供了一种发光装置的制作方法，包括：
提供一衬底；
在衬底上制作发光单元和静电防护单元；
其中，所述静电防护单元用于释放所述发光单元上的静电；所述静电防护单元包括至少一个晶体管，每一所述晶体管包括第一极、第二极和控制极，所述第一极、第二极和所述控制极同层设置。
可选的，所述发光装置还设置有驱动电路，所述驱动电路设置于发光单元的非发光侧，所述驱动电路用于驱动所述发光单元发光；所述驱动电路包括至少一层导电层和至少一层绝缘层；所述发光单元包括有机功能层和发光层；所述静电防护单元设置于所述发光装置的非发光区；所述晶体管为有机晶体管，每一有机晶体管还包括栅极绝缘层和有源层；
在衬底上制作发光单元和静电防护单元，包括：
在所述衬底上同时制作所述驱动电路的至少一层导电层、所述第一极、所述第二极和所述控制极；
同时制作所述驱动电路的任一层绝缘层和所述栅极绝缘层；
制作所述发光单元的第一电极；
蒸镀所述有源层、所述有机功能层和所述发光层；蒸镀所述发光单元的第二电极。
可选的，所述有机功能层包括电子传输层；
蒸镀所述有源层、所述有机功能层和所述发光层包括：
采用蒸镀所述电子传输层的腔室以及所述电子传输层的至少部分材料蒸镀所述有源层。
本发明实施例的发光装置包括静电防护单元，静电防护单元用于释放发光单元上的静电，避免大电压作用下有较大的电流流过发光单元，损坏发光单元。静电防护单元包括至少一个晶体管，每一晶体管包括第一极、第二极和控制极，第一极、第二极和控制极同层设置，第一极、第二极和控制极可以在同一工艺中制备，减少了工艺步骤，降低了工艺成本。并且由于晶体管具有一定的阈值电压，在较小电压作用下不会导通，通过设置静电防护单元包括晶体管，在保证静电防护单元具有较高的静电防护能力的同时，可以避免发光单元正常发光时，在静电防护单元产生漏电流，影响发光单元的发光亮度。
应当理解，本部分所描述的内容并非旨在标识本发明的实施例的关键或重要特征，也不用于限制本发明的范围。本发明的其它特征将通过以下的说明书而变得容易理解。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例提供的一种发光装置的示意图；
图2是本发明实施例提供的一种发光装置的剖面示意图；
图3是本发明实施例提供的又一种发光装置的示意图；
图4是本发明实施例提供的又一种发光装置的示意图；
图5是本发明实施例提供的又一种发光装置的示意图；
图6是本发明实施例提供的一种有机晶体管的俯视图；
图7是本发明实施例提供的又一种有机晶体管的俯视图；
图8是本发明实施例提供的一种发光装置的平面图；
图9是本发明实施例提供的又一种发光装置的示意图；
图10是本发明实施例提供的一种发光装置的制作方法的流程图；
图11是本发明实施例提供的一种有机晶体管的制作过程图；
图12是本发明实施例提供的又一种有机晶体管的制作过程图。
具体实施方式
为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本发明保护的范围。
需要说明的是，本发明的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本发明的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
本发明实施例提供了一种发光装置，图1是本发明实施例提供的一种发光装置的示意图，图2是本发明实施例提供的一种发光装置的剖面示意图，参考图1-图2，发光装置包括：
发光单元10和静电防护单元20；静电防护单元20用于释放发光单元10上的静电；
静电防护单元20包括至少一个晶体管70，每一晶体管70包括第一极401、第二极402和控制极403，第一极401、第二极402和控制极403同层设置。
其中，发光单元10可以为有机发光单元，发光装置可以包括一个发光单元10，也可以包括一个以上发光单元10。静电防护单元20可以设置于发光装置的非发光区，即发光单元10之外的区域，静电防护单元20也可以设置于发光单元10的非发光侧，只要不影响发光单元10发光即可。可以一个发光单元10设置一个静电防护单元20，也可以几个发光单元10共用一个静电防护单元20。发光单元10包括第一电极、第二电极以及设置于第一电极和第二电极之间的发光层，第一电极可以为阳极，第二电极可以为阴极。当发光单元10的第一电极处引入较高的ESD电压时，静电防护单元20导通，ESD电压通过静电防护单元20释放，避免大电压作用下有较大的电流流过发光单元10，损坏发光单元10。并且由于晶体管70具有一定的阈值电压，在较小电压作用下不会导通，通过设置静电防护单元20包括晶体管70，在保证静电防护单元20具有较高的静电防护能力的同时，可以避免发光单元10正常发光时，在静电防护单元20产生漏电流，影响发光单元10的发光亮度。
每一晶体管70包括第一极401、第二极402和控制极403，第一极401、第二极402和控制极403同层设置，第一极401、第二极402和控制极403可以在同一工艺中制备，减少了工艺步骤，降低了工艺成本。并且本实施例中晶体管70用于释放静电，对晶体管70的性能要求不高，第一极401、第二极402和控制极403不会影响静电释放性能。
本发明实施例的发光装置包括静电防护单元20，静电防护单元20用于释放发光单元10上的静电，避免大电压作用下有较大的电流流过发光单元10，损坏发光单元10。静电防护单元20包括至少一个晶体管70，每一晶体管70包括第一极401、第二极402和控制极403，第一极401、第二极402和控制极403同层设置，第一极401、第二极402和控制极403可以在同一工艺中制备，减少了工艺步骤，降低了工艺成本。并且由于晶体管具有一定的阈值电压，在较小电压作用下不会导通，通过设置静电防护单元20包括晶体管70，在保证静电防护单元20具有较高的静电防护能力的同时，可以避免发光单元10正常发光时，在静电防护单元20产生漏电流，影响发光单元10的发光亮度。
图3是本发明实施例提供的又一种发光装置的示意图，图4是本发明实施例提供的又一种发光装置的示意图，图5是本发明实施例提供的又一种发光装置的示意图，可选的，参考图3-图5，静电防护单元20包括至少一个静电防护通路21，每一静电防护通路21的一端与发光单元10的第一电极电连接，另一端与发光单元10的第二电极电连接或者与外部电路30电连接；每一静电防护通路21包括至少一个晶体管组40，静电防护通路21包括一个以上晶体管组40时，一个以上晶体管组40电连接；每一晶体管组40包括第一有机晶体管41和第二有机晶体管42；
第一有机晶体管41的第一极与第一有机晶体管41的控制极以及第二有机晶体管42的第二极电连接，第一有机晶体管41的第二极与第二有机晶体管42的控制极以及第二有机晶体管42的第一极电连接，或者，第一有机晶体管41第一极和第一有机晶体管41的控制极电连接，第一有机晶体管41的第二极与第二有机晶体管42的第一极以及第二有机晶体管42的控制极电连接。
其中，静电防护单元20可以包括一个或一个以上静电防护通路21，每一静电防护通路21可以包括一个或一个以上晶体管组40。第一有机晶体管41和第二有机晶体管42的第一极可以为漏极，第二极可以为源极，控制极为栅极。外部电路30可以为包括静电防护芯片，或者接地引线等。第一有机晶体管41和第二有机晶体管42可以均为N型有机晶体管。此外，发光装置可以包括绑定区，绑定区包括绑定引脚，第一电极通过绑定引脚与外部驱动电路连接，第一电极与静电防护通路21在绑定区通过绑定引脚电连接。
具体的，当发光单元10的第一电极处引入较高的ESD电压时，第一有机晶体管41和第二有机晶体管42相继导通，静电防护通路21导通，ESD电压通过静电防护通路21释放到外部电路30，避免大电压作用下有较大的电流流过发光单元10，损坏发光单元10，或者ESD电压通过静电防护通路21释放到发光单元10的第二电极，避免大电压作用下有较大的电流流过发光单元10，损坏发光单元10。并且由于有机晶体管具有一定的阈值电压，在较小电压作用下不会导通，通过设置每一静电防护通路21包括晶体管组40，在保证静电防护通路21具有较高的静电防护能力的同时，可以避免发光单元10正常发光时，在静电防护通路21产生漏电流，影响发光单元10的发光亮度。
本发明实施例的发光装置中静电防护单元20包括至少一个静电防护通路21，每一静电防护通路21的一端与发光单元10的第一电极电连接，另一端与发光单元10的第二电极电连或者与外部电路30电连接；每一静电防护通路21包括至少一个晶体管组40；晶体管组40包括第一有机晶体管41和第二有机晶体管42；当发光单元10的第一电极处引入较高的ESD电压时，第一有机晶体管41和第二有机晶体管42相继导通，静电防护通路21导通，ESD电压通过静电防护通路21释放到外部电路30，或者ESD电压通过静电防护通路21释放到发光单元10的第二电极，避免大电压作用下有较大的电流流过发光单元10，损坏发光单元10，提升发光装置的静电防护能力。晶体管组40可以避免发光单元10正常发光时，在静电防护通路21产生漏电流，影响发光单元10的发光亮度。
图6是本发明实施例提供的一种有机晶体管的俯视图，图7是本发明实施例提供的又一种有机晶体管的俯视图，可选的，参考图2以及图6-图7，
每一晶体管70均包括有源层405；第一极401和第二极402的第一端均与有源层405接触，第一极401和第二极402的第二端均与有源层405不接触，控制极403的第一端在有源层405的垂直投影与有源层405交叠，控制极403的第二端在有源层405的垂直投影与有源层405不交叠；
第一极401和第二极402的第二端均设置于有源层405的第一侧，控制极403的第二端设置于有源层405的第二侧（图6）；或者，第一极401、第二极402和控制极403的第二端均设置于有源层405的同一侧（图7）。
具体的，第一极401、第二极402、控制极403的第二端用于与其他结构的连接，可以根据晶体管与其他结构的连接关系，设置第一极401、第二极402、控制极403的第二端位于有源层405的同一侧或不同侧，降低晶体管与其他结构的连接布线难度。
可选的，继续参考图2，静电防护单元设置于发光装置的非发光区102；
发光单元10包括有机功能层和发光层15；晶体管70为有机晶体管，有源层405与至少部分有机功能层同层设置。
其中，非发光区102即发光单元10之外的区域。有机功能层可以包括第一有机功能层13和第二有机功能层14，第一有机功能层13设置于发光层15和第一电极11之间，第二有机功能层14设置于第二电极12和发光层15之间。第一电极11为阳极，第二电极12为阴极时，第一有机功能层13可以包括空穴注人层或空穴传输层等膜层，第二有机功能层14可以包括电子注人层或电子传输层等膜层。有源层405可以采用蒸镀工艺形成，可以采用Fine MetalMask (精细金属掩模板)进行蒸镀。有源层405与至少部分有机功能层同层设置，使得有源层405可以与部分有机功能层一起采用蒸镀工艺形成，无需为有源层405单独加入其它工艺，降低了工艺成本。
可选的，有机功能层包括电子传输层，有源层采用的材料与电子传输层采用的材料至少部分相同。
具体的，电子传输层用于提高电子注入效率，电子传输层的部分材料组分可以用来制作有源层，如此设置可以采用蒸镀电子传输层的腔室直接制作有源层，无需增设腔室，降低工艺成本。另外，有源层与电子传输层采用相同的材料时，有源层可以与电子传输层采用同一掩膜版制备，也可以为有源层设置单独的掩膜版制备。
需要说明的是，有源层还可以采用其他材料制备，此时可以为有源层增设新的腔室蒸镀。
可选的，参考图2，发光装置还设置有驱动电路50，驱动电路50设置于发光单元10的非发光侧，驱动电路50用于驱动发光单元10发光；驱动电路50包括至少一层导电层51和至少一层绝缘层52；第一有机晶体管41和第二有机晶体管均还包括栅极绝缘层404；
控制极403与至少一层导电层51中的任一层同层设置，栅极绝缘层404与至少一层绝缘层51中的任一层同层设置。
具体的，栅极绝缘层404可以采用聚二甲基硅氧烷或氧化硅材料。控制极403与至少一层导电层51中的任一层同层设置，则控制极403可以与导电层51采用相同的材料在同一工艺中制备，栅极绝缘层404与至少一层绝缘层52中的任一层同层设置，栅极绝缘层可以与绝缘层52采用相同的材料在同一工艺中制备，进一步减少工艺步骤。
可选的，每一静电防护通路上所有晶体管组导通时的电阻率之和小于或等于发光单元的电阻率；
第一有机晶体管和第二有机晶体管的有源层的迁移率均大于或等于10-2 cm2/V·s。
具体的，参考图3-图5，每一静电防护通路21上所有晶体管组40导通时的电阻率之和小于或等于发光单元10的电阻率，使得第一电极引入较高的ESD电压时，每一静电防护通路21流过的电流较大，发光单元10流过的电流较小，进一步避免ESD电压损坏发光单元10。
迁移率（mobility）是指单位电场强度下所产生的载流子平均漂移速度。它的单位是厘米2/（伏·秒）。迁移率代表了载流子导电能力的大小，它和载流子（电子或空穴）浓度决定了半导体的电阻率。载流子浓度一定时，迁移率越大，电阻率越小。设置第一有机晶体管41和第二有机晶体管42的有源层的迁移率均大于等于10-2 cm2/V·s，保证第一有机晶体管41和第二有机晶体管42均具有较小的电阻率。
图8是本发明实施例提供的一种发光装置的平面图，图9是本发明实施例提供的又一种发光装置的示意图，参考图8和图9，可选的，发光装置包括多个发光区101，每一发光区101对应设置一发光单元10；
多个发光区101的发光单元10的第二电极电连接；
每一发光单元10对应设置一静电防护单元20；
静电防护单元20的每一静电防护通路21一端和静电防护单元20对应的发光单元10的第一电极电连接，另一端和静电防护单元20对应发光单元10的第二电极或外部电路电连接；
每一静电防护单元20包括至少两个静电防护通路21。
具体的，发光装置可以包括多个发光区101，每一发光区101包括一个发光单元10，各发光单元10的第二电极可以电连接，通过向各发光单元10的第一电极输出对应的驱动信号，实现对各个发光单元10的独立控制，实现各个发光区101独立发光。图8仅示例性的示出了四个发光区101，并非对本实施例的限定。通过对每一发光单元10均设置一个静电防护单元20，使得每一发光单元10的第一电极引入ESD电压时，其对应的静电防护单元20均可以将ESD电压进行释放，每一发光单元10均可以得到较好的静电防护。
每一静电防护单元20包括至少两个静电防护通路21，使得发光单元10的第一电极引入ESD电压时，其连接的两个或多个静电防护通路21可以对ESD电压同时释放，两个或多个静电防护通路21可以承受更大的电流，使得发光单元10承受的电流更小，更好的对发光单元10进行静电防护。
此外，多个发光单元10的第二电极电连接，即第二电极为公共电极，示例性的，第二电极可以整层分布，发光单元10发光时，第二电极连接固定电位，ESD电压通过静电防护通路21释放到发光单元10的第二电极后，整个发光装置的所有发光单元10的第二电极共同分担ESD电压，形成整屏的等电位效应，进一步避免损坏发光单元10以及发光单元10的引线。
本发明实施例还提供了一种发光装置的制作方法，图10是本发明实施例提供的一种发光装置的制作方法的流程图，参考图10，该方法包括：
S110、提供一衬底。
S120、在衬底上制作发光单元和静电防护单元。
其中，所述静电防护单元用于释放所述发光单元上的静电；所述静电防护单元包括至少一个晶体管，每一所述晶体管包括第一极、第二极和控制极，所述第一极、第二极和所述控制极同层设置。
可选的，发光装置还设置有驱动电路，驱动电路设置于发光单元的非发光侧，驱动电路用于驱动发光单元发光；静电防护单元设置于发光装置的非发光区；每一晶体管还包括栅极绝缘层和有源层；发光单元包括有机功能层和发光层；驱动电路包括至少一层导电层和至少一层绝缘层；
在衬底上制作发光单元和静电防护单元，包括：
在衬底上同时制作驱动电路的任一层导电层、第一极、第二极和控制极；
同时制作驱动电路的任一层绝缘层和栅极绝缘层；
制作所述发光单元的第一电极；
蒸镀所述有源层、所述有机功能层和所述发光层；蒸镀所述发光单元的第二电极。
具体的，图11是本发明实施例提供的一种有机晶体管的制作过程图，图12是本发明实施例提供的又一种有机晶体管的制作过程图，参考图2，图6-图7以及图11-图12，发光装置的具体制作流程可以如下：在衬底60上同时制备驱动电路50的一层导电层51、第一极401、第二极402和控制极403；同时制备驱动电路50的一层绝缘层52和栅极绝缘层404；蒸镀第一有机功能层13、发光层15、第二有机功能层14和有源层405；蒸镀第二电极12。
可选的，有机功能层包括电子传输层；
蒸镀所述有源层、所述有机功能层和所述发光层包括：
采用蒸镀所述电子传输层的腔室以及所述电子传输层的部分材料蒸镀所述有源层。
本发明实施例提供的发光装置的制作方法与本发明任意实施例提供的发光装置属于相同的发明构思，具有相同的有益效果，未在本实施例详尽的技术细节详见本发明任意实施例提供的发光装置。
应该理解，可以使用上面所示的各种形式的流程，重新排序、增加或删除步骤。例如，本发明中记载的各步骤可以并行地执行也可以顺序地执行也可以不同的次序执行，只要能够实现本发明的技术方案所期望的结果，本文在此不进行限制。
上述具体实施方式，并不构成对本发明保护范围的限制。本领域技术人员应该明白的是，根据设计要求和其他因素，可以进行各种修改、组合、子组合和替代。任何在本发明的精神和原则之内所作的修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明保护范围之内。

Claims (10)

1.一种发光装置，其特征在于，包括：
发光单元和静电防护单元；所述静电防护单元用于释放所述发光单元上的静电；
所述静电防护单元包括至少一个晶体管，每一所述晶体管包括第一极、第二极和控制极，所述第一极、第二极和所述控制极同层设置。
2.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于：
所述静电防护单元包括至少一个静电防护通路，每一所述静电防护通路的一端与所述发光单元的第一电极电连接，另一端与所述发光单元的第二电极电连接或者与外部电路电连接；每一所述静电防护通路包括至少一个晶体管组，所述静电防护通路包括一个以上晶体管组时，一个以上晶体管组电连接；每一所述晶体管组包括第一有机晶体管和第二有机晶体管；
所述第一有机晶体管的第一极与所述第一有机晶体管的控制极以及所述第二有机晶体管的第二极电连接，所述第一有机晶体管的第二极与所述第二有机晶体管的控制极以及所述第二有机晶体管的第一极电连接，或者，所述第一有机晶体管第一极和所述第一有机晶体管的控制极电连接，所述第一有机晶体管的第二极与所述第二有机晶体管的第一极以及所述第二有机晶体管的控制极电连接。
3.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于：
每一所述晶体管均包括有源层；
每一晶体管中，所述第一极和所述第二极的第一端均与所述有源层接触，所述第一极和所述第二极的第二端均与所述有源层不接触，所述控制极的第一端在所述有源层的垂直投影与所述有源层交叠，所述控制极的第二端在所述有源层的垂直投影与所述有源层不交叠；
所述第一极和所述第二极的第二端均设置于所述有源层的第一侧，所述控制极的第二端设置于所述有源层的第二侧；或者，所述第一极、所述第二极和所述控制极的第二端均设置于所述有源层的同一侧。
4.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于：
所述静电防护单元设置于所述发光装置的非发光区；
所述发光单元包括有机功能层和发光层；所述晶体管为有机晶体管；
每一所述有机晶体管均包括有源层；
所述有源层与至少部分所述有机功能层同层设置。
5.根据权利要求4所述的发光装置，其特征在于：
所述有机功能层包括电子传输层，所述有源层采用的材料与所述电子传输层采用的材料至少部分相同。
6.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于：
所述发光装置还设置有驱动电路，所述驱动电路设置于发光单元的非发光侧，所述驱动电路用于驱动所述发光单元发光；所述驱动电路包括至少一层导电层和至少一层绝缘层；每一所述晶体管均还包括栅极绝缘层；
所述控制极与所述至少一层导电层中的任一层同层设置，所述栅极绝缘层与所述至少一层绝缘层中的任一层同层设置。
7.根据权利要求2所述的发光装置，其特征在于：
所述第一有机晶体管和所述第二有机晶体管的有源层的迁移率均大于或等于10-2cm2/V·s。
8.一种发光装置的制作方法，其特征在于，包括：
提供一衬底；
在衬底上制作发光单元和静电防护单元；
其中，所述静电防护单元用于释放所述发光单元上的静电；所述静电防护单元包括至少一个晶体管，每一所述晶体管包括第一极、第二极和控制极，所述第一极、第二极和所述控制极同层设置。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于：
所述发光装置还设置有驱动电路，所述驱动电路设置于发光单元的非发光侧，所述驱动电路用于驱动所述发光单元发光；所述驱动电路包括至少一层导电层和至少一层绝缘层；所述发光单元包括有机功能层和发光层；所述静电防护单元设置于所述发光装置的非发光区；所述晶体管为有机晶体管，每一有机晶体管还包括栅极绝缘层和有源层；
在衬底上制作发光单元和静电防护单元，包括：
在所述衬底上同时制作所述驱动电路的至少一层导电层、所述第一极、所述第二极和所述控制极；
同时制作所述驱动电路的任一层绝缘层和所述栅极绝缘层；
制作所述发光单元的第一电极；
蒸镀所述有源层、所述有机功能层和所述发光层；蒸镀所述发光单元的第二电极。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述有机功能层包括电子传输层；
蒸镀所述有源层、所述有机功能层和所述发光层包括：
采用蒸镀所述电子传输层的腔室以及所述电子传输层的至少部分材料蒸镀所述有源层。
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