CN115623822A - 显示基板、显示面板 - Google Patents

Abstract

本申请提供了一种显示基板、显示面板，涉及显示技术领域，该显示基板包括多个子像素，子像素包括发光元件，发光元件包括发光功能层和位于发光功能层的两侧的第一电极和第二电极，第二电极位于发光功能层远离衬底的一侧，发光功能层包括多个发光功能子层；多个像素隔断部，像素隔断部位于相邻的两个子像素之间，发光功能子层中的至少一个在像素隔断部位置处断开；其中，像素隔断部远离衬底的表面到衬底之间的最小距离小于第二电极靠近衬底的表面到衬底之间的最小距离。该显示基板能够在不影响第二电极的结构的情况下，避免相邻两个子像素的发光功能层中的载流子发生迁移，改善相邻两个子像素之间的串扰，从而提高显示效果。

Description

显示基板、显示面板

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示基板、显示面板。

背景技术

随着显示技术的不断发展，有机发光二极管显示装置(OLED)因其广色域、高对比度、轻薄设计、自发光、以及宽视角等优点已经成为当前各大厂商的研究热点和技术发展的方向。

目前，有机发光二极管显示装置(OLED)已经广泛地应用到各种电子产品中，小到智能手环、智能手表、智能手机、平板电脑等电子产品，大到笔记本电脑、台式电脑、电视机等电子产品。因此，市场对于有源矩阵有机发光二极管显示装置的需求也日益旺盛。

发明内容

本申请提供了一种显示基板、显示面板，该显示基板能够在不影响第二电极的结构的情况下，避免相邻两个子像素的发光功能层中的载流子发生迁移，改善相邻两个子像素之间的串扰，从而提高显示效果。

本申请的实施例采用如下技术方案：

第一方面，本申请的实施例提供了一种显示基板，包括：

衬底；

多个子像素，位于所述衬底上，所述子像素包括发光元件，所述发光元件包括发光功能层和位于所述发光功能层的两侧的第一电极和第二电极，所述第一电极第二电极位于所述发光功能层远离所述衬底的一侧，所述发光功能层包括多个发光功能子层；

多个像素隔断部，所述像素隔断部位于相邻的两个所述子像素之间，所述发光功能子层中的至少一个在所述像素隔断部位置处断开；

其中，所述像素隔断部远离所述衬底的表面到所述衬底之间的最小距离小于所述第一电极第二电极靠近所述衬底的表面到所述衬底之间的最小距离。

在本申请的实施例提供的一显示基板中，所述多个子像素包括阵列分布的第一子像素、第二子像素和第三子像素，所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素相邻设置，且沿垂直于所述衬底所在平面的方向上的高度依次减小；

所述像素隔断部包括第一像素隔断部和第二像素隔断部，所述第一像素隔断部位于所述第一子像素和所述第二子像素之间；部分所述第二像素隔断部位于所述第二子像素和所述第三子像素之间，部分所述第二像素隔断部位于所述第三子像素和所述第一子像素之间；

其中，沿垂直于所述衬底的方向，所述第一像素隔断部的高度大于或等于所述第二像素隔断部的高度。

在本申请的实施例提供的一显示基板中，所述发光功能层包括第一发光层、第二发光层、以及位于所述第一发光层和所述第二发光层之间的电荷传输层，所述电荷传输层在所述像素隔断部位置处断开；

其中，所述第一像素隔断部远离所述衬底的表面到所述衬底之间的最小距离大于所述第二子像素的所述电荷传输层远离所述衬底的表面到所述衬底之间的最小距离；

所述第二像素隔断部远离所述衬底的表面到所述衬底之间的最小距离大于所述第三子像素的所述电荷传输层远离所述衬底的表面到所述衬底之间的最小距离。

在本申请的实施例提供的一显示基板中，所述第一像素隔断部和所述第二像素隔断部均包括沿背离所述衬底的方向上依次设置的第一子层、第二子层、第三子层和第四子层；

其中，所述第二子层和所述第三子层中的至少一个在所述衬底上的正投影的外轮廓位于所述第四子层在所述衬底上的正投影的外轮廓以内。

在本申请的实施例提供的一显示基板中，所述第二子层远离所述衬底的表面到所述衬底之间的最小距离大于或等于所述第三子像素的所述电荷传输层远离所述衬底的表面到所述衬底之间的最小距离。

在本申请的实施例提供的一显示基板中，所述第三子层远离所述衬底的表面到所述衬底之间的最小距离大于或等于所述第二子像素的所述电荷传输层远离所述衬底的表面到所述衬底之间的最小距离。

在本申请的实施例提供的一显示基板中，所述第二子层在所述衬底上的正投影的外轮廓位于所述第四子层在所述衬底上的正投影的外轮廓以内，且所述第二子层在所述衬底上的正投影的外轮廓位于所述第一子层在所述衬底上的正投影的外轮廓以内。

在本申请的实施例提供的一显示基板中，在所述第一像素隔断部中，所述第三子层在所述衬底上的正投影的外轮廓位于所述第四子层在所述衬底上的正投影的外轮廓以内，所述第二子层在所述衬底上的正投影位于所述第三子层在所述衬底上的正投影以内。

在本申请的实施例提供的一显示基板中，在所述第二像素隔断部中，所述第二子层在所述衬底上的正投影的外轮廓位于所述第三子层在所述衬底上的正投影的外轮廓以内，所述第四子层在所述衬底上的正投影位于所述第三子层在所述衬底上的正投影以内。

在本申请的实施例提供的一显示基板中，所述像素隔断部包括导电材料。

在本申请的实施例提供的一显示基板中，所述第二电极包括阴极，所述像素隔断部与所述第二电极电连接。

在本申请的实施例提供的一显示基板中，所述显示基板包括位于所述衬底上的驱动单元，所述驱动单元与所述子像素电连接；

所述驱动单元包括信号线，所述信号线被配置为能够传输电压恒定的电压电信号，且所述信号线中传输的电信号的电压信号小于所述第二电极第一电极中传输的电信号的电压信号，其中，各所述像素隔断部分别与所述信号线电连接。

在本申请的实施例提供的一显示基板中，所述信号线包括公共电极线、接地线或负极电压信号线。

在本申请的实施例提供的一显示基板中，所述显示基板还包括像素定义层，所述像素定义层包括多个第一开口和多个第二开口；所述第一开口限定出所述子像素的发光区；

所述第二开口位于相邻子像素的发光区之间，所述像素隔断部在所述衬底上的正投影位于所述第二开口在所述衬底上的正投影内。

在本申请的实施例提供的一显示基板中，所述显示基板包括位于所述衬底上的第一导电层、第二导电层和第三导电层，所述第一导电层包括第一扇出走线，所述第二导电层包括栅极和第一连接线，所述第三导电层包括数据线和第二连接线；

所述信号线包括负极电压信号线，所述像素隔断部与所述第二连接线电连接，所述第二连接线与所述第一连接线电连接，所述第一连接线与所述第一扇出走线电连接，所述第一扇出走线与所述负极电压信号线电连接。

在本申请的实施例提供的一显示基板中，至少部分所述像素隔断部与所述第二开口的侧壁之间具有间隙。

第二方面，本申请的实施例提供了一种显示面板，包括如第一方面中任一项所述的显示基板。

本申请的实施例提供了一种显示基板、显示面板，该显示基板包括衬底；多个子像素，位于衬底上，子像素包括发光元件，发光元件包括发光功能层和位于发光功能层的两侧的第一电极和第二电极，第二电极位于发光功能层远离衬底的一侧，发光功能层包括多个发光功能子层；多个像素隔断部，像素隔断部位于相邻的两个子像素之间，发光功能子层中的至少一个在像素隔断部位置处断开；其中，像素隔断部远离衬底的表面到衬底之间的最小距离小于第二电极靠近衬底的表面到衬底之间的最小距离。

在本申请的实施例提供的显示基板中，通过设置发光功能子层中的至少一个在像素隔断部位置处断开、且像素隔断部远离衬底的表面到衬底之间的最小距离小于第二电极靠近衬底的表面到衬底之间的最小距离，这样，能够在不影响第二电极的结构的情况下，使得发光功能子层中的至少一个在像素隔断部位置处断开，从而避免相邻两个子像素的发光功能层中的载流子发生迁移，改善相邻两个子像素之间的串扰，从而提高显示效果。

上述说明仅是本申请技术方案的概述，为了能够更清楚了解本申请的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本申请的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举本申请的具体实施方式。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1-图3为本申请的实施例提供的三种显示基板的结构示意图；

图4-图9为本申请的实施例提供的六种像素隔断部的结构示意图；

图10为本申请的实施例提供的一种发光器件的结构示意图；

图11和图12为本申请的实施例提供的两种显示基板的俯视结构图；

图13为本申请的实施例提供的一种显示基板的显微镜照片；

图14-图16为本申请的实施例提供的一种显示基板的制备过程中间结构图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

除非上下文另有要求，否则，在整个说明书和权利要求书中，术语“包括”被解释为开放、包含的意思，即为“包含，但不限于”。在说明书的描述中，术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例性实施例”、“示例”、“特定示例”或“一些示例”等旨在表明与该实施例或示例相关的特定特征、结构、材料或特性包括在本申请的至少一个实施例或示例中。上述术语的示意性表示不一定是指同一实施例或示例。此外，所述的特定特征、结构、材料或特点可以以任何适当方式包括在任何一个或多个实施例或示例中。

在本申请的实施例中，采用“第一”、“第二”等字样对功能和作用基本相同的相同项或相似项进行部分，仅为了清楚描述本申请实施例的技术方案，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。

在本说明书中，“平行”是指两条直线形成的角度为-10°以上且10°以下的状态，因此，也包括该角度为-5°以上且5°以下的状态。另外，“垂直”是指两条直线形成的角度为80°以上且100°以下的状态，因此，也包括85°以上且95°以下的角度的状态。

本说明书中多边形并非严格意义上的，可以是近似的三角形、平行四边形、梯形、五边形或六边形等，可以存在公差导致的一些小变形。

随着显示技术的不断发展，人们对于显示品质的追求也越来越高。为了进一步降低功耗并实现高亮度，可将OLED中的发光元件中的单层发光层替换为两层发光层，并在双层发光层之间增加电荷产生层(CGL)，以实现一种双层发光(Tandem EL)设计。由于采用双层发光(Tandem EL)设计的显示装置具有两个发光层，因此其发光亮度可近似等价于单个发光层的两倍。由此，采用双层发光设计的显示装置具有寿命长、功耗低、亮度高等优点。

然而，本申请的发明人注意到，对于高分辨率的产品而言，由于电荷产生层具有较强的导电性而相邻的子像素的发光功能层(这里指包括两个发光层和电荷产生层的膜层)是相连的，因此电荷产生层容易导致相邻子像素之间的串扰，从而严重地影响显示品质。

对此，本申请的实施例提供一种显示基板、显示面板，该显示基板包括多个子像素，位于衬底上，子像素包括发光元件，发光元件包括发光功能层和位于发光功能层的两侧的第一电极和第二电极，第二电极位于发光功能层远离衬底的一侧，发光功能层包括多个发光功能子层；多个像素隔断部，像素隔断部位于相邻的两个子像素之间，发光功能子层中的至少一个在像素隔断部位置处断开；其中，像素隔断部远离衬底的表面到衬底之间的最小距离小于第二电极靠近衬底的表面到衬底之间的最小距离。

在本申请的实施例提供的显示基板中，通过设置发光功能子层中的至少一个在像素隔断部位置处断开、且像素隔断部远离衬底的表面到衬底之间的最小距离小于第二电极靠近衬底的表面到衬底之间的最小距离，这样，能够在不影响第二电极的结构、确保第二电极不受损的情况下，使得发光功能子层中的至少一个在像素隔断部位置处断开，从而避免相邻两个子像素的发光功能层中的载流子发生迁移，改善相邻两个子像素之间的串扰，从而提高显示效果。

下面，结合附图对本申请的实施例提供的显示基板和显示面板进行详细的说明。

本申请的实施例提供了一种显示基板，如图1-图3所示，该显示基板包括：衬底1；多个子像素(例如多个子像素P1、多个子像素P2以及多个子像素P3)，位于衬底1上，子像素包括发光元件，发光元件包括发光功能层和位于发光功能层(未标记)的两侧的第一电极2和第二电极3，第二电极3位于发光功能层远离衬底1的一侧，发光功能层包括多个发光功能子层。

如图1-图3所示，该显示基板还包括多个像素隔断部(例如像素隔断部G1和像素隔断部G2)，像素隔断部位于相邻的两个子像素之间，发光功能子层中的至少一个在像素隔断部位置处断开；其中，像素隔断部远离衬底的表面到衬底1之间的最小距离d1小于第二电极3靠近衬底1的表面到衬底1之间的最小距离d2。

在一些示例中，衬底1的材料可以由玻璃、聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚醚砜中的一种或多种材料制成，本实施例包括但不限于此。

示例性的，衬底1可为刚性衬底或者柔性衬底；当衬底1为柔性衬底时，衬底1可以包括单层的柔性材料层；或者，衬底1可以包括依次层叠设置的第一柔性材料层、第一无机非金属材料层、第二柔性材料层和第二无机非金属材料层。第一柔性材料层、第二柔性材料层的材料采用聚酰亚胺(PI)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)或经表面处理的聚合物软膜等材料。第一无机非金属材料层、第二无机非金属材料层的材料采用氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)等，用于提高衬底基板的抗水氧能力，第一无机非金属材料层、第二无机非金属材料层也称之为阻挡(Barrier)层。

当衬底1为刚性衬底时，衬底1可以包括玻璃衬底或硅材料衬底，衬底1与发光元件之间可以设置多层导电材料层、多层绝缘材料层，用以形成驱动电路和像素电路，其中，衬底1以及位于衬底1上的驱动电路和像素电路可以统称为驱动背板。

其中，硅材料衬底可以为P型单晶硅衬底，或者，也可以为N型单晶硅衬底，具体可以根据实际产品进行确定。需要说明的是，本申请的实施例以上述显示基板为玻璃衬底的显示基板为例进行说明。

这里对于上述多个子像素在衬底1上的正投影图形的形状不进行限定。示例性的，子像素在衬底1上的正投影图形的形状包括多边形、弧形或多边形与弧形的组合，其中，多边形与弧形的组合可以为多边形与弧形拼接而成的图形；或者，多边形与弧形的组合可以为在多边形或弧形的基础上挖除预设图形而成的图形。

在一些实施例中，各子像素在衬底1上的正投影图形的形状均相同。在另一些实施例中，显示面板中包括三种不同平面图形的子像素，这里的平面图形指的是子像素在衬底1上的正投影图形。

在一些示例中，衬底1和发光元件之间还可以设置有其他膜层，这些其他膜层可以包括栅极绝缘层、层间绝缘层、像素电路(例如包括薄膜晶体管、存储电容等结构)中的各膜层、数据线、栅线、电源信号线、复位电源信号线、复位控制信号线、发光控制信号线等膜层或者结构。

在一些实施例中，显示基板的显示区AA中的各发光元件的发光颜色均相同，例如，各发光元件的发光颜色均为蓝色；或者各发光元件的发光颜色均为白色。

在一些实施例中，可以在发光元件的出光侧设置颜色转换层，以实现彩色化显示。当各发光元件的发光颜色均为蓝色时，颜色转换层可以包括第一颜色转换图案、第二颜色转换图案和第三颜色图案，其中，发光元件发出的蓝光经过第一颜色转换图案之后可以射出红光，发光元件发出的蓝光经过第二颜色转换图案之后可以射出绿光，发光元件发出的蓝光经过第三颜色图案之后可以射出蓝光；其中，第一颜色转换图案可以为红色量子点图案，第二颜色转换图案可以为绿色量子点图案，第三颜色图案可以为透光图案。

在一些实施例中，显示面板的显示区AA中的各发光元件包括第一颜色发光器件、第二颜色发光器件和第三颜色发光器件，第一颜色发光器件、第二颜色发光器件和第三颜色发光器件按照一定规律阵列排布，其中，第一颜色发光器件发出的光为红光，第二颜色发光器件发出的光为绿光，第三颜色发光器件发出的光为蓝光；此时，还可以在发光元件的出光侧设置颜色转换层，颜色转换层可以包括第一滤光图案、第二滤光图案和第三滤光图案，第一滤光图案可以为红色色阻图案，第二滤光图案可以为绿色色阻图案，第三滤光图案可以为蓝色色阻图案；这种颜色转换层又可以称作为彩膜层或彩色滤光层(CF)，其中，第一滤光图案在衬底1上的正投影与第一颜色发光器件在衬底1上的正投影交叠，第二滤光图案在衬底1上的正投影与第二颜色发光器件在衬底1上的正投影交叠，第三滤光图案在衬底1上的正投影与第三颜色发光器件在衬底1上的正投影交叠。

在示例性的实施例中，上述第二电极3可为阴极，第一电极2可为阳极；多个子像素可以共用第二电极3。示例性的，阴极可由高导电性和低功函数的材料形成，阳极可由具有高功函数的透明导电材料形成。例如，阴极可采用金属材料制成，阳极可以采用半导体氧化物材料制成。

在一些示例中，第二电极3可以采用金属材料，如镁(Mg)、银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、钛(Ti)和钼(Mo)中的任意一种或更多种，或上述金属的合金材料，如铝钕合金(AlNd)或钼铌合金(MoNb)，可以是单层结构，或者多层复合结构，如Ti/Al/Ti等，或者，是金属和透明导电材料形成的堆栈结构，如ITO/Ag/ITO、Mo/AlNd/ITO等反射型材料。

在一些示例中，第一电极2可以采用镁(Mg)、银(Ag)、铝(Al)中的任意一种或更多种，或采用上述金属中任意一种或多种制成的合金，或者采用透明导电材料，例如，氧化铟锡(ITO)，或者，金属与透明导电材料的多层复合结构。

在一些示例中，上述的“相邻子像素”指两个子像素之间没有设置其他子像素。可以理解，对于同一个子像素，其四周均设置有像素隔断部。

这里对于上述多个像素隔断部的结构是否相同不进行限定。在一些实施例中，所有的像素隔断部的结构相同，在另一些实施例中，部分像素隔断部的结构相同。

这里对于上述多个像素隔断部的具体材料不进行限定。在一些实施例中，像素隔断部的材料可以包括无机材料，例如，Al₂O₃、SiN_x、SiO_x。在一些实施例中，像素隔断部的材料可以包括导电材料，例如功函数较高的金属材料，其中，导电材料包括Ag、Al、Mo、ITO中的至少一种。

在一些实施例中，像素隔断部在衬底1上的正投影图形的形状包括环形，例如圆形环、椭圆形环、方形环、五边形环、六边形环。

这里对于上述像素隔断部在衬底1上的正投影图形的形状是否相同不进行限定。在实际应用中，为了简化设计，降低制备工艺难度，可以设置所有像素隔断部在衬底1上的正投影图形的形状均相同。

在一些实施例中，多个发光功能子层可以包括第一发光层、第二发光层、以及位于第一发光层(EML1)和第二发光层(EML2)之间的电荷传输层(CGL)，需要说明的是，发光功能层还可包括除了电荷生成层、第一发光层和第二发光层之外的其他发光功能子层，例如，空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子注入层(EIL)和电子传输层(ETL)。

在示例性的实施例中，如图10所示，发光元件可以包括依次设置的第一电极、空穴注入层(HIL)、第一空穴传输层(HTL)、第二空穴传输层(R’-HTL，G’-HTL或B’-HTL)、第一发光层(R’-EML，G’-EML或B’-EML)、第一电子传输层(ETL)、电荷传输层(CGL)、第三空穴传输层(HTL)、第四空穴传输层(R’-HTL，G’-HTL或B’-HTL)、第二发光层(R’-EML，G’-EML或B’-EML)、第二电子传输层(ETL)、电子注入层(EIL)、第二电极(Cathode)、覆盖层(CPL)、封装层(TFE)。其中，第一电极为材料为ITO/Ag/ITO的叠层结构；各发光元件共用第一电极、空穴注入层(HIL)、第一空穴传输层(HTL)、第一电子传输层(ETL)、电荷传输层(CGL)、第三空穴传输层(HTL)、第二电子传输层(ETL)、电子注入层(EIL)、第二电极(Cathode)、覆盖层(CPL)和封装层(TFE)。

其中，发光功能子层中的至少一个在像素隔断部位置处断开包括但不限于如下情况，以如图10中的膜层结构为例进行说明：空穴注入层(HIL)、第一空穴传输层(HTL)、第二空穴传输层(R’-HTL，G’-HTL或B’-HTL)、第一发光层(R’-EML，G’-EML或B’-EML)、第一电子传输层(ETL)、电荷传输层(CGL)、第三空穴传输层(HTL)、第四空穴传输层(R’-HTL，G’-HTL或B’-HTL)、第二发光层(R’-EML，G’-EML或B’-EML)、第二电子传输层(ETL)、电子注入层(EIL)中的至少一个在像素隔断部位置处断开。

例如，空穴注入层的材料可包括氧化物，例如：钼氧化物、钛氧化物、钒氧化物、铼氧化物、钌氧化物、铬氧化物、锆氧化物、铪氧化物、钽氧化物、银氧化物、钨氧化物、锰氧化物。

例如，空穴注入层的材料也可包括有机材料，例如：六氰基六氮杂三亚苯基、2,3,5,6-四氟-7,7,8,8-四氰基对醌二甲烷(F4TCNQ)、1,2,3-三[(氰基)(4-氰基-2,3,5,6-四氟苯基)亚甲基]环丙烷。

例如，空穴传输层的材料可包括具有空穴传输特性的芳胺类以及二甲基芴或者咔唑材料，例如：4,4’-双[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]联苯(NPB)、N,N’-双(3-甲基苯基)-N,N’-二苯基-[1,1’-联苯]-4,4’-二胺(TPD)、4-苯基-4’-(9-苯基芴-9-基)三苯基胺(BAFLP)、4,4’-双[N-(9,9-二甲基芴-2-基)-N-苯基氨基]联苯(DFLDPBi)、4,4’-二(9-咔唑基)联苯(CBP)、9-苯基-3-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑(PCzPA)。

例如，电子传输层的材料可包括芳族杂环化合物，例如：苯并咪唑衍生物、咪唑衍生物、嘧啶衍生物、嗪衍生物、喹啉衍生物、异喹啉衍生物、菲咯啉衍生物等。

例如，电子注入层的材料可为碱金属或者金属及其它们的化合物，例如：氟化锂(LiF)、镱(Yb)、镁(Mg)、钙(Ca)。

另外，像素隔断部远离衬底的表面到衬底1之间的最小距离d1小于第二电极3靠近衬底1的表面到衬底1之间的最小距离d2，可以理解第二电极3在像素隔断部位置处不断开，以确保第二电极3中不产生裂纹或破损，提高第二电极3的导通稳定性，使得各子像素的发光元件共用第二电极3。

在本申请的实施例提供的一显示基板中，至少部分像素隔断部沿垂直于衬底1所在平面的方向上的高度相同。

其中，至少部分像素隔断部沿垂直于衬底1所在平面的方向上的高度相同包括但不限于如下情况：

第一、部分像素隔断部沿垂直于衬底1所在平面的方向上的高度相同。

在像素隔断部包括第一像素隔断部和第二像素隔断部的情况下，部分像素隔断部沿垂直于衬底1所在平面的方向上的高度相同可以包括：各第一像素隔断部沿垂直于衬底1所在平面的方向上的高度相同，各第二像素隔断部沿垂直于衬底1所在平面的方向上的高度相同；或者，部分第一像素隔断部与部分第二像素隔断部沿垂直于衬底1所在平面的方向上的高度相同。

在本申请的实施例提供的显示基板中，通过设置不同高度的素隔断部以隔开厚度不同的子像素(颜色不同的子像素，例如红色子像素的厚度大于绿色子像素的厚度，绿色子像素的厚度大于蓝色子像素的厚度)，避免不同颜色子像素的发光元件之间的载流子迁移造成的串扰，从而提高显示效果。

第二、所有像素隔断部沿垂直于衬底1所在平面的方向上的高度相同。

在一些实施例中，为了简化制备工艺，可以设置所有的像素隔断部的高度相同，以隔断不同颜色的子像素的发光元件，避免不同颜色子像素的发光元件之间的载流子迁移造成的串扰，从而提高显示效果。

在本申请的实施例提供的显示基板中，通过设置发光功能子层中的至少一个在像素隔断部位置处断开、且像素隔断部远离衬底的表面到衬底之间的最小距离小于第二电极靠近衬底的表面到衬底之间的最小距离，这样，能够在不影响第二电极的结构、确保第二电极不受损的情况下，使得发光功能子层中的至少一个在像素隔断部位置处断开，从而避免相邻两个子像素的发光功能层中的载流子发生迁移，改善相邻两个子像素之间的串扰，从而提高显示效果。另外，该显示基板可实现一种双层发光(Tandem EL)设计，因此具有寿命长、功耗低、亮度高等优点。

在本申请的实施例提供的一显示基板中，如图1-图3所示，多个子像素包括阵列分布的第一子像素P1、第二子像素P2和第三子像素P3，第一子像素P1、第二子像素P2和第三子像素P3沿垂直于衬底1所在平面的方向上的高度依次减小；

沿垂直于衬底1所在平面的方向上，第一子像素P1的高度大于第二子像素P2的高度，第二子像素P2的高度大于第三子像素P3的高度。

其中，第一子像素P1的发光元件的发光效率小于第二子像素P2的发光元件的发光效率，第二子像素P2的发光元件的发光效率小于第三子像素P3的发光元件的发光效率。

示例性的，第一子像素P1为红色子像素、第二子像素P2为绿色子像素、第三子像素P3为蓝色子像素。

在一些实施例中，第一子像素P1的发光区、第二子像素P2的发光区和第三子像素P3的发光区在衬底1上的正投影图形的面积相同。

在一些实施例中，第一子像素P1的发光区、第二子像素P2的发光区和第三子像素P3的发光区在衬底1上的正投影图形的面积不同，例如，第一子像素P1的发光区在衬底1上的正投影图形的面积大于第二子像素P2的发光区在衬底1上的正投影图形的面积，第二子像素P2的发光区在衬底1上的正投影图形的面积大于第三子像素P3的发光区在衬底1上的正投影图形的面积。

结合图1-图3以及图11-图12所示，像素隔断部包括第一像素隔断部G1和第二像素隔断部G2，第一像素隔断部G1位于第一子像素P1和第二子像素P2之间；部分第二像素隔断部G2位于第二子像素P2和第三子像素P3之间，部分第二像素隔断部G2位于第三子像素P3和第一子像素P1之间；其中，第一像素隔断部G1沿垂直于衬底1所在平面的方向上的高度大于或等于第二像素隔断部G2沿垂直于衬底1所在平面的方向上的高度。

其中，在图11和图12中，均以第一子像素P1为红色子像素(R)、第二子像素P2为绿色子像素(G)、第三子像素P3为蓝色子像素(B)为例进行绘制。

在示例性的实施例中，为提高像素隔断部所在位置处的载流子隔断效果，第一像素隔断部G1和第二像素隔断部G2沿垂直于衬底1所在平面上的截面图的形状不同。具体参考后文的描述，这里不再赘述。

在示例性的实施例中，第一子像素P1为红色子像素、第二子像素P2为绿色子像素、第三子像素P3为蓝色子像素。

在一些实施例中，第一像素隔断部G1沿垂直于衬底1所在平面的方向上的高度大于第二像素隔断部G2沿垂直于衬底1所在平面的方向上的高度。

以图1所示的显示基板为例，第一像素隔断部G1位于第一子像素P1和第二子像素P2之间，为了间隔第一子像素P1的发光功能层和第二子像素P2的发光功能层，避免其发生串扰，可以根据第一子像素P1和第二子像素P2之中厚度较小的子像素确定第一像素隔断部G1的高度，在一些实施例中，第一像素隔断部G1的上表面至少要高于第二子像素P2的发光功能层中导电率较高(载流子迁移率较高)的膜层的上表面，例如，第一像素隔断部G1远离衬底1的表面到衬底1之间的最小距离大于第二子像素P2的发光功能层中的电荷传输层CGL远离衬底1的表面到衬底1之间的最小距离。

部分第二像素隔断部G2位于第二子像素P2和第三子像素P3之间，部分第二像素隔断部G2位于第三子像素P3和第一子像素P1之间，为了间隔第三子像素P3的发光功能层和第二子像素P2的发光功能层，间隔第三子像素P3的发光功能层和第一子像素P1的发光功能层，避免其发生串扰，可以根据厚度较小的第三子像素P3的厚度确定第一像素隔断部G1的高度，在一些实施例中，第二像素隔断部G2的上表面至少要高于第三子像素P3的发光功能层中导电率较高(载流子迁移率较高)的膜层的上表面，例如，第二像素隔断部G2远离衬底1的表面到衬底1之间的最小距离大于第三子像素P3的发光功能层中的电荷传输层CGL远离衬底1的表面到衬底1之间的最小距离。

其中，在发光功能层的各功能子层中，电荷传输层CGL的载流子迁移率大于或等于其它各功能子层的载流子迁移率。

上述发光功能层中的电荷传输层CGL远离衬底1的表面到衬底1之间的最小距离指的是：发光功能层中的电荷传输层CGL远离衬底1的表面沿垂直于衬底1所在平面方向上到衬底1之间的距离。其它位置处“最小距离”的类似描述的含义与此处相同，不再赘述。

在一些实施例中，为了简化设计，降低制备工艺难度，可以设置第一像素隔断部G1沿垂直于衬底1所在平面的方向上的高度等于第二像素隔断部G2沿垂直于衬底1所在平面的方向上的高度。即将各像素隔断部的高度均设置为与位于第一子像素P1和第二子像素P2之间第一像素隔断部G1的高度相同。

在本申请的实施例提供的一显示基板中，如图1-3所示，发光功能层包括第一发光层F1、第二发光层F2、以及位于第一发光层F1和第二发光层F2之间的电荷传输层4，电荷传输层4在像素隔断部位置处断开；

其中，如图2中标记所示，第一像素隔断部G1远离衬底1的表面到衬底1之间的最小距离h2大于第二子像素P2的电荷传输层(CGL)4远离衬底1的表面到衬底1之间的最小距离h1；

第二像素隔断部G2远离衬底1的表面到衬底1之间的最小距离h4大于第三子像素P3的电荷传输层(CGL)4远离衬底1的表面到衬底1之间的最小距离h3。

需要说明的是，电荷生成层CGL包括N型电荷生成层N-CGL和P型电荷生成层P-CGL，电荷生成层CGL被配置为产生载流子、传输载流子和注入载流子。

例如，电荷生成层4的材料可包括n型掺杂的有机层/p型掺杂的有机层，如BPhen:Cs/NPB:F4-TCNQ，Alq3:Li/NPB:FeCl3，TPBi:Li/NPB:FeCl3和Alq3:Mg/m-MTDATA:F4-TCNQ。

当然，电荷生成层的材料也可包括n型掺杂的有机层/无机金属氧化物，如Alq3:Mg/WO3，Bphen:Li/MoO3，BCP:Li/V2O5和BCP:Cs/V2O5；或者，n型掺杂的有机层/有机层，如Alq3:Li/HAT-CN；或者，非掺杂型材料，如F16CuPc/CuPc和Al/WO3/Au。

第一发光层和第二发光层的材料可选自芘衍生物、蒽衍生物、芴衍生物、苝衍生物、苯乙烯基胺衍生物、金属配合物等。

本申请的实施例提供的显示基板中，通过设置第一像素隔断部G1远离衬底1的表面到衬底1之间的最小距离h2大于第二子像素P2的电荷传输层(CGL)4远离衬底1的表面到衬底1之间的最小距离h1，能够使得第一子像素P1与第二子像素P2的电荷传输层4在第一像素隔断部G1位置处断开，通过设置第二像素隔断部G2远离衬底1的表面到衬底1之间的最小距离h4大于第三子像素P3的电荷传输层(CGL)4远离衬底1的表面到衬底1之间的最小距离h3，能够使得第三子像素P3与第二子像素P2的电荷传输层4在第二像素隔断部G2位置处断开。

由于电荷生成层(CGL)4在像素隔断部所在的位置断开，因此，通过在相邻的子像素之间设置上述的像素隔断部，该显示基板可避免发光功能层中导电性较高的电荷生成层(CGL)4造成相邻子像素之间的串扰。另外，该显示基板可实现一种双层发光(Tandem EL)设计，因此具有寿命长、功耗低、亮度高等优点。

在本申请的实施例提供的一显示基板中，为了简化设计，降低制备工艺难度，可以设置第二像素隔断部G2远离衬底1的表面到衬底1之间的最小距离h4等于第一像素隔断部G1远离衬底1的表面到衬底1之间的最小距离h2。

在本申请的实施例提供的一显示基板中，第一像素隔断部G1和第二像素隔断部G2均包括沿背离衬底1的方向上依次设置的第一子层、第二子层、第三子层和第四子层；其中，第二子层和第三子层中的至少一个在衬底1上的正投影的外轮廓位于第四子层在衬底1上的正投影的外轮廓以内。

如图4-图6所示，第一像素隔断部G1包括沿背离衬底1的方向上依次设置的第一子层G1-1、第二子层G1-2、第三子层G1-3和第四子层G1-4。第二子层G1-2和第三子层G1-3中的至少一个在衬底1上的正投影的外轮廓位于第四子层G1-4在衬底1上的正投影的外轮廓以内。

如图7-图9所示，第二像素隔断部G2包括沿背离衬底1的方向上依次设置的第一子层G2-1、第二子层G2-2、第三子层G2-3和第四子层G2-4。第二子层G2-2和第三子层G2-3中的至少一个在衬底1上的正投影的外轮廓位于第四子层G2-4在衬底1上的正投影的外轮廓以内。

在第一像素隔断部G1和第二像素隔断部G2的高度相同、且各子层的厚度相同的情况下，为了使得第一像素隔断部G1和第二像素隔断部G2分别能够间隔不同颜色子像素的发光功能层中载流子迁移率较高的膜层，如图3所示，可以设置第二子层(G2-2以及G1-2)远离衬底1的表面到衬底1之间的最小距离h5大于或等于第三子像素P3的电荷传输层(CGL)4远离衬底1的表面到衬底1之间的最小距离h3；设置第三子层(G2-3以及G1-3)远离衬底1的表面到衬底1之间的最小距离h6大于或等于第二子像素P2的电荷传输层(CGL)4远离衬底1的表面到衬底1之间的最小距离h1。

且此时，第一像素隔断部G1的第二子层G1-2远离衬底1的表面到衬底1之间的最小距离与第二像素隔断部G2的第二子层G2-2远离衬底1的表面到衬底1之间的最小距离相等；第一像素隔断部G1的第三子层G1-3远离衬底1的表面到衬底1之间的最小距离与第二像素隔断部G2的第三子层G2-3远离衬底1的表面到衬底1之间的最小距离相等。

在一些实施例中，可以设置第二子层(G2-2以及G1-2)远离衬底1的表面到衬底1之间的最小距离h5大于第三子像素P3的电荷传输层(CGL)4远离衬底1的表面到衬底1之间的最小距离h3；设置第三子层(G2-3以及G1-3)远离衬底1的表面到衬底1之间的最小距离h6大于第二子像素P2的电荷传输层(CGL)4远离衬底1的表面到衬底1之间的最小距离h1，此时，第二像素隔断部G2中的第二子层G2-2已经能够起到隔离第二子像素P2和第三子像素P3的电荷传输层(CGL)4的作用，能避免电荷传输层(CGL)4传递载流子造成的串扰，可以不设置第二像素隔断部G2的第三子层G2-3和第四子层G2-4；第一隔断部G1的第三子层G1-3已经能够起到隔离第一子像素P1和第二子像素P2的电荷传输层(CGL)4的作用能避免电荷传输层(CGL)4传递载流子造成的串扰，可以不设置第一隔断部G1的第四子层G1-4。

在本申请的实施例提供的一显示基板中，通过在第二像素隔断部G2中设置第三子层G2-3和第四子层G2-4，能够避免在形成发光元件时有机材料的爬坡效应造成第二像素隔断部G2隔断效果不佳，从而能进一步隔离第二子像素P2和第三子像素P3，避免电荷传输层(CGL)4传递载流子造成的串扰，提高显示效果。

在本申请的实施例提供的一显示基板中，通过在第一像素隔断部G1中设置第四子层G1-4,能够避免在形成发光元件时有机材料的爬坡效应造成第一像素隔断部G1隔断效果不佳，从而能进一步隔离第二子像素P2和第一子像素P1，避免电荷传输层(CGL)4传递载流子造成的串扰，提高显示效果。

在本申请的实施例提供的一显示基板中，如图4-图9所示，在第一像素隔断部G1和第二像素隔断部G2中，第二子层(G1-2以及G2-2)在衬底1上的正投影的外轮廓位于第四子层(G1-4以及G2-4)在衬底1上的正投影的外轮廓以内，且第二子层(G1-2以及G2-2)在衬底1上的正投影的外轮廓位于第一子层(G1-1以及G2-1)在衬底上的正投影的外轮廓以内。

在本申请的实施例提供的显示基板中，通过设置第二子层(G1-2以及G2-2)在衬底1上的正投影的外轮廓位于第四子层(G1-4以及G2-4)在衬底1上的正投影的外轮廓以内，能够进一步的避免有机材料的爬坡效应，从而能够提高隔断部的隔离效果，更好的避免电荷传输层(CGL)4传递载流子造成的串扰，提高显示效果。另外，通过设置第二子层(G1-2以及G2-2)在衬底1上的正投影的外轮廓位于第一子层(G1-1以及G2-1)在衬底上的正投影的外轮廓以内，能够使得第一子层(G1-1以及G2-1)与第二子层(G1-2以及G2-2)的侧面不共面，增大发光功能层在此位置处断裂的可能性，提高隔断部的隔离效果，从而改善子像素间的串扰问题，提高显示效果。

需要说明的是，本申请的实施例对于第二子层(G1-2以及G2-2)的侧面的具体形态不进行限定。示例性的，第二子层(G1-2以及G2-2)的侧面可以为如图4-图6、图7-图9所示的平面；或者，第二子层(G1-2以及G2-2)的侧面可以为如图5、图8所示的曲面。

在本申请的实施例提供的一显示基板中，如图4、图5和图6所示，在第一像素隔断部G1中，第三子层G1-3在衬底1上的正投影的外轮廓位于第四子层G1-4在衬底1上的正投影的外轮廓以内，第二子层G1-2在衬底1上的正投影位于第三子层G1-3在衬底1上的正投影以内。

其中，在第一像素隔断部G1中，第二子层G1-2在衬底1上的正投影位于第三子层G1-3在衬底1上的正投影以内包括但不限于如下情况：

第一、如图4和图5所示，第二子层G1-2在衬底1上的正投影的外轮廓位于第三子层G1-3在衬底1上的正投影的外轮廓以内；这样，第二子层G1-2和第三子层G1-3的侧面不同面；

第二、如图6所示，第二子层G1-2在衬底1上的正投影的外轮廓位于第三子层G1-3在衬底1上的正投影的外轮廓重叠，此时，由于第三子层G1-3在衬底1上的正投影的外轮廓位于第四子层G1-4在衬底1上的正投影的外轮廓以内；这样，第二子层G1-2和第四子层G1-4的侧面不同面。

对于第一像素隔断部G1，由于其第三子层G1-3已经能够起到隔离相邻子像素的作用，为了提高隔离子像素的效果，通过在第一像素隔断部G1上设置第四子层G1-4，且第三子层G1-3和第四子层G1-4的侧面不共面，这样，能够避免有机材料的爬坡效应，从而进一步提高第一像素隔断部G1的隔断效果。

在本申请的实施例提供的一显示基板中，如图7、图8和图9所示，在第二像素隔断部G2中，第二子层G2-2在衬底1上的正投影的外轮廓位于第三子层G2-3在衬底1上的正投影的外轮廓以内，第四子层G2-4在衬底1上的正投影位于第三子层G2-3在衬底1上的正投影以内。

其中，在第二像素隔断部G2中，第四子层G2-4在衬底1上的正投影位于第三子层G2-3在衬底1上的正投影以内包括但不限于如下情况：

第一、如图9所示，第四子层G2-4在衬底1上的正投影的外轮廓位于第三子层G2-3在衬底1上的正投影的外轮廓以内；

第二、如图7和图8所示，第四子层G2-4在衬底1上的正投影的外轮廓与第三子层G2-3在衬底1上的正投影的外轮廓重叠。

对于第二像素隔断部G2，由于其第二子层G2-2已经能够起到隔离相邻子像素的作用，为了提高隔离子像素的效果，通过在第二像素隔断部G2上设置第三子层G2-3和第四子层G2-4，且设置第三子层G2-3和第四子层G2-4中至少一个的侧面与第二子层G2-2的侧面不同面，这样，能够避免有机材料的爬坡效应，从而进一步提高第一像素隔断部G1的隔断效果，防止子像素侧面出光造成的串扰，提高显示效果。

在本申请的实施例提供的一显示基板中，像素隔断部包括导电材料。

示例性的，导电材料可以包括金属或者金属氧化物材料。

示例性的，像素隔断部各子层的材料至少部分不相同。

在一些实施例中，在第一像素隔断部G1与第二像素隔断部G2的高度相同的情况下，可以设置第一像素隔断部G1的第一子层G1-1与第二像素隔断部G2的第一子层G2-1的厚度相同；可以设置第一像素隔断部G1的第二子层G1-2与第二像素隔断部G2的第二子层G2-2的厚度相同；可以设置第一像素隔断部G1的第三子层G1-3与第二像素隔断部G2的第三子层G2-3的厚度相同；可以设置第一像素隔断部G1的第四子层G1-4与第二像素隔断部G2的第四子层G2-4的厚度相同。

示例性的，第一子层(G1-1以及G2-1)可以采用与发光器件的第一电极(阳极)相同的材料、在同一制备工艺中制备；在一些实施例中，可以设置第一子层(G1-1以及G2-1)与阳极的厚度相同。第一子层(G1-1以及G2-1)可以为单层的膜层结构，或者，也可以是多层的叠层结构，具体可以根据实际情况确定。

示例性的，第二子层(G1-2以及G2-2)可以采用金属材料制备，例如银(Ag)。第二子层(G1-2以及G2-2)的厚度范围可以为50nm～1000nm之间，或者，第二子层(G1-2以及G2-2)的厚度范围可以为80nm～170nm，例如，第二子层(G1-2以及G2-2)的厚度可以为100nm、120nm、140nm、150nm。

示例性的，第三子层(G1-3以及G2-3)可以采用金属氧化物材料制备，例如氧化铟锡(ITO)。此时，第三子层(G1-3以及G2-3)的厚度范围可以为10nm～1000nm之间，或者，第三子层(G1-3以及G2-3)的厚度范围可以为20nm～80nm，例如，第三子层(G1-3以及G2-3)的厚度可以为30nm、40nm、50nm、60nm、70nm。

示例性的，第三子层(G1-3以及G2-3)可以采用金属材料制备，例如钼(Mo)。此时，第三子层(G1-3以及G2-3)的厚度范围可以为5nm～500nm之间，或者，第三子层(G1-3以及G2-3)的厚度范围可以为5nm～80nm之间，例如，第三子层(G1-3以及G2-3)的厚度可以为10nm、20nm、30nm、50nm、60nm。

示例性的，第四子层(G1-4以及G2-4)可以采用金属氧化物材料制备，例如氧化铟锡(ITO)。此时，第四子层(G1-4以及G2-4)的厚度范围可以为10nm～1000nm之间，或者，第四子层(G1-4以及G2-4)的厚度范围可以为20nm～80nm，例如，第四子层(G1-4以及G2-4)的厚度可以为30nm、40nm、50nm、60nm、70nm。

在本申请的实施例提供的一显示基板中，第二电极3包括阴极，像素隔断部与第二电极3电连接。

在一些实施例中，可以通过在像素隔断部与第二电极3之间设置过孔将像素隔断部与第二电极3电连接在一起，这样，像素隔断部可以将发光功能层中载流子迁移率较高的膜层(例如电荷传输层4)中的载流子导走，避免载流子迁移到相邻的子像素中引起串扰，从而提高显示效果。

在本申请的实施例提供的一显示基板中，如图1-图3所示，显示基板包括位于衬底1上的驱动单元Q，驱动单元Q与子像素(例如P1、P2、P3)电连接；

驱动单元Q包括信号线(图1-图3中未绘制)，信号线被配置为能够传输恒定的电压信号，且信号线中传输的电压信号的电压小于第一电极2(例如阳极)中传输的电压信号的电压，其中，各像素隔断部分别与信号线电连接。

在本申请的实施例提供的一显示基板中，信号线包括公共电极线(Com线)、接地线(GND线)或负极电压信号线(VSS线)。

在一些实施例中，可以通过在像素隔断部与具有低电平电压的信号线电连接在一起，这样，像素隔断部可以将发光功能层中载流子迁移率较高的膜层(例如电荷传输层4)中的载流子导走，避免载流子迁移到相邻的子像素中引起串扰，从而提高显示效果。

在本申请的实施例提供的一显示基板中，结合图3和图14所示，显示基板包括像素定义层PDL，像素定义层PDL包括多个第一开口K1和多个第二开口K2；第一开口K1限定出子像素的发光区；第二开口K2位于相邻子像素的发光区之间，像素隔断部在衬底上的正投影位于第二开口K2在衬底上的正投影内。

在本申请的实施例中，通过将像素隔断部的第一子层(G1-1和G2-1)和阳极设置在不同的开口中，从而对阳极与像素隔断部起到间隔作用，避免两者之间导通，从而造成阳极短路引起子像素中的发光元件无法发光；另外，该显示基板可避免在像素定义层上制作像素隔断部，从而避免增加该显示基板的厚度。

像素定义层的材料可包括有机材料，例如聚酰亚胺、亚克力或聚对苯二甲酸乙二醇酯等。

在一些实施例中，显示基板还包括平坦层(PLN)，平坦层位于像素定义层与衬底1之间，且阳极与像素隔断部的第一子层(G1-1和G2-1)分别与平坦层直接接触。其中，平坦层的材料可为有机材料，例如树脂、亚克力或聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺、聚酰胺、聚碳酸酯、环氧树脂等中的一种或几种的组合等。

在本申请的实施例提供的一显示基板中，结合图3和图16所示，显示基板包括位于衬底1上的第一导电层DD1、第二导电层DD2和第三导电层DD3，第一导电层DD1包括第一扇出走线FL1，第二导电层DD2包括栅极Gate和第一连接线Z2，第三导电层DD3包括数据线Data和第二连接线Z1；

信号线包括负极电压信号线VSS，像素隔断部(G1和G2)与第二连接线Z1电连接，第二连接线Z1与第一连接线Z2电连接，第一连接线Z2与第一扇出走线FL1电连接，第一扇出走线FL1与负极电压信号线VSS电连接。

本申请的实施例中，通过设置像素隔断部与具有低电平电压的信号线电连接在一起，这样，像素隔断部可以将发光功能层中载流子迁移率较高的膜层(例如电荷传输层4)中的载流子导走，避免载流子迁移到相邻的子像素中引起串扰，从而提高显示效果。

在本申请的实施例提供的一显示基板中，如图13所示，至少部分像素隔断部(G1和/或G2)与第二开口K2的侧壁之间具有间隙X。

至少部分像素隔断部(G1和/或G2)与第二开口K2的侧壁之间具有间隙X包括但不限于如下情况：

第一、部分第一像素隔断部G1与第二开口K2的侧壁之间具有间隙X；

第二、部分第二像素隔断部G2与第二开口K2的侧壁之间具有间隙X；

第三、部分第一像素隔断部G1与第二开口K2的侧壁之间具有间隙X；且部分第二像素隔断部G2与第二开口K2的侧壁之间具有间隙X；

第四、所有第一像素隔断部G1与第二开口K2的侧壁之间具有间隙X；

第五、所有第二像素隔断部G2与第二开口K2的侧壁之间具有间隙X；

第六、所有第一像素隔断部G1与第二开口K2的侧壁之间具有间隙X；且所有第二像素隔断部G2与第二开口K2的侧壁之间具有间隙X。

图13中示出了一种第一像素隔断部G1与第二开口K2的侧壁之间的局部SEM图；其中，图13中虚线圈中标记的为间隙X，虚线波浪线标记的为电荷传输层4，可以看到，第一像素隔断部G1的第三子层G1-3已经能够将电荷传输层4隔断，并在隔断位置处形成一个间隙X，第一像素隔断部G1的第四子层G1-4能够进一步避免有机材料的爬坡小于，加强第一像素隔断部G1的隔断效果，从而避免相邻子像素的光线串扰，提高显示效果。

在本申请的实施例提供的一显示基板中，第一子层(G1-1及G2-1)与第一电极2同层设置。

上述“同层设置”指同一材料在经过同一步骤(例如一步图案化工艺)后形成的多个膜层之间的关系。这里的“同层”并不总是指多个膜层的厚度相同或者多个膜层在截面图中的高度相同。

在一些实施例中，以图16中的标记为例进行说明，该显示基板还包括缓冲层(Buffer)，缓冲层覆盖第一导电层DD1，第一导电层DD1还可以包括第二扇出走线FL2，第二扇出走线FL2与位于第三导电层DD3中的数据线Data电连接；第三导电层DD3可以为源漏金属层；显示基板还包括有源层AT、第一栅绝缘层(GI1)、第二栅绝缘层(GI2)、第二栅极层(Gate2)、层间介质层(ILD)和平坦层(PLN)；其中，第一栅绝缘层(GI1)覆盖有源层AT，第二栅绝缘层(GI2)覆盖第二导电层DD2，第二导电层DD2可以为第一栅极层(Gate1)，第二栅极层(Gate2)位于第二栅绝缘层(GI2)远离衬底1的一侧，层间介质层(ILD)覆盖第二栅极层(Gate2)，平坦层(PLN)覆盖源漏金属层(SD)。

需要说明的是，在本申请的实施例提供的附图中，标记2R的结构代表红色发光元件的第一电极(阳极)，标记2G的结构代表绿色发光元件的第一电极(阳极)，标记2B的结构代表蓝色发光元件的第一电极(阳极)。

本申请的实施例提供了一种显示面板，包括如前文中所述的显示基板。在本申请的实施例提供的显示面板中，通过设置发光功能子层中的至少一个在像素隔断部位置处断开、且像素隔断部远离衬底的表面到衬底之间的最小距离小于第二电极靠近衬底的表面到衬底之间的最小距离，这样，能够在不影响第二电极的结构、确保第二电极不受损的情况下，使得发光功能子层中的至少一个在像素隔断部位置处断开，从而避免相邻两个子像素的发光功能层中的载流子发生迁移，改善相邻两个子像素之间的串扰，从而提高显示效果。另外，该显示基板可实现一种双层发光(Tandem EL)设计，因此具有寿命长、功耗低、亮度高等优点。

本申请的实施例提供了一种显示装置，包括如前文中所述的显示面板，该显示装置可以为有机发光二极管显示装置等显示器件以及包括该显示装置的电视、数码相机、手机、手表、平板电脑、笔记本电脑、导航仪等任何具有显示功能的产品或者部件。

本申请的实施例提供了一种显示基板的制备方法，该方法包括：

S1、在衬底1上形成如图14中所示的驱动单元Q；

驱动单元Q的具体制备过程可以参考相关技术，这里不再赘述。

S2、同时形成第一电极2(阳极)和像素隔断部的第一子层(G1-1和G2-1)，并形成像素定义层PDL；

S3、如图15所示，依次形成像素隔断部的第二子层(G1-2和G2-2)、第三子层(G1-3和G2-3)和第四子层(G1-4和G2-4)；

S4、如图16所示，形成各子像素发光元件的发光功能层；

其中，发光功能层可以采用蒸镀工艺制备。

S5、形成第二电极3(阴极)；

S6、形成覆盖层(CPL)；

S7、形成如图3所示的封装层5(TFE)。

在本申请的实施例提供的制备方法形成的显示基板，通过设置发光功能子层中的至少一个在像素隔断部位置处断开、且像素隔断部远离衬底的表面到衬底之间的最小距离小于第二电极靠近衬底的表面到衬底之间的最小距离，这样，能够在不影响第二电极的结构、确保第二电极不受损的情况下，使得发光功能子层中的至少一个在像素隔断部位置处断开，从而避免相邻两个子像素的发光功能层中的载流子发生迁移，改善相邻两个子像素之间的串扰，从而提高显示效果。另外，该显示基板可实现一种双层发光(Tandem EL)设计，因此具有寿命长、功耗低、亮度高等优点。

本申请的实施例提供的显示基板还可以包括其它步骤和方法，本说明书仅介绍与发明点相关的步骤，其它步骤和方法可以参考相关技术，这里不再赘述。

以上所述，仅为本申请的具体实施方式，但本申请的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此，本申请的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (17)

1.一种显示基板，其特征在于，包括：

衬底；

多个子像素，位于所述衬底上，所述子像素包括发光元件，所述发光元件包括发光功能层和位于所述发光功能层的两侧的第一电极和第二电极，所述第二电极位于所述发光功能层远离所述衬底的一侧，所述发光功能层包括多个发光功能子层；多个像素隔断部，所述像素隔断部位于相邻的两个所述子像素之间，所述发光功能子层中的至少一个在所述像素隔断部位置处断开；

其中，所述像素隔断部远离所述衬底的表面到所述衬底之间的最小距离小于所述第二电极靠近所述衬底的表面到所述衬底之间的最小距离。

2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述多个子像素包括阵列分布的第一子像素、第二子像素和第三子像素，所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素沿垂直于所述衬底所在平面的方向上的高度依次减小；

所述像素隔断部包括第一像素隔断部和第二像素隔断部，所述第一像素隔断部位于所述第一子像素和所述第二子像素之间；部分所述第二像素隔断部位于所述第二子像素和所述第三子像素之间，部分所述第二像素隔断部位于所述第三子像素和所述第一子像素之间；

其中，沿垂直于所述衬底的方向，所述第一像素隔断部的高度大于或等于所述第二像素隔断部的高度。

3.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述发光功能层包括第一发光层、第二发光层、以及位于所述第一发光层和所述第二发光层之间的电荷传输层，所述电荷传输层在所述像素隔断部位置处断开；

其中，所述第一像素隔断部远离所述衬底的表面到所述衬底之间的最小距离大于所述第二子像素的所述电荷传输层远离所述衬底的表面到所述衬底之间的最小距离；

所述第二像素隔断部远离所述衬底的表面到所述衬底之间的最小距离大于所述第三子像素的所述电荷传输层远离所述衬底的表面到所述衬底之间的最小距离。

4.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述第一像素隔断部和所述第二像素隔断部均包括沿背离所述衬底的方向上依次设置的第一子层、第二子层、第三子层和第四子层；

其中，所述第二子层和所述第三子层中的至少一个在所述衬底上的正投影的外轮廓位于所述第四子层在所述衬底上的正投影的外轮廓以内。

5.根据权利要求4所述的显示基板，其特征在于，所述第二子层远离所述衬底的表面到所述衬底之间的最小距离大于或等于所述第三子像素的所述电荷传输层远离所述衬底的表面到所述衬底之间的最小距离。

6.根据权利要求4所述的显示基板，其特征在于，所述第三子层远离所述衬底的表面到所述衬底之间的最小距离大于或等于所述第二子像素的所述电荷传输层远离所述衬底的表面到所述衬底之间的最小距离。

7.根据权利要求5或6所述的显示基板，其特征在于，所述第二子层在所述衬底上的正投影的外轮廓位于所述第四子层在所述衬底上的正投影的外轮廓以内，且所述第二子层在所述衬底上的正投影的外轮廓位于所述第一子层在所述衬底上的正投影的外轮廓以内。

8.根据权利要求7所述的显示基板，其特征在于，在所述第一像素隔断部中，所述第三子层在所述衬底上的正投影的外轮廓位于所述第四子层在所述衬底上的正投影的外轮廓以内，所述第二子层在所述衬底上的正投影位于所述第三子层在所述衬底上的正投影以内。

9.根据权利要求7所述的显示基板，其特征在于，在所述第二像素隔断部中，所述第二子层在所述衬底上的正投影的外轮廓位于所述第三子层在所述衬底上的正投影的外轮廓以内，所述第四子层在所述衬底上的正投影位于所述第三子层在所述衬底上的正投影以内。

10.根据权利要求1-6、8-9中任一项所述的显示基板，其特征在于，所述像素隔断部包括导电材料。

11.根据权利要求10所述的显示基板，其特征在于，所述第二电极包括阴极，所述像素隔断部与所述第二电极电连接。

12.根据权利要求10所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板包括位于所述衬底上的驱动单元，所述驱动单元与所述子像素电连接；

所述驱动单元包括信号线，所述信号线被配置为能够传输恒定的电压信号，且所述信号线中传输的电压信号小于所述第一电极中传输的电压信号，其中，各所述像素隔断部分别与所述信号线电连接。

13.根据权利要求12所述的显示基板，其特征在于，所述信号线包括公共电极线、接地线或负极电压信号线。

14.根据权利要求12或13所述的显示基板，其特征在于，

所述显示基板还包括像素定义层，所述像素定义层包括多个第一开口和多个第二开口；所述第一开口限定出所述子像素的发光区；

所述第二开口位于相邻子像素的发光区之间，所述像素隔断部在所述衬底上的正投影位于所述第二开口在所述衬底上的正投影内。

15.根据权利要求14所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板包括位于所述衬底上的第一导电层、第二导电层和第三导电层，所述第一导电层包括第一扇出走线，所述第二导电层包括栅极和第一连接线，所述第三导电层包括数据线和第二连接线；

所述信号线包括负极电压信号线，所述像素隔断部与所述第二连接线电连接，所述第二连接线与所述第一连接线电连接，所述第一连接线与所述第一扇出走线电连接，所述第一扇出走线与所述负极电压信号线电连接。

16.根据权利要求14所述的显示基板，其特征在于，至少部分所述像素隔断部与所述第二开口的侧壁之间具有间隙。

17.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1-16中任一项所述的显示基板。

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