CN115605747A - 腐蚀传感器的设计方法、腐蚀传感器的制造方法及腐蚀传感器 - Google Patents
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Abstract
腐蚀传感器(1)是电阻式的腐蚀传感器,具备:传感器部(11),曝露在任意的环境下且由导电体构成;及参照部(21),从任意的环境被屏蔽且由导电体构成,基于参照部(21)及传感器部(11)的电阻值来测量传感器部(11)的腐蚀量。设定满足下述式(II)的宽度作为传感器部(11)的宽度。由此,腐蚀传感器(1)的腐蚀量的测量精度优异。w≥(32×tlimit)…(II)tlimit:要测量的最大腐蚀量[mm],w:传感器部(11)的宽度[mm]。
Description
技术领域
本发明涉及腐蚀传感器的设计方法、腐蚀传感器的制造方法及腐蚀传感器。
背景技术
作为评价金属材料的腐蚀的技术,已知有电阻式的腐蚀传感器。
电阻式的腐蚀传感器具有曝露在腐蚀环境下发生腐蚀的传感器部(导电体)和从腐蚀环境被屏蔽的参照部(导电体),基于参照部的电阻值和以腐蚀为起因而增大的传感器部的电阻值来求出传感器部的腐蚀量。
专利文献1公开了适当地设定传感器部的初始厚度的技术。
在先技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2016-197102号公报
发明内容
发明的概要
发明要解决的课题
本发明者们发现了即使适当地设定传感器部的初始厚度,腐蚀量的测量精度有时也不充分的情况。
本发明是鉴于以上的点而作出的发明,其目的在于提供一种能得到腐蚀量的测量精度优异的腐蚀传感器的、腐蚀传感器的设计方法。
用于解决课题的方案
本发明者们进行了仔细研讨的结果是,发现了通过采用下述结构而能够实现上述目的,从而完成了本发明。
即,本发明提供以下的[1]~[7]。
[1]一种腐蚀传感器的设计方法,其中,上述腐蚀传感器是电阻式的腐蚀传感器,具备:传感器部,曝露在任意的环境下且由导电体构成;及参照部,从上述任意的环境被屏蔽且由导电体构成,基于上述参照部的电阻值及上述传感器部的电阻值来测量上述传感器部的腐蚀量,设定满足下述式(II)的宽度作为上述传感器部的宽度。
w≥(32×tlimit)…(II)
tlimit:要测量的最大腐蚀量[mm]
w:上述传感器部的宽度[mm]
[2]根据上述[1]记载的腐蚀传感器的设计方法,其中,设定满足下述式(I)的厚度作为上述传感器部的初始厚度。
tinit≥(2×tlimit)…(I)
tinit:上述传感器部的初始厚度[mm]
tlimit:要测量的最大腐蚀量[mm]
[3]根据上述[1]或[2]记载的腐蚀传感器的设计方法,其中,设定满足下述式(III)的长度作为上述传感器部的长度。
103≤{L/(w×tinit)}×I…(III)
tinit:上述传感器部的初始厚度[mm]
w:上述传感器部的宽度[mm]
L:上述传感器部的长度[mm]
I:电流值[mA]
[4]根据上述[1]~[3]中任一项记载的腐蚀传感器的设计方法,其中,设定满足下述式(VII)的宽度及初始厚度作为上述传感器部的宽度及初始厚度。
(w/tinit)≥16…(VII)
w:上述传感器部的宽度[mm]
tinit:上述传感器部的初始厚度[mm]
[5]一种腐蚀传感器的制造方法,是制造电阻式的腐蚀传感器的方法,所述腐蚀传感器具备:传感器部,曝露在任意的环境下且由导电体构成;及参照部,从上述任意的环境被屏蔽且由导电体构成,其中,按照上述[1]~[4]中任一项记载的设计方法来设计上述传感器部。
[6]根据上述[5]记载的腐蚀传感器的制造方法,其中,将上述传感器部与上述参照部经由绝缘体层叠。
[7]一种腐蚀传感器,是电阻式的腐蚀传感器,具备:传感器部,曝露在任意的环境下且由导电体构成;及参照部,从上述任意的环境被屏蔽且由导电体构成,基于上述参照部的电阻值及上述传感器部的电阻值来测量上述传感器部的腐蚀量,其中,上述传感器部的宽度及厚度满足下述式(VII)。
(w/tinit)≥16…(VII)
w:上述传感器部的宽度[mm]
tinit:上述传感器部的厚度[mm]
发明效果
根据本发明,能得到腐蚀量的测量精度优异的腐蚀传感器。
附图说明
图1是表示电阻式的腐蚀传感器的俯视图。
图2是图1的A-A线剖视图。
图3是用于说明与电流源及电压测定部连接的连接状态的腐蚀传感器的剖视图。
图4是表示平均腐蚀量与最大腐蚀量之间的关系的坐标图。
图5是表示平均腐蚀量与变程之间的关系的坐标图。
具体实施方式
以下,说明本发明的优选的实施方式。
以下的说明不仅是腐蚀传感器的设计方法的说明,同时也是腐蚀传感器的制造方法及腐蚀传感器的说明。
<腐蚀传感器的基本结构>
基于图1~图3,说明电阻式的腐蚀传感器的基本结构的优选例。
但是,基于图1~图3说明的腐蚀传感器为一例,腐蚀传感器并不限定于此。
图1是表示腐蚀传感器1的俯视图。图2是图1的A-A线剖视图。
电阻式的腐蚀传感器1具有曝露在任意的环境下的传感器部11和从传感器部11曝露的任意的环境被屏蔽的参照部21。
传感器部11曝露的“任意的环境”是包含传感器部11发生腐蚀那样的环境即“腐蚀环境”的、包括各种环境的概念。
即,腐蚀传感器1在传感器部11腐蚀的腐蚀环境下使用的情况自不必说,也可以在传感器部11不腐蚀的环境下使用。
如图2所示,在平板状的基板31的一面上经由绝缘片41配置由导电体构成的参照部21。在参照部21中的与基板31侧相反侧的一面上经由绝缘体61配置由导电体构成的传感器部11。即,传感器部11与参照部21经由绝缘体61层叠。
传感器部11及参照部21的截面是具有规定的厚度的矩形(包括正方形)。传感器部11及参照部21的两侧面由绝缘性的树脂51覆盖。
如图2所示,在剖视观察腐蚀传感器1的情况下,矩形的参照部21的两侧面及上下表面由各构件覆盖。因此,即使腐蚀传感器1处于任意的环境下,参照部21也从该任意的环境被屏蔽。
另一方面,如图2所示,在剖视观察腐蚀传感器1的情况下,矩形的传感器部11的两侧面及下表面由各构件覆盖,但是上表面露出。因此,在腐蚀传感器1处于任意的环境下的情况下,传感器部11的上表面曝露在该任意的环境下。上表面曝露的传感器部11使腐蚀沿其厚度方向(从上表面侧朝向下表面侧的方向)进展。
作为基板31,例如不锈钢钢板等金属板容易处理,因此可优选列举,但是并不限定于此,例如,也可以是玻璃、陶瓷、塑料等绝缘体、硅晶圆等半导体。
作为配置在基板31上的绝缘片41,没有特别限定,可以使用以往公知的材料,可列举例如由PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)等构成的塑料膜。
绝缘片41的厚度(图2中的上下方向的距离(以下,同样))只要是能够将例如作为不锈钢钢板的基板31与作为导电体的参照部21绝缘的厚度即可,例如为5μm以上。
在使用了导电体(金属板等)及半导体作为基板31的情况下,需要绝缘片41,但是在使用了绝缘体作为基板31的情况下,不需要绝缘片41。
作为树脂51的材料,没有特别限定,可以使用以往公知的材料,可列举例如环氧树脂、丙烯酸树脂等。树脂51的厚度以传感器部11及参照部21的厚度为准。
作为绝缘体61的材料,只要是不将传感器部11与参照部21电连接的材料即可,没有特别限定,可列举例如玻璃、陶瓷、塑料(合成树脂)、天然树脂等。如果绝缘体61的导热性差,则传感器部11与参照部21容易产生温度差,因此优选尽可能选择导热率高的材料。
绝缘体61如果过厚,则导热性容易变差,另一方面如果过薄,则容易产生电短路的风险。
绝缘体61的优选的厚度根据其材料而不同,例如在绝缘体61为聚氯乙烯、聚乙烯、聚丙烯等塑料膜的情况下,优选为5~200μm。
绝缘体61与传感器部11及参照部21之间优选紧贴成不产生间隙。这是因为如果产生间隙,则导热性容易受损。因此,优选使绝缘体61与传感器部11及参照部21以充分的力压接或者使用导热性的粘接剂贴合。在贴合时,优选将贴合面以不残留污垢、尘埃等的方式充分洗净。
构成传感器部11的导电体从测量腐蚀量的对象中选择,没有特别限定,例如为铁或铁合金。
铁合金中的铁的含量优选为90质量%以上。作为铁合金含有的铁以外的元素,可列举例如选自由碳、硅、锰、磷及硫构成的组中的至少一种元素、铜、镍等使耐蚀性提高的元素等元素。
作为构成参照部21的导电体,优选为与构成传感器部11的导电体相同的材料。
构成传感器部11及参照部21的导电体由于被测定电阻值的变化,因此优选为具有一定的长度的长条状,例如,可列举如图1所示以恒定间隔弯折的蜿蜒形状。
参照部21的形状优选为与传感器部11相同的形状,例如,也可以使截面积与传感器部11相同而缩短长度。通过使参照部21的长度比传感器部11短,能够期待使传感器部11的对于温度变化的追随性良好的效果。
传感器部11与参照部21经由绝缘体61重叠,但是此时,只要至少其一部分彼此重叠即可。
图3是用于说明与电流源71及电压测定部81连接的连接状态的腐蚀传感器1的剖视图。
如图3所示,在传感器部11的作为一端的端子11a和作为另一端的端子11b连接电压测定部81,在参照部21的作为一端的端子21a和作为另一端的端子21b连接电压测定部91。将传感器部11的端子11b与参照部21的端子21b电连接,并在传感器部11的端子11a和参照部21的端子21a连接电流源71。
在这样的腐蚀传感器1中,从电流源71流动定电流,通过测定电压,求出传感器部11及参照部21的各自的电阻值。
此时,传感器部11在由于曝露在任意的环境下而腐蚀逐渐进展的情况下,传感器部11的电阻值从初始的值逐渐增大。另一方面,参照部21从传感器部11曝露的任意的环境被屏蔽,因此腐蚀未进展,参照部21的电阻值除了后述的以温度变化为起因的变化之外,基本上从初始的值不变。
传感器部11的腐蚀的进展与电阻值的增大相关的理由通常可如以下那样考虑。
构成传感器部11的导电体伴随着腐蚀的进展,以曝露于任意的环境的区域为起点而沿厚度方向减薄。减薄量的导电体从表面失去或者置换为腐蚀生成物而残留于表面。该腐蚀生成物多是非导体,或者即便是导电体但是与原本的导电体相比导电性非常低。结果是,腐蚀引起的电阻值的增大可看作由构成传感器部11的导电体的减薄引起。
这样,在腐蚀传感器1中以任意的恒定间隔求出传感器部11及参照部21的电阻值,基于求出的电阻值而算出(换算)传感器部11的腐蚀量(腐蚀深度)。腐蚀量的换算式更详细而言由下述式(IV)表示。
CD=tinit{(Rref,init/Rsens,init)-(Rref/Rsens)}…(IV)
CD:腐蚀量(腐蚀深度)[μm]
tinit:传感器部的初始厚度[μm]
Rref,init:参照部的初始的电阻值[Ω]
Rsens,init:传感器部的初始的电阻值[Ω]
Rref:参照部的测量时的电阻值[Ω]
Rsens:传感器部的测量时的电阻值[Ω]
在此,基于上述式(IV),在假定的基础上计算腐蚀量。
例如,传感器部11及参照部21的初始厚度都为“100μm”,参照部21的初始的电阻值(Rref,init)及传感器部11的初始的电阻值(Rsens,init)都为“0.1Ω”,且参照部21的测量时的电阻值(Rref)是从初始不变的“0.1Ω”,但是另一方面,在传感器部11的腐蚀进展而电阻值(Rsens)增大为“0.11Ω”的情况下,腐蚀量根据上述式(IV),通过100×{(0.1/0.1)-(0.1/0.11)},计算为“9.1μm”。
此时,在腐蚀传感器1中,优选进行温度补偿。
即,在腐蚀量的测量时,在参照部21的电阻值变化的情况下,该变化是以温度变化为起因的变化,优选基于该变化对测量的腐蚀量进行校正。
通常,金属的温度越高,则电阻率越高。因此,例如,在上述假定中,与初始相比温度上升,测量时的传感器部11的电阻值(Rsens)不是“0.11Ω”,成为其增加10%的“0.121Ω”。在该情况下,如果假设根据上述式(IV),以100×{(0.1/0.1)-(0.1/0.121)}计算,则腐蚀量成为“17μm”,与本来的腐蚀量“9.1μm”相差较大。
然而,此时,例如,如果参照部21的电阻值(Rref)也同样地由于温度上升而从“0.1Ω”变化为增加10%的“0.11Ω”,则基于该变化能够对腐蚀量进行校正。即,腐蚀量根据上述式(IV),以100×{(0.1/0.1)-(0.11/0.121)}计算为“9.1μm”,得到与没有温度变化的情况同样的结果。
<传感器部的厚度>
首先,说明传感器部11的厚度(初始厚度)。传感器部11的厚度是图2中的上下方向的距离。
传感器部11优选在腐蚀量的测量期间中不会因腐蚀而贯穿。
本发明者们关于曝露在大气中的腐蚀环境下的钢制的传感器部11,历时地测量平均腐蚀量和最大腐蚀量,标绘成坐标图。
图4是表示平均腐蚀量与最大腐蚀量之间的关系的坐标图。
传感器部11的腐蚀面(露出而腐蚀进展的面)实际上是具有凹凸的面。将该腐蚀面看作为平坦面时的传感器部11的腐蚀量称为“平均腐蚀量”。将传感器部11的腐蚀面中的最深的凹部的腐蚀量(腐蚀深度)称为“最大腐蚀量”。
如图4的坐标图所示,最大腐蚀量(单位:mm)为平均腐蚀量(单位:mm)的约1.5倍。不过,在标绘中确认到了一定程度的不均。
因此,优选设定满足下述式(I)的厚度作为传感器部11的初始厚度。
tinit≥(2×tlimit)…(I)
tinit:传感器部的初始厚度[mm]
tlimit:要测量的最大腐蚀量[mm]
由此,传感器部11的初始厚度远大于(厚于)要测量的最大腐蚀量,传感器部11在腐蚀量的测量期间中不会因腐蚀而贯穿。
<传感器部的宽度>
接下来,说明传感器部11的宽度。传感器部11的宽度是图2中的左右方向的距离。
如果在传感器部11的腐蚀面形成的凹部的直径超过传感器部11的宽度,则该部分与其他的部分相比,传感器部11的截面积极端减少而电阻值上升,支配传感器部11的整体的电阻值。在该情况下,可能表现出比实际的平均腐蚀量的电阻值大的值。
本发明者们研讨了在传感器部11的腐蚀面形成的凹部的大小的指标。传感器部11的腐蚀面具有非常复杂的凹凸。因此,基于传感器部11的腐蚀量的平均值或最大值、凹凸的直径等,难以规定上述指标。
因此,本发明者们着眼于空间中的随机现象的解析方法即空间统计学,进行了将其适用于上述指标的尝试。
例如,使用激光位移计等来求出腐蚀量(腐蚀深度)的分布,基于其格子状坐标,进行离散化。接下来,基于下述式(V),制成指定了等级数的经验半变异函数标绘。接下来,基于下述式(VI),向经验半变异函数适用理论半变异函数(球形模型)。由此,能够算出表示空间的自相关的影响范围的“变程”(range)和表示空间的从属性的“基台值”(sill)。变程相当于腐蚀量(腐蚀深度)波及影响的范围,即,凹部的直径。
[数学式1]
γ(h):半变异函数的值
h:欧几里得距离
N(h):成为欧几里得距离h的全部点的配对
zj,zk:成为欧几里得距离h的配对中的点的腐蚀深度[mm]
[数学式2]
|N(hk)|:欧几里得距离(滞后)成为hk的配对的总数
K:半变异函数的滞后数
γ(hk):滞后k的经验半变异函数的值[mm2]
γ(hk;θ):理论半变异函数模型(球形模型)的滞后k下的值
本发明者们关于曝露在大气中的腐蚀环境下的钢制的传感器部11,历时地测量平均腐蚀量和变程,标绘为坐标图。
图5是表示平均腐蚀量与变程之间的关系的坐标图。
如图5的坐标图所示,变程(单位:mm)为平均腐蚀量(单位:mm)的约15倍。不过,在标绘中确认到了一定程度的不均。
因此,设定满足下述式(II)的宽度作为传感器部11的宽度。
w≥(32×tlimit)…(II)
w:传感器部的宽度[mm]
tlimit:要测量的最大腐蚀量[mm]
由此,传感器部11的宽度远大于要测量的最大腐蚀量,能避免传感器部11的截面积极端减少而电阻值上升的情况。其结果是,腐蚀量的测量精度优异。
从腐蚀量的测量精度更优异这样的理由出发,优选设定满足下述式(VII)的宽度及初始厚度作为传感器部11的宽度及初始厚度。
(w/tinit)≥16…(VII)
w:传感器部的宽度[mm]
tinit:传感器部的初始厚度[mm]
即,优选传感器部11的宽度及厚度满足上述式(VII)的腐蚀传感器1。在该情况下,将上述式(VII)的说明中的“初始厚度”改读为“厚度”。
<传感器部的长度>
接下来,说明传感器部11的长度。传感器部11的长度是通过传感器部11的宽度的中心的中心线的距离。
如上所述,传感器部11的腐蚀量利用流过定电流时的电压来测量。传感器部11越长,则电阻值越大。即,由于电压增大,因此腐蚀量的测量精度更优异。电压也根据定电流的电流值变化。
作为传感器部的ρ(电阻率),在依据一般的值的基础上,如果越得到良好的测量精度则越考虑充分高的E(电压值),则引入103作为“E/ρ”的值。
即,从腐蚀量的测量精度更优异这样的理由出发,优选设定满足下述式(III)的长度作为传感器部11的长度。
103≤{L/(w×tinit)}×I…(III)
tinit:传感器部11的初始厚度[mm]
w:传感器部11的宽度[mm]
L:传感器部11的长读[mm]
I:电流值[mA]
需要说明的是,从腐蚀传感器1的操作性及传感器部11的加工性的观点出发,优选满足L×w≥40,000mm2,tinit≤3mm。
实施例
以下,列举实施例,具体说明本发明。但是,本发明并不限定为以下的实施例。
<No.1>
《评价用的腐蚀传感器(评价传感器)的制作》
与图1~图3同样地制作了评价用的腐蚀传感器1(以下,也称为“评价传感器”)。
更详细而言,在作为不锈钢钢板的基板31(65mm×60mm)上配置由聚对苯二甲酸乙二醇酯构成的绝缘片41(杜邦公司制的聚酯片,厚度:100μm),在其上配置了参照部21。在绝缘片41上,将作为环氧树脂的树脂51平坦地铺满参照部21的厚度量,覆盖了参照部21的两侧面。在其上配置作为塑料膜的绝缘体61(聚氯乙烯,厚度:100μm),进而,以经由绝缘体61与参照部21重叠的方式配置了传感器部11。在绝缘体61上,将作为环氧树脂的树脂51平坦地铺满传感器部11的厚度量,覆盖了传感器部11的两侧面。
下述表1示出制作的评价传感器的传感器部11的初始厚度tinit、宽度w及长度L。参照部12设为与传感器部11相同形状。
作为构成传感器部11及参照部21的导电体,使用了铁合金(碳:0.16质量%,硅:0.34质量%,锰:1.44质量%,磷:0.016质量%,硫:0.003质量%,其余部分为Fe及不可避免的杂质)。具体而言,传感器部11及参照部21由以JIS G 3114被标准化的市售的焊接构造用轧制钢材SM490A制作。
《基准用的腐蚀传感器(基准传感器)的制作》
与评价传感器另行地制作了基准用的腐蚀传感器1(以下,也称为“基准传感器”)。
基准传感器将传感器部11的初始厚度tinit设为3mm,将宽度w设为70mm,将长度L设为150mm,除此以外,设为与评价传感器同样。
即,基准传感器的传感器部11设为在后述的试验中不会因腐蚀而贯穿或截面积极端减少的程度地充分大的尺寸。
《试验》
使用制作的评价传感器及基准传感器,进行了遵照“JIS K 5600-7-9”的“循环腐蚀试验方法-盐水喷雾/干燥/湿润”的试验。
更详细而言,将各个腐蚀传感器1在反复进行盐水喷雾(35℃,NaCl浓度5%,2小时)→干燥(60℃,湿度25%,4小时)→湿润(50℃,湿度95%,2小时)的环境下,最大使用10天。
在试验中,以10分钟间隔,从电流源71流动下述表1所示的电流值I(单位:mA)的定电流(在No.1中为10mA),求出传感器部11及参照部21的电阻值,基于上述的式(IV),测量了传感器部11的腐蚀量(腐蚀深度)。
关于基准传感器,在测量的腐蚀量(腐蚀深度)达到下述表1所示的tlimit(要测量的最大腐蚀量)的时间点,结束试验。将该时间点的基准传感器的传感器部11的电阻值设为“RS”。
另一方面,关于评价传感器,在传感器部11的电阻值成为“Rs”的时间点结束试验,求出传感器部11的腐蚀量(腐蚀深度)。
求出了试验结束时间点的、评价传感器的腐蚀量相对于基准传感器的腐蚀量的背离度(单位:%)。
进行了三次同样的试验(试验1~试验3)。在试验1~试验3中都是背离度小于±5%的情况下,将“○”记载在下述表1中,在试验1~试验3的任一试验中背离度为±5%以上的情况下,将“×”记载在下述表1中。如果为“○”,则可以将腐蚀量的测量精度评价为优异。
在下述表1中,关于评价传感器,也记载有是否满足上述的式(I)~式(III)。在满足的情况下,记载“○”,在不满足的情况下,记载“×”。
《腐蚀量的前一天比》
上述试验中,每一天的腐蚀量与前一天相比未成为负的情况下,将“○”记载在下述表1中,在成为负的情况下,将“×”记载在下述表1中。如果为“○”,则可以将腐蚀量的测量精度评价为优异。
<No.2~No.19>
与No.1同样,制作评价传感器及基准传感器,进行了评价。结果如下述表1所示。
[表1]
<评价结果总结>
如上述表1所示,在满足式(II)的情况下,试验1~试验3中都是背离度小于±5%,腐蚀量的测量精度优异。
相对于此,在不满足式(II)的情况下,试验1~试验3中的任一试验中背离度为±5%以上。
标号说明
1:腐蚀传感器
11:传感器部
11a、11b:传感器部的端子
21:参照部
21a、21b:参照部的端子
31:基板
41:绝缘片
51:树脂
61:绝缘体
71:电流源
81:电压测定部
91:电压测定部。
Claims (7)
1.一种腐蚀传感器的设计方法,其中,
所述腐蚀传感器是电阻式的腐蚀传感器,具备:传感器部,曝露在任意的环境下且由导电体构成;及参照部,从所述任意的环境被屏蔽且由导电体构成,所述腐蚀传感器基于所述参照部的电阻值及所述传感器部的电阻值来测量所述传感器部的腐蚀量,
设定满足下述式(II)的宽度作为所述传感器部的宽度,
w≥(32×tlimit)…(II),
tlimit:要测量的最大腐蚀量[mm],
w:所述传感器部的宽度[mm]。
2.根据权利要求1所述的腐蚀传感器的设计方法,其中,
设定满足下述式(I)的厚度作为所述传感器部的初始厚度,
tinit≥(2×tlimit)…(I),
tinit:所述传感器部的初始厚度[mm],
tlimit:要测量的最大腐蚀量[mm]。
3.根据权利要求1或2所述的腐蚀传感器的设计方法,其中,
设定满足下述式(III)的长度作为所述传感器部的长度,
103≤{L/(w×tinit)}×I…(III),
tinit:所述传感器部的初始厚度[mm],
w:所述传感器部的宽度[mm],
L:所述传感器部的长度[mm],
I:电流值[mA]。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的腐蚀传感器的设计方法,其中,
设定满足下述式(VII)的宽度及初始厚度作为所述传感器部的宽度及初始厚度,
(w/tinit)≥16…(VII),
w:所述传感器部的宽度[mm],
tinit:所述传感器部的初始厚度[mm]。
5.一种腐蚀传感器的制造方法,是制造电阻式的腐蚀传感器的方法,所述腐蚀传感器具备:传感器部,曝露在任意的环境下且由导电体构成;及参照部,从所述任意的环境被屏蔽且由导电体构成,其中,
按照权利要求1~4中任一项所述的设计方法来设计所述传感器部。
6.根据权利要求5所述的腐蚀传感器的制造方法,其中,
将所述传感器部与所述参照部经由绝缘体层叠。
7.一种腐蚀传感器,是电阻式的腐蚀传感器,
具备:传感器部,曝露在任意的环境下且由导电体构成;及参照部,从所述任意的环境被屏蔽且由导电体构成,
基于所述参照部的电阻值及所述传感器部的电阻值来测量所述传感器部的腐蚀量,
其中,
所述传感器部的宽度及厚度满足下述式(VII),
(w/tinit)≥16…(VII),
w:所述传感器部的宽度[mm],
tinit:所述传感器部的厚度[mm]。
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