CN115602591A - 晶圆调节装置、反应腔室以及晶圆调节方法 - Google Patents

晶圆调节装置、反应腔室以及晶圆调节方法 Download PDF

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Abstract

本发明实施例提供一种晶圆调节装置、反应腔室及晶圆调节方法，晶圆调节装置包括：升降模块，所述升降模块具有用于承载晶圆的第一承载面，所述第一承载面可相对于基准面上升至预设最高位置或下降至预设最低位置；承载模块，所述承载模块具有第二承载面，所述第二承载面的位置高于所述预设最低位置且低于所述预设最高位置，所述第二承载面用于转接所述第一承载面承载的所述晶圆；抽气模块，所述抽气模块具有被所述第二承载面环绕的朝向所述晶圆的第一抽气口，所述抽气模块用于通过所述第一抽气口吸附所述晶圆。本发明实施例有利于缩短晶圆的调节时长。

Description

晶圆调节装置、反应腔室以及晶圆调节方法
技术领域
本发明实施例涉及半导体领域，特别涉及一种晶圆调节装置、反应腔室以及晶圆调节方法。
背景技术
现有技术中，晶圆在完成一工艺制程之后及在进行下一工艺制程之前，需要进行中间调节，以保证晶圆的状态能够满足下一工艺制程的要求，不同工艺制程的要求可能不同，不同反应腔室内的同一工艺制程的要求也可能不同。中间调节包括对晶圆的位置、温度以及应力进行调控。
晶圆的中间调节时长较长会导致半导体结构的制作时长较长，半导体结构的产量较低。在保证晶圆状态满足工艺制程要求的情况，如何缩短调节时长成为当前研究的重点。
发明内容
本发明实施例提供一种晶圆调节装置、反应腔室以及晶圆调节方法，有利于缩短晶圆的调节时长。
为解决上述问题，本发明实施例提供一种晶圆调节装置，包括：升降模块，所述升降模块具有用于承载晶圆的第一承载面，所述第一承载面可相对于基准面上升至预设最高位置或下降至预设最低位置；承载模块，所述承载模块具有第二承载面，所述第二承载面的位置高于所述预设最低位置且低于所述预设最高位置，所述第二承载面用于转接所述第一承载面承载的所述晶圆；抽气模块，所述抽气模块具有被所述第二承载面环绕的朝向所述晶圆的第一抽气口，所述抽气模块用于通过所述第一抽气口吸附所述晶圆。
另外，所述抽气模块还用于控制所述第一抽气口的抽气速率，以使所述承载模块承载的所述晶圆受到的来源于所述第一抽气口的第一压强为1KPa～30KPa。
另外，所述承载模块包括多个承载单元，多个所述承载单元的承载面构成所述第二承载面，所述抽气模块具有多个所述第一抽气口，每一所述承载单元的承载面环绕一所述第一抽气口。
另外，所述承载模块包括第一承载单元和多个第二承载单元，所述第一承载单元的第三承载面和所述第二承载单元的第四承载面构成所述第二承载面，多个所述第四承载面对应的多个中心处于同一圆上，所述第三承载面的中心与所述圆的圆心重合，所述第三承载面和每一所述第四承载面各环绕一所述第一抽气口。
另外，晶圆调节装置还包括：基盘，所述基盘的顶面作为所述基准面，所述基准面低于或处于所述预设最低位置，所述抽气模块还具有被所述基准面环绕的朝向所述晶圆的第二抽气口，所述抽气模块还用于通过所述第二抽气口吸附所述晶圆，多个所述第一抽气口对应的多个中心处于同一圆上，所述第二抽气口的中心与所述圆的圆心重合。
另外，所述抽气模块用于通过所述第一抽气口和所述第二抽气口同时吸附所述晶圆，所述抽气模块还用于控制所述第二抽气口的抽气速率，以使通过所述第二抽气口向所述晶圆施加的吸附力小于通过所述第一抽气口向所述晶圆施加的吸附力。
另外，所述抽气模块用于控制所述承载模块承载的所述晶圆受到的来源于所述第二抽气口的第二压强为1KPa～2Kpa。
另外，具有所述第一抽气口的抽气管道设置于所述承载模块内，所述第二承载面暴露所述第一抽气口，在垂直于所述基准面的方向上，所述第一抽气口在所述第二承载面所在平面上的正投影被所述第二承载面环绕。
另外，所述承载模块包括固定部和支撑部，所述支撑部具有柱状结构，所述抽气管道设置于所述柱状结构内，所述固定部为设置于所述柱状结构顶面边缘的环状结构，所述环状结构的材料为弹性材料。
另外，所述第一抽气口由至少两个子抽气口组成，所述抽气模块用于通过至少两个所述子抽气口吸附所述晶圆。
另外，所述第一抽气口由三个所述子抽气口组成，三个所述子抽气口的中心的连线构成等边三角形，在垂直于所述基准面的方向上，所述等边三角形的中心的正投影与所述第二承载面的中心的正投影重合。
相应地，本发明实施例还提供一种反应腔室，包括：涂胶显影装置，用于向所述晶圆调节装置承载的晶圆涂覆光刻胶；如上述任一项所述的晶圆调节装置，所述晶圆调节装置用于调节已涂覆所述光刻胶的所述晶圆。
相应地，本发明实施例还提供一种晶圆调节方法，包括：提供如上述任一项所述的晶圆调节装置；控制升降模块的第一承载面上升至预设最高位置；提供晶圆并控制所述晶圆承载于所述第一承载面上；控制所述第一承载面下降至预设最低位置，以使承载模块的第二承载面转接所述晶圆；开启所述抽气模块，以通过所述第一抽气口吸附所述晶圆。
另外，在控制所述升降模块下降之前，开启所述抽气模块。
另外，所述承载模块包括多个承载单元，多个所述承载单元的承载面构成所述承载模块的第二承载面，所述抽气模块具有多个所述第一抽气口，每一所述承载单元的承载面环绕一所述第一抽气口；所述开启所述抽气模块，包括：控制所述第一抽气口的抽气速率，以使所述承载模块承载的所述晶圆受到的来源于所述第一抽气口的总压强为1KPa～30KPa。
另外，所述抽气模块的开启时间为5～50s。
与现有技术相比，本发明实施例提供的技术方案具有以下优点：
上述技术方案中，设置有可调节晶圆垂直位置的升降模块和被第二承载面环绕的第一抽气口，第一抽气口通过吸气吸附晶圆并将晶圆固定在承载模块上，第一抽气口的吸附作用可释放或均匀化晶圆的集中应力，且可降低晶圆的温度，也就是说，晶圆调节装置既可以调节晶圆相对于基准面的垂直高度，又可以同时改善晶圆的应力情况和调控晶圆的温度，如此，无需设置多个装置分别调节晶圆的位置、应力或温度，有利于缩短晶圆调节时长。
另外，多个承载单元的承载面构成第二承载面，相对于单一承载表面，设置多个承载面有利于保证晶圆的均匀受力，避免晶圆受到应力损伤以及加速晶圆应力的释放。
附图说明
一个或多个实施例通过与之对应的附图中的图片进行示例性说明，这些示例性说明并不构成对实施例的限定，附图中具有相同参考数字标号的元件表示为类似的元件，除非有特别申明，附图中的图不构成比例限制。
图1为光刻胶的双螺旋现象示意图；
图2至图5为本发明实施例提供的晶圆调节装置的结构示意图。
具体实施方式
晶圆在涂胶显影装置内完成相应制程之后，传送至冷却盘(Interface BlockChill Plate Process Station，ICPL)，以通过ICPL提前调控晶圆的温度；在传送至ICPL之后，基于温度控制单元(Temperature Stabilization Unit，TSU)的占用情况，进行晶圆的进一步转移。具体地，若TSU内已有其他晶圆或出现故障，则将晶圆传送至晶圆暂存缓冲区(Stationary Buffering Stage,SBU)内，以等待TSU的维修或空位，SBU没有针对晶圆的温度调节功能；若TSU内没有其他晶圆且处于正常状态，则将晶圆从ICPL或SBU传送至TSU内。
TSU与扫描曝光装置处于同一腔室，TSU用于释放晶圆的应力以及进一步调控晶圆的温度，以为扫描曝光装置的光阻曝光做好准备。由于ICPL已提前进行晶圆温度的调控，因此TSU的温度调控时间会有所缩短。然而，基于现有ICPL和TSU的工艺参数，在经过温度调控和应力释放之后，技术人员发现经过扫描曝光装置曝光的光阻呈现双螺旋现象(参考图1)，也就是说，晶圆14上的光阻受到沿图1中箭头方向的应力，晶圆14的应力释放并未达到要求。为抑制双螺旋现象，可选择延长TSU释放应力的时长，然而这一选择会导致半导体结构的制作时长延长，半导体结构的产能变低。
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明的各实施例进行详细的阐述。然而，本领域的普通技术人员可以理解，在本发明各实施例中，为了使读者更好地理解本申请而提出了许多技术细节。但是，即使没有这些技术细节和基于以下各实施例的种种变化和修改，也可以实现本申请所要求保护的技术方案。
图2至图5为本发明实施例提供的晶圆调节装置的结构示意图，晶圆调节装置可以视为ICPL的改进；其中，图3为图2所示结构的平面示意图，图5为图2所示结构中承载单元的结构示意图。
参考图2和图3，晶圆调节装置包括：升降模块11，升降模块11具有用于承载晶圆14的第一承载面，第一承载面可相对于基准面10a上升至预设最高位置或下降至预设最低位置；承载模块12，承载模块12具有第二承载面，第二承载面的位置高于预设最低位置且低于预设最高位置，第二承载面用于转接第一承载面承载的晶圆14；抽气模块(未图示)，抽气模块具有被第二承载面环绕的朝向晶圆14的第一抽气口13，抽气模块用于通过第一抽气口13吸附晶圆14。
本实施例中，升降模块11包括多个支撑杆，升降模块11用于承载机械手臂移送的晶圆14，为避免机械手臂因位置偏差与基准面10a所在结构发生碰撞，一般设置机械手臂相对基准面10a具有最小垂直高度，升降模块11可基于最小垂直高度设置预设最高位置。具体地，设置预设最高位置高于或平齐于最小垂直高度，从而保证机械手臂可以安全地将晶圆14移送至第一承载面；相应地，预设最低位置可处于基准面10a内。当升降模块11下降时，第一承载面由预设最高位置向预设最低位置移动，当第一承载面平齐于第二承载面时，第一承载面和第二承载面共同承载晶圆14；当第一承载面低于第二承载面时，第二承载面转接晶圆14。
由于升降模块11属于可移动结构，相较于固定的承载模块12，晶圆14因升降模块11发生故障而出现损毁的概率较高，因此，设置具有第二承载面的承载模块12，有利于降低晶圆14的损毁率；相应地，由于第二承载面相对于预设最高位置相距基准面10a较近，因此，来源于基准面10a的作用力能够更有效地影响第二承载面承载的晶圆14，从而达到预设目的。
本实施例中，抽气模块通过抽气吸附晶圆14，抽气动作不仅能够带走晶圆14表面的热量，以降低晶圆14的温度，还能够施加吸附力以平衡晶圆14不同位置的应力状态，避免晶圆14出现应力集中问题。其中若抽气模块仅对晶圆14背面的一块区域施加吸附力，则晶圆14以吸附区域的几何中心作为应力平衡点，在一定区域内趋于应力平衡，趋于应力平衡的区域的面积与吸附区域的面积有关，吸附区域的面积越大，趋于应力平衡的区域越大；若抽气模块通过多个分立的区域吸附晶圆，则晶圆14具有对应的多个应力平衡区域。应力平衡区域指的是某一区域内任一位置的应力小于预设值以及不同位置的应’力极差小于预设值，晶圆14不会因为某一位置的应力绝对值过大或应力相对值较大而发生崩裂等损伤。
相较于通过单一区域吸附晶圆14，通过分立的多个区域吸附晶圆14，有利于扩大晶圆14的应力平衡区域，更快地实现晶圆14的整体应力平衡；同时，由于第二承载面环绕第一抽气口13，若抽气模块通过分立的多个区域吸附晶圆14，则承载模块12通过多个分立的承载面承载晶圆14，在承载总面积相同的情况下，通过分立的多个承载面进行承载，有利于缩短承载点与晶圆14边缘的距离，避免晶圆14边缘位置因距离支撑点较远而受到较大的应力；进一步地，设置第二承载面环绕第一抽气口13，有利于抑制吸附力造成的晶圆14变形，进而抑制晶圆14变形造成的应力集中问题，使得晶圆14具有良好的应力状态。
本实施例中，承载模块12包括分立的多个承载单元123，多个承载单元123的承载面构成第二承载面，抽气模块具有多个第一抽气口13，每一承载单元123的承载面环绕至少一第一抽气口13。
在一些实施例中，承载模块12包括多个第二承载单元122，第二承载单元122具有第四承载面，多个第四承载面构成第二承载面，多个第四承载面对应的多个中心处于同一圆上。示例性地，承载模块包括3个第二承载单元122，第四承载面对应的3个中心的连线构成等边三角形。由于3个中心的两两间距相等，因此，不同第一抽气口13对应的吸附区域的重叠面积较小，吸附区域对应的应力平衡区域重叠较小，如此，有利于最大化晶圆14的应力平衡区域，优化晶圆14的应力状态；同时，由于3个中心的连线构成等边三角形，因此，3个第二承载单元122能够较为稳固地支撑晶圆14，且抽气模块施加于晶圆14的吸附力具有对称特性，如此，有利于使得晶圆14中对称的不同位置的应力状态相近，晶圆14的应力平衡性较好。
在一些实施例中，承载模块12还包括第一承载单元121，第一承载单元121具有第三承载面，第三承载面和第四承载面共同构成第二承载面，多个第四承载面对应的多个中心处于同一圆上，第三承载面的中心与上述圆的圆心重合，第三承载面和每一第四承载面各环绕至少一第一抽气口13。在通过多个第二承载单元122上的多个第一抽气口13实现晶圆14的多个局部区域的应力平衡之后，设置位于中心的第一承载单元121，有利于提高不同局部区域之间的应力平衡，从而提升晶圆14的整体应力平衡。
本实施例中，抽气模块还用于控制第一抽气口13的抽气速率，以使承载模块12承载的晶圆受到的来源于第一抽气口13的第一压强为1KPa～30KPa，例如5KPa、10KPa、15KPa或25KPa。可以知晓的是，第一抽气口13的抽气速率越大，抽气模块施加于晶圆14上的吸附力越大，晶圆14承受的第一压强越大，将第一压强控制在1KPa以上，有利于避免因抽气速率过慢而导致应力释放时间过长，从而保证晶圆的温度调节时长和应力调节时长满足要求；相应地，将第一压强控制在30KPa以下，有利于避免晶圆14因第一压强过大而发生应力变形，从而保证晶圆14具有良好的应力状态和功能特性。
在其他实施例中，参考图4，晶圆调节装置还包括：基盘20，基盘20的顶面作为基准面20a，基准面20a低于或处于预设最低位置，抽气模块还具有被基准面20a环绕的朝向晶圆24的第二抽气口232，抽气模块还用于通过第二抽气口232吸附晶圆24，多个第一抽气口231对应的多个中心处于同一圆上，该圆的圆心在基准面20a上的正投影与第二抽气口232的中心重合。
进一步地，抽气模块用于通过第一抽气口231和第二抽气口232同时吸附晶圆24，抽气模块还用于控制第二抽气口232的抽气速率，以使通过第二抽气口232向晶圆24施加的吸附力小于通过多个第一抽气口231向晶圆24施加的吸附力。由于第二抽气口232对应的吸附区域内没有承载物进行支撑，因此，设置第二抽气口232的吸附力小于第一抽气口231的吸附力，有利于避免晶圆24因吸附力过大而发生应力变形，从而保证晶圆24具有良好的应力状态，以及保证第一抽气口231和第二抽气口232能够在较短的时间内释放晶圆24内的应力。
具体地，抽气模块用于控制承载模块12承载的晶圆24受到的来源于第二抽气口232的第二压强为1KPa～2KPa，例如为1.3KPa、1.5KPa以及1.7KPa。
本实施例中，参考图2，抽气模块还具有设置于基准面10a的第三抽气口15，抽气模块可通过第三抽气口15送气或抽气。可以知晓的是，无论第三抽气口15是送气还是抽气，都能够带走晶圆14表面的热量，从而起到调控晶圆14温度的目的；此外，若需要进一步吸附晶圆14或加速晶圆14的应力释放，可通过第三抽气口15抽气吸附晶圆14。
本实施例中，具有第一抽气口13的抽气管道设置于承载模块12内，第二承载面暴露第一抽气口13，在垂直于基准面10a的方向上，第一抽气口13在第二承载面所在平面上的正投影被第二承载面环绕。
参考图5，承载模块包括固定部12b和支撑部12a，支撑部12a具有柱状结构，具有第一抽气口13的抽气管道设置于柱状结构内，固定部12b为设置于柱状结构12a顶面边缘的环状结构，环状结构的顶面作为承载模块的承载面，环状结构的材料为弹性材料，例如橡胶材料。
支撑部12a一般选用硬度较高的材料，以保持稳定性，将固定部12b设置于支撑部12a上方，有利于隔离晶圆和支撑部12a，避免支撑部12a与晶圆发生摩擦损伤；同时，将固定部12b设置在顶部边缘，相较于设置第一抽气口13所在平面为第二承载面，有利于扩大第一抽气口13对应的吸附区域的面积，缩短应力释放以及温度调控所需要的时间；同时，将固定部12b的材料设置为弹性材料，有利于避免在吸附力作用下固定部12b对晶圆造成损伤；优选地，设置固定部12b的材料为橡胶材料，有利于增大固定部12b与晶圆之间的摩擦系数，避免晶圆发生偏移，从而保证第一抽气口13的吸附力能够均匀施加在晶圆上，保证晶圆应力的均匀释放。
进一步地，承载模块还包括缓冲部12c，缓冲部12c用于缓冲承载模块转接晶圆时的瞬间应力。缓冲部12c可以为弹性结构，例如弹簧。
本实施例中，第一抽气口13由至少两个子抽气口组成，抽气模块用于通过至少两个子抽气口吸附晶圆，所有子抽气口构成的组合图案的几何中心作为第一抽气口13的中心，所有子抽气口的吸附力之和作为第一抽气口13的吸附力。将第一抽气口13拆分为多个子抽气口，有利于提升第一抽气口13对应的吸附区域的受力均匀性，进一步避免晶圆因吸附力较大而发生应力变形。
示例性地，第一抽气口13由三个子抽气口组成，三个子抽气口的中心的连线构成等边三角形，等边三角形的中心作为第一抽气口13的中心。
本实施例中，设置有可调节晶圆垂直位置的升降模块和被第二承载面环绕的第一抽气口，第一抽气口通过吸气吸附晶圆并将晶圆固定在承载模块上，第一抽气口的吸附作用可释放或均匀化晶圆的集中应力，且可降低晶圆的温度，也就是说，晶圆调节装置既可以调节晶圆相对于基准面的垂直高度，又可以同时改善晶圆的应力情况和调控晶圆的温度，如此，无需设置多个装置分别调节晶圆的位置、应力或温度，有利于缩短晶圆调节时长，提升扫描曝光装置的产量。
相应地，本发明实施例还提供一种反应腔室，包括：涂胶显影装置，用于向晶圆调节装置承载的晶圆涂覆光刻胶；如上述任一项的晶圆调节装置，晶圆调节装置用于调节已涂覆光刻胶的晶圆。
本实施例中，通过晶圆调节装置提前调控晶圆的温度和释放晶圆的应力，有利于缩短甚至免除后续进入扫描曝光腔室所需的温度调控时间和应力释放时间，从而提升扫描曝光装置的产量。
相应地，本发明实施例还提供一种晶圆调节方法，包括：提供如上述任一项的晶圆调节装置；控制升降模块的第一承载面上升至预设最高位置；提供晶圆并控制晶圆承载于第一承载面上；控制第一承载面下降至预设最低位置，以使承载模块的第二承载面转接晶圆；开启抽气模块，以通过第一抽气口吸附晶圆。
本实施例中，在控制升降模块下降之前，开启抽气模块。如此，有利于通过吸附力将晶圆固定在升降模块上，避免晶圆在开始下降以及下降过程中发生偏移。
本实施例中，承载模块包括多个承载单元，多个承载单元的承载面构成承载模块的第二承载面，抽气模块具有多个第一抽气口，每个承载单元的承载面环绕一第一抽气口；开启抽气模块，包括：控制第一抽气口的抽气速率，以使承载模块承载的晶圆受到的来源于第一抽气口的总压强为1KPa～30KPa，例如5KPa、10KPa、15KPa或25KPa。
本实施例中，抽气模块的开启时间为5～50s，例如10s、20s、30s或40s。抽气模块的开启时间可以根据实际需要进行调整，以有效缩短晶圆的调节时长，同时避免光刻胶的双螺旋现象。
本实施例中，第一承载面的设置可调节晶圆的相对位置，第一抽气口的吸附作用可释放或均匀化晶圆的集中应力，且可调控晶圆的温度，也就是说，晶圆调节装置既可以调节晶圆相对于基准面的垂直高度，又可以同时改善晶圆的应力情况和降低晶圆的温度，如此，无需设置多个装置分别调节晶圆的位置、应力或温度，有利于缩短晶圆调节时长，提升扫描曝光装置的产量。
本领域的普通技术人员可以理解，上述各实施方式是实现本发明的具体实施例，而在实际应用中，可以在形式上和细节上对其作各种改变，而不偏离本发明的精神和范围。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各自更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求限定的范围为准。

Claims (16)

1.一种晶圆调节装置，其特征在于，包括：
升降模块，所述升降模块具有用于承载晶圆的第一承载面，所述第一承载面可相对于基准面上升至预设最高位置或下降至预设最低位置；
承载模块，所述承载模块具有第二承载面，所述第二承载面的位置高于所述预设最低位置且低于所述预设最高位置，所述第二承载面用于转接所述第一承载面承载的所述晶圆；
抽气模块，所述抽气模块具有被所述第二承载面环绕的朝向所述晶圆的第一抽气口，所述抽气模块用于通过所述第一抽气口吸附所述晶圆。
2.根据权利要求1所述的晶圆调节装置，其特征在于，所述抽气模块还用于控制所述第一抽气口的抽气速率，以使所述承载模块承载的所述晶圆受到的来源于所述第一抽气口的第一压强为1KPa～30KPa。
3.根据权利要求1所述的晶圆调节装置，其特征在于，所述承载模块包括多个承载单元，多个所述承载单元的承载面构成所述第二承载面，所述抽气模块具有多个所述第一抽气口，每一所述承载单元的承载面环绕一所述第一抽气口。
4.根据权利要求3所述的晶圆调节装置，其特征在于，所述承载模块包括第一承载单元和多个第二承载单元，所述第一承载单元的第三承载面和所述第二承载单元的第四承载面构成所述第二承载面，多个所述第四承载面对应的多个中心处于同一圆上，所述第三承载面的中心与所述圆的圆心重合，所述第三承载面和每一所述第四承载面各环绕一所述第一抽气口。
5.根据权利要求3所述的晶圆调节装置，其特征在于，还包括：基盘，所述基盘的顶面作为所述基准面，所述基准面低于或处于所述预设最低位置，所述抽气模块还具有被所述基准面环绕的朝向所述晶圆的第二抽气口，所述抽气模块还用于通过所述第二抽气口吸附所述晶圆，多个所述第一抽气口对应的多个中心处于同一圆上，所述第二抽气口的中心与所述圆的圆心重合。
6.根据权利要求5所述的晶圆调节装置，其特征在于，所述抽气模块用于通过所述第一抽气口和所述第二抽气口同时吸附所述晶圆，所述抽气模块还用于控制所述第二抽气口的抽气速率，以使通过所述第二抽气口向所述晶圆施加的吸附力小于通过所述第一抽气口向所述晶圆施加的吸附力。
7.根据权利要求6所述的晶圆调节装置，其特征在于，所述抽气模块用于控制所述承载模块承载的所述晶圆受到的来源于所述第二抽气口的第二压强为1KPa～2Kpa。
8.根据权利要求1所述的晶圆调节装置，其特征在于，具有所述第一抽气口的抽气管道设置于所述承载模块内，所述第二承载面暴露所述第一抽气口，在垂直于所述基准面的方向上，所述第一抽气口在所述第二承载面所在平面上的正投影被所述第二承载面环绕。
9.根据权利要求8所述的晶圆调节装置，其特征在于，所述承载模块包括固定部和支撑部，所述支撑部具有柱状结构，所述抽气管道设置于所述柱状结构内，所述固定部为设置于所述柱状结构顶面边缘的环状结构，所述环状结构的材料为弹性材料。
10.根据权利要求1所述的晶圆调节装置，其特征在于，所述第一抽气口由至少两个子抽气口组成，所述抽气模块用于通过至少两个所述子抽气口吸附所述晶圆。
11.根据权利要求10所述的晶圆调节装置，其特征在于，所述第一抽气口由三个所述子抽气口组成，三个所述子抽气口的中心的连线构成等边三角形，所述等边三角形的中心作为所述第一抽气口的中心。
12.一种反应腔室，其特征在于，包括：
涂胶显影装置，用于向所述晶圆调节装置承载的晶圆涂覆光刻胶；
如权利要求1至11中任一项所述的晶圆调节装置，所述晶圆调节装置用于调节已涂覆所述光刻胶的所述晶圆。
13.一种晶圆调节方法，其特征在于，包括：
提供如权利要求1至11中任一项所述的晶圆调节装置；
控制升降模块的第一承载面上升至预设最高位置；
提供晶圆并控制所述晶圆承载于所述第一承载面上；
控制所述第一承载面下降至预设最低位置，以使承载模块的第二承载面转接所述晶圆；
开启所述抽气模块，以通过所述第一抽气口吸附所述晶圆。
14.根据权利要求13所述的晶圆调节方法，其特征在于，在控制所述升降模块下降之前，开启所述抽气模块。
15.根据权利要求13所述的晶圆调节方法，其特征在于，所述承载模块包括多个承载单元，多个所述承载单元的承载面构成所述承载模块的第二承载面，所述抽气模块具有多个所述第一抽气口，每一所述承载单元的承载面环绕一所述第一抽气口；所述开启所述抽气模块，包括：控制所述第一抽气口的抽气速率，以使所述承载模块承载的所述晶圆受到的来源于所述第一抽气口的总压强为1KPa～30KPa。
16.根据权利要求14所述的晶圆调节方法，其特征在于，所述抽气模块的开启时间为5～50s。
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