CN115579281A - 改善12寸晶圆光刻后聚焦异常的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种改善12寸晶圆光刻后聚焦异常的方法，所属半导体加工技术领域，包括如下操作步骤：第一步：加工抛光硅片，先进行一次倒角加工，接着双面研磨，再进行单面研磨，然后进行二次倒角，紧接着完成激光刻字，跟着进行碱腐蚀，下一步进行双面抛光和洗净，洗净完成后进行边缘抛光，而后进行单面抛光，最终再次洗净。第二步：挑选合格的抛光硅片，不合格的抛光硅片进行返工处理。第三步：涂光刻胶后进行自动光学检查，检查过程是否会出现聚焦异常的现象。第四步：对自动光学检查出现聚焦异常的抛光硅片进行返工处理。从影响晶圆光刻后聚焦的因素出发，通过对衬底的抛光平坦度或者说形貌的改善，实现了对光刻后聚焦异常的改善。

Description

改善12寸晶圆光刻后聚焦异常的方法
技术领域
本发明涉及半导体加工技术领域，具体涉及一种改善12寸晶圆光刻后聚焦异常的方法。
背景技术
众所周知，光刻工艺是半导体加工工艺中最为重要的一环。它直接影响后续的蚀刻及离子注入等工序。聚焦异常是光刻工艺中的常见不良，它直接影响光刻、刻蚀及die（管芯）最终的良率。其中边缘的聚焦异常发生频率非常高。
发明内容
本发明主要解决现有技术中存在经常发生聚焦异常的不足，提供了一种改善12寸晶圆光刻后聚焦异常的方法，从影响晶圆光刻后聚焦的因素出发，通过对衬底的抛光平坦度或者说形貌的改善，实现了对光刻后聚焦异常的改善。
本发明的上述技术问题主要是通过下述技术方案得以解决的：
一种改善12寸晶圆光刻后聚焦异常的方法，包括如下操作步骤：
第一步：加工抛光硅片，先进行一次倒角加工，接着双面研磨，再进行单面研磨，然后进行二次倒角，紧接着完成激光刻字，跟着进行碱腐蚀，下一步进行双面抛光和洗净，洗净完成后进行边缘抛光，而后进行单面抛光，最终再次洗净。
第二步：挑选合格的抛光硅片，抛光硅片的边缘局部平坦度控制在30nm以下，同时颗粒小于18颗，不合格的抛光硅片进行返工处理。
第三步：涂光刻胶后进行自动光学检查，检查过程是否会出现聚焦异常的现象。
第四步：对自动光学检查出现聚焦异常的抛光硅片进行返工处理。
作为优选，在双面研磨过程中整体厚度差小于2微米，采用人工目检浓度测试仪组合检查。
作为优选，目检可以看到显著的加工色差，平坦度检查仪器测得整体厚度差大于2微米即为异常。
作为优选，抛光硅片在双面抛光在加工后的测试过程要每一抛，一抛的抛光硅片数量为15枚硅片，其中至少抽一枚监控其边缘局部平坦度。
作为优选，当抛光硅片的边缘局部平坦度大于30nm时，要进行双面抛光返工处理，抛光硅片的返工双面抛光量在5微米。
作为优选，抛光硅片在双面研磨加工过程中如果出现了色差不良，则要进行双面研磨返工处理，把抛光硅片减薄至外观无色差。
作为优选，抛光硅片在颗粒测试30nm的颗粒出现了18颗以上，采用双面抛光、单面抛光、最终洗净的返工处理。
本发明能够达到如下效果：
本发明提供了一种改善12寸晶圆光刻后聚焦异常的方法，与现有技术相比较，从影响晶圆光刻后聚焦的因素出发，通过对衬底的抛光平坦度或者说形貌的改善，实现了对光刻后聚焦异常的改善。
具体实施方式
下面通过实施例，对发明的技术方案作进一步具体的说明。
实施例：一种改善12寸晶圆光刻后聚焦异常的方法，包括如下操作步骤：
第一步：加工抛光硅片，先进行一次倒角加工，接着双面研磨，再进行单面研磨，然后进行二次倒角，紧接着完成激光刻字，跟着进行碱腐蚀，下一步进行双面抛光和洗净，洗净完成后进行边缘抛光，而后进行单面抛光，最终再次洗净。
在双面研磨过程中整体厚度差小于2微米，采用人工目检浓度测试仪组合检查。目检可以看到显著的加工色差，抛光硅片在双面研磨加工过程中如果出现了色差不良，则要进行双面研磨返工处理，把抛光硅片减薄至外观无色差。平坦度检查仪器测得整体厚度差大于2微米即为异常。
抛光硅片在双面抛光在加工后的测试过程要每一抛，一抛的抛光硅片数量为15枚硅片，其中至少抽一枚监控其边缘局部平坦度。当抛光硅片的边缘局部平坦度大于30nm时，要进行双面抛光返工处理，抛光硅片的返工双面抛光量在5微米。
第二步：挑选合格的抛光硅片，抛光硅片的边缘局部平坦度控制在30nm以下，同时颗粒小于18颗，不合格的抛光硅片进行返工处理。抛光硅片在颗粒测试30nm的颗粒出现了18颗以上，采用双面抛光、单面抛光、最终洗净的返工处理。
第三步：涂光刻胶后进行自动光学检查，检查过程是否会出现聚焦异常的现象。
第四步：对自动光学检查出现聚焦异常的抛光硅片进行返工处理。
综上所述，该改善12寸晶圆光刻后聚焦异常的方法，从影响晶圆光刻后聚焦的因素出发，通过对衬底的抛光平坦度或者说形貌的改善，实现了对光刻后聚焦异常的改善。
以上所述仅为本发明的具体实施例，但本发明的结构特征并不局限于此，任何本领域的技术人员在本发明的领域内，所作的变化或修饰皆涵盖在本发明的专利范围之中。

Claims (7)

1.一种改善12寸晶圆光刻后聚焦异常的方法，其特征在于包括如下操作步骤：
第一步：加工抛光硅片，先进行一次倒角加工，接着双面研磨，再进行单面研磨，然后进行二次倒角，紧接着完成激光刻字，跟着进行碱腐蚀，下一步进行双面抛光和洗净，洗净完成后进行边缘抛光，而后进行单面抛光，最终再次洗净；
第二步：挑选合格的抛光硅片，抛光硅片的边缘局部平坦度控制在30nm以下，同时颗粒小于18颗，不合格的抛光硅片进行返工处理；
第三步：涂光刻胶后进行自动光学检查，检查过程是否会出现聚焦异常的现象；
第四步：对自动光学检查出现聚焦异常的抛光硅片进行返工处理。
2.根据权利要求1所述的改善12寸晶圆光刻后聚焦异常的方法，其特征在于：在双面研磨过程中整体厚度差小于2微米，采用人工目检浓度测试仪组合检查。
3.根据权利要求2所述的改善12寸晶圆光刻后聚焦异常的方法，其特征在于：目检可以看到显著的加工色差，平坦度检查仪器测得整体厚度差大于2微米即为异常。
4.根据权利要求1所述的改善12寸晶圆光刻后聚焦异常的方法，其特征在于：抛光硅片在双面抛光在加工后的测试过程要每一抛，一抛的抛光硅片数量为15枚硅片，其中至少抽一枚监控其边缘局部平坦度。
5.根据权利要求4所述的改善12寸晶圆光刻后聚焦异常的方法，其特征在于：当抛光硅片的边缘局部平坦度大于30nm时，要进行双面抛光返工处理，抛光硅片的返工双面抛光量在5微米。
6.根据权利要求1所述的改善12寸晶圆光刻后聚焦异常的方法，其特征在于：抛光硅片在双面研磨加工过程中如果出现了色差不良，则要进行双面研磨返工处理，把抛光硅片减薄至外观无色差。
7.根据权利要求1所述的改善12寸晶圆光刻后聚焦异常的方法，其特征在于：抛光硅片在颗粒测试30nm的颗粒出现了18颗以上，采用双面抛光、单面抛光、最终洗净的返工处理。
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