CN115574988A - 基于微结构和二维金属硫化物的压力传感器及其制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种基于微结构和二维金属硫化物的压力传感器，其包括上层柔性结构和下层柔性结构，所述的上层柔性结构包括上层柔性基底和导电薄膜，导电薄膜贴合于上层柔性基底的下表面，导电薄膜为二维过渡金属硫化物导电薄膜，导电薄膜的两端设有电极；所述的下层柔性结构包括下层柔性基底，下层柔性基底的上表面凸出有若干微结构；微结构与导电薄膜接触，下层柔性基底的上表面除了微结构的部分与导电薄膜之间接触或者存在空隙。本发明在下层柔性基底上均设有凸出的微结构，可增大导电薄膜受压时的形变量，可对微小的力作出反馈，具有灵敏度高、检测范围广和检测极限高的优点。
Description
技术领域
本发明涉及柔性压力传感器技术领域，具体为一种基于微结构和二维金属硫化物的压力传感器及其制作方法。
背景技术
近年来，可穿戴设备已在生物医学领域得到广泛应用，其可以随时检测诸如心血管疾病，高血压等生理疾病。随着移动通信、图像技术、人工智能等技术的不断发展及创新融合，可穿戴设备迅速发展，而其最重要的组成部分就是其内部的柔性传感器。因此，对柔性压力传感器的需求不断增加。
与此同时，二维过渡金属硫化物已经成为材料学研究的一个热点。常见的过渡族金属硫化物有二硫化钨(WS2)、二硫化钼(MoS2)等，因其独特的电学特性和良好的机械柔韧性，在柔性电子、高效晶体管、新型传感器等应用领域具有广阔的前景。
二硫化钨(WS2)、二硫化钼(MoS2)等二维过渡金属硫化物材料具有高稳定性、大的比表面积、高载流子迁移率及易于加工与集成等优点，被视为制作柔性传感器件的优选材料。二维过渡金属硫化物层数的改变会使带隙发生变化，从而展现出不同的特性。以二硫化钨(WS2)为例，随着其层数的改变，带隙可以从1.3eV的间接带隙转变为单层时2.0eV的直接带隙，并且可以通过外加电场进行调控。近年来，生物医学对可穿戴的柔性传感器的需求一直在快速增长，虽然二维过渡金属硫化物由于其优异的机械柔韧性被认为是制造柔性压力传感器，非常有吸引力的候选者，但目前基于二维过渡金属硫化物的电阻式传感器对于微小形变的响应较差，检测范围受限且灵敏度低，限制了其应用。
中国专利CN112539859A公开了一种非晶态二硫化钼柔性压力传感器及其制备方法，非晶态二硫化钼柔性压力传感器包括：柔性基底，所述柔性基底上设置有电极和若干非晶态二硫化钼薄膜；所述电极与所述非晶态二硫化钼薄膜接触；其中，所述若干非晶态二硫化钼薄膜构成压力敏感元件。该发明的制备方法工艺简单，操作易控，易于大批生产。但是其仅利用了二维二硫化钼的压阻效应，MoS2薄膜受压后并不会产生较大的形变，对于微小压力的响应较差；并且该发明中的二硫化钼薄膜使用磁控溅射或电子束蒸发的工艺制备，该工艺方法无法制备出大面积连续的二维材料，增加了柔性压力传感器的制作难度。
发明内容
本发明提供一种基于微结构和二维金属硫化物的压力传感器及其制作方法，以解决现有技术中柔性压力传感器对于微小形变响应差、灵敏度低、检测范围受限且和制作难度大等技术问题。
为解决上述技术问题，本发明提供的技术方案为：
本发明涉及一种基于微结构和二维金属硫化物的压力传感器，其包括上层柔性结构和下层柔性结构，所述的上层柔性结构包括上层柔性基底和导电薄膜，导电薄膜贴合于上层柔性基底的下表面，导电薄膜为二维过渡金属硫化物导电薄膜，导电薄膜的两端设有电极；所述的下层柔性结构包括下层柔性基底，下层柔性基底的上表面凸出有若干微结构；
微结构与导电薄膜接触，下层柔性基底的上表面除了微结构的部分与导电薄膜之间接触或者存在空隙。
本发明整体上为柔性的薄膜结构，在下层柔性基底上设计凸起的微结构并与二维过渡金属硫化物薄膜相结合。在上层柔性基底局部施加垂直力，直接传递到二维过渡金属硫化物层，由于下层柔性基底存在微结构，导电薄膜受到微结构的作用而被拉扯，增大导电薄膜的形变程度，因此相比于一般压力传感器，施加同等大小的力，本发明中导电薄膜电位差显著增加。导电薄膜又为二维过渡金属硫化物导电薄膜，具有较高的载流子迁移率，因此可对微小的压力形变产生灵敏的响应，从而提升压力传感器的检测范围和精度。
作为优选，上述方案中，下层柔性基底的上表面除了微结构的部分与导电薄膜之间存在空隙，为导电薄膜受压形变预留的空间，能够进一步增大导电薄膜的形变量然后进一步提升检测范围和精度。
作为优选，上述方案中，二维过渡金属硫化物导电薄膜为二硫化钨或二硫化钼制成的导电薄膜。
作为优选，上述方案中，导电薄膜的两端设有电极，电极为导电金属，电极通过蒸镀或喷印设置在导电薄膜上，电极层的厚度为10～50nm。
作为优选，上述方案中，上层柔性基底的材质为聚二甲基硅氧烷或硅胶，下层柔性基底的材质为聚二甲基硅氧烷或硅胶。
作为优选，上述方案中，微结构通过光刻和等离子体刻蚀工艺制备的模具制作而成，若干微结构之间的间距为10～100μm，微结构为棱台或者圆台结构；微结构上底面与下底面面积比为1:(4～6)，微结构的高度为20～100μm。
一种上述的压力传感器的制作方法，包括如下步骤：
(1)将PDMS和固化剂均匀混合后放入真空机中抽真空，再均匀涂在上层柔性基底模具和下层柔性基底模具上，加热干燥、冷却凝固后脱模得到上层柔性基底和下层柔性基底；
(2)以蓝宝石、SiO2或者Si作为衬底，采用CVD法或者热分解法在衬底表面生成二硫化物薄膜；
(3)将蓝宝石、SiO2或者Si衬底上所生长的二硫化物薄膜转移到上层柔性基底上；
(4)在二硫化物薄膜上蒸镀或者喷印电极，然后将上层柔性基底和下层柔性基底进行层叠贴合。
优选地：
步骤(2)中，将蓝宝石、SiO2或Si衬底置于高温反应炉中，升高温度至钨源和硫源或者钼源和硫源蒸发，并通过惰性气体将蒸发后的气体带入到高温反应炉，在腔室环境中或者衬底表面发生化学反应，产物吸附在衬底表面凝聚成核实现外延生长，从而得到连续WS2或MoS2薄膜；
或，将四硫代钨酸铵前驱体溶质或者四硫代钼酸铵前驱体溶质溶解在DMF中形成前驱体溶液，然后旋涂或浸涂在蓝宝石或SiO2/Si衬底上，形成均匀连续的前驱体薄膜，将涂有前驱体溶液的蓝宝石或SiO2/Si衬底置于高温反应炉中，使前驱体薄膜发生热分解，形成均匀连续的WS2或MoS2薄膜，然后对WS2或MoS2薄膜进行退火处理进一步提高薄膜结晶度。
优选地：
步骤(2)中，生成的二硫化物薄膜为WS2或MoS2薄膜；
采用蓝宝石作为衬底，步骤(3)中，将生长着WS2或MoS2薄膜的蓝宝石衬底置于恒温台上，通过加热去除样品表面吸附的杂质和水汽；匀胶机以1000-2000rpm/s的速度旋涂PMMA聚合物1min；将旋涂好PMMA的蓝宝石衬底置于恒温台上加热烘干，时长为2-3min，并用刀片刮开烘干的蓝宝石衬底四周的WS2或MoS2薄膜，以便于脱离衬底；把蓝宝石衬底放入去离子水中，由于WS2或MoS2材料是疏水的，四周经过刮一刮之后，会方面水的进入，然后通过空气和去离子水接触面的张力将PMMA薄膜脱离，由于PMMA强烈的粘性，WS2或MoS2薄膜依附在PMMA薄膜上，随之从蓝宝石衬底上脱离下来；使用合适尺寸的上层柔性基底从去离子水中捞取脱离下来的PMMA薄膜，覆有WS2或MoS2薄膜的那一面面向上层柔性基底，使用滤纸吸干PMMA薄膜和上层柔性基底之间的水分，让PMMA薄膜尽量平整的贴合上层柔性基底，然后放到恒温台上加热，烘干多余的水分；烘干后的上层柔性基底放入丙酮中浸泡2-3h去除PMMA薄膜，此时，PDMS衬底只留有WS2或MoS2薄膜，再放入去离子水中清洗10-20min后捞取；
或采用SiO2/Si作为衬底，步骤(3)中，首先在生长有WS2的SiO2/Si衬底上旋涂PMMA，2000rpm旋涂60s，置于加热台上150℃加热10min；刮去SiO2/Si衬底四周边缘的PMMA，使硅片四周边缘能够充分暴露在NaOH溶液中，随后将刮好的样品置于NaOH溶液中2-3小时，NaOH溶液溶度为0.8g/10ml；腐蚀后的WS2薄膜将漂浮在NaOH溶液上，使用硅片在下方承接将薄膜转移到去离子水中，静置30min；再将薄膜转移到上层柔性基底上，使用氮气吹干水分；将转移后的样品置于加热台上80℃烘干30-60min，再置于丙酮溶液中2至3小时去除PMMA层，最后置于加热台上80℃烘干30min。
优选地，步骤(1)中，将PDMS和固化剂按照10：1的比例进行混合形成混合溶液，利用搅拌机将混合溶液搅拌10-20min均匀混合，然后放入真空机中抽真空，抽至没有气泡后均匀涂在微结构模具上，再放入50-70度的恒温干燥箱中干燥1-2h，冷却凝固后脱模得到上层柔性微结构衬底和下层柔性微结构衬底。
采用本发明所涉及的技术方案与现有技术相比，具有如下有益效果：
1、本发明涉及一种基于微结构和二维金属硫化物的压力传感器，在下柔性基底上设有凸出的微结构，传感器受压时微结构挤压拉扯导电薄膜，增大了导电薄膜的形变量，导电薄膜又为二维过渡金属硫化物薄膜，具有较高的载流子迁移率，微结构与二维过渡金属硫化物薄膜配合则可以对微小的力作出反馈，使本发明中的压力传感器具有灵敏度高、检测范围广和检测极限高的优点。
2、本发明以蓝宝石、SiO2或Si为衬底，采用化学气相沉积法，可以制备出大面积连续的二维过渡金属硫化物材料，再用以制备压力传感器，简化了传感器的结构，制作也较为便捷。
3、本发明中的压力传感器整体为薄膜结构，各部分均使用柔性材料，具有良好的柔韧性、延展性，非常适宜于使用在穿戴设备上，并且也具有超薄超轻、精度高、应用性强和制造工艺简单的优点。
附图说明
图1是本发明中的基于微结构和二维金属硫化物的压力传感器的结构示意图；
图2是本发明中的基于微结构和二维金属硫化物的压力传感器的受压状态图。
图中：1、上层柔性基底，2、下层柔性基底，21、下层柔性基底的上表面除了微结构的部分，22、微结构，3、导电薄膜，4、电极。
具体实施方式
为进一步了解本发明的内容，结合实施例对本发明作详细描述，以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。
实施例1
请参阅图1，本发明涉及一种基于微结构和二维金属硫化物的压力传感器，其包括上层柔性结构和下层柔性结构，所述的上层柔性结构包括上层柔性基底1和导电薄膜3，导电薄膜3贴合于上层柔性基底1的下表面，导电薄膜3为二维过渡金属硫化物导电薄膜，导电薄膜3的两端设有电极4；所述的下层柔性结构包括下层柔性基底2，下层柔性基底2的上表面凸出有若干微结构22；微结构22与导电薄膜3接触，下层柔性基底的上表面除了微结构的部分21与导电薄膜3之间存在空隙，为导电薄膜3受压形变预留的空间，能够进一步增大导电薄膜的形变量然后进一步提升检测范围和精度。
本发明整体上为柔性的薄膜结构，在下层柔性基底上设计凸起的微结构并与二维过渡金属硫化物薄膜相结合。请参阅图2，在上层柔性基底1局部施加向下的垂直力，直接传递到二维过渡金属硫化物层，即导电薄膜3，由于下层柔性基底2存在微结构22，导电薄膜3受到微结构22的作用而被挤压拉扯，增大了导电薄膜3受压后的形变程度，因此相比于一般压力传感器，施加同等大小的力，本发明中导电薄膜电位差显著增加。导电薄膜又为二维过渡金属硫化物导电薄膜，具有较高的载流子迁移率，因此可对微小的压力形变产生灵敏的响应，从而提升压力传感器的检测范围和精度。
本实施例中的导电薄膜3为二硫化钨(WS2)制成的二维过渡金属硫化物薄膜。电极4为导电金属，电极4通过蒸镀或喷印设置在导电薄膜3上，电极层的厚度为10～50nm。上层柔性基底1的材质为聚二甲基硅氧烷或硅胶，下层柔性基底2的材质为聚二甲基硅氧烷或硅胶。微结构22通过光刻和等离子体刻蚀工艺制备的模具制作而成，若干微结构22之间的间距为10～100μm，微结构为棱台或者圆台结构；微结构上底面与下底面面积比为1:(4～6)，微结构的高度为20～100μm。
实施例2
请参阅图1，本发明涉及一种基于微结构和二维金属硫化物的压力传感器，其包括上层柔性结构和下层柔性结构，所述的上层柔性结构包括上层柔性基底1和导电薄膜3，导电薄膜3贴合于上层柔性基底1的下表面，导电薄膜3为二维过渡金属硫化物导电薄膜，导电薄膜3的两端设有电极4；所述的下层柔性结构包括下层柔性基底2，下层柔性基底2的上表面凸出有若干微结构22；微结构22与导电薄膜3接触，下层柔性基底的上表面除了微结构的部分21与导电薄膜3之间存在空隙，为导电薄膜3受压形变预留的空间，能够进一步增大导电薄膜的形变量然后进一步提升检测范围和精度。
本发明整体上为柔性的薄膜结构，在下层柔性基底上设计凸起的微结构并与二维过渡金属硫化物薄膜相结合。请参阅图2，在上层柔性基底1局部施加向下的垂直力，直接传递到二维过渡金属硫化物层，即导电薄膜3，由于下层柔性基底2存在微结构22，导电薄膜3受到微结构22的作用而被挤压拉扯，增大了导电薄膜3受压后的形变程度，因此相比于一般压力传感器，施加同等大小的力，本发明中导电薄膜电位差显著增加。导电薄膜又为二维过渡金属硫化物导电薄膜，具有较高的载流子迁移率，因此可对微小的压力形变产生灵敏的响应，从而提升压力传感器的检测范围和精度。
本实施例中的导电薄膜3为二硫化钼(MoS2)制成的二维过渡金属硫化物薄膜。电极4为导电金属，电极4通过蒸镀或喷印设置在导电薄膜3上，电极层的厚度为10～50nm。上层柔性基底1的材质为聚二甲基硅氧烷或硅胶，下层柔性基底2的材质为聚二甲基硅氧烷或硅胶。微结构22通过光刻和等离子体刻蚀工艺制备的模具制作而成，若干微结构22之间的间距为10～100μm，微结构为棱台或者圆台结构；微结构上底面与下底面面积比为1：(4～6)，微结构的高度为20～100μm。
本发明还涉及一种上述的压力传感器的制作方法，包括如下步骤：
(1)制作上层柔性基底和下层柔性基底
将PDMS和固化剂按照10：1的比例进行混合形成混合溶液，利用搅拌机将混合溶液搅拌10-20min均匀混合，然后放入真空机中抽真空，抽至没有气泡后均匀涂在微结构模具上，再放入50-70度的恒温干燥箱中干燥1-2h，冷却凝固后脱模得到上层柔性微结构衬底和下层柔性微结构衬底。
(2)制作二硫化物薄膜
本步骤可采用如下两种方式达成：
a.用CVD法。将蓝宝石、SiO2或Si衬底置于高温反应炉中，升高温度至钨源和硫源或者钼源和硫源蒸发，并通过惰性气体将蒸发后的气体带入到高温反应炉，在腔室环境中或者衬底表面发生化学反应，产物吸附在衬底表面凝聚成核实现外延生长，从而得到连续WS2或MoS2薄膜。
b.用热分解法。将四硫代钨酸铵前驱体溶质或者四硫代钼酸铵前驱体溶质溶解在DMF中形成前驱体溶液，然后旋涂或浸涂在蓝宝石或SiO2/Si衬底上，形成均匀连续的前驱体薄膜，将涂有前驱体溶液的蓝宝石或SiO2/Si衬底置于高温反应炉中，使前驱体薄膜发生热分解，形成均匀连续的WS2或MoS2薄膜，然后对WS2或MoS2薄膜进行退火处理进一步提高薄膜结晶度。
(3)将二硫化物薄膜转移到上层柔性基底上
当采用蓝宝石作为衬底时，将生长着WS2或MoS2薄膜的蓝宝石衬底置于恒温台上，通过加热去除样品表面吸附的杂质和水汽；匀胶机以1000-2000rpm/s的速度旋涂PMMA聚合物1min；将旋涂好PMMA的蓝宝石衬底置于恒温台上加热烘干，时长为2-3min，并用刀片刮开烘干的蓝宝石衬底四周的WS2或MoS2薄膜，以便于脱离衬底；把蓝宝石衬底放入去离子水中，由于WS2或MoS2材料是疏水的，四周经过刮一刮之后，会方面水的进入，然后通过空气和去离子水接触面的张力将PMMA薄膜脱离，由于PMMA强烈的粘性，WS2或MoS2薄膜依附在PMMA薄膜上，随之从蓝宝石衬底上脱离下来；使用合适尺寸的上层柔性基底从去离子水中捞取脱离下来的PMMA薄膜，覆有WS2或MoS2薄膜的那一面面向上层柔性基底，使用滤纸吸干PMMA薄膜和上层柔性基底之间的水分，让PMMA薄膜尽量平整的贴合上层柔性基底，然后放到恒温台上加热，烘干多余的水分；烘干后的上层柔性基底放入丙酮中浸泡2-3h去除PMMA薄膜，此时，PDMS衬底只留有WS2或MoS2薄膜，再放入去离子水中清洗10-20min后捞取；
当采用SiO2/Si作为衬底时，首先在生长有WS2的SiO2/Si衬底上旋涂PMMA，2000rpm旋涂60s，置于加热台上150℃加热10min；刮去SiO2/Si衬底四周边缘的PMMA，使硅片四周边缘能够充分暴露在NaOH溶液中，随后将刮好的样品置于NaOH溶液中2-3小时，NaOH溶液溶度为0.8g/10ml；腐蚀后的WS2薄膜将漂浮在NaOH溶液上，使用硅片在下方承接将薄膜转移到去离子水中，静置30min；再将薄膜转移到上层柔性基底上，使用氮气吹干水分；将转移后的样品置于加热台上80℃烘干30-60min，再置于丙酮溶液中2至3小时去除PMMA层，最后置于加热台上80℃烘干30min。
(4)在二硫化物薄膜上蒸镀或者喷印电极，然后将上层柔性基底和下层柔性基底进行层叠贴合，完成制作。
以上结合实施例对本发明进行了详细说明，但所述内容仅为本发明的较佳实施例，不能被认为用于限定本发明的实施范围。凡依本发明申请范围所作的均等变化与改进等，均应仍属于本发明的专利涵盖范围之内。
Claims (10)
1.一种基于微结构和二维金属硫化物的压力传感器，其特征在于：其包括上层柔性结构和下层柔性结构，所述的上层柔性结构包括上层柔性基底和导电薄膜，导电薄膜贴合于上层柔性基底的下表面，导电薄膜为二维过渡金属硫化物导电薄膜，导电薄膜的两端设有电极；所述的下层柔性结构包括下层柔性基底，下层柔性基底的上表面凸出有若干微结构；
微结构与导电薄膜接触，下层柔性基底的上表面除了微结构的部分与导电薄膜之间接触或者存在空隙。
2.根据权利要求1所述的基于微结构和二维金属硫化物的压力传感器，其特征在于：下层柔性基底的上表面除了微结构的部分与导电薄膜之间存在空隙。
3.根据权利要求1所述的基于微结构和二维金属硫化物的压力传感器，其特征在于：二维过渡金属硫化物导电薄膜为二硫化钨或二硫化钼制成的导电薄膜。
4.根据权利要求1所述的基于微结构和二维金属硫化物的压力传感器，其特征在于：电极为导电金属，电极通过蒸镀或喷印设置在导电薄膜上，电极层的厚度为10～50nm。
5.根据权利要求1所述的基于微结构和二维金属硫化物的压力传感器，其特征在于：上层柔性基底的材质为聚二甲基硅氧烷或硅胶，下层柔性基底的材质为聚二甲基硅氧烷或硅胶。
6.根据权利要求1所述的基于微结构和二维金属硫化物的压力传感器，其特征在于：微结构通过光刻和等离子体刻蚀工艺制备的模具制作而成，若干微结构之间的间距为10～100μm，微结构为棱台或者圆台结构；微结构上底面与下底面面积比为1:(4～6)，微结构的高度为20～100μm。
7.一种权利要求1所述的压力传感器的制作方法，其特征在于其包括如下步骤：
(1)将PDMS和固化剂均匀混合后放入真空机中抽真空，再均匀涂在上层柔性基底模具和下层柔性基底模具上，加热干燥、冷却凝固后脱模得到上层柔性基底和下层柔性基底；
(2)以蓝宝石、SiO2或者Si作为衬底，采用CVD法或者热分解法在衬底表面生成二硫化物薄膜；
(3)将蓝宝石、SiO2或者Si衬底上所生长的二硫化物薄膜转移到上层柔性基底上；
(4)在二硫化物薄膜上蒸镀或者喷印电极，然后将上层柔性基底和下层柔性基底进行层叠贴合。
8.根据权利要求7所述的压力传感器的制作方法，其特征在于：
步骤(2)中，将蓝宝石、SiO2或Si衬底置于高温反应炉中，升高温度至钨源和硫源或者钼源和硫源蒸发，并通过惰性气体将蒸发后的气体带入到高温反应炉，在腔室环境中或者衬底表面发生化学反应，产物吸附在衬底表面凝聚成核实现外延生长，从而得到连续WS2或MoS2薄膜；
或，将四硫代钨酸铵前驱体溶质或者四硫代钼酸铵前驱体溶质溶解在DMF中形成前驱体溶液，然后旋涂或浸涂在蓝宝石或SiO2/Si衬底上，形成均匀连续的前驱体薄膜，将涂有前驱体溶液的蓝宝石或SiO2/Si衬底置于高温反应炉中，使前驱体薄膜发生热分解，形成均匀连续的WS2或MoS2薄膜，然后对WS2或MoS2薄膜进行退火处理。
9.根据权利要求7所述的压力传感器的制作方法，其特征在于：
步骤(2)中，生成的二硫化物薄膜为WS2或MoS2薄膜；
采用蓝宝石作为衬底，步骤(3)中，将生长着WS2或MoS2薄膜的蓝宝石衬底置于恒温台上，通过加热去除样品表面吸附的杂质和水汽；匀胶机以1000-2000rpm/s的速度旋涂PMMA聚合物1min；将旋涂好PMMA的蓝宝石衬底置于恒温台上加热烘干，时长为2-3min，并刮开烘干的蓝宝石衬底四周的WS2或MoS2薄膜；把蓝宝石衬底放入去离子水中，然后通过空气和去离子水接触面的张力将PMMA薄膜脱离，WS2或MoS2薄膜随PMMA薄膜从蓝宝石衬底上脱离下来；使用合适尺寸的上层柔性基底从去离子水中捞取脱离下来的PMMA薄膜，覆有WS2或MoS2薄膜的那一面面向上层柔性基底，吸干PMMA薄膜和上层柔性基底之间的水分，让PMMA薄膜贴合上层柔性基底，然后放到恒温台上加热烘干；烘干后的上层柔性基底放入丙酮中浸泡2-3h去除PMMA薄膜，再放入去离子水中清洗10-20min后捞取；
或采用SiO2/Si作为衬底，步骤(3)中，首先在生长有WS2的SiO2/Si衬底上旋涂PMMA，2000rpm旋涂60s，置于加热台上150℃加热10min；刮去SiO2/Si衬底四周边缘的PMMA，使硅片四周边缘能够充分暴露在NaOH溶液中，随后将刮好的样品置于NaOH溶液中2-3小时，NaOH溶液溶度为0.8g/10ml；腐蚀后的WS2薄膜将漂浮在NaOH溶液上，使用硅片在下方承接将薄膜转移到去离子水中，静置30min；再将薄膜转移到上层柔性基底上，使用氮气吹干水分；将转移后的样品置于加热台上80℃烘干30-60min，再置于丙酮溶液中2至3小时去除PMMA层，最后置于加热台上80℃烘干30min。
10.根据权利要求7所述的压力传感器的制作方法，其特征在于：步骤(1)中，将PDMS和固化剂按照10：1的比例进行混合形成混合溶液，利用搅拌机将混合溶液搅拌10-20min均匀混合，然后放入真空机中抽真空，抽至没有气泡后均匀涂在微结构模具上，再放入50-70度的恒温干燥箱中干燥1-2h，冷却凝固后脱模得到上层柔性微结构衬底和下层柔性微结构衬底。
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Cited By (1)
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|---|---|---|---|---|
| CN116456808A (zh) * | 2023-05-15 | 2023-07-18 | 甘肃省科学院传感技术研究所 | 一种柔性磁结构及其制备方法 |
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2022
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Cited By (2)
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|---|---|---|---|---|
| CN116456808A (zh) * | 2023-05-15 | 2023-07-18 | 甘肃省科学院传感技术研究所 | 一种柔性磁结构及其制备方法 |
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