CN115483325A - 出光控制方法及出光控制设备 - Google Patents

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CN115483325A CN202211174957.9A CN202211174957A CN115483325A CN 115483325 A CN115483325 A CN 115483325A CN 202211174957 A CN202211174957 A CN 202211174957A CN 115483325 A CN115483325 A CN 115483325A
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胡珊珊
赖隆宽
柯富耀
熊圣锴
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Wuhan Skyworth Guangxian Electronics Co ltd
Shenzhen Skyworth RGB Electronics Co Ltd
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Wuhan Skyworth Guangxian Electronics Co ltd
Shenzhen Skyworth RGB Electronics Co Ltd
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Abstract

本发明公开了一种出光控制方法及出光控制设备，所述出光控制方法包括步骤：将高折射率材料涂覆于高压LED芯片的低折射率材料层上，得到高折射率材料层；通过所述高折射率材料层和所述低折射率材料层，形成反射型增强膜系，以使所述反射型增强膜系将接收到的光线反射至所述高压LED芯片的外部。本发明提高了高压LED芯片外量子出光效率。

Description

出光控制方法及出光控制设备
技术领域
本发明涉及LED技术领域，尤其涉及一种出光控制方法及出光控制设备。
背景技术
在手机、电视、笔电等显示领域，随着对画质要求提升，HDR(高动态范围成像HighDynamic Range Imaging)峰值高亮度，多分区细分控光技术受到市场欢迎。多分区细分控光技术即为单独控制高压LED(发光二极管light-emitting diode)芯片中每个单胞LED芯片的发光，由于单胞LED芯片为五面体结构，且为五面发光形式，即在顶面和四个侧面都会出光，但是在相邻单胞LED芯片之间，相邻侧面发出的光会被彼此吸收，导致无法从四个侧面发光面出光，降低高压LED芯片的光提取率，减弱其发光能力，如上光线的耦合传播问题会在高压LED芯片的每个单胞LED芯片之间的四个侧壁发光面都会产生。整体高压LED芯片的出光效率就会大幅降低，造成光电转化效率损耗，即造成高压LED芯片外量子出光效率低。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种出光控制方法及出光控制设备，旨在解决高压LED芯片外量子出光效率低的问题。
为实现上述目的，本发明提供一种出光控制方法，所述出光控制方法包括步骤：
将高折射率材料涂覆于高压LED芯片的低折射率材料层上，得到高折射率材料层；
通过所述高折射率材料层和所述低折射率材料层，形成反射型增强膜系，以使所述反射型增强膜系将接收到的光线反射至所述高压LED芯片的外部。
可选地，所述将高折射率材料涂覆于高压LED芯片的低折射率材料层上，得到高折射率材料层的步骤包括：
将高折射率材料涂覆于高压LED芯片中单胞芯片的侧面上的低折射材料层上，得到位于所述低折射材料层上的高折射材料层，其中，所述单胞芯片的数量为多个。
可选地，所述将高折射材料涂覆于高压LED芯片中单胞芯片的侧面上的低折射材料层上，得到位于所述低折射材料层上的高折射材料层的步骤包括：
获取低折射率材料层的第一参数，根据所述第一参数、所述高折射率材料的预设第二参数和所述高压LED芯片的峰值波长，得到高折射率材料层的待涂覆厚度；
根据所述待涂覆厚度，在高压LED芯片中单胞芯片的侧面上涂覆所述高折射率材料，以形成高折射率率材料层。
可选地，所述第一参数包括低折射率材料层的第一折射率和第一膜厚度；所述预设第二参数包括高折射率材料的第二折射率；
根据所述第一参数、所述高折射率材料的预设第二参数和所述高压LED芯片的峰值波长，得到高折射率材料层的待涂覆厚度的步骤包括：
根据第一折射率、第一膜厚度、第二折射率以及所述高压LED芯片的峰值波长，得到高折射率材料层的待涂覆厚度。
可选地，所述将高折射率材料涂覆于高压LED芯片的低折射率材料层上，得到高折射率材料层的步骤之前，还包括：
在蓝宝石衬底上依次外延生长Gan缓冲层、N-GaN层、MQW量子阱层、P-GaN层和ITO层；
采用CL2/BCL3的混合气体对所述Gan缓冲层、所述N-GaN层、所述MQW量子阱层、所述P-GaN层和所述ITO层进行刻蚀，得到所有所述单胞芯片的外延层；
将低折射率材料涂覆于所述蓝宝石衬底上和所述外延层上，形成低折射率材料层，并得到所述高压LED芯片。
可选地，所述采用CL2/BCL3的混合气体对Gan缓冲层、N-GaN层、MQW量子阱层、P-GaN层和ITO层进行刻蚀的步骤包括：
采用CL2/BCL3的混合气体向芯片衬底方向对Gan缓冲层、N-GaN层、MQW量子阱层、P-GaN层和ITO层进行刻蚀，并露出部分所述N-GaN层；
在所述ITO层和所述P-GaN层分别外延生长电极层，得到所述单胞芯片的外延层。
可选地，所述高压LED芯片包括多个单胞芯片，所述单胞芯片包括外延层以及设置在所述外延层上的低折射率材料层。
可选地，所述单胞芯片还包括蓝宝石衬底，所述外延层包括Gan缓冲层、N-GaN层、MQW量子阱层、P-GaN层、ITO层和电极层，其中，所述Gan缓冲层、所述N-GaN层、所述MQW量子阱层、所述P-GaN层和所述ITO层依次外延生长在所述蓝宝石衬底上，且所述电极层分别设置在所述ITO层和所述N-GaN层上。
可选地，所述电极层包括N电极和P电极，且在两个任意相邻的所述单胞LED芯片中的其中一个所述单胞LED芯片中的所述N电极与另一个所述单胞LED芯片中的所述P电极连接。
可选地，所述低折射率材料为SIO2，所述高折射率材料为TiO2。
此外，为实现上述目的，本发明还提供一种出光控制设备，所述出光控制设备应用于上述的出光控制方法，所述出光控制设备包括高压LED芯片以及涂覆于所述高压LED芯片之上的高折射率材料层，其中，所述高折射率材料层与所述高压LED芯片中的低折射率材料层形成反射型增强膜系。
本发明提供一种出光控制方法，通过将高折射率材料涂覆与高压LED芯片的低折射率材料层上，得到高折射率材料层；并通过所述高折射率材料层和所述低折射率材料层，形成反射型增强膜系，以使所述反射型增强膜系将接收到的光线反射至所述高压LED芯片的外部，避免了高压LED芯片发出恶光线被吸收的情况出现，使得光线可以通过高折射率材料层和低折射率材料层共同形成的发射型增强膜系反射至高压LED芯片的外部，提高高压LED芯片的外量子出光效率，从而提升高压LED芯片的亮度，提升应用端HDR效果。
附图说明
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本发明的实施例，并与说明书一起用于解释本发明的原理。
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为DBR反射镜的工作原理图；
图2为本发明高压LED芯片的结构示意图；
图3为本发明高压LED芯片的电路原理示意图；
图4为单个LED量子效率和正向输入电流之间的变化关系示意图；
图5为高压芯片在相邻单胞之间光线传播示意图；
图6是在高压LED芯片上涂覆高折射率材料之后的光线传播示意图；
图7是出光控制设备的结构示意图；
图8是本发明出光控制方法一实施例的流程示意图；
图9是本发明出光控制方法二实施例的流程示意图。
本发明目的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，均属于本发明保护的范围。
为方便本领域技术人员理解本发明以及保证本发明的可行性，对本发明涉及到的DBR(distributed Bragg reflection分布式布拉格反射镜)布拉格反射增强理论在此进行说明。
由布拉格反射理论可以得知，当光经过不同介质时在界面的地方会反射，反射率的大小会与介质间折射率大小有关。因把不同折射率的薄膜交互周期性的堆叠在一起，当光经过这些不同折射率的薄膜的时候，由于各层反射回来的光因相位角的改变而进行建设性干涉，然后互相结合再一起，得到强烈反射光。
DBR反射镜的工作原理如图1所示。根据反射原理，当光从光疏介质n1射向光密介质n2(折射率n2>n1)时，反射光会在界面处发生半波损失，相位产生π的变化。光进入DBR层，会在每层的上下表面各发生一次反射，根据DBR的设计原理，当DBR工作中心波长为λ0，厚度为d[d＝λ0/(4n)]时，则两次反射的光程差为0.5λ，该光程差对应π的相变，而其中半波损失也会发生π的相位变化，最终两次的反射光同相，叠加增强，即增加了总体的反射系数。而DBR实际就是两种折射率的介质交替叠层，DBR的层数越多，反射率就越高，最终DBR的反射系数可以达到很高的水平。
结合本发明下述方案，本发明利用布拉格反射镜可以实现反射增强原理，使用两种不同折射率的材料以ABAB的方式交替排列组成的周期结构，每层材料的光学厚度为中心反射波长的1/4。因此是一种四分之一波长多层系统，相当于简单的一组光子晶体。由于频率落在能隙范围内的电磁波无法穿透，布拉格反射镜的反射率可达95％以上。即可实现高压芯片中每一单胞芯片的测面对光线进行反射，进而提高高压LED芯片外量子出光效率，达到高亮度效果。
本发明实施例提供一种高压LED芯片，参照图2，所述高压LED芯片包括多个单胞芯片10，所述单胞芯片10包括外延层以及设置在所述外延层上的低折射率材料层8。其中，单胞芯片10包括5个发光面，分别为顶面以及四个侧面，且单胞芯片10在高压LED芯片上依序排列，以使单胞芯片10的四个侧面中的一个侧面与其他单胞芯片10的一个侧面彼此相对，且侧面发出的光线能够照射到其他单胞芯片10的侧面。所述外延层用于实现LED芯片的发光，以及改变光线的颜色等；所述低折射率材料层8为SIO2，用于隔离高压LED芯片中的每一个单胞芯片10。
进一步地，所述单胞芯片10还包括蓝宝石衬底，所述外延层包括Gan缓冲层2、N-GaN层3、MQW量子阱层4、P-GaN层5、ITO层6和电极层，其中，所述Gan缓冲层2、所述N-GaN层3、所述MQW量子阱层4、所述P-GaN层5和所述ITO层6依次外延生长在所述蓝宝石衬底上，且所述电极层分别设置在所述ITO层6和所述N-GaN层3上。其中，外延生长是一种化学工艺，即指在单晶衬底(蓝宝石衬底)上生长一层有一定要求的、与衬底晶向相同的单晶层(包括Gan缓冲层2、N-GaN层3、MQW量子阱层4、P-GaN层5、ITO层6和电极层)，犹如原来的蓝宝石衬底向外延伸了一段，可以大大提高高压LED芯片设计的灵活性和高压LED芯片的性能，同时达到高压LED芯片发光的要求。
进一步地，所述电极层包括N电极72和P电极71，且在两个任意相邻的所述单胞芯片10中的其中一个所述单胞芯片10中的所述N电极72与另一个所述单胞芯片10中的所述P电极71相连接。其中，所述P电极与N电极之间通过导电金属73连接，所述P电极71穿过低折射率材料层8并设置在ITO层6上，并与P-GaN层5连接，所述N电极72穿过低折射率材料层8并设置在所述N-GaN层3上，同时通过两个不同的单胞芯片10中的N电极72与P电极71相互连接，使得高压LED芯片中所有的单胞芯片10串联连接，参照图3，图3为高压LED芯片的电路原理示意图，通过将所有的单胞芯片10串联连接，形成单片集成式高压LED芯片，可有效降低每颗单胞芯片10的驱动电流，即可以采用小电流方式驱动高压芯片，且解决降压困难的问题。
需要说明的是，在手机、电视、笔电等显示领域，随着对画质要求提升，HDR峰值高亮度，多分区细分控光技术，受到市场欢迎。在HDR高亮度要求方面，对LED亮度要求提升，即需要LED输入电流增加。图4显示了单个LED量子效率和正向输入电流之间的关系，其中，横坐标为正向输入电流，纵坐标为单个LED量子效率，从上至下的波形图为不同的LED的量子效率和正向输入电流之间变化关系，可以看出，在小电流驱动下，随着电流增加，量子效率迅速上升，达到峰值。之后随着电流增加，量子效率呈快速下降趋势。综上可知，当采用大电流驱动LED芯片时，发光效率下降严重，光电转化效率低。另一方面，由于交流电需要变压器和电源减压才能驱动大功率芯片，针对当前HDR技术多灯多分区要求，如使用常规LED芯片，以4灯一区为例，单灯电压是3V，一区是12V，即需要将220V通过电源转化等降压设计方法降为12V，在降压线路过程中，会造成损失热量多且电源开关易失效损坏。同时多灯多区方案会造成主线路电流过大，以一区200mA，200分区为例，主线路需要4A，容易导致热量过大而造成线路易损坏。
针对以上问题，通过本发明中的上述高压LED芯片中的每个单胞芯片10串联的方式，即可以实现通过高电压低电流的驱动方式提升LED性能，从而避免热量过大而造成线路易损坏的问题。
进一步的，基于上述高压LED芯片的硬件结构，由于高压LED芯片中的单胞芯片10为五面体结构，且为五面发光形式，即在顶面和四个侧面都会出光，参照图5，图5为高压芯片在相邻单胞之间光线传播示意图。由于芯片为五面发光形式，即在顶面和四个侧面都会出光。图中A点为单胞芯片101上一个侧壁发光面上随意的一个点，从A点发出的光线，方向随机，覆盖整个LED外表面，在AB、AC整个范围内，AE与AD之间的光线会传播到芯片2表面，由于单胞芯片102表面最外层为PV层(光伏)，材质是SIO2，DE表面会将AE、AD之间角度为θ内的入射光线吸收，即这部分光线在单胞芯片10之间即会被吸收，无法从发光面出光，降低芯片的光提取率，减弱其发光能力，如上光线的耦合传播问题会在高压芯片的每个单胞之间的四个侧壁发光面都会产生。导致整体高压芯片的出光效率就会大幅降低，造成光电转化效率损耗，整体亮度偏低。
进一步地，请参阅图7和图6，图6是在高压LED芯片上涂覆高折射率材料之后的光线传播示意图，图7是出光控制设备的结构示意图，所述出光控制设备包括高压LED芯片以及涂覆于所述高压LED芯片之上的高折射率材料层9。
本发明通过在高压LED芯片的最外层的低折射率材料层上涂覆一层高折射率材料，以使高折射率材料层和低折射率材料层共同形成发射型增强膜系，将高压LED芯片中每一个单胞芯片侧面发出的光线都会被发射至高压LED芯片的外面，解决了光线被吸收的问题，显著提高了高压LED芯片的发光效率，提高了高压LED芯片的亮度。
具体的，本发明实施例提供一种出光控制方法，在本发明出光控制方法的一实施例中，参照图8，所述出光控制方法包括：
步骤S10，将高折射率材料涂覆于高压LED芯片的低折射率材料层上，得到高折射率材料层；
在一实施例中，所述步骤S10还包括：
步骤A11，将高折射率材料涂覆于高压LED芯片中单胞芯片的侧面上的低折射材料层上，得到位于所述低折射材料层上的高折射材料层，其中，所述单胞芯片的数量为多个。
具体的，由于高压LED芯片中包含有多个依序排列的单胞芯片，而高压LED芯片正是通过多个单胞芯片而发出光线，而单胞芯片是五面发光形式，即顶面和四个侧面发光，当侧面发光时，发出的光线容易被相邻的单胞芯片的侧面所吸收，由此导致高压LED芯片的亮度低。因此，只需要在每一个单胞芯片的四个侧面上均涂覆高折射率材料，即可以通过低折射率材料层和高折射率材料层形成的反射型增强膜系，将单胞芯片接收到的其他单胞芯片发出的光线折射至高压LED芯片外部，避免单胞芯片侧面吸收光线而导致高压LED芯片的亮度低的情况发生。其中，低折射率材料层即为高压LED芯片最外层的SIO2，只需要在原有的SIO2层上，搭配高折射率材料层，即可形成反射型增强膜系。
步骤S20，通过所述高折射率材料层和所述低折射率材料层，形成反射型增强膜系，以使所述反射型增强膜系将接收到的光线反射至所述高压LED芯片的外部。
所述反射型增强膜系即包括高压LED芯片最外层的SIO2层，以及涂覆于SIO2层之上的高折射率材料层，其中，所述低折射率材料层可以为TiO2。另外需要说明的是，本发明所展示DBR镀膜高压芯片侧壁解决相邻单胞间光线耦合吸收造成亮度低问题的其中一种结构，反射率约95％左右，若需要更高反射率需求，例如如需反射率提高到99％，可以增加反射型增强膜系的对数，例如两对反射型增强膜系或者三对反射型增强膜系，本发明在此不作限制，由上述DBR反射原理可知，反射型增强膜系的对数越多，反射能力越强。即本领域技术人员可以根据实际需求和成本考量，合理设计开发镀膜体系，提升出光效率和亮度。
本发明提供一种出光控制方法，通过将高折射率材料涂覆与高压LED芯片的低折射率材料层上，得到高折射率材料层；并通过所述高折射率材料层和所述低折射率材料层，形成反射型增强膜系，以使所述反射型增强膜系将接收到的光线反射至所述高压LED芯片的外部，避免了高压LED芯片发出的光线被吸收的情况出现，使得光线可以通过高折射率材料层和低折射率材料层共同形成的发射型增强膜系反射至高压LED芯片的外部，提高高压LED芯片的外量子出光效率，从而提升高压LED芯片的亮度，提升应用端HDR效果。
进一步的，基于本发明出光控制方法一实施例提出的出光控制方法，本发明提出第二实施例，参照图9，所述步骤A11，还包括：
步骤S111，获取低折射率材料层的第一参数，根据所述第一参数、所述高折射率材料的预设第二参数和所述高压LED芯片的峰值波长，得到高折射率材料层的待涂覆厚度；
所述第一参数包括低折射率材料层的第一折射率和第一膜厚度；所述预设第二参数包括高折射率材料的第二折射率；
在一实施例中，所述步骤S111，还包括：
步骤A1111，根据第一折射率、第一膜厚度、第二折射率以及所述高压LED芯片的峰值波长，得到高折射率材料层的待涂覆厚度。
在本实施例中，所述第一膜厚度即为低折射率材料层的厚度，所述第一折射率和所述第二折射率均为物质的固有属性，即为SIO2的折射率和TiO2的折射率，具体的SiO2为1.45，TiO2为2.4。本发明中利用已有的PV层SiO2作为低折射率材料，可采用TiO2作为高折射率材料，针对LED发光芯片的波长，来设计每层膜系厚度，使得
nhth＝nltl＝λ/4；
其中，n指折射率，h为高折射率材料，本例中h指TiO2，折射率nh约2.4；
l为低折射率材料，本例中l指SiO2，折射率nl约1.45，t指每层镀膜厚度，th指TiO2的膜厚度，tl指SiO2的膜厚度，λ指的高压LED芯片的峰值波长。
由以上公式，可以计算出镀高折射率材料的厚度。由上述DBR原理，每层材料的光学厚度为中心反射波长的1/4。通过调整DBR材料的折射率和厚度，可以使膜系反射率达到95％以上。
步骤S112，根据所述待涂覆厚度，在高压LED芯片中单胞芯片的侧面上涂覆所述高折射率材料，以形成高折射率率材料层。
在本实施例中，可以采用PEVCD设备(化学气相淀积设备)在高压LED芯片上沉积TIO2薄膜，再通过充入反应气体，合理设计反应气体比例，PEVCD设备的射频功率，反应腔体压强以及温度，实现精准控制TIO2薄膜的沉积速率，折射率和厚度。采用PECVD设备沉积TIO2薄膜后，再用图形转移法用HF(氢氟酸溶液)对TIO2进行掩膜刻蚀，在单胞芯片的侧面刻蚀出于SIO2一样的形状，与下方的低折射率材料SIO2形成高低折射率的DBR反射增强型膜系。使得入射到高压芯片侧壁上的光线可以改变光线路径，从出光面反射出去，提升高压LED的亮度。另外，本发明以高折射材料选用TIO2为例，但是本领域技术人员还可以可根据需求选择其它高折射率材料，只要是可实现高低折射率差的DBR膜系均可。
在本实施例中，通过合理设置高折射率材料的涂覆厚度，与低折射率材料精准形成反射型增强膜系，实现光线的反射，通过灵活性高，使用范围广。
进一步的，基于本发明出光控制方法一实施例提出的出光控制方法，本发明提出第三实施例，所述步骤S10之前，还包括：
步骤A101，在蓝宝石衬底上依次外延生长Gan缓冲层、N-GaN层、MQW量子阱层、P-GaN层和ITO层；
步骤A102，采用CL2/BCL3的混合气体对所述Gan缓冲层、所述N-GaN层、所述MQW量子阱层、所述P-GaN层和所述ITO层进行刻蚀，得到所有所述单胞芯片的外延层；
在一实施例中，所述步骤A102，还包括：
步骤A1021，采用CL2/BCL3的混合气体向芯片衬底方向对Gan缓冲层、N-GaN层、MQW量子阱层、P-GaN层和ITO层进行刻蚀，并露出部分所述N-GaN层；
步骤A1022，在所述ITO层和所述P-GaN层分别外延生长电极层，得到所述单胞芯片的外延层。
在本实施例中，可通过微加工蚀刻技术切割LED芯片，形成一个个独立单胞芯片，在LED外延层实现高压LED芯片之间的相互隔离，同时露出部分N-GaN层，以用于设置N电极。
步骤A103，将低折射率材料涂覆于所述蓝宝石衬底上和所述外延层上，形成低折射率材料层，并得到所述高压LED芯片。
在本实施例中，通过外延生长在蓝宝石衬底上依次形成Gan缓冲层、N-GaN层、MQW量子阱层、P-GaN层和ITO层，保证实现高压LED芯片之间的相互隔离，进而在所述ITO层和所述P-GaN层分别外延生长电极层，以使P电极与P-GaN层连接，N电极通过ITO层与N-GaN层连接，用于在输入驱动电压时，通过P电极与N电极保证高压LED芯片中的单胞芯片能够发光。另外，在设置好P电极与N电极之后，还需要通过沉积金属方法进行每一个相邻单胞芯片之间的电极互联，即使单胞芯片中的N电极与相邻单胞芯片中的P电极连接，以实现所有单胞芯片的串联，进而实现高电压低电流的驱动形式，提高高压LED芯片的使用寿命，其中，P电机与N电极之间的沉积金属为导电金属。
以上仅为本发明的优选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利处理范围内。

Claims (10)

1.一种出光控制方法，其特征在于，所述出光控制方法包括步骤：
将高折射率材料涂覆于高压LED芯片的低折射率材料层上，得到高折射率材料层；
通过所述高折射率材料层和所述低折射率材料层，形成反射型增强膜系，以使所述反射型增强膜系将接收到的光线反射至所述高压LED芯片的外部。
2.如权利要求1所述的出光控制方法，其特征在于，所述将高折射率材料涂覆于高压LED芯片的低折射率材料层上，得到高折射率材料层的步骤包括：
将高折射率材料涂覆于高压LED芯片中单胞芯片的侧面上的低折射材料层上，得到位于所述低折射材料层上的高折射材料层，其中，所述单胞芯片的数量为多个。
3.如权利要求2所述的出光控制方法，其特征在于，所述将高折射材料涂覆于高压LED芯片中单胞芯片的侧面上的低折射材料层上，得到位于所述低折射材料层上的高折射材料层的步骤包括：
获取低折射率材料层的第一参数，根据所述第一参数、所述高折射率材料的预设第二参数和所述高压LED芯片的峰值波长，得到高折射率材料层的待涂覆厚度；
根据所述待涂覆厚度，在高压LED芯片中单胞芯片的侧面上涂覆所述高折射率材料，以形成高折射率率材料层。
4.如权利要求3所述的出光控制方法，其特征在于，所述第一参数包括低折射率材料层的第一折射率和第一膜厚度；所述预设第二参数包括高折射率材料的第二折射率；
根据所述第一参数、所述高折射率材料的预设第二参数和所述高压LED芯片的峰值波长，得到高折射率材料层的待涂覆厚度的步骤包括：
根据第一折射率、第一膜厚度、第二折射率以及所述高压LED芯片的峰值波长，得到高折射率材料层的待涂覆厚度。
5.如权利要求1所述的出光控制方法，其特征在于，所述将高折射率材料涂覆于高压LED芯片的低折射率材料层上，得到高折射率材料层的步骤之前，还包括：
在蓝宝石衬底上依次外延生长Gan缓冲层、N-GaN层、MQW量子阱层、P-GaN层、ITO层和电极层；
采用CL2/BCL3的混合气体对所述Gan缓冲层、所述N-GaN层、所述MQW量子阱层、所述P-GaN层、所述ITO层和所述电极层进行刻蚀，得到所有所述单胞芯片的外延层；
将低折射率材料涂覆于所述蓝宝石衬底上和所述外延层上，形成低折射率材料层，并得到所述高压LED芯片。
6.如权利要求1至5中任一项所述的出光控制方法，其特征在于，所述高压LED芯片包括多个单胞芯片，所述单胞芯片包括外延层以及设置在所述外延层上的低折射率材料层。
7.如权利要求6所述的出光控制方法，其特征在于，所述单胞芯片还包括蓝宝石衬底，所述外延层包括Gan缓冲层、N-GaN层、MQW量子阱层、P-GaN层、ITO层和电极层，其中，所述Gan缓冲层、所述N-GaN层、所述MQW量子阱层、所述P-GaN层和所述ITO层依次外延生长在所述蓝宝石衬底上，且所述电极层分别设置在所述ITO层和所述N-GaN层上。
8.如权利要求7所述的出光控制方法，其特征在于，所述电极层包括N电极和P电极，且在两个任意相邻的所述单胞芯片中的其中一个所述单胞芯片中的所述N电极与另一个所述单胞芯片中的所述P电极相连接。
9.如权利要求8所述的出光控制方法，其特征在于，所述低折射率材料为SIO2，所述高折射率材料为TiO2。
10.一种出光控制设备，其特征在于，所述出光控制设备应用于权利要求1至9中任一项所述的出光控制方法，所述出光控制设备包括高压LED芯片以及涂覆于所述高压LED芯片之上的高折射率材料层，其中，所述高折射率材料层与所述高压LED芯片中的低折射率材料层形成反射型增强膜系。
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