CN115479544B - 一种基于平移差分的微结构线宽显微无损测量方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种基于平移差分的微结构线宽显微无损测量方法，解决了显微成像法测量微结构线宽受限于成像衍射极限，测量精度低的问题。首先采集待测微结构的显微图像；接着将微结构沿线宽方向平移一段微小距离，再次采集待测微结构的显微图像；然后将两次采集的显微图像相减得到差分图像；再以高斯函数为目标对差分图像的光强数据进行数据拟合，以高斯函数极值点定位两侧差分脉冲的准确位置；最后根据两侧极值点的精确位置得到高精度的线宽测量结果。本发明的线宽测量方法保留显微成像法直观、快速、无损测量的优点，而且还突破了显微成像衍射极限，同时减少照明不均和成像系统噪声的影响，能够提高线宽测量精度。

Description

一种基于平移差分的微结构线宽显微无损测量方法
技术领域
本发明涉及精密光学测量工程技术领域，具体涉及一种基于平移差分的微结构线宽显微无损测量方法，针对线型和沟槽型微结构的线宽测量。
背景技术
随着微纳加工水平的不断发展，当前微结构日趋精细，对线型或沟槽型结构的线宽测量精度要求也随之提高。本发明针对线宽的测量方法，其尺度覆盖数微米至几十微米范围，如微电子机械系统(Micro-Electro-Mechanical System，MEMS)、印制电路板等。在微电子机械系统中，线宽误差将导致MEMS器件灵敏度下降，稳定性降低，影响产品性能；在印制电路板中，线宽的保证是电路连接可靠性、阻抗板阻抗值满足要求的关键。因此，线宽作为微结构器件的关键指标之一，在微米尺度需要对其进行更高精度的测量。
依据测量原理的不同，现有线宽测量方法可分为接触式和非接触式两类。接触式方法虽然分辨率高，但是需要接触待测样品可能划伤样品表面。非接触式方法主要包含基于电子束成像的扫描电子显微镜和光学测量法两类。其中扫描电子显微镜虽然具有很高的分辨率，但是属于扫描成像，速度慢，只适用于离线测量，且电子束流轰击很容易损坏样品。光学测量方法主要包括共焦显微成像法、过焦扫描法、散射度量术、光学显微成像法等。其中精度较高的方法如共焦显微成像法、过焦扫描法、散射度量术测量速度慢，有的方法需要提前建模仿真，依赖建模与实际测量的匹配度。与之相比，显微成像法对样品直观成像，视场大、面测量、速度快，并且成本低，可以在线检测。但是受到衍射极限的限制，阶跃边缘定位模糊，直接测量结果的精度难以提高。
CN201910045878.X公开了一种《线宽测量方法》，首先获取显示基板的图像，然后根据图像的灰度信息获取待测线路的相对两侧边缘的边缘位置，最后根据边缘位置获取待测线路的线宽。该专利公开的方法需要设定阈值，阈值的选取会受到照明不均和噪声影响，在获取一侧边缘位置时需要多次扫描，测量时间慢。
发明内容
本发明的目的在于提供一种基于平移差分的微结构线宽显微无损测量方法，用以解决显微成像中线宽测量精度受限于成像衍射极限的问题，提高线宽测量精度。
为实现上述目的，本发明提出一种基于平移差分的微结构线宽显微无损测量方法，在传统显微成像法的基础上，使用高精度位移平台移动待测样品，位移前后各采集一幅样品的显微图像，将两幅图像相减得到差分图像，推导得出差分图像的光强分布函数，对差分图像进行数据拟合，利用差分脉冲定位分辨率高的特点获得高精度的样品线宽测量结果。
一种基于平移差分的微结构线宽显微无损测量方法，包括如下步骤：
步骤1、采集待测微结构的显微图像；
步骤2、将微结构沿线宽方向平移一段微小距离，再次采集待测微结构的显微图像；
步骤3、将两次采集的显微图像光强相减得到差分图像。
步骤4、以高斯函数为目标对差分图像的光强数据进行数据拟合，以高斯函数极值点定位两侧差分脉冲的准确位置；
步骤5、根据两侧极值点的精确位置得到高精度的线宽测量结果。
所述待测微结构包含线型和沟槽型结构，其尺度覆盖数微米至几十微米范围。
所述使用高精度位移平台移动待测样品，移动方向要求沿样品线宽方向，移动距离要求远小于成像系统光学分辨极限，控制在纳米级，可使用但不限于压电陶瓷位移台等高精度位移器进行微小位移。
本发明与现有技术相比，其显著优点在于：
(1)本发明没有直接从样品显微图像中获取线宽结果，而是使用平移差分将线宽测量转为差分脉冲距离测量，不受显微成像分辨率的限制，提高线宽测量精度。
(2)本发明使用的平移差分法，同时减去了照明不均和环境系统噪声带来的影响，提高测量结果的准确性。
(3)本发明只需获取两幅显微图像，测量速度快。
附图说明
图1为本发明公开的一种基于平移差分的微结构线宽显微无损测量方法的流程示意图。
图2为本发明公开的一种基于平移差分的微结构线宽显微无损测量方法中采集的待测微结构的显微图像。
图3为本发明公开的一种基于平移差分的微结构线宽显微无损测量方法中差分图像光强分布示意图。
图4为本发明公开的一种基于平移差分的微结构线宽显微无损测量方法的步骤4中获取待测微结构两侧阶跃边缘的精确位置的示意图。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合说明书附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。
结合图1，一种基于平移差分的微结构线宽显微无损测量方法，包括以下步骤：
步骤1、采集待测微结构的显微图像；所述采集待测微结构的显微图像如图2所示。
步骤2、将微结构沿线宽方向平移一段微小距离，再次采集待测微结构的显微图像，所述平移距离要求远小于成像系统光学分辨极限，控制在纳米级，可使用但不限于压电陶瓷位移台等高精度位移器进行微小位移；
步骤3、将两次采集的显微图像相减得到差分图像。
所述差分图像的光强分布使用公式(1)表示：
其中，(x,y)和(x',y')分别是物面和像面坐标，Od(x,y)表示物面差分函数，Id(x',y')表示像面差分光强分布函数，S(x',y')代表照明不均产生的影响，PSF是显微成像系统点扩散函数。由于两幅图像包含的噪声基本相同，相减之后噪声互相抵消，所以差分图像光强分布公式不考虑噪声的影响。
所述像面差分光强分布函数由公式(1)得到，是物面差分函数与显微成像系统点扩散函数卷积所得。不考虑成像系统艾里斑第一暗环以外的分布情况，系统点扩散函数可以用高斯函数表示。当样品位移距离远小于显微成像系统分辨极限时，像面差分光强分布函数在样品阶跃边缘处具有一正一负的高斯脉冲，高斯脉冲具有唯一极值点，两处高斯脉冲的距离等于样品的线宽。
结合图3，所述物面差分函数在样品阶跃边缘处具有一正一负的矩形脉冲，矩形宽度等于样品位移距离，其余位置均为0；所述像面差分光强分布函数为物面差分函数于系统点扩散函数的卷积所得，在样品阶跃边缘处具有一正一负的高斯脉冲，高斯脉冲具有唯一极值点，两个脉冲极值点的距离等于样品阶跃边缘的距离，即线宽。
步骤4、以高斯函数为目标对差分图像的光强数据进行数据拟合，以高斯函数极值点定位两侧差分脉冲的准确位置。
结合图4，所述对差分图像进行数据拟合，是由于采集得到的光强图像是离散数据，直接差分导致有效数据少，无法得到差分脉冲极值点的准确位置。以高斯函数为目标对差分图像的离散数据进行拟合，拟合得到高斯脉冲曲线可以准确定位极值点的位置。
步骤5、根据两侧极值点的精确位置得到高精度的线宽测量结果。
综上所述，本发明公开了一种基于平移差分的微结构线宽显微无损测量方法，解决了显微成像法测量微结构线宽受限于成像衍射极限，测量精度低的问题。本发明没有直接从样品显微图像中获取线宽结果，而是使用平移差分将线宽测量转为差分脉冲距离测量，不受显微成像分辨率的限制，提高线宽测量精度。本发明使用的平移差分法，同时减去了照明不均和环境系统噪声带来的影响，提高测量结果的准确性。本发明的线宽测量方法保留显微成像法直观、快速、无损测量的优点，而且还突破了显微成像衍射极限，同时减少照明不均和成像系统噪声的影响，能够提高线宽测量精度。

Claims (4)

1.一种基于平移差分的微结构线宽显微无损测量方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1、采集待测微结构的显微图像；
步骤2、将微结构沿线宽方向平移一段微小距离，再次采集待测微结构的显微图像；
步骤3、将两次采集的显微图像光强相减得到差分图像；
所述差分图像的光强分布使用公式(1)表示：
其中，(x,y)和(x',y')分别是物面和像面坐标，Od(x,y)表示物面差分函数，Id(x',y')表示像面差分光强分布函数，S(x',y')代表照明不均产生的影响，PSF是显微成像系统点扩散函数；由于两幅图像包含的噪声基本相同，相减之后噪声互相抵消，所以差分图像光强分布公式不考虑噪声的影响；
当样品位移距离远小于显微成像系统分辨极限时，像面差分光强分布函数在样品阶跃边缘处具有一正一负的高斯脉冲，高斯脉冲具有唯一极值点，两处高斯脉冲的距离等于样品的线宽；
步骤4、以高斯函数为目标对差分图像的光强数据进行数据拟合，以高斯函数极值点定位两侧差分脉冲的准确位置；
步骤5、根据两侧极值点的精确位置得到高精度的线宽测量结果；
所述待测微结构包含线型和沟槽型结构，其尺度覆盖数微米至几十微米范围；
所述高精度的样品线宽测量结果由拟合得到高斯脉冲曲线的极值点距离得到，极值点的定位分辨率远高于系统成像分辨率，且照明不均只影响脉冲的高度，不改变脉冲位置，两个脉冲极值点的距离等于样品阶跃边缘的距离，即线宽。
2.根据权利要求1所述的一种基于平移差分的微结构线宽显微无损测量方法，其特征在于：所述将微结构沿线宽方向平移一段微小距离，平移距离要求远小于成像系统光学分辨极限，控制在纳米级。
3.根据权利要求2所述的一种基于平移差分的微结构线宽显微无损测量方法，其特征在于：所述差分图像能够表示成物方差分函数与系统点扩散函数卷积所得。
4.根据权利要求3所述的一种基于平移差分的微结构线宽显微无损测量方法，其特征在于：所述拟合目标高斯函数，为显微成像系统点扩散函数简化所得，只考虑艾里斑第一暗环以内的点扩散函数具有明显的高斯分布特点，且极值点位置与高斯函数极值点位置重合，使用高斯函数作为拟合目标简化计算。
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