CN115460360A - X射线摄像装置和x射线摄像装置的控制方法 - Google Patents

X射线摄像装置和x射线摄像装置的控制方法 Download PDF

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Abstract

提供一种X射线摄像装置和X射线摄像装置的控制方法，不设置高输出的X射线源就能按每一像素来提高画质。X射线摄像装置(100)具备X射线源(4)、X射线摄像面板(10)以及控制部(3)。控制部(3)包含：图像处理部，其对TFT供应栅极信号，基于从TFT读出的数据信号来生成检查摄像图像；检测控制部，其从检查摄像图像来检测黑点像素；以及阈值校正部，其对与黑点像素对应的TFT的栅极施加使该TFT的栅极截止阈值电压上升的正向移位电压。

Description

X射线摄像装置和X射线摄像装置的控制方法
技术领域
本公开涉及X射线摄像装置和X射线摄像装置的控制方法。
背景技术
以往，已知具备薄膜晶体管的X射线摄像装置和X射线摄像装置的控制方法。这种X射线摄像装置和X射线摄像装置的控制方法例如公开于专利文献1中。
在上述专利文献1的X射线摄像装置(固体X射线检测器)中，X射线检测器的一部分被放射线遮挡物质覆盖。并且，足以达到规定阈值的等级的放射线(X射线)被照射到X射线检测器的露出部分。固体X射线检测器获取放射线图像，判定是否存在线条伪影。将判定为存在线条伪影的数据线保存到图像处理器。并且，与判定为表现出线条伪影的数据线连接的像素的像素值被置换为与该数据线相邻的2条数据线的像素值的平均值。由此，X射线检测器的薄膜晶体管的泄露信号大、包含易于产生线条伪影的像素的数据线所连接的多个像素的像素值得以修正。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：特表2004-521721号公报
发明内容
发明要解决的问题
在上述专利文献1的X射线摄像装置中，为了产生线条伪影，需要设置与通常的X射线摄像所使用的X射线源相比能照射更强的X射线的X射线源(高输出的X射线源)。并且，在上述专利文献1的X射线摄像装置中，与判定为表现出线条伪影的数据线连接的全部像素的像素值被置换为与该数据线相邻的2条数据线所连接的像素的像素值的平均值。因此，在上述专利文献1的X射线摄像装置中有如下问题：针对不需要进行像素值的修正的像素，其像素值也会被置换(被修正)。
因此，本公开是为了解决上述这样的问题而完成的，其目的在于提供一种X射线摄像装置和X射线摄像装置的控制方法，不设置高输出的X射线源就能按每一像素来提高画质。
用于解决问题的方案
为了解决上述问题，本公开的第1方面是一种X射线摄像装置，具备：X射线源；X射线摄像面板，其包含将从上述X射线源照射的X射线转换为光的闪烁体、将来自该闪烁体的光转换为电信号的光电转换元件、以及连接到该光电转换元件的薄膜晶体管；以及控制部，其控制由上述X射线源进行的X射线的照射和由上述X射线摄像面板进行的摄像，上述控制部包含：图像处理部，其对上述薄膜晶体管供应栅极信号，基于从上述薄膜晶体管读出的数据信号来生成检查摄像图像，所述检查摄像图像是在上述X射线源与上述X射线摄像面板之间未配置被摄体的状态下进行摄像所得到的摄像图像；检测控制部，其从上述检查摄像图像检测黑点像素；以及阈值校正部，其对与上述黑点像素对应的薄膜晶体管的栅极施加使该薄膜晶体管的栅极截止阈值电压上升的正向移位电压。
另外，第2方面是一种X射线摄像装置的控制方法，所述X射线摄像装置具备：X射线源；以及X射线摄像面板，其包含将从上述X射线源照射的X射线转换为光的闪烁体、将来自该闪烁体的光转换为电信号的光电转换元件、以及连接到该光电转换元件的薄膜晶体管，所述X射线摄像装置的控制方法具备：从上述X射线源对上述X射线摄像面板照射X射线的步骤；对上述薄膜晶体管供应栅极信号，基于从上述薄膜晶体管读出的数据信号来获取检查摄像图像的步骤，所述检查摄像图像是在上述X射线源与上述X射线摄像面板之间未配置被摄体的状态下进行摄像所得到的摄像图像；从上述检查摄像图像检测黑点像素的步骤；以及对与上述黑点像素对应的薄膜晶体管的栅极施加使该薄膜晶体管的栅极截止阈值电压上升的正向移位电压的步骤。
发明效果
根据上述构成的X射线摄像装置及其控制方法，由于不是检测线条伪影(亮点)而是检测黑点像素，因此不设置高输出的X射线源就能够检测易于产生漏电流的薄膜晶体管。并且，能够通过检测黑点像素来按每一像素检测栅极截止阈值电压发生了负向移位的薄膜晶体管。并且，能够对发生了负向移位的薄膜晶体管施加正向移位电压来使该薄膜晶体管的栅极截止阈值电压上升，因此能够按每一像素来提高画质。
附图说明
图1是示出第1实施方式中的X射线摄像装置的示意图。
图2是示出光电转换面板的概要构成的示意图。
图3是控制电路的功能框图。
图4是用于说明TFT的特性的变化的图。
图5是用于说明阈值校正模式中的栅极截止电压的图。
图6是示出检查摄像图像的例子的图。
图7是示出黑点像素的坐标信息的例子的图。
图8是用于说明正向移位电压的施加的图。
图9是用于说明TFT的栅极截止阈值电压的正向移位的图。
图10是示出X射线摄像装置的控制处理的流程图。
图11是第2实施方式中的X射线摄像装置的框图。
图12是用于说明第2实施方式中的黑点像素的检测的图。
图13是用于说明第2实施方式的黑点像素的坐标信息的图。
图14是用于说明第2实施方式的TFT的正向移位的图。
图15是第3实施方式中的X射线摄像装置的框图。
图16A是使用检查电压值Vb1生成的检查摄像图像R1的例子的图。
图16B是使用检查电压值Vb2生成的检查摄像图像R2的例子的图。
图17是用于说明第3实施方式的黑点像素的坐标信息的图。
图18是用于说明第3实施方式的TFT的正向移位的图。
图19是示出第3实施方式的X射线摄像装置的控制处理的流程图。
附图标记说明
1…光电转换面板，2…闪烁体，3、203、303…控制部，4…X射线源，5…存储部，10…X射线摄像面板，13…光电二极管，33、233、333…控制电路，33b…图像处理部，33c…检测控制部，33d…阈值校正部，51、251、351…坐标信息，100、200、300…X射线摄像装置。
具体实施方式
以下，基于附图来说明本公开的实施方式。此外，本公开不限于以下的实施方式，能够在满足本公开的构成的范围内适当地进行设计变更。另外，在以下的说明中，针对具有相同部分或者同样功能的部分，在不同的附图之间共同使用相同的附图标记，省略其反复的说明。另外，实施方式和变形例中记载的各构成可以在不脱离本公开的主旨的范围内适当地组合，也可以变更。另外，为了使说明易于理解，在以下所参照的附图中，构成被简化或者示意化地示出，或者一部分构成构件被省略。另外，各图所示的构成构件之间的尺寸比不一定示出实际的尺寸比。
[第1实施方式的构成]
图1是示出第1实施方式中的X射线摄像装置100的示意图。X射线摄像装置100具备：包含光电转换面板1和闪烁体2的X射线摄像面板10、控制部3、X射线源4、存储部5以及操作部6。
控制部3包含栅极驱动电路31、信号读出电路32以及控制电路33。栅极驱动电路31和信号读出电路32连接到光电转换面板1。另外，控制电路33连接到栅极驱动电路31、信号读出电路32以及X射线源4。控制电路33包含执行存储部5中保存的程序的处理器。并且，控制电路33控制由X射线源4进行的X射线的照射和由X射线摄像面板10进行的摄像。
X射线源4对被摄体S照射X射线。透射过被摄体S的X射线在配置于光电转换面板1的上部的闪烁体2中被转换为荧光(以下为闪烁光)。X射线摄像装置100通过在X射线摄像面板10中对闪烁光进行摄像，而由控制部3生成X射线摄像图像。
存储部5例如包含非易失性存储器。存储部5存储有由控制电路33执行的程序、以及由控制电路33写入的黑点像素B(参照图6)的坐标信息51。关于黑点像素B，参照图6在后面叙述，关于坐标信息51，参照图7在后面叙述。
操作部6例如包含接受用户的操作的触摸面板或者配置有多个操作按钮的操作面板。操作部6接受用于选择“通常的摄像模式”和“阈值校正模式”中的任意一者的用户的操作。
在此，“通常的摄像模式”是指在X射线源4与X射线摄像面板10之间配置有被摄体S的状态下从X射线源4对X射线摄像面板10照射X射线并生成X射线摄像图像的模式。“阈值校正模式”是指执行如下一系列的控制处理的模式：在X射线源4与X射线摄像面板10之间不配置被摄体S，从X射线源4对X射线摄像面板10照射X射线，生成X射线摄像图像(检查摄像图像R)，检测黑点像素B，对与该黑点像素B对应的TFT14的栅极施加正向移位电压Vh，从而使TFT14的栅极截止阈值电压Vth正向移位(上升)。
图2是示出光电转换面板1的概要构成的示意图。光电转换面板1配置有多个数据线11和多个栅极线12。在被数据线11和栅极线12包围的区域，配置有光电二极管13和薄膜晶体管(TFT：Thin Film Transistor)14。该区域与作为构成X射线摄像图像(检查摄像图像R)的图像的最小单位的1个像素对应。另外，多个光电二极管13和多个TFT14配置成矩阵状。光电二极管13将对透射过被摄体S的X射线进行转换所得到的闪烁光转换为与其光量相应的电荷。光电转换面板1中的栅极线12被从栅极驱动电路31供应栅极信号而依次切换为选择状态，连接到选择状态的栅极线12的TFT14成为导通状态。当TFT14成为导通状态时，与在光电二极管13中转换得到的电荷相应的信号作为数据信号经由数据线11输出到信号读出电路32。另外，TFT14包含半导体层，所述半导体层例如包括以规定比率含有铟(In)、镓(Ga)以及锌(Zn)的氧化物半导体。
图3是控制电路33的功能框图。如图3所示，控制电路33通过执行存储部5中保存的程序而作为照射控制部33a、图像处理部33b、检测控制部33c以及阈值校正部33d发挥功能。此外，在图3中，将照射控制部33a、图像处理部33b、检测控制部33c以及阈值校正部33d作为功能模块来示出，但也可以按图像处理部33b、检测控制部33c以及阈值校正部33d的每一功能来构成控制电路。
照射控制部33a在通常的摄像模式中在X射线摄像面板10与X射线源4之间配置有被摄体S的状态下从X射线源4对X射线摄像面板10照射X射线。另外，在第1实施方式中，照射控制部33a在阈值校正模式中在X射线摄像面板10与X射线源4之间未配置被摄体S的状态下从X射线源4对X射线摄像面板10照射X射线
图像处理部33b控制栅极驱动电路31来对TFT14供应栅极信号，基于由信号读出电路32从TFT14读出的数据信号来生成X射线摄像图像。具体地，图像处理部33b按每一像素设定与数据信号的电压值相应的像素值。
图4是用于说明TFT14的特性变化的图。图4的虚线是示出未被照射过X射线的崭新的TFT14的特性的曲线，图4的实线是示出被反复照射了X射线的使用过的TFT14的特性的曲线。如图4所示，TFT14当被反复照射X射线时，栅极截止电压的阈值例如会从Vth1降低(负向移位)到Vth2。因此，在栅极截止阈值电压Vth低于从栅极驱动电路31供应的栅极信号的栅极截止电压Va的情况下，TFT14不成为截止的状态(成为导通的状态)，而产生漏电流(光电二极管13的电荷会逃逸)。其结果是，在由图像处理部33b生成的X射线摄像图像中，即使是与被照射了X射线的位置对应的像素，也会被设定低的像素值，而成为黑点的像素(黑点像素B)。
本实施方式的X射线摄像装置100具有阈值校正模式，在所述阈值校正模式中，检测栅极截止阈值电压Vth的负向移位趋势，针对栅极截止阈值电压Vth发生了负向移位的TFT14，进行栅极截止阈值电压Vth的校正。图5是用于说明阈值校正模式中的栅极截止电压的图。在第1实施方式中，在阈值校正模式中，为了检测栅极截止阈值电压Vth发生了负向移位的TFT14，在X射线摄像面板10与X射线源4之间未配置被摄体S的状态下，将具有检查电压值Vb的栅极信号供应到TFT14，检查电压值Vb是比在通常的摄像模式中供应的栅极截止电压Va高的栅极截止电压。在此，X射线摄像面板10的TFT14中的、栅极截止阈值电压Vth负向移位到了比检查电压值Vb低的值的TFT14不成为截止的状态，而成为导通的状态。由此，能够将栅极截止阈值电压Vth处于负向移位趋势的TFT14检测为黑点像素B。即，在阈值校正模式中，能够检测在通常的摄像模式的栅极截止电压Va下不会出现的黑点像素B。
图6是示出检查摄像图像R的例子的图。如图6所示，图像处理部33b基于从TFT14读出的数据信号，生成用于检测黑点像素B的X射线摄像图像即检查摄像图像R。例如，与上述的处于负向移位趋势的TFT14对应的像素作为黑点像素B被包含在检查摄像图像R中。
然后，检测控制部33c从检查摄像图像R检测黑点像素B。具体地，检测控制部33c从检查摄像图像R的全部像素求出像素值的平均值A，基于平均值A来检测黑点像素B。基于平均值A的黑点像素B的检测方法是任意的，例如将具有比平均值A小了平均值A的规定比例以上的像素值(例如，小了10％以上的像素值)的像素检测为黑点像素B。或者，检测控制部33c也可以将具有比平均值A小了平均值A的规定标准偏差以上的像素值(例如，小了3σ以上的像素值)的像素检测为黑点像素B。此外，“σ”意味着标准偏差。由检测控制部33c进行的黑点像素B的上述2个检测方法、规定比例的大小以及规定标准偏差的大小可以设为能够由用户通过操作部6任意地设定，也可以根据X射线摄像装置100的机型来变更。根据上述构成，能够通过比较平均值A和各像素的像素值来容易地检测黑点像素B。此外，在此设为从检查摄像图像R的全部像素求出平均值A，但也可以从一部分像素求出平均值A。
图7是示出黑点像素B的坐标信息51的例子的图。如图7所示，检测控制部33c使存储部5存储检测出的黑点像素B的坐标信息51。例如，坐标信息51包含能确定是与哪一栅极线12对应的TFT14(在图7中为“542”等)并且是与哪一数据线11对应的TFT14(在图7中为“475”等)(1个像素)的信息。此外，坐标信息51不限于图7的例子，只要是能确定黑点像素B的坐标的信息即可。
图8是用于说明正向移位电压Vh的施加的图。图9是用于说明TFT14a的栅极截止阈值电压Vth的正向移位的图。在图8中，设为与黑点像素B对应的TFT是TFT14a。另外，将连接到TFT14a的数据线设为数据线11a，将连接到TFT14a的栅极线设为栅极线12a。阈值校正部33d基于TFT14a的坐标信息51对TFT14a的栅极施加正向移位电压Vh，如图9所示，使该TFT14a的栅极截止阈值电压上升。栅极截止阈值电压例如上升到TFT14的设计值为止。即，正向移位电压Vh的电压值是能使栅极截止阈值电压Vth上升到TFT14的设计值为止的电压值。如图9所示，TFT14a的特性从虚线的曲线的状态变化为实线的曲线的状态。正向移位电压Vh具有能使TFT14的栅极截止阈值电压Vth上升的电压值。该电压值是基于TFT14的材质等预先设定的。正向移位电压Vh例如具有比TFT14a的栅极导通电压高的电压值。此时，阈值校正部33d对连接到TFT14a的栅极线12a施加正向移位电压Vh，并且对连接到TFT14a的数据线11a施加读出电压Vd，使TFT14a的栅极-源极间产生电位差。阈值校正部33d可以对TFT14a施加1次正向移位电压Vh，也可以反复施加。这样，能够校正与黑点像素B对应的TFT14a的栅极截止阈值电压Vth。在存在多个黑点像素B的情况下，只要基于与多个黑点像素B对应的多个TFT14a各自的坐标信息51对各个TFT14a进行栅极截止阈值电压Vth的校正即可。
根据上述构成，由于不是检测线条伪影(亮点)而是检测黑点像素B，因此不设置高输出的X射线源就能够按每一像素检测易于产生漏电流的TFT14a中的、栅极截止阈值电压Vth发生了负向移位的TFT14a。并且，能够对发生了负向移位的TFT14a施加正向移位电压Vh来使该TFT14a的栅极截止阈值电压Vth上升，因此不设置高输出的X射线源就能够按每一像素来提高画质。
[第1实施方式的控制方法]
接着，参照图10说明第1实施方式的X射线摄像装置100的控制方法。图10是示出X射线摄像装置100的控制处理的流程图。下述的控制处理(阈值校正模式)由控制电路33执行。此外，省略通常的摄像模式中的控制处理的说明。
在步骤S1中，判断是否选择了“阈值校正模式”。在选择了“阈值校正模式”的情况下，前进至步骤S2。即，以下的步骤S2～S7是在“阈值校正模式”中执行的控制处理。
在步骤S2中，栅极截止电压被设定为检查电压值Vb。然后，在步骤S3中，在X射线源4与X射线摄像面板10之间未配置被摄体S的状态下从X射线源4对X射线摄像面板10照射X射线。然后，在步骤S4中，将包含检查电压值Vb的栅极截止电压的栅极信号供应到各TFT14来获取数据信号，基于数据信号生成检查摄像图像R(X射线摄像图像)。
然后，在步骤S5中，从检查摄像图像R检测黑点像素B。例如，将比检查摄像图像R的全部像素的平均值A小了平均值A的规定比例或者平均值A的规定标准偏差以上的像素检测为黑点像素B。然后，在步骤S6中，将检测出的黑点像素B的坐标信息51存储到存储部5。
然后，在步骤S7中，基于坐标信息51，对连接到与黑点像素B对应的TFT14a的栅极线12a施加正向移位电压Vh，对连接到TFT14a的数据线11a施加读出电压Vd。由此，如图9所示，TFT14a的栅极截止阈值电压Vth正向移位(上升)。之后，X射线摄像装置100的控制处理(阈值校正模式中的控制处理)结束。根据上述控制方法，不设置高输出的X射线源就能够按每一像素来提高画质。另外，通过阈值校正模式的动作，能够检测栅极截止阈值电压处于负向移位趋势的TFT14，校正栅极截止阈值电压。由此，能够将由X射线摄像装置100的反复使用所伴有的栅极截止阈值电压的负向移位导致的对摄像图像的不良影响防患于未然。
[第2实施方式]
参照图11～图14说明第2实施方式中的X射线摄像装置200的构成。图11是第2实施方式中的X射线摄像装置200的框图。图12是用于说明第2实施方式中的黑点像素B1和B2的检测的图。图13是用于说明黑点像素B1和B2的坐标信息251的图。图14是用于说明第2实施方式的TFT14的正向移位的图。在第2实施方式中，X射线摄像装置200检测负向移位的程度不同的黑点像素B1和B2，将与负向移位的程度相应的正向移位电压Vh1和Vh2施加到TFT14。此外，针对与第1实施方式同样的构成，使用与第1实施方式相同的附图标记并省略说明。
如图11所示，X射线摄像装置200包含具有控制电路233的控制部203。另外，在存储部5中，存储黑点像素B1和B2的坐标信息251(参照图13)。如图12所示，第2实施方式的控制电路233(检测控制部)算出检查摄像图像R的至少2个以上的像素(例如全部像素)的像素值的平均值A1。并且，控制电路233将具有比平均值A1小了第1比例(例如5％)以上且第2比例(例如10％)以下的像素值的像素检测为黑点像素B2。并且，控制电路233将具有比平均值A1小了第2比例(例如10％)以上的像素值的像素检测为黑点像素B1。或者，控制电路233将具有比平均值A1小了第1标准偏差(2σ)以上且第2标准偏差(3σ)以下的像素值的像素检测为黑点像素B2。并且，控制电路233将具有比平均值A1小了第2标准偏差(3σ)以上的像素值的像素检测为黑点像素B1。由此，能够分别检测负向移位的程度比较大的黑点像素B1、以及与黑点像素B1相比负向移位的程度较小的黑点像素B2。
如图13所示，控制电路233将检测出的黑点像素B1和B2的坐标信息251存储到存储部5。并且，如图14所示，控制电路233对与黑点像素B1对应的TFT14的栅极施加正向移位电压Vh1，对与黑点像素B2对应的TFT14的栅极施加比正向移位电压Vh1低的正向移位电压Vh2。与黑点像素B1对应的TFT14的栅极截止阈值电压Vth正向移位，与黑点像素B2对应的TFT14的栅极截止阈值电压Vth正向移位。此外，其它构成和效果与第1实施方式是同样的。
[第3实施方式]
参照图15～图17说明第3实施方式中的X射线摄像装置300的构成。图15是第3实施方式中的X射线摄像装置300的框图。图16A是使用检查电压值Vb1生成的检查摄像图像R1的例子的图，图16B是使用检查电压值Vb2生成的检查摄像图像R2的例子的图。图17是用于说明黑点像素B11和B12的坐标信息351的图。图18是用于说明第3实施方式的TFT14的正向移位的图。在第3实施方式中，X射线摄像装置300使用两级的检查电压值Vb1和Vb2来生成检查摄像图像R1和R2，检测负向移位的程度不同的黑点像素B11和B12。此外，针对与第1或第2实施方式同样的构成，使用与第1或第2实施方式相同的附图标记并省略说明。
如图15所示，X射线摄像装置300包含具有控制电路333的控制部303。另外，在存储部5中，存储黑点像素B11和B12的坐标信息351(参照图17)。如图16A所示，第3实施方式的控制电路333(图像处理部)基于使用具有比对被摄体S进行摄像的情况下的电压值Va高的检查电压值Vb1的栅极截止电压所获取到的数据信号，来生成检查摄像图像R1。另外，如图16B所示，控制电路333(图像处理部)基于使用具有在电压值Va以上并且比检查电压值Vb1低的检查电压值Vb2的栅极截止电压所获取到的数据信号，来生成检查摄像图像R2。
第3实施方式的控制电路333(检测控制部)将在检查摄像图像R1和R2这两者中均作为黑点像素B被检测出的像素检测为负向移位的程度大的黑点像素B11。并且，控制电路333(检测控制部)将仅在检查摄像图像R1中作为黑点像素B被检测出的像素检测为负向移位的程度比较小的黑点像素B12。然后，如图17所示，控制电路333将检测出的黑点像素B11和B12的坐标信息351存储到存储部5。然后，如图18所示，控制电路333对与黑点像素B11对应的TFT14的栅极施加正向移位电压Vh11，对与黑点像素B12对应的TFT14的栅极施加比正向移位电压Vh11低的正向移位电压Vh12。与黑点像素B11对应的TFT14的栅极截止阈值电压Vth正向移位，与黑点像素B12对应的TFT14的栅极截止阈值电压Vth正向移位。此外，其它构成和效果与第1实施方式是同样的。
[第3实施方式的控制方法]
接着，参照图19对第3实施方式的X射线摄像装置300的控制方法进行说明。图19是示出X射线摄像装置300的控制处理的流程图。下述的控制处理由控制电路333执行。
在步骤S1中，判断是否选择了“阈值校正模式”。在进行了该操作的情况下，前进至步骤S102。在步骤S102中，栅极截止电压被设定为检查电压值Vb1。然后，在步骤S103中，在X射线源4与X射线摄像面板10之间未配置被摄体S的状态下从X射线源4对X射线摄像面板10照射X射线。然后，在步骤S104中，将包含检查电压值Vb1的栅极截止电压的栅极信号供应到各TFT14来获取数据信号，基于数据信号生成检查摄像图像R1。
然后，在步骤S105中，栅极截止电压被设定为检查电压值Vb2。然后，在步骤S106中，在X射线源4与X射线摄像面板10之间未配置被摄体S的状态下从X射线源4对X射线摄像面板10照射X射线。然后，在步骤S107中，将包含检查电压值Vb2的栅极截止电压的栅极信号供应到各TFT14来获取数据信号，基于数据信号生成检查摄像图像R2。
在步骤S108中，从检查摄像图像R1和R2检测黑点像素B11和B12。例如，将在检查摄像图像R1和R2这两者中均作为黑点像素被检测出的像素检测为黑点像素B11，将仅在检查摄像图像R1中作为黑点像素被检测出的像素检测为黑点像素B12。然后，在步骤S109中，将检测出的黑点像素B11和B12的坐标信息351存储到存储部5。
然后，在步骤S110中，基于坐标信息351，对连接到与黑点像素B11的坐标对应的TFT14的栅极线12施加正向移位电压Vh21，对连接到该TFT14的数据线11施加读出电压Vd。另外，基于坐标信息351，对连接到与黑点像素B12的坐标对应的TFT14的栅极线12施加正向移位电压Vh22，对连接到该TFT14的数据线11施加读出电压Vd。由此，如图18所示，TFT14的栅极截止阈值电压Vth正向移位(上升)。之后，X射线摄像装置300的控制处理(阈值校正模式中的控制处理)结束。
以上，虽然说明了实施方式，但上述的实施方式不过是用于实施本公开的例示。因而，本公开不限于上述的实施方式，能够在不脱离其主旨的范围内将上述的实施方式适当地变形来实施。
(1)在上述第1～第3实施方式中，示出了根据用户对操作部的操作来执行阈值校正模式的例子，但本公开不限于此。也可以不依赖于用户对操作部的操作来执行阈值校正模式。
(2)在上述第1～第3实施方式中，如图10所示，示出了在连续的控制处理中执行黑点像素的检测、以及对TFT的栅极进行的正向移位电压的施加的例子，但本公开不限于此。例如，黑点像素的检测与对TFT的栅极进行的正向移位电压的施加也可以在不同的时期执行。例如，也可以在进行了多次黑点像素B的检测后对TFT的栅极进行1次正向移位电压的施加。
(3)在上述第1～第3实施方式中，示出了为了生成检查摄像图像而将检查电压值设定为与对被摄体进行摄像时的栅极截止电压(通常的栅极截止电压)不同的电压的例子，但本公开不限于此。例如，也可以为了生成检查摄像图像而将检查电压值设定为与对被摄体进行摄像时的栅极截止电压(通常的栅极截止电压)相同的电压。
(4)在上述第1～第3实施方式中，示出了为了进行黑点像素的检测而算出检查摄像图像的全部像素的平均值的例子，但本公开不限于此。例如，也可以为了进行黑点像素的检测而算出检查摄像图像的一部分像素的平均值。
(5)在上述第1～第3实施方式中，示出了为了进行黑点像素的检测而算出检查摄像图像的像素的平均值的例子，但本公开不限于此。例如，也可以为了进行黑点像素的检测而算出检查摄像图像的像素的中间值或者众数值。在这种情况下，基于中间值或者众数值的黑点像素的检测方法是任意的，例如，在算出了中间值的情况下，可以采用将具有比中间值小了中间值的规定比例以上的像素值的像素检测为黑点像素的方法，也可以采用将具有比中间值小了中间值的规定标准偏差以上的像素值的像素检测为黑点像素的方法。另外，在算出了众数值的情况下，可以采用将具有比众数值小了众数值的规定比例以上的像素值的像素检测为黑点像素的方法，也可以采用将具有比众数值小了众数值的规定标准偏差以上的像素值的像素检测为黑点像素的方法。
上述X射线摄像装置及其控制方法也能够如下所示进行说明。
第1构成是一种X射线摄像装置，具备：X射线源；X射线摄像面板，其包含将从X射线源照射的X射线转换为光的闪烁体、将来自该闪烁体的光转换为电信号的光电转换元件、以及连接到该光电转换元件的薄膜晶体管；以及控制部，其控制由X射线源进行的X射线的照射和由X射线摄像面板进行的摄像，控制部包含：图像处理部，其对薄膜晶体管供应栅极信号，基于从薄膜晶体管读出的数据信号来生成检查摄像图像，所述检查摄像图像是在X射线源与X射线摄像面板之间未配置被摄体的状态下进行摄像所得到的摄像图像；检测控制部，其从检查摄像图像检测黑点像素；以及阈值校正部，其对与黑点像素对应的薄膜晶体管的栅极施加使该薄膜晶体管的栅极截止阈值电压上升的正向移位电压(第1构成)。
根据上述第1构成，由于不是检测线条伪影(亮点)而是检测黑点像素，因此不设置高输出的X射线源就能够检测易于产生漏电流的薄膜晶体管。并且，能够通过检测黑点像素来按每一像素检测栅极截止阈值电压发生了负向移位的薄膜晶体管。并且，能够对发生了负向移位的薄膜晶体管施加正向移位电压来使该薄膜晶体管的栅极截止阈值电压上升，因此能够按每一像素来提高画质。
在第1构成中也可以是，图像处理部构成为将具有检查电压值的栅极信号供应到薄膜晶体管，基于从薄膜晶体管读出的数据信号来生成检查摄像图像，所述检查电压值是比在对被摄体进行摄像的情况下供应到薄膜晶体管的栅极截止电压高的栅极截止电压(第2构成)。
根据上述第2构成，能够检测在对被摄体进行摄像的情况(通常的摄像)的栅极截止电压下不会出现的黑点像素，因此，能够在对被摄体进行摄像的情况下作为黑点出现之前使薄膜晶体管的栅极截止阈值电压正向移位。其结果是，在对被摄体进行摄像的情况下不会出现黑点，因此，能够提高图像质量。
在第1或第2构成中也可以是还具备存储部，检测控制部也可以构成为使存储部存储与黑点像素对应的坐标的信息，阈值校正部也可以构成为对基于坐标的信息的薄膜晶体管的栅极施加正向移位电压(第3构成)。
根据上述第3构成，能够基于存储部中存储的坐标的信息，容易地确定应施加正向移位电压的对象的薄膜晶体管。
在第1～第3构成中的任意1个构成中也可以是，检测控制部构成为将比摄像图像中的2个以上的像素的像素值的平均值、中间值或者众数值之中的任意一个值小了规定值以上的像素检测为黑点像素(第4构成)。
根据上述第4构成，能够通过将平均值、中间值或者众数值之中的任意一个值与各像素的像素值进行比较来容易地检测黑点像素。
第5构成是一种X射线摄像装置的控制方法，所述X射线摄像装置具备：X射线源；以及X射线摄像面板，其包含将从X射线源照射的X射线转换为光的闪烁体、将来自该闪烁体的光转换为电信号的光电转换元件、以及连接到该光电转换元件的薄膜晶体管，所述X射线摄像装置的控制方法具备：从X射线源对X射线摄像面板照射X射线的步骤；对薄膜晶体管供应栅极信号，基于从薄膜晶体管读出的数据信号来获取检查摄像图像的步骤，所述检查摄像图像是在X射线源与X射线摄像面板之间未配置被摄体的状态下进行摄像所得到的摄像图像；从检查摄像图像检测黑点像素的步骤；以及对与黑点像素对应的薄膜晶体管的栅极施加使该薄膜晶体管的栅极截止阈值电压上升的正向移位电压的步骤(第5构成)。
根据上述第5构成，与上述第1构成同样，不设置高输出的X射线源就能够按每一像素来提高画质。

Claims (5)

1.一种X射线摄像装置，其特征在于，具备：
X射线源；
X射线摄像面板，其包含将从上述X射线源照射的X射线转换为光的闪烁体、将来自该闪烁体的光转换为电信号的光电转换元件、以及连接到该光电转换元件的薄膜晶体管；以及
控制部，其控制由上述X射线源进行的X射线的照射和由上述X射线摄像面板进行的摄像，
上述控制部包含：
图像处理部，其对上述薄膜晶体管供应栅极信号，基于从上述薄膜晶体管读出的数据信号来生成检查摄像图像，所述检查摄像图像是在上述X射线源与上述X射线摄像面板之间未配置被摄体的状态下进行摄像所得到的摄像图像；
检测控制部，其从上述检查摄像图像检测黑点像素；以及
阈值校正部，其对与上述黑点像素对应的薄膜晶体管的栅极施加使该薄膜晶体管的栅极截止阈值电压上升的正向移位电压。
2.根据权利要求1所述的X射线摄像装置，其中，
上述图像处理部将具有检查电压值的栅极信号供应到上述薄膜晶体管，基于从上述薄膜晶体管读出的数据信号来生成上述检查摄像图像，所述检查电压值是比在对被摄体进行摄像的情况下供应到上述薄膜晶体管的栅极截止电压高的栅极截止电压。
3.根据权利要求1或2所述的X射线摄像装置，其中，
还具备存储部，
上述检测控制部使上述存储部存储与上述黑点像素对应的坐标的信息，
上述阈值校正部对基于上述坐标的信息的薄膜晶体管的栅极施加上述正向移位电压。
4.根据权利要求1至3中的任意一项所述的X射线摄像装置，其中，
上述检测控制部将比上述摄像图像中的2个以上的像素的像素值的平均值、中间值或者众数值之中的任意一个值小了规定值以上的像素检测为上述黑点像素。
5.一种X射线摄像装置的控制方法，所述X射线摄像装置具备：
X射线源；以及
X射线摄像面板，其包含将从上述X射线源照射的X射线转换为光的闪烁体、将来自该闪烁体的光转换为电信号的光电转换元件、以及连接到该光电转换元件的薄膜晶体管，
所述X射线摄像装置的控制方法的特征在于，具备：
从上述X射线源对上述X射线摄像面板照射X射线的步骤；
对上述薄膜晶体管供应栅极信号，基于从上述薄膜晶体管读出的数据信号来获取检查摄像图像的步骤，所述检查摄像图像是在上述X射线源与上述X射线摄像面板之间未配置被摄体的状态下进行摄像所得到的摄像图像；
从上述检查摄像图像检测黑点像素的步骤；以及
对与上述黑点像素对应的薄膜晶体管的栅极施加使该薄膜晶体管的栅极截止阈值电压上升的正向移位电压的步骤。
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