CN115459735A - 一种可调节镀膜前频率的石英晶片 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种可调节镀膜前频率的石英晶片，包括：晶片组件和两个用于调整石英晶片的镀膜前频率的调整组件，晶片组件包括晶片本体，晶片本体的两对侧的表面分别形成有用于蚀刻电极的凸台结构，调整组件包括至少一个调整块，至少两个调整块分别连接于晶片本体的两对侧，并沿凸台结构的周向设置，用于调整晶片本体的镀膜前频率和镀膜厚度，以使得通过调整电极的边比来得到具有良好电性能参数的石英晶片。本发明能解决现有技术中因石英晶片的镀膜前频率、镀膜厚度以及电极边比均为可变量，因此不利于设计得到电性能参数良好的石英晶片的问题。
Description
技术领域
本发明涉及晶体谐振器技术领域，尤其涉及一种可调节镀膜前频率的石英晶片。
背景技术
石英晶片是频率控制、选择器件(晶体谐振器、滤波器等)的关键部分，是器件的核心。在电子产品小型化趋势下，传统的切割、研磨、抛光工艺无法满足小尺寸晶片的加工精度要求。小尺寸晶片半导体工艺的光刻技术，具有精度高、微纳米加工的特点，可满足和提高小尺寸晶片加工的精度。
为了设计得到具有良好电性能参数的石英晶片，可以通过调整改变石英晶片的镀膜前频率、镀膜厚度以及电极边比来实现。但通常石英晶片的镀膜前频率、镀膜厚度以及电极边比均为可变量，因此不利于设计研究的展开来得到电性能参数良好的石英晶片。
因此，亟需一种可调节镀膜前频率的石英晶片，用于解决现有技术中因石英晶片的镀膜前频率、镀膜厚度以及电极边比均为可变量，因此不利于设计得到电性能参数良好的石英晶片的问题。
发明内容
有鉴于此，有必要提供一种可调节镀膜前频率的石英晶片，解决现有技术中因镀膜前的频率、镀膜厚度以及电极边比在设计中均属于可变量，因此不利于设计得到电性能参数良好的石英晶片的技术问题。
为达到上述技术目的，本发明的技术方案提供一种可调节镀膜前频率的石英晶片，包括：
晶片组件，包括晶片本体，所述晶片本体的两对侧的表面分别形成有用于蚀刻电极的凸台结构；
两个调整组件，包括至少一个调整块，至少两个所述调整块分别连接于所述晶片本体的两对侧，并沿所述凸台结构的周向设置，用于调整所述晶片本体的镀膜前频率和镀膜厚度，以使得通过调整所述电极的边比来得到具有良好电性能参数的石英晶片。
进一步的，所述晶片组件还包括两个激励电极，所述激励电极与所述电极一一对应设置，并延伸连接于所述晶片本体两对侧的表面，两个所述激励电极均设置于所述晶片本体的一端，并连接于所述晶片本体的同一侧。
进一步的，所述调整组件中所述调整块的数量为多个，多个所述调整块设置于所述晶片本体沿长度方向的一侧或两侧。
进一步的，所述调整块设置于两个所述激励电极之间。
进一步的，设置于所述晶片本体另一端的两个所述调整块相互间隔设置。
进一步的，所述凸台结构包括第一分段和第二分段，所述第一分段相对所述第二分段远离所述晶片本体设置，所述电极沿所述第一分段的表面延伸设置，并覆盖连接于所述第一分段的表面。
进一步的，所述第一分段的横截面积小于或者等于与所述第二分段的横截面积。
进一步的，所述晶片本体沿长度方向的两侧壁分别设置有斜坡，且所述晶片本体的横截面积呈平行四边形。
进一步的，所述晶片本体的一端还设置有第一粗糙区，所述第一粗糙区沿所述晶片本体的一端的外表面均匀设置，用于减少振动能量的损失。
进一步的，所述晶片本体的另一端设置有第二粗糙区，所述第二粗糙区沿所述晶片本体的另一端的外表面均匀设置，用于减少振动能量的损失。
与现有技术相比，本发明的有益效果包括：晶片本体的两对侧的表面分别设置有用于蚀刻电极的凸台结构，晶片本体的两对侧的表面还分别设置有调整组件，其中至少一个调整块沿电极的周向设置，并连接于晶片本体，用于改变晶片的整体质量，从而得到不同的镀膜前频率，不同的镀膜前频率会决定或确定得到不同的镀膜厚度，这样通过确定的镀膜频率有利于通过调整电极边比来找到合适的边比来得到电阻较小的晶片，相比于现有技术，将镀膜前的频率、镀膜厚度以及电极边这三个可变量中镀膜前的频率和镀膜厚度进行明确，通过调整和设计合适的电极边比便可等到电性能参数良好的石英晶片。
附图说明
图1是本发明实施例所提供的一种可调节镀膜前频率的石英晶片的三维结构示意图；
图2是本发明实施例所提供的调整块和凸台结构连接于晶片本体的三维结构示意图；
图3是本发明实施例所提供的一种可调节镀膜前频率的石英晶片的俯视图；
图4是沿图3中A-A线的剖视图；
图5是沿图3中B-B线的剖视图。
具体实施方式
下面结合附图来具体描述本发明的优选实施例，其中，附图构成本申请一部分，并与本发明的实施例一起用于阐释本发明的原理，并非用于限定本发明的范围。
请参阅图1、图2，本发明提供了一种可调节镀膜前频率的石英晶片，包括：晶片组件1和两个用于调整石英晶片的镀膜前频率的调整组件2，晶片组件1包括晶片本体11，晶片本体11的两对侧的表面分别形成有用于蚀刻电极3的凸台结构12，调整组件2包括至少一个调整块21，至少两个调整块21分别连接于晶片本体11的两对侧，并沿凸台结构12的周向设置，用于调整晶片本体11的镀膜前频率和镀膜厚度，以使得通过调整电极3的边比来得到具有良好电性能参数的石英晶片。
本装置中，晶片本体11的两对侧的表面分别设置有用于蚀刻电极3的凸台结构12，晶片本体11的两对侧的表面还分别设置有调整组件2，其中至少一个调整块21沿电极3的周向设置，并连接于晶片本体11，用于改变晶片的整体质量，从而得到不同的镀膜前频率，不同的镀膜前频率会决定或确定得到不同的镀膜厚度，这样通过确定的镀膜频率有利于通过调整电极3边比来找到合适的边比来得到电阻较小的晶片，相比于现有技术，将镀膜前的频率、镀膜厚度以及电极3边这三个可变量中镀膜前的频率和镀膜厚度进行明确，通过调整和设计合适的电极3边比便可等到电性能参数良好的石英晶片。
可以理解，本发明相比现有技术，在不改变石英晶片长、宽及厚度的情况下，通过在石英晶片的表面设置调整块21，来增加石英晶片的厚度，以此来调整石英晶片的镀膜前频率和电极3镀膜的厚度，使得在设计过程中，仅通过调整蚀刻电极3的长度和宽度的尺寸，来设计得到具有良好电性能参数的石英晶片。
进一步地，调整块21的设置可调节电极3区和非电极3区的截止频率，进而起到抑制能陷寄生波的作用，减少电阻DIP的产生，同时通过调整台阶的大小和位置可减少非电极3区的能量衰减损失，进而可降低阻抗，减小电阻和增加Q值。
如图1、图2所示，晶片组件1还包括两个激励电极13，激励电极13与电极3一一对应设置，并延伸连接于晶片本体11两对侧的表面，两个激励电极13均设置于晶片本体11的一端，并连接于晶片本体11的同一侧。
可以理解，激励电极13连接于石英晶片的表面，用于将电极3与外部电源实现电性连接，此处不作过多阐述。
进一步地，两个激励电极13分别设置于石英晶片的一端的同一侧，可以方便石英晶片与谐振器的基体相粘接。
如图1、图2所示，调整组件2中调整块21的数量为多个，多个调整块21设置于晶片本体11沿长度方向的一侧或两侧。
可以理解，为了得到相对较好的镀膜前频率，可以适应性的在石英晶片的一端或者两端分别设置一个或者多个调整块21，具体情况根据需要进行调整和改变。
其中作为一种实施方式，为了避免激励电极13与调整块21的安装发生干涉，调整块21设置于两个激励电极13之间。
其中作为一种实施方式，为了得到更好的减少振动能量损失，设置于晶片本体11另一端的两个调整块21相互间隔设置。
如图1至图5所示，凸台结构12包括第一分段和第二分段，第一分段相对第二分段远离晶片本体11设置，电极3沿第一分段的表面延伸设置，并覆盖连接于第一分段的表面。
可以理解，激励电极13的结构配合凸台结构12的结构设计为一段或者两端式，有利于振动能量的传动和减少振动能量的损失。
其中作为一种实施方式，第一分段的横截面积小于或者等于与第二分段的横截面积。
可以理解，调整块21的结构可以配合凸台结构12的结构设计为一段或者两端式，有利于振动能量的传动和减少振动能量的损失。
其中作为一种实施方式，如图1、图4及图5所示，晶片本体11沿长度方向的两侧壁分别设置有斜坡14，且晶片本体11的横截面积呈平行四边形。
可以理解，在石英晶片的宽度方向设计出宽度较长的斜坡14，弹性波在晶片斜坡14上传播时能够快速衰减，将能量“陷”在晶片区域，减小电阻。
其中作为一种较佳的实施方式，晶片本体11的一端还设置有第一粗糙区15，第一粗糙区15沿晶片本体11的一端的外表面均匀设置，用于减少振动能量的损失。
进一步地，晶片本体11的另一端设置有第二粗糙区16，第二粗糙区16沿晶片本体11的另一端的外表面均匀设置，用于减少振动能量的损失。
具体的，弹性波在长度方向上的第一粗糙区15和第二粗糙区16上传播时能够快速衰减，将能量“陷”在晶片区域，减小电阻，可通过调整粗糙区域的尺寸来消除长度方向寄生波的产生，且第二粗糙区16设置于点胶侧，可有效增加胶点的附着力，防止跌落时晶片脱离点胶位置，增加晶片的跌落可靠性。
进一步地，本发明中第一粗糙区15或第二粗糙区16的设置可以沿石英晶片的端部的周向外壁整体设置或者部分设置，均能起到减少振动能量损失的作用。
本发明的具体工作流程，晶片本体11的两对侧的表面分别设置有用于蚀刻电极3的凸台结构12，晶片本体11的两对侧的表面还分别设置有调整组件2，其中至少一个调整块21沿电极3的周向设置，并连接于晶片本体11，用于改变晶片的整体质量，从而得到不同的镀膜前频率，不同的镀膜前频率会决定或确定得到不同的镀膜厚度，这样通过确定的镀膜频率有利于通过调整电极3边比来找到合适的边比来得到电阻较小的晶片，相比于现有技术，将镀膜前的频率、镀膜厚度以及电极3边这三个可变量中镀膜前的频率和镀膜厚度进行明确，通过调整和设计合适的电极3边比便可等到电性能参数良好的石英晶片。
通过上述结构，在不改变石英晶片长、宽及厚度的情况下，通过在石英晶片的表面设置调整块21，来增加石英晶片的厚度，以此来调整石英晶片的镀膜前频率和电极3镀膜的厚度，使得在设计过程中，仅通过调整蚀刻电极3的长度和宽度的尺寸，来设计得到具有良好电性能参数的石英晶片。
以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种可调节镀膜前频率的石英晶片，其特征在于，包括：
晶片组件，包括晶片本体，所述晶片本体的两对侧的表面分别设置有凸台结构，用于形成电极的振荡工作区；
两个调整组件，包括至少一个调整块，所述调整块分别连接于所述晶片本体的两对侧，并沿所述凸台结构的周向设置，用于调整所述晶片本体的镀膜前频率和镀膜厚度，以使得通过调整所述凸台结构的边比来得到具有良好电性能参数的石英晶片。
2.根据权利要求1所述可调节镀膜前频率的石英晶片，其特征在于，所述晶片组件还包括两个激励电极，所述激励电极与所述电极一一对应设置，并延伸连接于所述晶片本体两对侧的表面，两个所述激励电极均设置于所述晶片本体的一端，并连接于所述晶片本体的同一侧。
3.根据权利要求2所述可调节镀膜前频率的石英晶片，其特征在于，所述调整组件中所述调整块的数量为多个，多个所述调整块设置于所述晶片本体沿长度方向的一侧或两侧。
4.根据权利要求3所述可调节镀膜前频率的石英晶片，其特征在于，所述调整块设置于两个所述激励电极之间。
5.根据权利要求3所述可调节镀膜前频率的石英晶片，其特征在于，设置于所述晶片本体另一端的两个所述调整块相互间隔设置。
6.根据权利要求3所述可调节镀膜前频率的石英晶片，其特征在于，所述凸台结构包括第一分段和第二分段，所述第一分段相对所述第二分段远离所述晶片本体设置，所述电极沿所述第一分段的表面延伸设置，并覆盖连接于所述第一分段的表面。
7.根据权利要求6所述可调节镀膜前频率的石英晶片，其特征在于，所述第一分段的横截面积小于或者等于与所述第二分段的横截面积。
8.根据权利要求1所述可调节镀膜前频率的石英晶片，其特征在于，所述晶片本体沿长度方向的两侧壁分别设置有斜坡，且所述晶片本体的横截面积呈平行四边形。
9.根据权利要求2所述可调节镀膜前频率的石英晶片，其特征在于，所述晶片本体的一端还设置有第一粗糙区，所述第一粗糙区沿所述晶片本体的一端的外表面均匀设置，用于减少振动能量的损失。
10.根据权利要求9所述可调节镀膜前频率的石英晶片，其特征在于，所述晶片本体的另一端设置有第二粗糙区，所述第二粗糙区沿所述晶片本体的另一端的外表面均匀设置，用于减少振动能量的损失。
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