CN111342796A - 具有无源辅助器件的滤波器单元、滤波器和电子设备 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种滤波器单元，包括功能基底，设置于所述功能基底的功能器件，与功能基底对置的封装基底，以及设置于所述功能基底的无源辅助器件。所述功能器件包括：串联支路谐振器单元，具有多个串联谐振器；和并联支路谐振器单元，具有多个并联谐振器，每一个并联谐振器的一端连接到对应串联谐振器的端口且另一端接地。所述无源辅助器件网络包括辅助电感，辅助电感的一端与对应的并联谐振器的顶电极电连接且处于同一层；且所述辅助电感的另一端经由穿过压电层的第一过孔和与所述对应的谐振器的底电极同层的电连接层与功能基底上的第二过孔电连接。本发明也涉及一种滤波器以及具有该滤波器的电子设备。
Description
技术领域
本发明的实施例涉及半导体领域，尤其涉及一种滤波器单元，具有该滤波器单元的滤波器以及一种具有该滤波器单元或者滤波器的电子设备。
背景技术
射频滤波器是各种无线通讯系统射频前端中必不可少的重要器件之一，它能够有效滤除各种无用信号及噪声，降低各通信频道间的信号干扰，从而保障通信设备的正常工作，实现高质量通信，进而达到频谱资源的有效利用。
近年来随着无线移动通讯技术的快速发展，无线通讯设备逐渐向着便携式、多功能、高性能、低成本方向发展，促使电子元器件也朝着小型化、高集成、高可靠性、高良率的方向发展，射频滤波器也不例外。
在滤波器模块中，不仅包含滤波器芯片，还包含例如辅助电感及电容网络等的无源器件辅助网络(IPD)与滤波器芯片相连接，用于实现最终滤波器性能要求。在传统技术中，无源器件辅助网络并非设置在滤波器芯片上，如图1所示，滤波器芯片上并未设置无源器件辅助网络。图1示出了现有技术中的滤波器芯片100的一个示例，其中：附图标记110为垫片(Pad)，附图标记130为器件有效区域或功能区域，附图标记150为金属通孔(过孔)。器件有效区域130具有单端-单端梯形结构，由多个串联连接的压电声波谐振器S131、S132、S133、S134和多个并联连接的压电声波谐振器P131、P132、P133构成。器件有效区域130具有输入端(IN)和输出端(OUT)。在图1中，附图标记170表示IPD，附图标记190表示封装基底。
现有技术中，无源器件辅助网络往往是在滤波器芯片外借助于分立元件实现，通常采用表面贴装技术或者通过设计复杂的多层封装基底实现无源器件的集成。这虽然在一定程度上满足了小型化的设计要求，但设计的复杂度与制造成本也相应的增加。
发明内容
为缓解或解决使用现有技术中的上述问题的至少一个方面，提出本发明。
根据本发明的实施例的一个方面，提出了一种滤波器单元，包括：
功能基底；
功能器件，设置于所述功能基底，所述功能器件包括：
串联支路谐振器单元，具有多个串联谐振器；和
并联支路谐振器单元，具有多个并联谐振器，每一个并联谐振器的一端连接到对应串联谐振器的端口且另一端接地；和
封装基底，与功能基底对置，
其中：
所述滤波器单元还包括设置于所述功能基底的无源辅助器件网络模块。
可选的，所述无源辅助器件网络模块包括至少一个辅助电感。
进一步的，至少一个并联谐振器的另一端通过对应的辅助电感接地。
进一步的，所述辅助电感的一端与对应的并联谐振器的对应电极电连接且处于同一层。
可选的，所述辅助电感的一端与对应的并联谐振器的顶电极电连接且处于同一层；且所述辅助电感的另一端经由穿过压电层的第一过孔和与所述对应的谐振器的底电极同层的电连接层与功能基底上的第二过孔电连接。
或者可选的，所述辅助电感的一端与对应的并联谐振器的底电极电连接且处于同一层；且所述辅助电感的另一端经由穿过压电层的第一过孔和与所述对应的谐振器的顶电极同层的电连接层与功能基底上的第二过孔电连接。
可选的，所述至少一个辅助电感包括第一辅助电感和第二辅助电感；所述第一辅助电感与对应的并联谐振器的底电极电连接且处于同一层；所述第二辅助电感与所述对应的并联谐振器的顶电极间隔开且处于同一层；所述第一辅助电感通过第一过孔与第二辅助电感形成电连接，且第二辅助电感通过与所述对应的并联谐振器的顶电极同层的电连接层与功能基底上的第二过孔电连接。
可选的，所述辅助电感的一端通过穿过压电层的第一过孔与对应的并联谐振器的底电极电连接，与所述对应的并联谐振器的顶电极间隔开且处于同一层，所述辅助电感的另一端与功能基底上的第二过孔电连接；或者所述辅助电感的一端通过穿过压电层的第一过孔与对应的并联谐振器的顶电极电连接，与所述对应的并联谐振器的底电极间隔开且处于同一层，所述辅助电感的另一端与功能基底上的第二过孔电连接。
可选的，所述无源辅助器件网络模块包括辅助电容而没有包括辅助电感。进一步的，所述辅助电容的第一电极板连接到一个并联谐振器与串联谐振器的连接节点，所述辅助电容的第二电极板连接到另一个并联谐振器的接地端。进一步可选的，所述辅助电容的第一电极板与对应谐振器的顶电极电连接且处于同一层，所述辅助电容的第二电极板与该对应谐振器的底电极处于同一层，且第一电极板与第二电极板之间为压电层，第一电极板上具有质量负载层，第二电极板下具有辅助空腔，所述第二电极板与功能基底上的对应过孔电连接；或者，辅助电容的第一电极板与对应谐振器的顶电极同层且与之间隔开，辅助电容的第二电极板与对应谐振器的底电极电连接且为同一层，第一电极板与第二电极板之间为压电层，所述第一电极板上具有质量负载层，所述第二电极板下具有辅助空腔，所述第一电极板与功能基底上的对应过孔电连接。
可选的，辅助电容与辅助电感可以同时设置在滤波器单元中。相应的，所述无源辅助器件网络模块还包括至少一个辅助电容。进一步的，所述辅助电容的第一电极板连接到一个并联谐振器与串联谐振器的连接节点，所述辅助电容的第二电极板连接到另一个并联谐振器所连接的所述辅助电感。进一步可选的，所述辅助电容的第一电极板与对应谐振器的顶电极电连接且处于同一层，所述辅助电容的第二电极板与该对应谐振器的底电极处于同一层，且第一电极板与第二电极板之间为压电层，第一电极板上具有质量负载层，第二电极板下具有辅助空腔，第二电极板与所述辅助电感电连接；或者，辅助电容的第一电极板与对应谐振器的顶电极同层且与之间隔开，辅助电容的第二电极板与对应谐振器的底电极电连接且为同一层，第一电极板与第二电极板之间为压电层，第一电极板上具有质量负载层，第二电极板下具有辅助空腔，第一电极板与所述辅助电感电连接。
可选的，所述无源辅助器件包括匹配网络或者移相网络。
可选的，上述滤波器单元中，所述功能器件中的所有谐振器的有效区域的面积之和不大于所述功能基底的一个表面的面积的2/3，进一步的，为1/2。
可选的，所述谐振器包括由顶电极、压电层和底电极构成的三明治结构；所述压电层掺杂有如下元素中的一种或多种：钪、钇、镁、钛、镧、铈、镨、钕、钷、钐、铕、钆、铽、镝、钬、铒、铥、镱、镥；且掺杂元素的原子分数范围为1％-40％。
可选的，所述压电层为氮化铝压电层、氧化锌压电层、铌酸锂压电层或钛锆酸铅压电层。
可选的，掺杂元素的原子分数范围为3％-20％。
本发明的实施例也涉及一种滤波器，包括上述的滤波器单元；和基板，所述滤波器单元设置在所述基板上。
本发明的实施例还涉及一种电子设备，包括上述的滤波器单元或者上述的滤波器。
附图说明
以下描述与附图可以更好地帮助理解本发明所公布的各种实施例中的这些和其他特点、优点，图中相同的附图标记始终表示相同的部件，其中：
图1为现有技术中滤波器单元的示意性俯视图；
图2a为根据本发明的一个示例性实施例的滤波器单元的示意性俯视图；
图2b为沿图2a中AA’线截得的一个示例性局部放大剖视图；
图2c为沿图2a中AA’线截得的另一个示例性局部放大剖视图；
图2d为沿图2a中AA’线截得的再一个示例性局部放大剖视图；
图3a为根据本发明的一个示例性实施例的滤波器单元的示意性俯视图；
图3b为沿图3a中BB’线截得的一个示例性实施例的局部放大剖视图；
图3c为沿图3a中BB’线截得的另一个示例性实施例的局部放大剖视图；
图4为体声波谐振器的三明治结构示意图；以及
图5为体声波谐振器的机电耦合系数Nkt与比例r之间的关系曲线图。
具体实施方式
下面通过实施例，并结合附图，对本发明的技术方案作进一步具体的说明。在说明书中，相同或相似的附图标号指示相同或相似的部件。下述参照附图对本发明实施方式的说明旨在对本发明的总体发明构思进行解释，而不应当理解为对本发明的一种限制。
下面参照附图示例性描述本发明。
图2a-2d示出根据本发明的一个示例性实施例的滤波器单元200，其中滤波器单元200设有作为无源辅助器件网络模块的接地电感，图3a-3cb示出根据本发明的一个示例性实施例的滤波器单元300，其中滤波器单元300设有作为无源辅助器件网络模块的电容。从图可知，本发明与图1中所示的现有的滤波器单元的区别之一在于：在本发明中，滤波器单元本身还设置有无源辅助器件网络模块。
下面参照图2a-2d示例性描述本发明的第一个实施例。
图2a为根据本发明的一个示例性实施例的滤波器单元200的示意性俯视图。在图2a中，附图标记210为垫片(pad)，附图标记230为器件有效区域或者功能区域，附图标记250为金属通孔即过孔。器件有效区域230具有单端-单端梯形结构，由多个串联连接的压电声波谐振器S231、S232、S233和多个并联连接的压电声波谐振器P231、P232构成。
在本发明中，“IN”表示输入端口，“OUT”表示输出端口。
如图2a所示，滤波器单元200中的并联谐振器P231接地端通过辅助电感L270接地。利用辅助电感L270可以在滤波器需要的阻带频段形成传输零点，达到抑制要求。可以通过增加电感的数目达到其它效果。所加的电感位置不限于图2a所示，还可以有多种组合方式。
图2b为沿图2a中的AA’线截得的局部放大剖视图。图2b中，并联谐振器P231制作在衬底400上，包含空腔410、底电极420、压电层430和顶电极440。底电极420和顶电极440可以采用材料为如下金属或者它们的合金：金、钨、钼、铂、钌、铱、锗、铜、钛、钛钨、铝、铬、砷掺杂金。辅助电感L270和并联谐振器P231一起加工完成，它的一端通过金属通孔460和与底电极同层的电连接层470相连接，进而和垫片210中的金属层450相连接，金属层450可以与对应的过孔250电连接；电感L270的另一端直接和顶电极440相连接。金属层450以及金属通孔460中的金属可以由金、钨、钼、铂、钌、铱、锗、铜、钛、钛钨、铝、铬、砷掺杂金制成，或其合金或组合制成。
基于图2a可知，至少一个并联谐振器的另一端通过对应的辅助电感L270接地。
基于图2b可知，辅助电感L270的一端与对应的并联谐振器P231的顶电极电连接且处于同一层；且所述辅助电感L270的另一端经由穿过压电层430的过孔460和与所述对应的谐振器的底电极同层的电连接层470与功能基底400上的过孔250电连接(例如连接到该过孔周围的垫片(pad)上的金属层450)。
图2c为沿图2a中AA’线截得的另一个示例性局部放大剖视图，其中辅助电感与底电极电连接且处于同一层，且辅助电感通过穿过压电层的过孔与功能基底上的过孔电连接。
图2d为沿图2a中AA’线截得的再一个示例性局部放大剖视图，其中两个辅助电感分别设置于压电层的上下两侧，分别与谐振器的顶电极和底电极处于同一层，上侧的辅助电感与顶电极电连接且经由穿过压电层的过孔与下侧的辅助电感电连接，该下侧的辅助电感与功能基底上的过孔电连接。
下面参照图3a-3c示例性描述本发明的第二个实施例。
图3a为根据本发明的一个示例性实施例的滤波器单元的示意性俯视图。如图3a所示，辅助电容C590的一端通过节点与滤波器单元200相连接，另一端与滤波器单元200中的并联谐振器P233接地端相连接。利用电容C590可以在滤波器需要的阻带频段形成传输零点，达到抑制要求。可以通过调整电容值以及增加电容的数目达到其它效果。所加的电容位置不限于图3a所示，还可以有多种组合方式。
图3b为沿图3a中BB’线截得的一个示例性实施例的局部放大剖视图。如图3b所示，并联谐振器P231制作在衬底600上，该并联谐振器包含空腔610、底电极620、压电层630和顶电极640。底电极620和顶电极640可以采用材料为如下金属或者它们的合金：金、钨、钼、铂、钌、铱、锗、铜、钛、钛钨、铝、铬、砷掺杂金。辅助电容C590和并联谐振器P231可一起加工完成，辅助电容的一个电极板直接和顶电极640相连接,在可选的实施例中，覆盖有金属层660。金属层660和垫片210上的金属层650可以由金、钨、钼、铂、钌、铱、锗、铜、钛、钛钨、铝、铬、砷掺杂金制成，或其合金或组合制成；且两者可以为相同材料，也可为不同材料。辅助电容C590的另一个电极板与底电极620同层布置且与功能基底600上的过孔电连接(例如连接到该过孔周围的垫片(pad)上的金属层650)。可以看到，辅助电容C590的上下电极板之间为压电层。
图3c为沿图3a中BB’线截得的另一个示例性实施例的局部放大剖视图。可以看到，辅助电容C590的下极板与谐振器的底电极620电连接且为同一层，上极板与顶电极640同层设置且与之间隔开，上极板与功能基底600上的过孔电连接(例如连接到该过孔周围的垫片(pad)上的金属层650)。
基于图3a、3b和3c，可知：辅助电容C590的第一电极板(例如图3b和3c中的上极板)连接到一个并联谐振器P231与串联谐振器S231的连接节点(例如见图3a)，辅助电容C590的第二电极板(例如为图3b中的下极板)连接到另一个并联谐振器P233的接地端。
同样基于图3b，可知：辅助电容C590的第一电极板与对应谐振器P231的顶电极640电连接且处于同一层，辅助电容C590的第二电极板与该对应谐振器P231的底电极620处于同一层，且第一电极板与第二电极板之间为压电层630。
在一个具体的实施例中,如图3b和3c所示，辅助电容的两个电极板之间为压电层，第一电极板上具有质量负载层，第二电极板下具有辅助空腔680。
需要专门指出的是，在滤波器芯片自身设置无源辅助器件，不限于图2a-图3c示出的实施例。
例如，无源辅助器件可以是多个电感的组合方式，或者多个电容的组合方式，或者是电感与电容的组合方式。在无源辅助器件为电感与电容的组合方式的情况下，在一个实施例中，虽然没有示出，可以将图2a与图3a相结合，相应的，无源辅助器件包括辅助电感和辅助电容，至少一个并联谐振器的另一端通过对应的辅助电感接地，且辅助电容的第一电极板连接到一个并联谐振器与串联谐振器的连接节点，辅助电容的第二电极板连接到另一个并联谐振器所连接的所述辅助电感。
相应的，本发明提出了如下辅助电感与辅助电容组合的方案：所述辅助电容的第一电极板与对应谐振器的顶电极电连接且处于同一层，所述辅助电容的第二电极板与该对应谐振器的底电极处于同一层，且第一电极板与第二电极板之间为压电层，所述第一电极板上具有质量负载层，所述第二电极板下具有辅助空腔，第二电极板与所述辅助电感电连接；或者辅助电容的第一电极板与对应谐振器的顶电极同层且与之间隔开，辅助电容的第二电极板与对应谐振器的底电极电连接且为同一层，第一电极板与第二电极板之间为压电层，所述第一电极板上具有质量负载层，所述第二电极板下具有辅助空腔，第一电极板与所述辅助电感电连接。
在一个实施例中，所述无源辅助器件包括匹配网络或者移相网络。
需要指出的是，虽然在本发明中，以功能区域具有单端-单端梯形结构为例进行说明，但功能区域的结构不限于此。
在滤波器单元设置无源辅助器件网络模块，可以在提高当前谐振器的尺寸的情况下实现，也可以在不改变甚至减小当前谐振器的尺寸的情况下实现。针对后一种情况，本发明提出了减小谐振器的有效区域(即有效声学区域)的面积的方式来减小谐振器的尺寸的方案。
具体的，在一个实施例中，体声波谐振器(具有压电层、底电极和顶电极)，通过在例如氮化铝(AlN)压电层的压电层中参入杂质元素，使谐振器的有效区域的面积缩小，从而使得谐振器的尺寸变小。
下面参照附图4-5具体说明利用元素掺杂降低体声波谐振器的有效区域的面积的原理。
机电耦合系数(Nkt)是体声波谐振器的重要性能指标之一，该性能参数和如下因素有密切关系：(1)压电薄膜参入杂质元素的比例；以及(2)三明治结构中电极层和压电层的厚度比例。
图4所示的体声波谐振器的三明治结构包含厚度为t的顶电极TE、底电极BE以及厚度为d的压电层PZ。此处定义比例
对于特定的未掺杂的谐振器，其归一化的机电耦合系数Nkt和比例r之间的关系可用图5所示的特性曲线C0描述。
如图5所示，当对该压电层掺杂时，特性曲线C0向上移动形成曲线C1。若未掺杂之前，具有厚度比r0的谐振器的机电耦合系数为Nkt0,那么掺杂之后该系数升高至Nkt1。
通常机电耦合系数受到滤波器相对带宽及滚降特性的技术指标限制而需保持不变，因此在掺杂的情况下，需要通过调节比例r来将机电耦合系数恢复到未掺杂的水平。注意到曲线C1有一个最大值，因此对比例r的调节有两种方式，可使比例r从r0缩小到r2或增大至r1。但由于缩小r意味着电极层变薄阻抗增大，从而造成器件损耗上升，因此选择增大比例r至r1。
另一方面，谐振器的频率f受滤波器中心频率技术指标约束而需固定不变。频率f与三明治结构的总体厚度有如下简化关系：
其中D是将电极材料(Mo)等效为压电材料的等效总厚度，具体为D＝2tv1/v2+d，其中，v2是电极材料中纵波声速，v1是压电材料中纵波声速。将公式(1)带入公式(2)中，可以得到：
由于掺杂带来的声速v1降低，同时，r增大，那么若要求频率f不发生变化，那么压电层厚度d应减小。
此外，对谐振器的阻抗也有限制(50欧姆)的技术要求，而阻抗Z与压电层厚度d之间由下式相联系：
其中，ε是压电材料的介电常数，A是谐振器的有效面积，j是表示相位的虚数单位。
当要求阻抗Z不变时，若压电层厚度d变小时，有效面积A也必须变小。
基于以上，可以通过向压电层添加杂质元素使得压电层厚度d变小，从而减小谐振器的有效面积A。
在实施例中，所述压电层掺杂有如下元素中的一种或多种：钪、钇、镁、钛、镧、铈、镨、钕、钷、钐、铕、钆、铽、镝、钬、铒、铥、镱、镥；且掺杂元素的原子分数范围为1％-40％，进一步的，为3％-20％。具体的原子分数可以为3％、6％、9％、20％、30％、40％等。
所述压电层可为氮化铝压电层、氧化锌压电层、铌酸锂压电层或钛锆酸铅压电层。
在本发明中，顶电极和底电极的材料可选但不限于：钼、钌、金、铝、镁、钨、铜，钛、铱、锇、铬等或以上金属的复合或其合金。
利用上述掺杂的技术方案使得谐振器的面积大幅缩小，进而可以减小滤波器(谐振器作为滤波器的核心器件)的尺寸，在滤波器面积不变的情况下，可以将IPD与功能区域集成在一起，降低了基板设计难度。
在可选的实施例中，在功能基底面积不变而谐振器的面积减小的情况下，例如，基于上述元素掺杂谐振器的有效面积减小的情况下，所有谐振器的有效区域的面积之和不大于所述功能基底的一个表面的面积的2/3,进一步的，为1/2。需要指出的是，这里的功能基底的表面的面积为其一个表面的整个面积(包括了过孔以及功能器件所在的面积)。相应的，本发明也涉及一种滤波器，包括上述的滤波器单元。
本发明也涉及一种电子设备，包括上述的滤波器单元或者滤波器。需要指出的是，这里的电子设备，包括但不限于射频前端、滤波放大模块等中间产品，以及手机、WIFI、无人机等终端产品。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行变化，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。
Claims (22)
1.一种滤波器单元，包括：
功能基底；
功能器件，设置于所述功能基底，所述功能器件包括：
串联支路谐振器单元，具有多个串联谐振器；和
并联支路谐振器单元，具有多个并联谐振器，每一个并联谐振器的一端连接到对应串联谐振器的端口且另一端接地；和
封装基底，与功能基底对置，
其中：
所述滤波器单元还包括设置于所述功能基底的无源辅助器件网络模块。
2.根据权利要求1所述的滤波器单元，其中：
所述无源辅助器件网络模块包括至少一个辅助电感。
3.根据权利要求2所述的滤波器单元，其中：
至少一个并联谐振器的另一端通过对应的所述辅助电感接地。
4.根据权利要求3所述的滤波器单元，其中：
所述辅助电感的一端与对应的并联谐振器的对应电极电连接且处于同一层。
5.根据权利要求4所述的滤波器单元，其中：
所述辅助电感的一端与对应的并联谐振器的顶电极电连接且处于同一层；且
所述辅助电感的另一端经由穿过压电层的第一过孔和与所述对应的谐振器的底电极同层的电连接层与功能基底上的第二过孔电连接。
6.根据权利要求4所述的滤波器单元，其中：
所述辅助电感的一端与对应的并联谐振器的底电极电连接且处于同一层；且
所述辅助电感的另一端经由穿过压电层的第一过孔和与所述对应的谐振器的顶电极同层的电连接层与功能基底上的第二过孔电连接。
7.根据权利要求3所述的滤波器单元，其中：
所述至少一个辅助电感包括第一辅助电感和第二辅助电感；
所述第一辅助电感与对应的并联谐振器的底电极电连接且处于同一层；
所述第二辅助电感与所述对应的并联谐振器的顶电极间隔开且处于同一层；
所述第一辅助电感通过第一过孔与第二辅助电感形成电连接，且第二辅助电感通过与所述对应的并联谐振器的顶电极同层的电连接层与功能基底上的第二过孔电连接。
8.根据权利要求3所述的滤波器单元，其中：
所述辅助电感的一端通过穿过压电层的第一过孔与对应的并联谐振器的底电极电连接，与所述对应的并联谐振器的顶电极间隔开且处于同一层，所述辅助电感的另一端与功能基底上的第二过孔电连接；或者
所述辅助电感的一端通过穿过压电层的第一过孔与对应的并联谐振器的顶电极电连接，与所述对应的并联谐振器的底电极间隔开且处于同一层，所述辅助电感的另一端与功能基底上的第二过孔电连接。
9.根据权利要求1所述的滤波器单元，其中：
所述无源辅助器件网络模块包括辅助电容。
10.根据权利要求9所述的滤波器单元，其中：
所述辅助电容的第一电极板连接到一个并联谐振器与串联谐振器的连接节点，所述辅助电容的第二电极板连接到另一个并联谐振器的接地端。
11.根据权利要求10所述的滤波器单元，其中：
所述辅助电容的第一电极板与对应谐振器的顶电极电连接且处于同一层，所述辅助电容的第二电极板与该对应谐振器的底电极处于同一层，且第一电极板与第二电极板之间为压电层,所述第一电极板上具有质量负载层，所述第二电极板下具有辅助空腔，所述第二电极板与功能基底上的对应过孔电连接；或者
辅助电容的第一电极板与对应谐振器的顶电极同层且与之间隔开，辅助电容的第二电极板与对应谐振器的底电极电连接且为同一层，第一电极板与第二电极板之间为压电层，所述第一电极板上具有质量负载层，所述第二电极板下具有辅助空腔，所述第一电极板与功能基底上的对应过孔电连接。
12.根据权利要求2-8中任一项所述的滤波器单元，其中：
所述无源辅助器件网络模块还包括至少一个辅助电容。
13.根据权利要求12所述的滤波器单元，其中：
所述辅助电容的第一电极板连接到一个并联谐振器与串联谐振器的连接节点，所述辅助电容的第二电极板连接到另一个并联谐振器所连接的所述辅助电感。
14.根据权利要求13所述的滤波器单元，其中：
所述辅助电容的第一电极板与对应谐振器的顶电极电连接且处于同一层，所述辅助电容的第二电极板与该对应谐振器的底电极处于同一层，且第一电极板与第二电极板之间为压电层，所述第一电极板上具有质量负载层，所述第二电极板下具有辅助空腔，第二电极板与所述辅助电感电连接；或者
辅助电容的第一电极板与对应谐振器的顶电极同层且与之间隔开，辅助电容的第二电极板与对应谐振器的底电极电连接且为同一层，第一电极板与第二电极板之间为压电层，所述第一电极板上具有质量负载层，所述第二电极板下具有辅助空腔，第一电极板与与所述辅助电感电连接。
15.根据权利要求1所述的滤波器单元，其中：
所述无源辅助器件网络模块包括匹配网络或者移相网络。
16.根据权利要求1-15中任一项所述的滤波器单元，其中：
所述功能器件中的所有谐振器的有效区域的面积之和不大于所述功能基底的一个表面的面积的2/3。
17.根据权利要求16所述的滤波器单元，其中：
所述功能器件中的所有谐振器的有效区域的面积之和不大于所述功能基底的一个表面的面积的1/2。
18.根据权利要求1-17中任一项所述的滤波器单元，其中：
所述谐振器包括由顶电极、压电层和底电极构成的三明治结构；
所述压电层掺杂有如下元素中的一种或多种：钪、钇、镁、钛、镧、铈、镨、钕、钷、钐、铕、钆、铽、镝、钬、铒、铥、镱、镥；且
掺杂元素的原子分数范围为1％-40％。
19.根据权利要求18所述的滤波器单元，其中：
所述压电层为氮化铝压电层、氧化锌压电层、铌酸锂压电层或钛锆酸铅压电层。
20.根据权利要求18或19所述的滤波器单元，其中：
掺杂元素的原子分数范围为3％-20％。
21.一种滤波器，包括：
根据权利要求1-20中任一项所述的滤波器单元；和
基板，所述滤波器单元设置在所述基板上。
22.一种电子设备，包括根据权利要求1-20中任一项所述的滤波器单元或者根据权利要求21所述的滤波器。
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