CN115454195B - 一种低压差线性稳压器和电压电源管理芯片 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种低压差线性稳压器和电压电源管理芯片，所述低压差线性稳压器包括：低电压基准电压源电路；误差放大电路，所述误差放大电路的反相输入端电性连接于所述低电压基准电压源电路的输出端；双环反馈电路，包括抗辐照电路，所述抗辐照电路的输入端电性连接于所述误差放大电路的输出端；以及功率调节电路，所述功率调节电路的输入端电性连接于所述抗辐照电路的输入端，所述功率调节电路的输出端电性连接于所述抗辐照电路的输出端。通过本发明公开的一种低压差线性稳压器，提高了低压差线性稳压器的抗辐照能力和电路响应速度。
Description
技术领域
本发明属于集成电路制造技术领域，特别涉及一种低压差线性稳压器和电压电源管理芯片。
背景技术
电压电源管理芯片是集成电路器件的核心模块，其中低压差线性稳压器（LowDropout Regulator，LDO）作为关键的电源管理模块之一，可为噪声敏感的模拟模块提供经过调节的低噪声且精确的电源电压。目前，在对航天电子器件进行抗辐照效应的实验研究时，发现随着电压电源管理芯片工艺尺寸的不断缩小，单粒子效应愈发显著。而且LDO电路的抗辐照方法降低了LDO电路的响应速度，增大了电压电源管理芯片集成面积和电压电源管理芯片的功耗，同时降低了电压电源管理芯片的性能。
发明内容
本发明的目的在于提供一种低压差线性稳压器和电压电源管理芯片，通过本发明的低压差线性稳压器，在提高LDO电路的抗辐照能力的同时减少了电压电源管理芯片的集成面积和降低了电压电源管理芯片的功耗，提高了电压电源管理芯片的性能。
为解决上述技术问题，本发明是通过以下技术方案实现的：
本发明提供的一种低压差线性稳压器，其包括：
低电压基准电压源电路；
误差放大电路，所述误差放大电路的反相输入端电性连接于所述低电压基准电压源电路的输出端；
双环反馈电路，包括第一反馈电路和抗辐照电路，所述第一反馈电路的输出端电性连接于所述误差放大电路的正相输入端，所述抗辐照电路的输入端电性连接于所述误差放大电路的输出端；以及
功率调节电路，所述功率调节电路的输入端电性连接于所述抗辐照电路的输入端，所述功率调节电路的输出端电性连接于所述抗辐照电路的输出端和所述第一反馈电路的输入端。
在本发明一实施例中，所述压基准电压源电路包括：
第一电流源；
第一场效应管，所述第一场效应管的漏极电性连接于所述第一电流源和所述第一场效应管的栅极。
在本发明一实施例中，所述差线性稳压器还包括电流偏置电路，所述电流偏置电路包括：
第二电流源；
第一偏置场效应管，所述第一偏置场效应管的漏极和栅极电性连接于所述第二电流源；以及
第二偏置场效应管，所述第二偏置场效应管的栅极电性连接于所述第一偏置场效应管的栅极，且所述第一偏置场效应管的源极和所述第二偏置场效应管的源极接地。
在本发明一实施例中，所述误差放大电路包括：
第三偏置场效应管；
第四偏置场效应管，所述第四偏置场效应管的栅极电性连接于所述第三偏置场效应管的栅极和所述第四偏置场效应管的漏极；
第一运算放大场效应管，所述第一运算放大场效应管的漏极电性连接于所述第三偏置场效应管的漏极；以及
第二运算放大场效应管，所述第二运算放大场效应管的源极电性连接于所述第一运算放大场效应管的源极，所述第二运算放大场效应管的漏极电性连接于所述第四偏置场效应管的漏极。
在本发明一实施例中，所述第二偏置场效应管的漏极电性连接于所述第一运算放大场效应管的源极。
在本发明一实施例中，所述抗辐照电路包括：
第一抗辐照场效应管；
第二抗辐照场效应管，所述第二抗辐照场效应管的源极电性连接于所述第一抗辐照场效应管的漏极，所述第二抗辐照场效应管的栅极电性连接于所述第一抗辐照场效应管的栅极；
第三抗辐照场效应管，所述第三抗辐照场效应管的漏极电性连接于所述第二抗辐照场效应管的漏极，所述第三抗辐照场效应管的栅极电性连接于所述第二抗辐照场效应管的栅极；
第三电流源，所述第三电流源的一端电性连接于所述第二抗辐照场效应管的源极，所述第三电流源的另一端接地；以及
第一电容，所述第一电容的一端电性连接于所述第二抗辐照场效应管的栅极，另一端接地。
在本发明一实施例中，所述功率调节电路包括：
功率场效应管，所述功率场效应管的栅极电性连接于所述误差放大电路的输出端；
分压场效应管，所述分压场效应管的栅极电性连接于所述分压场效应管的漏极和所述功率场效应管的漏极。
在本发明一实施例中，所述功率场效应管的栅极电性连接于所述第一运算放大场效应管的漏极。
在本发明一实施例中，所述功率场效应管的漏极电性连接于所述第二运算放大场效应管的栅极。
一种电压电源管理芯片，所述电压电源管理芯片包括：
电源开关模块；
至少一个如上述任一项所述低压差线性稳压器，所述低压差线性稳压器电性连接于所述电源开关模块；以及
多个应用电路，多个所述应用电路的输入端电性连接于所述低压差线性稳压器的输出端。
如上所述本发明提供的一种低压差线性稳压器，可产生低电压的基准电压源，减少了LDO电路的功耗，并通过设计抗辐照电路，提高了LDO电路的抗辐照能力，并通过设计电流偏置电路，极大的提高了误差放大器电路的共模抑制比，而且电压电源管理芯片中应用所述低压差线性稳压器，减少了电压电源管理芯片的集成面积和功耗，提高了电压电源管理芯片的性能。
当然，实施本发明的任一产品并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例描述所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明的一种低压差线性稳压器框架的示意图。
图2为本发明实施例提供的低电压基准电压源电路的示意图。
图3为本发明实施例提供的低压差线性稳压器的部分电路的示意图。
图4为本发明实施例提供的抗辐照电路的示意图。
图5为本发明实施例提供的电压电源管理芯片的电路示意图。
图中：110、低电压基准电压源电路；120、误差放大电路；130、双环反馈电路；131、第一反馈电路；132、抗辐照电路；140、功率调节电路；150、电流偏置电路；510、电源开关模块；520、低压差线性稳压器模块；530、应用电路模块；531、数字电路；532、模拟电路；533、射频电路。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
以下实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明应用的基本构想，遂图式中仅显示与本发明中有关的电路组件而非按照实际实施时的组件数目、电路组合及电路分布，其实际实施时各组件的参数、数量及比例可为一种随意的改变，且其电路组件布局型态也可能更为复杂。
本申请的低压差线性稳压器可应用于电压电源管理芯片中，当LDO应用于电压电源芯片对应用电路进行电源供给时，可提供给应用电路稳定精准的输入电压。例如在航天电子器件领域，超低的电源电压VDD对电压电源芯片进行电压输入时，电压电源芯片需要产生超低的输出电压对电子器件进行稳定的电压输入。其中，超低的电源电压VDD例如为500~600mv。超低的电源电压VDD在通过低压差线性稳压器后，可实现在低压差线性稳压器的输出端输出与电源电压VDD的相差极小且稳定的输出电压对电子器件进行输入。
请参阅图1所示，本发明揭示了一种低压差线性稳压器包括低电压基准电压源电路110、误差放大电路120、双环反馈电路130和功率调节电路140。其中，低电压基准电压源电路110的输出端电性连接于误差放大电路120的反相输入端。双环反馈电路130包括第一反馈电路131和抗辐照电路132，第一反馈电路131的输出端电性连接于误差放大电路120的正相输入端，抗辐照电路132的输出端电性连接于误差放大电路120的输出端和功率调节电路140的输入端。功率调节电路140的输出端电性连接于第一反馈电路131的输入端。其中，功率调节电路140的输出端的电压为LDO电路的输出电压，通过调节功率调节电路140的工作状态，可以调节功率调节电路140的输出电流的大小使LDO的输出电压保持稳定。
请参阅图1和图2所示，在本发明的一实施例中，本发明揭示了一种低压差线性稳压器包括低电压基准电压源电路110。低电压基准电压源电路110包括第一电流源I1和第一场效应管即第一MOS管M0。其中，第一MOS管M0例如为N型MOS管即NMOS管，第一电流源I1与第一MOS管M0的漏极电性连接，第一MOS管M0的栅极电性连接于第一MOS管M0的漏极，且第一MOS管M0的源极接地，低电压基准电压源电路110的输出端为第一MOS管M0的漏极。
请参阅图1和图2所示，在本发明的一实施例中，为了使低电压基准电压源电路110输出低于例如1V的超低带隙基准电压，本发明通过用MOS管替换传统的双极结型晶体管（Bipolar Junction Transistor，BJT）来产生超低的带隙基准电压，输出的超低的带隙基准电压的范围例如可为500~600mv。带隙基准电压源的目的是产生一个对温度变化保持恒定的低电压，以降低电路的功率损耗。其中，第一电流源I1产生与绝对温度成正比的（Proportional To Absolute Temperature，PTAT）电流，PTAT电流具有正温度系数。第一电流源I1通过第一MOS管M0，因为处于亚阈值状态的MOS管具有负温度特性，所以会在第一MOS管M0的漏极产生一个基准电压和一个带有很强的负温度系数的电流，这个带有很强的负温度系数的电流称为绝对温度互补（Complementary To Absolute Temperature，CTAT）电流。PTAT电流和CTAT电流相加，两个电流的温度系数抵消，生成一个零温度系数的电流，所以温度系数的电流对应的基准电压是一个与温度无关的基准电压Vref。其中，基准电压Vref为第一MOS管M0的漏极与第一MOS管M0的源极的压降。
请参阅图1和图3所示，在本发明的一实施例中，一种低压差线性稳压器还包括电流偏置电路150，电流偏置电路150包括第二电流源I2，第一偏置场效应管M1和第二偏置场效应管M2。其中，第一偏置场效应管M1和第二偏置场效应管M2例如为NMOS管。第二电流源I2的输入端与电源电压VDD连接，第二电流源I2的输出端与第一偏置场效应管M1的漏极和栅极电性连接。第一偏置场效应管M1的栅极与第二偏置场效应管M2的栅极连接，第二偏置场效应管M2的漏极与误差放大电路120连接。其中，第一偏置场效应管M1的源极和第二偏置场效应管M2的源极接地。
请参阅图1所示，在本发明一实施例中，电流偏置电路150为误差放大电路120提供偏置电流。其中，因为误差放大电路120包括误差放大器AMP，为了保证误差放大器AMP工作在线性范围，需要前置电流偏置电路150为放大器提供足够的偏置电流，以保证误差放大器AMP正常工作。第二电流源I2可等效于阻值非常大的大电阻，甚至理想的电流源等效于阻值无穷大的电阻。电源电压VDD经过第二电流源I2作为大电阻进行分压后，第一偏置场效应管M1的漏极电压与栅极电压相同，这时在第一偏置场效应管M1的漏极端产生电流。因为第二偏置场效应管M2的栅极与第一偏置场效应管M1的栅极连接，所以第二偏置场效应管M2的栅极电压为第一偏置场效应管M1的漏极电压，而第二偏置场效应管M2的栅极绝缘不会索取电流，所以在第二偏置场效应管M2的漏极端产生一个电流，这个电流就是为放大器提供稳定工作的偏置电流。并且电流偏置电路150为电流镜偏置电路，利用电流镜复制偏置电流作为恒电流源，而且因为直流电流低阻值，不影响静态工作点，可极大提高误差放大器AMP的共模抑制比。
请参阅图1、图2和图3所示，在本发明一实施例中，误差放大电路120包括第三偏置场效应管M3、第四偏置场效应管M4、第一运算放大场效应管M5和第二运算放大场效应管M6。其中，第三偏置场效应管M3和第四偏置场效应管M4例如为P型MOS管即PMOS管，第一运算放大场效应管M5和第二运算放大场效应管M6例如为NMOS管。第二偏置场效应管M2的漏极与第一运算放大场效应管M5和第二运算放大场效应管M6的源极连接。第一运算放大场效应管M5的源极与第二运算放大场效应管M6的源极连接，第一运算放大场效应管M5的栅极与第一MOS管M0的漏极连接。第三偏置场效应管M3的源极和第四偏置场效应管M4的源极与电源电压VDD连接，第三偏置场效应管M3的栅极与第四偏置场效应管M4的栅极连接，第三偏置场效应管M3的漏极与第一运算放大场效应管M5的漏极连接，第四偏置场效应管M4的漏极与第四偏置场效应管M4的栅极和第二运算放大场效应管M6的漏极电性连接。其中，第三偏置场效应管M3的漏极和第一运算放大场效应管M5的漏极与功率调节电路140的输入端连接。
请参阅图1、图2和图3所示，在本发明一实施例中，第三偏置场效应管M3和第四偏置场效应管M4构成偏差电路，第一运算放大场效应管M5和第二运算放大场效应管M6组成误差放大器AMP，第三偏置场效应管M3和第四偏置场效应管M4构成的偏差电路为误差放大器AMP提供偏置电流，使误差放大器AMP处于工作状态。其中，第一运算放大场效应管M5的栅极作为误差放大电路120的负相输入端，第一运算放大场效应管M5的漏极作为为误差放大电路120的输出端，第二运算放大场效应管M6的栅极作为误差放大电路120的正相输入端。其中，误差放大电路120是用来比较反馈电压信号与基准电压Vref，进而得到电压差值，其中，反馈电压信号为输出电压Vout，然后通过误差放大器AMP将电压差值放大后输出到功率调节电路140的输入端，最后通过调节功率调节电路140的工作状态使输出电压Vout保持不变。
请参阅图1、图3和图4所示，在本发明的一实施例中，双环反馈电路130包括第一反馈电路131和抗辐照电路132。误差放大电路120的输出端即第一运算放大场效应管M5的漏极与功率调节电路140的输入端连接，功率调节电路140的输出端与误差放大电路120的正相输入端即第二运算放大场效应管M6的栅极连接，这形成了第一反馈电路131。第一反馈电路131的输入端与功率调节电路140的输出端连接，第一反馈电路131的输出端与误差放大电路120的正相输入端连接。抗辐照电路包括第一抗辐照场效应管M9、第二抗辐照场效应管M10、第三抗辐照场效应管M11、第二电容C2和第三电流源I3。第一抗辐照场效应管M9和第二抗辐照场效应管M10例如为PMOS管，第三抗辐照场效应管M11例如为NMOS管。其中，第一抗辐照场效应管M9的源极和功率调节电路140的输出端即第一运算放大场效应管M5的漏极电性连接，第一抗辐照场效应管M9的栅极、第二抗辐照场效应管M10的栅极和第三抗辐照场效应管M11的栅极相互连接。第一抗辐照场效应管M9的漏极和第二抗辐照场效应管M10的源极连接，第二抗辐照场效应管M10的漏极和第三抗辐照场效应管M11的漏极连接。第三抗辐照场效应管M11的源极与第三电流源I3的输入端连接，第三电流源I3的输出端接地。第二电容C2一端与第二抗辐照场效应管M10的栅极电性连接，第二电容C2的另一端接地。其中，抗辐照电路的输出端为第一抗辐照场效应管M9、第二抗辐照场效应管M10和第三抗辐照场效应管M11的栅极，第一抗辐照场效应管M9、第二抗辐照场效应管M10和第三抗辐照场效应管M11的栅极与误差放大电路120的正相输入端即第二运算放大场效应管M6的栅极连接。
请参阅图1和图3所示，在本发明的一实施例中，输出电压Vout与误差放大器AMP的正相输入端电性连接，输出电压Vout与基准电压Vref通过误差放大器AMP进行比较后得到电压差值，并对电压差值进行放大后输出到功率调节电路140中，通过调节功率调节电路140的工作状态使输出电压Vout保持稳定，所以第一反馈电路131起到调节输出电压Vout使输出电压Vout保持稳定的作用。再者，抗辐照电路132可以对LDO电路起到抗单粒子效应的作用。在本申请不同实施例的抗辐照LDO电路中，可以先找到电路的敏感节点，然后再对敏感节点进行辐照加固设计。其中，敏感节点的寻找可以通过对电路所有节点进行单粒子轰击，观察电路输出电压响应变化的范围是否满足预设范围。如果输出电压变化的范围小于或等于预设范围，该电路可抗敏感节点的单粒子效应，如果输出电压变化的范围大于预设范围，可逐一对节点进行单粒子轰击，观察输出电压变化范围最大的节点作为影响最大的敏感节点，本申请即对影响最大的敏感节点进行抗辐照加固设计，本申请对敏感节点的位置不限制。其中，仿真电路中的单粒子轰击通常用双指数电流瞬态脉冲电流进行模拟。
请参阅图1、图3和图4所示，在本发明的一实施例中，抗辐照电路132的敏感节点a设置在第二抗辐照场效应管M10的漏极和第三抗辐照场效应管M11的漏极连接处也即功率调节电路140的输入端。当敏感节点处输入一个瞬态电流脉冲时，瞬态电流脉冲设置为高电流，由于电源电压VDD例如为500~600mv,电路中的工作电流远远小于瞬态电流脉冲，这个高电流脉冲将通过功率调节电路140传输给输出电压Vout，导致输出电压Vout产生较大的波动。如果增加抗辐照电路132，这个瞬态电流脉冲将导致第二抗辐照场效应管M10的漏极电压和第三抗辐照场效应管M11的漏极电压升高。所以在这个瞬态，第三抗辐照场效应管M11导通，第一抗辐照场效应管M9和第二抗辐照场效应管M10不导通，第三抗辐照场效应管M11的栅极即抗辐照电路132的输出端电压被拉低至稳定的低电压，即误差放大器AMP输出端的电压，其中抗辐照电路132的输出端电压即为LDO电路的输出端电压Vout，这样输出电压Vout没有突变电压便实现了电路的抗辐照能力。当敏感节点没有瞬态电流脉冲或者其他单粒子轰击时，第一抗辐照场效应管M9、第二抗辐照场效应管M10和第三抗辐照场效应管M11共同导通，与功率调节电路140共同作用，调节LDO电路的稳定输出。在第二抗辐照场效应管M10的栅极端设置一个第一电容C1的目的是为了吸收峰值电流，且不会改变误差放大器AMP的频率补偿方式，不会破坏LDO的双环反馈电路130从而影响其输出电压的稳定性。增加的第一电容C1通常会增加LDO电路受到辐照时的瞬态响应的时间，但抗辐照电路132可以缩短电路瞬态响应时间，有效地减轻单粒子效应带来的影响。
请参阅图1和图4所示，在本发明的一实施例中，功率调节电路140包括功率场效应管M7和分压场效应管M8。其中，功率场效应管M7例如为PMOS管。功率场效应管M7的栅极与误差放大电路120的输出端即第一运算放大场效应管的漏极连接，功率场效应管M7的源极与电源电压VDD连接。功率场效应管M7的漏极即功率调节电路140的输出端与抗辐照电路132的输出端连接。第二运算放大场效应管M6的栅极与分压场效应管M8的漏极和第二电容C2的一端连接。分压场效应管M8的漏极和分压场效应管M8的栅极连接。
请参阅图1、图3和图4所示，在本发明的一实施例中，功率调节电路140可以根据误差放大器AMP输出端的电压调整功率场效应管M7漏极端输出的电流大小，使得输出电压Vout保持在稳定状态。其中，因为分压场效应管M8的漏极和分压场效应管M8的栅极连接，所以分压场效应管M8可以起到电阻的作用，且分压场效应管M8可以有分压和保护电路的作用。其中，本发明提供的低压差线性稳压电路可基于例如130nm的CMOS（ComplementaryMetal Oxide Semiconductor，互补金属氧化物半导体）工艺进行设计，且可在低电压例如500~600mv下实现对LDO电路敏感节点抗95~105 MeV/mg/ cm2的单粒子效应。
请参阅图1和图5所示，在本发明的一实施例中，本发明提供的一种电压电源管理芯片包括本发明提供的至少一个低压差线性稳压器，该芯片名称例如为超低压电源管理芯片（Ultra Low Voltage Power Management Integrated Circuit Chip，ULV PMIC）可用于太空辐照环境中。电压电源管理芯片包括电源开关模块510、LDO模块520和应用电路模块530。电源开关模块510的输入端与电源电压VDD连接，电源开关模块510的输出端与LDO模块520内的多个LDO的输入端连接， LDO模块520的输出端与应用电路模块530内的多个应用电路的输入端连接。其中，电源开关模块510包括开关调整器（Direct current-Directcurrent converter，DC-DC converter），电源开关模块510起到了对电源电压VDD进行开关的作用，LDO模块520包括至少一个低压差线性稳压器，且应用电路模块530包括数字电路531、模拟电路532和射频电路533。
请参阅图1和图5所示，在本发明的一实施例中，为了向应用电路提供稳定、抗单粒子效应和与电源电压保持低压降的直流电压，在电源开关模块510和数字电路531之间添加一个LDO模块520，这样既解决了因抗辐照加固设计时的芯片集成面积增大的问题，又提高了电压电源管理芯片的抗辐照功能，而且通过LDO产生低电压带隙电压电源，又减少了电压电源管理芯片的功耗。
综上所述，本发明改善了因对低压差线性稳压器进行抗辐照加固设计时，电路的响应速度降低，且会增大电压电源管理芯片的集成面积的问题。通过设置双环反馈电路可以增大电路响应速度，并增强了LDO电路的抗辐照能力。而且通过设置低电压基准电压源电路产生带隙的低电压作为LDO的输入电压，降低了电压电源管理芯片的功耗，而且基于例如130nm的CMOS工艺进行设计的LDO电路不仅提高了电压电源管理芯片的抗辐照能力，而且减少了电压电源管理芯片的集成面积，提高了电压电源管理芯片的性能。所以，本发明有效克服了现有技术中的一些实际问题从而有很高的利用价值和使用意义。
在本说明书的描述中，参考术语“本实施例”、“示例”、“具体示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
以上公开的本发明实施例只是用于帮助阐述本发明。实施例并没有详尽叙述所有的细节，也不限制该发明仅为所述的具体实施方式。显然，根据本说明书的内容，可作很多的修改和变化。本说明书选取并具体描述这些实施例，是为了更好地解释本发明的原理和实际应用，从而使所属技术领域技术人员能很好地理解和利用本发明。本发明仅受权利要求书及其全部范围和等效物的限制。
Claims (9)
1.一种低压差线性稳压器，其特征在于，包括：
低电压基准电压源电路；
误差放大电路，所述误差放大电路的反相输入端电性连接于所述低电压基准电压源电路的输出端；
双环反馈电路，包括第一反馈电路和抗辐照电路，所述第一反馈电路的输出端电性连接于所述误差放大电路的正相输入端，所述抗辐照电路的输入端电性连接于所述误差放大电路的输出端；以及
功率调节电路，所述功率调节电路的输入端电性连接于所述抗辐照电路的输入端，所述功率调节电路的输出端电性连接于所述抗辐照电路的输出端和所述第一反馈电路的输入端；
其中，所述抗辐照电路包括：
第一抗辐照场效应管；
第二抗辐照场效应管，所述第二抗辐照场效应管的源极电性连接于所述第一抗辐照场效应管的漏极，所述第二抗辐照场效应管的栅极电性连接于所述第一抗辐照场效应管的栅极；
第三抗辐照场效应管，所述第三抗辐照场效应管的漏极电性连接于所述第二抗辐照场效应管的漏极，所述第三抗辐照场效应管的栅极电性连接于所述第二抗辐照场效应管的栅极；
第三电流源，所述第三电流源的一端电性连接于所述第二抗辐照场效应管的源极，所述第三电流源的另一端接地；以及
第一电容，所述第一电容的一端电性连接于所述第二抗辐照场效应管的栅极，另一端接地。
2.根据权利要求1所述的一种低压差线性稳压器，其特征在于，所述低电压基准电压源电路包括：
第一电流源；
第一场效应管，所述第一场效应管的漏极电性连接于所述第一电流源和所述第一场效应管的栅极。
3.根据权利要求1所述的一种低压差线性稳压器，其特征在于，所述差线性稳压器还包括电流偏置电路，所述电流偏置电路包括：
第二电流源；
第一偏置场效应管，所述第一偏置场效应管的漏极和栅极电性连接于所述第二电流源；以及
第二偏置场效应管，所述第二偏置场效应管的栅极电性连接于所述第一偏置场效应管的栅极，且所述第一偏置场效应管的源极和所述第二偏置场效应管的源极接地。
4.根据权利要求3所述的一种低压差线性稳压器，其特征在于，所述误差放大电路包括：
第三偏置场效应管；
第四偏置场效应管，所述第四偏置场效应管的栅极电性连接于所述第三偏置场效应管的栅极和所述第四偏置场效应管的漏极；
第一运算放大场效应管，所述第一运算放大场效应管的漏极电性连接于所述第三偏置场效应管的漏极；以及
第二运算放大场效应管，所述第二运算放大场效应管的源极电性连接于所述第一运算放大场效应管的源极，所述第二运算放大场效应管的漏极电性连接于所述第四偏置场效应管的漏极。
5.根据权利要求4所述的一种低压差线性稳压器，其特征在于，所述第二偏置场效应管的漏极电性连接于所述第一运算放大场效应管的源极。
6.根据权利要求4所述的一种低压差线性稳压器，其特征在于，所述功率调节电路包括：
功率场效应管，所述功率场效应管的栅极电性连接于所述误差放大电路的输出端；
分压场效应管，所述分压场效应管的栅极电性连接于所述分压场效应管的漏极和所述功率场效应管的漏极。
7.根据权利要求6所述的一种低压差线性稳压器，其特征在于，所述功率场效应管的栅极电性连接于所述第一运算放大场效应管的漏极。
8.根据权利要求6所述的一种低压差线性稳压器，其特征在于，所述功率场效应管的漏极电性连接于所述第二运算放大场效应管的栅极。
9.一种电压电源管理芯片，其特征在于，所述电压电源管理芯片包括：
电源开关模块；
至少一个如权利要求1至权利要求8中任一项所述低压差线性稳压器，所述低压差线性稳压器电性连接于所述电源开关模块；以及
多个应用电路，多个所述应用电路的输入端电性连接于所述低压差线性稳压器的输出端。
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