CN109189137A - 一种双极抗辐照5a低压宽带线性稳压器 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种双极抗辐照5A低压宽带线性稳压器，宽带两级差分放大器将线性稳压器输出分压后的电压信号与0.7V高精度基准电压进行比较放大，缓冲器对运算放大器比较放大后的信号进行处理，使输出信号具有电流驱动能力，控制具有快速通路的输出功率模块，实现5A低压宽带稳压输出。本发明采用具有零点补偿、米勒补偿方法设计放大结构，利用射随结构的偏置电路显著减小了主极点的输出阻抗，提高了运放的带宽(单位增益带宽积大于20MHz)：利用具有射随结构的缓冲结构及达林顿输出结构，将缓冲电路，输出电路各节点的带宽推向高频，减小电路的静态工作电流，故该线性稳压器具有大于15MHz的工作带宽，快速负载瞬态响应特性。

Description

一种双极抗辐照5A低压宽带线性稳压器

技术领域

本发明属于双极模拟集成电路技术领域，具体涉及一种双极抗辐照5A低压宽带线性稳压器。

背景技术

电源管理芯片是当今电子系统中的重要组成部分,目前电源管理电路正在向着高功率密度、高转换效率、高集成度的方向发展。线性电源具有低噪声、低成本、应用简单、可靠性高等优点,一直是电源管理领域的重要组成部分。

随着系统芯片集成度日益增加，工艺尺寸越来越小，速度日趋增加，系统芯片的供电低于1.5V。目前国内线性稳压电源主流产品输出电压大于等于1.5V，且采用弥勒或极点跟随技术进行频率补偿，同时利用输出端外接大电容和其等效串联电阻(ESR)产生一个左半平面零点对系统进行环路补偿，保证系统环路稳定性，而且输出大电容在瞬态响应时充当一个储能元件，能有效的减小负载瞬态跳变时输出电源产生的尖峰，在一定程度上改善了电路负载瞬态响应。但系统芯片供电小于1.5V，其速度也相应增大，采用传统技术的线性稳压器带宽较小，负载瞬态响应不满足低压系统芯片的应用要求；为了满足系统芯片对低压，高速的需求，缩短系列化产品的研制进程，采用混合集成技术实现从核心芯片到电路产品的可重构设计，快速高效的实现了产品系列化和产业化。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于针对上述现有技术中的不足，提供一种双极抗辐照5A低压宽带线性稳压器，输出电压为0.8V～1.5V，最大输出电流为5A，具有输出电流能力强，使用灵活等特点，可广泛应用于低压CPU、DSP、MCU、存储器等大规模数字电路和系统的供电。

本发明采用以下技术方案：

一种双极抗辐照5A低压宽带线性稳压器，宽带两级差分放大器将线性稳压器输出分压后的电压信号与0.7V高精度基准电压进行比较放大，缓冲器对运算放大器比较放大后的信号进行处理，使输出信号具有电流驱动能力，控制具有快速通路的输出功率模块，实现5A低压宽带稳压输出。

具体的，运算放大器正向端接a1点，负向端接FB点，输出端接a2点；缓冲器输入端接a2点，输出端接a3点。

进一步的，运算放大器包括稳定电流源Ib1，电流源Ib1一端接a5，另一端接地；LPNP晶体管Qlp1、Qlp2、Qlp3、Qlp4为电流镜，LPNP晶体管Qlp5、Qlp6，纵向NPN晶体管Qn5、Qn6，R5、R6组成第一级差分放大器，LPNP晶体管Qlp3，纵向NPN晶体管Qn8、Qn9、Qn10组成运放的快速通道，LPNP晶体管Qlp4，纵向NPN晶体管Qn7组成第二级运放，电容C1、C2、电阻R7组成两级运放的补偿网络。

进一步的，晶体管Qlp1基极和集电极接a5，发射极接V_IN；晶体管Qlp2基极接a5，集电极接a6，发射极接V_IN；晶体管Qlp3基极接a5，集电极接a13，发射极接V_IN；晶体管Qlp4基极接a5，集电极接a2，发射极接V_IN；晶体管Qlp5基极接FB，集电极接a7，发射极接a6；晶体管Qlp6基极接a1，集电极接a10，发射极接a6；R5一端接a8，另一端接地；R6一端接a9，另一端接地；晶体管Qn9基极接a13，集电极接a13，发射极接a12；晶体管Qn10基极接a13，集电极接V_IN，发射极接a10；晶体管Qn8基极接a12，集电极接a12，发射极接地；晶体管Qn7基极接a10，集电极接a2，发射极接地；电容C1一端接a11，另一端接a2；电容C2一端接a10，另一端接a11；电阻R7一端接a10，另一端接a11。

进一步的，缓冲器包括稳定电流源Ib2和稳定电流源Ib3，稳定电流源Ib2为缓冲器输出级提供稳定的静态电流；稳定电流源Ib3为缓冲器输入级提供稳定的静态电流。

更进一步的，稳定电流源Ib2一端接V_IN，另一端接a15；电流源Ib3一端接a14，另一端接地；晶体管Qn11基极接a2，集电极接V_IN，发射极接a14；晶体管Qn12基极接a15，集电极接a15，发射极接a2；晶体管Qlp7基极接a14，集电极接地，发射极接a15；电阻R5一端接a15，另一端接a2。

具体的，晶体管Qn1、Qn4组成达林顿驱动晶体管，晶体管Qn2、Qn3和电阻R3实现电流快速通道，电阻R4实现线性稳压器输出功率驱动模块在空载时具有静态电流，具体连接关系如下：

晶体管Qn1基极接a3，集电极接V_IN，发射极接a4；晶体管Qn2基极接a3，集电极接a3，发射极接a4；晶体管Qn3基极接a4，集电极接a4，发射极接V_OUT；电阻R3一端接a4，另一端接V_OUT；晶体管Qn4基极接a4，集电极接V_IN，发射极接V_OUT；电阻R4一端接V_OUT，另一端接地。

具体的，电阻R1、R2实现对线性稳压器输出电压进行分压，将分压后的信号供运算放大器比较放大，电阻R1一端接V_OUT，另一端接FB；电阻R2一端接FB，另一端接地。

具体的，Co为线性稳压器的输出电容，RL为负载，电容Co一端接V_OUT，另一端接地；负载RL一端接V_OUT，另一端接地。

具体的，采用双极抗辐照工艺，宽带两级差分放大器中的横向PNP晶体管发射区直径均为10μm，基区宽度均为8μm；纵向NPN晶体管Qn3、Qn4发射区面积均为10μm×10μm，其余纵向NPN晶体管发射区面积均为7μm×7μm。

与现有技术相比，本发明至少具有以下有益效果：

本发明基于双极抗辐照工艺平台，利用宽带两级差分放大器将输出反馈信号与0.7V高精度基准电压进行比较放大，经缓冲器处理后具有一定的电流驱动能力，从而控制具有快速通路的输出功率模块，实现5A低压宽带稳压输出。该线性稳压器可在3.3V～7V输入电源电压下，通过混合集成技术，实现输出电压为0.8V～1.5V，最大输出电流为5A，具有低压输出、快速负载瞬态响应的特点。

进一步的，Qlpl晶体管与电流源组成偏置电流源电流，通过Qp2、Qlp3、Qlp4晶体管镜像，为运算放大器各支路提供静态偏置电流：由于该线性稳压器启动时输出电压由0V快速稳定到输出标称值要求范围内，第一级差分放大器输入共模范围为0～(V_DD-V_ECS2-V_BE5)，因此需要采用横向PNP(LPNP)晶体管Q1p5、Q1p6作为差分输入晶体管；第一级运算放大器输出节点a10的静态工作电压为V_BE，通过Qn8、Qn9、Qn10晶体管组成的偏置电路，将第二级共射放大器输入晶体管Qn7基极电压箝位在V_BE，实现快速启动作用。Qn7、Q1p4组成共射放大器，该放大器具有较大的增益，用于提升整个运算放大器的增益。进一步的，由Qn11、Qn12、Qlp7、R5及电流源Ib2、Ib3组成的缓冲器，实现了高阻输入低阻输出的特性，具有一定的电流驱动能力。利用Qn11、Qlp7晶体管实现了射随功能，且采用Qn12、R5的组成的结构，确保a14、a15节点电压基本相等，将a14、a15节点极点推向线性稳压器环路带宽以外高频处，该节点极点不影响线性稳压器的频率特性。

进一步的，采用达林顿结构，显著增加了电流增益，很大程度减小了缓冲器的静态功耗：利用Qn2、Qn3、R3组成快速通道，进一步减小输出节点的输出阻抗，提高电路输出的瞬态响应速度。

进一步的，通过设计不同的R1与R2的比值，可实现不同标称值的输出电压。采用该方法，可快速实现0.8～1.5V不同标称值的线性稳压器，降低成本。

进一步的，采用双极抗辐照工艺，横向PNP晶体管发射区直径设计为10um，基区宽度均为8um，在该设计条件下，30uA<I_C<500uA，横向PNP晶体管的电流增益可大于100，可提高电流镜的误差精度；纵向NPN晶体管Qn3、Qn4发射区面积设计为10um×10um，在该设计条件下，1mA<I_C<1.5mA，电流增益可大于80，减小电路静态工作电流，并且减小NPN功率晶体管的面积，降低成本：其余纵向NPN晶体管发射区面积设计为7um×7m，在该设计条件下，10uA<I_C<300uA，电流增益可大于80，可减小控制部分电路的寄生电容，提供工作速度器。

综上所述，本发明采用具有零点补偿、米勒补偿方法设计放大结构，利用射随结构的偏置电路显著减小了主极点的输出阻抗，提高了运放的带宽(单位增益带宽积大于20MHz)：利用具有射随结构的缓冲结构及达林顿输出结构，将缓冲电路，输出电路各节点的带宽推向高频，减小电路的静态工作电流，故该线性稳压器具有大于15MHz的工作带宽，快速负载瞬态响应特性。

下面通过附图和实施例，对本发明的技术方案做进一步的详细描述。

附图说明

图1为抗辐照双极5A低压宽带线性稳压器结构图；

图2为宽带运算放大器电路图；

图3为缓冲器电路图；

图4为抗辐照双极5A低压宽带线性稳压器典型应用电路图。

具体实施方式

本发明提供了一种双极抗辐照5A低压宽带线性稳压器，采用宽带两级差分放大器将输出分压后的信号与0.7V高精度基准电压进行比较放大，经缓冲器处理后具有一定的电流驱动能力，从而控制具有快速通路的输出功率模块，实现5A低压宽带稳压输出。

请参阅图1，本发明一种双极抗辐照5A低压宽带线性稳压器，在抗辐照双极5A低压宽带线性稳压器中，由运算放大器AMP实现对该线性稳压器输出分压后的电压与0.7V基准电压进行比较放大，该运算放大器正向端接a1点，负向端接FB点，输出端接a2点。

缓冲器buffer实现对运算放大器比较放大后的信号进行处理，使之输出信号具有一定的电流驱动能力，该缓冲器buffer输入端接a2点，输出端接a3点。

Qn1、Qn4组成达林顿驱动晶体管，Qn2、Qn3、R3实现电流快速通道，R4实现该线性稳压器输出功率驱动模块在空载时具有一定的静态电流，减小V_OUT点的输出阻抗，改善该线性稳压器输出为空载时的环路稳定性；

Qn1基极接a3，集电极接V_IN，发射极接a4；Qn2基极接a3，集电极接a3，发射极接a4；Qn3基极接a4，集电极接a4，发射极接V_OUT；R3一端接a4，另一端接V_OUT；Qn4基极接a4，集电极接V_IN，发射极接V_OUT；R4一端接V_OUT，另一端接地。

R1、R2实现对该线性稳压器输出电压进行分压，将分压后的信号供运算放大器比较放大，R1一端接V_OUT，另一端接FB；R2一端接FB，另一端接地。

Co为该线性稳压器的输出电容，RL为负载，Co一端接V_OUT，另一端接地；RL一端接V_OUT，另一端接地。

请参阅图2，在宽带双极运算放大器中，实现输出电压V_OUT分压后与高精度0.7V基准快速比较放大。

Ib1为一个稳定电流源，通过横向PNP晶体管(简称LPNP)比例镜像关系为运放各支路提供稳定的静态电流；电流源Ib1一端接a5，另一端接地。

LPNP晶体管Qlp1、Qlp2、Qlp3、Qlp4为电流镜，Qlp1基极和集电极均接a5，发射极接V_IN；Qlp2基极接a5，集电极接a6，发射极接V_IN；Qlp3基极接a5，集电极接a13，发射极接V_IN；Qlp4基极接a5，集电极接a2，发射极接V_IN。

LPNP晶体管Qlp5、Qlp6，纵向NPN晶体管Qn5、Qn6，R5、R6组成第一级差分放大器，Qlp5基极接FB，集电极接a7，发射极接a6；Qlp6基极接a1，集电极接a10，发射极接a6；R5一端接a8，另一端接地；R6一端接a9，另一端接地。

LPNP晶体管Qlp3，纵向NPN晶体管Qn8、Qn9、Qn10组成运放的快速通道，减小a10点的输出阻抗；Qn9基极接a13，集电极接a13，发射极接a12；Qn10基极接a13，集电极接V_IN，发射极接a10；Qn8基极接a12，集电极接a12，发射极接地；

LPNP晶体管Qlp4，纵向NPN晶体管Qn7组成第二级运放，Qn7基极接a10，集电极接a2，发射极接地。

C1、C2、R7组成两级运放的补偿网络，C1一端接a11，另一端接a2；C2一端接a10，另一端接a11；R7一端接a10，另一端接a11。

请参阅图3，在快速缓冲器电路中，实现运算放大器输出电压缓冲，使其具有一定的电流驱动能力；

在线性稳压器重载条件下，a15点对运算放大器输出节点a2具有一定的电流抽取作用，减小了第二级运算放大器输入晶体管Qn7静态电流，引起重载条件下环路增益减小，增加了环路的相位裕度。

Ib2为一个稳定电流源，为缓冲器输出级(Qlp7晶体管)提供稳定的静态电流；Ib3也为一个稳定电流源，为缓冲器输入级(Qn11晶体管)提供稳定的静态电流；电流源Ib2一端接V_IN，另一端接a15；电流源Ib3一端接a14，另一端接地；Qn11基极接a2，集电极接V_IN，发射极接a14；Qn12基极接a15，集电极接a15，发射极接a2；Qlp7基极接a14，集电极接地，发射极接a15；R5一端接a15，另一端接a2。

使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中的描述和所示的本发明实施例的组件可以通过各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本发明的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本发明的范围，而是仅仅表示本发明的选定实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

本发明所提供的一种抗辐照双极5A低压宽带线性稳压器的结构和应用条件如下：

(1)电路结构

如图1所示，该线性稳压器采用外部基准电压(0.7V)、宽带运算放大器、带有快速通道的输出达林顿结构，实现了一款宽带低压线性稳压器，输出电压为0.8V～1.5V，最大输出电流为5A，具有输出电流能力强，使用灵活等特点，可广泛应用于低压CPU、DSP、MCU、存储器等大规模数字电路和系统的供电。

(一)单元结构

如图1所示，在抗辐照双极5A低压宽带线性稳压器中，由运算放大器AMP实现对该线性稳压器输出分压后的电压与0.7V基准电压进行比较放大，该运算放大器正向端接a1点，负向端接FB点，输出端接a2点。

缓冲器buffer实现对运算放大器比较放大后的信号进行处理，使之输出信号具有一定的电流驱动能力，该缓冲器buffer输入端接a2点，输出端接a3点。

Qn1、Qn4组成达林顿驱动晶体管，Qn2、Qn3、R3实现电流快速通道，R4实现该线性稳压器输出功率驱动模块在空载时具有一定的静态电流，减小V_OUT点的输出阻抗，改善输出模块的频率特性；

Qn1基极接a3，集电极接V_IN，发射极接a4，发射区面积为7μm×7μm，发射区元包数为108；

Qn2基极接a3，集电极接a3，发射极接a4，发射区面积为7μm×7μm，发射区元包数为5；

Qn3基极接a4，集电极接a4，发射极接V_OUT，发射区面积为10μm×10μm，发射区元包数为28；

Qn4基极接a4，集电极接V_IN，发射极接V_OUT，发射区面积为10μm×10μm，发射区元包数为4480；

R3一端接a4，另一端接V_OUT，电阻为基区电阻，长宽比为54:9；

R4一端接V_OUT，另一端接地，电阻为低值多晶电阻，长宽比为160:120。

R1、R2(利用混合集成技术，采用片外厚膜电阻实现不同的比例，可采用激光修调，提高该线性稳压器的精度)实现对该线性稳压器输出电压进行分压，将分压后的信号供运算放大器比较放大，R1一端接V_OUT，另一端接FB；R2一端接FB，另一端接地。

Co为该线性稳压器的输出电容，R_L为负载，Co一端接V_OUT，另一端接地，电容值为10×(1±10％)μF；R_L一端接V_OUT，另一端接地。

如图2所示，在宽带双极运算放大器中，实现输出电压V_OUT分压后与高精度0.7V基准快速比较放大。

Ib1为一个稳定电流源，通过LPNP晶体管比例镜像关系为运放各支路提供稳定的静态电流；电流源Ib1一端接a5，另一端接地，电流为30μA。

LPNP晶体管Qlp1、Qlp2、Qlp3、Qlp4为电流镜，Qlp1基极和集电极接a5，发射极接V_IN，发射区直径为10μm，基区宽度为8μm，发射区元包数为1；Qlp2基极接a5，集电极接a6，发射极接V_IN，发射区直径为10μm，基区宽度为8μm，发射区元包数为12；Qlp3基极接a5，集电极接a13，发射极接V_IN，发射区直径为10μm，基区宽度为8μm，发射区元包数为3；Qlp4基极接a5，集电极接a2，发射极接V_IN，发射区直径为10μm，基区宽度为8μm，发射区元包数为15。

LPNP晶体管Qlp5、Qlp6，纵向NPN晶体管Qn5、Qn6，R5、R6组成第一级差分放大器，Qlp5基极接FB，集电极接a7，发射极接a6，发射区直径为10μm，基区宽度为8μm，发射区元包数为6；Qlp6基极接a1，集电极接a10，发射极接a6，发射区直径为10μm，基区宽度为8μm，发射区元包数为6；R5一端接a8，另一端接地，电阻为注入电阻，长宽比为20:24；R6一端接a9，另一端接地，电阻为注入电阻，长宽比为20:24。

LPNP晶体管Qlp3，纵向NPN晶体管Qn8、Qn9、Qn10组成运放的快速通道，减小a10点的输出阻抗；Qn9基极接a13，集电极接a13，发射极接a12，发射区面积为7μm×7μm，发射区元包数为3；Qn10基极接a13，集电极接V_IN，发射极接a10，发射区面积为7μm×7μm，发射区元包数为1；Qn8基极接a12，集电极接a12，发射极接地，发射区面积为7μm×7μm，发射区元包数为5；LPNP晶体管Qlp4，纵向NPN晶体管Qn7组成第二级运放，Qn7基极接a10，集电极接a2，发射极接地，发射区面积为7μm×7μm，发射区元包数为5。

C1、C2、R7组成两级运放的补偿网络，C1一端接a11，另一端接a2，采用MOS电容，其面积为245μm×245μm；C2一端接a10，另一端接a11，采用MOS电容，其面积为100μm×50μm；R7一端接a10，另一端接a11，电阻为基区电阻，长宽比为20:20。

如图3所示，在缓冲器电路中，实现运算放大器输出电压缓冲，使其具有一定的电流驱动能力。

Ib2为一个稳定电流源，为(输出级)Qlp7晶体管提供稳定的静态电流；Ib3也为一个稳定电流源，为缓冲器输入级(Qn11晶体管)提供稳定的静态电流；电流源Ib2一端接V_IN，另一端接a15，电流为20mA；电流源Ib3一端接a14，另一端接地，电流为1mA；Qn11基极接a2，集电极接V_IN，发射极接a14，发射区面积为7μm×7μm，发射区元包数为100；Qn12基极接a15，集电极接a15，发射极接a2，发射区面积为7μm×7μm，发射区元包数为1；Qlp7基极接a14，集电极接地，发射极接a15，发射区直径为10μm，基区宽度为8μm，发射区元包数为41；R5一端接a15，另一端接a2，电阻为基区电阻，长宽比为10:10。

(二)应用条件

本发明的一种抗辐照双极5A低压宽带线性稳压器，可广泛应用于低压CPU、DSP、MCU、存储器等大规模数字电路和系统的供电。

实施例1

基于3μ18V抗辐照双极工艺设计实现，该线性稳压器输入电源电压为3.3V～7V，输出电流范围0～5A，输出电压0.8V～1.5V，系统环路增益带宽积大于等于12MHz，在0.1rad(Si)/s下，抗总剂量能力大于等于100krad(Si)。

按照该发明方案，该电路的典型应用图如图4所示，其中V_IN1＝0.1μF，V_IN2＝10μF，C_OUT＝10μF，R_L1为该线性稳压器的负载。在保证该线性稳压器电气连接特性正确的情况下，采用混合集成技术，通过配置图1中厚膜电路R1、R2不同的比例关系，可实现输出电压为0.8V～1.5V，输出电流可达5A，具有快速负载瞬态响应的特性。

试验结果表明，基于该发明设计的一种抗辐照双极5A低压宽带线性稳压器，输入电源电压为3.3V～7V，输出电压为0.8V～1.5V，输出电流可达5A，可广泛应用于低压CPU、DSP、MCU、存储器等大规模数字电路和系统的供电。

以上内容仅为说明本发明的技术思想，不能以此限定本发明的保护范围，凡是按照本发明提出的技术思想，在技术方案基础上所做的任何改动，均落入本发明权利要求书的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种双极抗辐照5A低压宽带线性稳压器，其特征在于，宽带两级差分放大器将线性稳压器输出分压后的电压信号与0.7V高精度基准电压进行比较放大，缓冲器对运算放大器比较放大后的信号进行处理，使输出信号具有电流驱动能力，控制具有快速通路的输出功率模块，实现5A低压宽带稳压输出。

2.根据权利要求1所述的一种双极抗辐照5A低压宽带线性稳压器，其特征在于，运算放大器正向端接a1点，负向端接FB点，输出端接a2点；缓冲器输入端接a2点，输出端接a3点。

3.根据权利要求2所述的一种双极抗辐照5A低压宽带线性稳压器，其特征在于，运算放大器包括稳定电流源Ib1，电流源Ib1一端接a5，另一端接地；LPNP晶体管Qlp1、Qlp2、Qlp3、Qlp4为电流镜，LPNP晶体管Qlp5、Qlp6，纵向NPN晶体管Qn5、Qn6，R5、R6组成第一级差分放大器，LPNP晶体管Qlp3，纵向NPN晶体管Qn8、Qn9、Qn10组成运放的快速通道，LPNP晶体管Qlp4，纵向NPN晶体管Qn7组成第二级运放，电容C1、C2、电阻R7组成两级运放的补偿网络。

4.根据权利要求3所述的一种双极抗辐照5A低压宽带线性稳压器，其特征在于，晶体管Qlp1基极和集电极接a5，发射极接V_IN；晶体管Qlp2基极接a5，集电极接a6，发射极接V_IN；晶体管Qlp3基极接a5，集电极接a13，发射极接V_IN；晶体管Qlp4基极接a5，集电极接a2，发射极接V_IN；晶体管Qlp5基极接FB，集电极接a7，发射极接a6；晶体管Qlp6基极接a1，集电极接a10，发射极接a6；R5一端接a8，另一端接地；R6一端接a9，另一端接地；晶体管Qn9基极接a13，集电极接a13，发射极接a12；晶体管Qn10基极接a13，集电极接V_IN，发射极接a10；晶体管Qn8基极接a12，集电极接a12，发射极接地；晶体管Qn7基极接a10，集电极接a2，发射极接地；电容C1一端接a11，另一端接a2；电容C2一端接a10，另一端接a11；电阻R7一端接a10，另一端接a11。

5.根据权利要求2所述的一种双极抗辐照5A低压宽带线性稳压器，其特征在于，缓冲器包括稳定电流源Ib2和稳定电流源Ib3，稳定电流源Ib2为缓冲器输出级提供稳定的静态电流；稳定电流源Ib3为缓冲器输入级提供稳定的静态电流。

6.根据权利要求5所述的一种双极抗辐照5A低压宽带线性稳压器，其特征在于，稳定电流源Ib2一端接V_IN，另一端接a15；电流源Ib3一端接a14，另一端接地；晶体管Qn11基极接a2，集电极接V_IN，发射极接a14；晶体管Qn12基极接a15，集电极接a15，发射极接a2；晶体管Qlp7基极接a14，集电极接地，发射极接a15；电阻R5一端接a15，另一端接a2。

7.根据权利要求1所述的一种双极抗辐照5A低压宽带线性稳压器，其特征在于，晶体管Qn1、Qn4组成达林顿驱动晶体管，晶体管Qn2、Qn3和电阻R3实现电流快速通道，电阻R4实现线性稳压器输出功率驱动模块在空载时具有静态电流，具体连接关系如下：

晶体管Qn1基极接a3，集电极接V_IN，发射极接a4；晶体管Qn2基极接a3，集电极接a3，发射极接a4；晶体管Qn3基极接a4，集电极接a4，发射极接V_OUT；电阻R3一端接a4，另一端接V_OUT；晶体管Qn4基极接a4，集电极接V_IN，发射极接V_OUT；电阻R4一端接V_OUT，另一端接地。

8.根据权利要求1所述的一种双极抗辐照5A低压宽带线性稳压器，其特征在于，电阻R1、R2实现对线性稳压器输出电压进行分压，将分压后的信号供运算放大器比较放大，电阻R1一端接V_OUT，另一端接FB；电阻R2一端接FB，另一端接地。

9.根据权利要求1所述的一种双极抗辐照5A低压宽带线性稳压器，其特征在于，Co为线性稳压器的输出电容，RL为负载，电容Co一端接V_OUT，另一端接地；负载RL一端接V_OUT，另一端接地。

10.根据权利要求1所述的一种双极抗辐照5A低压宽带线性稳压器，其特征在于，采用双极抗辐照工艺，宽带两级差分放大器中的横向PNP晶体管发射区直径均为10μm，基区宽度均为8μm；纵向NPN晶体管Qn3、Qn4发射区面积均为10μm×10μm，其余纵向NPN晶体管发射区面积均为7μm×7μm。