CN115440166A - 大电流有源矩阵像素架构 - Google Patents

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Abstract

像素电路通过使驱动晶体管在三极管区域中操作来操作，以输出用于大电流显示应用的大驱动电流。为了保持驱动晶体管在三极管区域中以稳定的方式操作，驱动晶体管的输出电流的源漏电压依赖性通过偏置晶体管进行补偿，这使驱动晶体管的漏极电压恒定在目标漏极电压。偏置晶体管由运行负反馈环路的运算放大器(Opamp)控制，以确保在驱动晶体管的漏极处出现固定的目标电压。为了配置负反馈环路，运算放大器输出端子连接到偏置晶体管的栅极，负端子连接到驱动晶体管的漏极，正端子连接到提供目标电压的电压源线。

Description

大电流有源矩阵像素架构
技术领域
本申请涉及用于将电流输送到显示设备中的元件例如输送到有源矩阵OLED(AMOLED)显示设备的像素中的有机发光二极管(OLED)的电子电路的设计和操作。
背景技术
有机发光二极管(OLED)通过电子和空穴的复合产生光，并且当在阳极和阴极之间施加偏压使得电流在它们之间通过时发光。光的亮度与电流的大小有关。如果没有电流，就没有光发射，因此OLED技术是一种能够绝对黑色，并且在显示应用中使用时实现像素之间几乎“无限”对比度的技术。类似的显示技术可以采用其他类型的发光器件，包括例如微型LED和量子点LED。
在现有技术中教导了几种方法用于像素薄膜晶体管(TFT)电路通过p型驱动晶体管将电流输送到显示设备的元件，例如有机发光二极管(OLED)。在一个示例中，采用诸如低“SCAN”信号的输入信号来切换电路中的晶体管以允许在编程阶段期间将数据电压VDAT存储在存储电容器处。当SCAN信号为高电平并且开关晶体管将电路与数据电压隔离时，VDAT电压由电容器保持，并且将该电压施加到驱动晶体管的栅极。在驱动晶体管具有阈值电压VTH的情况下，流向OLED的电流量与驱动晶体管的栅极上的电压的关系为：
Figure BDA0003661044450000011
其中VDD是连接到驱动晶体管的源极的电源。
TFT器件特性，尤其是TFT阈值电压VTH，可能会随时间变化或在同类器件之间发生变化，例如，由于制造工艺或TFT器件在操作过程中的应力和老化。因此，在VDAT电压相同的情况下，驱动TFT输送的电流量可能会由于这种阈值电压变化而发生显著量的变化。因此，对于给定的VDAT值，显示器中的像素可能表现出不均匀的亮度。
因此，传统上，OLED像素电路通过采用补偿驱动晶体管特性失配的电路而对驱动晶体管的阈值电压和/或载流子迁移率的变化具有高容限范围。例如，US7414599(Chung等人，2008年8月19日发布)中描述了一种方法，该方法描述了一种电路，其中驱动TFT被配置为在编程期间是二极管连接的器件，并且数据电压施加到驱动晶体管的源极。阈值补偿时间由驱动晶体管的特性决定，这可能需要较长的补偿时间才能获得高补偿精度。对于数据编程时间，为编程电容器充电所需的RC常数时间是编程时间的决定因素。如本领域中所指出的，一个水平(1H)时间是为一行编程数据所花费的时间。在一些配置中，例如在US7414599的电路配置中，数据在驱动晶体管的阈值电压得到补偿的同时被编程。
在某些显示配置中，例如高功率应用和可以使用某些类型的LED作为发光器件的其他显示配置，需要相对高的操作电流来驱动发光器件。可以驱动传统发光像素的电流量是驱动晶体管的饱和电压、用于发光的发光器件电压和驱动电源电压的函数。对于非常高的操作电流，驱动晶体管的饱和电压会增加到这样一个点，即由通过驱动晶体管的电流产生的功率主要消耗在驱动晶体管本身中。因此，提供给发光器件的电流变得有限，这对于大电流应用来说是不期望的，因为发光器件的驱动电流不足以实现峰值性能。因此，由于驱动晶体管的饱和电压引起的限制，传统的像素电路配置已被证明不适合大电流显示应用。
发明内容
本申请涉及与传统像素电路配置相比能够输出相对高的驱动电流用于大电流显示应用的像素电路。这在需要更高驱动或操作电流的显示应用中提供了增强的性能。如上所述，可以驱动传统发光像素的电流量是驱动晶体管的饱和电压、用于发光的发光器件电压和驱动电源电压的函数。对于大电流应用，驱动晶体管的饱和电压会增加到一个点，即通过驱动晶体管的电流产生的功率主要消耗在驱动晶体管本身中。因此，提供给发光器件的电流变得有限，这对于大电流应用来说是不期望的，因为发光器件的驱动电流不足以实现峰值性能。
当前应用中描述的电路配置通过使驱动晶体管在三极管区域中操作来降低驱动晶体管中不期望的功率消耗，在三极管区域中驱动晶体管的作用更像是电压控制的电阻器，由此通过驱动晶体管的电流基本上是线性地与驱动晶体管上的源漏电压成正比。通过使驱动晶体管在三极管区域中操作，避免了传统配置的饱和限制，导致在较高的操作电流时驱动晶体管中的功率消耗要低得多。以这种方式，更多的功率趋向于驱动发光器件用于发光，这为大电流显示应用提供了增强的性能。
当使驱动晶体管在三极管区域中操作时，通过驱动晶体管的电流和驱动晶体管上的源漏电压的相互依赖性会产生一个问题。这种相互依赖性可能导致发光器件的电流波动，这会破坏发光。为了保持驱动晶体管在三极管区域中以稳定的方式操作，通过偏置晶体管对驱动晶体管输出电流的源漏电压依赖性进行补偿，这使驱动晶体管的漏极电压值恒定在目标漏极电压值。偏置晶体管由运行负反馈环路的运算放大器(Opamp)控制，以确保在驱动晶体管的漏极处出现固定的目标电压。一个运算放大器可以在多个像素之间共享，或者可以在每个像素电路中单独提供一个运算放大器。
因此，本发明的一个方面是一种用于显示设备的像素电路和相关的电路操作方法，其通过使驱动晶体管在三极管区域中操作而被改善用于大电流显示应用。在示例性实施例中，所述像素电路包括：驱动晶体管，其被配置为在发射阶段根据施加到所述驱动晶体管的栅极的电压控制流向发光器件的电流量，所述驱动晶体管具有第一端子和第二端子，并且在所述发射阶段，所述驱动晶体管的第一端子电连接到第一电压源线；发光器件，其在所述发射阶段在第一端子处电连接到所述驱动晶体管的第二端子并且在第二端子处连接到第二电压源线；偏置晶体管，其具有连接到所述驱动晶体管的第二端子的第一端子和在所述发射阶段电连接到所述发光器件的第一端子的第二端子；以及运算放大器(Opamp)，其具有连接到所述偏置晶体管的栅极的输出端子，并且所述运算放大器以负反馈环路配置连接，以在所述发射阶段将所述驱动晶体管的第二端子处的电压固定到目标电压。
执行从所述发光器件发射光的发射阶段包括：使所述运算放大器在负反馈环路中操作，以将所述驱动晶体管的第二端子处的电压固定到所述目标电压；将所述驱动晶体管的第一端子电连接到所述第一电压源线，以将第一电压源施加到所述驱动晶体管的第一端子；以及将所述发光器件的第一端子经由所述偏置晶体管电连接到所述驱动晶体管的第二端子，从而将所述第一电压源施加到所述发光器件。所述驱动晶体管的第一端子可以是所述驱动晶体管的源极，并且所述驱动晶体管的第二端子可以是所述驱动晶体管的漏极。
为了实现上述和相关的目的，本发明包括在下文中充分描述并且在权利要求中特别指出的特征。以下描述和附图详细阐述了本发明的某些说明性实施例。然而，这些实施例仅表示可以采用本发明的原理的各种方式中的几种。本发明的其他目的、优点和新颖特征将从以下结合附图对本发明的详细描述中变得显而易见。
附图说明
图1是描绘根据本申请的实施例的电路配置的图。
图2是描绘与图1的电路的操作相关的时序图的图。
具体实施方式
现在将参照附图描述本申请的实施例，其中相同的附图标记自始至终用于指代相同的元件。应当理解，这些图不一定按比例绘制。
图1是描绘根据本申请的实施例的像素电路配置10的图，图2是与图1的像素电路配置10的操作相关联的时序图。在该示例中，像素电路10被配置为薄膜晶体管(TFT)电路，其包括多个p型晶体管TB、TD、T1、T2、T3、T4、T5、T6、存储电容器Cst和运算放大器(Opamp)。电路元件驱动发光器件，例如有机发光二极管(OLED)器件。该发光器件(OLED)具有相关的内部电容，在电路图中表示为Coled。此外，虽然主要结合作为发光器件的OLED描述实施例，但是类似的原理可以用于采用其他类型的发光器件的显示技术，包括例如微型LED和量子点LED。
更具体地，图1描绘了配置有多个p-MOS或p型TFT的TFT像素电路10。晶体管TD是作为模拟TFT的驱动晶体管，第一至第六晶体管T1-T6是数字开关TFT。如图1所示，驱动晶体管具有漏极端子、栅极端子和源极端子，其中相应的漏极端子、栅极端子和源极端子在图1中分别标识为VD、VG和VS。晶体管TB被称为偏置晶体管并且是用作可变电阻器的模拟TFT。如下文进一步详述的，运算放大器输出偏置电压Vbias，其通过偏置晶体管TB的电阻控制驱动晶体管的漏极处的漏极电压。如上所述，Cst和Coled是电容器，Cst也称为存储电容器。Coled是OLED器件的内部电容(即，Coled不是单独部件，而是OLED固有的)。OLED还连接到如传统那样供应输入电压ELVSS的电压源线。
OLED和像素电路10，包括晶体管、电容器和连接线，可以使用本领域传统的TFT制造工艺来制造。应当理解，可采用类似的制造工艺来制造根据任何实施例的TFT电路。
例如，TFT电路10可以设置在诸如玻璃、塑料或金属基板的基板上。每个TFT可以包括栅极电极、栅极绝缘层、半导体层、第一电极和第二电极。半导体层设置在基板上。栅极绝缘层设置在半导体层上，栅极电极可以设置在绝缘层上。第一电极和第二电极可以设置在绝缘层上并使用通孔连接到半导体层。第一电极和第二电极可以分别被俗称为TFT的“源极电极”和“漏极电极”。每个电容器可以包括第一电极、绝缘层和第二电极，由此绝缘层形成第一电极和第二电极之间的绝缘屏障。电路中的部件之间的布线以及用于将信号引入电路的布线(例如，SCAN、EMI、VINI和VDAT)可以包括金属线或掺杂的半导体材料。例如，金属线可以设置在基板和TFT的栅极电极之间，并且使用通孔连接到电极。可以通过化学气相沉积来沉积半导体层，并且可以通过热蒸发技术来沉积金属层。
OLED器件可以设置在TFT电路上方。OLED器件可以包括：第一电极(例如，OLED的阳极)，在该示例中连接到晶体管T5和T6；用于将电荷(例如，空穴)注入或传输到发射层的一个或多个层；发射层；用于将电荷(例如，电子)注入或传输到发射层的一个或多个层；以及第二电极(例如，OLED的阴极)，在该示例中连接到电压源ELVSS。注入层、传输层和发射层可以是有机材料，第一电极和第二电极可以是金属，并且所有这些层都可以通过热蒸发技术来沉积。
结合图2的时序图参考图1的TFT像素电路10，TFT像素电路10操作以执行三个阶段：初始化阶段、组合阈值补偿和数据编程阶段以及用于发光的发射阶段。对于该示例和相关实施例，按行和列寻址显示像素。当前行是第n行。前一行是第n-1行，前第二行是n-2。下一行是第n+1行，之后的行是第n+2行，各行以此类推，因为它们与图中标识的相应控制信号相关。因此，例如，SCAN(n)是指第n行的扫描信号，SCAN(n-1)是指第n-1行的扫描信号等。EMI(n)是指第n行的发射信号等，各种控制信号以此类推。以这种方式，对于各种实施例，输入信号对应于所指示的行。
如图1的电路配置所示，驱动晶体管TD具有第一端子(例如，源极)和与第一端子相对的第二端子(例如，漏极)，第一端子和第二端子分别表示为源极VS和漏极VD。驱动晶体管的栅极表示为VG。如图2的时序图所示，在前一个发射阶段，EMI(n)信号具有低电压值，因此开关晶体管T3和T5处于导通状态，并且发光由通过T3电连接到驱动晶体管TD的第一端子的输入驱动电压ELVDD来驱动，从而施加到OLED的实际电流由驱动晶体管的栅极和源极之间的电压决定。如下文进一步详述的，施加于OLED的电流也由驱动晶体管的源漏电压决定，并且偏置晶体管TB将驱动晶体管的漏极电压设置为固定的目标电压值，以确保恒定和稳定电流流过驱动晶体管并流向OLED。同样从前一发射阶段，适用行的SCAN信号电平最初具有高电压值，因此开关晶体管T1、T2、T4和T6都处于截止状态。
执行初始化阶段以初始化各种电路电压，例如存储电容器和驱动晶体管处的电压，以消除前一帧的影响。在初始化阶段开始时，EMI(n)信号电平从低电压值变为高电压值，使开关晶体管T3和T5处于截止状态。开关晶体管T3的第一端子连接到输入电压源线，输入电压源线提供输入驱动电压ELVDD，第二端子连接到驱动晶体管的第一端子(源极)。开关晶体管T5的第一端子连接到偏置晶体管，在发射阶段该第一端子电连接到驱动晶体管的第二端子(漏极)，开关晶体管T5的第二端子连接到发光器件的第一端子。当晶体管T3和T5截止时，驱动晶体管断开与驱动电压源ELVDD的电连接并且断开与发光器件OLED的电连接。
同样在初始化阶段，SCAN(n-1)信号电平从高电压值变为低电压值，这将开关晶体管T1置于导通状态。至于电路部件，存储电容器Cst的第一极板连接到提供输入驱动电压ELVDD的输入电压源线，第二极板连接到驱动晶体管的栅极。开关晶体管T1的第一端子连接到驱动晶体管的栅极和存储电容器的第二极板，第二端子连接到提供初始化电压VINI的初始化电压源线。随着开关晶体管T1导通，VINI通过T1施加到驱动晶体管的栅极和存储电容器的第二极板。因此，来自前一帧的驱动晶体管的栅极电压(也是存储电容器的第二极板处的电压)被重置，并且驱动晶体管被初始化为后续组合阈值补偿和数据编程阶段所需的低栅极电压。在初始化阶段接近结束时，信号SCAN(n-1)从低电压值变为高电压值，这将开关晶体管T1置于截止状态，以将驱动晶体管的栅极与初始化电压源线隔离。
像素电路接下来可在组合阈值补偿和数据编程阶段中操作，在此期间驱动晶体管的阈值电压被补偿并且用于发光的数据电压值被编程到像素电路。信号SCAN(n)从高电压值变为低电压值，这将开关晶体管T2、T4和T6置于导通状态。开关晶体管T6的第一端子连接到提供初始化电压VINI的初始化电压源线，第二端子连接到发光器件的第一端子。随着T6导通，VINI通过T6施加到发光器件的第一端子，这重置或初始化发光器件的电压，以消除前一帧的任何影响。
开关晶体管T2的第一端子连接到驱动晶体管的栅极，还连接到存储电容器的第二极板，第二端子连接到驱动晶体管的第二端子(漏极)。当晶体管T2导通时，驱动晶体管TD的栅极和第二端子(漏极)通过开关晶体管T2彼此电连接，并且驱动晶体管TD变为二极管连接。二极管连接是指驱动晶体管TD在其栅极和另一端子(例如，源极或漏极)彼此电连接的情况下操作，使得电流沿一个方向流动。另外，开关晶体管T4的第一端子连接到提供数据电压VDAT的数据电压源线，第二端子连接到驱动晶体管的第一端子(源极)。当晶体管T4导通时，数据电压源线电连接到驱动晶体管的第一端子(源极)，因此数据电压值VDAT通过T4施加到驱动晶体管的第一端子。通过这样的操作，驱动晶体管的源栅电压为：
VSG＝VDAT-VVINI
由于驱动晶体管的栅极节点VG是浮动的，所以驱动晶体管TD将向节点VG注入电流，直到驱动晶体管的栅极电压高到足以使驱动晶体管截止，从而允许驱动晶体管的阈值电压补偿。用于补偿的驱动晶体管的栅极节点上的电压VG，也对应于存储电容器Cst的第二极板，变为：
VG＝VDAT-VTH
其中VTH是驱动晶体管TD的阈值电压。以这种方式，驱动晶体管的阈值电压和数据电压值被存储电容器Cst有效地存储。
优选地，为了对驱动晶体管TD进行有效的电压阈值补偿，驱动晶体管的栅极和源极之间的初始电压差应为：
VDAT-VVINI＞|VTH|+ΔV
其中ΔV是大到足以在分配的阈值补偿时间内产生高初始电流来为存储电容器充电的电压。ΔV的值将取决于晶体管的特性。例如，对于示例性IGZO和LTPS薄膜晶体管工艺，ΔV将至少为3伏。电压ELVDD和VINI被设置为满足该电压要求。存储在存储电容器Cst上的电压为：
VCst＝VELVDD-VDAT+VTH
因此，驱动晶体管的阈值电压和数据电压值再次由存储电容器Cst有效地存储。
在组合阈值补偿和数据编程阶段结束时，信号SCAN(n)从低电压值变为高电压值，这将开关晶体管T2、T4和T6置于截止状态。随着这些晶体管截止，驱动晶体管TD不再是二极管连接并且驱动晶体管源极与数据电压源线VDAT电隔离，并且发光器件与初始化电压源线VINI电隔离。
像素电路接下来可在发光器件发光的发射阶段操作。一般来说，为了改善在大电流应用中的使用，驱动晶体管TD在三极管区域操作，其中驱动晶体管的功能更像是一个电压控制的电阻，从而通过驱动晶体管的电流基本上与驱动晶体管上的源漏电压成线性比例。通过使驱动晶体管在三极管区域操作，避免了传统配置的饱和限制，并且可以向发光器件提供更高的电流用于发光。然而，如上所述，当使驱动晶体管在三极管区域中操作时，通过驱动晶体管的电流和驱动晶体管上的源漏电压的相互依赖会产生问题。这种相互依赖可能导致流向发光器件的电流波动，这会破坏发光。为了保持驱动晶体管以电流不波动的稳定方式在三极管区域内操作，通过偏置晶体管TB补偿驱动晶体管的输出电流的源漏电压依赖，从而保持驱动晶体管的漏极电压恒定在目标漏极电压值。偏置晶体管TB由以负反馈环路配置连接的运算放大器(Opamp)控制，以确保在驱动晶体管的漏极处出现固定的目标电压。可以在多个像素之间共享一个运算放大器，也可以在每个像素电路中单独提供一个运算放大器。
参考图1的像素电路配置10，偏置晶体管TB的第一端子连接到驱动晶体管的第二端子(漏极)，第二端子连接到开关晶体管T5的第一端子。如下文进一步详述的，在发射阶段，偏置晶体管的第二端子通过T5电连接到发光器件的第一端子，以向发光器件提供电流用于发光。如上所述，像素电路还包括运算放大器(Opamp)，并且偏置晶体管TB的栅极连接到运算放大器的输出端子。运算放大器的正输入端子连接到固定输入电压源线，该固定输入电压源线供应对应于驱动晶体管的目标漏极电压值的固定电压，该目标漏极电压值被称为VD-target。VD-target的合适电压值可以是接近ELVDD的电压，例如ELVDD-1V或相当的电压值。一般而言，VD-target的电压值在这种电压值高于VDAT，或ELVSS加上发光器件上的电压(ELVSS+VOLED)时是合适的。
运算放大器的负端子连接到驱动晶体管TD的第二端子(漏极)。当电流流过驱动晶体管时，负反馈环路通过经由偏置晶体管TB的运算放大器输出进行操作，以拉动驱动晶体管漏极端子VD处的漏极电压，将驱动晶体管的第二端子(漏极)处的电压固定到目标电压值VD-target。通过将驱动晶体管的漏极电压固定到目标漏极电压值VD-target，驱动晶体管上的电压被稳定，并且驱动晶体管可在三极管模式下操作而没有任何电流波动倾向。
在发射阶段，信号EMI(n)从低电压值变为高电压值，这使晶体管T3和T5处于导通状态。在晶体管T3和T5导通的情况下，驱动晶体管的第一端子(源极)通过T3电连接到提供输入驱动电压ELVDD的输入电压源线，并且发光器件的第一端子通过T5和偏置晶体管TB电连接到驱动晶体管的第二端子(漏极)。因此，驱动电流通过ELVDD经由晶体管T3、TD、TB和T5提供给发光器件。因此，驱动晶体管的栅源电压与存储在存储电容器Cst上的电压相同，即：
VSG＝VCst＝VELVDD-VDATA+VTH
在该配置中，驱动晶体管的源栅电压被选择为使得驱动晶体管在如上所述的三极管区域中操作。对于在三极管区域中操作的驱动晶体管，满足以下关系。
VSG-VTH＞VSD
Figure BDA0003661044450000101
Figure BDA0003661044450000102
如果以下关系成立，则可以为使用偏置晶体管TB的三极管区域操作设置目标漏极电压：
VELVDD-VELVSS-VOLED＞VSD
Figure BDA0003661044450000103
Figure BDA0003661044450000104
通过满足上述关系，从而驱动晶体管以三极管模式操作，驱动晶体管现在将电流从正供电轨到负供电轨提供给发光器件。驱动晶体管提供给发光器件的电流量为：
Figure BDA0003661044450000111
Figure BDA0003661044450000112
其中
Figure BDA0003661044450000113
Cox是驱动晶体管栅极氧化层的电容；
W是驱动晶体管沟道的宽度；
L是驱动晶体管沟道的长度(即，源极和漏极之间的距离)；和
μn是驱动晶体管的载流子迁移率。
因此，流向OLED的电流不依赖于驱动晶体管TD的阈值电压，因此流向OLED器件的电流IOLED不受驱动晶体管阈值电压变化的影响。以这种方式，驱动晶体管的阈值电压的任何变化都得到了补偿。此外，通过使驱动晶体管在三极管区域中操作，与受驱动晶体管饱和限制的传统配置相比，可以为像素电路的操作提供显著更高的操作电流，这为大电流显示应用提供改善的操作。
在图1和图2的示例中，包括驱动晶体管TD、偏置晶体管TB和数字开关晶体管T1-T6的晶体管是如图1所示的p型晶体管。在替代实施例中，可以使用n型晶体管而不是p型晶体管类似地配置像素电路。如本领域已知的，OLED或其他类型的发光器件的驱动特性可能更适合于p型与n型晶体管中的一种或另一种，并且本申请的原理适用于任一类型的配置。图2的时序图中描绘的控制信号电平对于n型晶体管配置基本上是类似的，除了根据n型晶体管而不是p型晶体管的操作所需修改的高电压与低电压值。
尽管已经针对某个或某些实施例示出和描述了本发明，但是很明显，在阅读并理解了本说明书和附图之后，本领域的其他技术人员将想到等效的改变和修改。特别是关于由上述元件(部件、组件、器件、组合物等)执行的各种功能，用于描述这些元件的术语(包括对“装置”的引用)旨在对应于(除非另有说明)执行所描述的元件的指定功能的任何元件(即，在功能上等效)，即使在结构上不等同于所描述的执行此处所示的本发明的一个或多个示例性实施例中的功能的结构。此外，虽然本发明的特定特征可能已经在上面仅针对若干个所示实施例中的一个或多个进行了描述，但是这样的特征可以与其他实施例的一个或多个其他特征组合，这对于任何给定或特定的应用可能是需要的和有利的。
工业适用性
本发明的实施例适用于许多显示设备，以允许高分辨率的显示设备具有有效阈值电压补偿和真黑性能。这种设备的示例包括电视机、移动电话、个人数字助理(PDA)、平板电脑和膝上型计算机、台式监视器、数码相机以及需要高分辨率显示器的类似设备。
附图标记列表
T1-T6–开关晶体管
TD–驱动晶体管
TB–偏置晶体管
OLED–有机发光二极管(或一般的发光器件)
Cst–存储电容器
Coled–OLED的内部电容
VG–像素电路中的驱动晶体管的栅极
VS–像素电路中的驱动晶体管的源极
VD–像素电路中的驱动晶体管的漏极
VDAT–数据电压电源线或数据电压
ELVSS–电压源
ELVDD–电压源
VINI–初始化电压源线或初始化电压
VD-target–目标漏极电压源线或目标漏极电压
SCAN/EMI–控制信号

Claims (20)

1.一种用于显示设备的像素电路，包括：
驱动晶体管，其被配置为在发射阶段根据施加到所述驱动晶体管的栅极的电压控制流向发光器件的电流量，所述驱动晶体管具有第一端子和第二端子，并且在所述发射阶段，所述驱动晶体管的第一端子电连接到第一电压源线；
发光器件，其在所述发射阶段在第一端子处电连接到所述驱动晶体管的第二端子并且在第二端子处连接到第二电压源线；
偏置晶体管，其具有连接到所述驱动晶体管的第二端子的第一端子，和在所述发射阶段电连接到所述发光器件的第一端子的第二端子；以及
运算放大器(Opamp)，其具有连接到所述偏置晶体管的栅极的输出端子，并且所述运算放大器以负反馈环路配置连接，以在所述发射阶段将所述驱动晶体管的第二端子处的电压固定到目标电压。
2.根据权利要求1所述的像素电路，其中所述运算放大器的负端子连接到所述驱动晶体管的第二端子，并且所述运算放大器的正端子连接到提供所述目标电压的输入电压源线。
3.根据权利要求1-2中任一项所述的像素电路，其中所述驱动晶体管的第一端子是所述驱动晶体管的源极，并且所述驱动晶体管的第二端子是所述驱动晶体管的漏极。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的像素电路，还包括存储电容器，所述存储电容器具有连接到所述第一电压源线的第一极板，和连接到所述驱动晶体管的栅极的第二极板，其中在组合阈值补偿和数据编程阶段，所述驱动晶体管的阈值电压和数据电压由所述存储电容器存储。
5.根据权利要求4所述的像素电路，还包括第一开关晶体管，所述第一开关晶体管具有连接到驱动晶体管的栅极和所述存储电容器的第二极板的第一端子，和连接到提供初始化电压的初始化电压源线的第二端子，其中当所述第一开关晶体管处于导通状态时，所述驱动晶体管的栅极和所述存储电容器的第二极板通过所述第一开关晶体管电连接到所述初始化电压源线。
6.根据权利要求5所述的像素电路，还包括第二开关晶体管，所述第二开关晶体管具有连接到所述驱动晶体管的栅极的第一端子和连接到所述驱动晶体管的第二端子的第二端子，其中当所述第二开关晶体管处于导通状态时，所述驱动晶体管变为二极管连接，使得所述驱动晶体管的栅极和第二端子通过所述第二开关晶体管彼此电连接。
7.根据权利要求6所述的像素电路，还包括第三开关晶体管，所述第三开关晶体管具有连接到所述第一电压源线的第一端子和连接到所述驱动晶体管的第一端子的第二端子，其中当所述第三开关晶体管处于导通状态时，所述驱动晶体管的第一端子通过所述第三开关晶体管电连接到所述第一电压源线。
8.根据权利要求7所述的像素电路，还包括第四开关晶体管，所述第四开关晶体管具有连接到提供所述数据电压的数据电压源线的第一端子和连接到所述驱动晶体管的第一端子的第二端子，其中当所述第四开关晶体管处于导通状态时，所述驱动晶体管的第一端子通过所述第四开关晶体管电连接到所述数据电压源线。
9.根据权利要求8所述的像素电路，还包括第五开关晶体管，所述第五开关晶体管具有连接到所述偏置晶体管的第二端子的第一端子和连接到所述发光器件的第一端子的第二端子，其中当所述第五开关晶体管处于导通状态时，所述发光器件的第一端子通过所述第五开关晶体管电连接到所述偏置晶体管。
10.根据权利要求9所述的像素电路，还包括第六开关晶体管，所述第六开关晶体管具有连接到提供所述初始化电压的初始化电压源线的第一端子和连接到所述发光器件的第一端子的第二端子，其中当所述第六开关晶体管处于导通状态时，所述发光器件的第一端子通过所述第六开关晶体管电连接到所述初始化电压源线。
11.根据权利要求1-10中任一项所述的像素电路，其中所述晶体管是p型晶体管。
12.根据权利要求1-11中任一项所述的像素电路，其中所述发光器件是有机发光二极管、微型发光二极管(LED)或量子点LED中的一种。
13.一种操作用于显示设备的像素电路的方法，包括以下步骤：
提供所述像素电路，所述像素电路包括：
驱动晶体管，其被配置为在发射阶段根据施加到所述驱动晶体管的栅极的电压控制流向发光器件的电流量，所述驱动晶体管具有第一端子和第二端子，并且所述驱动晶体管的第一端子可电连接到第一电压源线；
发光器件，其在第一端子处可电连接到所述驱动晶体管的第二端子并且在第二端子处连接到第二电压源线；
偏置晶体管，其具有连接到所述驱动晶体管的第二端子的第一端子和可电连接到所述发光器件的第一端子的第二端子；以及
运算放大器(Opamp)，其具有连接到所述偏置晶体管的栅极的输出端子、连接到所述驱动晶体管的第二端子的负端子和连接到提供目标电压的输入电压源线的正端子；和
执行从所述发光器件发射光的所述发射阶段，包括：
使所述运算放大器在负反馈环路中操作，以将所述驱动晶体管的第二端子处的电压固定到所述目标电压；
将所述驱动晶体管的第一端子电连接到所述第一电压源线，以将第一电压源施加到所述驱动晶体管的第一端子；以及
将所述发光器件的第一端子经由所述偏置晶体管电连接到所述驱动晶体管的第二端子，从而将所述第一电压源施加到所述发光器件。
14.根据权利要求13所述的操作像素电路的方法，其中所述像素电路还包括存储电容器，所述存储电容器具有连接到所述第一电压源线的第一极板和连接到所述驱动晶体管的栅极的第二极板；
所述方法还包括执行组合阈值补偿和数据编程阶段，所述组合阈值补偿和数据编程阶段包括由所述存储电容器存储所述驱动晶体管的阈值电压和数据电压。
15.根据权利要求14所述的操作像素电路的方法，其中所述像素电路还包括第一开关晶体管，所述第一开关晶体管具有连接到所述驱动晶体管的栅极和所述存储电容器的第二极板的第一端子，和连接到提供初始化电压的初始化电压源线的第二端子；
所述方法还包括执行初始化阶段，所述初始化阶段包括将所述第一开关晶体管置于导通状态，以通过所述第一开关晶体管将所述初始化电压施加到所述驱动晶体管的栅极和所述存储电容器的第二极板。
16.根据权利要求15所述的操作像素电路的方法，其中所述像素电路还包括第二开关晶体管，所述第二开关晶体管具有连接到所述驱动晶体管的栅极的第一端子和连接到所述驱动晶体管的第二端子的第二端子；
其中所述组合阈值补偿和数据编程阶段还包括将所述第二开关晶体管置于导通状态，从而所述驱动晶体管变为二极管连接，使得所述驱动晶体管的栅极和第二端子通过所述第二开关晶体管彼此电连接。
17.根据权利要求16所述的操作像素电路的方法，其中所述像素电路还包括第三开关晶体管，所述第三开关晶体管具有连接到所述第一电压源线的第一端子和连接到所述驱动晶体管的第一端子的第二端子；
其中所述发射阶段还包括将所述第三开关晶体管置于导通状态，以通过所述第三开关晶体管将所述第一电压源施加到所述驱动晶体管的第一端子。
18.根据权利要求17所述的操作像素电路的方法，其中所述像素电路还包括第四开关晶体管，所述第四开关晶体管具有连接到提供所述数据电压的数据电压源线的第一端子和连接到所述驱动晶体管的第一端子的第二端子；
其中所述组合阈值补偿和数据编程阶段还包括将所述第四开关晶体管置于导通状态，以通过所述第四开关晶体管将所述数据电压施加到所述驱动晶体管的第一端子。
19.根据权利要求18所述的操作像素电路的方法，其中所述像素电路还包括第五开关晶体管，所述第五开关晶体管具有连接到所述偏置晶体管的第二端子的第一端子和连接到所述发光器件的第一端子的第二端子；
其中所述发射阶段还包括将所述第五开关晶体管置于导通状态，以通过所述第五开关晶体管将所述发光器件的第一端子电连接到所述偏置晶体管。
20.根据权利要求19所述的操作像素电路的方法，其中所述像素电路还包括第六开关晶体管，所述第六开关晶体管具有连接到提供所述初始化电压的所述初始化电压源线的第一端子和连接到所述发光器件的第一端子的第二端子；
其中所述组合阈值补偿和数据编程阶段还包括将所述第六开关晶体管置于导通状态，以通过所述第六开关晶体管将所述初始化电压施加到所述发光器件的第一端子。
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