CN115416170A - 一种晶棒的切割方法以及切割装置 - Google Patents

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CN115416170A CN202211079693.9A CN202211079693A CN115416170A CN 115416170 A CN115416170 A CN 115416170A CN 202211079693 A CN202211079693 A CN 202211079693A CN 115416170 A CN115416170 A CN 115416170A
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张文
郭钰
刘春俊
彭同华
杨建�
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Abstract

本申请公开了一种晶棒的切割方法以及切割装置，所述切割方法包括：在对所述晶棒切割的过程中，获取喷涂有砂浆的切割线的温度信息；基于所述温度信息，控制喷涂在所述切割线上的砂浆的温度，控制喷涂在所述切割线上砂浆的温度与所述切割线和所述晶棒的接触面积负相关。在本申请中，随着所述切割线越靠近所述晶棒的中间位置，使所述砂浆的温度逐渐降低，随着所述切割线远离所述晶棒的中心位置，使所述砂浆的温度逐渐升高，从而实现所述晶棒和所述切割线在不同切割位置的温度保持稳定，即使所述切割线的切削能力在整个切割过程中维持稳定，避免因切削能力不足导致的缺陷，从而达到减小晶片翘曲的目的。

Description

一种晶棒的切割方法以及切割装置
技术领域
本申请涉及半导体材料加工领域，更具体的说，涉及一种晶棒的切割方法以及切割装置。
背景技术
目前，对于多线切割的砂浆温度通常是设置一个固定的温度，通过冷却机对砂浆温度进行恒温控制。但是，其没有考虑到切割过程是动态变化的，刚开始切割时钢线与晶棒接触面积较小，发热相对较少，随着切割过程的深入，钢线与晶棒接触面积逐渐增大，发热量也随之大幅增加，此时控制砂浆温度与切割初期相同显然是不合理的，而寻求切割过程中各阶段适宜的砂浆温度是改善碳化硅晶片面型所面临的重要挑战。
发明内容
有鉴于此，本申请提供了一种晶棒的切割方法以及切割装置，方案如下：
一种晶棒的切割方法，所述切割方法包括：
在对所述晶棒切割的过程中，获取喷涂有砂浆的切割线的温度信息；
基于所述温度信息，控制喷涂在所述切割线上的砂浆的温度，控制喷涂在所述切割线上砂浆的温度与所述切割线和所述晶棒的接触面积负相关。
优选的，在上述切割方法中，在获取所述切割线的温度信息之前，还包括：
将所述晶棒安装在工作台，将所述工作台移动至开始切割位置；
打开砂浆喷涂装置，将砂浆喷涂在所述切割线表面，开始切割。
优选的，在上述切割方法中，获取所述切割线的温度信息的方法包括：
通过置于切割机舱内的温度传感器，获取位于所述切割机舱内喷涂有砂浆的所述切割线的温度信息。
优选的，在上述切割方法中，控制喷涂在所述切割线上砂浆的温度与所述切割线和所述晶棒的接触面积负相关，包括：
当切割深度不大于R/2时，使所述砂浆的温度随着所述晶棒的切割深度的增大而减小，所述晶棒的被切割位置的端面直径为R；
当切割深度不小于R/2时，使所述砂浆的温度随着所述晶棒的切割深度的增大而增大。
优选的，在上述切割方法中，使所述砂浆的温度随着所述晶棒的切割深度的增大而减小包括：
所述晶棒的切割深度从0至R/3的切割过程中，使所述砂浆的温度随着切割深度的增大而减小，温度的下降范围不大于1℃；
所述晶棒的切割深度从R/3至R/2的切割过程中，使所述砂浆的温度随着切割深度的增大而减小，温度的下降范围不大于0.5℃。
优选的，在上述切割方法中，使所述砂浆的温度随着所述晶棒的切割深度的增大而增大包括：
所述晶棒的切割深度从R/2至2R/3的切割过程中，使所述砂浆的温度随着切割深度的增大而增大，温度的增加范围不大于0.5℃；
所述晶棒的切割深度从2R/3至R的切割过程中，使所述砂浆的温度随着切割深度的增大而增大，温度的增加范围不大于1℃。
优选的，在上述切割方法中，所述砂浆的温度范围为20～25℃。
本申请还提出了一种晶棒切割装置，其方案如下:
一种晶棒切割装置，所述切割装置包括：
切割机舱；
位于所述切割机舱内的槽轮，用于带动切割线转动；
控制器，所述控制器用于在对所述晶棒切割的过程中，获取喷涂有砂浆的切割线的温度信息，基于所述温度信息，控制喷涂在所述切割线上的砂浆的温度，控制喷涂在所述切割线上砂浆的温度与所述切割线和所述晶棒的接触面积负相关。
优选的，在上述切割装置中，所述切割装置还包括：
位于所述切割机舱内的温度传感器；
所述控制器与所述温度传感器连接，用于通过所述温度传感器获取喷涂有砂浆的切割线的温度信息。
优选的，在上述切割装置中，当切割深度不大于R/2时，所述控制器用于使所述砂浆的温度随着所述晶棒的切割深度的增大而减小，所述晶棒的被切割位置的端面直径为R；
当切割深度不小于R/2时，所述控制器用于使所述砂浆的温度随着所述晶棒的切割深度的增大而增大。
通过上述可知，本申请提出了一种晶棒的切割方法以及切割装置，所述切割方法包括：在对所述晶棒切割的过程中，获取喷涂有砂浆的切割线的温度信息；基于所述温度信息，控制喷涂在所述切割线上的砂浆的温度，控制喷涂在所述切割线上砂浆的温度与所述切割线和所述晶棒的接触面积负相关。在本申请中，随着所述切割线越靠近所述晶棒的中间位置，使所述砂浆的温度逐渐降低，随着所述切割线远离所述晶棒的中心位置，使所述砂浆的温度逐渐升高，从而实现所述晶棒和所述切割线在不同切割位置的温度保持稳定，从而达到减少晶片翘曲度的目的，即根据所述切割线不同的切割深度动态调整所述砂浆的温度，使所述切割线的切削能力在整个切割过程中维持稳定，避免因切削能力不足导致的缺陷，从而达到减小晶片翘曲的目的。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或相关技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
本说明书附图所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本申请可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本申请所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本申请所揭示的技术内容得能涵盖的范围内。
图1为一种对晶棒进行多线切割的原理示意图；
图2为本申请提供的一种晶棒切割方法的流程示意图；
图3为本申请提供的另一种晶棒切割方法的流程示意图；
图4为本申请提供的又一种晶棒切割方法的流程示意图；
图5为本申请实施例中所述砂浆温度随切割深度的变化图；
图6为本申请实施例提供的一种晶棒切割装置的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请中的实施例进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
随着半导体技术和光电技术的快速发展，碳化硅晶片的需求量逐年增大。碳化硅晶片主要制造工艺流程为：晶体生长—切割(切片)—研磨—抛光。其中，切割工序是碳化硅晶片制造加工中的关键工序之一。切割加工质量的好坏，直接影响后续工序加工的质量。而切割工序得到的晶片中，晶片翘曲度(Warp)是评价晶片变形的重要指标。晶片翘曲度通常指不受外力影响下，晶片的中间面最高点与最低点的距离。在实际生产中，晶片翘曲度通常难以修复，并且会导致在后续的加工中，晶片轴线与晶轴偏离，影响后续加工质量。因此，在切割过程中，需要严格控制晶片翘曲度的值。其中，多线切割技术是目前世界上比较先进的碳化硅晶片加工技术。
参考图1，图1为一种对晶棒进行多线切割的原理示意图，所述多线切割的基本原理是由槽轮1带动绕在所述槽轮1上的切割线2高速运动带动高硬度的研磨颗粒对材料进行研磨去除，实现对材料的切片，砂粒在切割过程中进行移动和滚动运动。其中高硬度的研磨颗粒以砂浆形式存在，且对于切割线2的选择大多以钢线为主。
如图1所示，在多线切割的切割过程中，随着切割线2、砂浆和晶棒3之间持续的相对运动还会产生大量的热，作为切削介质的砂浆必须带走产生的热量，以保持系统正常的工作温度，否则，产生的热量会累积，使砂浆、晶棒的温度逐步升高，最终对晶片的质量(如总厚度变化、翘曲度等)产生严重的影响，严重时甚至会导致断线，因此，在切割过程中控制砂浆的温度对于提升晶片的质量尤为重要。
现有技术通常是设置一个固定的砂浆温度，通过冷却机对砂浆温度进行恒温控制。但是，切割过程是变化的，刚开始切割时切割线2与晶棒3的接触面积较小，发热相对较少，随着切割过程的深入，切割线2与晶棒3的接触面积逐渐增大，发热量也随之大幅增加。
基于上述所述的问题，本申请提出了一种晶棒的切割方法及切割装置，在所述切割方法中，在对所述晶棒3切割的过程中，获取喷涂有砂浆的切割线2的温度信息；基于所述温度信息，控制喷涂在所述切割线2上的砂浆的温度，控制喷涂在所述切割线2上砂浆的温度与所述切割线2和所述晶棒3的接触面积负相关。在本申请中，随着所述切割线2越靠近所述晶棒3的中间位置，使所述砂浆的温度逐渐降低，随着所述切割线2远离所述晶棒3的中心位置，使所述砂浆的温度逐渐升高，从而实现所述晶棒3和所述切割线2在不同切割位置的温度保持稳定，从而达到减少晶片翘曲度的目的，即根据所述切割线2不同的切割深度动态调整所述砂浆的温度，使所述切割线的切削能力在整个切割过程中维持稳定，避免因切削能力不足导致的缺陷，从而达到减小碳化硅晶片翘曲的目的。
为使本申请的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本申请作进一步详细的说明。
参考图2，图2为本申请提供的一种晶棒切割方法的流程示意图，所述切割方法包括：
步骤S13：在对所述晶棒3切割的过程中，获取喷涂有砂浆的切割线2的温度信息；
步骤S14：基于所述温度信息，控制喷涂在所述切割线2上的砂浆的温度，控制喷涂在所述切割线2上砂浆的温度与所述切割线2和所述晶棒3的接触面积负相关。
在对所述晶棒3的切割过程中，得到喷涂有砂浆的切割线2的温度信息，所述温度信息的获取可通过设置在所述控制器5内的温度信息；也可通过在切割机舱4内设置温度传感器6，通过所述切割机舱4内的温度传感器6获取喷涂在所述切割线2上的砂浆的温度信息。基于所述温度信息，控制喷涂在所述切割线2上的砂浆的温度，使得控制喷涂在所述切割线2上的砂浆的温度与所述切割线2和所述晶棒3的接触面积为负相关，即所述切割线2与所述晶棒3的接触面积越大，所述切割线2上的砂浆温度越小；所述切割线2与所述晶棒3的接触面积越小，所述切割线2上的砂浆温度越大。通过这种方法，使得在整个切割过程中，所述晶棒3和所述喷涂有砂浆的切割线2在不同切割位置的总的温度保持稳定，从而能够达到减少切割形成的晶片翘曲度的目的，即上述方法是根据所述切割线2在不同的切割深度下动态调整所述砂浆的温度，使所述切割线2的切削能力在整个切割过程中维持稳定，避免因切削能力不足导致的缺陷，从而达到减小所述晶片翘曲的目的。
参考图3，图3为本申请提供的基于图2的另一种晶棒切割方法的流程示意图，在上述切割方法中，在获取所述切割线2的温度信息之前，还包括：
步骤S11：将所述晶棒3安装在工作台，将所述工作台移动至开始切割位置；
步骤S12：打开砂浆喷涂装置7，将砂浆喷涂在所述切割线2表面，开始切割。
参考图3，在获取所述切割线2的温度信息之前，需要将所述待切割的所述晶棒3夹装在位于所述切割机舱4室内的工作台上，所述待切割3晶棒的切割朝向为籽晶面朝外，然后将安装了所述待切割晶棒3的所述工作台移动到开始切割位置，打开砂浆吐出按钮，使得位于所述切割机舱4室内的砂浆喷涂装置7将砂浆均匀地喷涂在高速运动的切割线2的表面上，所述砂浆是通过电动泵将砂浆从切割机外置的砂浆罐8中抽出。在所述切割线2的表面上均匀的喷涂砂浆后，开始切割。
在上述切割方法中，获取所述切割线2的温度信息的方法包括：
通过置于所述切割机舱4内的温度传感器6，获取位于所述切割机舱4内喷涂有砂浆的所述切割线2的温度信息。
在上述所述的切割方法中，需要获取所述切割线2的温度信息，获取所述温度信息的方法包括，在所述切割机舱4室内设置所述温度传感器6，通过设置所述温度传感器6来获取位于所述切割机舱4室内喷涂有砂浆的所述切割线2的温度信息。基于上述所述获取温度信息的方法，控制喷涂在所述切割线2表面的砂浆温度包括：在所述切割机舱4室内和所述砂浆罐8内设置温度传感器6，在所述切割机舱4室内的温度传感器6感应喷涂在所述切割线2表面的砂浆温度，将感应到的温度反馈给控制器5，控制器5根据设置的工艺参数对砂浆罐8内的砂浆温度进行调节。
在上述切割方法中，控制喷涂在所述切割线2上砂浆的温度与所述切割线2和所述晶棒3的接触面积负相关，包括：
当切割深度不大于R/2时，使所述砂浆的温度随着所述晶棒3的切割深度的增大而减小，所述晶棒3的被切割位置的端面直径为R；
当切割深度不小于R/2时，使所述砂浆的温度随着所述晶棒3的切割深度的增大而增大。
在上述所述的切割方法中，控制喷涂在所述切割线2上砂浆的温度与所述切割线2和所述晶棒3的接触面积负相关。其中，控制喷涂在所述切割线2上砂浆的温度是通过设置在所述控制器5中的工艺参数来调节所述砂浆的温度。所述切割线2上的砂浆温度与所述切割线2和所述晶棒3的接触面积负相关包括：在切割过程中，当切割深度为0～R/2阶段时，逐渐降低砂浆温度，使其与所述晶棒3的被切割深度始终保持单调递减，即使所述砂浆的温度随着所述晶棒3的被切割深度的增大而减小；当切割深度为R/2～R阶段时，逐渐提升砂浆温度，使其与所述晶棒3的被切割深度始终保持单调递增，即使所述砂浆的温度随着所述晶棒3的切割深度的增大而增大；其中，所述晶棒3的被切割位置的端面直径为R。
在上述切割方法中，使所述砂浆的温度随着所述晶棒3的切割深度的增大而减小包括：
所述晶棒3的切割深度从0至R/3的切割过程中，使所述砂浆的温度随着切割深度的增大而减小，温度的下降范围不大于1℃；
所述晶棒3的切割深度从R/3至R/2的切割过程中，使所述砂浆的温度随着切割深度的增大而减小，温度的下降范围不大于0.5℃。
在上述所述方法中，所述砂浆的温度随着所述晶棒3的切割深度的增大而减小，即所述晶棒3的切割深度从0至R/3的切割过程中，所述砂浆的温度会呈递减趋势，所述砂浆的温度下降的区间为0-1℃；所述晶棒3的切割深度从R/3至R/2的切割过程中，所述砂浆的温度会随着切割深度的增大而减小，温度的下降区间为0-0.5℃。在本申请实施例中的所述的切割方法，可以用于外径在50.8mm～200mm范围内的碳化硅晶棒。对于所述外径在50.8mm～200mm范围内的所述碳化硅晶棒切割时，所述砂浆的温度随所述碳化硅晶棒的被切割深度的增大而减小，具体的变化为：在预设的砂浆温度值下，在切割深度为0-R/5的阶段内，所述砂浆的温度会逐渐下降0.97℃；在切割深度为R/5-R/3的切割过程中，所述砂浆的温度逐渐下降0.39℃；在切割深度为R/3-2R/5的切割过程中，所述砂浆的温度逐渐下降0.11℃；在切割深度为2R/5-R/2的阶段内，所述砂浆的温度逐渐下降0.06℃。
在上述切割方法中，使所述砂浆的温度随着所述晶棒3的被切割深度的增大而增大包括：
所述晶棒3的切割深度从R/2至2R/3的切割过程中，使所述砂浆的温度随着切割深度的增大而增大，温度的增加范围不大于0.5℃；
所述晶棒3的切割深度从2R/3至R的切割过程中，使所述砂浆的温度随着切割深度的增大而增大，温度的增加范围不大于1℃。
在上述所述的切割方法中，所述晶棒3的切割深度从R/2至2R/3的切割过程中，所述砂浆的温度呈递增趋势，即使所述砂浆的温度随着切割深度的增大而增大，所述砂浆温度的增加区间为0-0.5℃；所述晶棒3的切割深度从2R/3至R的切割过程中，所述砂浆的温度呈递增趋势，即使所述砂浆的温度随着切割深度的增大而增大，所述砂浆温度的增加区间为0-1℃。
对于所述的外径在50.8mm～200mm范围内的所述碳化硅晶棒切割时，所述砂浆的温度随所述碳化硅晶棒的被切割深度的增大而增大，具体的变化为：在切割深度为R/2位置处的温度下，在切割深度为R/2-3R/5的切割过程中，所述砂浆的温度逐渐升高0.06℃；在切割深度为3R/5-2R/3的切割过程中，砂浆温度逐渐升高0.11℃；在切割深度为2R/3-4R/5的切割过程中，砂浆温度逐渐升高0.39℃；在切割深度为4R/5-R的切割过程中，砂浆温度逐渐升高1.01℃。
显然，本申请实施例所述切割方法，不局限于用于碳化硅晶棒，还可用于其他半导体晶棒的切割，如单晶硅或是多晶硅等半导体晶棒的切割，晶棒的外径也不局限于50.8mm～200mm。
在上述切割方法中，所述砂浆的温度范围为20～25℃。
在多线切割中，砂浆具有切削、粘滞和冷却的功能，因此砂浆对多线切割的效果有很大的影响。在切割的过程中，可以通过设置砂浆的参数有效的提高硅片的质量和生产效率，其中，砂浆的功能受粘度的影响，但温度直接影响其粘度，因此，可通过控制温度来控制砂浆的切削能力，但所述砂浆的温度需控制在适宜的温度范围内。砂浆的温度一般控制在20～25℃，在这个温度范围内，砂浆的切削能力是最好的，且切割形成的晶片的切割质量比较理想。
基于上述切割方法，本申请提出了另一具体的实施例：
参考图4，图4为本申请提供的又一种晶棒切割方法的流程示意图，通过上述所述方法，针对于外径为150±1mm的碳化硅晶棒进行切割，具体步骤如下：
步骤S21：将所述待切割的碳化硅晶棒夹装于切割机舱内工作台上，所述碳化硅晶棒切割朝向为籽晶面朝外；
步骤S22：将所述工作台移动到开始切割位置，打开砂浆吐出按钮，使砂浆均匀地涂覆在切割线2的表面；
步骤S23：开始切割，在切割过程中，调整所述砂浆的温度；
步骤S24：切割结束后，将所述工作台从切割线中抬升至装载位置后取下。
参考图5，图5为本申请实施例中所述砂浆温度随切割深度的变化图；其中，调整所述砂浆的温度随所述碳化硅晶棒的被切割深度变化的具体操作为：
在切割深度为0mm位置处时，设置所述砂浆的温度为25℃；
在切割深度为0-20mm的切割过程中，所述砂浆的温度逐渐下降0.72℃；
在切割深度为20-30mm的切割过程中，所述砂浆的温度逐渐下降0.28℃；
在切割深度为30-40mm的切割过程中，所述砂浆的温度逐渐下降0.22℃；
在切割深度为40-50mm的切割过程中，所述砂浆的温度逐渐下降0.16℃；
在切割深度为50-60mm的切割过程中，所述砂浆的温度逐渐下降0.11℃；
在切割深度为60-75mm的切割过程中，所述砂浆的温度逐渐下降0.05℃；
在切割深度为75-90mm的切割过程中，所述砂浆的温度逐渐升高0.06℃；
在切割深度为90-100mm的切割过程中，所述砂浆的温度逐渐升高0.11℃；
在切割深度为100-110mm的切割过程中，所述砂浆的温度逐渐升高0.17℃；
在切割深度为110-120mm的切割过程中，所述砂浆的温度逐渐升高0.22℃；
在切割深度为120-130mm的切割过程中，所述砂浆的温度逐渐升高0.28℃；
在切割深度为130-140mm的切割过程中，所述砂浆的温度逐渐升高0.34℃；
在切割深度为140-150mm的切割过程中，所述砂浆的温度逐渐升高0.39℃。
在本实施例中，在切割深度为0mm位置处时，设置的砂浆温度为25℃，开始切割后，在切割深度为0-75mm的切割过程中，使所述砂浆的温度随切割深度的增大而逐渐降低，且降低的程度逐渐减缓；在切割深度为75mm-150mm的切割过程中，所述砂浆的温度随切割深度的增大而逐渐升高。在对所述碳化硅晶棒的切割过程中，切割位置越靠近所述碳化硅晶棒中心区域时，所述切割线2与所述碳化硅晶棒接触的面积越大，产生的热量越多，而越远离中心区域，所述切割线2与所述碳化硅晶棒接触的面积越小，产生的热量越少，而通过设置的工艺参数，改变所述砂浆的温度，使得所述砂浆的温度随着碳化硅晶棒靠近中间位置而逐渐降低，所述砂浆的温度随着所述碳化硅晶棒远离中心位置而逐渐升高，通过这种方法可以中和所述切割线2和所述碳化硅晶棒切割时产生的热量；从而实现所述碳化硅晶棒和所述切割线2在不同切割位置的温度保持稳定，使切割出的碳化硅晶片翘曲度由之前的30μm以上减小到20μm左右，达到了减少碳化硅晶片翘曲度的目的，使所述切割线2的切削能力在整个切割过程中维持稳定，避免因切削能力不足导致的缺陷，能够更好的满足后续加工要求，提升产品良率。
基于上述所述的一种晶棒的切割方法，本申请还提出了又一实施例:一种晶棒切割装置。
参考图6，图6为本申请实施例提供的一种晶棒切割装置的结构示意图，所述切割装置包括：
切割机舱4；
位于所述切割机舱4内的槽轮1，用于带动切割线2转动；
控制器5，所述控制器5用于在对所述晶棒3切割的过程中，获取喷涂有砂浆的切割线2的温度信息，基于所述温度信息，控制喷涂在所述切割线2上的砂浆的温度，控制喷涂在所述切割线2上砂浆的温度与所述切割线2和所述晶棒3的接触面积负相关。
所述切割装置包括切割机舱4，在所述切割机舱4内存在槽轮1和所述控制器5，在所述槽轮1上有切割线2，所述切割线2根据所述槽轮1的转动做往返运动。所述控制器5用来在切割过程中，根据获得的温度信息，控制喷涂在所述切割线2上的砂浆温度，使得喷涂在所述切割线2的砂浆温度随所述切割线2的切割深度变化，从而使得在整个切割过程中，所述晶棒3和喷涂有所述砂浆的所述切割线2的整体温度在不同切割位置的温度保持稳定，从而达到减小切割形成的所述晶片的翘曲度的目的，即根据所述切割线2不同的切割深度动态调整所述砂浆的温度，使所述切割线2的切削能力在整个切割过程中维持稳定，避免因切削能力不足导致的缺陷，从而达到减小所述晶片翘曲的目的。
参考图6，在上述切割装置中，所述切割装置还包括：
位于所述切割机舱4内的温度传感器6；
所述控制器5与所述温度传感器6连接，用于通过所述温度传感器6获取喷涂有砂浆的切割线的温度信息。
在所述切割装置中还包括温度传感器6，位于所述切割机舱4内的温度传感器6与所述控制器5连接，用于将所述切割机舱4内的所述切割线2上的砂浆温度信息反馈给所述控制器5，所述控制器5根据工艺参数改变位于砂浆罐中的砂浆的温度，从而使得所述砂浆的温度随着切割深度发生变化。
在上述切割装置中，所述控制器5控制喷涂在所述切割线2上砂浆的温度与所述切割线2和所述晶棒3的接触面积负相关，包括：
当切割深度不大于R/2时，使所述砂浆的温度随着所述晶棒3的切割深度的增大而减小，所述晶棒3的被切割位置的端面直径为R；
当切割深度不小于R/2时，使所述砂浆的温度随着所述晶棒3的切割深度的增大而增大。
在切割装置中，所述控制器5用于接收位于所述切割机舱4内的温度传感器6反馈的温度，并且基于此温度信息控制喷涂在所述切割线2表面的砂浆温度，使得所述切割线2上的温度与所述切割线2与所述晶棒3的接触面积呈负相关。
基于上述所述，本申请提出了一种晶棒3的切割方法和切割装置，在所述切割方法中，使得喷涂在所述切割线2上砂浆的温度与所述切割线2和所述晶棒3的接触面积负相关，从而使得所述砂浆温度能够中和因为所述切割线2与所述晶棒3的接触面积增大而产生的热量，从而达到减小切割形成的所述晶片的翘曲度的目的，即根据所述切割线2不同的切割深度动态调整所述砂浆的温度，使所述切割线2的切削能力在整个切割过程中维持稳定，避免因切削能力不足导致的缺陷，从而达到减小所述晶片翘曲的目的
本说明书中各个实施例采用递进、或并列、或递进和并列结合的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。对于实施例公开的装置而言，由于其与实施例公开的方法相对应，所以描述的比较简单，相关之处参见方法部分说明即可。
需要说明的是，在本申请的描述中，需要理解的是，幅图和实施例的描述是说明性的而不是限制性的。贯穿说明书实施例的同样的幅图标记标识同样的结构。另外，处于理解和易于描述，幅图可能夸大了一些层、膜、面板、区域等厚度。同时可以理解的是，当诸如层、膜、区域或基板的元件被称作“在”另一元件“上”时，该元件可以直接在其他元件上或者可以存在中间元件。另外，“在…上”是指将元件定位在另一元件上或者另一元件下方，但是本质上不是指根据重力方向定位在另一元件的上侧上。
术语“上”、“下”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。当一个组件被认为是“连接”另一个组件，它可以是直接连接到另一个组件或者可能同时存在居中设置的组件。
还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括上述要素的物品或者设备中还存在另外的相同要素。
对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本申请。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本申请的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本申请将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (10)

1.一种晶棒的切割方法，其特征在于，所述切割方法包括：
在对所述晶棒切割的过程中，获取喷涂有砂浆的切割线的温度信息；
基于所述温度信息，控制喷涂在所述切割线上的砂浆的温度，控制喷涂在所述切割线上砂浆的温度与所述切割线和所述晶棒的接触面积负相关。
2.根据权利要求1所述的切割方法，其特征在于，在获取所述切割线的温度信息之前，还包括：
将所述晶棒安装在工作台，将所述工作台移动至开始切割位置；
打开砂浆喷涂装置，将砂浆喷涂在所述切割线表面，开始切割。
3.根据权利要求1所述的切割方法，其特征在于，获取所述切割线的温度信息的方法包括：
通过置于切割机舱内的温度传感器，获取位于所述切割机舱内喷涂有砂浆的所述切割线的温度信息。
4.根据权利要求1所述的切割方法，其特征在于，控制喷涂在所述切割线上砂浆的温度与所述切割线和所述晶棒的接触面积负相关，包括：
当切割深度不大于R/2时，使所述砂浆的温度随着所述晶棒的切割深度的增大而减小，所述晶棒的被切割位置的端面直径为R；
当切割深度不小于R/2时，使所述砂浆的温度随着所述晶棒的切割深度的增大而增大。
5.根据权利要求4所述的切割方法，其特征在于，使所述砂浆的温度随着所述晶棒的切割深度的增大而减小包括：
所述晶棒的切割深度从0至R/3的切割过程中，使所述砂浆的温度随着切割深度的增大而减小，温度的下降范围不大于1℃；
所述晶棒的切割深度从R/3至R/2的切割过程中，使所述砂浆的温度随着切割深度的增大而减小，温度的下降范围不大于0.5℃。
6.根据权利要求4所述的切割方法，其特征在于，使所述砂浆的温度随着所述晶棒的切割深度的增大而增大包括：
所述晶棒的切割深度从R/2至2R/3的切割过程中，使所述砂浆的温度随着切割深度的增大而增大，温度的增加范围不大于0.5℃；
所述晶棒的切割深度从2R/3至R的切割过程中，使所述砂浆的温度随着切割深度的增大而增大，温度的增加范围不大于1℃。
7.根据权利要求1所述的切割方法，其特征在于，所述砂浆的温度范围为20～25℃。
8.一种晶棒切割装置，其特征在于，所述切割装置包括：
切割机舱；
位于所述切割机舱内的槽轮，用于带动切割线转动；
控制器，所述控制器用于在对所述晶棒切割的过程中，获取喷涂有砂浆的切割线的温度信息，基于所述温度信息，控制喷涂在所述切割线上的砂浆的温度，控制喷涂在所述切割线上砂浆的温度与所述切割线和所述晶棒的接触面积负相关。
9.根据权利要求8所述的切割装置，其特征在于，所述切割装置还包括：
位于所述切割机舱内的温度传感器；
所述控制器与所述温度传感器连接，用于通过所述温度传感器获取喷涂有砂浆的切割线的温度信息。
10.根据权利要求8所述的切割装置，其特征在于，
当切割深度不大于R/2时，所述控制器用于使所述砂浆的温度随着所述晶棒的切割深度的增大而减小，所述晶棒的被切割位置的端面直径为R；
当切割深度不小于R/2时，所述控制器用于使所述砂浆的温度随着所述晶棒的切割深度的增大而增大。
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