CN115394897B - 一种红光Micro-LED芯片及其制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及Micro‑LED技术领域，具体涉及一种红光Micro‑LED芯片及其制作方法，该芯片包括第一钝化层、第一半导体层、发光层、第二半导体层、第二钝化层、第一电极和第二电极；第一钝化层和第二钝化层将整个外延层芯片包裹；第一钝化层由Fe2O3@SiO2复合材料溅射而成。本发明通过引入牺牲层和蓝宝石临时衬底，可以得到外延层被第一钝化层和第二钝化层包裹的无衬底红光Micro‑LED芯片，该制备方法工艺简单，工作效率及成品率高，得到的红光Micro‑LED芯片产品质量稳定、可靠，可满足大规模商业化应用。
Description
技术领域
本发明涉及Micro-LED技术领域，具体涉及一种红光Micro-LED芯片及其制作方法。
背景技术
Micro-LED（微发光二极管）是新型显示技术与发光二极管技术复合集成的综合性技术。其不仅凭借高亮度、高分辨率、高对比度的特性带来了震撼的显示效果，还因其轻薄化、可小型化的属性，被誉为显示技术的终极目标。虽然已有终端应用产品出现，但由于Micro-LED要求LED全彩像素的点距小，采用常规LED工序中的激光切割、裂片工艺、激光剥离等技术容易对芯片造成严重的损伤，从而影响芯片的发光效率。
目前，Micro-LED发展仍在初期阶段，应用落地面临着一系列技术问题，如果采用常规激光剥离技术去除衬底，容易由于激光能量过大，去除过度造成外延层损伤，或激光能量过小，去除不足造成剥离失效，影响芯片品质；容易在后续工艺中出现断裂，导致产品失效；以及由于芯粒被分立使得后续工序繁琐、制作及转移效率低下的问题，无法大规模商用化。因此，急需开发一款无衬底Micro-LED芯片以解决上述问题。
发明内容
针对现有技术的不足，本发明提供了一种红光Micro-LED芯片及其制作方法，通过引入牺牲层和蓝宝石临时衬底，可以得到无衬底且被第一钝化层和第二钝化层包裹的红光Micro-LED芯片，有效解决了红光Micro-LED芯片在激光剥离衬底时带来的工序复杂、效率低，成品率低、产品不稳定以及亮度低等问题。
本发明的第一个目的是提供一种红光Micro-LED芯片的制作方法，包括以下具体步骤：
S1、提供一GaAs衬底，自下而上依次外延生长第二半导体层、发光层、第一半导体层；
S2、在第一半导体层表面通过磁溅射Fe2O3@SiO2复合材料，得到第一钝化层；
S3、提供一蓝宝石临时衬底，在蓝宝石临时衬底一侧生长牺牲层，然后在牺牲层表面沉积SiO2；
S4、将第一钝化层表面与蓝宝石临时衬底长有SiO2一面对齐接触，在加热加压下完成第一钝化层和蓝宝石临时衬底的的键合；
S5、通过化学溶液将GaAs衬底腐蚀去除，露出第二半导体层；
S6、利用ICP（电感耦合等离子体）干法刻蚀将部分第二半导体层和发光层刻蚀干净露出第一半导体层；
S7、在露出的第一半导体层表面蒸镀第一接触电极；
S8、在第二半导体层表面蒸镀第二接触电极；
S9、通过ICP蚀刻出一道道沟槽，将外延层分割成一颗颗芯粒；
S10、在背离蓝宝石临时衬底的一侧沉积第二钝化层；
S11、通过ICP在第二钝化层上刻蚀出第一导电孔和第二导电孔；
S12、同时蒸镀制作第一电极和第二电极所需的金属材料，制作第一电极和第二电极；
S13、通过激光将沟槽内的第二钝化层分割开；
S14、从蓝宝石临时衬底一侧用激光照射牺牲层，将芯片释放出来，得到无衬底红光Micro-LED芯片。
本发明制作方法先将外延层与生长有牺牲层的蓝宝石临时衬底键合，在去除外延层原衬底后使得外延层有蓝宝石临时衬底的支撑，并未完全分立，后续工序可以顺利进行，工作效率及成品率大大提高；在制作完芯粒后，通过激光照射烧蚀牺牲层，可以顺利的将蓝宝石临时衬底去除，同时，第一钝化层可以有效的保护外延层不受到激光的损伤，提高芯片的品质；此外，在制作电极前就完成了芯粒外延层的切割，后续只需去除牺牲层和蓝宝石临时衬底，芯片品质得到进一步保障。
进一步的，上述技术方案步骤S2中，所述Fe2O3@SiO2复合材料的粒径为100nm-200nm；所述第一钝化层的厚度为2.5μm-4μm，优选厚度为3μm。
本技术方案中，第一钝化层可以在外延层与蓝宝石临时衬底键合时充当它们的键合层的作用，将两者紧密结合在一起，无需另外使用键合层，节省工序和成本；同时，第一钝化层在后续激光去除牺牲层时起到保护外延层不受激光损伤的作用，提高成品率；选用Fe2O3@SiO2复合材料使得芯片带有磁性，可提高后续转移效率，提高生产效率。
进一步的，上述技术方案中，所述Fe2O3@SiO2复合材料的制备方法为：先选取粒径为20nm-50nm的Fe2O3粉末，然后在Fe2O3粉末表面通过磁控溅射包覆一层SiO2，即得。本技术方案中第一钝化层选用Fe2O3@SiO2复合材料构成，不仅可以保持其对可见光的透光性，保证芯片有足够的亮度；同时使得芯片带有磁性，在客户端可以通过磁性转移头将芯片转移到目标基板，达到很好的转移效率，从而实现巨量转移的目的。
进一步的，上述技术方案步骤S3中，所述牺牲层表面沉积SiO2的厚度为0.4μm-0.6μm。优选厚度为0.5μm。本技术方案中的牺牲层在受到激光照射后会发生分解反应，从而使得外延层与蓝宝石临时衬底分离，实现将蓝宝石临时衬底剥离下来的目的。
进一步的，上述技术方案步骤S4中，所述键合的条件为：加热的温度为450℃，加压的压力为15000kg。
进一步的，上述技术方案步骤S5中，所述化学溶液为氨水和双氧水的混合溶液。
进一步的，上述技术方案步骤S9中，蚀刻沟槽时，一直蚀刻至蓝宝石临时衬底停止。本技术方案中，蚀刻沟槽至蓝宝石临时衬底，使得芯片成粒，但不完全分立，方便后续工序的进行，可提高工作效率和成品率。
进一步的，上述技术方案步骤S10中，所述第二钝化层为SiO2，厚度为2.5μm-4μm。
本发明的第二个目的是提供一种由上述制作方制备的红光Micro-LED芯片，包括第一钝化层、第一半导体层、发光层、第二半导体层、第二钝化层、第一电极和第二电极；
所述第一钝化层和所述第二钝化层将整个外延层芯片包裹；
所述第一钝化层由Fe2O3@SiO2复合材料溅射而成。
本发明将整个外延层芯片包裹在第一钝化层和第二钝化层之间，提高芯片机械强度的同时，还可在客户端使用过程中有效隔绝水汽对外延层的影响，极大的提高了芯片的稳定性和可靠性，同时还可保证出光效率。
进一步的，上述技术方案中，所述第一半导体层和第二半导体层上分别有第一接触电极和第二接触电极；所述第一电极通过第一导电孔与第一接触电极相连，所述第二电极通过第二导电孔与第二接触电极相连。
本发明与现有技术相比，其有益效果有：
1、本发明将外延层与生长有牺牲层的蓝宝石临时衬底键合，在去除外延层原衬底后使得外延层有蓝宝石临时衬底的支撑，并未完全分立，方便后续工序的顺利进行，可大大提高工作效率和成品率。
2、本发明的第一钝化层使用Fe2O3@SiO2复合材料，不仅可以在外延层与蓝宝石临时衬底键合时充当它们的键合层的作用，将两者紧密结合在一起，无需另外使用键合层，节省工序和成本；透光性好，可保证芯片的亮度，在制作完芯粒后，通过激光照射烧蚀牺牲层，可以顺利的将蓝宝石临时衬底去除，同时，第一钝化层还可以有效的保护外延层不受到激光的损伤，提高芯片成品率。
3、本发明得到的红光Micro-LED芯片其整个外延层芯片包裹在第一钝化层和第二钝化层之间，不仅可以提高芯片机械强度，同时还可在客户端使用过程中有效隔绝水汽对外延层的影响，极大的提高了芯片的稳定性和可靠性，第一钝化层中含有Fe2O3，使得芯片带有磁性，在客户端可以通过磁性转移头将芯片转移到目标基板上，提高转移效率，从而实现巨量转移的目的。
4、本发明制作方法简单，通过引入牺牲层和蓝宝石临时衬底，可以得到无衬底且被第一钝化层和第二钝化层包裹的红光Micro-LED芯片，工作效率高、产品质量稳定、可靠，可满足大规模商业化应用。
附图说明
图1为本发明制作完的红光Micro-LED芯片截面结构示意图。
示意图中标号说明：
1、第一钝化层；2、第一半导体层；3、发光层；4、第二半导体层；5、第二钝化层；6、第一电极；7、第二电极。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本申请及其应用或使用的任何限制。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中，需要理解的是，使用“第一”、“第二”等词语来限定零部件，仅仅是为了便于对相应零部件进行区别，如没有另行声明，上述词语并没有特殊含义，因此不能理解为对本申请保护范围的限制。
在本申请的描述中，需要理解的是，方位词如“前、后、上、下、左、右”、“横向、竖向、垂直、水平”和“顶、底”等所指示的方位或位置关系通常是基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，在未作相反说明的情况下，这些方位词并不指示和暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位或者以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请保护范围的限制；方位词“内、外”是指相对于各部件本身的轮廓的内外。
请参阅图1，需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图示中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的形态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局形态也可能更为复杂。
本发明的实施例中公开了一种红光Micro-LED芯片的制作方法，包括以下具体步骤：
S1、提供一GaAs衬底，将衬底放入MOCVD（金属有机物化学气相淀积）设备内，自下而上依次外延生长第二半导体层、发光层、第一半导体层。
S2、通过磁控溅射在第一半导体层表面沉积厚度为2.5μm-4μm的Fe2O3@SiO2复合材料作为第一钝化层；优选SiO2的厚度为3μm。
在沉积第一钝化层之前，先制作Fe2O3@SiO2复合材料，具体步骤为：选取直径在20nm-50nm的Fe2O3粉末，通过磁控溅射的方法在其表面包覆一层SiO2，得到Fe2O3@SiO2复合材料,该复合材料的粒径控制在100nm-200nm。本发明使用Fe2O3@SiO2复合材料，不仅可以保持对可见光的透光性，出光效率高，同时还使得芯片带有磁性，方便后续转移，提高工作效率。
S3、提供一蓝宝石临时衬底，在蓝宝石临时衬底一侧生长牺牲层，然后在牺牲层表面继续沉积厚度为0.4-0.6μm的SiO2；具体的，优选SiO2的厚度为0.5μm；对牺牲层的结构没有特别要求，只需在激光照射下能够发生分解即可。
S4、将外延层的第一钝化层表面与蓝宝石临时衬底长有SiO2一面通过物理抛光后对齐贴合在一起，放入到键合机内，在450℃，15000Kg压力下完成的键合。
S5、将键合后的片源放入到氨水和双氧水的混合溶液内，通过化学溶液将GaAs衬底腐蚀去除，露出第二半导体层。
S6、在第二半导体层表面利用正性光刻胶做掩膜图像，通过ICP干法蚀刻将没有光刻胶覆盖区域的第二半导体层和发光层刻蚀干净，露出第一半导体层。
S7、通过负胶做掩膜图形，在露出的第一半导体层表面蒸镀金属，制作第一接触电极。
S8、利用负胶做掩膜图形，在第二半导体层表面制作第二接触电极。
S9、在背离蓝宝石临时衬底一侧利用正胶做掩膜图形，通过ICP蚀刻出一道道沟槽，将外延层分割成一颗颗芯粒，蚀刻沟槽时一直蚀刻至蓝宝石临时衬底停止。
S10、在背离蓝宝石临时衬底的一侧沉积厚度为2.5μm-4μm的SiO2作为第二钝化层；优选SiO2的厚度为3μm。
S11、利用正性光刻胶做掩膜图形，通过ICP同时将第一导电孔和第二导电孔刻蚀出来。
S12、同时蒸镀制作第一电极和第二电极所需的金属材料，第一电极和第二电极分别通过导电孔与各自的接触电极相连。
S13、在背离蓝宝石临时衬底一侧通过激光将沟槽内沉积的第二钝化层分割开。
S14、在蓝宝石临时衬底一侧用激光照射芯片，激光会透过蓝宝石临时衬底烧蚀牺牲层，从而将芯片释放出来，得到无衬底红光Micro-LED芯片。
本发明的另一实施例中提供一种由上述制作方制备的红光Micro-LED芯片，其截面结构示意图如图1所示，包括第一钝化层1、第一半导体层2、发光层3、第二半导体层4、第二钝化层5、第一电极6和第二电极7。
进一步的，所述第一钝化层1和所述第二钝化层5将整个外延层芯片包裹，上述结构不仅可以提高芯片机械强度，同时还可在客户端使用过程中有效隔绝水汽对外延层的影响，极大的提高了芯片的稳定性和可靠性。
进一步的，所述第一半导体层2和第二半导体层4上分别设有第一接触电极和第二接触电极；所述第一电极6通过第一导电孔与第一接触电极相连，所述第二电极7通过第二导电孔与第二接触电极相连，最终形成一个完整的的无衬底红光Micro-LED芯片，依靠钝化层保护和支撑，性能更加可靠稳定。
综上所述，本发明通过引入牺牲层和蓝宝石临时衬底，可以得到外延层被第一钝化层和第二钝化层包裹的无衬底红光Micro-LED芯片，有效解决了红光Micro-LED芯片在激光剥离衬底时带来的工序复杂、效率低，成品率低以及产品不稳定等问题，该制备方法工艺简单，工作效率及成品率高，得到的红光Micro-LED芯片产品质量稳定、可靠，可满足大规模商业化应用。
最后需要强调的是，以上所述仅为本发明的优选实施例，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种变化和更改，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (9)
1.一种红光Micro-LED芯片的制作方法，其特征在于，包括以下具体步骤：
S1、提供一GaAs衬底，自下而上依次外延生长第二半导体层、发光层、第一半导体层；
S2、在第一半导体层表面通过磁溅射Fe2O3@SiO2复合材料，得到第一钝化层；所述Fe2O3@SiO2复合材料的制备方法为：先选取粒径为20nm-50nm的Fe2O3粉末，然后在Fe2O3粉末表面通过磁控溅射包覆一层SiO2，即得；
S3、提供一蓝宝石临时衬底，在蓝宝石临时衬底一侧生长牺牲层，然后在牺牲层表面沉积SiO2；
S4、将第一钝化层表面与蓝宝石临时衬底长有SiO2一面对齐接触，在加热加压下完成第一钝化层和蓝宝石临时衬底的键合；
S5、通过化学溶液将GaAs衬底腐蚀去除，露出第二半导体层；
S6、利用ICP干法刻蚀将部分第二半导体层和发光层刻蚀干净露出第一半导体层；
S7、在露出的第一半导体层表面蒸镀第一接触电极；
S8、在第二半导体层表面蒸镀第二接触电极；
S9、通过ICP蚀刻出一道道沟槽，将外延层分割成一颗颗芯粒；
S10、在背离蓝宝石临时衬底的一侧沉积第二钝化层；
S11、通过ICP在第二钝化层上刻蚀出第一导电孔和第二导电孔；
S12、同时蒸镀制作第一电极和第二电极所需的金属材料，制作第一电极和第二电极；
S13、通过激光将沟槽内的第二钝化层分割开；
S14、从蓝宝石临时衬底一侧用激光照射牺牲层，将芯片释放出来，得到无衬底红光Micro-LED芯片。
2.根据权利要求1所述的一种红光Micro-LED芯片的制作方法，其特征在于，步骤S2中，所述Fe2O3@SiO2复合材料的粒径为100nm-200nm；所述第一钝化层的厚度为2.5μm-4μm。
3.根据权利要求1所述的一种红光Micro-LED芯片的制作方法，其特征在于，步骤S3中，所述牺牲层表面沉积SiO2的厚度为0.4μm-0.6μm。
4.根据权利要求1所述的一种红光Micro-LED芯片的制作方法，其特征在于，步骤S4中，所述键合的条件为：加热的温度为450℃，加压的压力为15000kg。
5.根据权利要求1所述的一种红光Micro-LED芯片的制作方法，其特征在于，步骤S5中，所述化学溶液为氨水和双氧水的混合溶液。
6.根据权利要求1所述的一种红光Micro-LED芯片的制作方法，其特征在于，步骤S9中，蚀刻沟槽时，一直蚀刻至蓝宝石临时衬底停止。
7.根据权利要求1所述的一种红光Micro-LED芯片的制作方法，其特征在于，步骤S10中，所述第二钝化层为SiO2，厚度为2.5μm-4μm。
8.一种由权利要求1-7任一项所述的制作方法制作的红光Micro-LED芯片，其特征在于，包括第一钝化层、第一半导体层、发光层、第二半导体层、第二钝化层、第一电极和第二电极；
所述第一钝化层和所述第二钝化层将整个外延层芯片包裹；
所述第一钝化层由Fe2O3@SiO2复合材料溅射而成。
9.根据权利要求8所述的红光Micro-LED芯片，其特征在于，所述第一半导体层和第二半导体层上分别设有第一接触电极和第二接触电极；所述第一电极通过第一导电孔与第一接触电极相连，所述第二电极通过第二导电孔与第二接触电极相连。
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|---|---|---|---|---|
| CN102067335A (zh) * | 2008-08-22 | 2011-05-18 | 晶能光电（江西）有限公司 | 一种在复合衬底上制备InGaAlN发光器件的方法 |
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2022
- 2022-10-28 CN CN202211330515.9A patent/CN115394897B/zh active Active
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| CN102067335A (zh) * | 2008-08-22 | 2011-05-18 | 晶能光电（江西）有限公司 | 一种在复合衬底上制备InGaAlN发光器件的方法 |
| WO2013152657A1 (zh) * | 2012-04-09 | 2013-10-17 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 一种垂直结构氮化镓基发光元件的制作方法 |
| CN107206544A (zh) * | 2015-01-28 | 2017-09-26 | 西尔特克特拉有限责任公司 | 透明的并且高度稳定的显示屏保护件 |
| CN110600592A (zh) * | 2019-10-11 | 2019-12-20 | 佛山市国星半导体技术有限公司 | 一种倒装led芯片及其制作方法 |
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